KR100679008B1

KR100679008B1 - Cleaning composition for semiconductor device

Info

Publication number: KR100679008B1
Application number: KR1020050041697A
Authority: KR
Inventors: 유청
Original assignee: 유청
Priority date: 2005-05-18
Filing date: 2005-05-18
Publication date: 2007-02-06
Anticipated expiration: 2025-05-18
Also published as: KR20060119117A

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 CMP(chemical-mechanical polishing) 후 세정 및 LCD 및 TV 브라운관의 세정에 사용되는 스핀 세정조성물에 관한 것으로서, 불산을 함유하는 기존 세정조성물의 금속이온 세정기능에 입자세정 및 입자 재흡착 방지효과를 부가하기 위하여 비이온계면활성제와 무기요오드화합물을 함유하는 세정조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a spin cleaning composition used for cleaning after chemical-mechanical polishing (CMP) of a wafer and to cleaning LCD and TV CRTs. The present invention relates to particle cleaning and particle resorption in the metal ion cleaning function of an existing cleaning composition containing hydrofluoric acid. The present invention relates to a cleaning composition containing a nonionic surfactant and an inorganic iodine compound in order to add a protective effect.

반도체 CMP, 세정, 파티클 재흡착 Semiconductor CMP, Cleaning, Particle Resorption

Description

Cleaning composition for semiconductor device

도 1은 시험예 1의 실험결과를 나타낸 그래프이다.1 is a graph showing the experimental results of Test Example 1.

도 2는 시험예 2의 실험결과를 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing the experimental results of Test Example 2.

본 발명은 웨이퍼의 CMP(chemical-mechanical polishing) 후 세정 및 LCD 및 TV 브라운관의 세정에 사용되는 세정조성물에 관한 것으로, 불산을 함유하는 기존 세정조성물의 금속이온 세정기능에 입자세정효과를 부가하기 위하여 비이온 계면활성제와 무기 요오드 화합물을 함유하는 세정 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning composition used for cleaning after chemical-mechanical polishing (CMP) of a wafer and for cleaning LCD and TV CRTs, in order to add a particle cleaning effect to the metal ion cleaning function of an existing cleaning composition containing hydrofluoric acid. A cleaning composition containing a nonionic surfactant and an inorganic iodine compound.

CMP(chemical-mechanical polishing) 과정에서 발생하는 슬러리 입자에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면오염은 디바이스(device) 또는 웨이퍼링(wafering) 공정에서 수율을 저하시키는 요인으로 작용한다.Surface contamination of silicon wafers by slurry particles generated during chemical-mechanical polishing (CMP) acts as a factor of lowering yield in a device or wafering process.

종래에는 CMP 공정 후 웨이퍼의 입자세정을 위하여 웨트스테이션(Wet- station) 하에서 SC-1(standard clean 1)의 화학적 작용과 초음파의 물리적 작용을 이용하였다. 그러나, 상기 방법은 웨이퍼에서 제거된 입자가 세정액 내에 항상 공존해 있기 때문에 세정력에 한계가 있다. 즉, 웨이퍼에 흡착된 형태로 세정액 내로 유입되는 입자들이 많으면 많을수록 세정액 내에서 입자의 재흡착 가능성은 더욱 증가하고 더불어 입자의 제거능력도 급격히 하락할 수밖에 없다. 따라서 CMP 후 웨이퍼상의 오염을 최소화 한 후 웨트스테이션(Wet-station)을 사용한 세정을 실시하는 것이 바람직하다.Conventionally, the chemical action of SC-1 (standard clean 1) and the physical action of ultrasonic wave were used under a wet station for cleaning the wafer particles after the CMP process. However, the method has a limited cleaning power because the particles removed from the wafer always coexist in the cleaning liquid. That is, the more particles are introduced into the cleaning solution in the form of adsorption on the wafer, the more likely the particles are to be resorbed in the cleaning solution, and the removal ability of the particles is inevitably declining. Therefore, after the CMP, it is desirable to perform cleaning using a wet-station after minimizing contamination on the wafer.

이를 실현하기 위해 현재 디바이스 공정에서는 CMP 직후 폴리셔(polisher) 내에서 1차로 탈이온수(Deionized Water; DIW) 또는 SC-1(Standard Clean-1,APM), DHF(Dilute HF)를 사용한 브러쉬 수세(brush scrubbing) 또는 스핀세정(spin cleaning), 초순수 스프레이 세정 등으로 세정을 진행하고, 2차로 다시 수산화암모늄, 과산화수소수 및 순수의 혼합물로 이루어진 SC-1과 불산(HF)를 사용하여 웨트-벤치(wet-bench)에서 세정하는 공정을 진행하고 있다. 상기 SC-1은 Si 표면을 친수성으로 변화시켜 입자 제거가 용이하도록 하고 불산(HF)은 SC-1에서 발생하는 Si 표면의 화학적 산화물(chemical oxide)을 제거하기 위해 사용된다.In order to achieve this, current device processes require brush flushing with deionized water (DIW), SC-1 (Standard Clean-1, APM) or Dilute HF (DHF) first in a polisher immediately after CMP. Brush scrubbing or spin cleaning, ultra-pure spray cleaning, etc., followed by a second wet-bench (HF) using SC-1 and hydrofluoric acid (HF), a mixture of ammonium hydroxide, hydrogen peroxide and pure water. cleaning process in a wet-bench). The SC-1 changes the Si surface to be hydrophilic to facilitate particle removal, and hydrofluoric acid (HF) is used to remove chemical oxides on the Si surface generated in SC-1.

그러나, 현재 사용되는 CMP 직후 CMP 장비내 세정(이하, PIC로 표현: polisher in-situ cleaning)은 단순한 상온의 SC-1을 기반으로 하는 세정방법으로서, 웨이퍼 표면의 친수화에는 탁월하나 입자오염물의 제거효과는 부족한 면이 있다. 그 이유는 SC-1의 입자오염물 제거경로가 수산기에 의한 웨이퍼 표면의 에칭에 의한 리프트-오프(lift-off)작용과 과산화수소에 의한 실리콘의 산화작용들의 반복 에 의한 것이므로 암모니아수에 해리된 수산기는 상온에서는 실리콘과 반응성이 극히 미약하여 에칭능력을 기대할 수 없기에 온도를 높여 주어야만 그 효과을 기대할 수 있기 때문이다. 물론 D-HF는 상온에서도 실리콘 표면에 대한 에칭능력이 있지만 불산은 웨이퍼 표면을 소수성으로 만들므로 입자오염물의 탈착률과 재흡착률에 있어 큰 차이가 없으므로 세정효율에 있어 상온의 SC-1과 차별성이 없다.However, the current CMP cleaning in CMP equipment (hereinafter referred to as PIC: polisher in-situ cleaning) is a simple cleaning method based on SC-1 at room temperature, which is excellent for hydrophilization of wafer surface, The elimination effect is insufficient. This is because the particle contamination removal path of SC-1 is due to the repetition of the lift-off action by etching the wafer surface by hydroxyl groups and the oxidation of silicon oxides by hydrogen peroxide. Esau is extremely weak with silicon, so the etching ability cannot be expected, so the effect can be expected only by increasing the temperature. Of course, D-HF has the ability to etch silicon surface even at room temperature, but hydrofluoric acid makes the wafer surface hydrophobic, so there is no big difference in the desorption rate and resorption rate of particle contaminants. There is no

그러므로, 입자제거능과 재흡착방지 효과가 있는 세정조성물의 개발이 시급한 실정이다.Therefore, it is urgent to develop a cleaning composition having particle removal ability and anti-adsorption effect.

상기 문제점을 극복하기 위하여 본 발명은 화학적, 기계적 연마(CMP) 공정 후에 웨이퍼 세정공정에서 입자 오염물의 효과적인 제거와 제거된 입자의 재흡착을 방지할 수 있는 세정 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to overcome the above problems, an object of the present invention is to provide a cleaning composition capable of preventing effective removal of particle contaminants and resorption of removed particles in a wafer cleaning process after a chemical and mechanical polishing (CMP) process.

또한, 본 발명의 목적은 CMP 장비 내에서 폴리싱 공정 후에 적용할 수 있는 세정 조성물을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a cleaning composition that can be applied after a polishing process in a CMP apparatus.

또한, 본 발명의 목적은 브러쉬 세정, 스핀-스테이션(spin-station) 세정, 노즐스프레이(nozzle spraying) 방식에 사용할 수 있으며, 디바이스의 CMP 공정 후 세정, 웨이퍼링 업체의 연마공정 후 세정, LCD 세정공정, TV 브라운관 세정공정에 적용될 수 있는 세정 조성물을 제공하는 것이다.In addition, the object of the present invention can be used for brush cleaning, spin-station cleaning, nozzle spraying method, cleaning after the CMP process of the device, cleaning after the polishing process of the wafering company, LCD cleaning It is to provide a cleaning composition that can be applied to the process, TV CRT cleaning process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명자는 불산을 기본으로 하는 FPM(fluoric acid peroxide mixture, 불산과수) 조성물에 비이온 계면활성제, 요오드 화합물과 초순수를 혼합하여 입자세정능과 금속이온 세정력이 뛰어난 세정용 조성물을 제조하였다.In order to achieve the above object, the present inventors are mixed with a nonionic surfactant, an iodine compound and ultrapure water in a hydrofluoric acid based FPM (fluoric acid peroxide mixture) composition, and excellent cleaning ability of particles and metal ions A composition for preparation was prepared.

본 발명은 49% 농도의 불산 0.05 ~ 0.5부피%, 30% 농도의 과산화수소 1 ~ 50부피% 무기 요오드 화합물 5~500㎍/㎖, 비이온 계면활성제 10~1000㎍/㎖와 잔량의 초순수를 포함하는 반도체 소자의 세정 조성물에 관한 것이다.The present invention comprises 49% of hydrofluoric acid 0.05 to 0.5% by volume, 30% of hydrogen peroxide 1 to 50% by volume of inorganic iodine compound 5 ~ 500㎍ / ㎖, 10-1000㎍ / ㎖ nonionic surfactant and residual ultrapure water It relates to a cleaning composition for a semiconductor device.

또한, 본 발명은 상기 비이온 계면활성제가 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올 에톡실레이트(ethoxylates of 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol, EO=1~30) 및/또는 2,5,8,11-테트라에틸-6-도데신-5,8-디올 에톡실레이트(ethoxylates of 2,5,8,11-tetramethyl-6-dodecyn-5,8-diol, EO=1~4)인 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is the non-ionic surfactant is 2,4,7,9-tetramethyl-5-decine-4,7-diol ethoxylate (ethoxylates of 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne -4,7-diol, EO = 1-30) and / or 2,5,8,11-tetraethyl-6-dodecine-5,8-diol ethoxylates of 2,5,8,11 -tetramethyl-6-dodecyn-5,8-diol, EO = 1 to 4).

상기 무기 요오드 화합물은 용액 상에서 해리되어 요오드 음이온으로 존재하여 실리콘 표면 또는 유기물과 라디칼 반응을 통해 파티클과 유기물의 탈착을 촉진하는 촉매제 역할을 하며, 과량 사용하면 소수성 상태의 실리콘 웨이퍼 표면에 불균일 에칭을 유발하여 결함이 생기므로 5~500㎍/㎖ 함량을 첨가한다.The inorganic iodine compound dissociates in solution and is present as an iodine anion to serve as a catalyst for promoting desorption of particles and organics through radical reaction with the silicon surface or organic matter, and when used in excess, causes uneven etching on the surface of the hydrophobic silicon wafer. Since a defect occurs, add a content of 5 ~ 500㎍ / ㎖.

그러나, 친수성 상태(실리콘 산화층이 존재하는 상태)의 실리콘 웨이퍼나 LCD 기판, TV 브라운관의 경우 그 사용량을 10000㎍/㎖ 까지 투입하여도 무방하나 그 이상은 파티클 제거효율에 있어서 더 좋아지지 않으므로 세정원가 측면에서 불리하고 무의미하다.However, in the case of a hydrophilic silicon wafer, an LCD substrate, or a TV CRT, the amount used may be added up to 10000 µg / ml, but more than that does not improve the particle removal efficiency. It is disadvantageous and meaningless in terms of aspect.

뿐만 아니라, 본 발명은 상기 세정조성물에 대하여 지방족 폴리하이드릭알코올(aliphatic polyhydric alcohol) 계열의 비이온성 계면활성제 0.1~10000㎍/㎖를 부가하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the aliphatic polyhydric alcohol (aliphatic polyhydric alcohol) -based nonionic surfactant 0.1 to 10,000 g / ㎖ is added to the cleaning composition.

상기 지방족 폴리하이드릭 알코올계 비이온성 계면활성제는 CMP 중 흡착된 입자 오염물이 건조되어 웨이퍼 표면에 완전히 고착되는 현상을 방지하여 SC-1 등을 사용한 습식세정에서 상기 입자들이 원활히 제거되도록 하는 역할과 웨이퍼 표면이 공기에 노출되는 동안 파티클과 무기금속이온의 재흡착을 방지하는 역할을 한다. 따라서, 상기 지방족 폴리하이드릭 알코올계 비이온성 계면활성제는 스핀 세정을 마지막 세정공정으로 채택한 공정에서는 사용될 수 없고, 2차 습식세정이 도입된 공정에서만 사용이 가능하다.The aliphatic polyhydric alcohol-based nonionic surfactant prevents the particle contaminants adsorbed in the CMP from drying completely and adheres to the surface of the wafer so that the particles are smoothly removed in wet cleaning using SC-1. It serves to prevent the resorption of particles and inorganic metal ions while the surface is exposed to air. Therefore, the aliphatic polyhydric alcohol-based nonionic surfactant cannot be used in a process in which spin cleaning is adopted as the last cleaning process, and can be used only in a process in which secondary wet cleaning is introduced.

상기 폴리하이드릭 알콜은 2 내지 6 개의 하이드록실기, 바람직하게는 2 내지 3 개의 하이드록실기를 함유할 수 있다. 사용가능한 폴리하이드릭 알콜계열 계면활성제로는 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜프로필에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜프로필에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜프로필에테르, 디프로필렌글리콜부틸에테르 등이 있으며, 바람직하게는 프로필렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르를 사용한다.The polyhydric alcohol may contain 2 to 6 hydroxyl groups, preferably 2 to 3 hydroxyl groups. Examples of the polyhydric alcohol-based surfactants that can be used include ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol propyl ether, ethylene glycol butyl ether, propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol propyl ether, and propylene glycol butyl ether. Diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol propyl ether, diethylene glycol butyl ether, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol ethyl ether, dipropylene glycol propyl ether, dipropylene glycol butyl ether, and the like. Preferably, propylene glycol butyl ether and diethylene glycol butyl ether are used.

이하, 실시예를 통하여 본 발명의 구성을 상세히 설명한다, 그러나 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail through examples, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.

실시예 1: 실리콘 웨이퍼의 연마 및 전처리Example 1 Polishing and Pretreatment of Silicon Wafers

슬러리 입자에 오염된 ICW (intentionally contaminated wafer)를 제작하기 위해 70℃의 APM(NH₄OH:H₂O₂:D.I.W=1:3:20) 세정액에서 6분간 세정한 웨이퍼 중에서 표면에 스크레치가 없고, 크기가 0.12mm 이상의 입자가 100개 이하인 웨이퍼만을 선별하였다. 선별된 웨이퍼를 직경이 0.1mm ~ 0.5mm인 실리카 슬러리와 알루미나 슬러리로 폴리싱(polishing)한 후 육안 검사를 통해 표면에 물리적인 결함이 있는 웨이퍼는 선별, 제거하였다. 실리카 슬러리와 알루미나 슬러리에 의해 오염된 웨이퍼는 웨이퍼 표면의 입자가 약 100000개(0.12mm 이상의 크기) 수준인 ICW 웨이퍼를 제작하였다.In order to fabricate intentionally contaminated wafers (ICW) contaminated with slurry particles, there were no scratches on the surface of wafers cleaned for 6 minutes in 70 ° C APM (NH ₄ OH: H ₂ O ₂ : DIW = 1: 3: 20) cleaning solution. Only wafers having a size of 0.12 mm or more and 100 or less particles were selected. The selected wafers were polished with silica and alumina slurries with a diameter of 0.1 mm to 0.5 mm, and then visually inspected to remove and remove wafers with physical defects on the surface. The wafers contaminated with the silica slurry and the alumina slurry produced ICW wafers having about 100,000 particles (size of 0.12 mm or more) on the wafer surface.

실시예 2: 세정조성물 제조Example 2: Preparation of Cleaning Composition

불산 0.1%(v/v, 49% 원액 기준), 과산화수소 2%(v/v, 30% 원액 기준), 요오드화 암모늄 250㎍/㎖, 비이온 계면활성제로 2,5,8,11-테트라에틸-6-도데신-5,8-디올 에톡실레이트 (EO=4) 100㎍/㎖ 및 잔량의 초순수를 혼합하여 세정제 조성물을 제조하였다.0.1% hydrofluoric acid (v / v, based on 49% stock), 2% hydrogen peroxide (v / v, based on 30% stock), 250 μg / ml ammonium iodide, 2,5,8,11-tetraethyl as nonionic surfactant A cleaning composition was prepared by mixing 100 µg / ml of -6-dodecine-5,8-diol ethoxylate (EO = 4) and the remaining ultrapure water.

상기 요오드화 암모늄 화합물과 계면활성제는 0.05mm의 공극 크기를 가진 밀리포어 파티클 필터로 여과하여 사용하였다. 또한, 초순수는 18.3MW의 저항을 가진 극초순수로 0.02mm 필터로 여과하여 사용하였다.The ammonium iodide compound and the surfactant were used by filtration with a Millipore particle filter having a pore size of 0.05 mm. In addition, ultrapure water was used as the ultrapure water having a resistance of 18.3MW, filtered through a 0.02mm filter.

실시예 3: 세정조성물 제조Example 3: Preparation of Cleaning Composition

불산 0.1%(v/v, 49% 원액 기준), 과산화수소 2%(v/v, 30% 원액 기준), 요오드화 브롬 250㎍/㎖, 비이온 계면활성제로 2,5,8,11-테트라에틸-6-도데신-5,8-디올 에톡실레이트 (EO=4) 100㎍/㎖ 및 잔량의 초순수를 혼합하여 세정제 조성물을 제조하였다.0.1% hydrofluoric acid (v / v, 49% stock solution), hydrogen peroxide 2% (v / v, 30% stock solution), bromine iodide 250µg / ml, 2,5,8,11-tetraethyl as nonionic surfactant A cleaning composition was prepared by mixing 100 µg / ml of -6-dodecine-5,8-diol ethoxylate (EO = 4) and the remaining ultrapure water.

실시예 4: 세정제 조성물 Example 4: Detergent Composition

불산 0.1%(v/v, 49% 원액 기준), 과산화수소 2%(v/v, 30% 원액 기준), 요오드화 암모늄 250㎍/㎖, 비이온 계면활성제로 2,5,8,11-테트라에틸-6-도데신-5,8-디올 에톡실레이트 (EO=4) 100㎍/㎖, 비이온 계면활성제인 디에틸렌글리콜부틸에테르 1000㎍/㎖ 및 잔량의 초순수를 혼합하여 세정제 조성물을 제조하였다.0.1% hydrofluoric acid (v / v, based on 49% stock), 2% hydrogen peroxide (v / v, based on 30% stock), 250 μg / ml ammonium iodide, 2,5,8,11-tetraethyl as nonionic surfactant A cleaning composition was prepared by mixing 100 µg / ml of -6-dodecine-5,8-diol ethoxylate (EO = 4), 1000 µg / ml of diethylene glycol butyl ether as a nonionic surfactant, and the remaining amount of ultrapure water. .

시험예 1: 입자 세정력 측정Test Example 1: Measurement of Particle Cleaning Force

상기 실시예 1에서 제조된 ICW 웨이퍼를 분사노즐을 통해 스핀스테이션(spin-station) 내에서 상온에서 1.5분간 세정하고 1분간 린스하는 방식으로 세정을 실시하였다(polisher in-situ cleaning process; PIC 공정). 스핀세정기(spin cleaner)는 세정액을 분당 100㎖ 투입하고, 회전은 초당 500회로 고정하고 건조시에는 4000rpm으로 실시하였다.The ICW wafer prepared in Example 1 was cleaned by spraying nozzles in a spin-station for 1.5 minutes at room temperature and then rinsed for 1 minute (polisher in-situ cleaning process; PIC process). . The spin cleaner was charged with 100 ml of cleaning solution per minute, the rotation was fixed at 500 times per second, and the drying was performed at 4000 rpm.

그리고 상기 PIC공정 후에 웨트-벤치(Rinse-(SC-1)-(SC-1)-rinse-SC2-rinse-Spin dry) 세정을 반복적으로 실시하였다.After the PIC process, wet-bench (Rinse- (SC-1)-(SC-1) -rinse-SC2-rinse-Spin dry) cleaning was repeatedly performed.

분사노즐을 통해 분사되는 세정용액으로 실시예 2의 조성물과 비교예로 상온의 SC-1(standard cleaing-1) 조성물(NH₄OH 1%/ H₂0₂ 1%/D.I.water 98%)을 각각 사용하여 입자 제거능력을 측정하여 도 1에 나타내었다. 도 1에서 PIC(polisher in-situ cleaning)는 CMP공정과 세정을 한번에 실시하는 과정을 일컫는 것이다.SC-1 (standard cleaing-1) composition (NH ₄ OH 1% / H ₂ 0 ₂ 1% / DIwater 98%) at room temperature in the comparative example and the composition of Example 2 as a cleaning solution sprayed through the injection nozzle Particle removal capacity was measured using the same as shown in FIG. 1. In FIG. 1, the polisher in-situ cleaning (PIC) refers to a process of performing a CMP process and cleaning at once.

도 1에서 확인할 수 있듯이 입자에 대한 PIC 과정에서의 제거 효율의 증가는 다음의 웨트-벤치 세정공정에서도 유사한 결과를 나타냈다. 상기 결과는 현격한 차이로서 비교예 SC-1 조성물의 스핀세정 직후의 웨이퍼 표면에 0.12㎛ 이상 크기의 입자 수는 실리카와 알루미나 모두 약 60000개(Tencor Image를 통한 추정치)인 반면 실시예 2의 조성물에 의한 세정 후에는 각각 300개와 600개 수준으로 실리카 입자의 경우 SC-1 세정 후 첫 번째 웨트-벤치(Wet-bench)를 거친 웨이퍼에 비해서도 낮은 수준임을 확인하였다.As can be seen in Figure 1 the increase in removal efficiency in the PIC process for the particles showed similar results in the following wet-bench cleaning process. The result is a noticeable difference in that the number of particles having a size of 0.12 μm or more on the wafer surface immediately after spin cleaning of the Comparative Example SC-1 composition was about 60000 (estimated through Tencor Image) for both silica and alumina, whereas the composition of Example 2 After cleaning by the 300 and 600 levels, respectively, the silica particles were confirmed to be lower than the wafer after the first wet-bench (Wet-bench) after the SC-1 cleaning.

시험예 2: 지방족 폴리하이드릭 알코올계 비이온성 계면활성제의 입자제거능 측정Test Example 2: Determination of Particle Removal Capacity of Aliphatic Polyhydric Alcohol-based Nonionic Surfactant

본 시험예는 지방족 하이드릭 알코올계 비이온성 계면활성제의 사용에 따른 입자제거 효과를 측정하였다. 상기 실시예 2의 세정조성물과 실시예 4의 조성물을 사용하여 시험예 1과 동일한 방법으로 스핀 세정한 후 입자세정 효과를 측정하고 도 3에 나타내었다.This test example measured the particle removal effect of using an aliphatic hydric alcohol-based nonionic surfactant. After the spin cleaning in the same manner as in Test Example 1 using the cleaning composition of Example 2 and the composition of Example 4, the particle cleaning effect was measured and shown in FIG.

도 2에서 실시예 4의 조성물이 입자세정효과가 우수함을 알 수 있었다.In Figure 2 it can be seen that the composition of Example 4 has excellent particle cleaning effect.

본 발명은 불산세정 조성물에 계면활성제 및 파티클 제거제 등을 함유하여 금속이온 제거능력과 입자 재흡착 및 입자제거에 효과적인 세정조성물을 제공할 수 있다.The present invention may include a surfactant and a particle remover in the hydrofluoric acid cleaning composition to provide a cleaning composition effective for removing metal ions, resorbing particles, and removing particles.

또한, 본 발명은 저농도의 불산을 함유하는 세정 조성물을 제공하므로 실리콘 표면의 에칭효과를 최소화하고 입자 오염물과 금속 오염물의 세정을 극대화할 수 있다.In addition, since the present invention provides a cleaning composition containing a low concentration of hydrofluoric acid, it is possible to minimize the etching effect of the silicon surface and to maximize the cleaning of particle contaminants and metal contaminants.

또한, 본 발명의 세정 조성물은 웨이퍼의 CMP 직후 CMP 장비내 세정(PIC)에 도입하여 세정효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the cleaning composition of the present invention can be introduced into the CMP equipment cleaning (PIC) immediately after the CMP of the wafer to improve the cleaning efficiency.

또한, 본 발명 조성물은 스핀세정, 브러쉬세정, 노즐세정 방식의 세정에 효과적인 세정조성물을 제공할 수 있다.In addition, the composition of the present invention can provide a cleaning composition effective for cleaning the spin cleaning, brush cleaning, nozzle cleaning method.

Claims

A semiconductor device comprising from 0.05% to 0.5% by volume of hydrofluoric acid at 49% concentration, from 1 to 50% by volume of hydrogen peroxide at a concentration of 30% to 5 to 500 µg / ml of inorganic iodine compound, 10 to 1000 µg / ml of nonionic surfactant, and a residual amount of ultrapure water Cleaning composition.

The method of claim 1, wherein the nonionic surfactant is 2,4,7,9-tetramethyl-5-decine-4,7-diol ethoxylate (ethoxylates of 2,4,7,9-tetramethyl-5- decyne-4,7-diol, EO = 1-30) and / or 2,5,8,11-tetraethyl-6-dodecine-5,8-diol ethoxylates of 2,5,8, 11-tetramethyl-6-dodecyn-5,8-diol, EO = 1 to 4) A semiconductor device cleaning composition, characterized in that.

The cleaning composition according to claim 1 or 2, wherein an aliphatic polyhydric alcohol-based nonionic surfactant is added in an amount of 0.1-10000 µg / ml to the cleaning composition.