KR100662056B1 - Local cleaning device and local cleaning method of wafer - Google Patents
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Abstract
초기세정 후 웨이퍼 외곽부에 잔류하는 파티클을 국부세정용 플라즈마 발생기를 이용하여 제거함으로써 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 국부세정장치 및 국부세정방법을 개시한다. 웨이퍼의 국부세정장치는 웨이퍼에 대해 국부적으로 플라즈마를 공급할 수 있는 국부세정용 플라즈마 발생기를 장착한 국부세정용 반응챔버를 마련한 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 웨이퍼의 국부세정방법은, 소정의 공정을 진행하고 초기세정을 진행한 웨이퍼를 국부세정용 반응챔버로 로딩하는 단계; 국부세정용 플라즈마 발생기에서 세정가스를 플라즈마 상태로 만드는 단계; 플라즈마를 웨이퍼의 외곽부에 공급하여 세정하는 단계; 및 세정단계에서 발생된 반응가스를 국부세정용 반응챔버의 외부로 배출하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼 외곽부에 누적되는 파티클을 제거하여 웨이퍼 외곽부에서의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 세정이 웨이퍼 외곽부에서 국부적으로 이루어지므로 전면세정시 발생할 수 있는 플라즈마 세정가스에 의한 웨이퍼 손상을 방지하여 반도체소자의 특성을 향상시킬 수 있다. Disclosed are a wafer local cleaning apparatus and a local cleaning method capable of improving the yield of a semiconductor device by removing particles remaining in the outer portion of the wafer after initial cleaning using a local cleaning plasma generator. The local cleaning apparatus for the wafer is characterized by providing a local cleaning reaction chamber equipped with a local cleaning plasma generator capable of locally supplying plasma to the wafer. In addition, the local cleaning method of the wafer according to the present invention comprises the steps of: performing a predetermined process and loading the wafer subjected to the initial cleaning to the local cleaning reaction chamber; Making the cleaning gas into a plasma state in a local cleaning plasma generator; Supplying the plasma to an outer portion of the wafer and cleaning the plasma; And discharging the reaction gas generated in the washing step to the outside of the reaction chamber for local cleaning. According to the present invention, it is possible to remove the particles accumulated in the wafer outer portion to improve the yield at the wafer outer portion. In addition, since the cleaning is performed locally at the outer edge of the wafer, it is possible to prevent damage to the wafer due to the plasma cleaning gas that may occur during front cleaning, thereby improving the characteristics of the semiconductor device.
플라즈마, 국부, 세정Plasma, local, clean
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 국부세정장비를 개략적으로 도시한 도면, 1 is a view schematically showing a local cleaning equipment according to a first embodiment of the present invention,
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 국부세정장비를 개략적으로 도시한 도면, 2 is a view schematically showing a local cleaning equipment according to a second embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 국부세정방법을 나타낸 흐름도, 3 is a flow chart showing a local cleaning method according to an embodiment of the present invention;
도 4는 종래의 건식세정장비를 개략적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing a conventional dry cleaning equipment.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
100 : 국부세정용 반응챔버 200 : 스테이지 100: local reaction chamber 200: stage
300 : 회전모터 400 : 반응가스 배출구 300: rotary motor 400: reaction gas outlet
500 : 국부세정용 플라즈마 발생기 500: plasma generator for local cleaning
510 : 플라즈마 토치 520 : 플라즈마 반응실510: plasma torch 520: plasma reaction chamber
530 : 세정가스 공급관 540 : 플라즈마 공급관 530: cleaning gas supply pipe 540: plasma supply pipe
600 : 배기가스 공급관 610 : 배기가스 유도부재
600: exhaust gas supply pipe 610: exhaust gas inducing member
본 발명은 웨이퍼 세정장치 및 세정방법에 관한 것으로, 특히 초기세정 후에 웨이퍼 외곽부에 잔류하는 파티클을 국부세정용 플라즈마 발생기를 이용하여 제거함으로써 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 국부세정장치 및 국부세정방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning apparatus and a cleaning method. In particular, a local cleaning apparatus for a wafer capable of improving the yield of a semiconductor device by removing particles remaining in the outer portion of the wafer after initial cleaning using a local cleaning plasma generator, and It is about the local cleaning method.
요즘, 반도체소자의 초고집적화가 계속 진행되고 있는 상황에서, 회로 패턴폭 감소 및 회로 패턴간 간격의 감소로 인해 더욱 고도한 집적화 기술이 요구되고 있는 실정이다. 이런 실정에서 파티클로서 작용하는 먼지 입자나 수분 등은 반도체공정에서 필히 제거해야 하는 필수 요소이다. 이는 반도체소자의 물리적 결함을 일으킬 뿐만 아니라 다른 공정에 오염원으로 작용하여 반도체소자의 특성을 저하시키게 된다. 결국, 이는 수율 저하로 이어질 수 있으므로 수율을 적정상태로 유지하기 위해 세정공정은 각 공정의 전후에서 수행되어져야 한다. Nowadays, in the situation where ultra-high integration of semiconductor devices continues, there is a need for a higher degree of integration technology due to the reduction in the width of the circuit pattern and the spacing between the circuit patterns. In this situation, dust particles and moisture that act as particles are essential elements to be removed in the semiconductor process. This not only causes physical defects of the semiconductor device but also acts as a pollution source in other processes, thereby degrading the characteristics of the semiconductor device. As a result, this may lead to a decrease in yield, so that the cleaning process must be carried out before and after each process in order to maintain the yield in a proper state.
이 세정공정은 웨이퍼 표면을 고청정상태로 만드는 것으로서, 일반적으로 알려진 바와 같이, 습식세정방식과 건식세정방식으로 크게 분류할 수 있다. This cleaning process makes the wafer surface highly clean and, as is generally known, can be roughly classified into a wet cleaning method and a dry cleaning method.
상기 습식세정방식은, 용매 또는 화학적 세정으로 알려진 바와 같이, 웨이퍼 표면으로부터 오염원을 제거하기 위해 용매 또는 화학적 배스(bath)에 웨이퍼를 담금으로써 세정이 이루어지는 방식이다. 용매는 이들이 분해할 수 있는 재료에 대해 선택적이기 때문에, 목표된 오염물을 제거하기 위해 적당한 용매가 선택되어야 한다. 또한 화학적 용액은 유기막, 이온성 파티클, 및 약 3,000 Å 정도의 작은 입자를 효율적으로 제거하기 위해 높은 에너지의 음파를 발생하는 메가소닉 또는 초음파 발생장치를 이용하여 세정공정을 진행하기도 한다. The wet cleaning method is a method in which cleaning is performed by immersing the wafer in a solvent or chemical bath to remove contaminants from the wafer surface, as known as solvent or chemical cleaning. Since solvents are selective for the materials they can decompose, a suitable solvent must be selected to remove the desired contaminants. In addition, the chemical solution may be cleaned using a megasonic or ultrasonic generator that generates sound waves of high energy in order to efficiently remove organic membranes, ionic particles, and small particles of about 3,000 μs.
그런데, 이러한 습식세정방식의 문제점이 있다면, 용매 또는 화학적 용액으로 사용된 작용제가 극도로 순수하고 깨끗해야 한다는 것인데, 이는 시간과 비용이 많이 소요되는 문제점을 안고 있다는 것이다. 또한, 작용제가 사용되어짐에 따라 상기 용매 또는 화학적 용액이 점진적으로 오염되므로 고청정상태를 유지하기 위해 주기적으로 교환해 주어야 하는 번거로움이 있다. 또한, 습식세정방식은 웨이퍼 표면상의 입자 오염물의 국부성, 양 또는 밀도와 무관하게, 전체 웨이퍼를 용매 또는 화학적 용액에 침적시킴으로써 용매 또는 화학적 용액이 오염되어 있는 경우에는 오히려 역오염되는 결과를 초래하기도 한다. 그리고, 대부분의 습식세정방식은 세정공정이 진행되기 위해 반응챔버에서 언로딩하여 세정을 위한 별도로 마련된 습식조로 이동함으로써 공정재현성이 떨어진다는 문제점을 안고 있다. However, the problem with this wet cleaning method is that the agent used as a solvent or chemical solution should be extremely pure and clean, which is a problem that is time-consuming and expensive. In addition, since the solvent or chemical solution is gradually contaminated as the agent is used, there is a hassle that needs to be replaced periodically to maintain a high clean state. In addition, wet cleaning results in back contamination of the solvent or chemical solution by depositing the entire wafer in the solvent or chemical solution, irrespective of the locality, amount or density of particle contaminants on the wafer surface. do. In addition, most wet cleaning methods have a problem in that process reproducibility is lowered by being unloaded from the reaction chamber and moving to a separate wet bath for cleaning in order to proceed with the cleaning process.
이와 같은 이유로 최근에는 건식세정방식을 많이 이용하는데, 이 건식세정방식은 오염원의 종류에 따라 상기 오염원과 잘 반응하는 세정가스를 선택하여 플라즈마(plasma) 상태로 만들어 공급함으로써 오염원을 제거하는 방식이다. For this reason, in recent years, a dry cleaning method is widely used. This dry cleaning method selects a cleaning gas that reacts well with the contaminant according to the type of contaminant, and removes the contaminant by making a plasma.
최근 이 건식세정방식에 이용되는 반도체장비는, 주로 하나의 장비에서 다수의 공정, 예를 들어, 증착, 식각, 세정 등을 진행할 수 있는 다공정처리시스템을 구축하고 있다. 그래서, 상기 습식세정방식에서와 같이 세정을 위해 다른 분위기의 습식조로 이동할 필요가 없으므로 공정레서피를 균일하게 유지시킬 수 있으므로 공정재현성을 향상시킬 수 있다.
Recently, the semiconductor equipment used in the dry cleaning method is constructing a multi-process processing system capable of performing a plurality of processes, for example, deposition, etching, and cleaning, mainly in one equipment. Thus, since it is not necessary to move to a wet tank of another atmosphere for cleaning as in the wet cleaning method, the process recipe can be maintained uniformly, thereby improving process reproducibility.
그러면, 여기서 종래의 건식세정장비에 참조하여 건식세정방식에 대해 간략히 살펴보자.Then, let's look briefly about the dry cleaning method with reference to the conventional dry cleaning equipment.
도 4는 종래의 건식세정장비를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하면, 종래의 건식세정장비는, 외부와 격리되어 반응공간을 진공상태로 제공하는 반응챔버(10)와, 웨이퍼(W)가 안착되는 스테이지(20)와, 반응챔버(10)의 외부로 연결되어 반응가스를 배출시키는 반응가스 배출구(30)와, 플라즈마 상태의 세정가스를 공급하는 플라즈마 공급관(40)으로 이루어져 있다. 4 is a view schematically showing a conventional dry cleaning equipment. Referring to FIG. 4, a conventional dry cleaning apparatus includes a
상기한 종래의 건식세정장비는 플라즈마 상태로 공급되는 세정가스에 의해 웨이퍼 표면상에 형성된 파티클을 제거하게 되는데, 이때 세정에 의해 생성되는 반응가스는 반응가스 배출구를 통해 배출되게 된다. 이 때, 반응가스를 효율적으로 배출시키기 위해 불활성가스를 공급한다. The conventional dry cleaning equipment removes particles formed on the wafer surface by the cleaning gas supplied in the plasma state, wherein the reaction gas generated by the cleaning is discharged through the reaction gas outlet. At this time, an inert gas is supplied to efficiently discharge the reaction gas.
그러나, 상기와 같은 건식세정장비를 이용한 건식세정을 수행한 결과를 관찰하면, 웨이퍼 중앙에서보다 웨이퍼 외곽부에서 파티클 빈도가 높게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 이는 웨이퍼 중앙에서 외부로 반응가스가 플로우되면서 웨이퍼 외곽부에 파티클이 재안착되면서 생기는 현상인 것이다. 여기서, 상기 웨이퍼 외곽부는 웨이퍼 상면의 바깥부분, 웨이퍼 측면, 및 웨이퍼 하면의 바깥부분을 의미한다. However, when observing the results of the dry cleaning using the dry cleaning equipment as described above, it can be seen that the particle frequency is higher at the outer edge of the wafer than at the center of the wafer. This is a phenomenon caused by particles repositioned on the outer portion of the wafer while the reaction gas flows from the center of the wafer to the outside. Here, the wafer outer portion means an outer portion of the upper surface of the wafer, a wafer side surface, and an outer portion of the lower surface of the wafer.
결국, 웨이퍼 외곽부에 형성된 파티클을 제거하기 위해 플라즈마를 이용한 건식세정이 재차 수행되게 되는데, 이 재세정은 웨이퍼의 외곽부에 국부적으로 진행되지 않고 웨이퍼 전체에 대해 재세정을 수행하게 되므로 불필요한 영역에 세정이 이루어지게 되고, 심지어는 플라즈마 상태의 세정가스와 웨이퍼의 충돌에 의해 웨이퍼 표면이 손상되는 현상까지 발생하고 있다. As a result, dry cleaning using plasma is again performed to remove the particles formed on the outer edge of the wafer. This re-cleaning is performed locally on the outer edge of the wafer, and the entire washing is performed again on the entire wafer. The cleaning is performed, and even the surface of the wafer is damaged by the collision of the cleaning gas and the wafer in a plasma state.
이와 같은 결과에 의해, 웨이퍼 외곽부에서 재안착되는 파티클을 제거하되, 재세정에 따라 혹시 있을지 모르는 웨이퍼 손상을 방지하기 위해 웨이퍼 외곽부에서 국부적으로 세정이 가능한 세정장치 및 세정방법이 필요하게 되었다.
As a result, there is a need for a cleaning apparatus and a cleaning method capable of removing particles re-seated at the outer edge of the wafer and locally cleaning the outer edge of the wafer in order to prevent any possible wafer damage due to re-cleaning.
따라서, 본 발명의 목적은 초기세정 후에 웨이퍼 외곽부에 잔류하는 파티클을 국부세정용 플라즈마 발생기를 이용하여 제거함으로써 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 국부세정장치 및 국부세정방법을 제공하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a local cleaning apparatus and a local cleaning method for a wafer which can improve the yield of a semiconductor device by removing particles remaining on the outer edge of the wafer after initial cleaning using a local cleaning plasma generator. .
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 플라즈마 토치, 상기 플라즈마 토치와 도파관으로 연결된 플라즈마 반응실, 상기 플라즈마 반응실과 연통된 세정가스 공급관, 및 웨이퍼 상에 플라즈마 상태의 세정가스를 공급하는 플라즈마 공급관으로 이루어진 국부세정용 플라즈마 발생기를 웨이퍼 외곽부에 장착한 국부용 세정장비를 이용하여 웨이퍼의 외곽부를 세정할 수 있도록 한 플라즈마를 이용한 국부적인 웨이퍼 세정방법에 적용되는데, 본 발명에 따른 웨이퍼의 국부세정방법은, 소정 의 공정을 진행하고 초기세정을 진행한 웨이퍼를 국부세정용 반응챔버로 로딩하는 웨이퍼 로딩단계; 상기 플라즈마 토치에 의해 플라즈마 반응실에서 세정가스를 플라즈마 상태로 만드는 플라즈마 생성단계; 상기 플라즈마 공급관을 통해 플라즈마 상태의 세정가스를 웨이퍼 외곽부에 공급하여 세정하는 외곽부 세정단계; 상기 세정단계에서 발생된 반응가스를 국부세정용 반응챔버의 외부로 배출하는 반응가스 배출단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. The present invention for achieving the above object consists of a plasma torch, a plasma reaction chamber connected to the plasma torch and a waveguide, a cleaning gas supply pipe in communication with the plasma reaction chamber, and a plasma supply pipe for supplying a cleaning gas in a plasma state onto the wafer. It is applied to a local wafer cleaning method using plasma, which enables the cleaning of the outer edge of the wafer using a local cleaning equipment equipped with a local cleaning plasma generator on the outer edge of the wafer. A wafer loading step of loading a wafer subjected to a predetermined process and undergoing initial cleaning into a reaction chamber for local cleaning; A plasma generation step of making a cleaning gas into a plasma state in a plasma reaction chamber by the plasma torch; An outer part cleaning step of supplying a cleaning gas in a plasma state to an outer part of a wafer through the plasma supply pipe to clean the outer part; And a reaction gas discharge step of discharging the reaction gas generated in the cleaning step to the outside of the local washing reaction chamber.
이 때, 상기 외곽부 세정단계에서 웨이퍼를 회전시키는 것이 바람직하다. At this time, it is preferable to rotate the wafer in the outer cleaning step.
또한, 상기 외곽부 세정단계에서 발생되는 반응가스가 웨이퍼에 재안착되는 것을 방지하기 위해, 배기가스를 플로우시키면서 세정공정을 진행하는 것이 더욱 바람직하다. 이 때, 상기 배기가스는 불활성가스로서, N2를 주로 사용한다. In addition, in order to prevent the reaction gas generated in the outer cleaning step from being remounted on the wafer, it is more preferable to proceed with the cleaning process while flowing the exhaust gas. At this time, the exhaust gas mainly uses N 2 as an inert gas.
여기서, 상기 배기가스 플로우시에 웨이퍼 중앙에서 외곽부로 플로우가 이루어질 수 있도록 웨이퍼 직경보다 작은 직경을 갖는 배기가스 공급관을 웨이퍼 상에 설치하여 배기가스를 플로우시키는 것이 가장 바람직하다. 이 때, 상기 배기가스 플로우 흐름을 웨이퍼 중앙에서 외곽부로 유도하는 배기가스 유도부재를 상기 배기가스 공급관 내부에 장착하여 배기가스를 플로우시킬 수도 있다. Here, in the exhaust gas flow, it is most preferable to install an exhaust gas supply pipe having a diameter smaller than the wafer diameter on the wafer so that the flow can be performed from the center to the outer portion of the wafer to flow the exhaust gas. At this time, an exhaust gas inducing member for guiding the exhaust gas flow flow from the center of the wafer to the outer portion may be mounted in the exhaust gas supply pipe to flow the exhaust gas.
한편, 상기 배기가스 공급관은 웨이퍼와의 거리를 조절하여 플로우 세기를 조절하는 것이 바람직하다. On the other hand, the exhaust gas supply pipe is preferably adjusted to the flow intensity by adjusting the distance to the wafer.
또한, 상기 웨이퍼의 플랫존을 세정하기 위해, 상기 국부세정용 플라즈마 발생기가 웨이퍼 상면에 대해 좌우로 이동하면서 세정이 이루어지는 것도 바람직할 것이다. In addition, in order to clean the flat zone of the wafer, it may be preferable that the local cleaning plasma generator is cleaned while moving from side to side with respect to the upper surface of the wafer.
한편, 본 발명에 따른 웨이퍼의 국부세정장치는, 외부와 격리되어 반응공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버 내부에 웨이퍼가 안착될 수 있도록 지지하는 웨이퍼 안착수단; 플라즈마 발생을 위한 방전이 이루어지는 플라즈마 토치와, 상기 플라즈마 토치와 도파관으로 연결된 플라즈마 반응실과, 상기 플라즈마 반응실과 연통된 세정가스 공급관과, 웨이퍼 상에 플라즈마 상태의 세정가스를 공급하는 플라즈마 공급관으로 이루어진 국부세정용 플라즈마 발생기; 상기 웨이퍼 안착수단을 회전시킬 수 있도록 회전축으로 연결된 회전수단;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. On the other hand, the local cleaning apparatus of the wafer according to the present invention, the reaction chamber is isolated from the outside to provide a reaction space; Wafer mounting means for supporting a wafer to be seated in the reaction chamber; Local cleaning comprising a plasma torch for discharge for plasma generation, a plasma reaction chamber connected to the plasma torch and a waveguide, a cleaning gas supply pipe in communication with the plasma reaction chamber, and a plasma supply pipe for supplying cleaning gas in a plasma state onto the wafer. Plasma generator; And rotation means connected to a rotation shaft to rotate the wafer seating means.
이 때, 상기 웨이퍼 중앙에서 외곽부로 배기가스의 플로우가 이루어질 수 있도록 웨이퍼 직경보다 작은 직경을 갖는 배기가스 공급관을 웨이퍼 상부에 설치하여 이루어진 것이 바람직하다.
At this time, it is preferable that the exhaust gas supply pipe having a diameter smaller than the wafer diameter is provided on the upper portion of the wafer so that the exhaust gas flows from the center of the wafer to the outer portion.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 국부세정장비를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 국부세정장비는, 외부와 격리되어 반응공간을 진공상태로 제공하는 국부세정용 반응챔버(100)와, 웨이퍼(W)가 안착되는 스테이지(200)와, 상기 스테이지(200)를 회전시키기 위해 회전축으로 연결된 회전모터(300)와, 국부세정용 반응챔버(100)의 외부와 연결되어 반응가스를 배출시키는 반응가스 배출구(400)와, 웨이퍼(W) 외곽부에 국부적으로 플라즈마 상태의 세정가 스를 공급하는 국부세정용 플라즈마 발생기(500)로 이루어져 있다. 1 is a view schematically showing a local cleaning equipment according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the local cleaning equipment according to the present invention includes a
이 국부세정용 플라즈마 발생기(500)는 플라즈마를 발생시키기 위해 방전이 이루어지는 플라즈마 토치(510)와, 상기 플라즈마 토치(510)와 도파관으로 연결된 플라즈마 반응실(520)과, 상기 플라즈마 반응실(520)과 연통된 세정가스 공급관(530)과, 플라즈마 상태의 세정가스를 웨이퍼(W) 표면으로 공급하는 플라즈마 공급관(540)으로 이루어진다. The local
이렇게 구성된 플라즈마 발생기(500)는 웨이퍼(W)의 상부 및 하부에 대칭 형태로 배치한다. 여기서 웨이퍼(W)가 로딩된 스테이지(200)는 웨이퍼(W)의 반경 보다 작게 형성하는 것이 좋으며, 바람직하게는 웨이퍼(W)의 테두리가 2~5㎜ 정도 돌출되게 한다.The
상기 플라즈마 토치(510)는, 직류(DC) 아크 방전을 이용하는 플라즈마 토치, 유도 결합형무선 주파수(상기 주파수는 약 4㎒ 내지 13.56㎒ 범위에 있음) 방전을 사용하는 플라즈마 토치, 마이크로파(주파수는 약 2.45㎓)를 사용하는 플라즈마 토치 등으로 크게 분류할 수 있다. The
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 국부세정장비를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면 상기 제1 실시예와의 차이점은, 웨이퍼(W) 중앙에서 외곽부로 배기가스를 플로우시키는 배기가스 공급관(600)이 더 설치되어 있다는 것이다. 2 is a view schematically showing a local cleaning equipment according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the difference from the first embodiment is that an exhaust
이 배기가스 공급관(600)의 내부에는, 웨이퍼(W) 중앙에서 외곽부로 배기가스를 효율적으로 플로우시키기 위해, 배기가스 유도부재(610)를 선택적으로 설치할 수 있다. In the exhaust
상기와 같이 구성된 본 발명의 웨이퍼의 국부세정방법을 도면을 참조하여 간단히 설명한다.The local cleaning method of the wafer of the present invention configured as described above will be briefly described with reference to the drawings.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 국부세정방법을 나타낸 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 먼저 소정의 공정을 진행하고 초기세정을 진행한 웨이퍼(W)를 국부세정용 반응챔버(100)로 로딩한다(S700). 이 때, 국부세정용 반응챔버(100)는 초기세정이 이루어진 반응챔버의 분위기와 같은 분위기를 유지시킨다. 3 is a flowchart illustrating a local cleaning method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, first, a predetermined process is performed, and the wafer W subjected to initial cleaning is loaded into the
이후, 웨이퍼(W)의 로딩이 완료되면, 상기 국부세정용 플라즈마 발생기(500)에서 상기 세정가스를 플라즈마 상태로 만든다. 예를 들어 마이크로파를 이용한 플라즈마 토치(510)를 이용한다면, 상기 플라즈마 토치(510)에서 마이크로파를 발생시키게 되고, 이 마이크로파는 도파관을 통해 플라즈마 반응실(520)에 이르게 된다. 이때, 세정가스 공급관(530)을 통해 플라즈마 반응실(520)로 세정가스가 공급되는데, 상기 마이크로파에 의해 세정가스는 이온화된 플라즈마 상태가 된다(S710). Subsequently, when the loading of the wafer W is completed, the cleaning gas is brought into a plasma state in the local
이후, 플라즈마 상태의 세정가스가 웨이퍼(W) 외곽부에 공급된다. 이에 따라 이온화된 세정가스에 의해 웨이퍼(W)의 외곽부에 형성된 파티클을 제거하게 된다(S720). 이 때, 상기 외곽부 세정단계에서 웨이퍼(W)를 회전시키게 된다. Then, the cleaning gas in the plasma state is supplied to the outer portion of the wafer (W). Accordingly, the particles formed on the outer portion of the wafer W by the ionized cleaning gas are removed (S720). At this time, the wafer W is rotated in the outer cleaning step.
한편, 세정이 이루어짐에 따라 발생하는 반응가스는 반응가스 배출구(400)로 배출되게 된다(S730). 이는 국부세정용 반응챔버(100) 진공상태보다 반응가스 배출구(400) 쪽에 더 높은 진공상태를 만들어주어 반응가스가 반응가스 배출구(400) 쪽 으로 배출되는 것이다. On the other hand, the reaction gas generated by the cleaning is discharged to the reaction gas outlet 400 (S730). This creates a higher vacuum in the
여기서, 상기 웨이퍼(W) 외곽부 세정단계에서 발생되는 반응가스가 웨이퍼(W)에 재안착되는 것을 방지하기 위해, 배기가스 공급관(600)으로 배기가스를 플로우시키게 되는데, 상기 배기가스 공급관(600) 내부에 형성된 배기가스 유도부재(610)에 의해 웨이퍼(W) 중앙에서 외곽부로 플로우가 이루어진다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 중앙으로 파티클이 재안착되는 것을 방지하게 된다. 이 때, 상기 배기가스로는 불활성가스를 사용하고, 구체적으로 N2를 사용한다. In this case, in order to prevent the reaction gas generated in the cleaning process of the outer portion of the wafer W from being remounted on the wafer W, the exhaust gas is flowed into the exhaust
한편, 웨이퍼(W)가 회전함에 따라 국부세정용 플라즈마 발생기(500)가 웨이퍼(W) 플렛존에 이르게 되면, 국부세정용 플라즈마 발생기(500)가 웨이퍼(W)의 회전반경에서 벗어나게 되므로 상기 웨이퍼(W) 플렛존의 세정이 완벽하게 이루어지지 않게 된다. 그러므로 이를 방지하기 위해 웨이퍼(W) 플렛존 영역을 센싱하는 감지수단(미도시)을 별도로 장착하여 웨이퍼(W) 플렛존 세정시에 상기 국부세정용 플라즈마 발생기(500)를 플렛존 영역을 따라 움직일 수 있도록 하는 것이 바람직하다. On the other hand, when the local
또한, 상기 배기가스 공급관(600)은 웨이퍼(W)와의 거리를 조절하여 플로우 세기를 조절할 수도 있다. 즉, 배기가스 공급관(600)과 웨이퍼(W)와의 거리가 멀어지면 배기가스는 웨이퍼(W) 외곽부의 표면에서 플로우가 느려지며, 거리가 가까워지면 플로우가 빨라지게 되는 것이다.
In addition, the exhaust
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼의 국부세정장치 및 국부세정방법에 따르면, 웨이퍼 외곽부에 누적되는 파티클을 제거하여 웨이퍼 외곽부에서의 수율을 향상시킴으로써 전체 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 전면에 걸쳐 세정이 수행되는 세정장비에 비해 상대적으로 저렴한 국부세정용 플라즈마 발생기를 장착한 국부세정용 반응챔버를 제작함으로써 제조비용을 감소시킬 수 있다. 그리고, 국부적으로 세정이 이루어지므로 전면 세정에 비해 세정가스의 공급량이 감소되어 공정비용도 절감됨을 알 수 있다. As described above, according to the local cleaning apparatus and the local cleaning method of the wafer according to the present invention, the overall yield can be improved by removing the particles accumulated in the wafer outer portion to improve the yield at the wafer outer portion. In addition, manufacturing costs can be reduced by manufacturing a local cleaning reaction chamber equipped with a relatively cheap local cleaning plasma generator as compared to cleaning equipment that performs cleaning over the entire wafer surface. In addition, since the cleaning is performed locally, it can be seen that the supply amount of the cleaning gas is reduced compared to the front cleaning, thereby reducing the process cost.
무엇보다도, 세정이 웨이퍼 외곽부에서 국부적으로 이루어지므로 전면세정시 발생하는 플라즈마 세정가스에 의한 웨이퍼 손상을 방지하여 반도체소자의 특성을 향상시킬 수 있다. First of all, since the cleaning is performed locally at the outer edge of the wafer, it is possible to prevent wafer damage due to the plasma cleaning gas generated during full surface cleaning, thereby improving the characteristics of the semiconductor device.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02183531A (en) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Osaka Titanium Co Ltd | Cleaning method for semiconductor wafer |
| JPH05166759A (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing system, and plasma cleaning method |
| JPH07142449A (en) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Kawasaki Steel Corp | Plasma etching equipment |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02183531A (en) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Osaka Titanium Co Ltd | Cleaning method for semiconductor wafer |
| JPH05166759A (en) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing system, and plasma cleaning method |
| JPH07142449A (en) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Kawasaki Steel Corp | Plasma etching equipment |
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