KR100718101B1

KR100718101B1 - 나노 금속 입자를 이용한 전계 발광 소자

Info

Publication number: KR100718101B1
Application number: KR1020030075800A
Authority: KR
Inventors: 손병희; 김경곤; 진정일; 부용순
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2003-10-29
Filing date: 2003-10-29
Publication date: 2007-05-14
Anticipated expiration: 2023-10-29
Also published as: US7482067B2; JP4657679B2; CN100442570C; JP2005135920A; KR20050040958A; CN1612661A; US20050276993A1

Abstract

본 발명은 한 쌍의 전극 사이에 발광층을 포함하는 전계 발광 소자에 있어서, 상기 발광층이, 그 표면에 유기층이 형성된 나노 금속 입자와 발광 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 유기층이 표면에 형성된 나노사이즈의 금속 입자를 이용하여 최대 흡수 또는 발광값의 변화없이 엑시머 준위에서 생성된 흡수영역을 선택적으로 제거하여, 색순도 및 발광 효율이 개선된 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.

Description

나노 금속 입자를 이용한 전계 발광 소자{Electroluminescent device using nano-sized metal particle}

도 1은 본 발명의 전계 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고,

도 2는 본 발명의 제조예 1에 따라 제조된 원형의 도데실아민-Au 나노입자(DA-Au NP)의 투과전자현미경 사진을 나타낸 것이고,

도 3a-b는 본 발명의 제조예 2에 따라 제조된 DA-Au NP가 도핑된 PF의 PL 특성 및 EL 특성을 각각 나타낸 도면이고,

도 4a-b는 본 발명의 제조예 2에 따라 제조된 DA-Au NP가 도핑된 SP의 PL 특성 및 EL 특성을 각각 나타낸 도면이고,

도 5a-b는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 EL 소자의 전류밀도-전계 그래프이고,

도 6a-b는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 EL 소자의 광세기-전계 그래프이고,

도 7a-b는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 EL 소자의 전류밀도-효율 그래프이다.

<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명>

1… 애노드 2… 발광층

3… 캐소드

본 발명은 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 나노 금속 입자를 이용하여 색순도가 개선된 전계 발광 소자에 관한 것이다.

유기 전계 발광 소자는 일반적으로 캐소드, 유기 발광층 및 애노드를 구비하고 있고, 상기 유기 발광층에서는 캐소드와 애노드에서 들어온 전자와 홀이 만나 엑시톤을 형성하게 되고, 엑시톤이 기저상태로 떨어질 때 발광이 일어나게 된다.

이스트만 코닥사(Eastman Kodak Co.)에서는 알루미늄 퀴놀리놀 착화합물층(Aluminum Quinolinol Complex Layer)과 트리페닐아민 유도체층(Triphenylamine Derivative Layer)을 이용한 다층 구조의 유기 전계 발광 소자를 개발하였고, 유기 발광층 형성시 저분자가 이용됨에 따라 자외선에서 적외선 영역에 이르기까지의 다양한 발광이 가능해졌다.

캠브리지 대학에서는 발광층으로서 공액 고분자(Conjugated Polymer)인 폴리페닐렌비닐렌(Polyphenylenevinylene: PPV)을 습식 코팅 공정에 의하여 제조된 PPV막을 이용한 유기 전계발광 소자를 개발하였다. (Nature, vol 347, 539, 1990) 이와 같은 캠브리지 대학의 발표 이후, 코비온사(Covion Co.)에서는 유기용매에 녹으면서 훌륭한 화학적 안정성과 발광효율을 갖는 신규 PPV형 고분자를 개발하였고, 다우 케미칼사(Dow Chemical Co.)에서는 발광층 형성 재료로서 PPV형 고분자보다도 성능이 우수한 폴리플루오렌계 (Poly(fluorene)) 화합물을 개발하였다. 특히 폴리플루오렌계 화합물은 청색 발광 고분자로서 많은 기대를 받았지만, 폴리플루오렌 구조의 측쇄에서 기인된 엑시머때문에 색순도 특성이 만족할 만한 수준이 이르지 못해 개선의 여지가 있었다. (미국 특허 US 5,900,327). 폴리플루오렌의 색순도 특성을 개선하기 위하여 폴리스피로플루오렌(Poly(spirofluorenes)(미국 특허 US 5,621,131), 스피로비플루오렌(Spirobifluorene) 또는 헤테로원자를 포함하는 스피로플루오렌 (미국 특허 US 5,763,636, 5,859,211) 구조를 갖는 발광 재료가 개발되었다. 그러나, 현재까지 개발된 발광 재료들을 이용하여 유기 전계 발광 소자를 제조하는 경우, 특히 청색 영역의 효율, 색순도 등의 특성이 만족할 만한 수준이 아니라서 개선의 여지가 있다.

한편, 유기 전계 발광 소자의 유기 발광층은 유기 발광 고분자를 포함하는데, 이러한 유기 발광 고분자는 광발광(PL)과 전계 발광(EL)이 상이한 현상을 보여준다. 이를 부연설명하면, 전하가 각 전극으로부터 주입되고 반대 전극을 향해 이동중에 엑시톤을 형성할 때 일중항 엑시톤보다 낮은 에너지 준위에서 엑시머 준위가 형성된다. 이와 같이 엑시머 준위가 형성되면 에너지가 구속되어 에너지 전이를 방해하게 되어 발광 효율 및 색순도가 저하되게 된다.

이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결하기 위하여 엑시머 준위에 의하여 생성되는 발광 영역의 빛을 제거하여 색순도 및 발광 효율 특성이 개선된 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.

상기 첫번째 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, 한 쌍의 전극 사이에 발광층을 포함하는 전계 발광 소자에 있어서,

상기 발광층이,

그 표면에 유기층이 형성된 나노 금속 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자를 제공한다.

이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 한다.

본 발명의 전계 발광 소자는 발광층 형성시 그 표면에 유기층이 형성된 나노 사이즈의 금속 입자를 이용하여 엑시머 준위에 의하여 생성되는 발광 영역의 빛을 선택적으로 제거하여 색순도 및 발광 효율이 향상된다.

상기 나노 금속 입자의 사이즈는 매우 중요한데, 그 이유는 그 금속 입자의 크기에 따라 흡수 영역이 달라지기 때문이다. 본 발명에서 금속 입자의 평균 입경은 0.1 내지 50 nm인 것이 바람직하다. 만약 금속 입자의 평균 입경이 0.1 nm 미만이면, 성능향상 기여 효과가 감소하고, 50nm를 초과하면 색도개선 등 발광성능 향상 효과가 감소하며, 특히, 박막 형성 능력이 현저히 감소하여 바람직하지 못하다.

상기 나노 금속 입자는 입자가 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 인듐안티몬(InSb), 금(Au), 은(Ag) 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 나노 금속 입자의 표면을 둘러싼 유기층은 금속 나노 입자가 유기용매에 용해될 수 있게 하여 분산을 균일하게 해주며, 뭉침현상을 방지하게 해주는 기능을 한다. 또한, 이 유기층이 에너지 전이를 도와 주어 특정 파장의 제거 효과가 더 효과적으로 일어난다고 볼 수 있다.

상기 유기층은 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬아민, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬티올, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬에스테르, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬아미드, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬아민, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬티올, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬알콜, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬에스테르, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 물질을 포함한다.

상기 유기층이 유전물질을 함유하는 경우에는 유전층 역할을 할 수 있다.

상기 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬아민의 예로는 2-에틸헥실아민, 3,7-디메틸옥틸아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 도데실아민, 옥타데실아민이 있고, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬티올의 예로는 2-에틸헥실티올, 3,7-디메틸옥틸티올, 헥실티올, 헵틸티올, 옥틸티올, 도데실티올, 옥타데실티올이 있고, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬에스테르의 예로는 2-에틸헥실에스테르, 3,7-디메틸옥틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 도데실에스테르, 옥타데실에스테르가 있고, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬아미드의 예로는 2-에틸헥실아미드, 3,7-디메틸옥틸아미드, 헥실아미드, 헵틸아미드, 옥틸아미드, 도데실아미드, 옥타데실아미드가 있고,, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬아민의 예로는 4-메틸시클로헥실아민, 4-(3',7')-디메틸옥틸시클로헥실아민, 4-헥실시클로 헥실아민, 4-헵틸시클로헥실아민, 4-옥틸시클로헥실아민, 4-도데실시클로헥실아민, 4-옥타데실시클로헥실아민이 있고, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬티올의 예로는 4-메틸시클로헥실티올, 4-(3',7')-디메틸옥틸시클로헥실티올, 4-헥실시클로헥실티올, 4-헵틸시클로헥실티올, 4-옥틸시클로헥실티올, 4-도데실시클로헥실티올, 4-옥타데실시클로헥실티올이 있고, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬알콜의 예로는 4-메틸시클로헥실알콜, 4-(3',7')-디메틸옥틸시클로헥실알콜, 4-헥실시클로헥실알콜, 4-헵틸시클로헥실알콜, 4-옥틸시클로헥실알콜, 4-도데실시클로헥실알콜, 4-옥타데실시클로헥실알콜이 있고, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬에스테르의 예로는 4-메틸시클로헥실에스테르, 4-(3',7')-디메틸옥틸시클로헥실에스테르, 4-헥실시클로헥실에스테르, 4-헵틸시클로헥실에스테르, 4-옥틸시클로헥실에스테르, 4-도데실시클로헥실에스테르, 4-옥타데실시클로헥실에스테르가 있고, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬아미드의 예로는 4-메틸시클로헥실아미드, 4-(3',7')-디메틸옥틸시클로헥실아미드, 4-헥실시클로헥실아미드, 4-헵틸시클로헥실아미드, 4-옥틸시클로헥실아미드, 4-도데실시클로헥실아미드, 4-옥타데실시클로헥실아미드가 있다. 상기 유기층은 특히 도데실 아민, 도데실 티올, 도데실아미드 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 유기층의 두께는 0.1 내지 20nm인 것이 바람직하다.

본 발명의 발광층은 발광 물질과 나노 금속 입자를 포함한다. 여기에서 나노 금속 입자의 함량은 발광층 형성용 발광 물질 전체 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 10 중량부이다. 만약 나노 금속 입자의 함량이 0.01 중량부 미만이면, 색순도 개선효과가 미약하게 나타나고, 10 중량부를 초과하면 효율이 급격히 감소하여 바람직하지 못하다.

상기 발광 물질로는 전계 발광 소자에서 통상적으로 사용가능한 적색 발광 물질, 녹색 발광 물질 및 청색 발광 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용한다. 본 발명에서는 특히 청색 영역의 색순도 특성을 개선하기 위하여 상기 발광 물질로서 청색 발광 물질을 사용한다.

상기 청색 발광 물질로는 청색 발광 고분자와 청색 발광 저분자로 구분할 수 있다. 상기 청색 발광 고분자로는 플루오렌계 고분자, 스피로플루오렌계 고분자 등을 들 수 있다. 그리고 상기 청색 발광 저분자로는 디카바졸 스틸벤(DCS)(일명, "비스[카바졸-(9)]-스틸벤"이라고도 함)과 같은 카바졸계 저분자, 4,4'-비스(2,2'-디페닐에텐-1-일)비페닐{4,4'-Bis(2,2'-diphenylethen-1-yl)biphenyl}(DPBVi) N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N-비스(페닐)벤지딘{N,N'-Bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine}(α-NPD) 등을 사용할 수도 있다.

상기 적색 발광 물질중 적색 발광 고분자로는 폴리(1,4-페닐렌비닐렌) 유도체를 사용한다. 상기 폴리(1,4-페닐렌비닐렌) 유도체의 구체적인 예로는 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌](MEH-PPV), 폴리[2,5-비스(2'-에틸헥실)-1,4-페닐렌비닐렌](BEH-PPV), 폴리[2,5-헥실옥시 p-페닐렌 시아노비닐렌](CN-PPV) 등을 들 수 있다.

상기 녹색 발광 저분자 및 적색 발광 저분자는 유기 전계 발광 소자에서 통상적으로 사용되는 것이라면 모두 다 사용가능하다. 녹색 발광 저분자의 예로는 10-(2-벤조티아졸릴)-2,3,6,7-테트라하이드로-1,1,7,7-테트라메틸-1H,5H,11H-[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진(C545T), 트리(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3) 또는 트리스(2-(2-피리딜페닐-C,N))이리듐(II)(Ir)ppy이 있다. 그리고 상기 적색 발광 저분자의 예로는 나일 레드(Nile Red), 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(줄로리딘-4-일-비닐)-4H-피란(DCM2), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸,21H,23H-포르핀 플라티늄(II)(PEOEP), 4-(디사이노메틸렌)-2-터트부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딜-9-에닐)-4H-피란 등이 있다.

이하, 나노 금 입자의 표면이 도데실아민으로 된 유기층을 갖는 나노 금 입자가 도핑된 발광물질의 제조방법에 대해 상세하게 설명한다. 그러나, 하기 설명들은 상기 본 발명의 나노 금속 입자가 도핑된 발광물질의 예임을 밝혀두며, 후술하는 경우로만 한정되는 것은 아니다.

먼저, 수소화 사염화금 수화물(HAuCl₄.3H₂O, Hydrogen tetrachloroaurate(III) trihydrate)과 같은 금 함유 염을 물에 용해한 다음, 여기에 상전이촉매를 유기용매에 용해한 것을 첨가하여 교반한다. 상기 유기용매로는 톨루엔, 클로로벤젠, 자일렌 등을 사용하며, 상기 상전이촉매로는 테트라옥틸암모늄브로마이드, 테트라헥실암모늄브로마이드 등을 사용한다.

상기 결과물에 도데실 아민과 같은 유기물질을 첨가 및 교반하고 이로부터 수소화된 아민과 음이온화된 금의 침전물착체( C1₂H₂₅NH₃+AuCl₄ ^-)로 얻을 수 있으며, 다시 나트륨 수소화붕산(NaBH4) 수용액을 넣어 교반하면 환원되어, 침전물 형태로 도데 실아민으로 된 유기층이 표면에 형성된 나노 금 입자를 얻을 수 있다. 여기에서 유기물질의 함량은 상기 금 함유 염 1몰을 기준으로 하여 1 내지 100몰을 사용한다.

그 후, 상기 나노 금 입자와 발광 물질을 블랜딩하여 나노 금 입자가 도핑된 발광 물질을 얻는다. 상기 발광물질로서, 플루오렌계 고분자와 스피로플루오렌계 고분자를 사용한다. 여기에서 나노 금 입자의 함량은 발광 물질 전체 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 10 중량부인 것이 바람직하다.

상술한 나노 금속 입자가 도핑된 발광물질을 이용하여 도 1과 같은 적층 구조를 갖는 전계 발광 소자를 제조하는 방법을 살펴보면 다음과 같다.

먼저 기판 상부에 애노드 전극용 물질을 코팅하여 애노드를 형성한다. 여기에서 상기 기판으로는 통상적인 유기 EL 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유기기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고 애노드 형성용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석 (ITO), 산화인듐아연 (IZO), 산화주석 (SnO₂), 산화아연 (ZnO) 등을 사용한다.

상기 애노드 상부에, 전도성 버퍼층을 선택적으로 형성한다. 여기에서 상기 전도성 버퍼층의 형성 물질로는 PEDOT(Poly-2,3-ethylenedioxy thiophene) /PSS (Polystyrene sulphonate) 등을 이용한다.

상기 나노 금속 입자와 발광 물질을 클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 유기용매에 용해한 다음, 이를 상기 전도성 버퍼층 상부에 스핀코팅 및 열처리하여 발 광층을 형성한다. 상기 발광층 형성 방법은 발광층 재료에 따라 달라질 수 있고, 예를 들어 잉크젯법, 레이저 열전사법, 스탬핑법, 진공열 증착법 등이 사용된다.

상기 발광층 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공열 증착하여 캐소드를 형성함으로써 도 1에 도시된 유기 EL소자가 완성된다. 도 1에서 참조번호 1은 애노드를 나타내고, 2는 발광층을 나타내고, 3은 캐소드를 나타내며 애노드와 발광층 사이에 형성된 전도성 버퍼층은 도시되어 있지 않다.

상기 캐소드 형성용 금속으로는 리튬 (Li), 마그네슘 (Mg), 알루미늄 (Al), 알루미늄-리튬 (Al-Li), 칼슘 (Ca), 마그네슘-인듐 (Mg-In), 마그네슘-은 (Mg-Ag)등이 이용된다.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상술한 애노드, 전도성 버퍼층 및 캐소드 사이에 필요에 따라 홀주입층, 홀수송층, 전자수송층, 발광층, 홀블로킹층, 전자수송층, 전자주입층과 같은 1층 이상의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 제시한다. 하기의 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시되는 것 일 뿐, 본 발명이 하기하는 실시예에 한정되는

것은 아니다.

합성예 1. 폴리(9,9'-디옥틸-2,7-플루오렌) (PF)의 합성

1)9,9'-디옥틸-2,7-디브로모플루오렌 단량체의 합성

2,7-디브로모플루오렌 25g(77mmol)과 옥틸 브로마이드 36g(185mmol)을 톨루엔 100ml에 녹이고 테트라부틸암모늄 브로마이드 1.25g(3.85mmol)을 첨가한 다음, 여기에 수산화나트륨(NaOH) 31g(770mmol)을 물 50ml에 용해시킨 수산화나트륨 수용액을 첨가하여 1일동안 반응시켰다.

상기 반응이 종료된 후, 물:클로로포름(2:1)로 추출하였고, 수득된 유기층을 마그네슘설페이트(MgSO₄)로 미량의 수분을 제거한 후 농축시켰다. 노르말헥산을 전개액으로 사용하여 칼럼크로마트그라피법으로 분리한 후, 감압증류하여 잔량의 옥틸브로마이드를 제거하여 9,9'-디옥틸-2,7-디브로모플루오렌 40g(수율 : 95%)을 수득하였다. 9,9'-디옥틸-2,7-디브로모플루오렌의 구조는 ¹H-NMR을 통하여 확인하였다.

나) 폴리(9,9'-디옥틸-2,7-플루오렌)의 합성

플라스크 내부를 완전히 수회 진공화, 질소환류시켜 수분을 완전히 제거 한 다음, 상기 플라스크에 Ni(COD) 880mg(3.2mmol)과 바이피리딘(bipyridal) 500mg(3.2mmol)을 글로브박스(glove box)안에서 투입한 후, 다시 수회 플라스크 내 부를 진공화, 환류시켰다. 이어서 질소분위기 하에서 무수 디메틸포름아미드 10ml와 1,5-시클로옥타디엔 346mg(3.2mmol) 및 무수톨루엔 10ml를 첨가하였다. 80℃에서 30분간 교반시킨 후, 9,9'-디옥틸-2,7-디브로모플루오렌 1.03g(1.28ml)을 톨루엔 10ml에 희석하여 첨가하였고, 다시 30분간 교반 후, 브로모펜타플루오로벤젠 1ml를 첨가한 후, 16시간 동안 교반하였다. 반응 후, 염산:아세톤:메탄올=1:1:2용액에 붓고 12시간 이상 교반 하였고, 얻어진 침전물은 걸러 건조 시킨 후, 메탄올과 클로로포름을 사용하여 차례로 속슬렛(soxlet)을 실시하였다. 최종적으로 폴리(9,9-디옥틸-2,7-풀루오렌)을 450mg (수율:60%) 수득하였다.

합성예 2. 폴리[2,7-(2',3'6',7'-테트라(2-에틸헥실옥시)스피로디플루오렌)(SP)의 합성

가) 단량체 제조

1)화합물 (A)의 제조

2,7-디브로모-9-플루오레논 3.36g(10mmol)을 에테르 50ml에 녹인 용액에, 에테르 50ml에 녹인 2-브로모- 4,5-디(2-에틸헥실옥시) 화합물 (A) 8.45g(11mmol)을 첨가한 후, 하룻밤 환류교반시켰다.

반응이 완료된 후, 반응용액을 냉각하고 황색의 고체분말을 여과하여 에테르로 세 번 세정하였다. 그 후, 생성물을 암모늄 클로라이드에 부가하고 10시간 교반시킨 후, 침전생성물을 여과하고 물로 세번 세정하였다. 생성물은 에탄올로 재결정하여 황색고체의 화합물 (B)를 수득하였다.(수율 83%)

2) 화합물 (C)의 제조

상기 화합물 (B) 5.0g (5mmol)을 CH3COOH 15ml에 첨가하고 온후하게 환류시킨 후, 염산 0.5ml를 반응용액에 가하고 1시간 동안 환류시켰다.

반응종료 후, 반응액을 실온까지 냉각시키고 고체분말을 여과하고 물로 세 번 세정하였다. 생성물은 에탄올로 재결정하여 흰색분말의 화합물(C)을 수득하였다.(수율 75%)

나) 중합체

플라스크 내부를 완전히 수회 진공화, 질소환류시켜 수분을 완전히 제거한 다음, 상기 플라스크에 Ni(COD) 880mg(3.2mmol)과 바이피리딘(bipyridal) 500mg(3.2mmol)을 글로브박스(glove box)안에서 투입한 후, 다시 수회 플라스크 내부를 진공화, 환류시켰다. 이어서 질소분위기 하에서 무수 디메틸포름아미드 10ml와 1,5-시클로옥타디엔 346mg(3.2mmol) 및 무수톨루엔 10ml를 첨가하였다. 80℃에서 30분간 교반시킨 후, 상기 화합물(C) 2.62g 을 톨루엔 10ml에 희석하여 첨가하였고, 다시 30분간 교반 후, 브로모펜타플루오로벤젠 1ml를 첨가한 후, 16시간 동안 교반하였다. 반응 후, 염산:아세톤:메탄올=1:1:2용액에 붓고 12시간 이상 교반 하였고, 얻어진 침전물은 걸러 건조 시킨 후, 메탄올과 클로로포름을 사용하여 차례로 속슬럿(soxlet)을 실시하였다. 최종적으로 폴리[2,7-(2',3'6',7'-테트라(2-에틸헥실옥시)스피로디플루오렌)을 1.3g (수율:60%) 수득하였다.

제조예 1. 도데실아민이 씌어진 나노사이즈의 금입자(DA-Au NP) 제조

HAuCl₄.3H₂O 112mg(0.284mmol)을 증류수 25ml에 용해한 다음, 이를 빠르게 교반하면서 여기에 N(C₈H₁₇)₄Br 0.389g(0.71mmol, 2.5당량)을 25ml 톨루엔에 녹인 용액을 부가하여 첨가하였다. 상기 반응 혼합물에서 오렌지색이 없어질 때까지 계속 교반하였다. 반응 혼합물로부터 색깔이 모두 없어진 후, 이 반응 혼합물을 빠르게 교반하면서 여기에 도데실아민(C₁₂H₂₅NH₂) 0.574g(3.10mmol)의 톨루엔(25ml)용액을 부가하였다. 도데실 아민의 톨루엔 용액 부가후, 반응 혼합물속에는 어두운 베이지색의 침전물이 형성되며, 이 용액을 10분간 계속 교반하였다. 이어서 상기 반응 혼합물에 NaBH₄0.165g( 4.36mmol)을 25ml의 증류수에 용해한 용액을 첨가한 후, 대기조건 하에서 격렬히 교반하면서 12시간동안 실온 반응시켰다.

상기 반응이 끝난 후, 수용액층은 분리하여 버리고 나머지 톨루엔층은 5ml 정도의 량으로 감압증류하여 농축하였다. 이 농축된 톨루엔에 에탄올 350ml을 첨가하여 침전물을 생성시키며, 이 용액은 다시 12시간동안 영하 60^oC에서 방치하고, 생성된 어두운 보라색의 침전물을 0.65um의 나이론 필터종이로 여과한 다음 이 침전물을 과량의 에탄올로 세척하고, 진공 건조시켜 최종적으로 5.3 ㅁ 1.1 nm 크기 를 갖는 원형의 도데실아민-Au 나노입자(DA-Au NP)가 얻어졌다.

상기 과정에 따라 얻은 금 나노 입자의 TEM 사진은 도 2에 나타난 바와 같다.

도 2를 참조하여, 금 나노 입자의 평균 입경이 약 5.3nm라는 것을 알 수 있었다.

제조예 2. DA-Au NP와 고분자의 블렌딩

합성예 1 및 합성예 2에서 제조된 PF와 SP를 각각 제조예 1에서 제조된 DA-Au NP와 100:0, 99:1, 98:2, 96:4 혼합중량비로 각각 클로로벤젠에서 1시간동안 교반하여 블렌딩하였다.

상기 과정에 따라 DA-Au NP가 도핑된 PF 및 DA-Au NP가 도핑된 SP의 광학적 특성을 조사하였고, 그 결과는 도 3a-b 및 도 4a-b에 나타난 바와 같다.

도 3a-b는 상기 DA-Au NP가 도핑된 PF의 블렌딩별 UV 스펙트럼 및 PL 및 EL 스펙트럼을 나타낸 것이고, 도 4a-b는 상기 DA-Au NP가 도핑된 SP의 블렌딩별 UV 스펙트럼과 PL 및 EL 스펙트럼을 나타낸 것이다.

도 3a-b 및 도 4a-b를 참조해볼 때, DA-Au NP가 고분자 박막안에 함유되어도 스펙트럼에 있어서 피크값의 변화는 관찰되지 않았다. 그러나, 관측된 DA-Au NP의 흡수스펙트럼이 ~524nm로서, PF의 엑시머에서 발생되는 것으로 보이는 PL 스펙트럼에서의 장파장(ca. 490-600 nm) 부분과 겹치는 현상을 보이며, DA-Au-NP함량이 증가함에 따라 장파장 부분이 줄어드는 현상을 보여주고 있다. SP 고분자의 경우도, DA-Au-NP의 흡수스펙트럼과 겹치는 부분이 적어짐으로서 효과의 정도는 작아졌지만 마찬가지의 경향을 보여주었다. 이것은 발색단인 PF나 SP고분자에서 Au-NP로 에너지전이가 일어났음을 보여주는 것이다. 또한, 색도와 효율 저하를 일으키는 엑시머에서 유래되는 장파장의 에너지를 제거하는 효과를 보여준다고 볼 수 있다. 그러므로 에너지 전이를 통한 특정 파장부분의 제거 효과는 에너지 전이를 돕는 유기층이 싸여짐으로 더 효과적으로 일어난다고 볼 수 있다.

실시예 1: 전계발광소자의 제작 및 특성 평가

상기 제조예 2에서 제조된 다양한 함량으로 블렌딩된 고분자들을 이용하여 다음과 같이 전계발광소자를 제작하였다.

먼저 ITO(Indium-tin oxide)를 유리기판 위에 코팅한 투명전극 기판을 깨끗이 세정한 후, ITO를 감광성수지와 에쳔트(etchant)를 이용하여 원하는 모양으로 패터닝하고 다시 깨끗이 세정하였다. 그 위에 전도성 버퍼층으로 PEDOT:PSS를 30nm의 두께로 코팅한 후, 제조예 2에서 제조된 다양한 블렌딩의 고분자용액을 80nm의 두께로 스핀코팅한 후, 베이킹 처리하여 용매를 제거하여 고분자 박막을 형성하였다. 이어서, 상기 고분자 박막위에 진공증착기를 이용하여 Li:Al (0.2 wt% Li)를 증착하였다. 증착시 막두께 및 막 성장속도는 크리스탈센서(crystal sensor)를 이용하여 조절하였다. 이와 같이 제작된 EL 소자는 ITO/ PEDOT:PSS / DA-Au NP가 도핑 폴리머 / Li:Al (0.2 wt % Li)의 구조를 가지는 단층형 소자이다.

상기 소자의 EL 특성을 평가하여 그 결과를 하기 표 1과 표 2에 요약하여 나타냈다. 하기 표 1은 DA-Au NP 도핑 PF의 LED 특성을 나타낸 것이고, 하기 표 2는 DA-Au NP 도핑 SP의 LED 특성을 나타낸 것이다.

Au 함량 (중량부)	켜짐 전압(turn-on) (V/nm)	최대 광세기 ((W)	외부 양자효율 (%)
0	4.6	29	0.11
1	4.7	35	0.17
2	4.8	13	0.12
4	5	13	0.060

Au 함량 (중량부)	켜짐 전압(turn-on) (V/nm)	최대 광세기 ((W)	외부 양자효율(%)
0	3.7	66	0.11
1	3.7	127	0.20
2	3.8	105	0.21
4	4	102	0.16

상기 실시예 1에 따라 제조된 EL 소자의 전류-전계 관계, 전계-광세기 관계 및 전류밀도-효율 관계는 도 5a-b, 도 6a-b 및 도 7a-b에 각각 나타내었다.

도 5a-b, 도 6a-b 및 도 7a-b를 참조하여, 실제 EL 스펙트럼을 분석한 결과 효과는 PL에서보다 EL 소자에서 더 효과적이라는 것을 알 수 있었다 . PF의 경우는 함량이 작을 경우, 색좌표가 효율의 감소없이 (0.280, 0.362) 에서 (0.201, 0.180)로 y값이 현저히 낮아져 개선되어 색도값이 개선되는 현상을 보여주었다. 그 결과로 실제 EL 소자 특성은 다음처럼 개선되었다.

PF-Au(1 중량부)는 PF-Au(0 중량부)보다 광세기가 각각 35 μW와 29 μW로서 1.2배 증가하는 효과를 보여주었으며, 외부 양자 효율은 각각 0.17 %와 0.1 %로서 1.7배 증가하는 효과를 보여주었다. 그러나 DA-Au NP 함량이 많아지면 소자특성이 저하되는 현상을 보여 주었고, SP의 경우는 모든 특성이 향상되는 효과를 보여주었다.

본 발명은 유기층으로 싸여진 나노사이즈의 금속 입자를 이용하여 엑시머 준 위에서 생성된 피크를 제거하여 색순도 및 발광 효율이 개선된 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.

Claims

한 쌍의 전극 사이에 발광층을 포함하는 전계 발광 소자에 있어서,

상기 발광층이,

나노 금속 입자를 포함하며, 상기 나노 금속 입자의 표면에 유기층이 형성된 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제 1항에 있어서, 상기 발광층이 적색 발광 물질, 청색 발광 물질

및 녹색 발광 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 발광 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제1항에 있어서, 상기 나노 금속 입자의 함량은 발광층 형성용 발광 물질 전체 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 10 중량부인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제2항에 있어서, 상기 발광 물질이 플루오렌계 고분자, 스피로플루오렌계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제 1항에 있어서, 상기 유기층이 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬아민, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬티올, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬에스테르, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬아미드, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬아민, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬티올, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬알콜, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬에스테르, 치환 또는 비치환된 C1-C50의 알킬시클로알킬아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제 5항에 있어서, 상기 유기층이 도데실아민, 도데실티올, 도데실아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제 1항에 있어서, 상기 나노 금속 입자가 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 인듐안티몬(InSb), 금(Au), 은(Ag)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제 1항에 있어서, 상기 나노 금속 입자의 평균 입경이 0.1 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
제1항에 있어서, 상기 유기층의 두께가 0.1 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.