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KR100649198B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 Download PDF

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KR100649198B1
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KR
South Korea
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electrodes
electrode
voltage
light emitting
subfield
Prior art date
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KR1020050095992A
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Inventor
김준연
양학철
허현구
김정남
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
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Publication date
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Abstract

플라즈마 표시 장치에서 제1 방향으로 복수의 표시 라인이 형성되어 있으며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 복수의 제1 전극이 형성되어 있다. 그리고 복수의 제1 전극과 복수의 표시 라인이 서로 교차하는 영역에 복수의 셀이 형성되며 복수의 표시 라인은 복수의 제1 표시 라인과 복수의 제2 표시 라인으로 나뉘어진다. 이러한 플라즈마 표시 장치에서, 제1 프레임의 제1 서브필드에서 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인과 상기 복수의 제2 표시 라인 중 적어도 어느 하나에 형성된 셀 중에서 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시킨다. 그리고 제1 프레임의 제2 서브필드에서 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 이용하여 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키며, 상기 제2 서브필드에서 상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시킨다. 여기서 하나의 유지 전극과 유지 전극은 각각 두 개의 표시 라인을 공유하므로, 전극의 개수를 줄여 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다. 그리고 유지 전극과 주사 전극 사이에 한 개의 표시 라인이 공유하는 경우에는, 인접한 두 개의 주사 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여 구동함으로써 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다.
PDP, 전극, 표시 라인, 기입 어드레스, 소거 어드레스, 서브필드

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 제1 실시예의 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 제2 실시예의 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제5 서브필드(SF5)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 9는 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀간의 유지 방전 회수의 불균형을 보상하는 구동 파형을 나태는 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성되는 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다.
이러한 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은 한 프레임을 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할한다. 각 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 방전을 통하여 복수의 방전 셀 중에서 켜질 방전 셀을 선택하고, 유지 기간에서 실제로 화상을 표시하기 위해서 켜질 셀에 대해서 유지 방전을 수행한다.
이때, 표시 라인과 어드레스 전극 교차부에 형성되는 방전 셀 중 켜질 방전 셀을 어드레스 기간에서 선택하기 위해서는, 각 표시 라인에 주사 펄스를 인가한다. 각 표시 라인에 주사 펄스를 인가하기 위해서는 각 표시 라인을 선택하기 위한 스캔 회로가 필요하며, 이러한 스캔 회로는 각 주사 전극에 대응되어 연결된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 스캔 회로의 개수를 줄이는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면 제1 방향으로 형성되는 복수의 표시 라인, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 표시 라인이 서로 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 여기서, 상기 복수의 표시 라인은 복수의 제1 표시 라인과 복수의 제2 표시 라인으로 나누어진다. 이 구동 방법은, 제1 프레임의 제1 서브필드에서, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인과 상기 복수의 제2 표시 라인 중 적어도 하나에 형성된 셀 중에서 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 상기 제1 프레임의 제2 서브필드에서, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및 상기 제2 서브필드에서, 상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 플라즈마 표시 장치는 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며, 상기 복수의 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 사이에 각각 형성된다. 한편, 상기 플라즈마 표시 장치는 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며, 상기 복수의 표시 라인의 각 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극의 각 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 중 각 제2 전극에 일 방향으로 인접한 제3 전극 사이에 형성되며, 상기 제1 어드레스 방식 및 상기 제2 어드레 스 방식을 적용할 때, 상기 복수의 제2 전극 중 두 제2 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 발광 셀을 비발광 셀로 전환하는 어드레스 방식을 이용하여, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제1 표시 라인에서 발광 셀을 선택하는 단계; 상기 제1 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계; 상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여, 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제2 표시 라인에서 발광 셀을 선택하는 단계; 및 상기 제2 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 복수 의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제1 표시 라인을 초기화하는 단계; 상기 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 비발광 셀을 발광 셀로 전환하는 어드레스 방식을 이용하여 상기 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계; 상기 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서, 상기 제1 어드레스 기간에서 발광 셀 상태로 전환된 셀을 유지 방전시키는 단계; 상기 제1 서브필드의 제2 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제2 표시 라인을 초기화하는 단계; 상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여 상기 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계; 및 상기 제1 서브필드의 제2 유지 기간에서, 상기 제2 어드레스 기간에서 발광 셀 상태로 전환된 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 제1 프레임의 제1 서브필드의 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전 극에 의해 형성되는 복수의 제1 표시 라인만을 초기화하는 단계; 상기 제1 서브필드의 어드레스 기간에서, 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택하는 단계; 상기 제1 서브필드의 어드레스 기간에서 발광 셀로 선택된 셀을 유지 방전시키는 단계; 제2 프레임에 속하는 제2 서브필드의 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제2 표시 라인만을 초기화하는 단계; 상기 제2 서브필드의 어드레스 기간에서, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택하는 단계; 및 상기 제2 서브필드의 어드레스 기간에서 발광 셀로 선택된 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극의 각 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 중 각 제1 전극에 일 방향으로 인접한 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하며 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 표시 라인 중 상기 제1 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서 발광 셀로부터 비발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 상기 제1 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계; 상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 표시 라인 중 상기 제2 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서 발광 셀로부터 비발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 및 상기 제2 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극의 각 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 중 각 제1 전극에 일방향으로 인접한 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임의 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하는 단계; 상기 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하고 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서 비발광 셀로부터 발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 상기 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서, 상기 제1 어드레스 기간에서 발광 셀로 설정된 셀을 유지 방전시키는 단계; 상기 제1 서브필드의 제2 리셋 기간에서, 상기 복수의 표시 라인 중 상기 제2 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하는 단계; 상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서 비발광 셀로부터 발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 및 상기 제1 서브필드의 제2 유지 기간에서, 상기 제2 어드레스 기간에서 발광셀로 설정된 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 이 플라즈마 표시 장치는 제1 방향으로 형성되는 복수의 표시 라인, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 표시 라인이 서로 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하며 상기 복수의 표시 라인은 복수의 제1 표시 라인과 복수의 제2 표시 라인으로 나뉘어지는 플라즈마 표시 패널; 및 제1 프레임의 제1 서브필드에서 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인과 상기 복수의 제2 표시 라인 중 적어도 하나에 형성된 셀 중에서 발광 셀을 선택한 후 유지 방전 시키고, 상기 제1 프레임의 제2 서브필드에서 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키며, 상기 제2 서브필드에서 상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키는 구동부를 포함한다. 여기서, 상기 플라즈마 표시 패널은 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며, 상기 복수의 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 사이에 각각 형성되고, 상기 복수의 제1 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제1 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되며, 상기 복수의 제2 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제2 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 형성된다. 한편, 상기 플라즈마 표시 패널은 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며, 상기 복수의 표시 라인의 각 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극의 각 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 중 각 제2 전극에 일 방향으로 인접한 제3 전극 사이에 형성되고, 상기 복수의 제1 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제1 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 복수의 제2 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제2 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 형성되며, 상기 구동부는, 상기 제1 어드레스 방식 및 상기 제2 어드레스 방식을 적용할 때, 상기 복수의 제2 전극 중 두 제2 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명 이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 "형성됨", "축적됨" 또는 "쌓임"과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1~Am), 그리고 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1~Xn) 및 주사 전극(Y1~Yn)을 포함한다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호, 유지 전극 구동 제어 신호 및 주사 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 각각의 휘도 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동한다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 제어부(200)는 복수의 X 전극을 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven)으로 분할하여 구동하도록 제어한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어 신호를 수신하여 어드레스 전극에 구동 전압을 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 주사 전극 구동 제어 신호를 수신하여 주사 전극에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 유지 전극 구동 제어 신호를 수신하여 유지 전극에 구동 전압을 인가한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 어드레스 전극(A1~Am), 그리고 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1~Xn) 및 주사 전극(Y1~Yn)을 포함한다. 이때, 어드레스 전극(A1~Am)이 하나의 기판에 형성되고, 유지 전극(X1~Xn)과 주사 전극(Y1~Yn)이 다른 기판에 형성되어, 두 기판이 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 이때, 서로 인접하는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(X1~Xn) 사이에는 화상을 표시하기 위한 표시 라인(L1~L(2n-1))이 형성된다. 예를 들면, 1번째 주사 전극(Y1)과 1번째 유지 전극(X1)사이에서 표시 라인(L1)이 형성될 뿐만 아니라, 1번째 주사 전극(Y1)과 2번째 유지 전극(X2)사이에서도 표시 라인(L2)이 형성된다. 즉, 하나의 주사 전극(Yi)과 이에 상하로 인접하는 두 유지 전극(Xi, X(i+1))에 의해 두 개의 표시 라인(L(2i-1), L(2i))이 형성된다. 이 표시 라인(L1~L(2n-1))과 어드레스 전극(A1~Am)의 교차부에 있는 방전 공간이 각각 방전 셀(28)을 형성하며, 이 방전 셀(28)은 격벽(29)에 의해 구획되어 있다. 이러한 유지 전극(X1~Xn)과 주사 전극(Y1~Yn)은 행 방향을 따라 뻗어 있으며 폭이 좁은 버스 전극(31a, 32a)과 폭이 넓은 투명 전극(31b, 32b)을 포함하며, 투명 전극(31b, 32b)은 각각 버스 전극(31a, 32a)과 연결되어 있다. 이와는 달리, 투명 전극 없이 폭이 넓은 버스 전극만으로 유지 전극과 주사 전극을 형성할 수도 있으며, 버스 전극 없이 투명 전극만으로 유지 전극과 주사 전극을 형성할 수도 있다. 그리고 도 2에는 나타내지 않았지만 버스 전극(31a, 32a) 위에도 격벽이 형성되어 방전 셀(28)을 열 방향으로 구획할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 유지 전극과 주사 전극 각각은 인접한 2개의 표시 라인 공유하는 구조로 배치되어 있기 때문에, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 구조에 비해, 유지 전극과 주사 전극의 수를 줄일 수 있다. 예를 들면, 512개의 표시 라인을 구동할 때, 유지 전극과 주사 전 극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널에서는 유지 전극과 주사 전극의 수가 각각 512개가 필요하게 된다. 그런데, 본 발명의 제1 실시예와 같이 유지 전극과 주사 전극이 각각 인접한 2개의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널에서는 유지 전극과 주사 전극이 각각 512개의 절반 정도만 있으면 된다. 즉, 본 발명의 제1 실시예와 같은 플라즈마 표시 패널은 표시 라인의 수를 거의 2배로 늘릴 수 있으며, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널과 동일한 해상도를 가지는 플라즈마 표시 패널은 설계하는 경우 주사 전극과 유지 전극의 수를 거의 1/2로 줄일 수 있다.
이러한 플라즈마 표시 패널의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다. 도 3은 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 수 있는 다른 전극 배열도를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열은 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인만을 공유하는 것을 제외하고 본 발명의 제1 실시예와 동일하다. 즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널은 주사 전극(Yi)과 유지 전극(Xi+1) 사이에도 격벽(29')이 형성되어, 표시 라인은 동일한 번째에 해당하는 유지 전극(Xi)과 주사 전극(Yi) 사이에만 형성된다. 그리고, 표시 라인은 동일한 번째에 해당하는 유지 전극(Xi)과 주사 전극(Yi) 사이에만 형성되므로, 도 1과 달리 투명 전극(31b, 32b)는 표시 라인쪽으로만 형성될 수 있다. 따라서, 표시 라인의 수는 제1 실시예에 비해 1/2(즉, n)로 줄어들며 제1 실시예와 동일한 해상도를 설계하는 경우 유지 전극과 주사 전극의 개수가 2배로 증가한다. 그러나 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 배열의 경우에는 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 때 각 어드레스 기간에서 주사 펄스가 두 개의 주사 전극에 동시에 인가된다. 여기서, 두 개의 주사 전극에 하나의 스캔 회로가 연결되어 각 어드레스 기간에서 주사 펄스가 동시에 두 개의 주사 전극에 동시에 인가되는 것을 제외하고 아래에서 설명되는 구동 방법이 동일하게 적용될 수 있다.
이하에서는 상기에서 설명한 제1 및 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 구조를 가지는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 대해서 설명한다. 여기서, 편의상 도 2에 나타낸 본 발명의 제1 실시예의 플라즈마 표시 패널을 기준으로 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 대해서 설명하며, 도 3에 나타낸 본 발명의 제2 실시예의 플라즈마 표시 패널에는 아래의 설명하는 구동 방법에서 각 서브필드의 어드레스 기간에서 인가되는 주사 펄스를 동시에 두 주사 전극에 인가하는 것을 제외하고 동일하다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
아래의 설명에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 주사 전극(Y1~Yn) 사이에 형성되는 표시 라인 상의 방전 셀을 "Xodd 라인 셀"이라 하며, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 주사 전극(Y1~Yn) 사이에 형성되는 표시 라인 상의 방전 셀을 "Xeven 라 인 셀"이라 한다. 그리고 유지 기간에서 유지 방전이 일어나도록 적절하게 벽 전하가 형성된 방전 셀을 "발광 셀"이라 하며, 유지 기간에서 유지 방전이 일어나지 않도록 적절하게 벽전하가 형성된 방전 셀을 "비발광 셀"이라 한다. 또한, 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀 뿐만 아니라 유지 방전되지 않은 셀을 리셋 방전 시켜 초기화하는 리셋 기간을 "메인 리셋 기간(MR)"이라 하며, 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전 시켜 초기화하는 리셋 기간을 "선택적 리셋 기간(SR)"이라 한다. 한편, 비발광 셀 상태를 어드레스 방전시켜 발광 셀 상태로 설정하는 어드레싱 방식(즉, 기입 어드레싱 방식)을 적용하는 어드레스 기간을 "기입 어드레스 기간(WA)"이라 하며, 발광 셀 상태를 어드레스 방전시켜 비발광 셀 상태로 설정하는 어드레싱 방식(즉, 소거 어드레싱 방식)을 적용하는 어드레스 기간을 "소거 어드레스 기간(EA)"이라 한다.
도 4에 나타낸 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은 홀수(odd) 프레임과 짝수(even) 프레임으로 나누어져 서로 달리 구동되며, 각 프레임은 복수의 서브필드(SF1~SF10)로 분리되어 구동된다. 각 서브필드(SF1~SF10)는 계조 표시를 위해 소정의 가중치를 가지며, 본 발명의 실시예에서는 각 서브필드(SF1~SF10)의 가중치가 순서대로 {1, 2, 4, 8, 8, 8, 8, 8, 8, 8}을 가지는 것으로 나타내었으나, 이는 하나의 예시에 불과하며 다른 가중치가 설정될 수 있다.
홀수(odd) 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서, Xodd 라인 셀에 대해서만 서브필드가 수행되며 Xeven 라인 셀에서는 서브필드가 수행되지 않는다. 그리고 짝수(even) 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 Xeven 라인 셀에서만 서브필드가 수행되며 Xodd 라인 셀에서는 서브필드가 수행되지 않는다. 이에 따라 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)는 두 프레임마다 한번씩 발광을 수행한다. 즉, 저계조 서브필드인 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)는 전체 셀에 대해서 두 프레임인 홀수 프레임과 짝수 프레임을 통해 표현된다.
홀수(odd) 프레임의 제1 서브필드(SF1)는 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다. 다음으로, 제2 및 제3 서브필드(SF2, SF3)는 각각 선택적 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다. 상기에서 설명한 바와 같이 홀수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 각각 Xodd 라인 셀에 대해서만 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다. 한편, 도 4에서는 제2 및 제3 서브필드(SF2, SF3)의 리셋 기간은 리셋 기간 단축 및 콘트라스트를 향상시키기 위해 선택적 리셋 기간(SR)으로 설정하였으나, 메인 리셋 기간(MR)으로 대체될 수 있음은 당연하다.
다음으로 홀수(odd) 프레임의 제4 서브필드(SF4)에서는, 먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)을 수행한 후, Xeven 라인 셀에 대해서 메인 리셋 기간(MR), 제2 기입 어드레스 기간(WA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 수행한다. 여기서, Xeven 라인 셀에 대해서는 이전 서브필드인 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 어떠한 동작도 수행되지 않았으므로, Xeven 라인 셀을 초기화시키기 위해 메인 리셋 기간(MR)이 수행된다. 한편, 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전이 발생할 때에는, Xodd 라인 셀도 이전에 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전이 발생하였으므로 유지 방전이 중복하여 발생한다.
제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 모든 셀(Xodd, Xeven)에 대해서 서브필드 동작이 수행되며, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)는 각각 소거 어드레스 기간(EA1, EA2) 및 유지 기간(S1, S2)을 포함한다. 여기서, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는, 먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 제1 소거 어드레스 기간(EA1)을 수행한 후 제1 유지 기간(S1)을 수행하며, 다음으로 Xeven 라인 셀에 대해서 제2 소거 어드레스 기간(EA2)을 수행한 후 제2 유지 기간(S)을 수행한다. 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 이미 발광 셀 상태이므로, 제5 서브필드(SF5)의 소거 기간(EA1, EA2)에서는 이러한 발광 셀 중 선택하고자 하는 셀을 비발광 셀 상태로 설정한다. 그리고 제6 서브필드 내지 제10 서브필드(SF6~SF10) 각각의 소거 어드레스 기간(EA1, EA2)에서는 이전 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전된 셀(즉, 발광 셀) 중에서 비발광 셀 상태로 설정할 셀을 선택한다. 도 4에서 Xodd 라인 셀 뿐만 아니라 Xeven 라인 셀에 대해서 모두 유지 기간(S1, S2)이 표시되어 있는 부분은, 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 모두 유지 방전 펄스가 인가되어 Xodd 라인 셀 및 Xeven 라인 셀 모두에서 유지 방전이 발생할 수 있음을 나타내는 것이다.
한편, 짝수 프레임(even)에 대한 구동 방법은 홀수 프레임(odd)에 대한 구동 방법에서 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀에 대해서 그 순서가 뒤바뀐 것을 제외하고 동일하므로, 이하 구체적 설명은 생략한다. 즉, 짝수 프레임의 제1 내지 제3 서브 필드(SF1~SF3)에서는 각각 Xeven 라인 셀에 대해서만 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행하고, 제4 서브필드(SF4)에서는 먼저 Xeven 라인 셀에 대해서 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한 후 Xodd 라인 셀에 대해서 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다. 그리고, 짝수 프레임의 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 각각 Xeven 라인 셀에 대해서 소거 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한 후 Xodd 라인 셀에 대해서 소거 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다.
도 4에서, 제5 내지 제8 서브필드(SF5~SF10)의 가중치가 각각 제4 서브필드(SF4)와 동일한 가중치와 동일한 가중치를 가지는 것으로 나타내었는데, 이는 소거 어드레스 기간에서 소거 어드레싱 방식이 적용되는 경우에는 소거 어드레스 기간에서 선택되어 비발광된 셀로 설정된 셀은 이후 서브필드에서 다시 발광 셀 상태로 변경될 수 없기 때문이다. 여기서, 제5 내지 제8 서브필드(SF~SF10)의 각각의 가중치를 가중치 8보다 높은 가중치를 설정할 수 있으나, 이 경우에는 256계조가 모두 표현되지 못하므로 표현되지 못하는 계조는 디더링(Dithering) 방법 등을 통해 표현할 수 있다.
이하에서는 도 5 내지 도 9를 참조하여, 도 4의 구동 방법을 적용하기 위한 구동 파형에 대해서 상세하게 설명한다. 도 5 내지 도 9에 나타낸 구동 파형은 홀수 프레임에서 인가되는 구동 파형은 나타낸 것이며, 짝수 프레임에 인가되는 구동 파형은 홀수 프레임에 인가되는 구동 파형에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형을 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인가하는 구동 파형과 서로 반대 로 인가하여 구현할 수 있으므로 구체적으로 도면에 나타내지 않았다. 따라서 아래에서는 홀수 프레임에 인가하는 구동 파형을 중심으로 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 서브필드는 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함하며, 제2 서브필드 및 제3 서브필드는 각각 선택적 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다.
여기서, 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)은 소거 기간(Ⅰ), 상승 기간(Ⅱ) 및 하강 기간(Ⅲ)을 포함한다.
메인 리셋 기간(MR)의 소거 기간(Ⅰ)에서는, 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 Ve 전압을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 기준 전압(도 5에서는 0V로 나타내었음. 이하 동일함)까지 점진적으로 하강시킨다. 제1 서브필드(SF1)의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀은 유지 전극과 주사 전극에 각각 양(+)의 벽 전하와 음(-)의 벽 전하가 형성되어 있으므로, 소거 기간(I)과 같은 파형을 인가하는 경우 벽 전하가 소거된다. 이에 따라 제1 서브필드(SF1)의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀은 유지 방전되지 않은 셀과 거의 유사한 벽 전하 상태가 된다. 한편, 도 5에서는 제1 서브필드(SF1)의 소거 기간에 인가되는 소거 파형으로서 주사 전극(Y1~Yn)에 점진적으로 하강하는 파형을 인가하였으나, 그 외에 소거 파형으로서 주사 전극(Y1~Yn)을 기준 전압(0V)으로 바이어스한 상태에서 유지 전극(Xeven, Xodd)의 전압을 점진적으로 상승시키는 파형, 짧은 펄스에 의해 벽 전하를 소거시키는 세폭 펄스 파형 등이 대체될 수 있음은 당연하다.
다음으로 메인 리셋 기간(MR)의 상승 기간(Ⅱ)에서, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 Ve 전압을 인가하고 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 기준 전압(0V)을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 상승시킨다. 그리고, 어드레스 전극(A1~Am)에 기준 전압(0V)을 인가한다. 여기서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 기준 전압(0V)을 인가하므로 주사 전극(Y1~Yn) 중 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 이와 표시 라인을 형성하는 주사 전극(이하, 'Yxo'라 함. 즉 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열에서는 'Yxo 전극'은 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인접한 주사 전극 영역을 의미하며, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열에서는 'Yxo 전극'은 홀수 번째 주사 전극(Yodd)을 의미함. 이하에서 'Yxo'라 함은 이러한 의미로 동일하게 사용함) 사이에서 미약한 방전인 리셋 방전이 발생하며, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에는 Ve 전압을 인가하므로 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 이와 표시 라인을 형성하는 주사 전극(이하, 'Yxe'라 함. 즉 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열에서는 'Yxe 전극'은 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인접한 주사 전극 영역을 의미하며, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열에서는 'Yxe 전극'은 짝수 번째 주사 전극(Yeven)을 의미함. 이하에서 'Yxe'라 함은 이러한 의미로 동일하게 사용함) 사이에서는 리셋 방전이 발생하지 않는다. 또한, 주사 전극(Y1~Yn)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이에서도 미약한 리셋 방전이 일어난다. 이에 따라, 도 2와 같 은 제1 실시예의 전극 배열의 경우에는 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인접한 영역(투명 전극)에 음(-)의 벽 전하가 형성되고, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열의 경우에는 홀수 번째 주사 전극(Y1, Y3,…)에 음(-)의 벽전하가 형성된다. 즉 주사 전극(Yxo)에 음(-)의 벽 전하가 형성된다. 그리고 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 양(+)의 벽 전하가 형성되며, 어드레스 전극(A1~Am)에 음(-)의 벽 전하가 형성된다. 즉, Xodd 라인 셀에만 리셋 방전이 발생하여 초기화된다.
그리고 전극의 전압이 도 5와 같이 점진적으로 변하는 경우에는 셀에 미약한 방전이 일어나면서 외부에서 인가된 전압과 셀의 벽 전압의 합이 방전 개시 전압 상태를 유지하도록 벽 전하가 형성된다. 이러한 원리에 대해서 웨버(Weber)의 미국등록특허 제5,745,086에 개시되어 있다. 한편, 제1 서브필드의 메인 리셋 기간에서는 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀이든 유지 방전되지 않은 셀이든 초기화하여야 하므로, Vset 전압은 모든 조건의 셀에서 방전이 일어날 수 있을 정도의 높은 전압이다. 또한, Vs 전압은 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(X1~Xn) 사이의 방전 개시 전압보다 낮은 전압으로서, 도 5에서는 전원수를 줄이기 위해 유지 기간에서 인가되는 유지 방전 펄스 전압과 동일한 전압으로 설정하였으나 다른 전압으로 설정될 수 있다. 그리고 Ve 전압은 Vset 전압과 Ve 전압의 차에 의해 주사 전극과 유지 전극 간에 리셋 방전이 일어나지 않도록 적절하게 선택된다.
그리고, 메인 리셋 기간(MR)의 하강 기간(Ⅲ)에서는 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시킨다. 이때, 짝수 번째 주사 전 극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하고 홀수 번째 주사 전극(Xodd)에 Ve 전압을 인가하며, 어드레스 전극(A1~Am)에 기준 전압(0V)을 인가한다. 그러면 주사 전극(Y1~Yn)의 전압이 감소하는 중에, 주사 전극(Yxo)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이 및 주사 전극(Y1~Xn)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이에서 미약한 방전인 리셋 방전이 발생한다. 이에 따라 주사 전극(Yxo)에 형성된 음(-)의 벽 전하, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 형성된 (+) 벽전하 및 어드레스 전극(A1~Am)에 형성된 양(+)의 벽 전하가 소거된다. 그러나, 앞서 설명한 바와 같이 상승 기간(Ⅱ)에서 주사 전극(Yxe)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 사이에서 미약한 방전이 발생하지 않았으며, 하강 기간(Ⅲ)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하므로, 주사 전극(Yxe)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 사이에서는 리셋 방전이 발생하지 않는다. 따라서, Xodd 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여, 비발광 셀로 초기화되며 어드레싱에 적합한 벽적하 상태가 된다. 일반적으로 Ve 전압과 Vnf 전압의 크기는 주사 전극(Yxo)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되도록 설정되어, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다. 그리고 어드레스 전극(A1~Am)은 기준 전압(0V)으로 유지되어 있으므로 Vnf 전압 레벨에 의해 주사 전극(Yxo)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이의 벽 전압이 결정된다.
이와 같이 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간에서는 Xodd 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여 어드레싱에 적절한 벽전하 상태가 형성된다. 그러나 Xeven 라인 셀은 리셋 방전이 발생하지 않으므로 어드레싱에 적합한 벽전하 상태가 형성 되지 않는다. 한편, Xodd 라인 셀의 벽 전하 상태는 리셋 방전에 의해 비발광 셀 상태가 된다.
다음으로, 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는 Xodd 라인 셀 중 발광 셀로 선택할 셀을 선택하기 위해서, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가한다. 예를 들면, 제1 실시예의 전극 배열 구조의 경우에는 Yi 전극에 주사 펄스를 인가한 후 Y(i+1) 전극에 주사 펄스를 인가하나, 제2 실시예의 경우는 Yi-Y(i+1) 전극에 주사 펄스를 동시에 인가한 후 Y(i+2)-Y(i+3) 전극에 주사 펄스를 동시에 인가한다. 그리고 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에는 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한다. 이때, Vscl 전압을 주사 전압이라 하며, Vsch 전압을 비주사 전압이라고도 한다. Vscl 전압이 인가된 주사 전극에 형성되는 복수의 방전 셀 중에서 선택하고자 하는 방전 셀을 통과하는 어드레스 전극에 Va 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가하며, 선택하고자 하지 않는 어드레스 전극은 기준 전압(0V)으로 바이어스 한다. 그러면 Va 전압이 인가된 어드레스 전극과 Vscl 전압이 인가된 주사 전극 및 Ve 전압이 인가된 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 의해 형성되는 셀에서 방전이 일어나 주사 전극에 양(+)의 벽전하, 어드레스 전극 및 유지 전극에 각각 음(-) 벽 전하가 형성된다. 즉, Xodd 라인 셀 중 Va 전압이 인가된 셀에서 어드레스 방전이 발생하여, 비발광 셀 상태에서 발광 셀 상태로 설정된다. 그러나, Xeven 라인 셀은 제1 서브필드의 메인 리셋 기간(MR)에서 초기화되지 않았으며 기입 어드레스 기간(WR)에서도 짝수 번째 유지 전극(Xodd)은 기준 전압으로 바이어스 되어 있으므로, Xeven 라인 셀은 어드레스 방전이 발생하지 않는다. 한편, 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는 Xodd 라인 셀 중 선택하고자 하는 방전 셀을 선택하므로, 어드레스 전극에 인가하는 어드레스 펄스는 이에 대응하여 인가한다.
이와 같이 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는, 유지 기간에서 발광할 셀을 선택하기 위해 Xodd 라인 방전 셀 중 해당 셀을 방전시켜서 벽전하를 형성시킴으로써 비발광 셀 상태를 발광 셀 상태로 설정한다.
제1 서브필드(SF1)의 유지 기간(S)에서는 유지 방전 전압(Vs)을 가지는 유지 방전 펄스를 교대로 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 인가한다. 이러한 유지 방전 펄스에 의해, 제1 서브필드의 기입 어드레스 기간(WA)에서 발광 셀 상태로 설정된 셀에서 유지 방전이 발생한다. 여기서 유지 방전 펄스의 개수는 제1 서브필드의 가중치에 맞게 적절하게 선택된다.
다음으로, 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3)에 인가되는 구동 파형은 리셋 기간에 인가되는 구동 파형이 다른 것을 제외하고 나머지는 제1 서브필드(SF1)에 인가되는 구동 파형과 동일하므로 이하 중복되는 설명은 생략한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3)의 리셋 기간은 선택적 리셋 기간(SR)으로서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 점진적으로 상승 시키지 않고 바로 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시켜, 각각 이전 서브필드에서 유지 방전 셀만을 리셋 방전시킨다.
제2 서브필드(SF2)의 이전 서브필드인 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간에서, 주사 전극(Y1~Yn)에 마지막 유지 방전 펄스를 인가하므로 유지 방전된 셀(Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드에서 유지 방전된 셀을 의미함)의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성된다. 여기서, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강하는 전압을 인가한다. 그러면 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀에서 리셋 방전이 발생하나, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전되지 않은 셀은 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)의 벽 전하 상태를 유지하므로 리셋 방전이 발생하지 않는다. 즉, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드에서 유지 방전되지 않은 셀은 메인 리셋 기간(MR) 종료 후의 벽 전하 상태를 그대로 유지하고 있어서 이를 다시 리셋 방전시킬 필요가 없으므로, 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 하강하는 전압만을 인가하여 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀에서만 리셋 방전을 발생시킨다. 한편, 제2 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR)에서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 Ve 전압을 인가하므로 Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀에서만 리셋 방전이 발생한다. 따라서, 제2 서브필드(SF2)의 보조 리셋 기간(SR)에서, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀은 리셋 방전이 발생하여 초기화되며 Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드 (SF1)에서 유지 방전되지 않은 셀은 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR) 종료후의 벽 전하 상태를 유지하고 있으므로, Xodd 라인 셀은 모두 비발광 셀 상태로 초기화된다.
한편, 제3 서브필드(SF3)의 선택적 리셋 기간(SR)의 동작은 제2 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다. 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3) 각각의 유지 기간은 해당 서브필드의 가중치에 맞게 적절하게 유지 방전 펄스 개수가 설정된다.
이와 같이 도 5에 나타낸 구동 파형을 통해 제1 서브필드 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 Xodd 라인 셀에 대해서만 리셋 동작, 기입 어드레싱 동작 및 유지 방전 동작이 수행된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 제1 실시예의 구동 파형을 나타내는 도면이다.
먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)을 수행한다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 제4 서브필드의 가중치를 표현하기 위해서 제1 유지 기간(S1)에 인가하는 유지 방전 펄스의 개수가 달라진 점을 제외하고 제4 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)은 제2 서브필드 또는 제3 서브필드(SF3)와 동일한 파형을 인가하므로 중복되는 설명은 생략한다. 즉, 선택적 리셋 기간(SR)에서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 Ve 전압을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시킴으로써, Xodd 라 인 셀을 비발광 셀 상태로 초기화하는 리셋 동작이 수행된다. 다음으로, 제1 기입 어드레스 기간(WA1)에서는 Xodd 라인 셀 중 발광 셀 상태로 설정할 셀을 선택하는 기입 어드레스 동작이 수행되며, 제1 유지 기간(S1)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 교대로 유지 방전 펄스가 인가되어 유지 방전 동작이 수행된다.
다음으로 Xeven 라인 셀에 대해서 메인 리셋 기간(MR), 제2 기입 어드레스 기간(WA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 수행한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 메인 리셋 기간(MR)에서는 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 상승시킨 후, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve 전압 및 기준 전압(0V)을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강하는 전압을 인가한다. 즉, 도 5에 나타낸 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형이 서로 반대로 인가한다. 따라서, Xeven 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여 Xeven 라인 셀만이 비발광 상태로 초기화된다.
다음으로, 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서도 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)과 반대로, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve 전압과 기준 전압(0V)을 인가하므로, Xeven 라인 셀에서만 기입 어드레싱 동작이 수행된다.
그리고, 제2 유지 기간(S2)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 교대로 유지 방전 펄스를 인가하여 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 선택된 셀에서 유지 방전이 발생한다. 이때, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀은 메인 리셋 기간(MR) 및 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 방전이 발생하지 않아 발광 셀 상태를 그대로 유지하고 있으므로, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀도 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전 펄스가 인가될 때 유지 방전이 발생한다. 즉, 제1 기입 어드레스 기간(WA1)에서 선택되어 발광 셀 상태로 설정된 셀과 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 선택되어 발광 셀 상태로 설정된 셀도 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전된다. 따라서, Xodd 라인 셀은 제1 유지 기간 및 제2 유지 기간에서 유지 방전되므로, Xeven 라인 셀보다 더욱 많은 회수의 유지 방전이 발생한다. 이러한 제4 서브필드(SF4)에서 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀에 대한 유지 방전 회수의 차이는 아래에서 설명하는 바와 같이 보충되어 유지 방전 회수가 동일하게 조절된다.
한편, 제4 서브필드의 제1 유지 기간(S1)에서 마지막 유지 방전 펄스가 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되므로, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성되어, 주사 전극에 대한 유지 전극의 벽 전압(Vwxy)이 높게 설정된다. 이러한 셀은 메인 리셋 기간(MR)에서 리셋 방전이 발생하지 않으므로 벽 전하 상태는 메인 리셋 기간(MR)의 종료 시점에도 그대로 유지된다. 그러나 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 주사 전압(Vscl)이 인가될 때 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 에 기준 전압(0V)을 인가하므로 홀수 번째 유지 전극(Xodd)의 전압이 주사 전극(Y1~Yn)의 전압보다 높아지며, 이에 따라 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀은 이전에 형성된 벽 전하와 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서의 인가 전압에 의해 방전이 발생되어 벽전하 상태가 변형될 수 있다. 즉, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극간의 벽 전압(Vwxy)에 상기 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서의 인가 전압(Vscl, 0V)이 더해져, 방전이 발생하여 벽 전하가 변형될 수 있다.
아래에서는 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀이 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 벽 전하가 변형되는 것을 방지하는 방법에 대해서 도 7을 참조하여 알아본다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 제2 실시예의 구동 파형을 나타내는 도면이다. 도 7에 나타낸 바와 같이 제4 서브필드에 인가되는 제2 실시예의 구동 파형은 메인 리셋 기간(MR)과 제2 기입 어드레스 기간(WA2') 사이에 보정 기간(AS)이 위치하며 제2 기입 어드레스 기간(WA2')에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에도 Ve 전압을 인가하는 것을 제외하고 제1 실시예의 구동 파형과 동일하므로 이하 중복되는 설명은 생략한다.
먼저, 메인 리셋 기간(MR)후 보정 기간(AS)에서, 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 및 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve 전압을 인가하며, 주사 전극(Y1~Yn)에 기준 전압(0V)을 인가한다. Xeven 라인 셀은 메인 리셋 기간(MR)에서 초기화되므로, 보정 기간(AS)에 아무런 방전이 발생하지 않는다. 그러나, Xodd 라인 셀 중 제1 기입 어드레스 기간(WA1)에서 선택된 셀은 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전되며 메인 리셋 기간(MR)에서 벽 전하 상태가 변동되지 않으므로, 제1 유지 기간(S1) 종료 후의 벽 전하 상태를 유지한다. 제1 유지 기간에서 마지막 유지 방전 펄스가 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되었으므로, Xodd 라인 셀 중 제1 유지 기간에서 유지 방전 된 셀의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성되어, 주사 전극에 대한 유지 전극의 벽 전압(Vwxy)이 높게 설정된다. 이때, 보정 기간(AS)에서 짝수 번째 유지 전극(Xodd)에 Ve 전압이 인가되고 주사 전극(Y1~Yn)에 기준 전압(0V)이 인가되므로, 제1 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 벽 전압(Vwxy)과 Ve 전압의 합에 의해 보정 기간(AS)에서 유지 방전이 발생한다. 여기서, 도 7에서는 Ve 전압을 Vs 전압보다 낮은 전압으로 나타내었으나, Ve 전압을 Vs 전압과 거의 유사한 전압으로 설정하는 경우에는 보정 기간(AS)에서 제1 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 한번 더 유지 방전이 발생한다. 한편, Ve 전압을 Vs 전압과 거의 유사한 전압으로 설정하는 경우에는 상대적으로 Vnf 전압을 더욱 낮게 설정하면 된다.
상기에서 설명한 바와 같이 보정 기간(AS)에서, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀은 한번 더 유지 방전이 발생하므로, 유지 방전된 셀의 유지 전극과 주사 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성된다. 제2 기입 어드레스 기간(WA2')에서는, 모든 유지 전극(Xeven, Xodd)에 Ve 전압을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 주사 펄스를 인가한다. 이에 따라 제1 유지 기간 (S1)에서 유지 방전된 셀은 제2 기입 어드레스 기간(WA2')에서 주사 펄스가 인가될 때 보정 기간(AS)에서 형성된 벽 전압에 의해 방전이 발생하지 않아, 벽 전하가 변동되지 않는다. 한편, 도 5에 나타낸 제2 기입 어드레스 기간(WA2)과 같이 제2 기입 어드레스 기간(WA2')에서도 Xeven 라인 셀이 선택되어 어드레싱된다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제5 서브필드(SF5)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 제5 서브필드(SF5)는 Xodd 라인 셀에 대해서 적용하는 제1 소거 어드레스 기간(EA1) 및 제1 유지 기간(S1), Xeven 라인 셀에 대해서 적용하는 제2 소거 어드레스 기간(EA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 포함한다. 한편, 소거 어드레싱 방식을 적용하기 위해서는 셀이 발광 셀 상태에 있어야 하는데 제4 서브필드(SF4)에서 유지 방전된 셀은 발광 셀 상태에 있으므로 도 8에서 나타낸 바와 같이 바로 제5 서브필드(SF5)는 제1 소거 어드레스 기간이 바로 위치할 수 있다.
먼저 제5 서브필드(SF5)의 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서는, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 접지 전압(0V) 및 Ve' 전압을 인가한다. 이때, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl' 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl' 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch' 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl' 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl' 전압이 인가되지 않는 주사 전극 들은 Vsch' 전압을 인가한다. 여기서, Ve' 전압은 제1 내지 제4 서브필드의 기입 어드레스 기간에 인가되는 Ve 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 제4 서브필드(SF4)의 제2 유지 기간(S2)에서 마지막으로 주사 전극(Y1~Yn)에 유지 방전 펄스가 인가되므로, 제4 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성된다. 이 유지 방전된 셀의 벽 전하에 의한 벽 전압에 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')의 차(Va'+|Vscl'|)가 더해져, 주사 전압(Vscl')이 인가된 주사 전극과 어드레스 전압(Va')이 인가된 어드레스 전극 사이에 방전이 발생하며, 이 방전에 의해 주사 전극과 Ve' 전압이 인가된 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이에 방전이 확산되어 벽 전하가 소실됨으로써 발광 상태에서 비발광 상태로 변동된다. 그러나, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)은 기준 전압(0V)으로 바이어스 되어 있으므로 주사 전극과 어드레스 전극에 각각 주사 전압(Vscl') 및 어드레스 전압(Va')이 인가된다 하더라도 주사 전극과 어드레스 전극간에만 미약한 방전이 발생하고 짝수 번째 유지 전극(Xeven)으로 방전이 확산되지 않으며, 이에 따라 Xeven 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')이 인가되더라도 소거 어드레싱 동작이 이루어지지 않는다. Ve' 전압이 인가된 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 의해 형성되는 셀인 Xodd 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')에 의해 소거 어드레싱 동작이 가능하나, Ve' 전압이 인가되지 않은 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 의해 형성되는 셀인 Xeven 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')에 의해서도 소거 어드레싱 동작이 발생하지 않는다. 즉, Ve' 전압이 인가되는지 여부에 따라 소거 어드레 싱 동작의 성공 여부가 결정된다. 따라서, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서는 Xeven 라인 셀 중 선택된 셀만이 발광 상태에서 비발광 상태로 변동되어 소거 어드레싱 동작이 수행된다.
한편, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 인가되는 Ve' 전압 레벨은 상기에서 설명한 바와 같이 Ve 전압레벨보다 낮은 레벨로 설정한다. 이는 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 마지막 유지 방전 펄스가 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되어 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에는 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 많이 형성되며, 이에 따라 Ve 전압레벨보다 다소 낮은 Ve' 전압레벨로도 소거 어드레싱 동작이 가능하다. 그러나, 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에 인가되는 Ve 전압은 리셋 기간 후의 벽 전하가 다소 적게 존재하므로 다소 높은 전압레벨로 설정한다. 한편, 도 8에서, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서의 주사 전압(Vscl')과 비주사 전압(Vsch')을 각각 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에서의 주사 전압(Vscl)과 비주사 전압(Vsch)보다 높은 레벨로 설정할 수도 있는데, 이는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서의 소거 동작은 유지 방전된 셀을 비발광 셀 상태로 설정하는 것이므로 주사 전압과 비주사 전압을 각각 기입 어드레스 기간에서의 주사 전압과 비주사 전압보다 다소 높은 레벨로 설정할 수 있다. 그리고, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 인가되는 주사 펄스의 폭도 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에서 인가되는 주사 펄스 폭보다 줄일 수 있다. 소거 어드레싱 동작은 발광 셀 상태를 비발광 셀 상태로 설정하는 것이므로, 방전에 의해 벽 전하가 형성되는 시간을 확보해주지 않도록 하기 위해 주사 펄스 폭을 기입 어드레싱 동작 시의 주사 펄스 폭보다 줄일 수 있다.
제5 서브필드(SF5)의 제1 유지 기간(S1)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 교대로 유지 방전 펄스를 인가하여, 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시킨다. 이때 유지 방전 펄스 개수는 제5 서브필드(SF5)의 가중치에 대응하여 적절하게 선택된다.
한편, 제1 유지 기간(S1)에 인가되는 유지 방전 펄스는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 일부 소실된 Xeven 라인 셀의 벽 전하를 보충하는 역할을 한다. 상기에서 설명한 바와 같이, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 주사 전극과 어드레스 전극에 각각 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')을 인가할 시 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하더라도 Xeven 라인 셀의 주사 전극과 어드레스 전극간에는 미약한 방전이 발생한다. 이에 따라 Xeven 라인 셀 중 발광 셀 상태에 있는 셀의 어드레스 전극에 형성되어 있는 벽 전하가 소실되어, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서 제대로 소거 어드레싱되지 않을 수 있다. 그러나 이러한 소실된 벽 전하는 제2 유지 기간(S2)에 의해 보충된다. Xeven 라인 셀은 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 선택되지 않으므로 Xeven 라인 셀 중 발광 셀은 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 일부 벽 전하가 소실된다 하더라도 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전 펄스가 인가될 때는 유지 방전이 발생하며, 이 유지 방전에 의해 소실된 벽 전하가 보충된다.
다음으로, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve' 전압과 기준 전압(0V)을 인가한다. 그리고, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl' 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl' 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch' 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl' 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl' 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch' 전압을 인가한다. 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에만 Ve' 전압을 인가하고 있으므로, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)과 반대로 짝수 라인 셀 중 비발광 셀로 선택할 셀이 선택된다.
그리고 제2 유지 기간(S2)에서 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 교대로 유지 방전 펄스가 인가된다. 그러면, 발광 상태로 남아 있는 셀이 유지 방전한다. 여기서, 제2 유지 기간(S2)에 인가되는 유지 방전 펄스 개수는 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀의 유지 방전 회수를 맞추기 위해서 제1 유지 기간(S1)에 인가되는 유지 방전 펄스 개수와 동일하게 설정한다. 한편, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서도 Xodd 라인 셀 중 발광 셀 상태로 남아 있는 셀의 벽 전하가 일부 소거되나 이 소실된 벽전하는 제1 유지 기간(S1)과 마찬가지로 제2 유지 기간(S2)에서의 유지 방전에 의해 보충된다. 이를 통해 제5 서브필드(SF5)의 다음 서브필드인 제6 서브필드(SF1)의 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 Xodd 라인 셀이 제대로 소거 어드레싱 동작이 수행되도록 한다.
한편, 제6 서브필드 내지 제10 서브필드(SF6~SF10)에 인가되는 구동 파형은 도 8에 나타낸 제5 서브필드(SF5)의 구동 파형과 동일하므로 이하에서 설명을 생략한다.
여기서, 제5 서브필드 내지 제10 서브필드(SF5~SF10) 각각에서는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 Xodd 라인 셀에 대해서 소거 어드레싱 방식을 먼저 적용하고 그 다음에 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서 Xeven 라인 셀에 대해서 소거 어드레싱 방식을 적용한다. 따라서, 동일 서브필드에서 발광 상태에서 비발광 상태로 변동되더라도, Xeven 라인 셀은 제1 유지 기간(S1) 후에 소거 어드레싱 방식이 적용되므로 유지 방전 회수가 제1 유지 기간(S1)의 유지 방전 회수만큼 더 많이 발생한다. 그러나, 앞서 설명한 바와 같이 제4 서브필드(SF4)에서는 Xodd 라인 셀은 제4 서브필드(SF4)의 제1 유지 기간(S1) 및 제2 유지 기간(S2)에서 모두 발광하므로 Xodd 라인 셀이 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많이 발생되며, 이에 따라 제4 서브필드 내지 제10 서브필드(SF4~SF10) 전체에서 보면 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀간에 유지 방전 회수가 동일하게 된다.
한편, 상기에서 설명한 바와 같이 제4 서브필드(SF4)에서 Xodd 라인 셀은 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많으므로, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서 소거 어드레싱 되지 않고 모두 발광하는 셀의 경우 Xodd 라인 셀이 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많아진다. 이처럼 하나의 프레임의 입장에서 보면 Xodd 라인 셀이 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많지만, 짝수(even) 프레임에서는 홀수 프레임의 어드레싱 순서와 반대로 Xeven 라인 셀 어드레싱 후 Xodd 라인 셀이 어드레싱되므로 두 프레임 주기로 보면 전체 유지 방광 회수 는 동일하게 된다.
그러나, 하나의 프레임 내에서도 유지 방전 회수를 동일하게 유지하기 위해서는 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10) 중 어느 하나의 서브필드에서 도 9와 같은 구동 파형을 인가할 수 있다. 도 9는 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀간의 유지 방전 회수의 불균형을 보상하는 구동 파형을 나태는 도면이다. 도 9에서는 유지 방전 회수를 보상하기 위한 보상 유지 기간(S3)이 제5 서브필드(SF5)의 구동 파형에 추가되는 것으로 나타내었지만 도 9와 같은 파형은 제5 내지 제10 서브필드 중 어느 하나의 서브필드에서 인가될 수 있다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 유지 방전 회수를 보상하기 위해 보상 유지 기간(S3)이 추가된다. 보상 유지 기간(S3)에서는 Xodd 라인 셀이 유지 방전하지 않도록 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 소정의 Vm 전압을 인가한다. 그리고 보상 유지 기간(S3)에서 Xeven 라인 셀은 유지 방전할 수 있도록 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 주사 전극(Y1~Yn)에 교대로 유지 방전 펄스를 인가한다. 따라서, Xeven 라인 셀만이 보상 유지 기간(S3)에서 유지 방전하므로, 유지 방전 회수의 불균형을 보상할 수 있다. 이때, Vm 전압레벨은 Vs 전압레벨보다 낮은 레벨로 유지 방전이 발생하지 않은 레벨로 적절히 설정된다. 한편, 도 9에서 보상 유지 기간(S3)에서 Xodd 라인 셀을 유지 방전시키지 않기 위해 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 Vm 전압을 인가하였으나, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)을 보상 유지 기간(S3)에서 플로팅(floating)하는 방법 등 다른 방법이 사용될 수 있다.
상기 설명한 플라즈마 표시 장치의 구동 파형은 홀수 프레임에 인가되는 구동 파형을 나타낸 것이나, 짝수 프레임이 인가되는 구동 파형은 도 5 내지 도 9의 구동 파형에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형을 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인가하는 구동 파형과 서로 바꾸어서 인가한다. 짝수 프레임에 인가되는 구동 파형에 대한 구체적인 방법은 상기 설명을 바탕으로 당업자라면 쉽게 구현할 수 있으므로 이하 구체적 설명은 생략한다.
상기에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 구동 방법 및 구동 파형을 도 2에 나타낸 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널에 인가하는 경우 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다. 도 2에서 설명한 바와 같이 제1 실시예에 다른 플라즈마 표시 패널은 동일한 해상도를 가지는 플라즈마 표시 패널을 설계하는 경우 주사 전극 및 유지 전극의 총 개수를 종래( 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널의 구조를 말함. 이하 동일함)보다 1/2 가량 줄일 수 있으며, 이에 따라 각 주사 전극(Y1~Yn)을 구동하는 스캔 회로도 종래보다 1/2 가량 줄일 수 있다. 그리고, 도 3과 같은 플라즈마 표시 패널에 상기에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 구동 방법 및 구동 파형에 인가하는 경우에도 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다. 도 3에서 설명한 바와 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널을 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널과 동일한 해상도로 설계하는 경우 주사 전극과 유지 전극의 총 개수가 2배 가량 증가하나, 어드레스 기간에서 주사 펄스를 인가할 시에 인접한 두 주사 전극에 동시에 주사 펄스를 인가한다. 인접한 두 주사 전극에 동시에 주사 펄스를 인가할 수 있으므로, 인접한 두 주사 전극은 하나의 스캔 회로를 공유할 수 있다. 이에 따라 스캔 회로를 종래보다 1/2 가량 줄일 수 있다.
그리고 본 발명의 실시예에 따른 구동 방법 및 구동 파형을 적용하는 경우 콘트라스트(Contrast)가 향상된다. 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3) 각각에서는 Xodd 라인 셀에서만 리셋 기간에서 리셋 방전이 발생하므로, Xodd 라인 셀 및 Xeven 라인 셀 모두에서 리셋 방전을 발생시키는 경우보다 더욱 콘트라스를 줄일 수 있다. 또한, 제5 서브필드 내지 제10 서브필드(SF5~SF10) 각각에서는 제4 서브필드(SF4)에서 유지 방전된 셀에 소거 어드레싱 방식이 적용되어 리셋 방전이 필요 없으므로 더욱 콘트라스트(Contrast)를 줄일 수 있다. 한편, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 소거 어드레스 방식이 적용되므로 스캔 펄스의 폭을 줄일 수 있어, 고속 어드레싱이 가능하다. `
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 유지 전극과 주사 전극 각각에 인접한 2개의 표시 라인을 공유하도록 하여 전극의 개수를 줄임으로써 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다. 그리고, 인접한 두 개의 주사 전극에 동시에 주사 펄스를 인가하여 구동함으로써 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다.

Claims (57)

  1. 제1 방향으로 형성되는 복수의 표시 라인, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 표시 라인이 서로 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 표시 라인은 복수의 제1 표시 라인과 복수의 제2 표시 라인으로 나누어지며,
    제1 프레임의 제1 서브필드에서, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인과 상기 복수의 제2 표시 라인 중 적어도 하나에 형성된 셀 중에서 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계;
    상기 제1 프레임의 제2 서브필드에서, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및
    상기 제2 서브필드에서, 상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    제2 프레임의 제3 서브필드에서,
    상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및
    상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 서브필드에서 상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키는 단계는,
    상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및
    상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 프레임에 속하며 상기 제3 서브필드 이전의 제4 서브필드에서,
    상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및
    상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 서브필드와 상기 제4 서브필드는 서로 동일한 가중치를 가지며, 사기 제2 서브필드와 상기 제3 서브필드는 서로 동일한 가중치를 가지는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 프레임에 속하며 상기 제1 서브필드 이전의 제3 서브필드에서, 상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및
    제2 프레임의 제4 서브필드에서, 상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 서브필드와 상기 제4 서브필드는 서로 동일한 가중치를 가지는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 서브필드에서 발광 셀에서 비발광 셀로 전환되기 전의 발광 셀은 상기 제1 서브필드에서 유지 방전이 일어난 셀인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며, 상기 복수의 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 사이에 각각 형성되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 제1 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 홀수 번째 복수의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인을 포함하며,
    상기 복수의 제2 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 짝수 번째 복수의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 표시 라인을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며, 상기 복수의 표시 라인의 각 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극의 각 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 중 각 제2 전극에 일 방향으로 인접한 제3 전극 사이에 형성되며,
    상기 제1 어드레스 방식 및 상기 제2 어드레스 방식을 적용할 때, 상기 복수의 제2 전극 중 두 제2 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  12. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 발광 셀을 비발광 셀로 전환하는 어드레스 방식을 이용하여, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제1 표시 라인에서 발광 셀을 선택하는 단계;
    상기 제1 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여, 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제2 표시 라인에서 발광 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제2 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 표시 라인에서 비발광 셀로 선택할 셀의 제1 전극 및 제3 전극에 각각 제1 주사 펄스 및 제1 어드레스 펄스를 인가하며,
    상기 제2 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제2 표시 라인에서 비발광 셀로 선택할 셀의 제1 전극 및 제3 전극에 각각 제2 주사 펄스 및 제2 어드레스 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 전압과 상기 제4 전압은 서로 동일한 전압이며, 상기 제2 전압과 상기 제3 전압은 서로 동일한 전압인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 주사 펄스와 상기 제2 주사 펄스는 동일한 주사 전압을 가지며, 상기 제1 어드레스 펄스와 상기 제2 어드레스 펄스는 동일한 어드레스 전압을 가지는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하며,
    제2 프레임에 속하는 제2 서브필드의 제3 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여, 상기 복수의 제2 표시 라인에서 발광 셀을 선택하는 단계;
    상기 제3 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제4 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여, 상기 복수의 제1 표시 라인에서 발광 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제4 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 상기 제2 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀만을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제5 전압을 인가한 상태에서 상기 복수의 제1 전극과 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제5 전압보다 높은 제6 전압과 상기 제5 전압보다 낮은 제7 전압을 교대로 인가하여, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 상기 제2 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀만을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 제1 전극과 상기 제2 그룹의 제2 전극 중 하나는 홀수 번째 제2 전극을 포함하며, 나머지 하나는 짝수 번째 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 제1 어드레스 기간 및 상기 제2 어드레스 기간에서 비발광 셀로 설정되기 전의 발광 셀은 상기 제1 서브필드 이전 서브필드에서 유지 방전이 일어난 셀인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  21. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복 수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제1 표시 라인을 초기화하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 비발광 셀을 발광 셀로 전환하는 어드레스 방식을 이용하여 상기 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서, 상기 제1 어드레스 기간에서 발광 셀 상태로 전환된 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제2 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제2 표시 라인을 초기화하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여 상기 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제1 서브필드의 제2 유지 기간에서, 상기 제2 어드레스 기간에서 발광 셀 상태로 전환된 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제1 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀로 선택할 셀의 제1 전극 및 제3 전극에 각각 제1 주사 펄스 및 제1 어드레스 펄스를 인가하며,
    상기 제2 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀로 선택할 셀의 제1 전극 및 제3 전극에 각각 제2 주사 펄스 및 제2 어드레스 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 제2 리셋 기간과 상기 제2 어드레스 기간 사이의 제1 기간에서, 상기 제1 어드레스 기간에서 발광 셀 상태로 전환된 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극에 제1 전압을 인가하고 상기 제1 그룹의 제2 전극 및 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하며,
    상기 제2 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극 및 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제2 표시 라인 중 발광 셀로 선택할 셀의 제1 전극 및 제3 전극에 각각 주사 펄스 및 어드레스 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 제1 리셋 기간에서는 상기 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 상기 제1 서브필드의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전시켜, 상기 복수의 제1 표시 라인을 초기화하며,
    상기 제2 리셋 기간에서는 상기 제1 표시 라인에 형성된 모든 셀을 리셋 방전시켜, 상기 복수의 제2 표시 라인을 초기화하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 리셋 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 하강시키며,
    상기 제2 리셋 기간에서,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 낮은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시키며,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제5 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제5 전압보다 높은 제6 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 하강시키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제3 전압과 상기 제6 전압은 서로 동일한 전압 레벨이며, 상기 제4 전압과 상기 제5 전압은 서로 동일한 전압 레벨인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  28. 제21항에 있어서,
    상기 제2 유지 기간에서는 상기 제1 유지 기간에서 유지 방전된 셀도 유지 방전하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  29. 제21항에 있어서,
    상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하며,
    제2 프레임에 속하는 제2 서브필드의 제3 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 표시 라인을 초기화하는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제3 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여 상기 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제3 유지 기간에서, 상기 제3 어드레스 기간에서 발광 셀 상태로 전환된 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제4 리셋 기간에서, 상기 복수의 제1 표시라인을 초기화하는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제4 어드레스 기간에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여 상기 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 켜질 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제2 서브필드의 제4 유지 기간에서, 상기 제4 어드레스 기간에서 발광 셀 상태로 전환된 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제1 프레임에 속하며 상기 제1 서브필드 이전의 제3 서브필드에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및
    상기 제2 프레임에 속하며 상기 제2 서브필드 이전의 제4 서브필드에서, 상기 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  31. 제21항에 있어서,
    상기 제1 서브필드에 연속하는 제2 서브필드에서,
    발광 셀을 비발광 셀로 전환하는 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 및
    발광 셀을 비발광 셀로 전환하는 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  32. 제21항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 제1 전극과 상기 제2 그룹의 제2 전극 중 하나는 홀수 번째 제2 전극을 포함하며, 나머지 하나는 짝수 번째 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  33. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    제1 프레임의 제1 서브필드의 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제1 표시 라인만을 초기화하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 어드레스 기간에서, 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 어드레스 기간에서 발광 셀로 선택된 셀을 유지 방전시키는 단계;
    제2 프레임에 속하는 제2 서브필드의 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극과 상기 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 복수의 제2 표시 라인만을 초기화하는 단계;
    상기 제2 서브필드의 어드레스 기간에서, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제2 서브필드의 어드레스 기간에서 발광 셀로 선택된 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에만 발광 셀을 선택하는 단계는,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀의 제1 전극 및 제3 전극에 각각 제1 주사 펄스 및 제1 어드레스 펄스를 인가하는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택하는 단계는,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀의 제1 전극 및 제3 전극에 각각 제2 주사 펄스 및 제2 어드레스 펄스를 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  35. 제33항 또는 제34항에 있어서,
    상기 복수의 제1 표시 라인만을 초기화하는 단계는,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제5 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제5 전압보다 높은 제6 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시키는 단계; 및
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제7 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제7 전압보다 낮은 제8 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 하강시키는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 제2 표시 라인만을 초기화하는 단계는,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제9 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제9 전압보다 낮은 제10 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시키는 단계; 및
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제11 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제11 전압보다 높은 제12 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 하강시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  36. 제33항 또는 제34항에 있어서,
    상기 제1 서브필드의 리셋 기간에서는 상기 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 상기 제1 서브필드의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전시켜, 상기 복수의 제1 표시 라인만을 초기화하며,
    상기 제2 서브필드의 리셋 기간에서는 상기 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 상기 제2 서브필드의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전시켜, 상기 복수의 제2 표시 라인만을 초기화하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  37. 제33항 또는 제34항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 제1 전극과 상기 제2 그룹의 제2 전극 중 하나는 홀수 번째 제2 전극을 포함하며, 나머지 하나는 짝수 번째 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  38. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극의 각 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 중 각 제1 전극에 일 방향으로 인접한 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하며 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 표시 라인 중 상기 제1 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서 발광 셀로부터 비발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계;
    상기 제1 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 표시 라인 중 상기 제2 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서 발광 셀로부터 비발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제2 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하며,
    제2 프레임에 속하는 제2 서브필드의 제3 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제5 전압을 인가하며 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제5 전압보다 높은 제6 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서 발광 셀로부터 비발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계;
    상기 제3 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제4 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제7 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제7 전압보다 낮은 제8 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서 발광 셀로부터 비발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제2 어드레스 기간 후에 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법
  40. 제39항에 있어서,
    상기 제1 전압, 상기 제4 전압, 상기 제6 전압 및 상기 제7 전압은 서로 동일한 전압이며,
    상기 제2 전압, 상기 제3 전압, 상기 제5 전압 및 상기 제8 전압은 서로 동일한 전압인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  41. 제38항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 제1 전극과 상기 제2 그룹의 제2 전극 중 하나는 홀수 번째 제2 전극을 포함하며, 나머지 하나는 짝수 번째 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  42. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극, 상기 복수의 제1 전극의 각 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 중 각 제1 전극에 일방향으로 인접한 제2 전극 사이에 각각 형성되는 복수의 표시 라인 및 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 제3 전극이 교차하는 영역에 형성되는 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임의 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 전극 중 제1 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하고 상기 복수의 제2 전극 중 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서 비발광 셀로부터 발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서, 상기 제1 어드레스 기간에서 발광 셀로 설정된 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제2 리셋 기간에서, 상기 복수의 표시 라인 중 상기 제 2 그룹의 제2 전극과 인접한 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서 비발광 셀로부터 발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제1 서브필드의 제2 유지 기간에서, 상기 제2 어드레스 기간에서 발광셀로 설정된 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 제1 리셋 기간에서는 상기 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 상기 제1 서브필드의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전시켜, 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하며,
    상기 제2 리셋 기간에서는 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 모든 셀을 리셋 방전시켜, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  44. 제42항에 있어서,
    상기 제2 유지 기간에서는 상기 제1 유지 기간에서 유지 방전된 셀도 유지 방전하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  45. 제42항에 있어서,
    상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하며,
    제2 프레임에 속하는 제2 서브필드의 제3 리셋 기간에서, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제3 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제5 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제5 전압보다 높은 제6 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서 비발광 셀로부터 발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제3 유지 기간에서, 상기 제3 어드레스 기간에서 발광 셀로 설정된 셀을 유지 방전시키는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제4 리셋 기간에서, 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀을 초기화하는 단계;
    상기 제2 서브필드의 제4 어드레스 기간에서, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제7 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제7 전압보다 낮은 제8 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 두 전극씩 동시에 주사 펄스를 인가하여, 상기 복수의 제1 표시 라인에서 형성된 셀에서 비발광 셀로부터 발광 셀로 설정할 셀을 선택하는 단계; 및
    상기 제2 서브필드의 제4 유지 기간에서, 상기 제4 어드레스 기간에서 발광셀로 설정된 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  46. 제42항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 제1 전극과 상기 제2 그룹의 제2 전극 중 하나는 홀수 번째 제2 전극을 포함하며, 나머지 하나는 짝수 번째 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  47. 제1 방향으로 형성되는 복수의 표시 라인, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 표시 라인이 서로 교차하는 영역에 형성되는 복수의 셀을 포함하며 상기 복수의 표시 라인은 복수의 제1 표시 라인과 복수의 제2 표시 라인으로 나뉘어지는 플라즈마 표시 패널; 및
    제1 프레임의 제1 서브필드에서 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인과 상기 복수의 제2 표시 라인 중 적어도 하나에 형성된 셀 중에서 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키고, 상기 제1 프레임의 제2 서브필드에서 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택 한 후 유지 방전시키며, 상기 제2 서브필드에서 상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키는 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  48. 제47항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 패널은 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며,
    상기 복수의 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 사이에 각각 형성되고, 상기 복수의 제1 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제1 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 형성되며, 상기 복수의 제2 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제2 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 형성되는 플라즈마 표시 장치.
  49. 제47항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 패널은 상기 제1 방향으로 형성되는 복수의 제2 전극 및 복수의 제3 전극을 더 포함하며,
    상기 복수의 표시 라인의 각 표시 라인은 상기 복수의 제2 전극의 각 제2 전극과 상기 복수의 제3 전극 중 각 제2 전극에 일 방향으로 인접한 제3 전극 사이에 형성되고, 상기 복수의 제1 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제1 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 복수의 제2 표시 라인은 상기 복수의 제3 전극 중 제2 그룹의 제3 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 형성되며,
    상기 구동부는, 상기 제1 어드레스 방식 및 상기 제2 어드레스 방식을 적용할 때, 상기 복수의 제2 전극 중 두 제2 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  50. 제47항 내지 제49항 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동부는,
    제2 프레임의 제3 서브필드에서,
    상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키며,
    상기 제2 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  51. 제50항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제2 프레임에 속하며 상기 제3 서브필드 이전의 제4 서브필드에서,
    상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키며,
    상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  52. 제51항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 서브필드에서, 상기 제1 어드레스 방식을 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키고, 상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  53. 제47항 내지 제49항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 프레임에 속하며 상기 제1 서브필드 이전의 제3 서브필드에서, 상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키며,
    제2 프레임의 제4 서브필드에서, 상기 제1 어드레스 방식을 이용하여 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀에서만 발광 셀을 선택한 후 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  54. 제48항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 선택할 제1 전극에 주사 펄스를 인가하여, 상기 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택하며,
    상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하고 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 제1 전극 중 선택할 제1 전극에 주사 펄스를 인가하여, 상기 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택하는 플라즈마 표시 장치.
  55. 제49항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제2 서브필드에서,
    상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택할 시에, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제1 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가하며,
    상기 복수의 제2 표시 라인에 형성된 셀 중 발광 셀을 선택할 시에, 상기 제1 그룹의 제2 전극에 제3 전압을 인가하며 상기 제2 그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압보다 높은 제4 전압을 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  56. 제47항 내지 제49항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 서브필드에서 발광 셀에서 비발광 셀로 전환되기 전의 발광 셀은 상기 제1 서브필드의 유지 방전이 일어난 셀인 플라즈마 표시 장치.
  57. 제48항 또는 제49항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 제1 전극과 상기 제2 그룹의 제2 전극 중 하나는 홀수 번째 제2 전극을 포함하며, 나머지 하나는 짝수 번째 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치.
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