[go: up one dir, main page]

KR100718878B1 - 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 - Google Patents

3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100718878B1
KR100718878B1 KR1020050056036A KR20050056036A KR100718878B1 KR 100718878 B1 KR100718878 B1 KR 100718878B1 KR 1020050056036 A KR1020050056036 A KR 1020050056036A KR 20050056036 A KR20050056036 A KR 20050056036A KR 100718878 B1 KR100718878 B1 KR 100718878B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
pads
transistor
image sensor
photodiode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1020050056036A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070000578A (ko
Inventor
이도영
Original Assignee
(주)실리콘화일
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020050056036A priority Critical patent/KR100718878B1/ko
Application filed by (주)실리콘화일 filed Critical (주)실리콘화일
Priority to CN2006800235744A priority patent/CN101213669B/zh
Priority to JP2008519169A priority patent/JP2008544571A/ja
Priority to EP06769059.4A priority patent/EP1900031B1/en
Priority to US11/917,983 priority patent/US8325221B2/en
Priority to PCT/KR2006/002482 priority patent/WO2007001146A1/en
Publication of KR20070000578A publication Critical patent/KR20070000578A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100718878B1 publication Critical patent/KR100718878B1/ko
Priority to US13/531,530 priority patent/US8669132B2/en
Priority to JP2012287184A priority patent/JP2013084980A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/809—Constructional details of image sensors of hybrid image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/018—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of hybrid image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/199—Back-illuminated image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8057—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 포토다이오드에 입사하는 빛의 다양한 입사각에 대한 대응능력을 제공하고, 입사각 마진을 확보하여 소형 카메라 모듈에서도 줌 기능의 탑재가 가능하도록 하는 이미지 센서용 분리형 단위 화소 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소는 반도체 물질의 유형과는 반대의 불순물을 함유하고 있는 포토다이오드만으로 구성되고, 상기 포토다이오드의 광전하량을 외부로 전송하기 위한 패드를 구비하는 제1 웨이퍼; 상기 포토다이오드를 제외한 트랜지스터 구성의 규칙적인 배열을 갖는 화소배열영역, 상기 화소배열 이외의 이미지 센서의 구조를 갖는 주변회로영역 및 상기 각 화소를 연결하기 위한 패드를 구비하는 제2 웨이퍼; 및 상기 제1 웨이퍼의 패드와 상기 제2 웨이퍼의 패드를 연결하는 연결수단;을 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 포토다이오드만으로 상판 웨이퍼를 제조하고 나머지 화소영역을 하판 웨이퍼로 제조함으로써 제조공정을 단순화할 수 있으며, 상판 웨이퍼에 트랜지스터(TR)가 없기 때문에 하판 웨이퍼에 있는 트랜지스터(TR)는 빛과의 상호작용에 영향이 없으며, 상판 웨이퍼에 트랜지스터가 없기 때문에 원가절감의 효과도 있다.

Description

3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그 제조방법{Separation type unit pixel of image sensor having 3 dimension structure and manufacture method thereof}
도 1a 내지 도 1c는 이미지 센서에 대표적으로 사용되는 트랜지스터의 개수에 따른 화소의 구조를 도시한 것이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 이미지 센서용 분리형 단위 화소 구조에 대한 회로도를 도시한 것으로, 포토다이오드와 4T로 구성된 단위화소를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 의한 이미지 센서의 분리형 단위 화소 구조에 대한 회로도의 일실시예를 도시한 것으로, 포토다이오드와 3T로 구성된 단위화소를 나타낸다.
도 4a는 본 발명에 의한 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 물리적 구조에 대한 일실시예를 도시한 것이다.
도 4b는 본 발명에 의한 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 물리적 구조에 대한 다른 일실시예를 도시한 것이다.
도 5a 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 일실시예를 도시한 것이다.
도 5b는 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 다 른 일실시예를 도시한 것이다.
도 6는 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 7은 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 제조시 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 배열 방법을 도시한 것이다.
본 발명은 이미지센서의 단위 화소에 관한 것으로, 특히 포토다이오드와 화소배열영역을 분리한 이미지센서의 단위 화소 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래의 이미지 센서에 사용되어온 화소는 그 내부에 포함된 트랜지스터의 개수에 따라 3-트랜지스터 화소, 4-트랜지스터 화소 및 5-트랜지스터로 크게 대별되어 진다.
도 1a 내지 도 1c는 이미지 센서에 대표적으로 사용되는 트랜지스터의 개수에 따른 화소의 구조를 도시한 것이다.
도 1a는 3-트랜지스터 구조를 나타내고, 도 1b와 도 1c는 4-트랜지스터 구조를 나타낸다.
도 1a 내지 도 1c에서처럼 화소내부에 회로로 사용되어지는 트랜지스터들이 존재하게 됨에 따라 화소의 크기에 대한 포토다이오드가 차지하는 면적인 다이오드 용적률(fill factor)이 자연스럽게 줄어들게 된다. 일반적인 다이오드 용적률은 각각의 반도체 공정의 제작능력을 고려할 때, 약 20-45%에 해당하는 용적률을 갖게 된다. 이에 따라 나머지 면적인 55-75%의 화소잔여면적으로 입사하는 빛들은 손실되어지게 되는 것이다.
이렇게 손실되는 광 데이터를 최대한 줄이기 위하여 이미지 센서 제작공정에서는 화소단위로 포토다이오드로 집광할 수 있도록 단위화소마다 초소형 렌즈를 사용하고 있다. 마이크로렌즈를 사용하지 않는 상태에서의 이미지센서의 감도를 기준으로 마이크로렌즈를 사용한 센서의 감도 증가 분을 마이크로렌즈 이득(Micro lens gain)이라고 부른다.
통상 다이오드 용적률이 30%대인 것을 고려하면, 마이크로렌즈이득은 약 2.5-2.8배에 해당한다. 하지만 화소의 크기가 4㎛×4㎛의 크기를 지나 3㎛×3㎛대에 이르고 이보다 더 작은 2.8㎛×2.8㎛이나 2.5㎛×2.5㎛대의 작은 화소들이 만들어지기 시작하면서 3.4㎛×3.4㎛의 화소를 기점으로 마이크로렌즈 이득이 2.8배에서 1.2배 수준으로 뚜렷이 저하되었다. 이는 마이크로렌즈의 회절현상에서 비롯되는 것으로서 화소의 크기와 마이크로렌즈의 위치가 함수가 되어 회절현상의 정도를 결정하게 된다.
그런데 화소의 크기가 점점 감소함에 따라 마이크로렌즈의 회절현상도 점점 심해져 마이크로렌즈이득이 1.2배 이하로 조성이 되어 마치 집광을 전혀 하지 못하는 것과 같은 현상이 나타나게 된다. 이는 또한 감도저하의 새로운 원인으로 부각되고 있다.
일반적으로 이미지 센서의 화소크기가 작아짐에 따라 포토다이오드의 면적 또한 동시에 감소하게 된다. 포토다이오드의 면적을 대체적으로 포토다이오드의 가용전하량과 밀접한 관련을 갖기 때문에 포토다이오드의 크기가 감소하면 가용전하량도 감소하게 된다. 포토다이오드의 가용전하량은 이미지 센서의 표현범위(dynamic range)를 결정하는 기본적인 특성요소로서 가용전하량이 감소는 곧바로 센서의 화질에 영향을 미친다. 화소의 크기가 3.2㎛×3.2㎛ 이하의 화소 크기를 제작함에 있어 감도 저하와 더불어 광에 대한 센서의 표현범위가 감소되어 좋은 화질을 얻는데 근본적이 제약을 받게 된다.
이미지 센서로 카메라 모듈을 제작할 때 외부렌즈가 사용되는데 화소배열의 가운데로 입사하는 빛들의 입사각은 수직입사인 반면 화소배열의 가장자리 부분으로 갈수록 입사하는 각의 크기가 점점 수직에서 벗어나게 되고 직각으로부터 일정량 이상의 각부터는 집광되기로 기 배정된 포토다이오드의 영역을 벗어나 마이크로렌즈의 집광이 이루어져 이미지가 어둡게 나오거나 심한 경우 인접 화소의 포토다이오드로 집광되기도 하여 색도가 바뀌는 현상까지 발생하게 된다.
최근의 이미지 센서는 30만 화소와 130만 화소를 지나 200만, 300만 화소 개수로 발전하면서 작은 카메라 모듈 내부에 자동 초점 뿐만 아니라 역학적 확대 축소 기능을 삽입할 계획을 가지고 있다.
이 기능들의 특징은 각각의 기능을 수행하면서 가장자리의 광 입사각이 크게 변화한다는 것이다. 물론 이러한 각의 변화에 대해 센서의 색도가 변한다거나 밝기가 변해서는 안 된다. 하지만 화소의 크기는 점점 감소하고 있고 이 때문에 입사각의 변화에 대한 센서의 대응여유가 없어져 현재 자동초점까지는 각 대응이 가능하지만 역학 확대/축소 기능인 줌 기능까지는 센서가 대응하지 못하고 있어 줌 기능이 탑재된 소형카메라 모듈개발의 걸림돌이 되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 소형화소를 제작하면서 기존의 감도 감소보다는 훨씬 적은 감도저하를 이뤄야 하며 포토다이오드에 입사하는 빛의 다양한 입사각에 대한 대응능력을 제공하고, 입사각 마진을 확보하여 소형 카메라 모듈에서도 줌 기능의 탑재가 가능하도록 하는 상판과 하판으로 분리된 이미지 센서의 단위 화소 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소는 반도체 물질의 유형과는 반대의 불순물을 함유하고 있는 포토다이오드만으로 구성되고, 상기 포토다이오드의 광전하량을 외부로 전송하기 위한 패드를 구비하는 제1 웨이퍼; 상기 포토다이오드를 제외한 트랜지스터 구성의 규칙적인 배열을 갖는 화소배열영역, 상기 화소배열 이외의 이미지 센서의 구조를 갖는 주변회로영역 및 상기 각 화소를 연결하기 위한 패드를 구비하는 제2 웨이퍼; 및 상기 제1 웨이퍼의 패드와 상기 제2 웨이퍼의 패드를 연결하는 연결수단;을 포함함을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 제조방법은 (a)반도체 기판에 불순물 이온을 주입하여 형성된 포토다이오드만으로 구성된 제1 웨이퍼를 구성하는 단계; (b)상기 포토다이오드를 제외한 화소배열영역과 주변회로영역을 구비하는 제2 웨이퍼를 구성하는 단계; (c)상기 제1 웨이퍼와 상기 제2 웨이퍼의 픽셀 어레이 배치를 위하여 상하로 배열시키는 단계; 및 (d)상기 상하로 배열된 상기 제1 웨이퍼와 상기 제2 웨이퍼에 형성된 픽셀 단위의 패드를 접착하는 단계; 및 (e)상기 제1 웨이퍼 상에 칼라필터를 형성하는 단계;를 포함함을 특징으로는 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 이미지 센서의 분리형 단위 화소 구조에 대한 회로도를 도시한 것으로, 포토다이오드가 형성된 부분과 4T로 구성된 화소배열영역이 분리된 상태를 나타낸다.
전송트랜지스터, 리셋트랜지스터, 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택트랜지스터로 구성된 4T 구조의 화소배열 영역과 포토다이오드가 분리된 상태를 도시한 것이다.
여기서, 4T 구조의 화소배열은 다양한 방법으로 구성할 수 있다.
본 발명에 의한 이미지 센서의 분리형 단위화소 구조는 N-type, P-type MOS 트랜지스터 모두에 적용할 수 있다.
도 3a와 도 3b는 본 발명에 의한 이미지 센서의 분리형 단위 화소 구조에 대한 회로도의 일실시예를 도시한 것으로, 포토다이오드가 형성된 부분과 3T로 구성된 화소배열영역이 분리된 상태를 나타낸다.
리셋트랜지스터, 소스 팔로워 트랜지스터 및 선택트랜지스터로 구성된 3T 구조의 화소배열 영역과 포토다이오드가 분리된 상태를 도시한 것이다.
도 3c와 도 3d는 본 발명에 의한 이미지 센서의 분리형 단위 화소 구조에 대한 회 로도의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
포토다이오드와 리셋트랜지스터가 형성된 부분과 3T구조에서 리셋트랜지스터를 제외한 나머지 트랜지스터로 구성된 화소배열영역이 분리된 상태를 나타낸다.
여기서, 3T 구조의 화소배열은 다양한 방법으로 구성할 수 있으며, 본 발명에 의한 이미지 센서의 분리형 단위화소 구조는 N-type, P-type MOS 트랜지스터 모두에 적용할 수 있다.
도 4a는 본 발명에 의한 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 물리적 구성에 대한 일실시예를 도시한 것으로 제1 웨이퍼(10)와 제2 웨이퍼(20)로 구성된다.
제1 웨이퍼(10)는 반도체 기판에 불순물을 주입하여 P형 반도체 구조를 갖는 포토다이오드(14)를 형성하고, 상기 포토다이오드(14)가 갖고 있던 광전하를 외부로 전송하는 패드(17)로 구성된다.
제2 웨이퍼(20)는 상기 포토다이오드를 제외한 트랜지스터 구성의 규칙적인 배열을 갖는 화소배열영역, 상기 화소배열 이외의 이미지 센서의 구조를 갖는 주변회로영역 및 상기 각 화소를 연결하기 위한 패드(21)를 구비한다.
상기 화소배열영역은 전송트랜지스터(22), 리셋 트랜지스터(23), 소스 팔로워 트랜지스터(24) 및/또는 선택트랜지스터(25)와 같은 화소의 나머지 부분회로로 규칙적인 배열을 갖고, 상기 주변회로영역은 이미지 센서의 신호 독출을 위한 회로, 상관중첩샘플링(CDS)회로, 일반 아날로그 신호처리를 위한 회로, 기타 디지털 제어회로 및 이미지 신호처리용 디지털 회로 등이 포함된다.
도 4b는 본 발명에 의한 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 물리적 구성에 대한 다 른 일실시예를 도시한 것으로, 제2 웨이퍼(20)가 3T 구조로 형성된 것이다.
즉, 제2 웨이퍼(20)의 화소배열영역이 리셋 트랜지스터(23), 소스 팔로워 트랜지스터(24) 및/또는 선택트랜지스터(25)와 같은 화소의 나머지 부분회로로 규칙적인 배열을 갖는 것입니다.
도 5a는 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 일실시예를 도시한 것으로, 제1 웨이퍼(10)와 제2 웨이퍼(20)로 분리하여 구성한다.
상기 제1 웨이퍼(10)는 색상필터(12) 및 포토다이오드(14)로 구성된다.
상기 제2 웨이퍼(20)는 트랜지스터 구성의 규칙적인 배열을 갖는 화소배열영역, 상기 화소배열 이외의 이미지 센서의 구조를 갖는 주변회로영역을 구비한다.
상기 제1 웨이퍼(10)와 상기 제2 웨이퍼(20)는 외부연결을 위한 도체 패드(17,21)가 서로 연결된다.
상기 제1 웨이퍼(10)를 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
각 화소에 특정한 색상을 부여해 주는 색상필터(color filter:12), 포토다이오드(14)를 형성할 특정 불순물을 함유하고 있는 반도체 물질(13), 구조물 형성의 용이함과 광 투과도 향상을 위해 상기 색상필터(12)와 상기 반도체 물질(13) 사이에 삽입되어지는 제1 투명버퍼층(18), 상기 반도체 물질(13)의 유형과는 반대의 불순물을 함유하고 있는 포토다이오드(14)로 구성된다.
그리고, 본 발명에서는 제1 웨이퍼(10)에 외부로 연결하기 위한 도체 패드(17)가 형성되어 연결된다.
상기 제2 웨이퍼(20)를 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
3T 또는 4T 구조의 화소배열영역과 그 외 주변회로영역으로 나뉜다. 주변회로영역은 일반적인 이미지 센서의 구조를 갖는다. 따라서 이미지 센서의 신호 독출을 위한 회로와 CDS(correlated Double sampling)회로나 일반 아날로그 신호처리를 위한 회로와 기타 디지털 제어회로 및 이미지 신호처리용 디지털 회로 등이 포함될 수 있다.
화소배열영역은 포토다이오드를 제외한 화소구성의 규칙적인 배열이다. 이에 대한 한 예를 도 4a의 하단부분에 도시하였다. 먼저 상단부분으로부터 신호를 전달받기 위해 마련되는 도체패드(21), 포토다이오드(14)를 초기화시키기 위한 리셋트랜지스터(23)와 전압공급원(VDD), 부유노드인 플로팅 확산영역(15)의 전압상태를 외부로 전달시켜주기 위한 소스 팔로우용 트랜지스터(24), 주어진 화소의 정보를 외부리드아웃회로에 연결유무를 제어해주는 선택용 트랜지스터(25), 그리고 화소의 최종 출력전극(26)으로 구성된다.
도 5b는 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 5b는 도 5a에서 빛을 모아 포토다이오드로 집광하는 마이크로 렌즈(11), 구조물 형성의 용이함과 광투과도 향상을 위해 삽입되어지는 중간의 제2 투명버퍼층(19)을 더 구비하는 것으로, 상기 제2 투명버퍼층(19)은 부가적으로 사용되는 것이며 일반적인 이미지 센서에서 사용하는 막질이라고 볼 수 있다.
도 6은 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 제조방법을 순서도로 도시한 것이다.
첫째, 반도체 기판에 불순물 이온을 주입하여 형성된 포토다이오드만으로 구성된 제1 웨이퍼를 구성한다(S611).
상기 제1 웨이퍼를 구성함과 동시에, 전송트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 소스 팔로우 트랜지스터 및 차단 스위치용 트랜지스터와 같은 화소배열영역과 기타 리드아웃회로, 수직/수평 디코더, 센서동작 및 화질에 관여하는 CDS 및 아날로그회로, ADC(Analog Digital Converter), 디지털회로 등과 같은 주변회로영역을 구비하는 제2 웨이퍼를 구성한다(S612).
둘째, 상기 제1 웨이퍼와 상기 제2 웨이퍼를 상하로 배열시킨다(S620).
상기 제1 웨이퍼와 상기 제2 웨이퍼를 상하로 배열하기 위하여 적외선(IR) 투과, 식각(etch) 및 레이저 펀칭(laser punching)을 통해 상기 제1 웨이퍼의 특정부위를 관통시켜 광학적으로 상하 배열하는 방법 중에서 어느 하나의 방법을 사용한다.
여기서, 상기 적외선(IR) 투과방법은 웨이퍼에 구멍을 뚫지 않고 배열할 수 있으며, 상기 식각(etch) 및 레이저 펀칭(laser punching) 중에서 어느 하나의 방법은 웨이퍼에 구멍을 뚫어서 광학적 패턴인식을 통해 상하 배열한다.
셋째, 상기 상하로 배열된 상기 제1 웨이퍼와 상기 제2 웨이퍼의 도체패드를 접착한다(S630).
넷째, 상기 제1 웨이퍼의 뒷면(back side)을 얇게 하기 위하여 상기 웨이퍼 뒷면의 표면두께를 얇게 한다(S640).
상기 제1 웨이퍼는 제2 웨이퍼와의 접착 이후에 웨이퍼의 두께를 줄이기 위하여 상기 제1 웨이퍼의 뒷면(back side)을 얇게 하기 위하여 상기 웨이퍼 뒷면의 표면처 리를 위하여 연마(Grinding) 공정 또는 화학기계적 평탄화(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 공정과 상기 웨이퍼 뒷면의 표면을 식각(Etch)하는 공정을 사용한다.
다섯째, 상기 제1 웨이퍼 상에 칼라필터를 형성한다(S650).
여섯째, 상기 칼라필터 상에 마이크로렌즈를 형성한다(S660)
도 7은 본 발명에 의한 3차원 구조를 갖는 이미지 센서용 분리형 단위 화소의 제조시 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 배열 방법을 도시한 것이다.
상기 제1 웨이퍼(10)와 제2 웨이퍼(20)를 정확히 일치시켜 배열하기 위하여 적외선(IR) 투과, 식각(etch) 및 레이저 펀칭(laser punching) 중에서 어느 하나의 방법을 사용하여 배열한다.
도 7에서는 상기 식각(etch) 또는 레이저 펀칭(laser punching) 방법을 사용하여 제1 웨이퍼(10)에 구멍을 뚫어서 배열하는 방법을 나타낸 것이다.
상기 적외선(IR) 투과방법은 웨이퍼에 구멍을 뚫지 않고 배열할 수 있는 방법이다.
본 발명에 의한 3차원 이미지 센서의 분리형 단위화소의 제조 방법은 CMOS 공정에만 국한되는 것이 아니라 다른 반도체 공정에서도 사용할 수 있다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 포토다이오드만으로 상판 웨이퍼를 제조하고 나머지 화소영역을 하판 웨이퍼로 제조함으로써 제조공정을 단순화할 수 있으며, 상판 웨이퍼에 트랜지스터(TR)가 없기 때문에 하판 웨이퍼에 있는 트랜지스터(TR)는 빛과의 상호작용에 영향이 없으며, 상판 웨이퍼에 트랜지스터가 없기 때문에 원가절감의 효과도 있다.
또한, 포토다이오드의 면적을 화소의 면적과 거의 동일한 크기로 제작함으로 인해 마이크로렌즈 없이도 초소형 화소에서도 좋은 감도를 갖는 화상센서를 제작할 수 있게 했으며, 포토다이오드가 최상층에 위치되도록 제작함으로 인해 자동초점이나 확대 기능에서 기본적으로 센서가 감내해 내야하는 입사광의 입사각의 여분을 확보할 수 있는 장점이 있다.

Claims (12)

  1. 복수 개의 포토다이오드들 및 상기 복수 개의 포토다이오드들에서 생성된 광전하들이 출력되는 복수 개의 제1패드들을 구비하는 제1웨이퍼; 및
    상기 복수 개의 제1패드들과 1대 1로 대응되는 제2패드들 및 상기 제2패드들로부터 수신한 해당 포토다이오드들에서 생성된 광전하들에 대응되는 각각의 변환전압들을 출력하는 이미지신호처리부를 구비하는 제2웨이퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1웨이퍼는 하부에 제1투명 버퍼층을 더 구비하며,
    상기 제1패드들은 상기 제1웨이퍼의 상부에 상기 제1투명 버퍼층을 하부에 설치되어 있고, 상기 제2패드들은 상기 제2웨이퍼의 상부에 설치된 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이미지신호처리부는,
    전송트랜지스터, 리셋트랜지스터 및 소스 팔로워 트랜지스터를 구비하거나 전송트랜지스터, 리셋트랜지스터, 소스 팔로워 트랜지스터 및 차단 스위치용 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이미지신호처리부는,
    상관중첩샘플링(CDS)회로, 아날로그 신호처리회로, 디지털 제어회로 및 이미지신호처리용 디지털 회로 중 적어도 하나를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
  5. 복수 개의 포토다이오드들 및 상기 복수 개의 포토다이오드들에서 생성된 광전하들이 출력되는 복수 개의 제1패드들을 구비하는 제1웨이퍼; 및
    상기 복수 개의 제1패드들과 1대 1 대응되는 제2패드들 및 상기 제2패드들을 통해 수신한 해당 포토다이오들에서 생성된 광전하들에 대응되는 변환전압을 출력하는 이미지신호처리부를 구비하는 제2웨이퍼를 구비하며,
    상기 제1패드들은 상기 제1웨이퍼의 상부에 설치되고, 상기 제2패드들은 상기 제2웨이퍼의 상부에 설치되며,
    상기 제1패드들과 상기 제2패드들을 결합물질을 이용하여 서로 결합시킨 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1웨이퍼는,
    그 하부에 제1투명층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1웨이퍼의 하부 쪽에는,
    색상필터;
    마이크로 렌즈; 및
    상기 색상필터와 상기 마이크로 렌즈 사이에 배치된 제2투명 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  8. 제1웨이퍼에 복수 개의 포토다이오드들 및 상기 포토다이오드들에서 생성된 광전하들을 출력하는 복수 개의 제1패드들을 생성하는 단계; 및
    제2웨이퍼에 복수 개의 제2패드들 및 상기 제2패드들을 통해 수신한 광전하들에 대응되는 변화전압을 생성하는 이미지신호처리부를 생성하는 단계를 구비하며,
    상기 제1패드들 및 상기 제2패드들은 상기 제1웨이퍼 및 상기 제2웨이퍼의 상부에 각각 설치된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1웨이퍼의 하부에 제1투명 버퍼층을 생성시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1웨이퍼의 하부를 연마하여 제1웨이퍼의 두께를 얇게 하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1웨이퍼와 상기 제2웨이퍼를 결합물질로 접착하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1웨이퍼 쪽에 색상필터, 제2투명 버퍼층 및 마이크로 렌즈 중에 적어도 하나를 더 배치하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
KR1020050056036A 2005-06-28 2005-06-28 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 Expired - Lifetime KR100718878B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050056036A KR100718878B1 (ko) 2005-06-28 2005-06-28 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
JP2008519169A JP2008544571A (ja) 2005-06-28 2006-06-27 ３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法
EP06769059.4A EP1900031B1 (en) 2005-06-28 2006-06-27 Separation type unit pixel of 3-dimensional image sensor and manufacturing method thereof
US11/917,983 US8325221B2 (en) 2005-06-28 2006-06-27 Separation type unit pixel of 3-dimensional image sensor and manufacturing method thereof
CN2006800235744A CN101213669B (zh) 2005-06-28 2006-06-27 三维图像传感器的分离式单位像素及其制造方法
PCT/KR2006/002482 WO2007001146A1 (en) 2005-06-28 2006-06-27 Separation type unit pixel of 3-dimensional image sensor and manufacturing method thereof
US13/531,530 US8669132B2 (en) 2005-06-28 2012-06-23 Separation type unit pixel of 3-dimensional image sensor and manufacturing method thereof
JP2012287184A JP2013084980A (ja) 2005-06-28 2012-12-28 ３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050056036A KR100718878B1 (ko) 2005-06-28 2005-06-28 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070000578A KR20070000578A (ko) 2007-01-03
KR100718878B1 true KR100718878B1 (ko) 2007-05-17

Family

ID=37595358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050056036A Expired - Lifetime KR100718878B1 (ko) 2005-06-28 2005-06-28 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8325221B2 (ko)
EP (1) EP1900031B1 (ko)
JP (2) JP2008544571A (ko)
KR (1) KR100718878B1 (ko)
CN (1) CN101213669B (ko)
WO (1) WO2007001146A1 (ko)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100990559B1 (ko) 2008-07-29 2010-10-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997332B1 (ko) * 2008-07-29 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997299B1 (ko) 2007-09-07 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997329B1 (ko) * 2008-07-29 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997328B1 (ko) * 2007-12-27 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100999740B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002104B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-16 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002122B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-16 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002167B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-17 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101045716B1 (ko) * 2008-07-29 2011-06-30 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101049083B1 (ko) * 2009-04-10 2011-07-15 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소 및 그 제조방법

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008277512A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Fujifilm Corp 撮像素子及び光電変換素子アレイ
KR100895091B1 (ko) * 2007-04-30 2009-04-28 주식회사 바이오리쏘스 혼합 뽕잎분말 조성물 및 발효 조성물
JP2009065156A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサーの製造方法
KR100898473B1 (ko) * 2007-09-06 2009-05-21 주식회사 동부하이텍 이미지센서
JP2009065160A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサ及びその製造方法
KR100898472B1 (ko) * 2007-09-07 2009-05-21 주식회사 동부하이텍 이미지센서의 제조방법
KR100913019B1 (ko) * 2007-11-16 2009-08-20 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
KR101002121B1 (ko) 2007-12-27 2010-12-16 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
US20090179294A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Jeong-Yel Jang Image sensor and method for manufacturing the same
KR100922924B1 (ko) 2007-12-28 2009-10-22 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100882468B1 (ko) * 2007-12-28 2009-02-09 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100882469B1 (ko) * 2007-12-28 2009-02-09 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101038886B1 (ko) * 2008-11-06 2011-06-02 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101116574B1 (ko) * 2008-11-11 2012-02-28 주식회사 동부하이텍 이미지 센서의 제조 방법
JP5773379B2 (ja) * 2009-03-19 2015-09-02 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
US20110034149A1 (en) 2009-07-14 2011-02-10 Deutsche Telekom Ag Method for releasing a mobile communication card for the use of a service of a mobile communication network and user equipment for interaction with a mobile communication network
JP5501379B2 (ja) * 2009-12-26 2014-05-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
KR20110126891A (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 (주)실리콘화일 3차원 구조의 이미지센서 및 그 제조방법
KR20110134139A (ko) * 2010-06-08 2011-12-14 (주)실리콘화일 3차원 구조의 이미지센서의 제조방법
JP5517800B2 (ja) 2010-07-09 2014-06-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置用の部材および固体撮像装置の製造方法
FR2982079A1 (fr) * 2011-10-28 2013-05-03 Commissariat Energie Atomique Imageur cmos utbb
JP6044847B2 (ja) * 2012-02-03 2016-12-14 ソニー株式会社 半導体装置及び電子機器
US8629524B2 (en) 2012-04-27 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for vertically integrated backside illuminated image sensors
US9153565B2 (en) * 2012-06-01 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensors with a high fill-factor
US8957358B2 (en) 2012-04-27 2015-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same
US10090349B2 (en) 2012-08-09 2018-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same
KR101240537B1 (ko) * 2012-05-07 2013-03-11 (주)실리콘화일 이종접합 구조의 칩 적층 이미지센서 및 그 제조방법
KR101402750B1 (ko) * 2012-09-26 2014-06-11 (주)실리콘화일 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소
US8773562B1 (en) 2013-01-31 2014-07-08 Apple Inc. Vertically stacked image sensor
JP2015195235A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 ソニー株式会社 固体撮像素子、電子機器、および撮像方法
KR20250078611A (ko) * 2014-06-09 2025-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
US9729809B2 (en) * 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
CN105261623A (zh) * 2014-07-16 2016-01-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片、其制备方法、及包括其的图像传感器
US9570491B2 (en) * 2014-10-08 2017-02-14 Omnivision Technologies, Inc. Dual-mode image sensor with a signal-separating color filter array, and method for same
JP2018137284A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ、固体撮像装置及び電子装置
WO2019175733A1 (en) * 2018-03-14 2019-09-19 Insightness Ag Event-based vision sensor manufactured with 3d-ic technology
FR3090199B1 (fr) * 2018-12-18 2021-10-22 Aledia Dispositif optoélectronique pour l'acquisition d'images selon plusieurs points de vue et/ou l'affichage d'images selon plusieurs points de vue
US12185018B2 (en) 2019-06-28 2024-12-31 Apple Inc. Stacked electromagnetic radiation sensors for visible image sensing and infrared depth sensing, or for visible image sensing and infrared image sensing
JP7358300B2 (ja) * 2019-08-15 2023-10-10 株式会社ニコン 撮像素子
CN110676275A (zh) * 2019-10-16 2020-01-10 昆山锐芯微电子有限公司 图像传感器的像素结构及其形成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60178662A (ja) 1984-02-24 1985-09-12 Toshiba Corp 半導体装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3280187D1 (de) * 1982-03-31 1990-07-05 Ibm Deutschland Festkoerper-fernsehkamera.
JP3050646B2 (ja) * 1991-07-02 2000-06-12 シャープ株式会社 カラー固体撮像素子
JPH06232379A (ja) 1993-02-01 1994-08-19 Sharp Corp 固体撮像素子
US5619033A (en) * 1995-06-07 1997-04-08 Xerox Corporation Layered solid state photodiode sensor array
FR2754107B1 (fr) * 1996-10-01 1998-10-30 Commissariat Energie Atomique Detecteur de rayonnement photonique de grandes dimensions
NL1011381C2 (nl) * 1998-02-28 2000-02-15 Hyundai Electronics Ind Fotodiode voor een CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
US6486522B1 (en) * 1999-09-28 2002-11-26 Pictos Technologies, Inc. Light sensing system with high pixel fill factor
US6483116B1 (en) 2000-04-25 2002-11-19 Innovative Technology Licensing, Llc High performance ultraviolet imager for operation at room temperature
JP2002107534A (ja) * 2000-10-03 2002-04-10 Toppan Printing Co Ltd カラー撮像素子の製造方法
JP3759435B2 (ja) * 2001-07-11 2006-03-22 ソニー株式会社 Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
JP2003086827A (ja) * 2001-09-12 2003-03-20 Hamamatsu Photonics Kk ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器
WO2003041174A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Mitsumasa Koyanagi Solid-state image sensor and its production method
JP3722367B2 (ja) 2002-03-19 2005-11-30 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
US6642081B1 (en) 2002-04-11 2003-11-04 Robert Patti Interlocking conductor method for bonding wafers to produce stacked integrated circuits
FR2838565B1 (fr) * 2002-04-12 2004-06-25 Commissariat Energie Atomique Matrice de photodetecteurs, a pixels isoles et grille de stockage, hybridee sur un circuit de lecture
FR2838561B1 (fr) * 2002-04-12 2004-09-17 Commissariat Energie Atomique Matrice de photodectecteurs, a pixels isoles par des murs, hybridee sur un circuit de lecture
WO2003096427A1 (fr) * 2002-05-10 2003-11-20 Hamamatsu Photonics K.K. Reseau de photodiode d'irradiation de face arriere et procede de production d'un tel reseau
CN100407433C (zh) 2003-05-23 2008-07-30 浜松光子学株式会社 光检测装置
US6809008B1 (en) * 2003-08-28 2004-10-26 Motorola, Inc. Integrated photosensor for CMOS imagers
KR100782463B1 (ko) 2005-04-13 2007-12-05 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
US7999292B2 (en) * 2007-09-07 2011-08-16 Dongbu Hitek Co., Ltd. Image sensor and manufacturing method thereof
US7838325B2 (en) * 2009-02-13 2010-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to optimize substrate thickness for image sensor device
KR101049083B1 (ko) * 2009-04-10 2011-07-15 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60178662A (ja) 1984-02-24 1985-09-12 Toshiba Corp 半導体装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997299B1 (ko) 2007-09-07 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997328B1 (ko) * 2007-12-27 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100990559B1 (ko) 2008-07-29 2010-10-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997332B1 (ko) * 2008-07-29 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100997329B1 (ko) * 2008-07-29 2010-11-29 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100999740B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002104B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-16 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002122B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-16 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101002167B1 (ko) * 2008-07-29 2010-12-17 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101045716B1 (ko) * 2008-07-29 2011-06-30 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR101049083B1 (ko) * 2009-04-10 2011-07-15 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1900031A4 (en) 2012-01-11
JP2008544571A (ja) 2008-12-04
US20120264251A1 (en) 2012-10-18
US8325221B2 (en) 2012-12-04
US20100013907A1 (en) 2010-01-21
EP1900031A1 (en) 2008-03-19
WO2007001146A1 (en) 2007-01-04
US8669132B2 (en) 2014-03-11
CN101213669A (zh) 2008-07-02
EP1900031B1 (en) 2015-10-21
CN101213669B (zh) 2011-04-06
JP2013084980A (ja) 2013-05-09
KR20070000578A (ko) 2007-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100718878B1 (ko) 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
KR100782463B1 (ko) 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
KR102499585B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기
US9117728B2 (en) Solid-state imaging device, method of manufacturing same, and electronic apparatus
JPH11274443A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
TW201436186A (zh) 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
WO2004027875A1 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
CN112087585B (zh) Cmos图像传感器及其中以像素为单位执行的自动曝光方法
US20100225792A1 (en) Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device and electronic apparatus
JP2018046145A (ja) 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法
JP4967291B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR100718879B1 (ko) 2-트랜지스터 구조를 갖는 이미지 센서의 단위화소
US12261182B2 (en) Image sensing device
JP2007081015A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
KR20220098500A (ko) 이미지 센서
KR20060020852A (ko) 시모스 이미지센서 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20050628

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20061027

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20070223

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20070510

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20070511

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100609

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110502

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120507

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130506

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130506

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140512

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140512

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150430

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160321

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160321

Start annual number: 10

End annual number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170425

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170425

Start annual number: 11

End annual number: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180425

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180425

Start annual number: 12

End annual number: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190422

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190422

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200424

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220426

Start annual number: 16

End annual number: 16

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230425

Start annual number: 17

End annual number: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240425

Start annual number: 18

End annual number: 18