[go: up one dir, main page]

KR100696516B1 - Circuit element heat dissipation structure and plasma display module having same - Google Patents

Circuit element heat dissipation structure and plasma display module having same Download PDF

Info

Publication number
KR100696516B1
KR100696516B1 KR1020050035551A KR20050035551A KR100696516B1 KR 100696516 B1 KR100696516 B1 KR 100696516B1 KR 1020050035551 A KR1020050035551 A KR 1020050035551A KR 20050035551 A KR20050035551 A KR 20050035551A KR 100696516 B1 KR100696516 B1 KR 100696516B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat
conductive layer
circuit board
circuit
circuit element
Prior art date
Application number
KR1020050035551A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060112864A (en
Inventor
문춘호
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050035551A priority Critical patent/KR100696516B1/en
Publication of KR20060112864A publication Critical patent/KR20060112864A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100696516B1 publication Critical patent/KR100696516B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20509Multiple-component heat spreaders; Multi-component heat-conducting support plates; Multi-component non-closed heat-conducting structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20954Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for display panels
    • H05K7/20963Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20Constructional details
    • H01J2211/66Cooling arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은 회로소자 및 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 구비함으로써, 회로소자로부터 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 있는 회로소자 방열 구조 및 이를 구비한 플라즈마 디스플레이 모듈을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 회로기판과, 상기 회로기판에 배치되는 회로소자와, 전기 전도성이 아니면서 열 전도성인 물질로 이루어지고 상기 회로소자 및 상기 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 포함하는 회로소자 방열 구조 및 이를 구비한 플라즈마 디스플레이 모듈을 제공한다.An object of the present invention is to provide a circuit element heat dissipation structure capable of efficiently dissipating heat generated from a circuit element and a plasma display module having the same by providing a heat conductive layer formed to contact the circuit element and the circuit board. In order to achieve the object, the present invention includes a circuit board, a circuit element disposed on the circuit board, and a thermally conductive layer made of a material that is not electrically conductive and thermally conductive and formed to contact the circuit element and the circuit board. A circuit device heat dissipation structure and a plasma display module having the same are provided.

Description

회로소자 방열 구조 및 이를 구비한 플라즈마 디스플레이 모듈{Heat dissipating structure for circuit element and plasma display module comprising the same}Heat dissipating structure for circuit element and plasma display module comprising the same}

도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 장치에 사용되는 디스플레이 모듈의 일 예의 사시도이다.1 is a perspective view of an example of a display module used in a conventional plasma display device.

도 2는 도 1의 플라즈마 디스플레이 모듈의 회로기판 부분을 확대한 개략적인 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged schematic cross-sectional view of a circuit board part of the plasma display module of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로소자 방열 구조를 포함하는 플라즈마 디스플레이 모듈의 실시예의 개략적인 사시도이다.3 is a schematic perspective view of an embodiment of a plasma display module including a circuit element heat dissipation structure according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로소자 방열 구조가 구현된 회로기판 부분을 확대한 개략적인 사시도이다.4 is a schematic perspective view illustrating an enlarged portion of a circuit board on which a circuit device heat dissipation structure according to a first embodiment of the present invention is implemented.

도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 자른 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로소자 방열 구조가 구현된 회로기판 부분을 확대한 개략적인 사시도이다.6 is a schematic perspective view illustrating an enlarged portion of a circuit board on which a circuit device heat dissipation structure according to a second exemplary embodiment of the present invention is implemented.

도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 자른 단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 6.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

200: 플라즈마 디스플레이 모듈 210: 플라즈마 디스플레이 패널200: plasma display module 210: plasma display panel

211: 제1기판 212: 제2기판 211: first substrate 212: second substrate

220, 320: 회로기판 230, 330: 섀시220, 320: circuit boards 230, 330: chassis

240, 340: 열전도층 251, 351: 보스240, 340: heat conductive layers 251, 351: boss

252, 352: 볼트 260, 360: 회로소자252, 352: volts 260, 360: circuit elements

370: 보조 열전도층 380: 히트싱크370: auxiliary thermal conductive layer 380: heat sink

381: 방열핀381: heat sink fins

본 발명은 회로소자 방열 구조 및 이를 구비한 플라즈마 디스플레이 모듈에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 회로소자 및 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 구비함으로써, 회로소자로부터 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 있는 회로소자 방열 구조 및 이를 구비한 플라즈마 디스플레이 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a circuit element heat dissipation structure and a plasma display module having the same, and more particularly, a circuit capable of efficiently dissipating heat generated from a circuit element by having a heat conductive layer formed to contact the circuit element and the circuit board. The present invention relates to a device heat dissipation structure and a plasma display module having the same.

최근 들어, 종래의 음극선관 디스플레이 장치를 대체하는 것으로 주목받고 있는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP)은, 복수개의 전극이 형성된 두 기판 사이에 방전가스가 봉입된 후 방전전압이 가해지고, 이로 인하여 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체가 여기되어 원하는 화상을 얻는 장치이다.Recently, a plasma display panel (PDP), which is drawing attention as a replacement for a conventional cathode ray tube display device, is discharged after a discharge gas is filled between two substrates on which a plurality of electrodes are formed. The phosphor formed in a predetermined pattern is excited by the ultraviolet rays generated thereby to obtain a desired image.

도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 장치에 사용되는 디스플레이 모듈의 일 예의 사시도이다.1 is a perspective view of an example of a display module used in a conventional plasma display device.

도 1에 도시된 바와 같이, 통상적으로 플라즈마 디스플레이 모듈(100)은 플라즈마 디스플레이 패널(110)과, 플라즈마 디스플레이 패널(110)을 구동하는 회로들이 배치된 복수의 회로기판(120)과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널(110) 및 회로기판(120)을 지지하는 섀시(chassis)(130)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the plasma display module 100 typically includes a plasma display panel 110, a plurality of circuit boards 120 on which circuits driving the plasma display panel 110 are arranged, and the plasma display panel. And a chassis 130 for supporting the panel 110 and the circuit board 120.

도 2는 도 1의 플라즈마 디스플레이 모듈의 회로기판(120) 부분을 확대한 개략적인 단면도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating an enlarged portion of the circuit board 120 of the plasma display module of FIG. 1.

도 2에 도시된 바와 같이, 회로기판(120)은 보스(151) 및 스크류 볼트(152)에 의해 상기 섀시(130)와 소정의 거리를 두고 상기 섀시(130)에 장착되어 있으며, 회로소자(140)들은 상기 회로기판(120)에 장착되어 있다. As shown in FIG. 2, the circuit board 120 is mounted to the chassis 130 at a predetermined distance from the chassis 130 by the boss 151 and the screw bolt 152. 140 are mounted on the circuit board 120.

상기 회로소자(140)는 발열량이 큰 회로소자(141)와 발열량이 적은 회로소자(142)로 구성되는데, 통상적으로 발열량이 큰 회로소자(141)의 경우에는 방열핀이 형성된 히트싱크(160)가 접촉되어 설치된다.The circuit element 140 includes a circuit element 141 having a large amount of heat generated and a circuit element 142 having a small amount of heat generated. In the case of a circuit element 141 having a large amount of heat generated, a heat sink 160 having a heat radiation fin is formed. Is installed in contact.

상기 히트싱크(160)는 회로소자(141)의 일면에 접촉되어 설치되며, 그 하단은 고정다리(161)로 상기 회로기판(120)에 장착된다.The heat sink 160 is installed in contact with one surface of the circuit element 141, and a lower end thereof is mounted on the circuit board 120 by a fixed leg 161.

따라서, 회로소자(141)에서 발생된 열은 히트싱크(160)의 방열핀을 경유하여 대류 열전달에 의해 회로기판(120) 뒤편의 공기로 방출된다. Therefore, heat generated in the circuit element 141 is discharged to the air behind the circuit board 120 by convective heat transfer via the heat dissipation fin of the heat sink 160.

그러나, 이와 같은 종래의 회로소자 방열 구조에서는 회로소자(141)에서 발생된 열을 효율적으로 방출하지 못하는 문제점이 있었다. However, in the conventional circuit element heat dissipation structure, there is a problem in that heat generated from the circuit element 141 may not be efficiently released.

즉, 종래의 회로소자 방열 구조는, 회로소자(141)에서 발생된 열이 히트싱크(160)의 방열핀을 경유하여서만 방출되는데, 히트싱크(160)의 방열핀의 표면적의 확대는 한계가 있고, 방열핀에 접촉하는 공기의 유동은 한계가 있으므로, 회로소자(141)에서 발생된 열은 충분히 방출되지 못하고, 열이 집중되어 회로소자(141)가 과열되는 문제점이 있었다.That is, in the conventional circuit element heat dissipation structure, the heat generated from the circuit element 141 is discharged only through the heat dissipation fin of the heat sink 160, but the expansion of the surface area of the heat dissipation fin of the heat sink 160 is limited. Since the flow of air in contact with the heat radiating fins is limited, heat generated in the circuit element 141 may not be sufficiently discharged, and heat is concentrated to cause the circuit element 141 to overheat.

본 발명은 전술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 주된 목적은, 회로소자 및 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 구비함으로써, 회로소자로부터 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 있는 회로소자 방열 구조 및 이를 구비한 플라즈마 디스플레이 모듈을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and a main object of the present invention is to provide a heat conductive layer formed to contact a circuit element and a circuit board, thereby efficiently dissipating heat generated from the circuit element. It is to provide a circuit element heat dissipation structure and a plasma display module having the same.

위와 같은 목적을 포함하여 그 밖의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 회로기판과, 상기 회로기판에 배치되는 회로소자와, 전기 전도성이 아니면서 열 전도성인 물질로 이루어지고 상기 회로소자 및 상기 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 포함하는 회로소자 방열 구조를 제공한다.In order to achieve the above object and other objects, the present invention, the circuit board, the circuit element disposed on the circuit board, made of a non-electrically conductive and thermally conductive material and the circuit element and the circuit Provided is a circuit device heat dissipation structure including a heat conduction layer formed to contact a substrate.

또한, 상기와 같은 본 발명의 목적은, 화상을 구현하는 디스플레이 패널과, 상기 디스플레이 패널을 구동하는 회로기판과, 상기 디스플레이 패널 및 상기 회로기판을 지지하는 섀시와, 상기 회로기판에 배치되는 회로소자와, 전기 전도성이 아니면서 열 전도성인 물질로 이루어지고 상기 회로소자 및 상기 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 모듈을 제공함으로써 달성된다.In addition, the object of the present invention as described above, a display panel for implementing an image, a circuit board for driving the display panel, a chassis for supporting the display panel and the circuit board, and a circuit element disposed on the circuit board And a plasma display module comprising a thermally conductive layer formed of a material which is not electrically conductive and is thermally conductive and formed to contact the circuit device and the circuit board.

이하, 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로소자 방열 구조를 포함하는 플라즈마 디스플레이 모듈의 실시예의 개략적인 사시도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로소자 방열 구조가 구현된 회로기판 부분을 확대한 개략적인 사시도이며, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선을 따라 자른 단면도이다.3 is a schematic perspective view of an embodiment of a plasma display module including a circuit element heat dissipation structure according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit in which the circuit element heat dissipation structure according to the first embodiment of the present invention is implemented. An enlarged schematic perspective view of a substrate portion, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 4.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로소자 방열 구조를 포함하는 플라즈마 디스플레이 모듈(200)은 플라즈마 디스플레이 패널(210)과, 플라즈마 디스플레이 패널(210)을 구동하는 복수의 회로기판(220)과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널(210) 및 회로기판(220)을 지지하는 섀시(230)와, 열전도층(240)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 3, the plasma display module 200 including the circuit element heat dissipation structure according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of plasma display panels 210 and a plurality of plasma driving panels 210. And a circuit board 220, a chassis 230 supporting the plasma display panel 210 and the circuit board 220, and a thermal conductive layer 240.

플라즈마 디스플레이 패널(210)은 제1기판(211) 및 제2기판(212)으로 이루어지는데, 제1기판(211) 및 제2기판(212)은 소정의 간격을 두고 이격되어 있으며, 서로 마주보도록 배치된다. 그 중 상기 제1기판(211)은 투명한 유리로 이루어져 있어, 가시광선이 투과될 수 있도록 되어 있다. The plasma display panel 210 includes a first substrate 211 and a second substrate 212. The first substrate 211 and the second substrate 212 are spaced at a predetermined interval and face each other. Is placed. The first substrate 211 is made of transparent glass so that visible light can pass therethrough.

상기 회로기판(220)은 보스(251) 및 볼트(252)에 의해 섀시(230)와 소정의 거리를 두고 상기 섀시(230)에 장착되며, 회로소자(260)는 상기 회로기판(220)에 장착된다.The circuit board 220 is mounted to the chassis 230 at a predetermined distance from the chassis 230 by the boss 251 and the bolt 252, and the circuit element 260 is mounted on the circuit board 220. Is mounted.

상기 섀시(230)는 통상 알루미늄과 같은 금속으로 제작되며, 필요에 따라서 주조 또는 프레스가공 등에 의하여 제작된다. The chassis 230 is usually made of a metal such as aluminum, and manufactured by casting or press working, if necessary.

상기 회로소자(260)는 발열량이 큰 회로소자(261)와 발열량이 적은 회로소자(262)로 구성된다.The circuit element 260 includes a circuit element 261 having a large amount of heat generated and a circuit element 262 having a small amount of generated heat.

상기 회로기판(220)에 장착되는 발열량이 큰 회로소자(261)는 스위칭 소자일 수 있으며, 특히 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)나, 스위칭 소자, 소자 구동회로 등의 기능을 가지는 IPM(Intelligent Power Module)일 수 있으며, 발열량이 많은 다이오드(Diode)일 수 있다.The circuit element 261 having a large heat generation amount mounted on the circuit board 220 may be a switching element. In particular, an IPM having a function such as a field effect transistor (FET), a switching element, or an element driving circuit may be used. Intelligent Power Module), and may be a diode that generates a large amount of heat.

상기 열전도층(240)은 그 재질이 실리콘수지로 구성되며, 회로기판(220) 및 회로소자(260)에 접촉되어 구성된다. The heat conductive layer 240 is made of a silicone resin and is in contact with the circuit board 220 and the circuit element 260.

즉, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 열전도층(240)은 회로소자(260)를 에워싸며 형성되는 동시에 회로기판(220)의 전면(前面)부에 전체적으로 도포되어 형성되어 있다. That is, as shown in FIGS. 4 and 5, the thermal conductive layer 240 is formed to surround the circuit element 260 and is formed by being applied to the entire front surface of the circuit board 220.

즉, 열전도층(240)은 회로소자(260)의 외부 표면을 에워싸며 형성되기 때문에, 열전도층(240)이 회로소자(260)에 접촉하는 부분이 최대로 되고, 따라서, 열전도층(240)은 회로소자(260)가 발생하는 열을 최대로 전달받도록 구성된다.That is, since the thermal conductive layer 240 is formed surrounding the outer surface of the circuit element 260, the portion of the thermal conductive layer 240 in contact with the circuit element 260 is maximized, and thus, the thermal conductive layer 240 The circuit device 260 is configured to receive the maximum heat generated.

또한, 열전도층(240)은 회로기판(220)의 전면(前面)부에 전체적으로 도포되어 형성되기 때문에, 열전도층(240)은 회로소자(260)로부터 전달받은 열을 최대로 회로기판(220)으로 전달할 수 있는 구성을 가진다. In addition, since the heat conductive layer 240 is formed by being applied to the entire front surface of the circuit board 220 as a whole, the heat conductive layer 240 maximizes the heat transferred from the circuit element 260 to the circuit board 220. Has a configuration that can be passed to.

본 제1 실시예의 열전도층(240)은 발열량이 큰 회로소자(261)와 발열량이 적은 회로소자(262)이던 관계없이 회로기판(220)에 배치된 회로소자(260)이기만 하면 에워싸도록 구성되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 열전도층은 발열량이 큰 회로소자(261)에만 접촉하도록 형성할 수 있다.The thermal conductive layer 240 of the first embodiment is configured to be surrounded by only the circuit element 260 disposed on the circuit board 220 irrespective of the circuit element 261 and the circuit element 262 having a high heat generation amount. However, the present invention is not limited thereto. That is, the heat conductive layer of the present invention can be formed so as to contact only the circuit element 261 with a large amount of heat generated.

또한, 본 제1 실시예에서는 열전도층(240)이 회로기판(220)의 전면(前面)의 부분을 거의 전체적으로 덮고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 열전도층은 회로기판(220)과 가급적 많은 부분을 접촉하면 할수록 열전달 및 열확산에서 유리하나, 적어도 열전도층의 일부가 회로기판(220)에 접촉하여 설치되기만 하면 온도가 낮은 회로기판(220)으로의 열전도 및 열확산이 가능하므로, 본 발명은 열전도층이 회로기판(220)과 접촉하는 면적에 있어서 특별한 제한은 없다.In addition, in the first embodiment, the thermal conductive layer 240 almost covers the entire surface of the circuit board 220, but the present invention is not limited thereto. That is, the thermal conductive layer of the present invention is advantageous in heat transfer and heat diffusion as the portion of the thermal conductive layer contacts the circuit board 220 as much as possible. However, at least a portion of the thermal conductive layer is in contact with the circuit board 220 so that the temperature is low. Since heat conduction and heat diffusion to 220 are possible, the present invention is not particularly limited in the area where the heat conduction layer is in contact with the circuit board 220.

또한, 본 제1 실시예에서는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 열전도층(240)의 두께가 회로소자(260) 및 회로기판(220)에 걸쳐 거의 일정하도록 형성되고, 열전도층(240)이 형성되어도 외관상으로 열전도층(240)의 요철에 의해 회로소자(260)가 회로기판(220)에 배치된 위치를 알아볼 수 있을 정도의 두께로 형성되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 열전도층의 두께는 열전도 및 열확산이 가능하기만 하면, 그 두께에 특별한 제한이 없다. 즉, 본 발명의 열전도층은 회로소자 및 회로기판의 외형이 그대로 드러날 정도록 매우 얇은 층의 형태로 형성될 수 있으며, 회로소자가 회로기판에 배치된 위치가 보이지 않을 정도로 두꺼운 두께로 형성될 수도 있다. 또한, 본 발명의 열전도층의 두께는 열전도층이 감싸는 회로소자의 발열정도에 따라 각 회로소자에 따라 다르게 형성될 수도 있다.In addition, in the first embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the thickness of the thermal conductive layer 240 is formed to be substantially constant over the circuit element 260 and the circuit board 220, and the thermal conductive layer ( Although the 240 is formed, the thickness of the circuit element 260 is apparent to the extent that the circuit element 260 is disposed on the circuit board 220 due to the unevenness of the heat conductive layer 240, but the present invention is not limited thereto. That is, the thickness of the heat conductive layer of the present invention is not particularly limited as long as the heat conduction and heat diffusion are possible. That is, the thermal conductive layer of the present invention may be formed in the form of a very thin layer so that the external appearance of the circuit device and the circuit board is exposed as it is, and may be formed so thick that the location of the circuit device is not visible on the circuit board. have. In addition, the thickness of the thermal conductive layer of the present invention may be formed differently for each circuit element according to the degree of heat generation of the circuit element wrapped around the thermal conductive layer.

열전도층(240)은 전술한 바와 같이 실리콘수지로 형성되는데, 상기 회로기판(220) 및 회로소자(260)에 실리콘수지로 열전도층(240)을 형성하기 위해서는 점도가 높은 실리콘수지를 두텁게 도포하여 형성한 후 굳도록 형성할 수도 있고, 저압의 사출성형의 방법으로 형성할 수도 있다. The thermal conductive layer 240 is formed of a silicone resin as described above, in order to form the thermal conductive layer 240 of the silicone resin on the circuit board 220 and the circuit element 260 by applying a thick silicone resin thickly It may be formed so as to harden after forming, or may be formed by a low pressure injection molding method.

본 제1 실시예에서는 열전도층(240)의 재질이 실리콘수지로 이루어졌지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 열전도층은 아크릴수지, 폴리우레탄, 기타 신소재 등으로도 이루어질 수 있는데, 본 발명의 열전도층의 재질이 전기 전도성이 아니면서 열 전도성이 높은 물질로 이루어지기만 하면, 그 재질 선정에 특별한 제한은 없다.Although the material of the heat conductive layer 240 is made of silicon resin in the first embodiment, the present invention is not limited thereto. That is, the heat conductive layer of the present invention may be made of acrylic resin, polyurethane, other new materials, etc., but the material of the heat conductive layer of the present invention is not electrically conductive but is made of a material having high thermal conductivity. There is no special limitation.

이하, 본 제1 실시예에 따른 회로소자 방열 구조를 구비한 플라즈마 디스플레이 모듈이 작동되는 과정을 살펴본다.Hereinafter, a process of operating the plasma display module having the circuit device heat dissipation structure according to the first embodiment will be described.

사용자가 플라즈마 디스플레이 모듈(200)을 작동시키기게 되면, 회로기판(220)이 구동되어, 플라즈마 디스플레이 패널(210)로 전압이 인가되게 된다.When the user operates the plasma display module 200, the circuit board 220 is driven to apply a voltage to the plasma display panel 210.

플라즈마 디스플레이 패널(210)로 전압이 인가되면, 어드레스방전 및 유지방전이 일어나고, 유지방전 시에 여기된 방전가스의 에너지 준위가 낮아지면서 자외선이 방출된다. 상기 자외선은 방전셀 내에 도포된 형광체층의 형광체를 여기시키는데, 이 여기된 형광체의 에너지준위가 낮아지면서 가시광이 방출되며, 이 방출된 가시광이 제1기판(211)을 투사하여 출사되면서 사용자가 인식할 수 있는 화상을 형성하게 된다.When a voltage is applied to the plasma display panel 210, address discharge and sustain discharge occur, and ultraviolet rays are emitted while the energy level of the discharge gas excited during sustain discharge is lowered. The ultraviolet rays excite the phosphors of the phosphor layer applied in the discharge cell, and the visible light is emitted as the energy level of the excited phosphors is lowered. The image can be formed.

이 때, 회로기판(220)에 배치된 상기 회로소자(260)는 열을 발생하게 되고, 회로소자(260)에서 발생한 열은 상대적으로 온도가 낮은 열전도층(240)으로 전달된다.At this time, the circuit element 260 disposed on the circuit board 220 generates heat, and the heat generated from the circuit element 260 is transferred to a relatively low temperature conductive layer 240.

열전도층(240)으로 전달된 열 중 일부분은 열전도층(240)의 표면에 도달한 뒤, 열전도층(240)에 접촉하는 공기로 대류작용에 의해 직접 전달된다.A portion of the heat transferred to the heat conductive layer 240 reaches the surface of the heat conductive layer 240 and is then transferred directly by convection to air in contact with the heat conductive layer 240.

열전도층(240)으로 전달된 열 중 상기 열전도층(240)에 접촉하는 공기로 대 류작용에 의해 직접 전달되는 열을 제외한 나머지 열은 열전도작용에 의해 빠르게 주변으로 확산된다. 즉, 회로소자(260)에서 발생한 열은 발열되는 회로소자(260) 부근의 열전도층(240) 및 회로기판(220)으로 빠르게 확산되며 전달된다. Of the heat transferred to the heat conductive layer 240, except for the heat directly transferred by the convection action to the air contacting the heat conductive layer 240, the remaining heat is rapidly diffused to the surroundings by the heat conduction action. That is, the heat generated from the circuit element 260 is rapidly spread and transferred to the thermal conductive layer 240 and the circuit board 220 near the circuit element 260 that generates heat.

특히, 열전도층(240)은 회로기판(220)에 접촉하여 형성되어 있기 때문에, 상대적으로 온도가 낮은 회로기판(220)으로 열이 신속하게 확산되어 전달된다. In particular, since the thermal conductive layer 240 is formed in contact with the circuit board 220, heat is rapidly diffused and transferred to the circuit board 220 having a relatively low temperature.

따라서, 회로소자(260)로부터 발생되는 열이 주변의 열전도층(240) 및 회로기판(220)으로 효과적으로 방출되므로, 회로소자(260)에는 열이 집중되지 않고, 회로소자(260)의 온도는 낮아지게 된다. 그렇게 되면, 회로소자(260)의 성능을 보전할 수 있을 뿐만 아니라, 장기적으로는 회로소자(260)의 수명을 증가시키게 된다.Therefore, since the heat generated from the circuit element 260 is effectively discharged to the surrounding heat conducting layer 240 and the circuit board 220, heat is not concentrated in the circuit element 260, and the temperature of the circuit element 260 is Will be lowered. This not only preserves the performance of the circuit element 260, but also increases the life of the circuit element 260 in the long term.

또한, 본 제1 실시예의 열전도층(240)은 전기 전도성의 물질이 아니므로, 밀집하여 배치된 회로소자(260) 사이에 위치하여 회로소자(260) 상호간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있으므로, 회로소자(260)의 배치를 효율적으로 할 수 있다.In addition, since the thermal conductive layer 240 of the first embodiment is not an electrically conductive material, the thermal conductive layer 240 may be located between the circuit elements 260 arranged in a compact manner to prevent electrical short between the circuit elements 260. Arrangement of the element 260 can be performed efficiently.

또한, 상기 열전도층(240)은 그 자체로 강도를 가지고 있으므로, 회로기판(220)의 설치 시에 회로소자(260)를 외부의 충격으로부터 보호한다. In addition, since the thermal conductive layer 240 has strength in itself, the circuit element 260 is protected from an external impact when the circuit board 220 is installed.

앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 의하면, 열전도층(240)을 회로소자(260) 및 회로기판(220)에 접촉하도록 형성함으로써, 회로소자(260)로부터 발생되는 열을 빠르게 확산시켜 방출시킬 수 있게 된다. 그렇게 되면, 회로소자(260)의 열 집중현상이 방지되고, 회로소자(260)로부터 신속하고 효율적으로 열을 제거하여 회로소자(260)의 온도를 낮출 수 있게 되어, 회로소자(260) 및 회로기판(220)의 수명을 증가시킬 수 있게 된다. As described above, according to the first embodiment of the present invention, the heat conductive layer 240 is formed to be in contact with the circuit element 260 and the circuit board 220, thereby rapidly dissipating heat generated from the circuit element 260. Can be released. As a result, heat condensation of the circuit element 260 is prevented, and heat can be removed from the circuit element 260 quickly and efficiently to lower the temperature of the circuit element 260, thereby reducing the circuit element 260 and the circuit. It is possible to increase the life of the substrate 220.

이하에서는 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로소자 방열 구조에 관하여 설명한다.Hereinafter, a circuit device heat dissipation structure according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로소자 방열 구조가 구현된 회로기판 부분을 확대한 개략적인 사시도이고, 도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 자른 단면도이다. FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating an enlarged portion of a circuit board on which a circuit device heat dissipation structure according to a second exemplary embodiment of the present invention is implemented, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 6.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로소자 방열 구조는 크게 회로기판(320), 회로소자(360) 및 열전도층(340)을 포함한다.6 and 7, the circuit device heat dissipation structure according to the second embodiment of the present invention includes a circuit board 320, a circuit device 360, and a thermal conductive layer 340.

회로기판(320)은 보스(351) 및 볼트(352)에 의해 섀시(330)와 소정의 거리를 두고 상기 섀시(330)에 장착되며, 회로소자(360)는 상기 회로기판(320)에 장착된다.The circuit board 320 is mounted to the chassis 330 at a predetermined distance from the chassis 330 by the boss 351 and the bolt 352, and the circuit device 360 is mounted to the circuit board 320. do.

상기 회로소자(360)는 발열량이 큰 회로소자(361)와 발열량이 적은 회로소자(362)로 구성되는데, 회로소자(360)는 앞서 설명한 본 발명의 제1 실시예의 회로소자(260)와 같은 회로소자를 포함하므로, 여기서 설명은 생략한다.The circuit device 360 includes a circuit device 361 with a large amount of heat generated and a circuit element 362 with a small amount of heat generated, and the circuit device 360 is the same as the circuit device 260 of the first embodiment of the present invention described above. Since a circuit element is included, description is abbreviate | omitted here.

상기 열전도층(340)은 그 재질이 실리콘수지로 구성되며, 회로기판(320) 및 회로소자(360)에 접촉되어 구성된다. The heat conductive layer 340 is made of a silicone resin and is in contact with the circuit board 320 and the circuit element 360.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 열전도층(340)은 회로소자(360)를 에워싸며 형성되는 동시에 회로기판(320)의 전면(前面)부에 전체적으로 도포되어 형성되어 있다. As illustrated in FIGS. 6 and 7, the thermal conductive layer 340 is formed to surround the circuit element 360 and is coated on the front surface of the circuit board 320.

즉, 열전도층(340)은 회로소자(360)의 외부 표면을 에워싸며 형성되기 때문에, 열전도층(340)이 회로소자(360)에 접촉하는 부분이 최대로 되고, 따라서, 열전 도층(340)은 회로소자(360)가 발생하는 열을 최대로 전달받도록 구성된다.That is, since the thermal conductive layer 340 is formed surrounding the outer surface of the circuit element 360, the portion where the thermal conductive layer 340 contacts the circuit element 360 is maximized, and thus, the thermal conductive layer 340. The circuit device 360 is configured to receive the maximum heat generated.

또한, 열전도층(340)은 회로기판(320)의 전면(前面)부에 전체적으로 도포되어 형성되기 때문에, 열전도층(340)은 회로소자(360)로부터 전달받은 열을 최대로 회로기판(320)으로 전달할 수 있는 구성을 가진다. In addition, since the thermal conductive layer 340 is formed by being applied to the entire front surface of the circuit board 320 as a whole, the thermal conductive layer 340 maximizes the heat transferred from the circuit element 360 to the circuit board 320. Has a configuration that can be passed to.

한편, 본 제2 실시예에서는 회로소자(360)를 에워싸며 형성된 열전도층(340)과 회로소자(360)가 배치되지 않은 회로기판의 부분에 형성된 열전도층(340)이 같은 높이를 이루도록 두껍게 열전도층(340)이 형성된다. 따라서, 외관상으로 열전도층(340)의 요철에 의해, 회로소자(360)가 회로기판(320)에 배치된 위치를 알 수 없게 된다.Meanwhile, in the second embodiment, the heat conduction layer 340 formed surrounding the circuit element 360 and the heat conduction layer 340 formed on the portion of the circuit board on which the circuit element 360 is not arranged have the same high heat conduction. Layer 340 is formed. Therefore, due to the unevenness of the thermal conductive layer 340, the position where the circuit element 360 is disposed on the circuit board 320 cannot be known.

이와 같이, 회로기판(320) 및 회로소자(360)에 실리콘수지로 열전도층(340)을 두껍께 형성하기 위해서는 회로기판(320)의 가장자리를 둘러싸도록 틀을 형성한 후, 점도가 높은 실리콘수지를 두텁게 도포하여 형성할 수도 있고, 저압의 사출성형의 방법으로 형성할 수도 있다. As described above, in order to form the heat conductive layer 340 thickly with silicon resin on the circuit board 320 and the circuit element 360, a frame is formed to surround the edge of the circuit board 320, and then the silicone resin with high viscosity is formed. It may be formed by applying a thick, or may be formed by a low pressure injection molding method.

본 제2 실시예의 열전도층(340)은 발열량이 큰 회로소자(361)와 발열량이 적은 회로소자(362)이던 관계없이 회로기판(320)에 배치된 회로소자(360)이기만 하면 에워싸도록 구성되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 열전도층은 발열량이 큰 회로소자(361)에만 접촉하도록 형성할 수 있다.The heat conducting layer 340 of the second embodiment is configured to be surrounded by only the circuit element 360 disposed on the circuit board 320 irrespective of the circuit element 361 and the circuit element 362 having a high heat generation amount. However, the present invention is not limited thereto. That is, the heat conductive layer of the present invention can be formed so as to contact only the circuit element 361 with a large amount of heat generated.

또한, 본 제2 실시예에서는 열전도층(340)이 회로기판(320)의 전면(前面)의 부분을 거의 전체적으로 덮고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 열전도층은 회로기판(320)과 가급적 많은 부분을 접촉하면 할수록 열전달 및 열확산에서 유리하나, 적어도 열전도층의 일부가 회로기판(320)에 접촉하여 설치되기만 하면 상대적으로 온도가 낮은 회로기판(320)으로의 열전도 및 열확산이 가능하므로, 본 발명은 열전도층이 회로기판(320)과 접촉하는 면적에 있어서 특별한 제한은 없다.In addition, in the second embodiment, the thermal conductive layer 340 almost covers the entire surface of the circuit board 320, but the present invention is not limited thereto. That is, the thermal conductive layer of the present invention is advantageous in heat transfer and heat diffusion as the portion of the thermal conductive layer contacts the circuit board 320 as much as possible. However, at least a portion of the thermal conductive layer is relatively low in temperature as long as the thermal conductive layer is in contact with the circuit board 320. Since heat conduction and heat diffusion to the circuit board 320 are possible, the present invention is not particularly limited in terms of the area in which the heat conducting layer contacts the circuit board 320.

본 제2 실시예에서는 열전도층(340)의 재질은 실리콘수지로 이루어지는데, 상기 제1 실시예의 경우에서 설명한 바와 같이, 전기 전도성이 아니면서 열 전도성이 높은 물질로 이루어지기만 하면 그 재질 선정에 특별한 제한은 없다. In the second embodiment, the material of the thermal conductive layer 340 is made of silicon resin, and as described in the case of the first embodiment, as long as the thermal conductive layer 340 is made of a material having high thermal conductivity and not electrical conductivity, There is no limit.

한편, 회로기판(320)의 배면에는 보조 열전도층(370)이 형성된다. Meanwhile, an auxiliary thermal conductive layer 370 is formed on the back of the circuit board 320.

보조 열전도층(370)은 회로기판(320)의 배면에 배치되는데, 회로기판(320)에 국부적으로 발생하는 열을 주변으로 확산하여 열 집중현상을 방지하는 기능을 한다.The auxiliary thermal conductive layer 370 is disposed on the rear surface of the circuit board 320, and serves to prevent heat concentration by diffusing heat generated locally on the circuit board 320 to the periphery.

보조 열전도층(370)도 열전도층(340)과 마찬가지로 실리콘 수지로 이루어진다.The auxiliary thermal conductive layer 370 is made of a silicone resin similarly to the thermal conductive layer 340.

본 제2 실시예에서는 보조 열전도층(370)의 재질이 실리콘수지로 이루어졌지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 보조 열전도층은 아크릴수지, 폴리우레탄, 기타 신소재 등의 재질로도 이루어질 수 있는데, 그 재질이 전기 전도성이 아니면서 열 전도성이 높은 물질로 이루어지기만 하면, 재질 선정에 특별한 제한은 없다.Although the material of the auxiliary heat conductive layer 370 is made of silicon resin in the second embodiment, the present invention is not limited thereto. In other words, the auxiliary heat conductive layer of the present invention may be made of a material such as acrylic resin, polyurethane, other new materials, as long as the material is made of a material having high thermal conductivity instead of electrical conductivity, a particular limitation in material selection is none.

본 제2 실시예에서의 보조 열전도층(370)은 열전도층(340)과 분리되어 형성되어 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 보조 열전도층(370) 은 회로기판(320)의 가장자리를 넘어서 열전도층(340)과 연결되어 구성될 수 있으며, 그 경우, 보조 열전도층은 열전도층과 열을 상호적으로 주고받을 수 있다. 또한, 그와 같이, 보조 열전도층과 열전도층이 연결되어 일체로 구성되는 경우에는, 열전도층의 재료에 따라서, 회로기판을 열전도층의 재료에 담근 후 꺼내 말려 얇은 층을 형성하는 침지(浸漬)방식 또는 스프레이 도포 방식 등으로 열전도층과 보조열전도층을 한번에 형성할 수도 있다.Although the auxiliary thermal conductive layer 370 is formed separately from the thermal conductive layer 340 in the second embodiment, the present invention is not limited thereto. That is, the auxiliary thermal conductive layer 370 of the present invention can be configured to be connected to the thermal conductive layer 340 beyond the edge of the circuit board 320, in which case, the auxiliary thermal conductive layer gives heat to the thermal conductive layer mutually I can receive it. As described above, when the auxiliary heat conducting layer and the heat conducting layer are connected to each other to be integrally formed, the immersion which immerses the circuit board in the material of the heat conducting layer, pulls it out and forms a thin layer according to the material of the heat conducting layer. The thermal conductive layer and the auxiliary thermal conductive layer may be formed at once by a method or a spray coating method.

한편, 상기 열전도층(340)의 상면에는 방열핀(381)이 형성된 히트싱크(380)가 설치된다. On the other hand, the heat sink 380 having the heat radiation fins 381 is provided on the top surface of the heat conductive layer 340.

히트싱크(380)는 열전도층(340)으로부터 열을 전달받는데, 전달받은 열은 히트싱크(380)의 방열핀(381)의 표면으로부터 대류작용에 의해 방열핀(381)에 접촉하는 공기로 직접 전달된다.The heat sink 380 receives heat from the heat conducting layer 340, which is directly transferred to the air contacting the heat sink fins 381 by convection from the surface of the heat sink fins 381 of the heat sink 380. .

이하, 본 제2 실시예에서의 회로소자(360)에서 생성된 열의 주된 전달경로를 살펴본다.  Hereinafter, the main transfer path of the heat generated by the circuit device 360 in the second embodiment will be described.

상기 회로소자(360)에서 발생한 열은 상대적으로 온도가 낮은 열전도층(340)으로 전달된다.Heat generated in the circuit device 360 is transferred to a relatively low thermal conductive layer 340.

열전도층(340)으로 전달된 열 중 일부분은 열전도층(340)의 표면에 도달한 뒤, 방열핀(381)이 설치된 히트싱크(380)로 전달된다. 히트싱크(380)로 전달된 열은 방열핀(381)의 표면으로부터 대류 열전달 작용에 의해 그에 접촉하는 공기로 방출된다.A part of the heat transferred to the heat conductive layer 340 reaches the surface of the heat conductive layer 340 and is then transferred to the heat sink 380 provided with the heat dissipation fins 381. Heat transferred to the heat sink 380 is released from the surface of the heat sink fin 381 to the air contacting it by the convective heat transfer action.

열전도층(340)으로 전달된 열 중 상기 히트싱크(380)에 의해 직접 방출되는 열을 제외한 나머지 열은 열전도작용에 의해 빠르게 주변으로 확산된다. 즉, 회로소자(360)에서 발생한 열은 발열되는 회로소자(360) 부근의 열전도층(340) 및 회로기판(320)으로 빠르게 확산되며 전달된다. Of the heat transferred to the heat conductive layer 340 except for the heat directly emitted by the heat sink 380, the remaining heat is quickly diffused to the surroundings by the heat conduction action. That is, the heat generated from the circuit device 360 is rapidly diffused and transferred to the thermal conductive layer 340 and the circuit board 320 near the circuit device 360 that generates heat.

특히, 열전도층(340)은 회로기판(320)에 접촉하여 형성되어 있기 때문에, 상대적으로 온도가 낮은 회로기판(320)으로 열이 신속하게 확산되어 전달된다. In particular, since the thermal conductive layer 340 is formed in contact with the circuit board 320, heat is rapidly spread and transferred to the circuit board 320 having a relatively low temperature.

한편, 보조 열전도층(370)은 회로기판(320)의 배면에 설치됨으로써, 회로기판(320)의 배면의 온도가 국부적으로 상승하는 것을 방지한다.On the other hand, the auxiliary thermal conductive layer 370 is provided on the back surface of the circuit board 320, thereby preventing the temperature of the back surface of the circuit board 320 locally rise.

따라서, 회로소자(360)로부터 발생되는 열이 주변의 열전도층(340) 및 회로기판(320)으로 효과적으로 방출되므로, 회로소자(360)에는 열이 집중되지 않고, 회로소자(360)의 온도는 낮아지게 된다. 그렇게 되면, 회로소자(360)의 성능을 보전할 수 있을 뿐만 아니라, 장기적으로는 회로소자(360)의 수명을 증가시키게 된다.Therefore, since heat generated from the circuit device 360 is effectively discharged to the surrounding heat conducting layer 340 and the circuit board 320, heat is not concentrated in the circuit device 360, and the temperature of the circuit device 360 is Will be lowered. This not only preserves the performance of the circuitry 360, but also increases the life of the circuitry 360 in the long run.

또한, 본 제2 실시예의 열전도층(340)은 전기 전도성의 물질이 아니므로, 밀집하여 배치된 회로소자(360) 사이에 위치하여 회로소자(360) 상호간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있으므로, 회로소자(360)의 배치를 효율적으로 할 수 있다.In addition, since the thermal conductive layer 340 of the second embodiment is not an electrically conductive material, the thermal conductive layer 340 may be located between the circuit elements 360 that are densely arranged to prevent electrical short between the circuit elements 360. Arrangement of the element 360 can be performed efficiently.

또한, 상기 열전도층(340)은 그 자체로 강도를 가지고 있으므로, 회로기판(320)의 설치 시에 회로소자(360)를 외부의 충격으로부터 보호한다. In addition, since the thermal conductive layer 340 has strength in itself, the thermal protection layer 340 protects the circuit element 360 from external impact when the circuit board 320 is installed.

앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 의하면, 열전도층(340)을 회로소자(360) 및 회로기판(320)에 접촉하도록 형성함으로써, 회로소자(360)로부터 발생되는 열을 빠르게 확산시켜 방출시킬 수 있게 된다. 그렇게 되면, 회로소자(360)의 열 집중현상이 방지되고, 회로소자(360)로부터 신속하고 효율적으로 열을 제거하여 회로소자(360)의 온도를 낮출 수 있게 된다. 또한, 열전도층(340) 위에 방열핀(381)을 구비한 히트싱크(380)를 설치함으로써, 열전도층(340)을 경유한 열이 효과적으로 방출되도록 할 수 있게 된다.As described above, according to the second embodiment of the present invention, the heat conductive layer 340 is formed to contact the circuit device 360 and the circuit board 320, thereby rapidly dissipating heat generated from the circuit device 360. Can be released. As a result, heat concentration of the circuit device 360 can be prevented, and heat can be removed from the circuit device 360 quickly and efficiently to lower the temperature of the circuit device 360. In addition, by installing the heat sink 380 having the heat dissipation fins 381 on the heat conductive layer 340, heat passing through the heat conductive layer 340 can be effectively released.

또한, 본 발명의 제2 실시예는 상기 전술한 제1 실시예와 마찬가지로 회로기판 및 회로소자가 다수 설치된 플라즈마 디스플레이 모듈에 효율적으로 적용할 수 있다.In addition, the second embodiment of the present invention can be efficiently applied to a plasma display module in which a plurality of circuit boards and circuit elements are installed as in the above-described first embodiment.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 회로소자 및 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 구비함으로써, 회로소자로부터 발생된 열을 효과적으로 방출할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, by providing a thermally conductive layer formed in contact with the circuit element and the circuit board, there is an effect that can effectively release the heat generated from the circuit element.

즉, 본 발명에 따르면, 열전도층을 회로소자 및 회로기판에 동시에 접촉하도록 형성함으로써, 회로소자로부터 발생되는 열을 빠르게 확산시켜 회로소자의 열 집중현상을 방지하고 회로소자의 온도를 낮출 수 있는 효과가 있다.That is, according to the present invention, by forming the thermal conductive layer in contact with the circuit element and the circuit board at the same time, it is possible to quickly diffuse the heat generated from the circuit element to prevent heat concentration phenomenon of the circuit element and lower the temperature of the circuit element There is.

또한, 본 발명의 열전도층은 전기 전도성의 물질이 아니므로, 회로소자 사이에 배치되어 회로소자 상호간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the thermally conductive layer of the present invention is not an electrically conductive material, the thermally conductive layer is disposed between circuit elements to prevent electrical short between circuit elements.

또한, 본 발명의 열전도층은 그 자체로 강도를 가지고 있으므로, 회로소자를 외부의 충격으로부터 보호하는 효과도 있다. Moreover, since the heat conductive layer of this invention has strength by itself, it also has the effect of protecting a circuit element from an external shock.

또한, 본 발명은 많은 수의 회로기판 및 회로소자가 존재하는 플라즈마 디스플레이 모듈의 경우에 적용한다면, 그 효과가 더욱 크다.In addition, if the present invention is applied to the case of a plasma display module in which a large number of circuit boards and circuit elements are present, the effect is even greater.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것 에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.  Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (16)

회로기판;Circuit board; 상기 회로기판에 배치되는 회로소자; 및A circuit element disposed on the circuit board; And 전기 전도성이 아니면서 열 전도성인 물질로 이루어지고, 상기 회로소자 및 상기 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 포함하는 회로소자 방열 구조.A heat dissipation structure of a circuit device comprising a thermally conductive layer formed of a material which is not electrically conductive and is thermally conductive and is in contact with the circuit device and the circuit board. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회로기판의 배면에는 보조 열전도층이 배치되는 회로소자 방열 구조.A circuit device heat dissipation structure in which an auxiliary thermal conductive layer is disposed on the rear surface of the circuit board. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보조 열전도층은 실리콘수지, 아크릴수지 및 폴리우레탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나를 포함하는 회로소자 방열 구조.The auxiliary thermal conductive layer is a circuit element heat dissipation structure comprising one selected from the group consisting of silicone resin, acrylic resin and polyurethane. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층은 상기 회로소자를 에워싸도록 형성되는 회로소자 방열 구조.The heat conduction layer is a circuit element heat dissipation structure is formed so as to surround the circuit element. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층은 상기 회로기판의 전면(前面) 방향으로 배치되는 회로소자 방열 구조.And the heat conducting layer is disposed in a front direction of the circuit board. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층은 실리콘수지, 아크릴수지 및 폴리우레탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나를 포함하는 회로소자 방열 구조.The heat conducting layer is a circuit element heat dissipation structure comprising one selected from the group consisting of silicone resin, acrylic resin and polyurethane. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층에는 히트싱크가 장착되는 회로소자 방열 구조.The heat dissipation structure of the heat conduction layer is a heat sink is mounted. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 히트싱크는 복수의 방열핀을 구비하는 회로소자 방열 구조.The heat sink is a circuit device heat dissipation structure having a plurality of heat dissipation fins. 화상을 구현하는 디스플레이 패널;A display panel for implementing an image; 상기 디스플레이 패널을 구동하는 회로소자가 탑재된 회로기판;A circuit board on which a circuit element for driving the display panel is mounted; 상기 디스플레이 패널 및 상기 회로기판을 지지하는 섀시; 및A chassis supporting the display panel and the circuit board; And 전기 전도성이 아니면서 열 전도성인 물질로 이루어지고, 상기 회로소자 및 상기 회로기판에 접촉하도록 형성된 열전도층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 모듈.And a thermally conductive layer formed of a material which is not electrically conductive and is thermally conductive, and is formed to contact the circuit device and the circuit board. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 회로기판의 배면에는 보조 열전도층이 배치되는 플라즈마 디스플레이 모듈.And an auxiliary thermal conductive layer disposed on a rear surface of the circuit board. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 보조 열전도층은 실리콘수지, 아크릴수지 및 폴리우레탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나를 포함하는 플라즈마 디스플레이 모듈.The auxiliary thermal conductive layer is a plasma display module comprising one selected from the group consisting of silicone resin, acrylic resin and polyurethane. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 열전도층은 상기 회로소자를 에워싸도록 형성되는 플라즈마 디스플레이 모듈.And the thermal conductive layer is formed to surround the circuit element. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 열전도층은 상기 회로기판의 전면(前面) 방향으로 배치되는 플라즈마 디스플레이 모듈.And the heat conductive layer is disposed in a front direction of the circuit board. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 열전도층은 실리콘수지, 아크릴수지 및 폴리우레탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나를 포함하는 플라즈마 디스플레이 모듈.The thermal conductive layer is a plasma display module comprising one selected from the group consisting of silicone resin, acrylic resin and polyurethane. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 열전도층에는 히트싱크가 장착되는 플라즈마 디스플레이 모듈.And a heat sink mounted on the heat conductive layer. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 히트싱크는 복수의 방열핀을 구비하는 플라즈마 디스플레이 모듈.The heat sink is a plasma display module having a plurality of heat radiation fins.
KR1020050035551A 2005-04-28 2005-04-28 Circuit element heat dissipation structure and plasma display module having same KR100696516B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050035551A KR100696516B1 (en) 2005-04-28 2005-04-28 Circuit element heat dissipation structure and plasma display module having same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050035551A KR100696516B1 (en) 2005-04-28 2005-04-28 Circuit element heat dissipation structure and plasma display module having same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060112864A KR20060112864A (en) 2006-11-02
KR100696516B1 true KR100696516B1 (en) 2007-03-19

Family

ID=37651311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050035551A KR100696516B1 (en) 2005-04-28 2005-04-28 Circuit element heat dissipation structure and plasma display module having same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100696516B1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10172446A (en) * 1996-12-16 1998-06-26 Matsushita Electron Corp Gas discharge type display device and manufacture thereof
JP2001085877A (en) * 1999-09-10 2001-03-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Heat sink with heat receiving surface provided with protrusions
JP2002156913A (en) * 2001-09-13 2002-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Gas discharge type display device
US20040124772A1 (en) * 2002-12-25 2004-07-01 Ga-Lane Chen Plasma display panel
KR20060053390A (en) * 2004-11-15 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 Plasma display device
KR20060089322A (en) * 2005-02-03 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 Plasma display device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10172446A (en) * 1996-12-16 1998-06-26 Matsushita Electron Corp Gas discharge type display device and manufacture thereof
JP2001085877A (en) * 1999-09-10 2001-03-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Heat sink with heat receiving surface provided with protrusions
JP2002156913A (en) * 2001-09-13 2002-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Gas discharge type display device
US20040124772A1 (en) * 2002-12-25 2004-07-01 Ga-Lane Chen Plasma display panel
KR20060053390A (en) * 2004-11-15 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 Plasma display device
KR20060089322A (en) * 2005-02-03 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 Plasma display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060112864A (en) 2006-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100696517B1 (en) Integrated circuit chip heat dissipation structure of plasma display module and plasma display module having same
KR100581863B1 (en) Plasma display device
KR100457622B1 (en) Drive circuit board for plasma display panel and plasma display apparatus using the same
KR20060124289A (en) Plasma display module
KR100788578B1 (en) Plasma display device
KR100696516B1 (en) Circuit element heat dissipation structure and plasma display module having same
KR100366093B1 (en) Plasma display panel
KR100647614B1 (en) Plasma display device
KR100453189B1 (en) Plasma display panel assembly
KR100647651B1 (en) Plasma display device
KR100759571B1 (en) Plasma display device
KR100731481B1 (en) Plasma display device
KR100683735B1 (en) Plasma display device
KR100730133B1 (en) Integrated circuit chip heat dissipation structure of plasma display module and plasma display module having same
KR100770129B1 (en) Plasma display device
KR100683744B1 (en) Plasma Display Module with improved heat dissipation
KR100659098B1 (en) Plasma display module
KR100683727B1 (en) Plasma display device
KR100670253B1 (en) Chassis Base for Plasma Display and Plasma Display with Same
KR100696510B1 (en) Integrated circuit chip heat dissipation structure of plasma display module and plasma display module having same
KR20060100770A (en) Integrated circuit chip heat dissipation structure of plasma display module
KR100787433B1 (en) Circuit element heat dissipation structure and flat panel display module having the same
KR20060058932A (en) Plasma display device
KR20060086211A (en) Plasma display module
KR20050099413A (en) A heat sink plate of the pcb for the plasma display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20050428

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20061031

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20070222

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20070312

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20070313

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee