KR100719390B1 - Mixer circuit - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
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- H03D7/14—Balanced arrangements
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- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
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Abstract
본 발명은 입력 무선 주파수 신호(Irf+,Irf-)를 주파수 하향 변환하도록 이루어진 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트(33)를 포함하는 믹서 회로(31)에 관한 것이다. 그러한 믹서 회로를 개선하기 위해서는, 상기 믹서 회로가 상기 믹싱 컴포넌트의 출력 단자들에 접속된 능동 믹서 부하 회로(34)를 추가로 포함하도록 하는 것이 제안된다. 상기 능동 믹서 부하 회로는 능동 믹서 부하(51,T1,T2) 및 상기 능동 믹서 부하에 의해 생성되며 상기 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트에 의해 출력된 신호(Ibb+,Ibb-)의 신호 대역에서 벗어난 플리커 잡음을 변조하도록 이루어진 변조 수단(S1-S4)을 포함한다. 본 발명은 또한 수신기, 칩 및 그러한 믹서 회로를 포함하는 장치 및 그러한 믹서 회로의 사용 방법에 관한 것이다.The invention relates to a mixer circuit 31 comprising a mixing component 33 for frequency downconversion which is adapted to downconvert the input radio frequency signals Irf + and Irf−. In order to improve such a mixer circuit, it is proposed that the mixer circuit further comprises an active mixer load circuit 34 connected to the output terminals of the mixing component. The active mixer load circuit is flicker noise generated by an active mixer load 51, T1, T2 and the active mixer load and out of the signal band of the signals Ibb +, Ibb- outputted by the frequency downconversion mixing component. Modulating means (S1-S4) adapted to modulate. The invention also relates to a receiver, a chip and an apparatus comprising such a mixer circuit and a method of using such a mixer circuit.
Description
본 발명은 입력 무선 주파수 신호를 주파수 하향 변환하도록 이루어진 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트를 포함하는 믹서 회로에 관한 것이다. 본 발명은 또한 그러한 믹서 회로를 포함하는 수신기 회로, 장치 및 칩에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 그러한 믹서 회로의 사용 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mixer circuit comprising a mixing component for frequency downconversion that is adapted to downconvert an input radio frequency signal. The invention also relates to receiver circuits, devices and chips comprising such mixer circuits. The invention also relates to a method of using such a mixer circuit.
무선 주파수(RF) 신호를 주파수 하향 변환하기 위한 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트를 지니는 믹서 회로가 특히 무선 주파수(RF) 수신기에 사용될 수 있다.Mixer circuits having a mixing component for frequency downconversion for frequency downconverting radio frequency (RF) signals may be used in particular in radio frequency (RF) receivers.
예시를 위해, 대표적인 아날로그 직접 변환용 수신기(10)의 블록 선도가 도 1과 같이 제공된다.For illustration purposes, a block diagram of a representative analog
도시된 수신기(10)는 수신된 무선 주파수(RF) 신호들을 증폭하기 위한 저잡음 증폭기(LNA; 11), 상기 증폭된 무선 주파수(RF) 신호들을 주파수 하향 변환하기 위한 믹서들(12), 주파수 하향 변환된 신호들을 처리하기 위한 아날로그 신호 처리 컴포넌트(13), 상기 처리된 아날로그 신호들을 디지털 신호들로 변환하기 위한 아날로그-디지털 변환기들(ADC; 14), 및 상기 디지털 신호들의 부가적인 처리를 위한 디지털 신호 처리 컴포넌트(DSP; 15)를 포함한다. 상기 아날로그 주파수 하향 변환 된 신호의 처리를 위해, 상기 아날로그 신호 처리 컴포넌트(13)는 N차 저역 통과 필터(LPF), 아날로그 이득 제어(AGC)부, 직류(DC) 오프셋 제거부 등등을 포함한다. 상기 디지털 신호의 처리를 위해, 상기 DSP(15)는 데시메이션(decimation) 단, LPF 등등을 포함한다. 상기 DSP(15)의 출력은 디지털 기저대역(baseband; BB) 출력을 형성한다.The illustrated
상기 수신기(10)는 예를 들면 이동 통신 네트워크에 의해 송신된 무선 주파수(RF) 신호들을 수신 및 처리하기 위해 이동 단말기(16)에 통합될 수 있다.The
도 2는 도 1의 수신기의 프론트 엔트(front end)에 대한 간단한 구현을 개략적으로 보여주는 회로도이다. 도 2의 회로는 상기 저잡음 증폭기(LNA; 11)를 지니는 무선 주파수(RF) 증폭기(21), 믹서들(22)인 길버트 셀(Gilbert cell; 22), 및 아날로그 신호 처리 컴포넌트(13)의 아날로그 기저대역 필터인 2개의 저역 통과 필터(LPF) 단(25,27)을 포함한다. 도시된 2차 저역 통과 필터(LPF; 25,27) 대신에, 그보다는 높은 차수의 저역 통과 필터(LPF)가 또한 사용될 수 있다.FIG. 2 is a circuit diagram schematically illustrating a simple implementation of the front end of the receiver of FIG. 1. The circuit of FIG. 2 is a radio frequency (RF)
상기 저잡음 증폭기(LNA; 11)는 2개의 입력 단자 및 2개의 출력 단자를 포함한다. 상기 저잡음 증폭기(LNA; 11)는 수신된 RF 신호들(RF IN)을 증폭하고 상기 증폭된 신호들을 전압들(Urf+,Urf-)로서 출력한다. 상기 저잡음 증폭기(11)의 출력 단자들은 상기 길버트 셀(22)의 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트(23)의 2개의 신호 입력 단자에 접속된다. 상기 믹싱 컴포넌트(23)는 2개의 추가 입력 단자를 통해 교호하는 국부 발진기 신호들(LO+,LO-)을 수신하는데, 상기 교호하는 국부 발진기 신호들(LO+,LO-)은 입력 무선 주파수 신호들(RF IN)의 주파수 하향 변환을 가능하 게 한다. 결과적으로 얻어진 기저대역 신호들은 대응하는 출력 단자를 통해 전압(Ubb+,Ubb-)으로서 출력된다. 더욱이, 상기 믹싱 컴포넌트(23)의 출력은 길버트 셀(22) 내에서 믹서 부하(24)에 접속된다.The low noise amplifier (LNA) 11 comprises two input terminals and two output terminals. The low noise amplifier (LNA) 11 amplifies the received RF signals RF IN and outputs the amplified signals as voltages Urf + and Urf−. The output terminals of the
상기 믹싱 컴포넌트(23)의 제1 출력 단자는 상기 제1 저역 통과 필터 단(25)의 제1 입력 단자 및 저항기(R3a)를 통해 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(25)의 연산 증폭기(26)의 제1 입력에 접속되고, 연산 증폭기(26)의 제1 출력은 상기 제1 저역 통과 필터 단(25)의 제1 출력 단자에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C1a) 및 또 한편으로는 저항기(R1a)가 상기 연산 증폭기(26)의 제1 입력 및 제1 출력 사이에서 서로에 대하여 병렬로 이루어진다.The first output terminal of the
상기 믹싱 컴포넌트(22)의 제2 출력 단자는 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(25)의 제2 입력 단자 및 저항기(R3b)를 통해 상기 연산 증폭기(26)의 제2 입력에 접속되며, 상기 연산 증폭기(26)의 제2 출력은 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(25)의 제2 출력 단자에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C1b) 및 또 한편으로는 저항기(R1b)가 상기 연산 증폭기(26)의 제2 입력 및 제2 출력 사이에서 서로에 대해 병렬로 이루어진다.The second output terminal of the
상기 제1 저역 통과 필터(25)의 제1 출력 단자는 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(27)의 제1 입력 단자 및 저항기(R4a)를 통해 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(27)의 연산 증폭기(28)의 제1 입력에 접속되며, 상기 연산 증폭기(28)의 제1 출력은 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(27)의 제1 출력 단자에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C2a) 및 또 한편으로는 저항기(R2a)는 상기 연산 증폭기(28) 의 제1 입력 및 제1 출력 사이에서 서로에 대하여 병렬로 이루어진다.The first output terminal of the first
상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(25)의 제2 출력 단자는 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(27)의 제2 입력 단자 및 저항기(R4b)를 통해 상기 연산 증폭기(28)의 제2 입력에 접속되며, 상기 연산 증폭기(28)의 제2 출력은 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(27)에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C2b) 및 또 한편으로는 저항기(R2b)가 상기 연산 증폭기(28)의 제1 입력 및 제1 출력 사이에서 서로에 대하여 병렬로 이루어진다.The second output terminal of the first low pass filter (LPF)
2개의 저역 통과 필터(LPF) 단(25,27)은 길버트 믹서(22)로부터 수신된 기저대역 신호들(Ubb+,Ubb-)에 대해 2차 저역 통과 필터링을 적용한다. 그 결과로 얻어진 저역 통과 필터링된 기저대역 신호들은 도 1의 아날로그-디지털 변환기들(14)에 전송된다.Two low pass filter (LPF)
그러한 직접 변환 아키텍처를 지니는 수신기를 구현하면, 이는 슈퍼헤테로다인 아키텍처들과 같은 다른 변환 아키텍처들보다 값이 싼 이점이 있는데, 그 이유는 중간 주파수(IF)에 대한 값비싼 대역 통과 필터 컴포넌트들이 직접 변환에 필요하지 않기 때문이다.Implementing a receiver with such a direct conversion architecture has the advantage of being cheaper than other conversion architectures such as superheterodyne architectures, since expensive band pass filter components for intermediate frequencies (IF) can be directly converted. Because it is not necessary.
부가적인 이점은 시스템 온 칩(system on chip; SoC) 해결 방안으로서 수신기를 실현할 수 있다는 것인데, 다시 말하면 단일 칩 상에서 상기 수신기의 컴포넌트들을 구현할 수 있다는 것이다. 비용, 크기 및 다른 이점들 때문에 딥 서브마이크론(deep submicron) 상보형 금속 산화물 반도체(Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS) 기술의 사용은 그러한 SoC 해결 방안에 관심을 끌게 한다.An additional advantage is that the receiver can be realized as a system on chip (SoC) solution, that is, the components of the receiver can be implemented on a single chip. Because of cost, size and other advantages, the use of deep submicron complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology draws attention to such SoC solutions.
그러나, 딥 서브마이크론 CMOS 구현을 사용할 경우에, 주파수에 반비례하기 때문에 1/f 잡음으로서 또한 언급되는 플리커 잡음(flicker noise)이 고려되어야 한다. 플리커 잡음은 글로벌 이동 통신 시스템(Global System for Mobile Communications; GSM)과 같은 2세대(2G) 시스템들에서 그리고 더 작은 정도까지는 3세대(3G) 시스템들에서도 특히 문제가 된다. 낮은 공급 전압을 필요로 하는 현대 및 미래의 CMOS 기술들에서는 그러한 잡음 문제가 많아지게 된다. 공급 전압이 감소하면, 또한 잡음이 적어져야 한다. 낮은 공급 전압과 관련된 추가적인 난점은 선형성(linearity)이다. 낮은 공급 전압의 경우에 한계 및 포화 전압들이 공급 전압 범위의 대부분을 소모시키기 때문에, 높은 공급 전압들의 경우에서보다 낮은 공급 전압들의 경우에서 선형성이 더 나빠지게 된다. 그러므로, 종래의 직접 변환용 수신기는 향후 저전압 프로세스들을 구현하기가 점차로 어려워진다.However, when using a deep submicron CMOS implementation, flicker noise, also referred to as 1 / f noise, should be considered because it is inversely proportional to frequency. Flicker noise is particularly problematic in second generation (2G) systems, such as the Global System for Mobile Communications (GSM) and, to a lesser extent, third generation (3G) systems. In modern and future CMOS technologies that require low supply voltages, such noise problems become more common. If the supply voltage is reduced, the noise should also be less. An additional difficulty associated with low supply voltages is linearity. Since the limit and saturation voltages consume most of the supply voltage range in the case of low supply voltages, the linearity worsens in the case of low supply voltages than in the case of high supply voltages. Therefore, the conventional direct conversion receiver becomes increasingly difficult to implement low voltage processes in the future.
직접 변환용 수신기의 주요 컴포넌트이며 선형성 및 잡음과 관련된 가장 중요한 컴포넌트인 것은 믹서이다. 종래의 직접 변환용 수신기는 믹서용 수동 부하를 포함하는데, 이는 간섭들에 대한 1차 감쇠 및 적합한 신호 이득을 제공하기 위해 저항기 및 캐패시터로 구성된다. 그러한 수동 믹서 부하는 필요한 이득, 필요한 잡음 및 필요한 선형성을 획득하도록 설계하기가 어려운데, 그 이유는 이러한 인자들이 모두 부하 임피던스 및 믹싱 컴포넌트의 바이어스 전류와 결부되기 때문이다. 그러므로, 낮은 공급 전압으로 동작하는 현대의 CMOS 아키텍처에서는 종래의 믹서 구조가 상당한 잡음 및 선형성 문제들을 안겨 준다.The main component of the receiver for direct conversion and the most important component regarding linearity and noise is the mixer. Conventional direct conversion receivers include a passive load for the mixer, which consists of resistors and capacitors to provide first order attenuation for interferences and a suitable signal gain. Such passive mixer loads are difficult to design to obtain the required gain, the required noise, and the required linearity, because these factors are all tied to the load impedance and bias current of the mixing component. Therefore, in modern CMOS architectures operating at low supply voltages, conventional mixer structures present significant noise and linearity problems.
직접 변환용 수신기에서의 잡음 문제들은 임계적인 RF 및 기저대역 블록들을 위한 바이폴라 상보형 금속 산화물 반도체(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor; BiCMOS) 기반 칩을 사용함으로써 회피될 수 있다.Noise problems in the receiver for direct conversion can be avoided by using a Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor (BiCMOS) based chip for critical RF and baseband blocks.
그러므로, 대개는 DSP와 같은 직접 변환용 수신기의 디지털 기저대역 컴포넌트들이 CMOS 기술을 사용하여 구현된다. 이와는 대조적으로, 저잡음 증폭기(LNA), 믹서들 및 아날로그 기저대역 시그널링 처리 컴포넌트를 포함하는 직접 변환용 수신기의 무선 주파수(RF) 컴포넌트들은 대개 BiCMOS 기술 또는 다른 아날로그 지향 반도체 프로세스들을 사용하여 구현된다. 따라서, 완전한 수신기는 대개 무선 주파수(RF) 및 디지털 기저대역을 위한 적어도 2개의 개별 칩들을 사용하여 구현되는데, 이는 생산 단가가 증가하게 한다.Therefore, digital baseband components of a direct conversion receiver, such as a DSP, are usually implemented using CMOS technology. In contrast, radio frequency (RF) components of a direct conversion receiver, including low noise amplifiers (LNAs), mixers, and analog baseband signaling processing components, are often implemented using BiCMOS technology or other analog-oriented semiconductor processes. Thus, a complete receiver is usually implemented using at least two separate chips for radio frequency (RF) and digital baseband, which increases production costs.
본 발명의 목적은 교호 믹서 회로를 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 플리커 잡음을 증가시키지 않고 충분한 믹서 선형성을 달성할 수 있게 해주는 믹서 회로를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an alternating mixer circuit. In particular, it is an object of the present invention to provide a mixer circuit that allows to achieve sufficient mixer linearity without increasing flicker noise.
믹서 회로가 제안되어 있으며, 상기 믹서 회로는 입력 무선 주파수 신호를 주파수 하향 변환하도록 이루어진 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트 및 능동 믹서 부하 회로를 포함한다. 상기 능동 믹서 부하 회로는 상기 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트의 출력 단자들에 접속된다. 상기 능동 믹서 부하 회로는 능동 믹서 부하 및 상기 능동 믹서 부하에 의해 생성되며 상기 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트에 의해 출력된 신호의 신호 대역에서 벗어난 플리커 잡음을 변조하도록 이루어진 변조 수단을 포함한다.A mixer circuit is proposed, which includes a mixing component for frequency downconversion and an active mixer load circuit configured to downconvert the input radio frequency signal. The active mixer load circuit is connected to the output terminals of the mixing component for frequency downconversion. The active mixer load circuit comprises modulation means for modulating flicker noise generated by the active mixer load and the active mixer load and deviating from the signal band of the signal output by the mixing component for frequency downconversion.
더욱이, 무선 주파수 신호들을 수신하며 대응하는 주파수 하향 변환된 신호들을 제공하는 수신기 회로, 칩 및 장치가 제안되어 있으며, 그 각각이 제안된 믹서 회로를 포함한다.Moreover, receiver circuits, chips and devices have been proposed that receive radio frequency signals and provide corresponding frequency down-converted signals, each comprising a proposed mixer circuit.
마지막으로, 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트 및 능동 믹서 부하 회로를 포함하는 믹서 회로의 사용 방법이 제안되어 있다. 상기 제안된 방법은 상기 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트를 통해 수신된 무선 주파수 신호를 주파수 하향 변환하는 단계를 포함한다. 상기 제안된 방법은 상기 능동 믹서 부하 회로의 능동 믹서 부하를 통해 상기 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트의 출력 전압을 제어하는 단계를 더 포함한다. 상기 제안된 방법은 상기 능동 믹서 부하에 의해 생성되며 상기 주파수 하향 변환된 무선 주파수 신호의 신호 대역에서 벗어난 플리커 잡음을 변조하는 단계를 더 포함한다.Finally, a method of using a mixer circuit comprising a mixing component for frequency downconversion and an active mixer load circuit is proposed. The proposed method includes frequency downconverting a radio frequency signal received through the mixing component for frequency downconversion. The proposed method further comprises controlling the output voltage of the mixing component for frequency downconversion through the active mixer load of the active mixer load circuit. The proposed method further comprises modulating flicker noise generated by the active mixer load and deviating from the signal band of the frequency down-converted radio frequency signal.
본 발명은 특히 저전압 애플리케이션들에 대해, 능동 믹서 부하가 수동 믹서 부하보다 믹서 회로용으로 더 적합하다는 고찰로부터 유래한 것이다. 능동 믹서 부하는 원하는 성능으로 상기 믹서를 설계함에 있어서, 특히 전압 이득 및 헤드룸(headroom), 결과적으로는 선형성을 최적화함에 있어서 더 많은 자유를 제공한다. 능동 믹서 부하가 믹서 회로에 채용될 경우에, 공통 모드(common mode; CM) 및 차동 임피던스들은 분리될 수 있으며 고 레벨이거나 저 레벨이게끔 서로 독립적으로 설계될 수 있다. 수동 부하의 경우에, 이러한 인자들이 결부된다.The present invention derives from the consideration that active mixer loads are more suitable for mixer circuits than passive mixer loads, especially for low voltage applications. Active mixer loads provide more freedom in designing the mixer with the desired performance, especially in optimizing voltage gain and headroom, and consequently linearity. When an active mixer load is employed in the mixer circuit, the common mode (CM) and differential impedances can be separated and designed independently of each other to be high or low level. In the case of a passive load these factors are combined.
그러나, 종래의 믹서 회로의 수동 믹서 부하가 능동 믹서 부하로 대체될 경우에, 능동 믹서 부하로 인한 추가적인 잡음, 특히 추가적인 플리커 잡음이 주파수 하향 변환된 신호의 신호 대역에서, 예를 들면 GSM의 기저대역에서 문제가 된다. 그러므로, 추가로 상기 능동 믹서 부하의 플리커 잡음이 신호 대역에서 벗어나 변조되도록 하는 것이 제안된다.However, when the passive mixer load of the conventional mixer circuit is replaced by an active mixer load, additional noise due to the active mixer load, in particular the additional flicker noise, is in the signal band of the frequency down-converted signal, for example the baseband of GSM. Is a problem. Therefore, it is further proposed to allow the flicker noise of the active mixer load to be modulated out of the signal band.
수동 믹서 부하를 포함하는 믹서 회로와 비교해 보면, 결과적으로 본 발명의 이점은 능동 믹서 부하가 더 양호한 믹서 선형성, 즉 더 양호한 3차 교차점(third order interception point; IIP3)을 허용한다는 것이다. 더욱이, 이로 인해 능동 부하 제어부가 상기 믹서 회로의 출력 노드들의 공통 모드 전압을 제어하기 위해 사용될 수 있다.Compared with mixer circuits including passive mixer loads, the advantage of the present invention is that the active mixer loads allow for better mixer linearity, i.e., better third order interception point (IIP3). Moreover, this allows an active load controller to be used to control the common mode voltage of the output nodes of the mixer circuit.
간단한 능동 믹서 부하 토폴러지와 비교해 보면, 본 발명의 이점은 제안된 변조 수단이 신호 대역으로부터 플리커 잡음을 제거할 수 있기 때문에 상기 능동 믹서 부하에 의해 추가되는 플리커 잡음이 낮아진다는 것이다. 신호 대역의 저잡음 레벨은 변조 기법들의 사용을 통해 이루어지며 어떠한 저잡음 프로세스도 플리커 잡음을 감소시키는데 필요하지 않다.Compared to a simple active mixer load topology, the advantage of the present invention is that the flicker noise added by the active mixer load is lowered because the proposed modulation means can remove the flicker noise from the signal band. The low noise level of the signal band is achieved through the use of modulation techniques and no low noise process is required to reduce flicker noise.
제안된 변조는 주파수 하향 변조용 믹서 컴포넌트 자체로 인한 플리커 잡음을 낮추지 못한다. 그러나, 이러한 잡음은 추가로 낮아질 수 있는데, 그 이유는 상기 믹싱 컴포넌트의 바이어스 전류가 개선된 선형성으로 인해 낮아질 수 있기 때문이다.The proposed modulation does not reduce flicker noise due to the mixer component itself for frequency down modulation. However, this noise can be further lowered because the bias current of the mixing component can be lowered due to the improved linearity.
잡음이 변조를 통해 신호 대역으로부터 제거되기 때문에, CMOS 기술 또는 다른 "노이지(noisy)" 반도체 기술, 특히 딥 서브마이크론 반도체 기술은 충분한 믹서 성능을 갖게끔 칩에서 믹서 회로를 구현하는데 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 주파수 하향 변환용 컴포넌트 및 예를 들면 서브마이크론 CMOS 기술을 통해 구현되는 차후의 기저대역 처리 컴포넌트들 간의 인터페이스와 관련된 문제에 대한 해결 방안을 제공한다. 그 결과로, 본 발명은 낮은 공급 전압을 통해 현대의 딥 서브마이크론 반도체 프로세스들을 사용하여 완전한 수신기를 구현할 수 있으며, 특히 SoC 유형의 해결 방안을 통해 완전한 수신기를 구현할 수 있다.Since noise is removed from the signal band through modulation, CMOS technology or other “noisy” semiconductor technology, particularly deep submicron semiconductor technology, can be used to implement mixer circuits on a chip to have sufficient mixer performance. Accordingly, the present invention provides a solution to the problem associated with the interface between frequency downconversion components and subsequent baseband processing components implemented via, for example, submicron CMOS technology. As a result, the present invention can implement a complete receiver using modern deep submicron semiconductor processes with a low supply voltage, in particular a SoC type solution.
상기 변조 수단은 예를 들면 스위칭 요소들을 포함할 수 있다. 대체로 아날로그 회로들을 위한 스위칭 또는 초핑(chopping) 기법의 사용은 당업계에 시그마-델타 변조기들 및 계측 증폭기들의 용도로 알려져 있다. 수신기에 사용된 스위칭 기법은 또한 미국 특허 제6,125,272호에 언급되어 있지만, 능동 믹서 부하와 협동하고 있지 않다.The modulation means may for example comprise switching elements. Generally the use of switching or chopping techniques for analog circuits is known in the art for the use of sigma-delta modulators and instrumentation amplifiers. The switching technique used in the receiver is also mentioned in US Pat. No. 6,125,272, but is not cooperating with an active mixer load.
상기 주파수 하향 변환용 믹싱 컴포넌트는 무선 주파수 전류 모드 신호들 또는 무선 주파수 전압 모드 신호들을 주파수 하향 변환하도록 채택될 수 있다.The mixing component for frequency downconversion may be adapted to frequency downconvert radio frequency current mode signals or radio frequency voltage mode signals.
상기 제안된 믹서 회로는 디지털 또는 아날로그 반도체 기술들을 사용하여 무선 주파수(RF) 회로들에서 구현될 수 있다. 이는 어떠한 추가적인 프로세스 옵션들 없이 순수한 서브마이크론 디지털 CMOS 프로세스에 특히 적합하다.The proposed mixer circuit can be implemented in radio frequency (RF) circuits using digital or analog semiconductor technologies. This is particularly suitable for pure submicron digital CMOS processes without any additional process options.
상기 제안된 믹서 회로는 예를 들면 낮은 중간 주파수(IF) 수신기 또는 헤테로다인 수신기 등등과 같은 임의의 중간 주파수(IF) 수신기에서 또는 직접 변환용 수신기에서 채용될 수 있다. 더욱이, 상기 제안된 믹서 회로가 구현되어 있는 수신기는 임의 유형의 무선 시스템에 속할 수 있다.The proposed mixer circuit can be employed in any intermediate frequency (IF) receiver such as, for example, a low intermediate frequency (IF) receiver or a heterodyne receiver or the like or in a receiver for direct conversion. Moreover, the receiver in which the proposed mixer circuit is implemented may belong to any type of wireless system.
상기 제안된 장치는 특히 상기 제안된 믹서 회로가 채용되는 수신기를 포함하는 장치일 수 있다. 그러한 장치는 예를 들면 이동 단말기 또는 무선 통신 네트워크의 네트워크 요소일 수 있다.The proposed device may in particular be a device comprising a receiver in which the proposed mixer circuit is employed. Such a device may for example be a mobile terminal or a network element of a wireless communication network.
본 발명의 다른 목적들 및 특징들은 첨부도면들과 관련하여 고려된 이하의 상세한 설명으로부터 자명해질 것이다.Other objects and features of the present invention will become apparent from the following detailed description considered in conjunction with the accompanying drawings.
도 1은 본 발명이 구현될 수 있는 종래의 직접 변환용 수신기를 블록 선도로 보여주는 도면이다.1 is a block diagram illustrating a conventional direct conversion receiver in which the present invention can be implemented.
도 2는 도 1의 직접 변환용 수신기의 무선 주파수(RF) 및 아날로그 프론트-엔드에 대한 종래의 구현 세부들을 개략적으로 보여주는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram schematically showing conventional implementation details for radio frequency (RF) and analog front-end of the receiver for direct conversion of FIG. 1.
도 3은 본 발명에 따른 직접 변환용 수신기의 무선 주파수(RF) 및 아날로그 프론트-엔트에 대한 구현을 개략적으로 보여주는 회로도이다.3 is a circuit diagram schematically showing an implementation for radio frequency (RF) and analog front-end of a direct conversion receiver according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 수신기의 동작을 보여주는 플로 차트이다.4 is a flowchart illustrating the operation of a receiver according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 믹서의 스위치형 능동 부하에 대한 한 실시예를 개략적으로 보여주는 회로도이다.5 is a circuit diagram schematically showing one embodiment of a switched active load of a mixer according to the present invention.
본 발명은 도 1을 참조하여 위에 제공된 직접 변환용 수신기(10)에서 예로써 구현된다.The present invention is implemented by way of example in the
도 3에는 본 발명에 따른 믹서 회로에 대한 한 실시예가 채용되어 있는 도 1의 수신기(10)의 무선 주파수(RF) 및 아날로그 프론트-엔드에 대한 세부들이 도시되어 있다.3 shows details of the radio frequency (RF) and analog front-end of the
도 3의 회로는 믹서 회로(31), 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35) 및 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(37)을 포함한다.The circuit of FIG. 3 includes a
상기 믹서 회로(31)는 도 1의 저잡음 증폭기(LNA; 11)의 출력에 접속되는 2개의 입력 단자들을 포함한다. 상기 믹서 회로(31) 내에는, 상기 입력 단자들이 트랜스컨덕턴스(transconductance) 요소(GM; 32) 및 믹싱 컴포넌트(33)를 통해 상기 믹서 회로(31)의 출력 단자들에 접속된다. 상기 믹싱 컴포넌트(33)는 교호하는 국부 발진기 신호들(LO+,LO-)을 수신하는 추가 입력 단자들을 포함한다. 더욱이, 능동 믹서 부하 회로(34)는 상기 믹싱 컴포넌트(33)의 출력 단자들에 접속된다.The
상기 믹서 회로(31)의 제1 출력 단자는 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)의 제1 입력 단자를 통해 상기 제1 저역 통과 필터(35)의 연산 증폭기(36)의 제1 입력에 접속되며, 상기 연산 증폭기(36)의 제1 출력은 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)의 제1 출력 단자에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C1a) 및 또 한편으로는 저항기(R1a)는 상기 연산 증폭기(36)의 제1 입력 및 제1 출력 사이에서 서로에 대해 병렬로 이루어진다.The first output terminal of the
상기 믹서 회로(31)의 제2 출력 단자는 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)의 제2 입력 단자를 통해 상기 연산 증폭기(36)의 제2 입력에 접속되며, 상기 연산 증폭기(36)의 제2 출력은 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)의 제2 출력 단자에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C1b) 및 또 한편으로는 저항기(R1b)는 상기 연산 증폭기(36)의 제1 입력 및 제2 출력 사이에서 서로에 대해 병렬로 이루어진다.The second output terminal of the
상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)의 제1 출력 단자는 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(37)의 제1 입력 단자 및 저항기(R4a)를 통해 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(37)의 연산 증폭기(38)의 제1 입력에 접속되며, 상기 연산 증폭기(38)의 제1 출력은 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(37)의 제1 출력 단자에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C2a) 및 또 한편으로는 저항기(R2a)는 상기 연산 증폭기(38)의 제1 입력 및 제1 출력 사이에서 서로에 대해 병렬로 이루어진다.The first output terminal of the first low pass filter (LPF)
상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)의 제2 출력 단자는 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(37)의 제2 입력 단자 및 저항기(R4b)를 통해 상기 연산 증폭기(38)의 제2 입력에 접속되며, 상기 연산 증폭기(38)의 제2 출력은 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(37)의 제2 출력 단자에 접속된다. 한편으로는 캐패시터(C2b) 및 다른 한편으로는 저항기(R2b)는 상기 연산 증폭기(38)의 제1 입력 및 제1 출력 사이에 서로 병렬 구성된다.The second output terminal of the first low pass filter (LPF)
상기 저역 통과 필터(LPF) 단들(35,37)에서의 캐패시터들(C1a,C1b,C2a,C2b) 및 저항기들(R1a,R1b,R2a,R2b)의 구성이 도 2의 저역 통과 필터(LPF) 단들(25,27)에서와 같은 구성이기 때문에, 동일한 참조부호들이 사용되었다.The capacitors C1a, C1b, C2a, C2b and resistors R1a, R1b, R2a, and R2b at the low pass filter LPF stages 35 and 37 have a configuration of the low pass filter LPF of FIG. Because of the same construction as in
마지막으로, 상기 제2 저역 통과 필터(LPF) 단(37)의 2개의 출력 단자들은 도 1의 수신기(10)의 아날로그-디지털 변환기(14)에 접속된다.Finally, two output terminals of the second low pass filter (LPF)
위에 제공된 실시예에서, 상기 수신기(10)는 SoC 해결 방안으로서 실현되는데, 다시 말하면, 도 1 및 도 3에 도시된 수신기(10)의 모든 컴포넌트는 단일의 딥 서브마이크론(deep submicron) CMOS 칩(39)에 통합된다.In the embodiment provided above, the
도 3에 제공된 무선 주파수(RF) 및 아날로그 프론트-엔드를 포함하는 도 1의 수신기의 동작이 지금부터 도 4를 참조하여 설명될 것이다.The operation of the receiver of FIG. 1, including the radio frequency (RF) and analog front-end provided in FIG. 3, will now be described with reference to FIG. 4.
수신된 무선 주파수(RF) 전압 모드 신호들(RF 입력)은 먼저 상기 저잡음 증폭기(LNA; 11)에 의해 증폭된다. 다음으로는, 상기 증폭된 무선 주파수(RF) 전압 모드 신호들(RF IN)은 트랜스컨덕턴스 요소(32)에 의해 무선 주파수(RF) 전류 모드 신호들(Irf+,Irf-)로 변환된다. 상기 트랜스컨덕턴스 요소(32)는 이러한 목적으로 하나 또는 2개의 트랜지스터를 포함할 수 있다.The received radio frequency (RF) voltage mode signals (RF input) are first amplified by the low noise amplifier (LNA) 11. Next, the amplified radio frequency (RF) voltage mode signals RF IN are converted into radio frequency (RF) current mode signals Irf + and Irf− by the
이후에는, 무선 주파수(RF) 전류 모드 신호들(Irf+,Irf-)은 교호하는 국부 발진기 신호들(LO+,LO-)을 통해 상기 믹싱 컴포넌트(33)에 의해 기저대역으로 주파수 하향 변환된다. 상기 믹싱 컴포넌트(33)는 이러한 목적으로 주파수 하향 변환용 트랜지스터들을 포함할 수 있다.Thereafter, radio frequency (RF) current mode signals Irf +, Irf- are frequency downconverted to baseband by the mixing
능동 믹서 부하 회로(34)는 상기 출력 전압을 원하는 값으로 대역 유지하도록 상기 믹싱 컴포넌트(33)에 의해 출력된 전류 모드 기저대역 신호들(Ibb+,Ibb-)을 측정한다. 상기 능동 믹서 부하 회로(34)의 설계 및 동작은 도 5를 참조하여 이하에서 더 상세하게 부연 설명될 것이다.Active
차동 전류 모드 기저대역 신호들(Ibb+,Ibb-)은 현재 부가적인 처리를 위해 아날로그 기저대역 처리부(13)에 공급된다. 전류 모드 인터페이스는 선형성에 대해 추가적인 이점을 초래한다. 아날로그 기저대역 처리 기능부는 도 3에 도시된 2개의 저역 통과 필터(LPF) 단들(35,37)을 지니는 2차 저역 통과 필터 기능부를 포함한다. 이후에는 상기 저역 통과 필터링된 신호들은 아날로그-디지털 변환기(ADC; 14) 에 의해 디지털 영역으로 변환되고 디지털 기저대역 신호들은 이러한 디지털 기저대역 신호들이 상기 수신기에 의해 디지털 기저대역 출력으로서 출력되기 전에 상기 디지털 신호 처리 컴포넌트(DSP; 15)에 의해 부가적으로 처리된다.The differential current mode baseband signals Ibb + and Ibb− are currently supplied to the
도 5는 도 3의 믹서 회로(31)의 능동 믹서 부하 회로(34)의 세부들을 보여주는 도면이다.FIG. 5 shows details of the active
상기 믹서 회로(31)의 믹싱 컴포넌트(33) 및 상기 능동 믹서 부하 회로에 대한 상기 믹싱 컴포넌트(33)의 접속은 점선들로 나타나 있다. 상기 믹서 회로(31)는 도 3 및 도 4를 참조하여 위에 언급된 바와 같이 입력 신호들로서 무선 주파수(RF) 전류 모드 신호들(Irf+,Irf-)과 추가해서 국부 발진기 신호들(LO+,LO-)을 수신한다.The connection of the
상기 믹서 회로(31)의 출력 단자들이 도 3을 참조하여 언급된 바와 같이 한편으로는 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)에 접속된다. 상기 제1 저역 통과 필터(LPF) 단(35)에 제공된 신호들은 도 5에서 Outp 및 Outn으로서 언급된다. 도 3의 실시예에서, 상기 신호들(Outp,Outn)은 결과적으로 전류 모드 기저대역 신호들(Ibb+,Ibb-)에 대응한다. 다른 한 실시예에서, 도 5의 신호들(Outp,Outn)은 또한 차후의 저역 통과 필터(LPF) 단에 공급된 전압 모드 신호들일 수 있는데, 이는 차후의 저역 통과 필터(LPF) 단에 대한 상기 믹서 회로의 접속 유형에 의존한다.The output terminals of the
상기 믹서 회로(31)의 출력 단자들 모두가 연산 증폭기(51)의 대응하는 입력에 부가적으로 접속된다. 상기 연산 증폭기(51)의 제3 입력에는 공통 모드 기준 전압(VCMREF)이 제공된다. 상기 연산 증폭기(51)의 출력은 2개의 트랜지스터(T1,T2) 의 대응하는 게이트에 접속된다. 상기 연산 증폭기(51) 및 상기 트랜지스터들(T1,T2)은 실제 능동 믹서 부하를 형성한다.All of the output terminals of the
상기 믹서 회로(31)의 제1 출력 단자는 상기 제1 트랜지스터(T1) 및 제1 스위칭 요소(S1)를 통해 접지(Gnd)에 추가로 접속될 수 있다. 상기 믹서 회로(31)의 제1 출력 단자는 상기 제2 트랜지스터(T2) 및 제2 스위칭 요소(S2)를 통해 접지(Gnd)에 접속될 수 있다.The first output terminal of the
상기 믹서 회로(31)의 제2 출력 단자는 상기 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 스위칭 요소(S3)를 통해 접지(Gnd)에 추가로 접속될 수 있다. 상기 믹서 회로(31)의 제2 출력 단자는 상기 제2 트랜지스터(T2) 및 제4 스위칭 요소(S4)를 통해 접지(Gnd)에 접속될 수 있다.The second output terminal of the
종래의 능동 믹서 부하에서는, 이와는 대조적으로 믹싱 컴포넌트의 제1 출력 단자가 제1 트랜지스터를 통해 접지에 고정 접속되지만, 믹싱 컴포넌트의 제2 출력 단자가 제2 트랜지스터를 통해 접지에 고정 접속된다.In a conventional active mixer load, in contrast, the first output terminal of the mixing component is fixedly connected to ground via the first transistor, while the second output terminal of the mixing component is fixedly connected to ground via the second transistor.
도 5의 능동 믹서 부하 회로에서는, 상기 스위칭 요소들(S1 내지 S4)이 실제 능동 믹서 부하(51,T1,T2)에 기인한 플리커 잡음을 제거하기 위해 포함되어 있다. 스위칭 요소들(S1,S4)은 이러한 목적으로 스위칭 요소들(S2,S3)과 교호하는 방식으로 폐쇄된다. 스위칭 요소들(S1,S4)의 제어 신호는 도 5에 나타나 있으며 스위칭 요소들(S2,S3)의 스위칭을 위한 상보 제어 신호는 xpch로 도 5에 나타나 있다. 그러한 스위칭 동작을 통해, 상기 능동 믹서 부하 회로(34)의 플리커 잡음이 기저대역으로부터 스위칭 주파수 부근의 대역으로 변조되게끔 이루어질 수 있다. 그 결과 로, 종래의 능동 믹서 부하의 플리커 잡음 문제가 회피된다.In the active mixer load circuit of FIG. 5, the switching elements S1 to S4 are included to remove flicker noise due to the actual active mixer loads 51, T1 and T2. The switching elements S1, S4 are closed in this way in an alternating manner with the switching elements S2, S3. The control signal of the switching elements S1 and S4 is shown in FIG. 5 and the complementary control signal for switching of the switching elements S2 and S3 is shown in FIG. 5 as xpch. Through such switching operation, the flicker noise of the active
변조를 통해 신호 대역으로부터 잡음이 제거됨에 따라, CMOS 기반 칩은 상기 믹서 회로의 구현을 위해 사용될 수 있다.As noise is removed from the signal band through modulation, a CMOS based chip can be used for the implementation of the mixer circuit.
위에 제공된 실시예는 결과적으로 직접 변환용 수신기의 주파수 하향 변환용 믹서 회로(31) 및 서브마이크론 CMOS 기술을 통해 구현된 이하의 기저대역 처리 컴포넌트들간의 인터페이스에 관한 중요한 문제에 대한 해결 방안을 제공한다. 이는 SoC 구현을 용이하게 하며 상기 CMOS 기술을 사용하여 디지털 기저대역을 통해 상기 무선 주파수(RF) 부분을 통합시킬 수 있는 가능성을 향상시킨다. 상기 SoC 해결 방안은 생산 단가를 낮출 수 있는데, 그 이유는 하나의 칩이 무선 주파수(RF) 부분용이며 다른 하나의 칩이 기저대역 부분용인 2개의 칩이 단일 칩으로 대체되기 때문이다.The embodiment provided above consequently provides a solution to a significant problem with the interface between the frequency
상기 믹싱 컴포넌트(33)에서의 실제 신호 주파수 하향 변환용 트랜지스터들의 플리커 잡음 및 오정렬은 위에 제공된 실시예에 언급되어 있지 않다. 위에서 인용된 문헌인 미국 특허 제6,125,272호에는 위에 제공된 실시예를 통해 조합될 수 있는 믹싱 컴포넌트의 주파수 하향 변환용 트랜지스터들의 오정렬을 보상하며 상기 믹싱 컴포넌트(IIP2)의 결과적인 2차 비-선형성을 개선할 수 있는 가능성이 개시되어 있다.Flicker noise and misalignment of the actual signal frequency downconversion transistors in the
여기서 유념해야 할 점은 위에 언급된 실시예가 본 발명의 여러 가능한 실시예 중 단지 하나만을 형성한다는 것이다.It should be noted here that the embodiments mentioned above form only one of several possible embodiments of the invention.
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020067014650A KR100719390B1 (en) | 2006-07-20 | 2004-01-22 | Mixer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020067014650A KR100719390B1 (en) | 2006-07-20 | 2004-01-22 | Mixer circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060129280A KR20060129280A (en) | 2006-12-15 |
KR100719390B1 true KR100719390B1 (en) | 2007-05-18 |
Family
ID=37731364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067014650A KR100719390B1 (en) | 2006-07-20 | 2004-01-22 | Mixer circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100719390B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI424681B (en) * | 2007-07-25 | 2014-01-21 | Realtek Semiconductor Corp | Mixer circuit and method for reducing flicker noise thereof |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
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US20030129958A1 (en) * | 2002-01-07 | 2003-07-10 | Behzad Arya Reza | Mixer having low noise, controllable gain, and/or low supply voltage operation |
-
2004
- 2004-01-22 KR KR1020067014650A patent/KR100719390B1/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060129280A (en) | 2006-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20060720 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20060724 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20070328 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20070511 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20070514 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100427 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110503 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120423 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120423 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |