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KR100726001B1 - Light emitting diode package and its manufacturing method - Google Patents

Light emitting diode package and its manufacturing method Download PDF

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KR100726001B1
KR100726001B1 KR1020060036892A KR20060036892A KR100726001B1 KR 100726001 B1 KR100726001 B1 KR 100726001B1 KR 1020060036892 A KR1020060036892 A KR 1020060036892A KR 20060036892 A KR20060036892 A KR 20060036892A KR 100726001 B1 KR100726001 B1 KR 100726001B1
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KR
South Korea
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light emitting
emitting diode
lead frame
diode chip
insulating layer
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김동설
김동수
인치억
최화경
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알티전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 절연층과, 판형상으로 형성되어 일측면이 절연층의 일면에 고정되고 저면이 기판에 밀착되며 기판에 형성된 회로와 접속되는 제1 리드프레임과, 일면이 절연층의 타면에 고정되어 회로와 접속되는 제2 리드프레임과, 제1 리드프레임의 상면에 실장되고, 제1 및 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩과, 발광다이오드칩을 커버하여 결합하는 렌즈부를 포함하되, 제1 리드프레임의 저면은 제2 리드프레임의 저면보다 표면적이 넓게 형성되어, 발광다이오드칩으로부터 발생하는 열을 기판으로 전도하여 방출함으로써, 발광다이오드 패키지의 생산단가가 절감되고 제조공정이 간단해져 제품의 양산이 용이해지며, 발광다이오드칩의 광방출 효율이 증대되는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package and a method for manufacturing the same, wherein the first lead frame is formed in an insulating layer and a plate shape, one side of which is fixed to one side of the insulating layer, the bottom of the substrate is in close contact with the substrate, and the circuit is formed on the substrate And a second lead frame having one surface fixed to the other surface of the insulating layer and connected to the circuit, a light emitting diode chip mounted on the top surface of the first lead frame, and electrically connected to the first and second lead frames, and a light emitting diode. It includes a lens unit for covering and coupling the chip, the bottom surface of the first lead frame is formed to have a larger surface area than the bottom surface of the second lead frame, by conducting the heat generated from the light emitting diode chip to the substrate to emit, The production cost is reduced, the manufacturing process is simplified, mass production of the product is easy, and the light emitting efficiency of the light emitting diode chip is increased.

Description

발광다이오드 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFORE}LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFORE}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 분해 사시도.1 is an exploded perspective view of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 리드프레임의 평면도.Figure 2a is a plan view of a first leadframe according to the first embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 리드프레임의 정면도.Figure 2b is a front view of the first leadframe according to the first embodiment of the present invention.

도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제2 리드프레임의 평면도.3A is a plan view of a second leadframe according to the first embodiment of the present invention.

도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제2 리드프레임의 정면도.3B is a front view of a second leadframe according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 및 제2 리드프레임과 절연층이 결합된 스트립(Strip)의 사시도.4 is a perspective view of a strip in which first and second lead frames and an insulating layer are coupled according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도.5 is a perspective view of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 렌즈부가 결합된 발광다이오드 패키지의 사시도.Figure 6 is a perspective view of a light emitting diode package coupled to the lens unit according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도.7 is a perspective view of a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 정면도.8 is a front view of FIG. 7;

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 렌즈부가 결합된 발광다이오드 패키지의 사시도.9 is a perspective view of a light emitting diode package coupled to the lens unit according to the second embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 제2 리드프레임 및 절연층을 구비한 발광다이오드 패키지의 사시도.10 is a perspective view of a light emitting diode package having a second lead frame and an insulating layer according to a third embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 제1 리드프레임100: first lead frame

200 : 제2 리드프레임200: second lead frame

300 : 발광다이오드칩300: light emitting diode chip

400 : 절연층400: insulation layer

500 : 렌즈부500: lens unit

600 : 스트립(Strip)600: Strip

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same.

발광다이오드(Light Emitting Diode)는 화합물반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선 또는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 반도체의 일종으로서 가전제품 등의 표시용 소자, 휴대폰, PDA, 디스플레이의 백라이트(Backlight) 광원, 조명 등 다양한 분야에 사용되고 있다. Light Emitting Diode is a kind of semiconductor used to send and receive electric signals by converting electric signals into infrared rays or light by using the characteristics of compound semiconductors. Backlight) It is used in various fields such as light source and lighting.

일반적으로 발광다이오드는 양극과 음극의 리드프레임에 전기적으로 연결되어 전원을 공급받고 전기적 에너지를 빛 에너지로 변환하는데, 통상적으로 별도의 방열판(Heat Sink)을 발광다이오드칩과 접촉되도록 구비함으로써, 발광다이오드 작동에 따른 발열로 인해 발광다이오드칩의 주변온도가 상승하여 야기되는 광출력 저하현상을 방지한다. In general, the light emitting diode is electrically connected to the lead frames of the anode and the cathode to receive power and to convert electrical energy into light energy. In general, a separate heat sink is provided to be in contact with the light emitting diode chip. Due to the heat generated by the operation, it is possible to prevent the light output degradation caused by the ambient temperature of the LED chip rises.

종래의 발광다이오드 패키지는 전원 공급용 리드프레임과 냉각용 방열판을 별도로 구비하여 조립하기 때문에 제품의 구조가 복잡해지고 제조단가가 상승하는 문제점이 있다.The conventional LED package has a problem in that the structure of the product is complicated and the manufacturing cost increases because the LED package is assembled by separately providing a power supply lead frame and a cooling heat sink.

본 발명은 내열성이 우수한 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. The present invention provides a light emitting diode package excellent in heat resistance and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명은 조립이 간단하고 생산단가가 절감되는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. In addition, the present invention provides a light emitting diode package and a method of manufacturing the same, which is simple to assemble and the production cost is reduced.

본 발명의 일 측면에 따르면, 절연층과, 판형상으로 형성되어 일측면이 절연층의 일면에 고정되고 저면이 기판에 밀착되며 기판에 형성된 회로와 접속되는 제1 리드프레임과, 일면이 절연층의 타면에 고정되어 회로와 접속되는 제2 리드프레임과, 제1 리드프레임의 상면에 실장되고, 제1 및 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩과, 발광다이오드칩을 커버하여 결합하는 렌즈부를 포함하되, 제1 리드프레임의 저면은 제2 리드프레임의 저면보다 표면적이 넓게 형성되어, 발 광다이오드칩으로부터 발생하는 열을 기판으로 전도하여 방출하는 발광다이오드 패키지가 제시된다. According to an aspect of the present invention, an insulating layer, a first lead frame is formed in a plate shape, one side is fixed to one surface of the insulating layer, the bottom surface is in close contact with the substrate and connected to the circuit formed on the substrate, and one surface is an insulating layer A second lead frame fixed to the other surface of the second lead frame, the light emitting diode chip mounted on the top surface of the first lead frame, and electrically connected to the first and second lead frames, and coupled to the light emitting diode chip. A light emitting diode package including a lens unit, wherein a bottom surface of the first lead frame is formed to have a larger surface area than a bottom surface of the second lead frame, thereby conducting and emitting heat generated from the light emitting diode chip to the substrate.

절연층은 별도의 고체상태의 절연물질로 구비되어 제1 또는 제2 리드프레임과 각각 접착되어 고정되거나, 유동성의 절연접착 물질로서 제1 및 제2 리드프레임을 접착하여 고정시킨 후 고체상태로 경화될 수 있다. The insulating layer is provided with an insulating material in a separate solid state, and is bonded to and fixed to the first or second lead frame, respectively, or the first and second lead frames are bonded and fixed as a fluid insulating adhesive material and then hardened to a solid state. Can be.

제1 또는 제2 리드프레임이 절연층과 결합하는 단부에는 단락방지용 단차가 형성되어 절연층을 매개로 제1 리드프레임과 제2 리드프레임이 결합되는 부분에서 제1 리드프레임과 제2 리드프레임 간의 거리가 상기 단차만큼 이격되기 때문에 쇼트의 발생이 감소될 수 있다.Short-circuit prevention steps are formed at the end where the first or second lead frame is coupled with the insulating layer, so that the portion between the first lead frame and the second lead frame is coupled between the first lead frame and the second lead frame through the insulating layer. Since the distance is spaced by the step, the occurrence of the short can be reduced.

제1 또는 제2 리드프레임은 열전도율 및 도전성이 뛰어난 금속인 구리, 알루미늄, 은, 텅스텐, 몰리브덴, 베릴륨 및 이들의 합금으로 구성되는 군에서 선택된 어느 하나로 형성되어 제1 또는 제2 리드프레임 자체가 기판에 형성된 회로와의 접속단자 및 방열용 히트씽크 역할을 동시에 수행할 수 있다. The first or second leadframe is formed of any one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, tungsten, molybdenum, beryllium, and alloys thereof, which are excellent in thermal conductivity and conductivity, so that the first or second leadframe itself A heat sink for heat dissipation and a connection terminal with a circuit formed at the same time can be performed.

발광다이오드칩은 제1 및 제2 리드프레임과 와이어 본딩되어 전기적으로 연결되고, 렌즈부는 발광다이오드칩을 감싸면서 몰딩방식으로 형성되거나 별도의 고체상태의 렌즈부가 결합될 수 있으며, 상기 고형의 렌즈부는 내부에 캐비티(cavity)가 구비된 렌즈와 캐비티에 충진되는 투광성의 충진물질을 포함하되, 캐비티에는 발광다이오드칩 및 와이어가 수용되어 와이어 및 발광다이오드칩이 외부의 충격이나 기타 이물질로부터 보호되는 것이 바람직하다. The light emitting diode chip is wire-bonded with the first and second lead frames to be electrically connected to each other, and the lens unit may be formed in a molding manner while surrounding the light emitting diode chip, or a separate solid state lens unit may be combined. It includes a lens having a cavity (cavity) inside and a light-transmitting filling material filled in the cavity, the light emitting diode chip and the wire is accommodated in the cavity, the wire and the light emitting diode chip is preferably protected from external impact or other foreign matters Do.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 절연층과, 판형상으로 형성되어 일측면에 절 연층의 일면이 고정되고 저면이 기판에 밀착되며, 기판에 형성된 회로와 접속되는 제1 리드프레임과, 제1 리드프레임의 상면에 실장되는 발광다이오드칩과, 절연층의 타면에 고정되는 수직부와 제1리드프레임의 표면과 절연되며 발광다이오드칩에 근접하도록 연장되는 수평부와 회로와 접속되는 저면을 갖는 제2 리드프레임과, 발광다이오드칩을 제1 및 제2 리드프레임과 전기적으로 연결하는 접속연결수단과, 발광다이오드칩을 커버하여 결합되는 렌즈부를 포함하되, 제1 리드프레임의 저면은 제2 리드프레임의 저면보다 표면적이 넓게 형성되어, 발광다이오드칩으로부터 발생하는 열을 기판으로 전도하여 방출하는 발광다이오드 패키지가 제시된다. According to another aspect of the invention, the first lead frame is formed in an insulating layer, the plate shape is fixed to one side of the insulating layer on one side, the bottom surface is in close contact with the substrate, and connected to the circuit formed on the substrate, the first lead A second light emitting diode chip mounted on an upper surface of the frame, a vertical portion fixed to the other surface of the insulating layer, a horizontal portion insulated from the surface of the first lead frame and extending to approach the light emitting diode chip, and a bottom surface connected to the circuit; A lead frame, connection connecting means for electrically connecting the light emitting diode chip to the first and second lead frames, and a lens unit covering and coupled to the light emitting diode chip, wherein the bottom of the first lead frame includes There is provided a light emitting diode package having a larger surface area than the bottom surface, which conducts and releases heat generated from the light emitting diode chip to a substrate.

렌즈부는 제1 리드프레임의 상면 중 발광다이오드칩의 실장영역을 포함하여 소정의 영역을 폐쇄하고, 발광다이오드칩으로부터 발생하는 열의 일부가 제1 리드프레임의 개방된 상면과 접촉한 외기와의 대류를 통해 방출될 수 있기 때문에 전도 및 대류를 통한 복합적인 냉각방식을 통해 발광다이오드의 방열 효율이 향상될 수 있다. 제1리드프레임의 개방된 상면에는 홈 또는 돌기가 형성되어 외기와의 접촉면적이 증대되어 상기 대류를 통한 제1 리드프레임의 냉각효율이 더 향상될 수 있다. The lens unit closes a predetermined area including the mounting area of the light emitting diode chip in the upper surface of the first lead frame, and a part of the heat generated from the light emitting diode chip causes convection with outside air in contact with the open upper surface of the first lead frame. Since it can be emitted through the combined cooling method through conduction and convection can be improved heat radiation efficiency of the light emitting diode. Grooves or protrusions are formed on the open upper surface of the first lead frame to increase the contact area with the outside air, thereby further improving the cooling efficiency of the first lead frame through the convection.

발광다이오드칩은 제1 또는 제2 리드프레임과 본딩 와이어와 같은 접속연결수단을 통해 전기적으로 연결되고, 렌즈부는 발광다이오드칩을 감싸면서 몰딩방식으로 형성되거나 별도의 고체상태의 렌즈부가 발광다이오드칩을 커버하여 결합될 수 있다. The light emitting diode chip is electrically connected to the first or second lead frame through a connection connecting means such as a bonding wire, and the lens portion is formed in a molding manner while surrounding the light emitting diode chip or a separate solid state lens portion is used to form the light emitting diode chip. Can be combined to cover.

렌즈부가 상기 와이어 및 렌즈부를 수용하여 결합하는 경우에는 렌즈부의 크기가 상기 본딩 와이어의 길이에 비례하여 커지는데, 제2 리드프레임으로부터 연장 되는 부분이 발광다이오드칩으로 근접할수록 상기 본딩 와이어의 길이가 짧아지고 렌즈부의 크기가 줄어들어 몰딩에 따른 단가가 줄어들며, 제1 리드프레임의 상기 개방된 상면의 영역이 증가하여 외기와의 접촉면적이 증대됨으로써, 상기 대류를 통한 제1 리드프레임의 냉각이 용이해진다.When the lens unit receives and couples the wire and the lens unit, the size of the lens unit increases in proportion to the length of the bonding wire. The length of the bonding wire becomes shorter as the portion extending from the second lead frame approaches the LED chip. As the size of the lens unit is reduced, the unit cost of molding is reduced, and the area of the open upper surface of the first lead frame is increased to increase the contact area with the outside air, thereby facilitating cooling of the first lead frame through convection.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 판형상의 제1리드프레임과 제1리드프레임의 저면보다 표면적이 작은 저면을 갖는 제2 리드프레임을 제공하는 단계와, 스트립에 제1 및 제2 리드프레임을 일정간격 이격하여 접착하는 단계와, 간격 사이에 절연접착물질을 주입하여 제1 및 제2 리드프레임을 서로 결합하여 고정시키는 단계와, 제1 리드프레임의 상면에 발광다이오드칩을 어테치(Attach)하는 단계와, 발광다이오드칩을 제1 또는 제2 리드프레임과 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법이 제시된다.According to another aspect of the invention, there is provided a step of providing a plate-shaped first lead frame and a second lead frame having a lower surface area than the bottom surface of the first lead frame, and the first and second lead frames in the strip Bonding the spacers at intervals, injecting an insulating adhesive material between the gaps, fixing the first and second lead frames to each other, and attaching the light emitting diode chip to the upper surface of the first lead frame. A light emitting diode package manufacturing method comprising the steps of, and wire bonding a light emitting diode chip with a first or second lead frame is provided.

이하, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of a light emitting diode package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and duplicated thereto. The description will be omitted.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 전기 도전성 재질의 제1 및 제2 리드프레임(100,200)과, 일면과 타면에 각각 제1 및 제2 리드프레임(100,200)이 결합되는 절연층(400)과, 제1 및 제2 리드프레 임(100,200)을 통해 전원을 공급받는 발광다이오드칩(300)과, 발광다이오드칩(300)으로부터 방출되는 빛을 분산시키는 렌즈부(500)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the light emitting diode package according to the first embodiment of the present invention includes the first and second lead frames 100 and 200 made of an electrically conductive material, and the first and second lead frames respectively on one side and the other side thereof. The insulating layer 400 to which the 100 and 200 are coupled, the light emitting diode chip 300 supplied with power through the first and second lead frames 100 and 200, and the light emitted from the light emitting diode chip 300 are dispersed. It is configured to include a lens unit 500.

제1 또는 제2 리드프레임(100,200)은 열전도율과 전기 도전율이 우수한 구리, 알루미늄, 은, 텅스텐, 몰리브덴, 베릴륨 및 이들의 합금으로 구성되는 군에서 선택된 어느 하나로 형성되고 발광다이오드칩(300)과 전기적으로 연결되어 발광다이오드칩(300)의 광방출용 전원을 공급하는 동시에 발광다이오드칩의 동작에 따른 열을 방출하는 방열판의 역할을 수행한다. The first or second lead frames 100 and 200 may be formed of any one selected from the group consisting of copper, aluminum, silver, tungsten, molybdenum, beryllium, and alloys thereof having excellent thermal conductivity and electrical conductivity, and may be electrically connected to the light emitting diode chip 300. It is connected to the power supply for light emitting power of the light emitting diode chip 300 and at the same time serves as a heat sink to emit heat according to the operation of the light emitting diode chip.

비금속 재질의 절연층(400)이 제1 리드프레임(100)과 제2 리드프레임(200)의 사이에 결합되어 제1 리드프레임(100)과 제2 리드프레임(200)을 고정하면서 양극 및 음극사이의 전기적인 단락을 방지한다. A non-metal insulating layer 400 is coupled between the first lead frame 100 and the second lead frame 200 to fix the first lead frame 100 and the second lead frame 200 while the positive electrode and the negative electrode Prevent electrical shorts between.

발광다이오드칩(300)이 실장된 제1 또는 제2 리드프레임(100,200)의 상부에는 발광다이오드칩(300)의 빛을 분산 또는 발광다이오드칩(300) 및 발광다이오드칩(300)의 상기 전기적인 연결을 보호하기 위한 렌즈부(500)가 결합된다.The light of the light emitting diode chip 300 is dispersed or the light of the light emitting diode chip 300 and the light emitting diode chip 300 are disposed on the first or second lead frames 100 and 200 on which the light emitting diode chip 300 is mounted. The lens unit 500 is coupled to protect the connection.

렌즈부(500)는 단일의 투광성 합성수지가 몰딩방식으로 발광다이오드칩(300) 및 상기 전기적 연결을 감싸 구성되거나, 내부에 캐비티(cavity : 미도시)를 구비하고 발광다이오드칩(300)을 수용하면서 발광다이오드칩(300)의 빛을 분산시키기 위한 렌즈와, 캐비티에 충진되어 발광다이오드칩 및 발광다이오드칩의 상기 전기적 연결을 보호하기 위한 투광성의 충진물질을 포함하여 구성될 수 있다. The lens unit 500 is formed of a single translucent synthetic resin wrapped around the light emitting diode chip 300 and the electrical connection in a molding manner, or includes a cavity (not shown) therein and accommodates the light emitting diode chip 300. The light emitting diode chip 300 may include a lens for dispersing light, and a light-transmitting filling material filled in the cavity to protect the electrical connection between the light emitting diode chip and the light emitting diode chip.

충진물질의 굴절률은 렌즈의 굴절률 이하로 한정되어, 매질의 밀도가 밀한 물질에서 소한 물질로 빛이 투과할 때 발생하는 전반사 현상으로 인해 발광다이오 드칩(300)의 빛이 충진물질과 렌즈의 경계에서 충진물질의 내부로 반사되는 현상이 방지되는 것이 바람직하다. 또한, 렌즈부(500)에는 발광다이오드칩(300)으로부터 방출되는 빛을 백색광으로 변환하기 위한 형광물질이 함유될 수 있다. The refractive index of the filling material is limited to the refractive index of the lens or less, and the light of the light emitting diode chip 300 is transmitted at the boundary between the filling material and the lens due to the total reflection phenomenon generated when light is transmitted from the dense material of the medium to the small material. It is preferable to prevent the phenomenon of reflection into the inside of the filling material. In addition, the lens unit 500 may contain a fluorescent material for converting light emitted from the light emitting diode chip 300 into white light.

도 2a내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 리드프레임 저면(103)의 표면적이 제2 리드프레임 저면(203)의 표면적보다 더 크게 형성되어, 발광다이오드칩(300)이 제1 리드프레임의 상면(101)에 실장되는 경우에 제1 리드프레임의 저면(103)이 기판(미도시)에 밀착되고 발광다이오드칩으로부터 발생되는 열이 전도방식으로 제1 리드프레임(100)을 통해 기판(미도시)으로 용이하게 방출되는 것이 바람직하다. As shown in FIGS. 2A to 4, the surface area of the bottom surface of the first lead frame 103 is greater than the surface area of the bottom surface of the second lead frame 203, so that the light emitting diode chip 300 is formed of the first lead frame. When the upper surface 101 is mounted on the bottom surface 103 of the first lead frame is in close contact with the substrate (not shown) and heat generated from the light emitting diode chip is conducted through the first lead frame 100 in a conductive manner. It is preferable to release easily).

본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 및 제2 리드프레임(100,200)과 절연층(도 1의 400)은 결합된 상태에서 하나의 평면을 형성하고, 제1 리드프레임 또는 제2 리드프레임(100,200)의 단부에는 외부로 돌출된 단턱(110,210)이 형성되며, 상기 단턱(110,210)까지 렌즈부(도1의 500)가 몰딩방식으로 형성되어 제1 리드프레임(100)에 실장된 발광다이오드칩(도 1의 300) 및 제1 또는 제2 리드프레임(100,200)을 각각 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(도 5의 310, 320)를 감싸면서 결합된다. The first and second lead frames 100 and 200 and the insulating layer (400 of FIG. 1) according to the first embodiment of the present invention form one plane in a combined state, and the first lead frame or the second lead frame ( The stepped parts 110 and 210 protruding to the outside are formed at the ends of the parts 100 and 200, and the lens parts (500 of FIG. 1) are formed in the molding method up to the stepped parts 110 and 210 so as to be mounted on the first lead frame 100. (300 of FIG. 1) and the bonding wire (310, 320 of FIG. 5) for electrically connecting the first or second lead frame (100,200), respectively, are coupled.

제1 또는 제2 리드프레임(100,200)이 절연층(400)을 매개로 결합하는 단부에는 제1 리드프레임(100)과 제2 리드프레임(200)을 소정의 거리만큼 이격시키기 위한 쇼트방지용 단차(120)가 형성될 수 있다.Short prevention steps for separating the first lead frame 100 and the second lead frame 200 by a predetermined distance at an end where the first or second lead frames 100 and 200 are coupled through the insulating layer 400 ( 120 may be formed.

도 4를 참조하면, 발광다이오드 패키지의 조립공정을 연속적으로 처리하기 위해 다수의 제1 및 제2 리드프레임(100,200)을 연속된 시트형태의 이송용 프레임 인 스트립(600)에 매트릭스(matrix) 형태로 배열하여 결합한 후 각 공정을 순차적으로 실시하고 제1 및 제2 리드프레임(100,200)을 스트립(600)으로부터 소정의 프레임 단위로 분리할 수 있다. Referring to FIG. 4, in order to continuously process the assembly process of the LED package, a plurality of first and second lead frames 100 and 200 may be formed in a matrix form on a strip 600 which is a transport frame in a continuous sheet form. After arranging and combining the layers, the processes may be sequentially performed, and the first and second lead frames 100 and 200 may be separated from the strip 600 by a predetermined frame unit.

제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 제조하기 위해, 판형상의 제1리드프레임(100)과 제1리드프레임의 저면(도 2b의 103)보다 표면적이 작은 저면(도 3b의 203)을 갖는 제2 리드프레임(200)을 사출하여 스트립(600)에 일정 간격 이격하여 결합시키고, 상기의 간격 사이에 절연접착물질(400)을 주입하여 제1 및 제2 리드프레임(100,200)을 서로 접착하여 고정시키며, 제1 리드프레임의 상면(101)에 발광다이오드칩(도 1의 300)을 어테치(Attach)한 후, 발광다이오드칩(300)을 제1 또는 제2 리드프레임(100,200)과 와이어 본딩할 수 있다. In order to manufacture the light emitting diode package according to the first embodiment, a plate-shaped first lead frame 100 and a bottom surface (203 in FIG. 3B) having a surface area smaller than that of the bottom surface (103 in FIG. 2B) of the first lead frame are formed. 2 by injecting the lead frame 200 is spaced apart at a predetermined interval to the strip 600, and the insulating adhesive material 400 is injected between the intervals to adhere and fix the first and second lead frame (100,200) to each other After attaching the light emitting diode chip (300 of FIG. 1) to the top surface 101 of the first lead frame, the light emitting diode chip 300 is wire-bonded with the first or second lead frames 100 and 200. can do.

발광다이오드칩(300)은 제1 리드프레임(100)의 상면에 절연접착물질(330)을 도포한 후 실장될 수 있으며, 와이어 본딩 공정이 완료된 후에는 추가적으로 렌즈부(도 1의 500)를 발광다이오드칩(300) 및 와이어(도 5의 310,320)에 몰딩방식으로 결합시키거나, 스트립(600)으로부터 제1 및 제2 리드프레임(100,200)을 포함하는 발광다이오드 패키지를 분리할 수 있다.The light emitting diode chip 300 may be mounted after coating the insulating adhesive material 330 on the upper surface of the first lead frame 100. After the wire bonding process is completed, the light emitting diode chip 300 additionally emits light from the lens unit 500 of FIG. 1. The LED chip 300 and the wires 310 and 320 of FIG. 5 may be coupled to each other by molding, or the LED package including the first and second lead frames 100 and 200 may be separated from the strip 600.

발광다이오칩(300)의 광방출시 발광다이오드칩(300)으로부터 발생하는 열은 제1 리드프레임(100)을 통해 기판(미도시)으로 전도되어 방출된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 리드프레임(100)은 가로 또는 세로의 길이보다 두께의 길이가 작은 판형상으로 형성되고 기판(미도시)과 밀착함으로써, 발광다이오드칩(300)으로부터 기판으로 열전도를 통한 열방출이 극대화될 수 있다.When the light emitting diode chip 300 emits light, heat generated from the light emitting diode chip 300 is conducted to the substrate (not shown) through the first lead frame 100 and is emitted. As shown in FIG. 5, the first lead frame 100 is formed in a plate shape having a thickness smaller than a length of a width or length, and closely adheres to a substrate (not shown), thereby to the light emitting diode chip 300 from the light emitting diode chip 300. Heat dissipation through heat conduction can be maximized.

미도시되었으나, 발광다이오드칩(300)의 저면이 전기 도전성 접착물에 의해 제1 및 제2 리드프레임(100,200)에 걸쳐서 실장되는 경우에는, 금속성의 제1 및 제2 리드프레임(100,200)의 열전도율이 비금속성 물질로 구성된 절연층(400)의 열전도율보다 크기 때문에 발광다이오드칩(300)의 저면이 절연층(400)과 접촉된 부분에서 열흐름이 저하된다.Although not shown, when the bottom surface of the light emitting diode chip 300 is mounted over the first and second lead frames 100 and 200 by an electrically conductive adhesive, the thermal conductivity of the metallic first and second lead frames 100 and 200 is shown. Since the thermal conductivity of the insulating layer 400 made of the non-metallic material is greater than that of the lower surface of the light emitting diode chip 300, the heat flow is reduced.

또한, 발광다이오드칩(300)의 내부에는 불균일한 상기 열흐름 및 내부의 열팽창계수의 차이로 인해 열응력이 발생하고, 상기 열응력에 의해 발광다이오드칩(300)이 손상되어 광효율이 감소할 수 있기 때문에, 도 5에 도시된 바와 같이 발광다이오드칩(300)의 저면 전체가 제1 리드프레임의 상면(101)과 접촉되는 것이 바람직하다.In addition, thermal stress is generated inside the light emitting diode chip 300 due to an uneven heat flow and a difference in a thermal expansion coefficient therein, and the light emitting diode chip 300 is damaged by the thermal stress, thereby reducing light efficiency. Therefore, as shown in FIG. 5, it is preferable that the entire bottom surface of the LED chip 300 is in contact with the top surface 101 of the first lead frame.

발광다이오드칩(300)의 저면 전체가 절연접착물(330)에 의해 제1 리드프레임(100)의 일면에 결합되고, 발광다이오드칩(300)이 제1 또는 제2 리드프레임(100,200)과 각각 와이어 본딩되어 전기적으로 연결될 수 있으며, 도 6에 도시된 바와 같이, 발광다이오드칩(300) 및 본딩 와이어(310,320)를 수용하는 렌즈부(500)의 중심 위치가 상기 발광다이오드칩(300)의 위치에 대응하여 결합된다. The entire bottom surface of the light emitting diode chip 300 is coupled to one surface of the first lead frame 100 by an insulating adhesive 330, and the light emitting diode chip 300 is connected to the first or second lead frames 100 and 200, respectively. 6 may be wire-bonded and electrically connected. As shown in FIG. 6, the center position of the light emitting diode chip 300 and the lens unit 500 accommodating the bonding wires 310 and 320 may be located at the position of the light emitting diode chip 300. Are combined correspondingly.

발광다이오드칩(300)의 열류는 전체적으로 발광다이오드칩(300)으로부터 하측의 기판(미도시)으로 전도되어 흐르는데, 상기 열류의 일부는 발광다이오드칩(300)으로부터 하부의 제1 리드프레임(100)으로 하강하였다가 제1 리드프레임(100)의 판형상을 따라 측면으로 우회하여 흐르면서 하측의 기판(미도시)으로 전 도되기 때문에, 냉각효율의 향상측면에서 살펴볼 때 발광다이오드칩(300)은 열의 측면 흐름이 원활하지 못한 절연층(400)으로부터 소정의 거리만큼 이격되어 어테치(Attach)되는 것이 바람직하다.The heat flow of the light emitting diode chip 300 is transmitted from the light emitting diode chip 300 to the lower substrate (not shown), and a part of the heat flow is lowered from the light emitting diode chip 300 to the first lead frame 100. Since it is lowered to the side of the first lead frame 100 and flows to the lower side of the substrate (not shown) while flowing in a bypass to the side, the light emitting diode chip 300 when viewed from the aspect of improving the cooling efficiency It is preferable that the side flow is etched away from the insulating layer 400 which is not smooth by a predetermined distance.

열방출 측면에서 발광다이오드칩(300)이 측면의 열류가 원활하지 못한 절연층(400)으로부터 이격되어 실장되는 경우에는, 발광다이오드칩(300)의 실장위치가 절연층(400)으로부터 이격되는 거리에 따라 발광다이오드칩(300)과 제2 리드프레임(200)을 연결하는 와이어(320)의 길이가 증가하고, 이에 비례하여 발광다이오드칩(300) 및 상기 와이어(320)를 수용하는 렌즈부(500)의 크기가 증가하게 된다. When the light emitting diode chip 300 is spaced apart from the insulating layer 400 in which heat flow from the side surface is not smooth, the mounting position of the light emitting diode chip 300 is spaced apart from the insulating layer 400. The length of the wire 320 connecting the light emitting diode chip 300 and the second lead frame 200 increases, and in proportion thereto, the lens unit accommodating the light emitting diode chip 300 and the wire 320 ( 500) increases in size.

도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 리드프레임(200)의 수평부(220)가 발광다이오드칩(300)에 근접하게 연장되고, 발광다이오드칩(300)과 수평부(220)를 와이어 본딩함으로써, 렌즈부(500)에 수용되는 상기 와이어(310,320)의 길이가 단축되어 발광다이오드칩(300) 및 주변의 와이어(310,320)를 감싸는 렌즈부(500)의 크기가 감소되며 생산비용이 절감된다. 제1 리드프레임의 측면과 수직하는 제2 리드프레임의 일면은 절연층(400)을 매개로 하여 결합하고, 제1 리드프레임의 상면(101)과 대향되는 제2 리드프레임의 수평부는 절연접착물(230)를 매개로 하여 결합함으로써 절연 고정된다.As shown in FIGS. 7 to 9, the horizontal portion 220 of the second lead frame 200 extends close to the light emitting diode chip 300, and the light emitting diode chip 300 and the horizontal portion 220 are disposed. By wire bonding, the length of the wires 310 and 320 accommodated in the lens unit 500 is shortened, thereby reducing the size of the lens unit 500 surrounding the light emitting diode chip 300 and the wires 310 and 320 around the production unit. Savings. One surface of the second lead frame perpendicular to the side surface of the first lead frame is coupled through the insulating layer 400, and the horizontal portion of the second lead frame opposite to the top surface 101 of the first lead frame is insulated from each other. The insulation is fixed by the coupling via the medium 230.

또한, 렌즈부(500)의 크기가 감소하여 제1 또는 제2 리드프레임 상면(101,201)의 개방되는 부위가 증가하면 렌즈부(500)가 제1 및 제2 리드프레임(100,200)과 절연층(400)의 상부를 전부 폐쇄하여 몰딩되는 경우에 비해 제1 또 는 제2 리드프레임의 상면(101,201)과 대기와의 접촉이 용이해져서 대류를 통한 발광다이오드칩(300)의 열 방출효율이 향상된다. In addition, when the size of the lens unit 500 decreases to increase the open portions of the first or second lead frame upper surfaces 101 and 201, the lens unit 500 may be formed of the first and second lead frames 100 and 200 and the insulating layer ( Compared to the case where the upper part of the 400 is closed and molded, the upper surface 101 and 201 of the first or second lead frame is easily contacted with the atmosphere, thereby improving heat dissipation efficiency of the LED chip 300 through convection. .

미도시되었으나, 상기 상면(101,201)에는 대기와의 접촉면적을 높이기 위한 홈 또는 돌기가 형성되어 발광다이오드칩(300)의 냉각효율이 더 향상될 수 있다. Although not shown, grooves or protrusions are formed on the upper surfaces 101 and 201 to increase the contact area with the atmosphere, thereby further improving the cooling efficiency of the LED chip 300.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 제2 리드프레임(200)의 일면은 절연층(400)을 매개로 하여 판형상의 제1 리드프레임(100)의 일측면과 결합되고 제2 리드프레임의 일부(220)가 제1 리드프레임의 표면으로부터 소정거리 이격되어 발광다이오드칩(300)으로 연장된다. 상기의 이격 거리는 제1 리드프레임(100)과 제2 리드프레임(200)의 전기적인 단락을 방지하기 위한 것이며 제2 리드프레임(200)은 제1 리드프레임의 상면(101)에 별도의 절연접착물(230)로 고정되거나 상기 상면(101)에 몰딩되는 렌즈부(500)에 의해 고정될 수 있다. As shown in FIG. 10, one surface of the second lead frame 200 according to the third exemplary embodiment of the present invention is coupled to one surface of the first lead frame 100 having a plate shape through the insulating layer 400. The portion 220 of the second lead frame is spaced apart from the surface of the first lead frame by a predetermined distance and extends to the LED chip 300. The separation distance is to prevent an electrical short between the first lead frame 100 and the second lead frame 200 and the second lead frame 200 is separately insulated from the upper surface 101 of the first lead frame. It may be fixed by the lens unit 500 is fixed to the water 230 or molded on the upper surface (101).

제2 리드프레임(200)이 ㄱ자 형상으로 절곡되어 제1 리드프레임(100)의 일측면 중 일부에만 결합하여 고정됨으로써, 절연층(400) 및 제2 리드프레임(200)의 크기가 감소하기 때문에 생산비용 절감의 효과가 있다. Since the second lead frame 200 is bent in a L shape and fixed to be coupled to only a part of one side of the first lead frame 100, the sizes of the insulating layer 400 and the second lead frame 200 are reduced. It can reduce the production cost.

또한, 발광다이오드칩(300)이 제1 리드프레임(100)의 중앙에 위치함으로써, 발광다이오드칩(300)으로부터 생성되는 열이 절연층(400)에 의해 방해받지 않고 제1 리드프레임(100)의 측면을 따라 흐르다가 하측의 기판(미도시)으로 균등하게 전도되기 때문에 열류의 전도 속도가 증가하여 발광다이오드칩(300)의 열 방출효율이 향상된다.In addition, since the light emitting diode chip 300 is positioned at the center of the first lead frame 100, the heat generated from the light emitting diode chip 300 is not disturbed by the insulating layer 400, and thus the first lead frame 100 may be used. Since it flows along the side of the substrate and is evenly conducted to the lower substrate (not shown), the conduction speed of the heat flow is increased to improve the heat dissipation efficiency of the light emitting diode chip 300.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법은 리드프레임을 전원공급용 단자 및 방열판으로 사용함으로써, 발광다이오드 패키지의 구조를 단순화함으로써, 생산단가가 절감되고 제조공정이 간단해져 제품의 양산이 용이해지는 효과가 있다.As described above, the light emitting diode package and the method of manufacturing the same according to the present invention use a lead frame as a power supply terminal and a heat sink to simplify the structure of the light emitting diode package, thereby reducing production cost and simplifying the manufacturing process. There is an effect that mass production becomes easy.

또한, 리드프레임을 기판에 열전도가 용이한 형상으로 구성함으로써, 발광다이오드칩의 광방출 효율이 증대되는 효과가 있다. In addition, by configuring the lead frame in a shape that facilitates thermal conduction on the substrate, the light emitting efficiency of the light emitting diode chip is increased.

Claims (10)

절연층과;An insulating layer; 판형상으로 형성되어 일측면이 상기 절연층의 일면에 고정되고 저면이 기판에 밀착되며, 상기 기판에 형성된 회로와 접속되는 제1 리드프레임과;A first lead frame formed in a plate shape, one side of which is fixed to one surface of the insulating layer, the bottom surface of the substrate being closely attached to the substrate, and connected to a circuit formed on the substrate; 일면이 상기 절연층의 타면에 고정되어 상기 회로와 접속되는 제2 리드프레임과;A second lead frame having one surface fixed to the other surface of the insulating layer and connected to the circuit; 상기 제1 리드프레임의 상면에 실장되고, 상기 제1 및 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩과;A light emitting diode chip mounted on an upper surface of the first lead frame and electrically connected to the first and second lead frames; 상기 발광다이오드칩을 커버하여 결합하는 렌즈부를 포함하되,It includes a lens unit for coupling to cover the light emitting diode chip, 상기 제1 리드프레임의 저면은 상기 제2 리드프레임의 저면보다 표면적이 넓게 형성되어, The bottom surface of the first lead frame has a larger surface area than the bottom surface of the second lead frame, 상기 발광다이오드칩으로부터 발생하는 열을 상기 기판으로 전도하여 방출하는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode package that conducts and radiates heat generated from the light emitting diode chip to the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연층은 절연접착 물질로 형성되는 발광다이오드 패키지.The insulating layer is a light emitting diode package formed of an insulating adhesive material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 또는 제2 리드프레임이 상기 절연층과 결합하는 단부에는 단락방지용 단차가 형성되는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode package having a step for preventing a short circuit is formed at an end portion of the first or second lead frame and the insulating layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드칩은 상기 제1 및 제2 리드프레임과 와이어 본딩되어 전기적으로 연결되고,The light emitting diode chip is wire-bonded with the first and second lead frames and electrically connected thereto. 상기 렌즈부는 내부에 캐비티(cavity)가 구비된 렌즈와 상기 캐비티에 충진되는 투광성의 충진물질을 포함하되,The lens unit includes a lens provided with a cavity (cavity) therein and a transparent filling material filled in the cavity, 상기 캐비티에는 상기 발광다이오드칩 및 상기 와이어가 수용되며,The cavity accommodates the light emitting diode chip and the wire, 상기 충진물질의 굴절률은 상기 렌즈의 굴절률 이하인 발광다이오드 패키지.The refractive index of the filler material is a light emitting diode package less than the refractive index of the lens. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드칩은 상기 제1 및 제2 리드프레임과 와이어 본딩되어 전기적으로 연결되고,The light emitting diode chip is wire-bonded with the first and second lead frames and electrically connected thereto. 상기 렌즈부는 상기 발광다이오드칩을 감싸면서 몰딩되어 형성되는 발광다이오드 패키지.The lens unit is formed to be molded while surrounding the light emitting diode chip. 절연층과;An insulating layer; 판형상으로 형성되어 일측면에 상기 절연층의 일면이 고정되고 저면이 기판에 밀착되며,Is formed in a plate shape is fixed to one side of the insulating layer on one side and the bottom surface is in close contact with the substrate, 상기 기판에 형성된 회로와 접속되는 제1 리드프레임과;A first lead frame connected to a circuit formed on the substrate; 상기 제1 리드프레임의 상면에 실장되는 발광다이오드칩과;A light emitting diode chip mounted on an upper surface of the first lead frame; 상기 절연층의 타면에 고정되는 수직부와, 상기 제1리드프레임의 표면과 절연되며 상기 발광다이오드칩에 근접하도록 연장되는 수평부와, 상기 회로와 접속되는 저면을 갖는 제2 리드프레임과;A second lead frame having a vertical portion fixed to the other surface of the insulating layer, a horizontal portion insulated from the surface of the first lead frame and extending to approach the light emitting diode chip, and a bottom surface connected to the circuit; 상기 발광다이오드칩을 상기 제1 및 제2 리드프레임과 전기적으로 연결하는 접속연결수단과;Connection connecting means for electrically connecting the light emitting diode chip to the first and second lead frames; 상기 발광다이오드칩을 커버하여 결합되는 렌즈부를 포함하되,The lens unit is coupled to cover the light emitting diode chip, 상기 제1 리드프레임의 저면은 상기 제2 리드프레임의 저면보다 표면적이 넓게 형성되어,The bottom surface of the first lead frame has a larger surface area than the bottom surface of the second lead frame, 상기 발광다이오드칩으로부터 발생하는 열을 상기 기판으로 전도하여 방출하는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode package that conducts and radiates heat generated from the light emitting diode chip to the substrate. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 렌즈부는 상기 제1 리드프레임의 상면 중 상기 발광다이오드칩의 실장 영역을 포함하여 소정의 영역을 폐쇄하고,The lens unit includes a mounting area of the light emitting diode chip of the upper surface of the first lead frame to close a predetermined area, 상기 발광다이오드칩으로부터 발생하는 열의 일부가 상기 제1 리드프레임의 개방된 상면과 접촉한 외기와의 대류를 통해 방출되는 발광다이오드 패키지.Part of the heat generated from the light emitting diode chip is emitted through the convection of the outside air in contact with the open upper surface of the first lead frame. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1리드프레임의 개방된 상면에는 외기와의 접촉면적을 증대시키기 위한 홈 또는 돌기가 형성되는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode package having a groove or a protrusion formed on an open upper surface of the first lead frame to increase a contact area with outside air. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 접속연결수단은 본딩 와이어이고, The connection connecting means is a bonding wire, 상기 렌즈부는 상기 발광다이오드칩을 감싸면서 몰딩되어 형성되는 발광다이오드 패키지.The lens unit is formed to be molded while surrounding the light emitting diode chip. 판형상의 제1리드프레임과 상기 제1리드프레임의 저면보다 표면적이 작은 저면을 갖는 제2 리드프레임을 제공하는 단계;Providing a second lead frame having a plate-shaped first lead frame and a bottom surface having a smaller surface area than a bottom surface of the first lead frame; 스트립에 상기 제1 및 제2 리드프레임을 일정간격 이격하여 접착하는 단계;Bonding the first and second leadframes to a strip at a predetermined interval; 상기 간격 사이에 절연접착물질을 주입하여 상기 제1 및 제2 리드프레임을 서로 결합하여 고정시키는 단계;Injecting an insulating adhesive material between the gaps to fix the first and second lead frames to each other; 상기 제1 리드프레임의 상면에 발광다이오드칩을 어테치(Attach)하는 단계;Attaching a light emitting diode chip to an upper surface of the first lead frame; 상기 발광다이오드칩을 상기 제1 또는 제2 리드프레임과 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.A method of manufacturing a light emitting diode package comprising wire bonding the light emitting diode chip to the first or second lead frame.
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