KR100694597B1 - 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 장치에서 발생된 미세한 패턴 결함을 검출하는 방법으로, 우선 검사 대상 패턴이 형성되어 있는 기판을 마련한다. 상기 검사 대상 패턴에 생성된 결함의 검출력을 향상시키기 위하여, 상기 검사 대상 패턴, 상기 검사 대상 패턴의 결함 부위 및 기판 표면 상에 연속적으로 상기 검사 대상 패턴에 비해 높은 반사도를 갖는 물질로 이루어지는 표면 박막을 형성한다. 다음에, 상기 표면 박막이 증착된 기판을 검사함으로서 상기 검사 대상 패턴의 결함을 검출한다. 상기 방법에 의하면, 미세한 결함을 용이하게 검출할 수 있다.

Description

반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법{Method for inspecting a defect of pattern in semiconductor device}

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 5 내지 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.

도 7은 반도체 장치에 사용되는 박막의 파장별 반사도를 측정한 그래프이다.

도 8은 폴리실리콘 패턴에 티타늄 질화물로 이루어지는 표면 박막을 형성한 후, 검사용 광의 각 파장별로 불량 부위의 S/N 율을 확인한 결과 그래프이다.

도 9는 광학 검사 설비에 의해 검출된 결함 부위의 SEM 이미지이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 102 : 검사 대상 패턴

104 : 결함 부위 106 : 표면 박막

본 발명은 반도체 장치에 형성되어 있는 패턴의 결함을 검출하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 장치에 형성되어 있는 패턴에서 발생되는 레지듀, 마이크로 브릿지 등과 같은 미세한 결함을 용이하게 검출하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.

상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 사진 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 및 패턴이 형성된 반도체 기판의 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.

상기 반도체 장치가 고집적화됨에 따라, 종래의 보다 넓은 디자인 룰을 갖는 반도체 장치에서는 전혀 동작 불량을 유발하지 않았던 미세한 결함들까지도 반도체 장치의 동작 불량을 발생시킴으로서 반도체 장치의 수율 및 신뢰성을 저하시키는 요인이 되고 있다. 그러므로, 상기 반도체 기판에 발생된 결함을 검출하는 검사 공 정이 더욱 중요해지고 있다.

일반적으로, 반도체 기판의 결함 검출을 위한 검사는 반도체 단위 공정을 수행한 후 기판 내에 반복적으로 형성되어 있는 패턴들을 서로 비교하여 정상 패턴들 중에서 이상이 있는 부분을 확인함으로서 이루어진다. 상기와 같은 방법으로 정확한 결함 검출이 이루어지기 위해서는, 상기 패턴에서 검출되는 노이즈(noise) 대비 신호(signal)(이를 통상적으로 S/N ratio라 함)가 매우 큰 것이 바람직하다. 즉, 상기 패턴에서 검출되는 신호는 매우 큰 반면에 노이즈는 매우 작아서, 정상 패턴에서 발생되는 노이즈와 결함 패턴에서 발생되는 신호가 정확하게 구분되어야 한다.

상기 S/N 율은 막의 특성, 결함의 크기, 패턴의 방향, 검사 설비에서 사용되는 광의 특성 등에 의해 크게 달라진다. 상기 열거한 요소들 중에서 어느 하나라도 결함 검출에 적합하지 못한 조건을 갖는 경우에는 상기 S/N 율이 낮아서 정상 패턴 및 결함 패턴을 구분하지 못하게 되어 결함을 검출하지 못한다. 그런데, 반도체 장치가 고집적화됨에 따라서 상기 결함 역시 매우 작아져서, 상기 정상 패턴과 미세한 결함 패턴을 확연하게 구분하는 것이 매우 어려워지고 있다.

특히, 매우 작은 선폭을 갖는 패턴에 발생되는 레지듀나 마이크로 브릿지와 같은 미세한 결함을 검출하지 못하는 경우가 매우 빈번하게 발생하고 있다. 상기 패턴을 형성하기 위해서는 사진, 식각 및 세정 공정을 수행하여야 하며, 상기 단위 공정들 중에 어느 하나의 공정이라도 정상적으로 수행되지 않는 경우에는 상기 패턴에 결함이 다발하게 된다. 그런데, 상기 패턴에 발생된 결함을 조기에 검출하지 못하는 경우 후속 반도체 기판들에 동일하게 결함을 발생시키는 상기 단위 공정들이 계속적으로 진행하게 됨으로서 반도체 장치의 생산성 및 수율이 저하되는 등의 심각한 문제가 발생하게 된다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 패턴에 생성된 미세한 결함을 검사하는 방법을 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 결함 검사 방법으로, 우선 검사 대상 패턴이 형성되어 있는 기판을 마련한다. 상기 검사 대상 패턴에 생성된 결함의 검출력을 향상시키기 위하여, 상기 검사 대상 패턴, 상기 검사 대상 패턴의 결함 부위 및 기판 표면 상에 연속적으로 상기 검사 대상 패턴에 비해 높은 반사도를 갖는 물질로 이루어지는 표면 박막을 형성한다. 다음에, 상기 표면 박막이 증착된 기판을 검사함으로서 상기 검사 대상 패턴의 결함을 검출한다.

상기 검사 대상 패턴은 폴리실리콘 또는 단결정 실리콘으로 이루어진다. 상기 검사 대상 패턴에 생성되어 있는 결함은 레지듀, 패턴간의 미세 브릿지 등일 수 있다.

상기 표면 박막은 금속 또는 금속 화합물을 증착하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 표면 박막은 티타늄 질화물 또는 티타늄을 증착하여 형성하는 것이 바람직하다.

상기 결함은 광학 검사 설비를 사용하여 검출할 수 있다. 상기 결함을 검출 시에 사용되는 광의 파장은 350 내지 450㎚ 인 것이 바람직하다.

상기 결함을 검출하기 위한 방법은 상기 광학 설비로부터 조사되는 광으로부터 상기 검사 대상 패턴의 이미지 정보를 획득하는 단계와, 상기 이미지 정보가 설정된 기준을 벗어나는지를 검사함으로서 상기 검사 대상 패턴의 결함을 검출하는 단계를 포함한다. 이 때, 상기 이미지 정보는 상기 검사 대상 패턴에서 획득되는 그레이 레벨을 포함한다.

상기 이미지 정보를 통해 상기 검사 대상 패턴에 발생된 결함을 디스플레이할 수도 있다.

상기에서 설명한 것과 같이, 상기 검사 대상 패턴에 비해 높은 반사도를 갖는 물질로 이루어지는 표면 박막을 연속적으로 형성하는 경우 상기 검사 대상 패턴에 생성되어 있는 결함 부위에도 상기 표면 박막이 생성된다. 그러므로, 상기 결함 부위에서의 반사도가 크게 증가된다. 이로 인해, 상기 표면 박막이 형성되기 이 전에 비해 상기 결함 부위의 S/N 율이 크게 증가됨으로서 광학 설비를 통해 불량이 충분히 검출될 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다. 도 2 내지 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 5 내지 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.

도 1, 2 및 5를 참조하면, 검사 대상 패턴(102)이 형성되어 있는 기판(100)을 마련한다.(S10)

상기 검사 대상 패턴(102)은 라인 및 스페이스(line and space)가 반복적으로 배치된 형상을 가질 수 있다. 도시하지는 않았지만, 상기 검사 대상 패턴(102)은 고립된 섬 형태를 가질 수도 있다. 상기 검사 대상 패턴(102)은 기판(100) 상에 직접 형성될 수도 있고, 기판(100) 상에 형성되어 있는 층간 절연막(도시안됨) 상에 형성될 수도 있다.

상기 검사 대상 패턴(102)은 폴리실리콘 또는 단결정 실리콘으로 이루어진다. 구체적으로, 상기 검사 대상 패턴(102)은 비트 라인, 워드 라인, 연결 패드용 패턴 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 검사 대상 패턴(102)은 단결정 실리콘으로 이루어지는 채널막일 수도 있다.

통상적으로, 상기 폴리실리콘으로 이루어지는 패턴들은 금속 배선에 비해 종횡비가 매우 크고, 상기 패턴 및 패턴들 간의 선폭이 매우 협소하다. 때문에, 상기 미세한 선폭을 갖는 폴리실리콘 패턴을 형성하는 공정에서, 상기 폴리실리콘 패턴의 표면에 레지듀가 생성되거나 또는 상기 폴리실리콘 패턴들 간이 서로 연결되는 마이크로 브릿지 등이 쉽게 발생될 수 있다.

더구나, 상기 폴리실리콘은 금속에 비해 낮은 반사율을 갖기 때문에 광학 검사 설비에서 명확한 이미지를 획득하는 것이 용이하지 않다. 그러므로, 상기 폴리실리콘 패턴에서 발생된 결함을 검출하는 것이 매우 어렵다.

이하에서는, 상기 폴리실리콘 패턴을 형성하기 위한 공정 및 상기 공정에서 발생될 수 있는 결함에 대해 간단하게 설명한다.

우선 폴리실리콘막을 증착하고, 상기 폴리실리콘막 상에 사진 공정을 통해 식각 마스크로 사용하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이 후, 상기 포토레지스트 패턴에 의해 부분적으로 노출된 폴리실리콘막을 식각한다. 이 때, 상기 폴리실리콘막이 정상적으로 식각되지 않는 경우 상기 폴리실리콘 패턴 사이 갭 부위에 폴리실리콘이 남아있는 등의 언에치성 스트링거(stringer)불량이 발생될 수 있다.

상기 식각을 통해 폴리실리콘 패턴을 완성한 이 후에, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정 및 상기 폴리실리콘 패턴을 세정하는 공정 등이 추가적으로 수행되어야 한다. 그런데, 상기 포토레지스트 패턴의 제거 및 세정 공정에서 상기 폴리실리콘 패턴의 표면에 레지듀가 발생되거나 또는 스컴성 마이크로 브릿지가 발생될 수 있다.

상기 레지듀 또는 스컴성 마이크로 브릿지의 경우 그 두께가 매우 얇을 뿐 아니라 상기 폴리실리콘 패턴 사이의 측벽 중간에 생성되기 때문에 이를 검출하는 것이 매우 까다롭다. 특히, 광학 검사 설비를 사용하여 상기 불량을 검출하는 경우, 상기 광학 감시 설비에서 조사되는 광이 레지듀 또는 스컴성 마이크로 브릿지를 그대로 투과하기 때문에 상기한 결함이 발생된 부위와 정상적인 부위에 대한 유의차를 확인하기가 매우 어렵다.

본 실시예에서는, 도 2 및 도 5에 도시된 것과 같이 스컴성 마이크로 브릿지결함(104)이 있는 폴리실리콘 패턴이 형성된 기판을 검사하는 방법에 한하여 설명 한다.

도 1, 3 및 6을 참조하면, 상기 검사 대상 패턴(102), 상기 검사 대상 패턴(102)에 생성되어 있는 결함 부위(104) 및 기판(100) 표면 상에 연속적으로 상기 검사 대상 패턴(102)에 비해 높은 반사도를 갖는 물질을 증착시켜 표면 박막(106, surface film)을 형성한다.(S12) 상기 표면 박막은 물리화학기상 증착 방법 또는 화학기상증착 방법을 수행하여 증착할 수 있다.

상기 표면 박막(106)은 상기 검사 대상 패턴(102) 및 상기 결함 부위(104)의 표면 반사도를 증가시킴으로서 광학 검사 설비에 의해 결함 부위의 검출력을 향상시키는 역할을 한다. 본 실시예에서는 상기 검사 대상 패턴(102)이 폴리실리콘으로 이루어지므로, 상기 표면 박막(106)은 상기 폴리실리콘에 비해 높은 반사도를 갖는 금속 또는 금속 화합물을 사용하여 형성할 수 있다.

상기 표면 박막(106)의 두께가 검사 대상 패턴(102)의 전 영역에서 균일한 두께로 형성되지 않을 경우에는 상기 표면 박막(106)이 형성된 상태의 표면 프로파일과 상기 검사 대상 패턴(102)의 표면 프로파일이 크게 달라지게 되어, 광학 검사 설비를 통해 상기 검사 대상 패턴(102)의 결함 부위를 정확하게 검출하기가 어렵다. 그러므로, 상기 표면 박막(106)은 스텝커버러지가 양호한 증착 특성을 갖는 물질을 사용하여 형성하여야 한다.

상기 표면 박막(106)의 표면 모폴로지(morphology)가 양호하지 못한 경우에는 광학 검사 설비에서 노이즈 신호가 증가될 수 있어 검사 대상 패턴(102)에 생성된 결함을 정확하게 검출하기가 어려워진다. 그러므로, 상기 증착된 표면 박막의 표면 모폴로지 특성이 양호하여야 한다.

또한, 상기 표면 박막(106)이 지나치게 두껍게 형성되는 경우 상기 표면 박막(106)이 형성된 상태의 표면 프로파일과 상기 검사 대상 패턴(102)의 표면 프로파일이 크게 달라지게 된다. 따라서, 상기 표면 박막(106)은 적어도 상기 검사 대상 패턴(102)들 사이의 갭(gap)의 1/2 이하의 두께로 증착되어야 한다.

상기와 같이, 스텝커버러지 및 모폴로지 특성이 양호하고 얇은 두께로 증착 가능한 표면 박막(106)의 구체적인 예로는 티타늄 질화막, 티타늄막 등을 들 수 있다. 상기 티타늄막을 표면 박막으로 사용하는 경우 검사 대상 패턴으로 제공되는 폴리실리콘과의 반응에 의해 티타늄 실리사이드로 전환되고, 상기 반응에 의해 생성되는 상기 티타늄 실리사이드는 그 두께가 다소 불균일하다. 그러므로, 상기 표면 박막은 티타늄 질화막으로 형성하는 것이 더 바람직하다.

상기 표면 박막(106)으로 텅스텐을 사용하는 경우에는 표면 모폴로지 특성이 양호하지 않으므로 바람직하지 않다. 또한, 상기 표면 박막(106)으로 알루미늄을 사용하는 경우에는 얇은 두께로 증착하는 것이 용이하지 않으며 스텝커버러지 특성이 양호하지 않으므로 바람직하지 않다.

상기와 같이 표면 박막(106)을 형성하면, 상기 검사 대상 패턴(102) 뿐 아니라 상기 결함 부위(104)의 표면 반사도가 높아지게 된다. 또한, 상기 결함 부위(104)는 상기 표면 박막(106)에 의해 두께가 더 두꺼워지게 되어 광에 의한 반사, 산란, 흡수 특성을 충분히 갖게 된다. 이로 인해, 상기 결함 부위(104)는 광학 검사 설비에 의해 더욱 검출하기 쉬운 상태로 데코레이션(decoration)된다.

도 1 및 4를 참조하면, 상기 표면 박막(106)이 증착된 기판을 검사함으로서 상기 검사 대상 패턴(102)에 생성되어 있는 결함을 검출한다.(S14)

상기 결함을 검출하는 방법을 보다 상세하게 설명하면, 우선 광학 검사 설비로부터 상기 표면 박막(106)이 증착된 기판(100)으로 광을 조사하고 상기 표면 박막(106)이 증착된 기판(100)으로부터 반사 또는 산란된 광을 상기 광학 검사 설비의 검출부(detecter, 150)를 통해 검출한다.

상기 결함 검출 시에 적절한 광을 사용하지 않는 경우에는 S/N율이 낮아서 상기 결함 부위와 정상적인 패턴 부위가 서로 구분되지 않는다. 그러므로, 결함 부위에서의 S/N율이 가장 큰 조건을 갖는 광을 사용하여 결함을 검출하여야 한다. 구체적으로, 상기 검사 대상 패턴(102)이 폴리실리콘으로 이루어지고 상기 표면 박막(106)이 티타늄 질화물로 이루어지는 경우에는, 350 내지 450㎚의 파장을 갖는 광을 조사하는 것이 가장 바람직하다.

상기 검출부(150)를 통해 검출된 광으로부터 상기 표면 박막(106)이 증착된 기판(100)에 형성되어 있는 패턴의 이미지 정보를 획득한다. 구체적으로, 상기 검출된 광의 세기를 전기적 신호로 변환시키고, 상기 전기적 신호를 영상 신호로 변환함으로서 상기 표면 박막(106)이 증착된 기판(100)의 이미지 정보를 획득할 수 있다. 상기 이미지 정보는 상기 표면 박막(106)이 증착된 기판(100)의 각 영역별로 획득되는 각 픽셀(Pixel)의 그레이 레벨(Gray level)을 포함한다. 이 때, 상기 결함 부위에 해당하는 픽셀의 그레이 레벨과 정상적인 패턴 부위에 해당하는 픽셀의 그레이 레벨은 다소 차이가 발생하게 된다.

상기 이미지 정보가 설정된 기준을 벗어나는지를 검사함으로서 상기 검사 대상 패턴(102)의 결함을 검출한다.

이 후, 상기 이미지 정보를 통해 상기 검사 대상 패턴(102)의 결함을 디스플레이할 수 있다. 상기 결함을 디스플레이 하는 경우 결함 부위가 주변에 비해 다소 밝거나 또는 다소 어둡게 보여진다.

상기에서 설명한 것과 같이, 본 발명에 의하면 상기 결함을 검출하기 이 전에 상기 검사 대상 패턴이 형성되어 있는 기판에 결함 부위의 검출력을 향상시키기 위한 표면 박막을 형성하는 과정을 수행한다. 또한, 상기 결함 검출을 위한 S/N 율이 가장 큰 조건의 파장을 갖는 광을 사용하여 결함을 검출한다. 그러므로, 상기 결함 부위에 해당하는 픽셀의 그레이 레벨과 주변의 정상적인 부위에 해당하는 픽셀의 그레이 레벨의 차이가 더욱 커지게 되어 용이하게 상기 결함을 검출할 수 있다.

박막의 반사도 실험

도 7은 반도체 장치에 사용되는 박막의 파장별 반사도를 측정한 그래프이다.

도 7에서 도면부호 202는 248㎚ 파장의 광을 기판 상에 형성되어 있는 티타늄 질화막으로 조사한 후 측정된 반사도이고, 도면부호 200은 248㎚ 파장의 광을 기판 상에 형성되어 있는 티타늄 질화막으로 조사한 후 측정된 반사도이다. 또한, 도 7에서 도면부호 206은 248㎚ 파장의 광을 기판 상에 형성되어 있는 폴리실리콘막으로 조사한 후 측정된 반사도이고, 도면부호 204는 480㎚ 파장의 광을 기판 상 에 형성되어 있는 폴리실리콘막으로 조사한 후 측정된 반사도이다.

도 7에서, X축은 기판에서의 반사도 측정 위치를 의미하고, Y축은 베어 웨이퍼의 반사도를 100으로 정의하였을 때의 각 막의 상대적 반사도를 의미한다.

도 7에서 보여지듯이, 상기 티타늄 질화막의 반사도(200, 202)는 상기 폴리실리콘막의 반사도(204, 206)에 비해 약 2배 정도 높다. 그러므로, 폴리실리콘으로 이루어지는 패턴의 불량을 검사할 시에 표면 박막으로 티타늄 질화물을 증착하여 기판 표면의 반사도를 충분히 상승시킬 수 있음을 알 수 있다.

파장별 불량 검출 결과

도 8은 폴리실리콘 패턴에 티타늄 질화물로 이루어지는 표면 박막을 형성한 후, 검사용 광의 각 파장별로 불량 부위의 S/N 율을 확인한 결과 그래프이다.

도 8에서, 도면부호 300은 266㎚ 파장의 광을 사용하여 각 픽셀별 그레이 레벨을 측정한 것이고, 도면 부호 302는 350 내지 450㎚ 파장의 광을 사용하여 각 픽셀별 그레이 레벨을 측정한 것이다.

도 8을 참조하면, 266㎚ 파장의 광을 사용하는 경우(300)에는 S/N 율이 충분히 높지 않아서 결함이 발생된 부위와 정상 패턴 부위가 서로 구분되지 않았으며 이를 이미지 처리하여 보더라도 결함 부위를 확인하기가 어려웠다.

반면에, 상기 350 내지 450㎚ 파장의 광을 사용하는 경우(302)에는 결함 부위(304)에서 그레이 레벨이 다소 낮게 검출되며 이를 이미지처리하여 보았을 때 상기 결함 부위(304)가 주변에 비해 어둡게 검출되었다.

도 8에서는 도시하지 않았지만, 460 내지 600㎚ 파장의 광을 사용하는 경우에도 S/N 율이 충분히 높지 않아서 결함이 발생된 부위와 정상 패턴 부위가 서로 구분되지 않았다.

도 8에도 도시된 것과 같이, 상기 폴리실리콘 패턴에 티타늄 질화물로 이루어지는 표면 박막을 형성한 후 상기 350 내지 450㎚ 파장의 광을 사용함으로서 상기 폴리실리콘 패턴에서 발생된 미세한 불량을 광학 검사 설비를 통해 검출해낼 수 있었다.

검출된 불량의 SEM이미지

도 9는 광학 검사 설비에 의해 검출된 결함 부위의 SEM 이미지이다.

도 9를 참조하면, 상기 광학 검사 설비를 통해 검출된 결함이 실제로 어떠한 결함인지를 확인하기 위하여 SEM을 이용하여 상기 결함 부위를 측정한 것이다. 도시된 것과 같이, 상기 광학 검사 설비에 의해 검출된 불량은 패턴 사이에 미세한 스컴성 마이크로 브릿지(306)임을 알 수 있었다.

종래에는 미세한 스컴성 마이크로 브릿지 및 레지듀성 결함이 상기 광학 검사 설비에 의해 전혀 검출되지 못했다. 그러나, 검사 대상 패턴에 비해 반사도가 높은 물질을 증착시켜 상기 결함 부위를 데코레이션하는 과정을 거침으로서 광학 검사 설비를 사용하여 용이하게 상기 결함을 검출할 수 있었다. 또한, 상기 광학 검사 설비에서 결함으로 검출된 부위에는 실재로 미세한 스컴성 마이크로 브릿지가 생성되어 있음을 확인할 수 있었다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 검사 대상 패턴에 비해 반사도가 높은 물질을 증착시켜 결함 부위를 데코레이션함으로서 광학 설비를 사용하여 미세한 스컴성 마이크로 브릿지 및 레지듀성 결함을 용이하게 검출할 수 있다. 상기 방법을 통해 각 패턴에 생성되어 있는 결함을 조기에 검출함으로서, 반도체 장치의 수율 및 생산성이 향상되는 등의 효과를 기대할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

1. 검사 대상 패턴이 형성되어 있는 기판을 마련하는 단계;

   상기 검사 대상 패턴에 생성된 결함의 검출력을 향상시키기 위하여, 상기 검사 대상 패턴, 상기 검사 대상 패턴의 결함 부위 및 기판 표면 상에 연속적으로 상기 검사 대상 패턴에 비해 높은 반사도를 갖는 물질로 이루어지는 표면 박막을 형성하는 단계; 및

   상기 표면 박막이 증착된 기판을 검사함으로써, 레지듀 및 검사 대상 패턴간의 미세 브릿지를 포함하는 검사 대상 패턴의 결함을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 검사 대상 패턴은 폴리실리콘 또는 단결정 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 표면 박막은 금속 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 표면 박막은 티타늄 질화막 또는 티타늄막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
5. 삭제
6. 제1항에 있어서, 상기 결함은 광학 검사 설비를 사용하여 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 결함을 검출시에 사용되는 광의 파장은 350 내지 450㎚인 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
8. 제6항에 있어서, 상기 결함을 검출하는 단계는,

   상기 광학 검사 설비로부터 조사되는 광으로부터 상기 검사 대상 패턴 이미지 정보를 획득하는 단계; 및

   상기 이미지 정보가 설정된 기준을 벗어나는지를 검사함으로서 상기 검사 대상 패턴의 결함을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 이미지 정보는 상기 검사 대상 패턴에서 획득되는 그레이 레벨인 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 이미지 정보를 통해 상기 검사 대상 패턴의 결함을 디스플레이하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법.

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