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KR100649832B1 - 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 ｒｆｉｄ 장치 - Google Patents

불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 ｒｆｉｄ 장치 Download PDF

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KR100649832B1
KR100649832B1 KR1020050065786A KR20050065786A KR100649832B1 KR 100649832 B1 KR100649832 B1 KR 100649832B1 KR 1020050065786 A KR1020050065786 A KR 1020050065786A KR 20050065786 A KR20050065786 A KR 20050065786A KR 100649832 B1 KR100649832 B1 KR 100649832B1
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KR
South Korea
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voltage
pull
signal
control signal
cell array
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KR1020050065786A
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강희복
안진홍
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

본 발명은 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 RFID 장치내의 FeRAM의 메모리 셀 어레이영역에만 고전압을 공급하고 주변영역에는 저전압을 공급함으로써 전류 소모를 감소시키는 기술을 개시한다. 이를 위해, 본 발명의 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID 장치는, 외부 통신기기와 데이터를 송수신하는 아날로그 블록과, 상기 아날로그 블록으로부터 전원전압 및 데이터 전송을 위한 신호를 인가받고 상기 아날로그 블록에 응답신호를 전송하며 메모리 제어신호를 출력하는 디지털 블록과, 전원전압을 이용하여 고전압을 생성하고 상기 메모리 제어신호에 의해 제어되어 셀 데이터를 리드/라이트 하되, 셀 어레이 영역은 상기 고전압을 이용하여 구동하고 주변영역은 상기 전원전압을 이용하여 구동하는 FeRAM을 포함함을 특징으로 한다.

Description

불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 ＲＦＩＤ 장치{RFID device with Non-volatile Ferro-electrostatic memory}
도 1은 종래의 RFID 장치의 전체 구성도.
도 2는 도 1의 RFID 장치의 전류소모와 전압 멀티플라이어의 출력전압과의 관계를 나타내는 파형도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 RFID 장치의 전체 구성도.
도 4는 도 3의 불휘발성 강유전체 메모리 장치의 구성도.
도 5는 도 4의 메모리 셀 어레이부의 세부 회로도.
도 6은 도 5의 센스앰프의 세부 회로도.
도 7은 도 4의 메모리 셀 어레이부의 동작 타이밍도.
본 발명은 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 RFID 장치내의 FeRAM의 메모리 셀 어레이영역에만 고전압을 공급하고 주변영역에는 저전압을 공급함으로써 전류 소모를 감소시키는 기술이다.
일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferro-electrostatic Random Access Memory)은 디램(DRAM; Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이터가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다.
이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 기억소자로서, 캐패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 이용한 것이다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다.
상술된 FeRAM에 관한 기술내용은 본 발명과 동일 발명자에 의해 출원된 대한민국 특허 출원 제 2001-57275호에 개시된 바 있다. 따라서, FeRAM에 관한 기본적인 구성 및 그 동작에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이러한 FeRAM을 포함한 RFID(Radio Frequency identification) 장치를 도 1에 도시하고 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 RFID 장치의 전체 구성도이다.
종래의 RFID(10)는 크게 안테나(28), 아날로그 블록(20), 디지털 블록(30) 및 FeRAM(40)을 구비한다. 아날로그 블록(20)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;21), 전압 리미터(Voltage Limiter;22), 모듈레이터(Modulator;23), 디모듈레이터(Demodulator;24), 전압 더블러(Voltage Doubler;25), 파워온 리셋부(Power On Reset;26), 및 클럭 발생부(27)를 구비한다. 특히, 전압 더블러(25)는 전압 멀티플라이어(21)로부터 인가되는 전압 VDD을 승압하여 2배의 승압전압 VDD2을 저전압용 FeRAM(40)에 공급한다.
또한, FeRAM(40)은 1T1C(or 2T2C) 셀 회로를 포함하고, 데이터를 리드/라이트할 수 있다.
도 2는 도 1의 RFID 장치(10)의 전류소모와 전압 멀티플라이어의 출력전압과의 관계를 나타내는 파형도이다. RFID 장치(10)는 A 그래프와 같이 동작전류량이 적으면 전압 발생기인 도 1의 전압 멀티플라이어(21)의 출력전압 VDD이 높아지게 되고 B 그래프와 같이 전류량이 많으면 출력전압 VDD이 낮아지게 된다.
상기와 같은 구성을 갖는 종래의 RFID 장치의 아날로그블록(20) 및 디지털블록(30)은 저전압 VDD만으로 구동이 가능하지만 FeRAM(40)은 고전압을 필요로 한다. 따라서, FeRAM(40)은 전압더블러(25)로부터 고전압 VDD2을 인가받는다.
한편, FeRAM(40)은 크게 메모리 셀 어레이영역(미도시)과 주변영역(Peripheral area)으로 그 내부구성이 이루어진다. 여기서 도 1의 전압더블러(25)로부터 공급받는 고전압 VDD2는 실질적으로 메모리 셀 어레이영역(미도시)에서 필요로 되는 전압이며, 주변영역은 VDD2보다 낮은 저전압으로 구동이 가능한 영역이다.
이와같이, FeRAM(40)내의 메모리 셀 어레이 영역(미도시)에는 고전압이 필요하나 기타 영역(페리영역 등)에는 저전압만으로 구동이 가능함에도 불구하고 FeRAM(40)의 모든 영역에 고전압을 공급함으로써 불필요한 전류소모가 큰 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, RFID 장 치의 FeRAM 내의 메모리 셀 어레이 영역에만 고전압을 인가하고 주변영역에는 저전압을 제공함으로써 전력소모를 최소화하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID 장치는, 외부 통신기기와 데이터를 송수신하는 아날로그 블록과, 상기 아날로그 블록으로부터 전원전압 및 데이터 전송을 위한 신호를 인가받고 상기 아날로그 블록에 응답신호를 전송하며 메모리 제어신호를 출력하는 디지털 블록과, 전원전압을 이용하여 고전압을 생성하고 상기 메모리 제어신호에 의해 제어되어 셀 데이터를 리드/라이트 하되, 셀 어레이 영역은 상기 고전압을 이용하여 구동하고 주변영역은 상기 전원전압을 이용하여 구동하는 FeRAM을 포함함을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID 장치는, 외부와 데이터를 송수신하는 아날로그 블록과, 상기 아날로그 블록으로부터 제 1전압 및 데이터 전송을 위한 신호를 인가받고 상기 아날로그 블록에 응답신호를 전송하며 메모리 제어신호를 출력하는 디지털 블록과, 상기 제1전압을 이용하여 상기 제1전압보다 높은 제 2 전압을 발생하는 고전압 발생부를 포함하고, 상기 메모리 제어신호에 의해 제어되어 셀 데이터를 리드/라이트 하되, 셀 어레이 영역은 상기 제 2 전압을 이용하여 구동하고 주변영역은 상기 제 1 전압을 이용하여 구동하는 FeRAM을 포함함을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 RFID 장치의 전체 구성도이다.
본 발명의 RFID(100)는 크게 안테나(270), 아날로그 블록(200), 디지털 블록(300), 및 저전압용 FeRAM(400)을 구비한다.
여기서, 안테나(270)는 외부의 리더기 또는 라이터기와 데이터를 송수신하기 위한 구성이다.
아날로그 블록(200)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;210), 전압 리미터(Voltage Limiter;220), 모듈레이터(Modulator;230), 디모듈레이터(Demodulator;240), 파워온 리셋부(Power On Reset;250), 클럭 발생부(260) 및 안테나(270)를 구비한다.
그리고, 전압 멀티플라이어(210)는 안테나(270)로부터 인가되는 전송 주파수에 의해 RFID(100)의 전원 VDD을 생성한다. 전압 리미터(220)는 안테나(270)로부터 인가된 전송 주파수에 대한 전송 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(24)에 출력한다.
또한, 모듈레이터(230)는 디지탈 블록(300)으로부터 인가되는 응답 신호 Response를 모듈레이팅하여 안테나(280)에 전송한다. 디모듈레이터(240)는 전압 멀티플라이어(210)와 전압 리미터(220)의 출력전압에 따라 안테나(270)로부터 인가되는 전송 주파수에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호 CMD를 디지털 블록(300)에 출력한다.
파워온 리셋부(250)는 전압 멀티플라이어(210)의 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR를 디지털 블록(300)에 출력한다.
클럭발생부(260)는 전압 멀티플라이어(210)의 출력 전압 VDD에 따라 디지털 블록(30)의 동작을 제어하기 위한 클럭 CLK를 디지털 블록(300)에 공급한다.
또한, 상술된 디지털 블록(300)은 아날로그 블록(200)으로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클럭 CLK 및 명령신호 CMD를 인가받고, 아날로그 블록(200)에 응답신호 Response를 출력한다. 그리고, 디지털 블록(300)은 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어신호 CTR 및 클럭 CLK을 저전압용 FeRAM(400)에 출력한다. 여기서, 제어신호 CTR은 칩인에이블신호 CE, 출력 인에이블신호 OE, 및 라이트 인에이블신호 WE 등을 포함한다.
또한, 저전압용 FeRAM(400)은 256 비트이며 셀 어레이는 32개의 로오(row)와 8개의 컬럼(column)으로 구성된다.
도 4은 도 3의 저전압용 FeRAM(400)의 구성도이다.
저전압용 FeRAM(400)은 고전압 발생부(410), 고전압 제어부(420), 메모리 셀 어레이부(430), 제어신호 발생부(440), 및 센스앰프 및 입출력버퍼(450)를 구비한다.
고전압 발생부(410)는 전원전압 VDD을 이용하여 고전압 VPP을 발생한다.
고전압 제어부(420)는 고전압 VPP을 수신하여 제어신호 발생부(430)의 출력신호에 따라 고전압을 셀 어레이부(430)에 인가한다.
메모리 셀 어레이부(430)는 복수개의 메모리 셀을 구비하고, 디지털블록(300)으로부터 입력되는 어드레스 ADD[7:0]에 의해 복수개의 메모리 셀 중 하나가 선택되어진다. 이때, 어드레스 ADD[7:0]는 워드라인 디코더(미도시)에 의해 디코딩 되어 메모리 셀 어레이부(430)에 전달되고, 메모리 셀 어레이부(430)는 고전압제어부(420)로부터 출력되는 고전압에 의해 구동된다.
제어신호 발생부(440)는 디지털블록(300)으로부터 칩인에이블신호 CE, 출력 인에이블신호 OE, 및 라이트 인에이블신호 WE를 수신하여 리드/라이트 동작을 위한 제어신호를 고전압 제어부(420) 및 센스앰프 및 입출력버퍼(450)로 출력한다.
센스앰프 및 입출력버퍼(450)는 선택된 셀의 데이터를 센싱 및 증폭하여 출력하거나 외부로부터 입력되는 데이터를 메모리 셀 어레이부(430)에 전달한다.
도 5는 도 4의 메모리 셀 어레이부(430)의 세부 회로도이다.
메모리 셀 어레이부(430)는 풀업조정부(431), 셀 어레이(432), 선택조정부(433), 풀다운조정부(434), 및 센스앰프(435)를 구비한다.
풀업조정부(431)는 풀업전압라인 PU와 비트라인쌍 BL, /BL 사이에 각각 연결되는 엔모스 트랜지스터 NM1, NM2를 구비한다. 엔모스 트랜지스터 NM1, NM2는 풀업제어신호 PS에 의해 제어되어 풀업전압라인 PU와 비트라인쌍 BL, /BL의 연결을 제어한다. 이때, 풀업전압라인 PU에는 고전압이 인가되고 풀업제어신호 PS도 고전압 레벨을 갖도록 하여 비트라인쌍 BL, /BL에 고전압을 인가하도록 한다.
셀 어레이(432)는 비트라인쌍 BL, /BL과 복수개의 워드라인 WL과 플레이트라인 PL에 접속되는 복수개의 셀을 구비한다. 복수개의 셀 각각은 플레이트라인 PL과 비트라인쌍 BL, /BL사이에 각각 직렬연결되는 강유전체 캐패시터 FC 와 트랜지스터 T를 구비한다.이때, 강유전체 캐패시터 T는 워드라인 WL에 의해 제어되며, 워드라인 WL과 플레이트라인 PL이 하이레벨로 활성화되면 고전압 레벨을 기반으로 한다.
선택조정부(433)는 셀어레이(432)와 풀다운조정부(434) 사이의 비트라인쌍 BL, /BL에 각각 접속되는 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4를 구비한다. 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4는 칩선택신호 CS에 의해 비트라인쌍 BL, /BL과 센싱라인쌍 SL, /SL의 연결을 제어한다. 이때, 칩선택신호 CS가 하이레벨로 활성화되면 고전압레벨을 기반으로 한다.
풀다운조정부(434)는 엔모스 트랜지스터 NM5~NM7를 구비한다. 엔모스 트랜지스터 NM5는 접지전압단 VSS과 센싱라인 SL 사이에 연결되고, 엔모스 트랜지스터 NM6는 센싱라인쌍 SL, /SL 사이에 연결되고, 엔모스 트랜지스터 NM7는 센싱라인바 /SL와 접지전압단 VSS 사이에 연결되며, 모두 비트라인 균등화신호 BLEQ에 의해 제어되어 센싱라인쌍 SL, /SL을 접지전압 레벨로 균등화시킨다.
센스앰프(435)는 센싱라인쌍 SL, /SL 사이에 연결되어 센스앰프 인에이블신호 SEN, SEP에 의해 제어되어, 센싱라인쌍 SL, /SL의 전압차를 이용하여 데이터를 증폭한다.
이와같이, 본 발명의 메모리 셀 어레이부(430)는 풀업조정부(431), 셀 어레이부(432), 및 선택조정부(433)는 고전압레벨 기반으로 구동되고 풀다운조정부(434) 및 센스앰프(435)는 전원전압레벨 기반으로 구동된다.
도 6은 도 5의 센스앰프(435)의 세부 회로도이다.
센스앰프(435)는 풀업부(461), 풀업래치부(462), 풀다운부(463), 및 풀다운래치부(464)를 구비한다.
전원전압단 VDD과 풀업래치부(462) 사이에 구비되는 피모스 트랜지스터 PM1 를 구비한다. 피모스 트랜지스터 PM1는 센스앰프 인에이블신호 SEP에 의해 제어되어 전원전압레벨을 풀업래치부(462)에 인가한다.
풀업래치부(462)는 풀업부(461)의 출력전압을 래치하여 증폭한다. 이를 위해, 풀업래치부(462)는 풀업부(461)의 출력단 및 센스앰프 출력노드 N1, N2 사이에 각각 연결되는 피모스 트랜지스터 PM2, PM3를 구비한다. 이때, 출력노드 N1, N2는 센싱라인쌍 SL, /SL에 각각 접속되고, 피모스 트랜지스터 PM2, PM3는 그 게이트가 서로의 드레인단에 연결된다.
풀다운부(463)는 접지전압단 VSS과 풀다운래치부(464) 사이에 연결되는 엔모스 트랜지스터 NM10를 구비한다. 엔모스 트랜지스터 NM10는 센스앰프 인에이블신호 SEN에 의해 제어되어 접지전압 레벨을 풀다운래치부(464)에 인가한다.
풀다운 래치부(464)는 풀다운부(463)의 출력전압을 래치하여 증폭한다. 이를 위해, 풀다운 래치부(464)는 센스앰프 출력노드 N1, N2와 풀다운부(463)의 출력단 사이에 각각 연결되는 엔모스 트랜지스터 NM8, NM9를 구비한다. 엔모스 트랜지스터 NM8, NM9는 그 게이트가 서로의 드레인에 연결되는 크로스드 연결구조를 갖는다.
도 7은 도 4의 메모리 셀 어레이부(430)의 동작 타이밍도이다.
먼저, t0구간에서는 비트라인 균등화신호 BLEQ가 활성화되어 비트라인쌍을 프리차지시킨다.
워드라인 WL은 t1구간에서 고전압 VPP레벨로 활성화되고, t2, t3 구간에서 고전압 VPP레벨보다 더 높은 레벨 VPP+a로 천이되고, t4, t5 구간에서 레벨 VPP+a 보다 더 높은 레벨 VPP+b로 천이된다. 이와같이, 워드라인 WL의 전압레벨을 VPP+a, VPP+b로 승압시키면 셀 트랜지스터 T의 문턱전압을 고려하더라도 고전압레벨을 셀에 인가할 수 있다.
t2 구간에서는 플레이트라인 PL이 고전압 VPP레벨로 활성화되면 비트라인쌍 BL, /BL과 센싱라인쌍 SL, /SL이 디벨롭하기 시작한다. 이때, 칩선택신호 CS를 고전압 VPP레벨로 승압시켜 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4가 충분히 턴온되어 비트라인쌍 BL,/BL과 센싱라인쌍 SL, /SL과의 신호 흐름이 충분히 이루어지도록 한다.
그리고, t3 구간으로 진입하기 직전에 칩선택신호 CS는 비활성화되어 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4는 턴오프된다.
t3 구간에서는 플레이트라인 PL이 고전압 VPP레벨을 유지하고, 센스앰프 인에이블신호 SEP, SEN가 활성화되어 센스앰프(435)가 구동하고, 풀업제어신호 PS가 고전압 VPP레벨로 천이되어 엔모스 트랜지스터 NM1, NM2가 턴온됨으로써 비트라인쌍 BL, /BL에 풀업전압라인 PU이 연결된다.
t4 구간에서는 셀에 데이터 "1"을 라이트 하기 위해 플레이트라인 PL을 접지전압레벨로 천이시키고 풀업전압라인 PU에 고전압 VPP을 인가한다. 그리고, 풀업제어신호 PS는 고전압 VPP보다 큰 VPP+c 레벨로 승압되어 엔모스 트랜지스터 NM1, NM2의 턴온을 유지시킴으로써 풀업전압라인 PU의 고전압을 비트라인쌍 BL, /BL에 인가한다. 이때, 칩선택신호 CS는 접지전압레벨을 유지하므로 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4는 턴오프되어 센싱라인 SL의 신호가 비트라인 BL에 전달되지 못한다.
그 후, t5 구간으로 진입하기 직전에 풀업전압라인 PU과 풀업제어신호 PS는 접지전압레벨로 천이된다.
t5 구간에서는 셀에 데이터 "0"을 라이트 하기 위해 플레이트라인 PL을 다시 고전압 VPP 레벨로 천이시키고 칩선택신호 CS가 다시 전원전압레벨로 천이되어 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4를 턴온시킴으로써, 센스앰프(435)에 의해 증폭되어 센싱라인 SL에 실린 신호를 비트라인 BL에 인가한다.
이와같이, 센싱라인 SL에 접지전압레벨이 인가되면 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4에 의해 접지전압레벨이 비트라인 BL에 전달되어 셀에 데이터 "0"이 라이트된다.
반면에, 센싱라인 SL에 전원전압레벨이 인가되면 엔모스 트랜지스터 NM3, NM4가 턴오프되어 센싱라인 SL의 전원전압레벨이 비트라인 BL에 전달되지 못하여 셀은 데이터J "1"을 유지하게 된다.
t6 구간에서는 비트라인 균등화신호 BLEQ가 활성화되어 비트라인쌍을 프리차지시킨다.
여기서, 풀업전압라인 PU, 풀업제어신호 PS, 워드라인 WL, 플레이트라인 PL, 칩선택신호 CS는 고전압레벨 기반으로 활성화되고, 비트라인 균등화신호 BLEQ 및 센스앰프 제어신호 SEP, SEN는 전원전압레벨 기반으로 활성화된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 RFID 장치 내의 불휘발성 강유전체 메모리의 셀 어레이 영역에만 고전압을 공급하고 주변영역에는 저전압을 공급함으로써 불휘발성 강유전체 메모리의 전력소모를 최소화하는 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라 면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (26)

  1. 외부 통신기기와 데이터를 송수신하는 아날로그 블록;
    상기 아날로그 블록으로부터 전원전압 및 데이터 전송을 위한 신호를 인가받고 상기 아날로그 블록에 응답신호를 전송하며 메모리 제어신호를 출력하는 디지털 블록; 및
    전원전압을 이용하여 고전압을 생성하고 상기 메모리 제어신호에 의해 제어되어 셀 데이터를 리드/라이트 하되, 셀 어레이 영역은 상기 고전압을 이용하여 구동하고 주변영역은 상기 전원전압을 이용하여 구동하는 FeRAM을 포함함을 특징으로 하는 RFID 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 FeRAM은,
    상기 전원전압을 승압하여 상기 고전압을 발생하는 고전압 발생부;
    소정 제어신호에 의해 제어되어 상기 고전압을 선택적으로 출력하는 고전압 제어부;
    상기 고전압이 인가되는 상기 셀 어레이영역과 상기 전원전압이 인가되는 상기 주변영역을 포함하는 메모리 셀 어레이부; 및
    상기 메모리 제어신호를 수신하여 상기 고전압 제어부를 제어하는 상기 소정 제어신호를 출력하는 제어신호 발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 셀 어레이 영역은,
    풀업제어신호에 의해 제어되어 풀업전압라인의 전압을 비트라인쌍에 인가하는 풀업조정부;
    상기 비트라인쌍, 복수개의 워드라인, 및 복수개의 플레이트라인이 교차하는 영역에 단위셀을 구비하는 셀 어레이; 및
    칩선택신호에 의해 제어되어 상기 비트라인쌍과 센싱라인쌍의 연결을 제어하는 선택조정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 주변영역은,
    상기 비트라인쌍을 일정레벨로 균등화시키는 풀다운 조정부; 및
    상기 센싱라인쌍에 양단이 접속되고 센스앰프 인에이블신호에 의해 제어되어 상기 센싱라인쌍의 데이터를 증폭하는 센스앰프를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 풀업조정부는,
    상기 풀업제어신호에 의해 제어되어 상기 풀업전압라인의 전압레벨을 상기 비트라인쌍에 각각 인가하는 제 1 및 제 2 스위칭소자를 구비함을 특징으로 하는 RFID 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 스위칭소자는 엔모스 트랜지스터를 구 비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 셀 어레이는,
    로오 방향으로 배열되는 상기 비트라인쌍;
    상기 비트라인쌍과 수직 방향으로 배열된 상기 복수개의 워드라인;
    상기 복수개의 워드라인과 교대로 배열된 상기 복수개의 플레이트라인; 및
    상기 비트라인쌍, 상기 복수개의 플레이트라인, 및 상기 복수개의 워드라인이 교차하는 영역에 위치하여 로오 및 컬럼 방향으로 배열된 복수개의 단위 셀 어레이 그룹을 구비함을 특징으로 하는 RFID 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 복수개의 단위 셀 어레이 그룹은,
    강유전체 캐패시터; 및
    상기 강유전체 캐패시터와 상기 비트라인쌍간의 연결을 제어하는 스위칭소자를 구비함을 특징으로 하는 RFID 장치.
  9. 제 4항에 있어서, 상기 선택조정부는,
    상기 칩선택신호에 의해 제어되어 상기 비트라인쌍과 상기 센싱라인쌍의 연결을 제어하는 제 3 및 제 4 스위칭소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 제 3 및 제 4 스위칭소자는 엔모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  11. 제 4항에 있어서, 상기 풀다운조정부는,
    접지전압단과 상기 비트라인쌍 사이에 구비되고, 전원전압레벨의 비트라인 균등화신호에 의해 제어되어 상기 비트라인쌍을 접지전압레벨로 프리차지시키는 복수개의 스위칭소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  12. 제 4항에 있어서, 상기 센스앰프는,
    상기 센스앰프 인에이블신호에 의해 제어되어 전원전압레벨을 그 출력단에 인가하는 풀업부;
    상기 풀업부의 출력전압을 래치하여 증폭하는 풀업래치부;
    상기 센스앰프 인에이블신호에 의해 제어되어 접지전압레벨을 그 출력단에 인가하는 풀다운부; 및
    상기 풀다운부의 출력전압을 래치하여 증폭하는 풀다운래치부를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 풀업부는,
    상기 센스앰프 인에이블신호에 의해 제어되어 상기 전원전압레벨을 그 출력단에 인가하는 스위칭소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 스위칭소자는 피모스 트랜지스터임을 특징으로 하는 RFID 장치.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 풀업래치부는,
    그 소스가 상기 풀업부의 출력단에 접속되고 그 게이트가 서로의 드레인에 크로스드되어 접속되는 제 1 및 제 2 피모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 풀다운부는,
    상기 센스앰프 인에이블신호에 의해 제어되어 상기 접지전압레벨을 그 출력단에 인가하는 스위칭소자를 구비함을 특징으로 하는 RFID 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 스위칭소자는 엔모스 트랜지스터임을 특징으로 하는 RFID 장치.
  18. 제 12항에 있어서, 상기 풀다운래치부는,
    그 소스가 상기 풀다운부의 출력단에 접속되고 그 게이트가 서로의 드레인에 크로스드되어 접속되는 제 1 및 제 2 엔모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  19. 제 2항에 있어서,
    상기 전원전압을 이용하여, 어드레스신호에 의해 상기 복수개의 단위 셀 중 선택된 단위 셀의 데이터를 센싱하여 출력하거나 외부로부터 입력된 데이터를 상기 메모리 셀 어레이부에 전달하는 센스앰프 및 입출력 버퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  20. 제 1항에 있어서, 상기 아날로그블록은,
    안테나를 통해 입력되는 전송주파수를 이용하여 상기 전원전압을 생성하는 전압 멀티플라이어;
    상기 전송주파수에 대한 전송전압의 크기를 제한하는 전압리미터;
    상기 디지털 블록으로부터 인가되는 응답신호를 모듈레이팅하여 상기 안테나에 전송하는 모듈레이터;
    상기 전압 멀티플라이어와 상기 전압리미터의 출력전압에 따라 상기 전송 주파수로부터 동작 명령신호를 검출하여 상기 디지털 블록으로 출력하는 디모듈레이터;
    상기 전원전압을 감지하여 상기 디지털블록의 리셋동작을 제어하는 파워온리셋부; 및
    상기 전원전압에 따라 상기 디지털블록에 클럭신호를 발생하는 클럭발생부 를 포함함을 특징으로 하는 RFID장치.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 전압 멀티플라이어는 상기 FeRAM에 상기 전원전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 RFID장치.
  22. 외부와 데이터를 송수신하는 아날로그 블록;
    상기 아날로그 블록으로부터 제 1전압 및 데이터 전송을 위한 신호를 인가받고 상기 아날로그 블록에 응답신호를 전송하며 메모리 제어신호를 출력하는 디지털 블록; 및
    상기 제 1전압을 이용하여 상기 제1전압보다 높은 제 2 전압을 발생하는 고전압 발생부를 포함하고, 상기 메모리 제어신호에 의해 제어되어 셀 데이터를 리드/라이트 하되, 셀 어레이 영역은 상기 제 2 전압을 이용하여 구동하고 주변영역은 상기 제 1 전압을 이용하여 구동하는 FeRAM을 구비함을 특징으로 하는 RFID 장치.
  23. 제 22항에 있어서, 상기 제 1전압은,
    상기 아날로그블록으로부터 공급되는 전원전압임을 특징으로 하는 RFID장치.
  24. 제 22항에 있어서, 상기 FeRAM은,
    상기 제 1 전압을 승압하여 상기 제 2 전압을 발생하는 고전압 발생부;
    소정 제어신호에 의해 제어되어 상기 제 2 전압을 선택적으로 출력하는 고전압 제어부;
    상기 제 2 전압이 인가되는 상기 셀 어레이영역과 상기 제 1 전압이 인가되는 상기 주변영역을 포함하는 메모리 셀 어레이부; 및
    상기 메모리 제어신호를 수신하여 상기 고전압 제어부를 제어하는 상기 소정 제어신호를 출력하는 제어신호 발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  25. 제 22항에 있어서, 상기 아날로그블록은,
    안테나를 통해 입력되는 전송주파수를 이용하여 상기 제 1 전압을 생성하는 전압 멀티플라이어;
    상기 전송주파수에 대한 전송전압의 크기를 제한하는 전압리미터;
    상기 디지털 블록으로부터 인가되는 응답신호를 모듈레이팅하여 상기 안테나에 전송하는 모듈레이터;
    상기 전압 멀티플라이어와 상기 전압리미터의 출력전압에 따라 상기 전송 주파수로부터 동작 명령신호를 검출하여 상기 디지털 블록으로 출력하는 디모듈레이터;
    상기 제 1 전압을 감지하여 상기 디지털블록의 리셋동작을 제어하는 파워온리셋부; 및
    상기 제 1 전압에 따라 상기 디지털블록에 클럭신호를 발생하는 클럭발생부 를 포함함을 특징으로 하는 RFID장치.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 전압 멀티플라이어는 상기 FeRAM에 상기 제 1 전압 을 인가하는 것을 특징으로 하는 RFID장치.
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