KR100688626B1 - LED package and backlight unit using same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛에 관한 것으로, 발광다이오드를 수용하는 금속하우징이 비교적 열전도 효율이 높은 구리 등의 재질로 형성되고, 상기 금속하우징의 하면에 금속하우징보다 넓은 면적을 갖는 히트싱크가 접합되며, 상기 금속하우징의 내부와 외부가 통공으로 연통되고, 상기 히트싱크에 열전도 효율이 더 높은 히트스프레더와 확장방열판이 더 부착되거나, 상기 금속하우징에 상기 히트스프레더 또는 냉각핀이 일체로 접합되어 상기 금속하우징의 냉각효율이 향상되면서 상기 금속하우징에 수용되는 발광다이오드를 보다 높은 효율로 발광시킬 수 있도록 된 것이다.The present invention relates to a package for a light emitting diode and a backlight unit using the same, wherein a metal housing accommodating the light emitting diode is formed of a material such as copper having a relatively high thermal conductivity, and has a larger area on the lower surface of the metal housing than the metal housing. A heat sink is joined, and the inside and the outside of the metal housing communicate with the through hole, and a heat spreader and an expansion heat sink having higher heat conduction efficiency are further attached to the heat sink, or the heat spreader or cooling fins are integral to the metal housing. It is bonded to the to improve the cooling efficiency of the metal housing is to be able to emit light with a higher efficiency light emitting diode accommodated in the metal housing.
발광다이오드용 패키지, 백라이트 유닛 LED package, backlight unit
Description
도 1은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 일부 절결 사시도,1 is a partially cutaway perspective view of a light emitting diode package according to the present invention;
도 2는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도,2 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to the present invention;
도 3a는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 히트스프레더의 사시도,3A is a perspective view of a light emitting diode package heat spreader according to the present invention;
도 3b는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 확장방열판의 사시도,3B is a perspective view of the LED package heat sink according to the present invention;
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지와 히트싱크의 사시도,4A and 4B are perspective views of a light emitting diode package and a heat sink according to the present invention;
도 5 및 도 7은 본 발명에 따른 백라이트 유닛의 사시도,5 and 7 are perspective views of the backlight unit according to the present invention,
도 6은 본 발명에 따른 백라이트 유닛의 단면도,6 is a cross-sectional view of the backlight unit according to the present invention;
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도이다.8 and 9 are perspective views of a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>
10 - 발광다이오드 패키지 11 - 백라이트 유닛10-Light Emitting Diode Package 11-Backlight Unit
12 - 회로기판 20 - 발광다이오드12-Circuit Board 20-Light Emitting Diode
30 - 금속하우징 31 - 측면벽30-metal housing 31-side wall
32 - 저면벽 33 - 경사면32-Bottom Wall 33-Slope
34 - 렌즈장착요홈부 35 - 통공34-Lens mounting recess 35-Through hole
40 - 렌즈 50 - 금속리드40-Lens 50-Metal Lead
51 - 절연부재 60 - 히트싱크51-insulation 60-heat sink
61 - 히트스프레더 62 - 확장방열판61-Heat spreader 62-Expansion heat sink
63 - 냉각핀 64 - 스페이서부재63-Cooling fin 64-Spacer member
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히 발광다이오드에서 발생되는 열을 상기 발광다이오드 패키지의 외부로 배출 냉각시키도록 된 발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package and a backlight unit using the same to discharge and cool heat generated from the light emitting diode to the outside of the light emitting diode package.
일반적으로, 발광다이오드(LED; light emitting diode)는 반도체에 전압을 가해 발생되는 전기장 발광현상을 이용하여 빛을 발생시키도록 되며, 근래 액정디스플레이(LCD ; liquid crystal display)의 백라이트 유닛으로 발광다이오드를 이용한 것이 널리 사용되고 있다.In general, a light emitting diode (LED) generates light using an electric field emission phenomenon generated by applying a voltage to a semiconductor. Recently, a light emitting diode is used as a backlight unit of a liquid crystal display (LCD). The used one is widely used.
여기서, 상기 발광다이오드는 p형 반도체 결정과 n형 반도체 결정이 서로 접합된 구조를 갖는 전-광 변환형의 반도체 소자이고, 전기신호를 빛으로 변환시키는 특성 때문에 각종 디스플레이용 광원소자로 사용되고 있다.The light emitting diode is an all-light conversion semiconductor device having a structure in which a p-type semiconductor crystal and an n-type semiconductor crystal are bonded to each other, and are used as various display light source devices because of the property of converting an electrical signal into light.
또, 상기 발광다이오드는 원소 주기율표상 III족(Al, Ga, In)과 V족(As, P, N, Sb)원소가 화합하여 만들어진 화합물 반도체로서 물질에 따라 빛의 파장이 달라진다. The light emitting diode is a compound semiconductor formed by combining Group III (Al, Ga, In) and Group V (As, P, N, Sb) elements on the periodic table. The wavelength of light varies depending on the material.
또한, 상기 발광다이오드의 광 효율은 패키지의 반사 구조에 의해서 결정되고, 신뢰성은 패키지를 포함하는 리드 프레임 구조로부터의 열 방출 능력에 의해서 결정된다.In addition, the light efficiency of the light emitting diode is determined by the reflective structure of the package, and the reliability is determined by the ability of heat dissipation from the lead frame structure including the package.
여기서, 상기 발광다이오드 및 발광다이오드 패키지의 구조는 대한민국 공개특허공보 10-2004-98191호(발광다이오드와 그 패키지 구조체 및 제조방법) 또는 대한민국 등록실용신안공보 20-370479호(발광다이오드의 구조)에 개시된 바와 같이, 베이스 층의 상단에 반사판이 장착되고, 이 반사판의 상단에 발광다이오드가 설치되며, 이 발광다이오드의 양단에 전선이 연결됨과 더불어, 외측으로 뻗어 외부전극과 연결되고, 상기 발광다이오드의 상부에 렌즈가 덮어 씌워진 것으로 구성되는 것이 일반적이다.Here, the structure of the light emitting diode and the light emitting diode package is disclosed in Korea Patent Publication No. 10-2004-98191 (light emitting diode and its package structure and manufacturing method) or Korea Utility Model Publication No. 20-370479 (structure of the light emitting diode) As disclosed, a reflector is mounted on an upper end of the base layer, a light emitting diode is installed on an upper end of the reflector, and wires are connected to both ends of the light emitting diode, and are extended outwards to be connected to an external electrode. It is common to consist of a lens overlaid on top.
그러나, 상기와 같은 종래의 발광다이오드 패키지는 상기 반도체로 구성된 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 구조가 제한적이어서, 상기 발광다이오드의 발열로 인한 타 부품의 손상 및 오동작이 유발되는 문제점이 있었다.However, the conventional light emitting diode package as described above has a limited structure capable of effectively dissipating heat generated from the light emitting diode composed of the semiconductor, thereby causing damage and malfunction of other components due to heat generation of the light emitting diode. there was.
또, 상기 액정디스플레이에 적용된 발광다이오드의 경우, 상기 발광다이오드의 발열로 인해 상기 액정디스플레이의 구성 부품이 손상되는 문제점이 발생되었다.In addition, in the case of the light emitting diode applied to the liquid crystal display, there is a problem that the components of the liquid crystal display are damaged due to the heat generation of the light emitting diode.
이에 따라, 종래에 상기 발광다이오드에서 발생된 열을 방출할 수 있는 구조 로, 대한민국 공개특허공보 10-2004-33434호(발광다이오드 외부에 방열구조를 부가하는 제조방법)가 있었다.Accordingly, conventionally, Korean Patent Application Publication No. 10-2004-33434 (a manufacturing method for adding a heat dissipation structure to the outside of the light emitting diode) has a structure capable of dissipating heat generated by the light emitting diode.
여기서, 상기 발광다이오드 외부에 방열구조를 부가하는 제조방법은, 상기 베이스 상단에 방열판이 설치되고, 이 방열판의 상단에 상기 발광다이오드를 설치하는 것으로, 상기 발광다이오드에서 발생되는 열이 상기 방열판에 전달되고, 상기 방열판에 전달된 열은 상기 발광다이오드 패키지의 외측으로 표출된 일부 방열판을 통해 외부로 방출되도록 된 것으로, 이는 상기 방열판이 상기 발광다이오드 패키지의 외부로 표출된 면적이 비교적 적고, 상기 방열판이 상기 베이스의 상단에 밀착되어 체결됨에 따라, 상기 방열판의 상면 일부를 통해서만 방열이 이루어지도록 되어 상기 발광다이오드에서 발생된 열을 충분히 방출하지 못하는 문제점이 있었다.Here, in the manufacturing method of adding a heat dissipation structure to the outside of the light emitting diode, a heat sink is installed on the top of the base, and the light emitting diode is installed on the top of the heat sink, and heat generated from the light emitting diode is transferred to the heat sink. The heat transmitted to the heat sink is discharged to the outside through some heat sinks exposed to the outside of the light emitting diode package, which is relatively small in area where the heat sink is exposed to the outside of the light emitting diode package. As the close contact with the upper end of the base, the heat dissipation is only through a portion of the upper surface of the heat sink, there is a problem that does not sufficiently release the heat generated by the light emitting diode.
또한, 비교적 밝은 빛이, 즉 높은 발광효율이 요구되는 액정디스플레이의 경우, 상기 발광다이오드로 부터 발생되는 고온의 발열로 인해 상기 액정디스플레이의 밝기가 제한되거나, 상기 발광다이오드를 액정디스플레이에 적용할 수 없는 문제점이 있었다.In addition, in the case of a liquid crystal display requiring relatively bright light, that is, a high luminous efficiency, the brightness of the liquid crystal display may be limited due to the high temperature heat generated from the light emitting diode, or the light emitting diode may be applied to the liquid crystal display. There was no problem.
본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해소하기 위해 발명된 것으로, 발광다이오드에서 발생된 열을 원활하게 방출하여 상기 발광다이오드가 설치된 발광다이오드 패키지의 냉각을 이루도록 된 발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been invented to solve the above problems, the light emitting diode package and the backlight unit using the same to achieve a cooling of the light emitting diode package is installed by smoothly dissipating heat generated from the light emitting diode The purpose is to provide.
본 발명의 다른 목적은, 발광다이오드에서 발생되는 열을 용이하게 냉각시켜 비교적 높은 효율의 빛과 이에 따른 고온발열의 냉각이 요구되는 액정디스플레이 장치에 적용할 수 있도록 된 발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛을 제공함에 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a package for a light emitting diode and a backlight using the same, which can be easily applied to a liquid crystal display device which requires cooling of heat generated from a light emitting diode so that light having a relatively high efficiency and consequently high temperature heat generation is required. The purpose is to provide a unit.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 폐쇄된 벽면을 포함하고 발광다이오드가 장착되는 내부공간과, 외부로부터 상기 내부공간으로 전기적 연결을 제공하기 위해 상기 폐쇄된 벽면에 형성된 통공을 포함하는 금속하우징과, 상기 금속하우징의 통공의 단면적에 비해 작은 단면적을 가지며 외부로부터 상기 통공으로 삽입되어 외부로부터 상기 금속하우징의 내부공간으로 전기적 연결을 제공하는 금속리드와, 상기 금속하우징의 통공과 상기 금속하우징의 통공에 삽입된 금속리드 사이의 공간에 충진되어 상기 금속하우징과 상기 금속리드 사이에 절연을 제공하는 절연부재로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, a metal including a closed wall surface and the inner space in which the light emitting diode is mounted, and a through hole formed in the closed wall surface to provide an electrical connection from the outside to the inner space A metal lead having a housing and a cross-sectional area smaller than that of the through hole of the metal housing and inserted into the through hole from the outside to provide an electrical connection from the outside to the inner space of the metal housing; the through hole of the metal housing and the metal housing. It is characterized by consisting of an insulating member filled in the space between the metal lead inserted into the through hole of the metal housing and the metal lead to provide insulation.
본 발명의 다른 특징은, 상기 금속하우징은, 측면벽 및 저면벽은 폐쇄되고 상부면은 개방된 형상을 갖고, 상기 측면벽은 발광다이오드의 발광반사면으로 작용하는 경사면을 갖고, 상기 발광다이오드가 상기 저면벽의 상면 위에 장착되는 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention, the metal housing, the side wall and the bottom wall is closed and the upper surface has an open shape, the side wall has an inclined surface acting as a light emitting reflective surface of the light emitting diode, the light emitting diode is And mounted on an upper surface of the bottom wall.
본 발명의 또 다른 특징은, 상기 측면벽의 상면 둘레에는 렌즈장착요홈부가 형성된 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is characterized in that the lens mounting recess is formed around the upper surface of the side wall.
본 발명의 다른 특징은, 상기 통공은 상기 저면벽을 상하로 관통하는 관통공이고, 상기 금속하우징은 상기 측면벽 하단으로부터 상기 관통공까지 연장되고 아래 부분이 개방된 금속리드 삽입용 요홈부을 추가로 포함함으로써, 상기 금속리드는 외부로부터 상기 금속리드 삽입용 요홈부 및 상기 관통공을 통해 상기 내부공간으로 전기적 연결을 제공하는 것을 특징으로 한다.Another feature of the present invention is that the through hole is a through hole penetrating the bottom wall up and down, the metal housing further extends from the lower end of the side wall to the through hole, the lower portion of the metal lead insertion groove portion is further opened; By including, the metal lead is characterized in that it provides an electrical connection to the inner space through the metal lead insertion groove portion and the through hole from the outside.
본 발명의 또 다른 특징은, 상기 통공은 상기 측면벽을 횡방향으로 관통하는 관통공이고, 상기 금속리드는 외부로부터 상기 관통공을 통해 상기 내부공간으로 전기적 연결을 제공하는 것을 특징으로 한다.Another feature of the present invention is characterized in that the through hole is a through hole penetrating the side wall in the transverse direction, and the metal lead is characterized in that it provides an electrical connection to the inner space through the through hole from the outside.
본 발명의 다른 특징은, 상기 금속하우징은, 순수 구리 및 구리 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나에 의해 일체로 만들어지는 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is characterized in that the metal housing is made integrally by any one selected from the group consisting of pure copper and copper alloys.
본 발명의 또 다른 특징은, 상기 금속리드는, 순수 구리, 구리 합금, 철 또는 니켈-철 합금, 인바 합금, 코바 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나에 의해 만들어지는 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is characterized in that the metal lead is made of any one selected from the group consisting of pure copper, copper alloys, iron or nickel-iron alloys, invar alloys, and coba alloys.
본 발명의 다른 특징은, 상기 절연부재는 글라스 및 절연성 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나에 의해 만들어지는 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is characterized in that the insulating member is made of any one selected from the group consisting of glass and insulating polymer.
본 발명의 또 다른 특징은, 상기 금속하우징의 저면에 히트싱크가 접합되거나 장착되는 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is characterized in that the heat sink is bonded or mounted on the bottom of the metal housing.
본 발명의 다른 특징은, 상기 히트싱크는 알루미늄으로 만들어지고, 상기 히트싱크의 상면 또는 상하 양면 위에 구리(Cu) 또는 구리 합금층(Cu alloy), 또는 은(Ag) 또는, 은 합금(Ag alloy)층이 히트 스프레더 층으로 형성되고, 상기 금속하우징은 상기 구리 또는 구리 합금층 또는 은(Ag) 또는, 은 합금(Ag alloy)층으로 이루어진 히트 스프레더 위에 접합되거나 장착되는 것을 특징으로 한다.Another feature of the present invention is that the heat sink is made of aluminum, and a copper (Cu) or a copper alloy layer (Cu alloy), silver (Ag) or silver alloy (Ag alloy) on the upper surface or upper and lower surfaces of the heat sink. ) Is formed of a heat spreader layer, the metal housing is bonded or mounted on the heat spreader made of the copper or copper alloy layer or silver (Ag) or silver alloy (Ag alloy) layer.
본 발명의 또 다른 특징은, 상기 히트 스프레더를 형성하는 상기 구리, 은(Ag) 또는 구리, 은(Ag) 합금층 이나, 상기 히트 스프레더가 제공되지 않은 또 다른 면, 즉 상기의 히트 스프레더 합금층이 형성되지 않은 다른 면 위에 방열 면적을 증가시키기 위하여 확장된 방열구조를 갖는 구리 또는 구리 합금 또는 탄소 복합재 구조물이 접합되거나 장착되는 것을 특징으로 한다. 즉, 발광다이오드를 수용하는 금속 하우징이 접합되거나 장착되지 않는 다른 반대 면에 방열 면적을 증가시키기 위하여 확장된 방열구조를 갖는 구리 또는 구리 합금 또는 탄소 복합재 구조물이 접합되거나 장착되는 것을 특징으로 한다. Another feature of the present invention is that the copper, silver (Ag) or copper, silver (Ag) alloy layer forming the heat spreader, or another surface on which the heat spreader is not provided, that is, the heat spreader alloy layer The copper or copper alloy or carbon composite structure having an extended heat dissipation structure is joined or mounted to increase the heat dissipation area on the other side which is not formed. That is, a copper or copper alloy or carbon composite structure having an extended heat dissipation structure is joined or mounted to increase the heat dissipation area on the other side where the metal housing accommodating the light emitting diode is not joined or mounted.
본 발명의 다른 특징은, 상기 히트싱크와 상기 금속리드의 저면은 간극을 가져서, 상기 간극으로 회로기판을 삽입하여 상기 금속리드를 회로기판 상에 표면실장형으로 결선시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.In another aspect of the present invention, the heat sink and the bottom surface of the metal lead have a gap, and the circuit board can be inserted into the gap to connect the metal lead to the surface mount type on the circuit board.
본 발명의 또 다른 특징은, 상기 금속하우징의 저면에 히트스프레더가 제공된 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is characterized in that a heat spreader is provided on the bottom of the metal housing.
본 발명의 다른 특징은, 상기 금속하우징의 저면에 방열면적을 넓히기 위한 냉각핀이 제공된 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is characterized in that the cooling fin is provided on the bottom surface of the metal housing to increase the heat dissipation area.
본 발명의 또 다른 특징은, 폐쇄된 벽면을 포함하고 발광다이오드가 장착되는 내부공간과, 외부로부터 상기 내부공간으로 전기적 연결을 제공하기 위해 상기 폐쇄된 벽면에 형성된 통공을 포함하는 금속하우징과, 상기 금속하우징의 통공의 단면적에 비해 작은 단면적을 가지며 외부로부터 상기 통공으로 삽입되어 외부로부터 상기 금속하우징의 내부공간으로 전기적 연결을 제공하는 금속리드와, 상기 금속하우징의 통공과 상기 금속하우징의 통공에 삽입된 금속리드 사이의 공간에 충진되어 상기 금속하우징과 상기 금속리드 사이에 절연을 제공하는 절연부재와, 상기 금속하우징의 저면과 접하면서 상기 금속리드의 최저면 부로부터 간극을 갖도록 형성되는 히트싱크와, 상기 금속리드와 히트싱크 사이의 간극으로 삽입되어 상기 금속리드와 전기적으로 결선되는 회로 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Another feature of the invention is a metal housing comprising a closed wall surface and an inner space in which the light emitting diode is mounted, and a through hole formed in the closed wall surface to provide an electrical connection from the outside to the inner space; A metal lead having a smaller cross-sectional area than that of the through hole of the metal housing and inserted into the through hole from the outside to provide an electrical connection from the outside to the inner space of the metal housing, and into the through hole of the metal housing and the through hole of the metal housing; An insulating member filled in the space between the formed metal leads to provide insulation between the metal housing and the metal lead, a heat sink formed to have a gap from a bottom surface of the metal lead while being in contact with the bottom surface of the metal housing; And inserted into the gap between the metal lead and the heat sink so that the metal lead and the It is characterized by consisting of a circuit board that is connected in a way.
이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지(10)를 나타낸 것이고, 도 2는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지(10)가 히트싱크(60)에 안착된 것을 나타낸 것이며, 도 3a는 본 발명에 따른 히트싱크(60)의 상면에 히트스프레더(61)가 부착된 것을 나타낸 것이고, 도 3b는 본 발명에 따른 히트싱크(60)의 하면에 확장방열판(62)이 부착된 것을 나타낸 것이며, 도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지(10)와 히트싱크(60)가 접합된 것을 나타낸 것이고, 도 5는 본 발명에 따른 백라이트 유닛(11)을 나타낸 것이며, 도 6은 본 발명에 따른 백라이트 유닛(11)의 내부구성을 나타낸 것이고, 도 7은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지(10)가 다수 설치된 백라이트 유닛(11)을 나타낸 것이고, 도 8은 본 발명에 따른 금속하우 징(30)에 히트스프레더(61)가 일체로 형성된 것을 나타낸 것이며, 도 9는 본 발명에 따른 금속하우징(30)에 히트스프레더(61)가 일체로 형성되고, 이 히트스프레더(61)의 하면에 냉각핀(63)이 결합된 것을 나타낸 것이다.1 shows a light
본 발명은, 발광다이오드(20)에서 발생되는 열을 외부로 방출하도록 형성된 발광다이오드 패키지(10) 및 백라이트 유닛(11)을 개시한다.The present invention discloses a light emitting
본 발명에 따라 단일 또는 여러 개의 발광다이오드 소자를 수용할 수 있는 발광다이오드 패키지(10)의 대표적인 구조는, 도 1 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 발광다이오드(20)와, 금속하우징(30)과, 렌즈(40)와, 금속리드(50)와, 히트싱크(60)를 포함하여 구성된다.Representative structure of a light emitting
상기 발광다이오드(20)는, 반도체의 전기장 발광현상으로 빛을 발생시키도록 된 통상의 발광다이오드이며, 서브마운트의 상단면에 반도체와 전극 등이 형성된 것으로 한다. 이 발광다이오드의 전극은 금속리드(50)와 와이어 본딩(wire bonding)에 의해 전기적으로 연결된다.The
상기 금속하우징(30)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 비교적 열 전도율이 높은 구리(Copper : 397W/mK)로 형성되며, 상기 발광다이오드(20)를 수용할 수 있는 박스형상으로 형성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the
또, 상기 금속하우징(30)은, 세라믹 등 통상의 재질보다 방열효율이 높은 상기 구리(Copper : 397W/mK) 또는 알루미늄(Aluminum : 230W/mK) 등의 금속 및 그 합금으로 형성되며, 은(Silver : 428W/mK)이 외부 피막(도금)층으로 제공되며, 산업상 이용이 용이하면서 열전도도가 높은 구리 또는 구리합금으로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the
또한, 상기 금속하우징(30)의 성형은, 고분자 화합물과 상기 구리 및 구리합 금의 분말을 혼합하고, 이 혼합물을 상기 금속하우징 형상의 틀 즉 금형에 넣은 후에 압력을 가해 사출을 이루고, 이렇게 고압에서 사출된 금속의 내부에 포함된 상기 고분자 화합물에 열을 가해 상기 고분자 화합물을 제거하고 소결하는 과정으로 이루어지며, 이러한 방법으로 성형된 금속하우징(30)은 금속의 성질을 갖으면서 비교적 높은 밀도의 금속하우징의 성형체가 얻어진다.In addition, the molding of the
또, 상기 금속하우징(30)은, 저면벽(32)과, 측면벽(31) 및 경사면(33)을 포함하여 구성된다.The
상기 저면벽(32)은, 상기 금속하우징(30)의 하부로 구성되며, 상기 발광다이오드(20)가 안착되도록 평판 형상을 이루고 형성된다.The
상기 측면벽(31)은 상기 금속하우징(30)의 상부로 구성되며, 그 중앙부가 상기 금속하우징(30)의 상면 개구로 인해 개구된 통형상으로 형성된다.The
상기 경사면(33)은 상기 금속하우징(30) 상면 개구의 내측벽면이 하방향으로 가면서 좁아지는 경사를 이루어 형성되며, 상기 측면벽(31)의 상단에서 하단에 이르도록 개구된 개구의 내측면으로 이루어진다.The
또, 상기 금속하우징(30)은 통공(35)을 포함하여 구성된다.In addition, the
상기 통공(35)은, 상기 금속하우징(30)의 저면벽(32)에 안착된 발광다이오드(20)의 양측부 상기 저면벽(32)의 일부가 상/하방향으로 관통되어 이루어진다.The through
또, 상기 통공(35)은, 상기 저면벽(32)의 상/하방향으로 관통된 부분에서 수직으로 다시 관통되어 상기 저면벽(32)의 양측 외부로 확장되어 후술하는 금속리드가 삽입되는 금속리드 삽입용 요홈부가 관통 형성된다.In addition, the through
또한, 상기 통공(35)은 상기 금속하우징(30)의 측면벽(31) 중앙에 개구로 인해 형성된 경사면(33)에서 상기 측면벽(31)의 외측으로 관통되어 형성될 수 있음은 물론이다.In addition, the through
또한, 상기 금속하우징(30)은 그 상면에 렌즈장착요홈부(34)를 포함하여 구성된다.In addition, the
상기 렌즈장착요홈부(34)는 상기 금속하우징(30)의 측면벽(31) 상면 상기 개구의 외주 둘레에 내측으로 함몰되어 형성되며, 후술하는 반구형상의 렌즈(40) 하면 외주가 삽입되어 고정되도록 상기 렌즈(40)의 하면 외주 형상과 동일한 원형으로 함몰된 홈으로 형성된다.The
상기 렌즈(40)는 상기 렌즈장착요홈부(34)에 그 하단이 삽입되어 고정되도록 반구형상을 이루고 형성되며, 상기 발광다이오드(20)에서 발광되는 빛이 투광되도록 투명하게 형성되는 것이 바람직하다.The
상기 금속리드(50)는 상기 발광다이오드(20)의 전극과 와이어 본딩으로 연결되어 상기 발광다이오드(20)에 통전 가능하도록 형성되며, 상기 발광다이오드 패키지(10)의 외부로 연결되도록 구성된다.The
상기 금속리드(50)는 상기 발광다이오드(20)가 안착된 저면벽(32)의 상면에서 상기 저면벽(32)의 하면에 이르도록 횡방향으로 관통된 통공(35)에 삽입되도록 상기 금속하우징(30)의 상/하방향으로 뻗어 형성되고, 상기 통공(35)이 저면벽(32)의 외측면으로 관통되도록 확장된 경우, 상기 금속리드(50)가 상기 통공(35)의 형상을 따라 수직방향으로 굴곡되어 상기 통공(35)의 외측으로 뻗어 형성된다.The
여기서, 상기 금속리드(50)는 상기 통공(35)의 중앙부에 설치되어 상기 통공(35)의 내측벽면과 이격되도록 설치되는 것이 바람직하다.Here, the
또, 상기 금속리드(50)는 상기 발광다이오드의 전극과의 와이어 본딩이 용이하도록, 보다 넓은 면적을 갖는 사각형이나 판 형상으로 구성된다.In addition, the
또한, 상기 금속리드(50)는 상기 저면벽(32)의 상면에서 통공(35)에 이르도록 뻗어 형성되고, 상기 통공(35)을 따라 금속하우징(30)의 외부로 뻗어 형성되며, 상기 저면벽(32)의 하면, 즉 상기 발광다이오드 패키지(10)의 바닥과 소정간격 이격되어 상기 판형상으로 형성된 금속리드(50)의 상면 및 하면을 통해 발열을 이루도록 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the
또, 상기 금속리드(50)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드 패키지(10)의 외부에서 다른 부품과 연결되도록 그 일부가 굴곡되어 형성될 수 있으며, 본 실시예에서는 상기 금속리드(50)의 외측부가 후술하는 회로기판(12)에 접속되도록 상기 회로기판(12)이 형성된 방향, 즉 상기 발광다이오드(20)의 바닥면 방향으로 굴곡되어 형성된다.In addition, as shown in FIG. 2, a part of the
여기서, 상기 금속리드(50)의 양끝 선단이 상기 회로기판(12)에 접속된 상태에서 상기 금속리드(50)의 대부분은 상기 회로기판(12)의 상면에서 소정간격 이격되도록 형성되는 것이 바람직하다.Here, in the state where both ends of the
또한, 상기 금속리드(50)의 금속하우징(30) 결합부분은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 절연부재(51)로 절연된다.In addition, the coupling portion of the
또, 상기 금속리드(50)는 통전이 가능하도록 순수 구리, 구리 합금, 철 합 금, 니켈-철 합금, 인바 합금, 코바 합금 등의 금속 또는 이 금속이 속하는 금속군 중 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the
상기 절연부재(51)는 상기 금속리드(50)가 금속하우징(30)의 저면벽(32) 상면에 이르도록 위치된 상태에서, 금속으로 형성된 금속하우징(30)과 접촉되는 것을 방지하도록 상기 금속리드(50) 외주에 감싸져 형성되어 상기 저면벽(32) 상면의 통공(35) 내벽면에 접합되도록 형성된다.The insulating
또, 상기 절연부재(51)는 통전이 차단되도록 글라스 및/또는 절연성 고분자로 이루어지는 군 중 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the insulating
상기 히트싱크(60)(heat sink)는 도 2 내지 도 3b에 도시되 바와 같이, 상기 발광다이오드 패키지(10)가 안착되는 판재로 구성되며, 비교적 방열효율이 높으면서 소정강도를 갖는 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 금속하우징(30)의 고정을 이루는 정도의 강도와 방열효율을 갖는 임의의 금속으로 이루어 질 수 있음은 물론이다.As shown in FIGS. 2 to 3B, the
또, 상기 히트싱크(60)는 히트스프레더(61)(heat spreader)와 확장방열판(62)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, the
상기 히트스프레더(61)는 상기 히트싱크(60)의 상면에 접합되어 상기 발광다이오드 패키지(10)와 직접 접촉되도록 상기 히트싱크(60)의 형상과 동일한 판형상으로 형성된다.The
또, 상기 히트스프레더는 상기 히트싱크(60)의 방열효율 보다 높은 방열효율을 갖는 재질로 구성되는 것이 바람직하며, 본 실시예에서 상기 히트싱크(60)가 알 루미늄(Aluminum : 230W/mK)으로 형성됨에 따라 상기 히트스프레더(61)는 상기 히트싱크(60)보다 열전도도가 높은 구리(Copper : 397W/mK) 또는 은 또는 이의 합금으로 구성된다.In addition, the heat spreader is preferably made of a material having a heat dissipation efficiency higher than the heat dissipation efficiency of the
또한, 상기 히트스프레더(61)는, 구리, 은, 구리 합금, 은 합금으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.The
상기 확장방열판(62)은 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 히트싱크(60)의 하면에 상기 히트싱크와 동일한 판재 형상을 이루고 밀착되며, 상기 히트싱크(60)의 상/하 방향으로 다수의 개구가 형성된 형상(본 실시 예에서는 벌집형 구조)을 이루고 형성된다.As shown in FIG. 3B, the expansion
여기서, 상기 확장방열판(62)에 다수의 개구가 형성됨에 따라, 상기 확장방열판(62)의 방열면적이 확장되어 상기 히트싱크(60)로부터 전달되는 열의 방출이 보다 증가된다.Here, as a plurality of openings are formed in the
또, 상기 확장방열판(62)은, 비교적 열전도도가 높은 구리, 은, 구리 합금, 은 합금으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the expansion
도 4a 및 도 4b는 상기 발광다이오드 패키지(10)가 히트싱크(60)에 안착된 것을 도시한 것이다.4A and 4B illustrate the light emitting
여기서, 상기 발광다이오드 패키지(10)의 금속하우징(30)에 형성된 통공(35)이 상기 금속하우징(30)의 외측으로 관통되도록 형성되며, 이 통공(35)을 통해 상기 발광다이오드(20)와 전기적으로 연결된 금속리드(50)가 돌출되고, 이 금속리드 (50)는 상기 히트싱크(60)의 상면과 소정간격 간극을 이루도록 이격되어 설치된다.Here, the through
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 백라이트 유닛(11)을 도시한 것으로, 상기 발광다이오드 패키지(10)는 외부 회로기판(12) 등과 전기적으로 연결되어 작동되므로, 상기 발광다이오드 패키지(10)에 회로기판(12)이 연결되고, 이때 상기 회로기판(12)은 상기 발광다이오드 패키지(10)의 외측 상기 히트싱크(60)의 상면에 안착되어 조립되며, 상기 회로기판(12)의 접속부는 상기 히트싱크(60)와 금속리드(50)의 간극으로 삽입되어 상기 금속리드(50)와 연결된다.5 to 7 illustrate the
또, 상기 회로기판(12)의 상기 금속리드(50) 접속부에 상기 금속리드의 방향으로 볼록하게 돌출된 다수의 전극을 갖는 솔더링패드가 형성되어 상기 금속리드(50)와 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.In addition, a soldering pad having a plurality of electrodes projecting convexly in the direction of the metal lead is formed in the connection portion of the
또한, 상기 회로기판(12)과 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)는 상호 이격되어 설치되도록 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)의 상면에서 상방향으로 돌출된 스페이서부재(64)가 더 구비될 수도 있다.In addition, the
또, 상기 스페이서부재(64)는 상기 회로기판(12)의 하면에서 하방향으로 돌출되어 상기 스페이서부재(64)의 하단이 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)의 상면에 접해 상기 회로기판(12)과 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)를 상호 이격시키도록 될 수 있음은 물론이다.In addition, the
도 7은 다수의 발광다이오드 패키지(10)가 단일 회로기판(12)에 조립된 것을 나타낸 것이다.7 shows that a plurality of light emitting diode packages 10 are assembled to a
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 또 다른 실시 예들을 도시한 것으로, 도 8에 나타낸 본 발명은 상기 금속하우징(30)의 하면에 상기 히트스프레더(61)가 일체로 형성되어 상기 히트싱크(60)에 접합되는 것을 나타낸 것으로, 상기 금속하우징(30)과 히트스프레더(61)는 모두 구리 재질로 형성되고, 상기 히트싱크는 알루미늄 재질로 형성되므로, 상기 금속하우징(30)과 히트스프레더(61)가 일체 형성되어 상기 히트싱크(60)의 상면에 형성된 홈에 안착되도록 된다.8 and 9 illustrate still another embodiment according to the present invention. In the present invention shown in FIG. 8, the
도 9에 나타낸 본 발명은 상기 히트싱크(60)에 안착된 히트스프레더(61)의 하면에 냉각핀(63)이 체결된다.In the present invention illustrated in FIG. 9, the cooling
상기 냉각핀(63)은 다수의 판재가 상기 히트싱크에 수직되는 방향으로 배열되어 상기 다수의 냉각핀(63) 판재 사이로 공기가 유통되면서 냉각을 이루도록 구성된 것으로, 상기 히트스프레더(61)가 접합되는 부분의 히트싱크가 관통되고 이 관통구를 통해 상기 히트스프레더(61)와 연결된다.The cooling
또, 상기 냉각핀(63)은 상기 히트싱크(60)의 하면에 직접 연결될 수 있음은 물론이다.In addition, the cooling
다음에는 이와 같이 구성된 본 발명 발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛의 제작과정 및 작용을 설명한다.Next will be described the manufacturing process and operation of the light emitting diode package and a backlight unit using the same.
발광다이오드(20)의 방열을 돕도록 비교적 열전도도가 높은 구리 또는 구리 합금 등의 재질로 금속하우징(30)을 성형하고, 바람직하기로는 상기 금속하우징(30)의 표면에 은 피막을 입힌다.The
상기 금속하우징(30)의 하부를 이루는 저면벽(32)에 관통된 통공(35)과 금속리드 삽입용 요홈부를 통해 상기 금속하우징(30)의 양측으로 뻗는 금속리드(50)를 삽입 결합한다.The
상기 금속하우징(30)은, 구리 및 구리합금을 사출 성형하여 제작하는 것이 바람직하다.The
이때, 상기 금속리드(50)와 상기 금속하우징(30)이 절연되도록 전기절연성을 갖는 재질의 절연부재(51)를 상기 금속리드(50)의 상단부와 통공(35)의 상단 내측벽면 사이에 상기 금속리드(50)를 감싸도록 결합한다.At this time, the insulating
상기 금속리드(50)는, 구리 또는 구리합금 또는 철계 합금 또는 니켈-철 합금 또는 인바 합금 또는 코바 합금으로 이루어지는 군에서 선택하는 것이 바람직하다.The
또 상기 절연부재는 글라스 및 절연성 고분자로 이루어지는 군중에서 선택하는 것이 바람직하다.In addition, the insulating member is preferably selected from the group consisting of glass and insulating polymer.
상기 발광다이오드 패키지(10)를 히트싱크(60)의 어느 한 면에 형성된 히트스프레더의 상면에 밀착시켜 상기 발광다이오드(20)의 조립을 완료하며, 이때, 상기 발광다이오드 패키지(10)의 금속리드(50)는 상기 히트싱크(60)와 소정간격 이격되도록 구성되어 상기 금속리드(50)의 상면 및 하면을 통해 방열이 되고, 전기적 결선을 제공하여 회로기판(12)의 조립이 가능하도록 구성된다.The light emitting
상기 발광다이오드 패키지(10)와 히트싱크(60)가 결합된 상태에서 상기 발광다이오드(20)의 외부 상기 히트싱크(60)의 상면에 회로기판(12)이 체결된다.The
이때, 상기 회로기판(12)의 금속리드(50) 접속부 또는 솔더링패드가 상기 금속리드(50)의 하면에 전기적으로 접속되면서 상기 발광다이오드(20)와 상기 회로기 판(12)이 전기적으로 연결되어 백라이트 유닛(11)이 형성된다.In this case, the
여기서, 상기 발광다이오드 패키지(10)와 히트싱크(60) 상에 형성된 히트스프레더가 결합된 상태에서 상기 발광다이오드 패키지(10)의 금속리드(50)와 상기 히트싱크(60)의 상면 사이의 공간으로 상기 회로기판(12) 및 솔더링패드 부분을 밀어 넣어 상호 접합되도록 하는 표면실장형으로 상기 발광다이오드 패키지(10)와 회로기판(12)을 상호 결합함과 더불어, 전기적 연결을 이루도록 구성되는 것이 바람직하다.Here, the space between the
또, 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)의 상면에 안착되는 회로기판(12)은 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)의 상면에서 돌출된 스페이서부재(64)의 상단에 그 하면이 안착되면서 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)과 소정간격 이격되어 설치되고, 이 이격된 틈으로 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)에서 방출되는 열이 상기 회로기판(12)에 직접 영향을 주지 않고 외부로 방열된다.In addition, the
상기 회로기판(12) 또는 상기 회로기판(12)에 연결된 외부전원에서 전원이 인가되면 상기 회로기판(12)의 전기적 작용에 상기 발광다이오드 패키지(10)의 양측 금속리드(50)에 전압 차가 발생되면서 상기 양측 금속리드(50)에 연결된 전선 및 상기 발광다이오드(20)에 전류 통전을 위한 전기장이 형성되고, 이 전기장에서 발광된 빛이 상기 발광다이오드(20)의 외부로 조사된다.When power is applied from the
상기 발광다이오드에서 조사된 빛은 상기 발광다이오드의 개방된 외측 즉 상기 금속하우징(30)의 저면벽(32) 상부로 조사됨과 더불어, 상기 금속하우징(30)의 상부를 이루는 측면벽(31)에 형성된 경사면(33)에서 반사되면서 상기 금속하우징(30)의 상면 개구로 조사된다.The light irradiated from the light emitting diode is irradiated to the open outer side of the light emitting diode, that is, to the top of the
상기 금속하우징(30)의 상면 개구로 조사된 빛은 상기 상면개구의 상부에 형성된 렌즈(40)를 통해 반사 또는 굴절되면서 외부로 조사된다.Light irradiated to the upper surface opening of the
이때, 상기 발광다이오드(20)에 형성되는 전기장으로 인해 열이 발생되고, 상기 발광다이오드(20)에서 발생된 열은 상기 발광다이오드(20)의 외부로 방출된다.In this case, heat is generated due to the electric field formed in the
상기 발광다이오드(20)의 외부로 방출된 열은 상기 발광다이오드(20)를 감싸고 있는 금속하우징(30)과 렌즈(40) 등에 전달되거나 발광다이오드(20)의 주변에 대류되면서 지속적으로 가열된다.Heat emitted to the outside of the
상기 금속하우징(30)에 전달된 열은 상기 금속하우징(30)의 외측 외표면 등을 통해 외부로 방출되어 냉각되고, 또 상기 금속하우징(30)의 하면을 통해 전달된 열은 상기 금속하우징(30)의 하면에 밀착된 히트 스프레더와 히트싱크(60)로 전달된다.The heat transferred to the
이때, 상기 히트싱크(60)의 상면에 히트스프레더(61)가 접합됨에 따라 상기 금속하우징(30)에서 전달된 열은 상기 히트스프레더(61)로 전달되어 상기 히트스프레더(61)가 외부로 노출된 전면을 통해 냉각된다.At this time, as the
또, 상기 히트스프레더(61)에서 미처 냉각되지 못한 열은 상기 히트싱크(60)로 전달되고, 상기 히트싱크(60)로 전달된 열은 상기 히트싱크(60)의 하면을 통해 외부로 방출된다.In addition, heat that has not been cooled by the
또한, 상기 히트싱크(60)의 하면에 확장방열판(62)이 부착된 경우, 상기 히트싱크(60)의 하면의 표면적이 보다 확장되므로, 상기 확장된 히트싱크(60) 및 확장방열판(62)의 전면을 통해 보다 원활히 열이 방출되어 상기 발광다이오드 패키지(10)가 냉각된다.In addition, when the
또, 상기 금속하우징(30)에 전달된 열 중에서 일부 열은 상기 금속하우징(30)의 양측으로 관통된 통공(35)을 통해 외부로 방출되어 냉각되며, 상기 발광다이오드(20)의 주위로 대류되는 열 중 일부는 상기 발광다이오드(20)의 양측부에 체결된 금속리드(50)로 전달된다.In addition, some of the heat transferred to the
상기 금속리드(50)로 전달된 열은 상기 금속리드(50)의 형상에 따라 상기 통공(35)을 통해 상기 발광다이오드 패키지(10)의 외부로 돌출된 금속리드(50)의 상면 및 하면으로 전달되어 상기 발광다이오드 패키지(10)의 외부로 노출된 금속리드(50)의 상/하면을 통해 상기 열이 방출되면서 냉각된다.The heat transferred to the
또한, 상기 금속하우징(30)의 상부 측면벽(31)에 통공(35)이 형성된 경우, 상기 발광다이오드(20)에서 발생된 열이 대류되면서 상기 금속하우징(30) 개구부의 상부로 상승되고, 이 상승된 열이 상기 금속하우징(30)의 상부에 개구된 통공(35)을 통해 외부로 방출되면서 냉각된다.In addition, when the through-
또, 상기 금속하우징(30)과 히트스프레더(61)가 일체로 형성된 경우, 상기 발광다이오드(20)에서 발생되어 금속하우징(30)으로 전달된 열이 상기 금속하우징(30)의 외표면을 통해 방출됨과 더불어, 상기 금속하우징(30)에 일체로 형성된 히트스프레더(61)에 전달되어 상기 금속하우징(30) 외측에 위치된 히트스프레더(61) 의 외표면을 통해 외부로 방출되면서 냉각된다.In addition, when the
또한, 상기 금속하우징(30) 또는 히트스프레더(61)의 하면에 냉각핀(63)이 형성된 경우, 상기 금속하우징(30) 또는 히트스프레더(61)에 전달된 열이 상기 냉각핀(63)으로 전달되고, 상기 냉각핀(63)으로 전달된 열이 냉각핀(63)의 공기유통로로 유통되는 공기에 의해 냉각되면서 상기 금속하우징(30)이 냉각된다.In addition, when the cooling
이에 따라, 상기 발광다이오드(20)에서 발생되는 열이 비교적 열전도도가 높은 구리 등의 재질로 형성된 금속하우징(30)을 통해 외부로 방출되면서 냉각되고, 상기 금속하우징(30)의 양측 외부로 관통된 통공(35)을 통해 방출되면서 상기 발광다이오드 패키지(10)가 보다 높은 효율로 냉각됨에 따라, 상기 발광다이오드(20)의 발열로 인해 제한된 발광효율을 보다 증가시켜 사용하게 된다.Accordingly, the heat generated from the
또, 상기 발광다이오드(20)에서 발생된 열이 금속하우징(30)과 통공(35)을 통해 외부로 방출되어 냉각됨은 물론, 상기 금속하우징(30)에 접한 히트싱크(60)에 의해 외부로 방출되면서 냉각을 이루도록 되어 상기 발광다이오드 패키지(10)의 냉각효율이 증가된다.In addition, the heat generated from the
또한, 상기 히트싱크(60)의 상면 및 하면에 보다 높은 효율로 열을 방출하는 히트스프레더(61)와 확장방열판(62)이 더 부착됨에 따라, 상기 발광다이오드 패키지(10)의 냉각효율을 더욱 증가시킬 수 있다.In addition, as the
또, 상기 금속하우징(30)에 히트스프레더(61)를 일체로 형성하여 열의 전달효율을 향상시켜 그 냉각효율을 더 증가시킬 수 있고, 상기 히트싱크(60) 또는 히트스프레더(61)에 냉각핀(63)을 더 부착하여 상기 냉각핀(63)의 공기 유통을 통한 냉각으로 상기 발광다이오드 패키지(10)의 냉각효율을 보다 증가시킬 수 있다.In addition, the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.As described above, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various modifications can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, such changes are within the scope of the claims.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 적용되는 발광다이오드를 수용하는 금속하우징이 구리 등의 열전도도가 높은 재질로 형성되어 상기 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 냉각효율이 향상되는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the metal housing for accommodating the light emitting diode package and the light emitting diode applied to the backlight unit is formed of a material having high thermal conductivity such as copper, thereby improving cooling efficiency of the light emitting diode package and the backlight unit. It works.
본 발명의 다른 효과는, 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 적용되는 금속하우징에 내부와 외부로 관통되는 통공이 형성되고, 이 통공을 통해 상기 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 내부의 열이 방출되도록 됨에 따라 상기 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 냉각효율이 향상되는 효과가 있다.Another effect of the present invention, the through-holes are formed in the metal housing applied to the light emitting diode package and the backlight unit to the inside and the outside, through the through the heat is to be discharged in the light emitting diode package and the backlight unit The cooling efficiency of the light emitting diode package and the backlight unit is improved.
본 발명의 또 다른 효과는, 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 적용되는 금속하우징에 통공이 관통 형성되고, 이 통공으로 금속리드가 외부로 돌출 형성됨에 따라, 상기 통공을 통해 열이 방출됨과 더불어, 상기 금속리드의 외측 전체면을 통해 열이 방출되어 상기 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 냉각효율이 더욱 향상되는 효과가 있다.Another effect of the present invention, through the through-hole is formed in the metal housing applied to the light emitting diode package and the backlight unit, as the metal lead protrudes to the outside, the heat is released through the through, Heat is emitted through the entire outer surface of the metal lead to further improve the cooling efficiency of the LED package and the backlight unit.
본 발명의 다른 효과는, 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 금속하우징이 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 외부의 히트싱크에 안착됨에 따라, 상기 금속하우징의 열이 보다 넓은 면적을 갖는 히트싱크 및 상기 히트싱크의 열전도도를 높이는 히트스프레더 또는 확장방열판을 통해 외부로 방출되면서, 상기 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 냉각효율이 향상되는 효과가 있다.Another effect of the present invention is that as the metal housing of the light emitting diode package and the backlight unit is seated on the heat sink outside the light emitting diode package and the backlight unit, the heat sink and the heat sink having a larger area of heat of the metal housing While emitted to the outside through a heat spreader or an expansion heat sink to increase the thermal conductivity, there is an effect that the cooling efficiency of the light emitting diode package and the backlight unit is improved.
본 발명의 또 다른 효과는, 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 금속하우징에 히트스프레더가 일체로 형성되어 상기 금속하우징의 열 방출 효율이 더욱 증가되는 효과가 있다.Another effect of the present invention is that the heat spreader is integrally formed in the metal housing of the light emitting diode package and the backlight unit, thereby increasing the heat dissipation efficiency of the metal housing.
본 발명의 다른 효과는, 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 금속하우징에 접합되는 히트싱크 또는 히트스프레더에 냉각핀이 더 부착되어 상기 냉각핀의 공기 유통을 통한 냉각으로 상기 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛의 냉각효율이 더욱 증가되는 효과가 있다.Another effect of the present invention, the cooling fins are further attached to a heat sink or heat spreader bonded to the metal housing of the light emitting diode package and the backlight unit to cool the light emitting diode package and the backlight unit by cooling through the air flow of the cooling fins. The efficiency is further increased.
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