KR100709250B1

KR100709250B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100709250B1
Application number: KR1020040104165A
Authority: KR
Inventors: 최중혁; 노창석; 진영호
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2004-12-10
Filing date: 2004-12-10
Publication date: 2007-04-19
Anticipated expiration: 2024-12-10
Also published as: EP1670019B1; US7498745B2; EP1670019A2; EP1670019A3; DE602005012664D1; CN1787153A; US20060125399A1; JP4403137B2; KR20060065762A; CN100501901C; JP2006173113A

Abstract

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은, 레이저 식각 방법으로 투명전극 패턴을 형성할 때, 이 투명전극 패턴을 표시영역과 비표시영역의 경계부에 형성하는 것으로서, 제1 기판에 표시전극을 형성하는 표시전극 형성단계, 제2 기판에 상기 표시전극과 교차되는 어드레스전극과 격벽을 형성하는 어드레스전극/격벽 형성단계, 및 상기 제1 기판을 포함하는 제1 판 및 제2 기판을 포함하는 제2판을 정렬하여 서로 합착하는 합착단계를 포함하며, 상기 표시전극 형성단계는 투명전극 물질막을 가공하여 투명전극을 형성하는 단계와, 이 투명전극 상에 형성되는 금속 도전막을 가공하여 버스전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 투명전극 형성단계는, 상기 제1 기판에 투명전극 물질막을 형성하는 단계, 상기 표시영역에 투명전극 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 표시영역과 비표시영역의 경계부에 투명전극 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

플라즈마 디스플레이, ITO 막, 표시영역, 비표시영역, 투명전극 패턴, 단선 라인

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 {PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 일부를 개략적으로 도시한 부분 분해 사시도이다.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법의 순서도이다.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법에 의하여 제1 기판에 투명전극 패턴을 레이저 식각(laser ablation) 방법으로 형성하는 공정도이다.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법에서 제1 기판에 투명전극 패턴을 레이저 식각 방법으로 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 제1 기판의 평면도이다.

도 5는 도 4의 부분 상세도이다.

도 6은 레이저 식각 방법으로 표시영역과 비표시영역의 경계부에 형성되는 투명전극 패턴과 표시영역에 형성되는 투명전극 패턴의 상세도이다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표시영역의 투명전극 패턴을 표시영역과 비표시영역의 경계부에 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasm Display Panel, 이하 '패널'이라 한다)은 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 및 시야각과 같은 표시능력이 우수한 장점을 가진다.

이 패널은 각 방전셀에 구비되는 전극에 인가되는 구동 전압에 의하여 전극 사이의 방전셀 내에서 기체방전을 일으키고, 이때 발생되는 진공 자외선으로 형광체를 여기시키고, 형광체가 안정화되면서 발생되는 가시광으로 화상을 구현한다.

이 패널은 전면기판의 내표면에 표시전극을 구비하고, 배면기판에 어드레스전극을 구비하며, 두 기판 사이에 방전셀을 형성하는 격벽을 구비하고, 이 방전셀 내에 방전가스를 충전하여 형성된다.

이 표시전극은 유지전극과 주사전극의 쌍으로 형성되어 각 방전셀에서 배치되어 유지방전을 일으키고, 표시전극과 어드레스전극은 방전셀을 선택할 수 있도록 교차하는 상태로 배치된다.

상기 유지전극과 주사전극 각각은 방전셀 내에서 면방전을 일으키는 투명전극과 이 투명전극에 전압을 인가하는 버스전극으로 구성된다. 투명전극은 방전셀 내에서 발생되는 가시광의 투과율 즉, 개구율을 높이기 위하여 전면기판에 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성되고, 버스전극은 도전성이 우수한 금속으로 형성된다.

이 전면기판에 상기 투명전극을 형성하기 위하여, 포토 리소그래피(photo lithography) 방법 또는 레이저 식각(laser ablation) 방법이 적용될 수 있다. 이 포토 리소그래피 방법은 전면기판에 스퍼터링(spattering)으로 ITO 막을 형성한 후 이 ITO 막을 원하는 형상의 투명전극 패턴으로 가공하고, 이 투명전극 패턴 상에 금속 도전막을 형성한 후 이 금속 도전막을 원하는 형상의 버스전극으로 가공한다. 이 포토 리소그래피 방법은 포토 레지스트 도포, 패터닝, 및 에칭 공정을 반복적으로 수행하게 되어 공정수를 증가시키고 이로 인하여 공정시간을 증가시킨다. 상기 레이저 식각 방법은 포토 리소그래피 방법에 비하여 공정수를 감소시켜 공정 시간을 줄이며, ITO 막으로부터 패터닝된 투명전극 패턴 단부의 직진성을 향상시키는 이점을 가진다.

상기 투명전극은 패널의 일측을 형성하는 전면기판 내표면에 ITO 막을 도포하고, 상기의 레이저 식각 방법에 의하여 패널의 표시영역에서 투명전극 패턴을 가공한다.

그리고, 패널의 비표시영역에서는 기체방전이 일어나지 않으며 이로 인하여 버스전극 및 투명전극이 구비되지 않게 되고 또한 투명전극 패턴을 가공할 필요가 없다. 따라서 비표시영역에 도포된 ITO 막은 레이저 식각 방법으로 제거되며 이로 인하여 가공시간을 길게 한다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 그 목적은 레이저 식각 방법으로 투명전극 패턴을 형성할 때, 이 투명전극 패턴을 표 시영역과 비표시영역의 경계부에 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은, 제1 기판에 표시전극을 형성하는 표시전극 형성단계, 제2 기판에 상기 표시전극과 교차되는 어드레스전극과 격벽을 형성하는 어드레스전극/격벽 형성단계, 및 상기 제1 기판을 포함하는 제1판 및 제2 기판을 포함하는 제2판을 정렬하여 서로 합착하는 합착단계를 포함하며, 상기 표시전극 형성단계는 투명전극 물질막을 가공하여 투명전극을 형성하는 단계와, 이 투명전극 상에 형성되는 금속 도전막을 가공하여 버스전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 투명전극 형성단계는, 상기 제1 기판에 투명전극 물질막을 형성하는 단계, 상기 표시영역에 투명전극 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 표시영역과 비표시영역의 경계부에 투명전극 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

상기에서 경계부에 투명전극 패턴을 형성하는 단계는 상기 표시영역에 형성되는 투명전극 패턴과 동일한 패턴으로 형성하며, 이 투명전극 패턴의 단선 라인을 복수로 형성할 수 있다.

상기에서 투명전극 형성단계는 상기 제1 기판에 투명전극 물질막을 형성한 후, 비표시영역의 일측 투명전극 물질막을 레이저 식각하여 얼라인먼트 마크를 형성하는 단계를 포함한다.

상기 얼라인먼트 마크 형성단계는 상기 제1 기판의 상단부 및 하단부의 비표 시영역에 형성된 투명전극 물질막에 투명전극 패턴과 동일 패턴으로 얼라인먼트 마크를 형성하며, 또한, 상기 제1 기판의 상단부 비표시영역의 양측과 하단부 비표시영역의 양측에 투명전극 패턴과 동일 패턴의 얼라인먼트 마크를 쌍으로 형성할 수도 있다.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 투명전극 물질막을 패터닝하여 형성되는 투명전극과 이 투명전극 위에 금속 도전막을 패터닝하여 형성되는 버스전극을 포함하는 표시전극을 구비하는 제1 기판, 상기 표시전극과 교차하는 방향으로 형성되는 어드레스전극을 구비하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 개재되어 상호 합착되는 제1 기판과 제2 기판 사이에 방전셀을 형성하는 격벽을 포함하며, 상기 제1 기판은 표시영역과 비표시영역의 경계부에 투명전극 패턴을 구비한다.

상기에서 경계부에 구비되는 투명전극 패턴은 상기 표시영역에 형성되는 투명전극 패턴과 동일한 패턴으로 형성되며, 복수의 단선 라인으로 형성될 수 있다.

상기 비표시영역은 일측 투명전극 물질막을 레이저 식각하여 형성되는 얼라인먼트 마크를 포함한다.

상기 얼라인먼트 마크는 상기 제1 기판의 상단부 및 하단부의 비표시영역에 형성된 투명전극 물질막에 투명전극 패턴과 동일 패턴으로 형성되며, 또한 상기 제1 기판의 상단부 비표시영역의 양측과 하단부 비표시영역의 양측에 투명전극 패턴과 동일 패턴의 쌍으로 형성될 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세하게 설명하 면 다음과 같다.

이 도면을 참조하면, 패널은 제1 기판(1, 이하 '전면기판'이라 한다)의 내표면에 표시전극으로 작용하는 유지전극(3) 및 주사전극(5)을 형성하고, 제2 기판(7, 이하 '배면기판'이라 한다)의 내표면에 어드레스전극(9)을 형성하며, 이 두 기판(1, 7) 사이에 격벽(11)을 개재하여 형성된다. 상기 유지전극(3) 및 주사전극(5)은 쌍을 이루며, 상기 유지전극(3) 및 주사전극(5) 사이에는 패널 작동 시에 유지 방전이 일어난다. 이 유지전극(3) 및 주사전극(5)과 어드레스전극(9)은 전면기판(1) 및 배면기판(7)의 내표면에 각각 스트라이프 형상으로 형성되어 전면기판(1)을 포함하는 제1판(이하 '전면판'이라 한다)과 배면기판(7)을 포함하는 제2판(이하, '배면판'이라 한다)을 합착시, 서로 교차하는 자세를 유지한다. 이 전면기판(1)의 내표면에는 유지전극(3)과 주사전극(5)을 덮는 유전층(12)과 MgO 보호막(13)이 차례로 적층된다. 또한, 배면기판(7)에는 어드레스전극(9)을 덮는 유전층(15)의 표면에 격벽(11)이 형성되며, 이 격벽(11)에 의해 방전셀(17)이 구획 형성된다. 이 방전셀(17) 내에는 불활성 가스(일례로, 네온(Ne)과 제논(Xe)의 혼합 가스)가 충전된다. 또한, 각 방전셀(17)을 형성하는 격벽(11)의 내측면과 유전층(15)의 표면에는 형광체(19)가 도포된다. 상기 유지전극(3) 및 주사전극(5)은 방전셀(17) 내에서 면방전을 일으키는 투명전극(3a, 5a)과 이 투명전극(3a, 5a)에 전압을 인가하는 버스전극(3b, 5b)으로 구성된다. 이 패널은 유지전극(3)과 주사전극(5)을 돌출형 투명전극 (3a, 5a)으로 형성하고, 어드레스전극(9)을 스트라이프로 형성하고 있으나, 각 전극을 이러한 형상에 한정하지 않는다. 또한 방전셀(17)을 형성하는 격벽(11)은 스트라이프 형상에 한정되지 않고 격자형을 포함할 수도 있다.

상기 패널에서 전면기판(1)의 특징적인 구성은 이하의 패널 제조방법에서 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법의 순서도이고, 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법에 의하여 제1 기판에 투명전극 패턴을 레이저 식각(laser ablation) 방법으로 형성하는 공정도이다.

이 도면들을 참조하면, 패널 제조방법은 크게 전면기판(1)에 표시전극 즉, 유지전극(3)과 주사전극(5)을 형성하고(ST100), 배면기판(7)에 어드레스전극(9)과 격벽(11)을 형성한(ST200) 후, 이렇게 전면기판(1)을 포함하여 형성되는 전면판과 배면기판(7)을 포함하여 형성되는 배면판을 서로 합착하여 패널을 완성하는(ST300) 단계를 포함한다.

상기 표시전극 형성단계(ST100)는 글라스로 형성되는 전면기판(1)의 내표면에 유지전극(3)과 주사전극(5)을 평행하게 쌍으로 형성하고 이 유지전극(3)과 주사전극(5) 쌍을 복수로 형성하며, 이 유지전극(3)과 주사전극(5) 쌍들 위에 유전층(12)과 MgO 보호막(13)을 적층하여 전면판을 완성한다.

이 표시전극을 형성하는 단계(ST100) 즉, 유지전극(3)과 주사전극(5)을 형성하는 단계는 투명전극(3a, 5a)을 형성하는 단계(도 3의 a 내지 c)와, 이 투명전극(3a, 5a) 상에 버스전극(3b, 5b)을 형성하는 단계(도 3의 d 내지 e)로 이루어진다. 이 투명전극(3a, 5a) 형성단계는 전면기판(1)의 내표면에 투명전극 물질막을 형성하고(도 3의 a) 이를 레이저 식각으로 투명전극 패턴으로 가공함으로서(도 3의 b 내지 c) 투명전극(3a, 5a)을 형성한다. 버스전극(3b, 5b) 형성단계는 상기 투명전극(3a, 5a) 상에 금속 도전막을 도포하고(도 3의 d) 이를 건조한 다음, 노광, 현상 공정을 거쳐(도 3의 e) 버스전극(3b, 5b)을 형성한다. 상기 투명전극 물질막은 ITO(Indium Tin Oxide, 이하 'ITO 막'이라 한다)로 형성될 수 있다.

또한, 투명전극(3a, 5a) 형성 단계는, ITO 막 형성 단계에 이어 상기와 같은 패널의 표시영역(D)에 제1 투명전극 패턴(P)을 형성하는 단계와, 패널의 표시영역(D)과 비표시영역(ND) 사이에 형성되는 경계부(bd₁, bd₂)에 제2 투명전극 패턴(P)을 형성하는 단계를 더 포함한다.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법에서 제1 기판에 투명전극 패턴을 레이저 식각 방법으로 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 제1 기판의 평면도이고, 도 5는 도 4의 부분 상세도이며, 도 6은 레이저 식각 방법으로 표시영역과 비표시영역의 경계부에 형성되는 투명전극 패턴과 표시영역에 형성되는 투명전극 패턴의 상세도이다.

상기 경계부(bd₁, bd₂)에 제2 투명전극 패턴(P)을 형성하는 단계는 도 3의 a 내지 c에 도시된 바와 같은 방법으로 도 4에 도시된 경계부(bd₁, bd₂)에 제2 투명전극 패턴(P)을 형성한다. 이 경계부(bd₁, bd₂)에 제2 투명전극 패턴(P)을 형성하는 단계는 상기 표시영역(D)에 형성되는 제1 투명전극 패턴(P)과 동일한 패턴(P)으로 형성한다. 이는 표시영역(D)에 제1 투명전극 패턴(P)을 형성하기 전, 후에 표시영역(D)의 양측 비표시영역(ND)에서 표시영역(D)에 형성된 제1 투명전극 패턴(P)과 동일한 투명전극 패턴(P)으로 ITO 막을 레이저 식각하므로 표시영역(D)과 비표시영역(ND)을 단선시키기 위하여 별도의 마스크를 사용할 필요가 없고 또한 단선 라인을 형성하는 공정시간을 단축시킬 수 있다.

이 경계부(bd₁, bd₂)에 형성되는 제2 투명전극 패턴(P)은 패널에서 표시영역(D)과 비표시영역(ND)을 구분하여 양측의 ITO 막을 단선시키는 것으로써, 이 단선 라인을 복수(도 4에는 2개 예시)로 형성하여 단선 효과를 더 증대시킬 수도 있다. 이 경계부(bd₁, bd₂)에 형성되는 단선 라인은 비표시영역(ND)에 도포된 ITO 막을 표시영역(D)의 투명전극(3a, 5a)과 단선시킴으로써 비표시영역(ND)의 나머지 부분에서 ITO 막을 그대로 남겨둠으로서 이 부분의 ITO 막을 제거하는 공정을 불필요하게 하여 투명전극 형성 단계에 소요되는 공정 시간을 더욱 단축시킬 수 있다.

한편, 상기와 같이 가공되어 경계부(bd₁, bd₂)에 형성되는 제2 투명전극 패턴(P)을 제외한 제1 투명전극 패턴(P), 즉 투명전극(3a, 5a)은 유지전압에 의하여 패널 내의 방전셀(17)에서 면방전을 일으키도록 이 투명전극(3a, 5a)에 전압을 인가하는 버스전극(3b, 5b)과 정렬되는 적층 구조를 형성한다.

이 버스전극(3b, 5b)은 투명전극(3a, 5a) 위에 형성한 금속 도전막에 버스전극(3b, 5b) 패턴을 갖는 포토레지스트 마스크(미도시)를 정렬시키고, 노광, 현상 공정을 거쳐 버스전극(3b, 5b) 패턴을 식각하여 형성한다.

이 때, 상기 포토레지스트 마스크의 정렬은 전면기판(1)에 구비되는 얼라인먼트 마크(23)를 기준으로 삼는다. 따라서 이 버스전극(3b, 5b) 형성용 얼라인먼트 마크(23)를 제1 투명전극 패턴(P)에 연관되게 하여, 버스전극(3b, 5b) 패턴과 제1 투명전극 패턴(P)이 정확히 정렬되게 하는 것이 바람직하다.

이를 위하여, 투명전극 형성 단계는 얼라인먼트 마크(23) 형성 단계를 포함할 수 있다. 즉, 버스전극(3b, 5b)을 가공하기 전에, 전면기판(1)에 투명전극(3a, 5a)을 레이저 식각으로 형성할 때, 패널의 비표시영역(ND)의 일측에 ITO 막을 레이저 식각하여 얼라인먼트 마크(23)를 형성하고, 이 얼라인먼트 마크(23)를 기준으로 후 공정에서 버스전극(3b, 5b)을 형성할 수 있게 한다.

이 얼라인먼트 마크(23) 형성 단계는 전면기판(1)의 상단부 및 하단부의 비표시영역(ND)에 형성된 ITO 막에 제2 투명전극 패턴(P)과 동일 패턴으로 얼라인먼트 마크(23)를 형성한다. 따라서, 얼라인먼트 마크(23)는 표시영역(D)에 형성되는 제1 투명전극 패턴(P)과도 동일 패턴으로 형성된다.

또한, 이 얼라인먼트 마크(23) 형성단계는 전면기판(1)의 상단부 비표시영역(ND)의 양측과 하단부 비표시영역(ND)의 양측에, 상기와 같은 제1 투명전극 패턴(P)의 얼라인먼트 마크(23)를 각각 쌍으로 형성할 수도 있다.

한편, 본 발명의 패널 제조방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 표시전극 형성단계를 포함한다.

이 표시전극 형성단계는 전면기판(1)에 ITO 막(25)을 형성하고, 이 ITO 막(25)을 레이저 식각하여 제1 투명전극 패턴(P)을 형성하고, 이에 버스전극(3b, 5b) 패턴을 정렬시켜 형성한다. ITO 막(25)은 다양한 방법으로 성막 가능하므로 이에 대한 구체적인 설명을 생략하고 이하에서는 이 ITO 막(25)을 레이저 식각하는 것에 대하여 구체적으로 설명한다.

상기 ITO 막(25)은 제1 투명전극 패턴(P)을 따르는 레이저 식각 방법에 의하여(도 4 내지 도 6 참조), 전면기판(1) 상에 돌출형 투명전극(3a, 5a)으로 가공된다(도 3의 b 및 c). 즉, 레이저 식각 방법은 전면기판(1)의 상측에서 1회 스캔 폭만큼 도면의 x축 양(陽)의 방향으로 진행한 후, 도면의 y축 방향으로 한 라인 이동하여 도면의 x축 음(陰)의 방향으로 1회 스캔 폭만큼 진행한 후, 다시 도면의 y축 방향으로 한 라인 이동하여 1회 스캔 폭만큼 도면의 x축 양의 방향으로 진행하는 과정을 반복하여, 1회 스캔 폭에 상응하는 제1 투명전극 패턴(P)을 y축 방향으로 형성한다. 이로 인하여 한 스캔 열(P)이 완성된다. 또한 이 레이저 식각 방법은 1회 스캔 폭에 상응하는 y축 방향의 제1 투명전극 패턴(P)을 형성한 후 1회 스캔 폭만큼 x축 방향으로 더 이동되어 상기와 같은 과정을 반복 실행하여 전면기판(1) 표시영역(D)의 ITO 막(25)에 투명전극 패턴(P) 형성을 완료한다. 이로 인하여 복수의 스캔 열(P, ..., P)이 완성된다.

즉, 제1 투명전극 패턴(P)은 x축 방향으로 스캔 폭을 가지면서, 이 1회 스캔 폭에 의하여 y축 방향으로 스캔 열(P, ..., P)을 형성하고, 이 스캔 열들에 의하여 완성된다. 도 4에는 y축 방향으로 4개의 스캔 열을 도시하고 나머지는 생략하고 있다. 이 스캔 폭은 도 6에 도시된 바와 같이 레이저 마스크(LM)의 연속으로 이루어진다.

이와 같이 ITO 막(25)을 제1 투명전극 패턴(P)으로 식각할 때, 제1 투명전극 패턴(P)이 형성되는 않는 부분 즉, 경계부에 제2 투명전극 패턴을 식각하고, 비표시영역(ND)에 얼라인먼트 마크(23)를 음각으로 식각한다. 이 얼라인먼트 마크(23) 형성단계는 그 위치에 따라 제1 투명전극 패턴(P)을 식각하기 전에 또는 후에 진행될 수도 있다. 즉, 이 얼라인먼트 마크 형성단계는 투명전극(3b, 5b)을 형성하는 제1 투명전극 패턴(P) 식각 단계와 같이 진행되므로 버스전극 형성용 얼라인먼트 마크(23)와 투명전극 패턴(P)을 상호 연관시킨다.

이 얼라인먼트 마크(23) 형성단계는 다양하게 진행될 수 있다. 즉, 얼라인먼트 마크 형성단계는 제1 투명전극 패턴(P)을 상기와 같이 전면기판(1) 상에서 한 열(P, ...,P)씩 반복적으로 이어 스캔 패터닝 하는 경우, 얼라인먼트 마크(23)를 첫 번째 스캔열(Ps)과 마지막 스캔열(Pf)에 각각 형성하는 것이 바람직하다. 레이저 식각으로 제1 투명전극 패턴(P)을 형성하는 경우, 레이저 헤드(LH)의 기구적인 정확도와 직진도에 따라 투명전극 패턴(P)의 정확도와 직진도 등이 영향을 받는다. 그리고 레이저 식각으로 형성되는 얼라인먼트 마크(23)도 마찬가지로 영향을 받는다. 따라서 상기 얼라인먼트 마크(23)를 첫 번째 스캔열(Ps)과 마지막 스캔열(Pf)에 각각 형성하여 버스전극 패턴의 정렬에 효과적으로 활용할 수 있다.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 얼라인먼트 마크(23)는 하나의 스캔열 시작지점과 끝지점에서 각각 형성될 수 있으며, 도 4에는 첫 번째 스캔열(Ps)과 마지막 스캔열(Pf)의 시작지점과 끝지점에 각각 형성된 것이 예시되어 있다. 이 얼라인먼트 마크(23)는 전면기판(1)의 상단부 및 하단부 비표시영역(ND)의 ITO 막(25)에 형성되며, 더욱이 제1 투명전극 패턴(P)의 식각 부분과 동일 패턴(P)으로 형성되어 있다. 또한, 이 얼라인먼트 마크(23)는 전면기판(1)의 상단부 비표시영역(ND)의 양측과 하단부 비표시영역(ND)의 양측에 형성되며, 상기와 같이 투명전극 패턴(P)의 식각 부분과 동일 패턴의 쌍으로 형성되어 있다. 쌍으로 이루어지는 얼라인먼트 마크(23)는 하나로 이루어지는 것에 비하여 버스전극 마스크의 정렬을 보다 정확하게 한다.

또한, 얼라인먼트 마크(23)는 한 열(P)에 상응하는 제1 투명전극 패턴(P)의 1회 스캔(scan) 폭과 동일하게 형성되어, 제1 투명전극 패턴(P)의 레이저 식각 시와 같이 레이저 헤드(LH)를 x축 방향으로 이동 가능하게 하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 경계부(bd₁, bd₂)에 형성되는 제2 투명전극 패턴(P)은 패널의 표시영역(D)과 비표시영역(ND)의 경계부에 표시영역(D)의 제1 투명전극(3a, 5a)과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 다만 이 경계부(bd₁, bd₂)의 제2 투명전극 패턴(P)이 하나의 단선 라인을 형성하는 경우 이 패턴을 형성하는 레이저 헤드(LH)는 도 4에서 x 축 방향으로 진행되는 것이 바람직하다.

상기와 같이 얼라인먼트 마크(23)를 형성하면서 같이 형성된 제1 투명전극(3a, 5a) 위에 금속 도전막(27)을 형성한다(도 3의 d 참조). 이러한 금속 도전막(27)은 감광성 전극 페이스트를 소정의 두께로 코팅하거나 감광성 전극 테이프를 부착하여 형성할 수 있다. 이 금속 도전막(27)을 건조한 다음 노광, 식각을 거쳐 버스전극(3b, 5b)을 형성한다. 이때 금속 도전막(27)은 상기한 얼라인먼트 마크(23)를 기준으로 하여 버스전극(3b, 5b) 패턴을 갖는 마스크(미도시)를 정렬시키고 노광, 식각하여 버스전극(3b, 5b)을 형성한다(도 3의 e 참조).

상기와 같이 전면기판(1)에 투명전극(3a, 5b) 및 버스전극(3b, 5b)을 가지는 유지전극(3)과 주사전극(5)을 각각 형성한 후, 이 전극(3, 5)을 유전층(12)과 MgO보호막(13)으로 덮여 전면판을 완성한다.

또한, 배면기판(7)에 어드레스전극(9)을 형성한 후 유전층(15)을 형성하고, 이 유전층(15) 위에 격벽(11)을 형성한 후, 형광체층(17)을 형성하여 배면판을 완성한다.

이와 같이 제작한 전면판과 매변판을 합착하고, 그 내부의 방전 공간을 배기시켜 고진공으로 형성한 후 소정의 압력으로 방전가스를 봉입하여 패널을 완성한다.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명은 레이저 식각 방법으로 전면기판에 표시전극의 투명전극을 패터닝하고, 이 표시영역과 비표시영역의 경계부에 상기와 동일한 투명전극 패턴으로 ITO 막을 식각하여 표시영역과 비표시영역의 단선 라인을 형성하므로, 비표시영역의 나머지 부분에서는 ITO 막을 제거하지 않을 수 있게 하고, 또 단선 라인을 형성하기 위하여 별도의 마스크 교체 및 스테이지 이동 후 가공하는 등의 공정을 불필요하게 하므로 전면기판에 투명전극 패턴을 형성하는 공정 시 간을 단축시킬 수 있다.

Claims

제1 기판에 표시전극을 형성하는 표시전극 형성단계;

제2 기판에 상기 표시전극과 교차되는 어드레스전극과 격벽을 형성하는 어드레스전극/격벽 형성단계; 및

상기 제1 기판을 포함하는 제1판 및 제2 기판을 포함하는 제2판을 정렬하여 서로 합착하는 합착단계를 포함하며,

상기 표시전극 형성단계는 투명전극 물질막을 가공하여 투명전극을 형성하는 단계와, 이 투명전극 상에 형성되는 금속 도전막을 가공하여 버스전극을 형성하는 단계를 포함하고,

상기 투명전극 형성단계는,

상기 제1 기판에 투명전극 물질막을 형성하는 단계;

상기 제1 기판의 중심부에 위치하는 표시영역에 제1 투명전극 패턴을 형성하는 단계;

상기 표시영역과 상기 표시영역의 자장자리부에 위치하는 비표시영역의 경계부에, 상기 제1 투명전극 패턴과 동일한 제2 투명 전극 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 비표시영역에 상기 제1 투명전극 패턴과 동일한 패턴으로 얼라인먼트 마크를 형성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 경계부에 제2 투명전극 패턴을 형성하는 단계는,

상기 제1 투명전극 패턴의 단선 라인을 복수로 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
제 1 항에 있어서,

상기 투명전극 형성단계는,

상기 투명전극 물질막을 레이저 식각하여 상기 제1 투명 전극 패턴, 상기 제2 투명 전극 패턴 및 상기 얼라인먼트 마크를 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
제 1 항에 있어서,

상기 얼라인먼트 마크 형성단계는,

상기 제1 기판의 상단부 및 하단부의 비표시영역에 상기 얼라인먼트 마크를 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
제 5 항에 있어서,

상기 얼라인먼트 마크 형성단계는,

상기 제1 기판의 상단부 비표시영역의 양측과 하단부 비표시영역의 양측에 상기 얼라인먼트 마크를 쌍으로 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
투명전극 물질막을 패터닝하여 형성되는 투명전극과 이 투명전극 위에 금속 도전막을 패터닝하여 형성되는 버스전극을 포함하는 표시전극을 구비하는 제1 기판;

상기 표시전극과 교차하는 방향으로 형성되는 어드레스전극을 구비하는 제2 기판; 및

상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 개재되어 상호 합착되는 제1 기판과 제2 기판 사이에 방전셀을 형성하는 격벽을 포함하며,

상기 제1 기판은,

상기 제1 기판의 중심부에 위치하는 표시영역에 형성되는 제1 투명전극 패턴;

상기 표시영역과 상기 표시영역의 가장자리부에 위치하는 비표시영역의 경계부에 형성되는 제2 투명전극 패턴; 및

상기 비표시영역에 형성되는 얼라인먼트 마크를 포함하고,

상기 제2 투명전극 패턴과 상기 얼라인먼트 마크는 상기 제1 투명전극 패턴과 동일한 패턴으로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
삭제
제 7 에 있어서,

상기 경계부에 구비되는 제2 투명전극 패턴은 복수의 단선 라인으로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 7 항에 있어서,

상기 제1 투명전극 패턴, 상기 제2 투명전극 패턴 및 상기 얼라인먼트 마크는 상기 투명전극 물질막을 레이저 식각하여 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 7 항에 있어서,

상기 얼라인먼트 마크는,

상기 제1 기판의 상단부 및 하단부의 비표시영역에 형성된 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 11 항에 있어서,

상기 얼라인먼트 마크는,

상기 제1 기판의 상단부 비표시영역의 양측과 하단부 비표시영역의 양측에 각각 쌍으로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.