KR100642666B1

KR100642666B1 - Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR100642666B1
Application number: KR1020050011627A
Authority: KR
Inventors: 요시노리 다카기; 야스히로 가와구치
Original assignee: 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Priority date: 2004-03-19
Filing date: 2005-02-11
Publication date: 2006-11-10
Also published as: TWI293578B; CN100381216C; CN1669680A; JP2005262127A; JP4451175B2; KR20060041868A; TW200534925A

Abstract

토출 노즐의 세정 처리에서의 세정 효과를 향상시키는 것을 목적으로 하는 것으로서, 슬릿 노즐(41)을 세정하는 세정부(74)에, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 아래쪽에 근접시키는 가이드 블록(743)을 설치한다. 또한, 질소 가스를 내뿜는 가스 노즐(710)과 린스액(LQ)을 토출하는 세정 노즐(750)을 설치하는 동시에, 흡인 기구에 의해 슬릿 노즐(41)의 토출부(41a)의 아래쪽을 흡인한다. 가이드 블록(743)의 X축 방향의 두께를 토출구(41a)의 X축 방향의 폭 이상의 두께로 함으로써, 흡인 기구에 의한 흡인력이 직접 토출구(41a)에 작용하지 않도록 조정한다. 이에 따라, 흡인 기구의 흡인력을 상승시킬 수 있어, 세정 효과가 향상된다. A guide block which aims at improving the washing | cleaning effect in the washing | cleaning process of a discharge nozzle, and moves to the washing | cleaning part 74 which wash | cleans the slit nozzle 41 below the discharge port 41a of the slit nozzle 41. FIG. 743 is installed. Further, a gas nozzle 710 for blowing nitrogen gas and a cleaning nozzle 750 for discharging the rinse liquid LQ are provided, and the lower part of the discharge portion 41a of the slit nozzle 41 is sucked by the suction mechanism. . The thickness in the X-axis direction of the guide block 743 is equal to or greater than the width in the X-axis direction of the discharge port 41a, so that the suction force by the suction mechanism does not directly act on the discharge port 41a. Thereby, the suction force of a suction mechanism can be raised, and a washing | cleaning effect improves.

Description

NOZZLE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 사시도, 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to the present invention;

도 2는 기판 처리 장치에서의 도포 처리에 관한 주된 구성을 도시하는 측면도,2 is a side view illustrating a main configuration of a coating process in the substrate processing apparatus;

도 3은 제1 실시의 형태에서의 노즐 세정 기구의 구성을 도시하는 도면,3 is a diagram illustrating a configuration of a nozzle cleaning mechanism according to the first embodiment;

도 4는 제1 실시의 형태에서의 토출부의 대향면의 정면도, 4 is a front view of an opposing surface of the discharge unit in the first embodiment;

도 5는 가이드 블록을 도시하는 사시도, 5 is a perspective view showing a guide block;

도 6은 토출부가 이동하는 모습을 슬릿 노즐과 동시에 도시하는 도면,6 is a view showing a state in which the discharge unit is moved at the same time with the slit nozzle,

도 7은 노즐 세정 처리의 개시 시에 있어서의 각 구성의 배치를 도시하는 도면, 7 is a diagram illustrating an arrangement of respective configurations at the start of the nozzle cleaning process;

도 8은 노즐 세정 처리에 있어서 린스액이 토출되는 모습을 도시하는 도면, 8 is a view showing a state in which a rinse liquid is discharged in a nozzle cleaning process;

도 9는 노즐 세정 처리에 있어서 질소 가스가 내뿜어지는 모습을 도시하는 도면, 9 is a view showing a state in which nitrogen gas is blown out in a nozzle cleaning process;

도 10은 도 8의 상태를 확대하여 도시하는 도면, 10 is an enlarged view of the state of FIG. 8;

도 11은 제2 실시의 형태에서의 노즐 세정 기구의 구성을 도시하는 도면, 11 is a diagram illustrating a configuration of a nozzle cleaning mechanism according to the second embodiment;

도 12는 제2 실시의 형태에서의 토출부의 대향면의 정면도, 12 is a front view of an opposing face of the discharge part in the second embodiment;

도 13은 제2 실시의 형태에서 린스액이 토출되는 모습을 도시하는 도면, FIG. 13 is a view showing a state where the rinse liquid is discharged in the second embodiment;

도 14는 제2 실시의 형태에서의 흡인 기구의 작용을 설명하는 도면, 14 is a view for explaining the action of the suction mechanism according to the second embodiment;

도 15는 제3 실시의 형태에서의 토출부와, 세정 위치에 있는 슬릿 노즐의 위치 관계를 도시하는 도면, FIG. 15 is a diagram showing the positional relationship between the discharge portion and the slit nozzle in the cleaning position in the third embodiment; FIG.

도 16은 제3 실시의 형태에서의 토출부의 대향면의 정면도,16 is a front view of the opposing face of the discharge unit in the third embodiment;

도 17은 변형예에서의 토출부의 대향면의 정면도, 17 is a front view of the opposing face of the discharge part in the modification;

도 18은 슬릿 노즐의 선단부의 초기 상태를 도시하는 도면, 18 is a view showing an initial state of a tip portion of a slit nozzle;

도 19는 수 십매 정도의 기판에 대해 도포 처리를 행한 상태를 도시하는 도면, 19 is a view showing a state in which a coating process is performed on several dozen substrates;

도 20은 수 백매 정도의 기판에 대해 도포 처리를 행한 상태를 도시하는 도면, 20 is a view showing a state in which a coating process is performed on a substrate of several hundred sheets;

도 21은 종래의 기판 처리 장치의 토출 노즐에 있어서, 레지스트액이 내보내진 부분에 공기가 혼입되는 상태를 도시하는 도면, FIG. 21 is a view showing a state in which air is mixed in a portion where a resist liquid is discharged in a discharge nozzle of a conventional substrate processing apparatus; FIG.

도 22는 종래의 기판 처리 장치의 토출 노즐에 있어서, 레지스트액이 내보내진 부분에 세정액(린스액)이 혼입되는 상태를 도시하는 도면, FIG. 22 is a view showing a state in which a cleaning liquid (rinse liquid) is mixed in a portion where a resist liquid is discharged in a discharge nozzle of a conventional substrate processing apparatus; FIG.

도 23은 종래의 기판 처리 장치에 있어서, 노즐 세정 처리 후에 볼 수 있는 줄무늬 형상의 부착물을 도시하는 도면이다. FIG. 23 is a diagram showing a stripe-like deposit seen after a nozzle cleaning process in a conventional substrate processing apparatus. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 기판 처리 장치 2 : 본체 1 substrate processing apparatus 2 main body

3 : 스테이지 30 : 지지면3: stage 30: support surface

41 : 슬릿 노즐 41a : 배출구41: slit nozzle 41a: outlet

43, 44 : 승강 기구 5 : 주행 기구43, 44: lifting mechanism 5: running mechanism

6 : 레지스트 공급기구 7 : 노즐 초기화 기구6: resist supply mechanism 7: nozzle initialization mechanism

70 : 노즐 세정 기구 71 : 가스 공급 기구70 nozzle cleaning mechanism 71 gas supply mechanism

710 : 가스 노즐 710a : 아래쪽 가스 노즐710: gas nozzle 710a: lower gas nozzle

710b : 윗쪽 가스 노즐 72 : 흡인 기구710b: upper gas nozzle 72: suction mechanism

720, 721 : 흡인구 74, 74a, 74b : 세정부720, 721: suction port 74, 74a, 74b: cleaning part

740a : 배출구 741 : 스페이서 740a: outlet 741: spacer

742, 745, 746 : 토출부 742, 745, 746 discharge part

742a, 745a, 745b, 746a : 대향면742a, 745a, 745b, 746a: opposite side

743 : 가이드 블록(차단 부재, 안내 부재)743: guide block (blocking member, guide member)

743a : 근접면 743b : 가이드면 743a: Proximity surface 743b: Guide surface

75 : 세정액 공급 기구 750 : 세정 노즐75: cleaning liquid supply mechanism 750: cleaning nozzle

750a : 아래쪽 세정 노즐 750b : 윗쪽 세정 노즐750a: lower cleaning nozzle 750b: upper cleaning nozzle

76 : 구동 기구(주사 기구) 77 : 대기 포트76: drive mechanism (scanning mechanism) 77: standby port

8 : 제어부 90 : 기판8: control unit 90: substrate

LQ : 린스액 R : 레지스트액LQ: Rinse solution R: Resist solution

본 발명은, 소정의 처리액을 토출하는 토출 노즐을 세정하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technique for cleaning a discharge nozzle for discharging a predetermined processing liquid.

액정용 유리 각형 기판, 반도체 웨이퍼, 필름 액정용 플렉서블 기판, 포토 마스크용 기판, 컬러 필터용 기판(이하, 간단히 「기판」으로 칭한다) 등의 표면에 레지스트 등의 처리액을 도포하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 토출 노즐로부터 레지스트액을 토출함으로써, 기판의 표면에 레지스트액의 도포막을 형성한다. The substrate processing apparatus which applies processing liquids, such as a resist, to surfaces, such as a glass square substrate for liquid crystals, a semiconductor wafer, the flexible substrate for film liquid crystals, the photomask substrate, and the substrate for color filters (henceforth simply a "substrate"), Known. In such a substrate processing apparatus, a resist film is formed on the surface of a board | substrate by ejecting a resist liquid from a discharge nozzle.

도 18 내지 도 20은, 레지스트액을 기판에 도포하는 기판 처리 장치에 있어서, 도포 처리를 반복함으로써 레지스트액의 부착물이 토출 노즐에 잔류하는 모습을 단계적으로 도시한 개념도이다. 도 18은 초기 상태로, 슬릿 노즐(100)의 선단부가 정상인 상태를 도시한다. 또한, 도 19는 수 십매의 기판에 대해 도포 처리를 행한 상태를 도시하고, 도 20은 수 백매의 기판에 대해 도포 처리를 행한 상태를 도시한다. 즉, 이러한 기판 처리 장치에 있어서 기판에 반복 도포 처리를 행하면, 토출구(101) 주변이나 슬릿 노즐(100)의 선단부 측면에 레지스트액(R)이 서서히 잔류한다. 18 to 20 are conceptual views showing, in stages, a state in which deposits of the resist liquid remain in the ejection nozzles by repeating the coating process in the substrate processing apparatus for applying the resist liquid to the substrate. 18 shows a state where the tip of the slit nozzle 100 is in an initial state. 19 shows the state which apply | coated to several dozen board | substrates, and FIG. 20 shows the state which performed the application | coating process to several hundred sheets of board | substrates. That is, in such a substrate processing apparatus, when the substrate is repeatedly applied, the resist liquid R gradually remains around the discharge port 101 or on the tip side of the slit nozzle 100.

특히, 슬릿 노즐(100)을 이용하여 도포 처리를 행하는 기판 처리 장치(슬릿 코터)에서는, 도 19 및 도 20에 도시하는 바와 같이, 레지스트액(R)이 불균일하게 부착된 상태의 슬릿 노즐(100)로 도포 처리를 행하면, 줄무늬 형상의 도포 얼룩이 발생한다. 따라서, 안정된 도포 처리를 행하기 위해서는, 토출구(101) 주변에 잔류하는 레지스트액(R)을 정기적으로 세정 제거할 필요가 있다. 이러한 이유로, 종 래부터 노즐 세정 처리를 행하는 기판 처리 장치가 제안되어 있고, 예를 들면 특허문헌 1에 기재되어 있다. In particular, in the substrate processing apparatus (slit coater) which performs a coating process using the slit nozzle 100, as shown in FIG. 19 and FIG. 20, the slit nozzle 100 of the state in which the resist liquid R was unevenly adhered. When the coating treatment is carried out with), stripe coating unevenness occurs. Therefore, in order to perform stable application | coating process, it is necessary to wash | clean and remove the resist liquid R which remain around the discharge port 101 regularly. For this reason, the substrate processing apparatus which performs a nozzle cleaning process conventionally is proposed, and it is described in patent document 1, for example.

종래의 기판 처리 장치는, 세정액을 토출하는 세정 노즐을 구비하고, 노즐 세정 처리에서는, 이 세정 노즐로부터 토출 노즐의 선단부를 향해 세정액을 공급하는 수법이 일반적이다. 그리고, 그 세정 효과를 높이기 위해서는, 세정액의 공급량을 증가시킴과 동시에, 세정에 사용된 세정액을 신속하게 흡인 배출하는 것이 요구된다. 즉, 토출 노즐의 선단부를 흡인할 때의 흡인력을 높이는 것이 요구된다. The conventional substrate processing apparatus is equipped with the washing | cleaning nozzle which discharges a washing | cleaning liquid, and in a nozzle washing process, the method of supplying a washing | cleaning liquid from this washing | cleaning nozzle toward the front-end | tip of a discharge nozzle is common. In order to enhance the cleaning effect, it is required to increase the supply amount of the cleaning liquid and to quickly suck out the cleaning liquid used for cleaning. That is, it is required to raise the suction force at the time of sucking the front end of the discharge nozzle.

<특허문헌 1> 일본국 특개평 11-074179호 공보<Patent Document 1> Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-074179

그런데, 종래의 기판 처리 장치에서는, 흡인력을 상승시키면 토출구로부터 토출 노즐 내로 충전된 레지스트액(R)이 흡인되어, 내보내지는 문제가 있었다. 특히, 이 문제는 레지스트액(처리액)이 저점도인 경우에 현저해진다. By the way, in the conventional substrate processing apparatus, when the suction force is raised, the resist liquid R filled from the discharge port into the discharge nozzle is attracted and there is a problem of being discharged. In particular, this problem becomes remarkable when the resist liquid (treatment liquid) has a low viscosity.

도 21은, 레지스트액(R)이 내보내진 부분에 공기가 혼입되는 상태를 도시한다. 또한, 도 22는 레지스트액(R)이 내보내진 부분에 세정액(린스액(LQ))이 혼입되는 상태를 도시한다. 이와 같이, 종래의 기판 처리 장치에서는, 세정력을 높이기 위해서 흡인력을 상승시키면, 세정 후의 토출 노즐이 길이 방향으로 불균일하게 되는 등 상태가 악화되므로, 흡인력을 증가시킬 수 없어, 세정 처리에 있어서의 세정 효과를 향상시키는데 한계가 있었다. FIG. 21 shows a state in which air is mixed into a portion where the resist liquid R is discharged. 22 shows a state in which the cleaning liquid (rinse liquid LQ) is mixed in the portion where the resist liquid R is discharged. As described above, in the conventional substrate processing apparatus, when the suction force is increased in order to increase the cleaning force, the discharge nozzle after cleaning becomes uneven in the longitudinal direction, and the like deteriorates. Therefore, the suction force cannot be increased, and thus the cleaning effect in the cleaning process. There was a limit to improving.

또한, 종래의 기판 처리 장치에서는, 노즐 세정 처리가 종료한 상태에서도, 토출 노즐의 선단부 측면에 줄무늬 형상의 부착물이 잔류하는 문제가 있었다. 도 23은, 종래의 기판 처리 장치에 있어서, 노즐 세정 처리 후에 볼 수 있는 줄무늬 형상의 부착물(RL)을 도시하는 도면이다. 도 23에 도시하는 부착물(RL)은, 슬릿 노즐(100)의 선단부 측면의 세정액이 공급되는 범위 중 가장 높은 위치 부근에서, 용해한 레지스트액과 세정액의 혼합액이 체류하는 등으로 형성되는 것이다. 이러한 부착물(RL)에 의해서도 세정후의 슬릿 노즐(100)의 상태가 악화된다. Moreover, in the conventional substrate processing apparatus, even if the nozzle cleaning process was complete | finished, there existed a problem that the deposit of stripe-shaped thing remained in the front-end | tip side of the discharge nozzle. FIG. 23 is a diagram showing a stripe deposit RL that can be seen after a nozzle cleaning process in a conventional substrate processing apparatus. The deposit RL shown in FIG. 23 is formed by the mixture liquid of the melted resist liquid and the cleaning liquid remaining near the highest position in the range where the cleaning liquid on the front end side of the slit nozzle 100 is supplied. Even with this deposit RL, the state of the slit nozzle 100 after cleaning is deteriorated.

본 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것으로, 토출 노즐의 세정 처리에 있어서의 세정 효과를 향상시키는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to improve the washing | cleaning effect in the washing process of a discharge nozzle.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 청구항 1의 발명은, 선단부에 형성된 토출구로부터 소정의 처리액을 토출하는 토출 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치로서, 상기 토출 노즐의 선단부 부근을 향해 토출구로부터 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 상기 세정액 공급 수단에 의해 공급된 상기 소정의 세정액을 흡인구로부터 흡인하는 흡인 수단을 구비하고, 상기 토출구 근방이 상기 소정의 처리액의 거의 정류점(停留点)이 되도록 상기 흡인 수단의 흡인력을 조정하는 것을 특징으로 한다. In order to solve the said subject, invention of Claim 1 is a nozzle cleaning apparatus which wash | cleans the discharge nozzle which discharges a predetermined process liquid from the discharge port formed in the front end part, The predetermined | prescribed cleaning liquid is discharged from the discharge port toward the front end part of the said discharge nozzle. A cleaning liquid supplying means for supplying and suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supplying means from a suction port, so that the vicinity of the discharge port becomes almost a rectifying point of the predetermined processing liquid. The suction force of the suction means is adjusted.

또한, 청구항 2의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 토출 노즐의 토출구의 짧은쪽 방향 폭 이상의 두께를 가지고, 상기 토출 노즐의 토출구의 하측방 근방에 배치되는 차폐 부재를 더 구비하고, 상기 흡인 수단의 흡인구가, 상기 차단 부재의 아래쪽으로부터 흡인을 행함으로써, 상기 토출 노즐의 토출구 근방에서의 상기 흡인 수단의 흡인력을 조정하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 2 is a nozzle cleaning device according to the invention of claim 1, further comprising a shielding member having a thickness equal to or shorter than a width in a shorter direction of the discharge port of the discharge nozzle, and disposed near the discharge port of the discharge nozzle. And the suction port of the suction means adjusts the suction force of the suction means in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle by sucking from the lower side of the blocking member.

또한, 청구항 3의 발명은, 청구항 2의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 차폐 부재는, 상기 세정액 공급 수단에 의해 공급된 상기 소정의 세정액을 아래쪽을 향해 인도하는 가이드면을 갖는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 3 is a nozzle cleaning apparatus which concerns on invention of Claim 2, Comprising: The said shielding member has the guide surface which guides the said predetermined | prescribed washing | cleaning liquid supplied by the said washing | cleaning liquid supply means downward. .

또한, 청구항 4의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 흡인 수단은, 상기 토출 노즐의 선단부 측방으로부터 흡인을 행함으로써, 상기 토출 노즐의 토출구 근방에서의 상기 흡인 수단의 흡인력을 조정하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 4 is a nozzle cleaning apparatus which concerns on invention of Claim 1, The said suction means sucks the suction force of the said suction means in the discharge port vicinity of the said discharge nozzle by performing suction from the side of the front-end | tip side of the said discharge nozzle. It is characterized by adjusting.

또한, 청구항 5의 발명은, 청구항 4의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 흡인 수단의 흡인구는, 상기 세정액 공급 수단의 토출구보다도 상기 토출 노즐에 근접 배치되는 것을 특징으로 한다. The invention of claim 5 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 4, wherein the suction port of the suction means is disposed closer to the discharge nozzle than the discharge port of the cleaning liquid supply means.

또한, 청구항 6의 발명은, 청구항 4의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 세정액 공급 수단에 의해서 공급된 상기 소정의 세정액을, 상기 토출 노즐의 선단부 아래쪽에 형성된 배출구로부터 배출하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 6 is a nozzle cleaning apparatus which concerns on invention of Claim 4, It discharges the said predetermined | prescribed washing | cleaning liquid supplied by the said washing | cleaning liquid supply means from the discharge port formed under the front-end | tip of the said discharge nozzle.

또한, 청구항 7의 발명은, 청구항 6의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 토출 노즐의 선단부 아래쪽에 배치되고, 상기 세정액 공급 수단에 의해 공급된 상기 소정의 세정액을 아래쪽을 향해 인도하는 가이드면을 가지는 안내 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 7 is a nozzle cleaning apparatus which concerns on invention of Claim 6, It arrange | positions under the front-end | tip part of the said discharge nozzle, and guides the guide surface which guides the said predetermined | prescribed cleaning liquid supplied by the said cleaning liquid supply downwards. The branch further comprises a guide member.

또한, 청구항 8의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 세정액 공급 수단에 의한 상기 소정의 세정액의 공급 위치를 조정하는 조정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. The invention of claim 8 is further characterized by a nozzle cleaning device according to the invention of claim 1, further comprising adjustment means for adjusting a supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supplying means.

또한, 청구항 9의 발명은, 청구항 8의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 조정 수단은, 소정의 두께를 갖는 스페이서인 것을 특징으로 한다. The invention of claim 9 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 8, wherein the adjusting means is a spacer having a predetermined thickness.

또한, 청구항 10의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 토출 노즐의 토출구는 소정의 방향으로 뻗는 슬릿이고, 상기 세정액 공급 수단을 상기 소정의 방향에 따라 이동시키는 주사(走査) 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 10 is a nozzle cleaning apparatus which concerns on invention of Claim 1, The discharge port of the said discharge nozzle is a slit extended in a predetermined direction, The scan which moves the said cleaning liquid supply means along the said predetermined direction A mechanism is further provided.

또한, 청구항 11의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 토출 노즐의 토출구는 소정의 방향으로 뻗는 슬릿이고, 상기 세정액 공급 수단은, 상기 토출 노즐의 선단부에서의 상기 소정 방향의 전체 폭에 걸쳐 거의 동시에 상기 소정의 세정액을 공급하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 11 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 1, wherein the discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction, and the cleaning liquid supplying means is formed in the predetermined direction at the distal end of the discharge nozzle. The predetermined washing liquid is supplied at substantially the same time over the entire width.

또한, 청구항 12의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 노즐 세정 장치로서, 상기 토출 노즐의 선단부에 소정의 기체를 공급하는 기체 공급 수단을 더 구비하고, 상기 기체 공급 수단에 의한 상기 소정의 기체의 공급 위치는, 상기 세정액 공급 수단에 의한 상기 소정 세정액의 공급 위치보다 윗쪽으로 되어 있는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 12 is a nozzle cleaning device according to the invention of claim 1, further comprising gas supply means for supplying a predetermined gas to a distal end of the discharge nozzle, wherein the gas supply means The supply position is above the supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means.

또한, 청구항 13의 발명은, 선단부에 형성된 토출구로부터 소정의 처리액을 토출하는 토출 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치로서, 상기 토출 노즐의 선단부 부근을 향해 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 상기 세정액 공급 수단에 의해서 공급된 상기 소정의 세정액을 흡인하는 흡인 수단을 구비하고, 상기 세정액 공급 수단이, 상기 토출 노즐의 선단부를 향해 상기 소정의 세정액을 토출하 는 복수의 세정 노즐을 구비하고, 상기 복수의 세정 노즐 중 적어도 1개의 세정 노즐에 의한 상기 소정의 세정액의 공급 위치가, 다른 세정 노즐에 의한 상기 소정 세정액의 공급 위치에 대해, 높이 방향으로 다르게 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the invention of claim 13 is a nozzle cleaning apparatus for cleaning a discharge nozzle for discharging a predetermined processing liquid from a discharge port formed in a distal end, comprising: cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid toward a distal end of the discharge nozzle; Suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means, the cleaning liquid supply means having a plurality of cleaning nozzles for discharging the predetermined cleaning liquid toward the distal end of the discharge nozzle, A supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one cleaning nozzle among a plurality of cleaning nozzles is differently disposed in the height direction with respect to a supply position of the predetermined cleaning liquid by another cleaning nozzle.

또한, 청구항 14의 발명은, 기판에 소정의 처리액을 도포하는 기판 처리 장치로서, 기판을 지지하는 지지 수단과, 상기 지지 수단에 지지된 기판의 표면에, 선단부에 형성된 토출구로부터 소정의 처리액을 토출하는 토출 노즐과, 상기 토출 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치를 구비하고, 상기 노즐 세정 장치가, 상기 토출 노즐의 선단부 부근을 향해 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 상기 세정액 공급 수단에 의해서 공급된 상기 소정의 세정액을 흡인하는 흡인 수단을 구비하고, 상기 토출구 근방이 상기 소정의 처리액의 거의 정류점이 되도록 상기 흡인 수단의 흡인력을 조정하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 14 is a substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate, comprising: a supporting means for supporting the substrate and a predetermined processing liquid from a discharge port formed at a tip end on the surface of the substrate supported by the supporting means; And a nozzle cleaning device for cleaning the discharge nozzle, wherein the nozzle cleaning device supplies cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the distal end of the discharge nozzle, and the cleaning liquid supply means. And a suction means for sucking the predetermined washing liquid supplied by the pump, and adjusting the suction force of the suction means such that the vicinity of the discharge port is almost a rectifying point of the predetermined processing liquid.

또한, 청구항 15의 발명은, 기판에 소정의 처리액을 도포하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 지지하는 지지 수단과, 상기 지지 수단에 지지된 기판의 표면에, 선단부에 형성된 토출구로부터 소정의 처리액을 토출하는 토출 노즐과, 상기 토출 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치를 구비하고, 상기 노즐 세정 장치가, 상기 토출 노즐의 선단부 부근을 향해 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 상기 세정액 공급 수단에 의해서 공급된 상기 소정의 세정액을 흡인하는 흡인 수단을 구비하고, 상기 세정액 공급 수단이, 상기 토출 노즐의 선단부를 향해 상기 소정의 세정액을 토출하는 복수의 세정 노즐을 구비하고, 상기 복수의 세정 노즐 중 적어도 1개의 세정 노즐에 의한 상기 소정의 세정액의 공급 위치가, 다른 세정 노 즐에 의한 상기 소정의 세정액의 공급 위치와, 높이 방향으로 다르게 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. Moreover, the invention of Claim 15 WHEREIN: The substrate processing apparatus which apply | coats a predetermined process liquid to a board | substrate WHEREIN: The predetermined process is carried out by the support means which supports a board | substrate, and the discharge opening formed in the front end in the surface of the board | substrate supported by the said support means. A discharge nozzle for discharging the liquid, a nozzle cleaner for cleaning the discharge nozzle, the nozzle cleaner supplying cleaning liquid supplying means for supplying a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the distal end of the discharge nozzle, and the cleaning liquid supplying means. Suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the apparatus; the cleaning liquid supplying means includes a plurality of cleaning nozzles for discharging the predetermined cleaning liquid toward a distal end of the discharge nozzle, and the plurality of cleaning nozzles. The supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one cleaning nozzle among the predetermined It characterized in that it is arranged differently to the supply position of the liquid, and a height direction.

(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)(The best mode for carrying out the invention)

이하, 본 발명이 적합한 실시의 형태에 관해서, 첨부의 도면을 참조하면서, 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which this invention suitable is demonstrated in detail, referring an accompanying drawing.

<1. 제1 실시의 형태> <1. First embodiment>

도 1은, 본 발명에 관한 기판 처리 장치(1)를 도시하는 사시도이다. 또한, 도 2는 기판 처리 장치(1)에서의 도포 처리에 관한 주된 구성을 도시하는 측면도이다. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. 2 is a side view which shows the main structure regarding the coating process in the substrate processing apparatus 1.

또한, 도 1에서, 도시 및 설명의 형편상, Z축 방향이 연직 방향을 나타내고, XY 평면이 수평면을 나타내는 것으로 정의하는데, 이들은 위치 관계를 파악하기 위해서 편의상 정의하는 것으로, 이하에 설명하는 각 방향을 한정하는 것은 아니다. 이하의 도면에 대해서도 동일하다. In FIG. 1, for convenience of illustration and description, the Z-axis direction is defined as the vertical direction, and the XY plane is defined as the horizontal plane. These are defined for convenience in order to grasp the positional relationship. It is not intended to limit. The same applies to the following drawings.

기판 처리 장치(1)는, 본체(2)와 제어부(8)로 크게 나뉘어지고, 액정 표시 장치의 화면 패널을 제조하기 위한 각형 유리 기판을 피처리 기판(이하, 간단히 「기판」으로 칭한다)(90)으로 하고, 기판(90)의 표면에 형성된 전극층 등을 선택적으로 에칭하기 위한 포토리소그래피 프로세스에 있어서, 기판(90)의 표면에 처리액으로서의 레지스트액을 도포하는 도포 처리 장치로 구성되어 있다. 따라서, 본 실시의 형태에서, 슬릿 노즐(41)은 레지스트액을 토출하도록 되어 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 액정 표시 장치용의 유리 기판 뿐만 아니라, 일반적으로, 플랫 패 널 디스플레이용의 다양한 기판에 처리액을 도포하는 장치로서 변형 이용할 수 있다. The substrate processing apparatus 1 is divided roughly into the main body 2 and the control part 8, and the square glass substrate for manufacturing the screen panel of a liquid crystal display device is a to-be-processed substrate (henceforth simply a "substrate") ( 90), and in the photolithography process for selectively etching the electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90, it is constituted by a coating apparatus for applying a resist liquid as a processing liquid to the surface of the substrate 90. Therefore, in the present embodiment, the slit nozzle 41 is configured to discharge the resist liquid. In addition, the substrate processing apparatus 1 can be transformed and used as a device which apply | coats a processing liquid to not only the glass substrate for liquid crystal display devices, but also various board | substrates for flat panel displays generally.

본체(2)는, 기판(90)을 얹어 지지하기 위한 지지대로서 기능함과 동시에, 부속하는 각 기구의 기대(基臺)로서도 기능하는 스테이지(3)를 구비한다. 스테이지(3)는 직방체 형상을 갖는, 예를 들면 일체의 석(石)제이고, 그 상면(지지면(30)) 및 측면은 평탄면으로 가공되어 있다.The main body 2 has a stage 3 which functions as a support for mounting and supporting the substrate 90 and also serves as a base of each mechanism to be attached. The stage 3 has a rectangular parallelepiped shape, for example, is made of integral stone, and the upper surface (supporting surface 30) and the side surface are processed into a flat surface.

스테이지(3)의 상면은 수평면으로 되어 있고, 기판(90)의 지지면(30)으로 되어 있다. 지지면(30)에는 도시하지 않은 다수의 진공 흡착구가 분포하여 형성되어 있고, 기판 처리 장치(1)에서 기판(90)을 처리하는 동안, 기판(90)을 흡착함으로써, 기판(90)을 소정의 수평 위치로 지지한다. 또한, 지지면(30)에는, 도시하지 않은 구동 수단에 의해서 상하로 승강 자유로운 복수의 리프트 핀(LP)이, 적절한 간격을 두고 설치된다. 리프트 핀(LP)은, 기판(90)을 제거할 때에 기판(90)을 밀어 올리기 위해서 이용된다. The upper surface of the stage 3 is a horizontal plane, and is a support surface 30 of the substrate 90. A plurality of vacuum suction holes (not shown) are distributed and formed on the support surface 30, and the substrate 90 is adsorbed by adsorbing the substrate 90 while the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 90. Support at a predetermined horizontal position. In addition, the support surface 30 is provided with the some lift pin LP which can be lifted up and down by the drive means which is not shown in figure at an appropriate space | interval. The lift pin LP is used to push up the substrate 90 when removing the substrate 90.

지지면(30) 중 기판(90)의 지지 영역(기판(90)이 지지되는 영역)을 사이에 두고 양단부에는, 대략 수평 방향으로 평행하게 뻗는 한 쌍의 주행 레일(31)이 고정된다. 주행 레일(31)은, 가교 구조(4)의 양단부의 최하방에 고정되는 도시하지 않은 지지 블록과 함께, 가교 구조(4)의 이동을 안내하고(이동 방향을 소정의 방향으로 규정한다), 가교 구조(4)를 지지면(30)의 윗쪽에 지지하는 리니어 가이드를 구성한다. A pair of traveling rails 31 extending substantially parallel in the horizontal direction are fixed to both ends of the supporting surface 30 with a supporting region (the region on which the substrate 90 is supported) of the substrate 90 interposed therebetween. The traveling rail 31 guides the movement of the crosslinked structure 4 together with a supporting block (not shown) fixed to the lowermost ends of the crosslinked structure 4 (the moving direction is defined in a predetermined direction), The linear guide which supports the bridge | crosslinking structure 4 above the support surface 30 is comprised.

스테이지(3)의 윗쪽에는, 이 스테이지(3)의 양측 부분으로부터 대략 수평으 로 걸쳐진 가교 구조(4)가 형성되어 있다. 가교 구조(4)는, 예를 들면 탄소 섬유(carbon fiber) 보강 수지를 골재(骨材)로 하는 노즐 지지부(40)와, 그 양단을 지지하는 승강 기구(43, 44)로 주로 구성된다. In the upper part of the stage 3, the bridge | crosslinking structure 4 extended substantially horizontally from the both sides part of this stage 3 is formed. The crosslinked structure 4 is mainly comprised by the nozzle support part 40 which makes carbon fiber reinforcement resin aggregate, for example, and the lifting mechanisms 43 and 44 which support both ends.

노즐 지지부(40)에는, 슬릿 노즐(41)이 부착되어 있다. 도 1에서 Y축 방향으로 길이 방향을 갖는 슬릿 노즐(41)에는, 슬릿 노즐(41)에 레지스트액을 공급하는 배관이나 레지스트용 펌프 등을 포함하는 레지스트 공급 기구(6(도 2))가 접속되어 있다. 기판(90)의 표면을 주사하면서, 레지스트용 펌프에 의해 공급된 레지스트액을, 기판(90) 표면의 소정 영역(이하, 「레지스트 도포 영역」이라고 칭한다)으로 토출함으로써, 슬릿 노즐(41)은 기판(90)에 레지스트액을 도포한다. 여기서, 레지스트 도포 영역이란, 기판(90)의 표면 중에 레지스트액을 도포하고자 하는 영역으로, 통상, 기판(90)의 전체 면적으로부터, 단 가장자리에 걸친 소정 폭의 영역을 제외한 영역이다. The slit nozzle 41 is attached to the nozzle support part 40. In Fig. 1, a resist supply mechanism 6 (Fig. 2) including a pipe for supplying a resist liquid to the slit nozzle 41, a pump for resist, and the like are connected to the slit nozzle 41 having the longitudinal direction in the Y-axis direction. It is. While scanning the surface of the substrate 90, the slit nozzle 41 is discharged by discharging the resist liquid supplied by the resist pump to a predetermined region (hereinafter referred to as a "resist coating region") on the surface of the substrate 90. The resist liquid is applied to the substrate 90. Here, a resist coating area | region is an area | region which is going to apply | coat a resist liquid on the surface of the board | substrate 90, and is the area | region except the area | region of the predetermined width over a short edge from the whole area of the board | substrate 90 normally.

승강 기구(43, 44)는, 슬릿 노즐(41)의 양 측으로 나뉘어지고, 노즐 지지부(40)에 의해 슬릿 노즐(41)과 연결되어 있다. 승강 기구(43, 44)는 주로 AC 서보 모터(43a, 44a) 및 도시하지 않은 볼 나사(Ball Screw)로 이루어지고, 제어부(8)로부터의 제어 신호에 따라서, 가교 구조(4)의 승강 구동력을 생성한다. 이에 따라, 승강 기구(43, 44)는, 슬릿 노즐(41)을 병진적으로 승강시킨다. 또한, 승강 기구(43, 44)는, 슬릿 노즐(41)의 YZ 평면 내에서의 자세를 조정하기 위해서도 이용된다. The lifting mechanisms 43 and 44 are divided into both sides of the slit nozzle 41, and are connected to the slit nozzle 41 by the nozzle support part 40. The lifting mechanisms 43 and 44 mainly consist of AC servomotors 43a and 44a and ball screws (not shown), and the lifting driving force of the cross-linked structure 4 according to the control signal from the control unit 8. Create As a result, the lifting mechanisms 43 and 44 raise and lower the slit nozzle 41 in translation. The lifting mechanisms 43 and 44 are also used to adjust the posture in the YZ plane of the slit nozzle 41.

가교 구조(4)의 양단부에는, 스테이지(3)의 양 측의 가장자리측에 따라, 각 각 고정자(스테이터)(50a)와 이동자(50b) 및 고정자(51a)와 이동자(51b)를 구비하는 한쌍의 AC 코어리스 리니어 모터(이하, 간단히, 「리니어 모터」라고 약칭한다)(50, 51)가, 각각 고정된다. 또한, 가교 구조(4)의 양단부에는, 각각 스케일부와 검출자를 구비한 리니어 인코더(52, 53)가, 각각 고정된다. 리니어 인코더(52, 53)는, 리니어 모터(50, 51)의 위치를 검출한다. 이들 리니어 모터(50, 51)와 리니어 인코더(52, 53)가 주로, 가교 구조(4)가 주행 레일(31)에 안내되면서 스테이지(3) 상을 이동하기 위한 주행 기구(5)를 구성한다. 제어부(8)는, 리니어 인코더(52, 53)로부터의 검출 결과에 따라서 리니어 모터(50)의 동작을 제어하고, 스테이지(3) 상의 가교 구조(4)의 이동, 즉 슬릿 노즐(41)에 의한 기판(90)의 주사를 제어한다. A pair of stator (stator) 50a, mover 50b, stator 51a, and mover 51b is provided at both ends of the cross-linked structure 4 along the edges of both sides of the stage 3, respectively. AC coreless linear motors (hereinafter, simply abbreviated as "linear motors") 50 and 51 are respectively fixed. In addition, the linear encoders 52 and 53 which have a scale part and a detector are respectively fixed to the both ends of bridge | crosslinking structure 4, respectively. The linear encoders 52 and 53 detect the positions of the linear motors 50 and 51. These linear motors 50 and 51 and linear encoders 52 and 53 mainly constitute a traveling mechanism 5 for moving on the stage 3 while the bridged structure 4 is guided to the traveling rail 31. . The control part 8 controls the operation of the linear motor 50 according to the detection result from the linear encoders 52 and 53, and moves the crosslinked structure 4 on the stage 3, ie, to the slit nozzle 41. Scanning of the substrate 90 is controlled.

본체(2)의 지지면(30)에서, 지지 에어리어의(-X) 방향측에는, 개구(32)가 형성된다. 개구(32)는 슬릿 노즐(41)과 마찬가지로 Y축 방향으로 길이 방향을 가지고, 또한 상기 길이 방향의 길이는 슬릿 노즐(41)의 길이 방향의 길이와 거의 같다. 또한, 개구(32) 아래쪽의 본체(2)의 내부에는, 노즐 초기화 기구(7)가 설치되어 있다. 노즐 초기화 기구(7)는, 기판(90)으로의 레지스트액의 도포(이하, 「본 도포 처리」라고 칭한다)에 앞서 행해지는, 예비 처리(후술한다) 시에 이용된다. In the support surface 30 of the main body 2, the opening 32 is formed in the (-X) direction side of a support area. The opening 32 has a longitudinal direction in the Y-axis direction similarly to the slit nozzle 41, and the length in the longitudinal direction is almost equal to the length in the longitudinal direction of the slit nozzle 41. In addition, a nozzle initialization mechanism 7 is provided inside the main body 2 below the opening 32. The nozzle initialization mechanism 7 is used at the time of preliminary processing (to be described later), which is performed prior to the application of the resist liquid to the substrate 90 (hereinafter referred to as "main coating process").

개구(32) 내에 설치된 노즐 초기화 기구(7)는, 예비 도포 기구(73)를 구비한다. 예비 도포 기구(73)는, 회전 구동력을 생성하는 회전 기구(730), 회전 기구(730)에 의해 회전하는 롤러(731), 롤러(731)를 내부에 수용하는 대략 상자 형상의 통체(732) 및 롤러(731)의 부착물을 긁어내는 탈액(용제를 빼내는 것) 블레이드 (733)를 구비한다. The nozzle initialization mechanism 7 provided in the opening 32 is provided with the preliminary application mechanism 73. The preliminary application mechanism 73 is a rotation mechanism 730 which generates a rotational driving force, a roller 731 which rotates by the rotation mechanism 730, and the substantially box-shaped cylinder 732 which accommodates the roller 731 inside. And a dehydration (solvent-extracting) blade 733 which scrapes off deposits of the rollers 731.

롤러(731)는, 통체(732)의 상면 개구부로부터 일부가 노출하도록 배치되고, 그 원통 측면은 레지스트액이 도포되는 도포면으로 되어 있다. 기판 처리 장치(1)에서는, 예비 도포 처리에 있어서, 슬릿 노즐(41)로부터 롤러(731)에 대해 레지스트액이 토출된다. 또한, 예비 도포 처리란, 본 도포 처리 전에, 롤러(731)의 윗쪽으로 이동한 슬릿 노즐(41)로부터 소량의 레지스트액을 토출함으로써, 롤러(731)에 레지스트액을 예비적으로 도포하는 처리이다. 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)는, 예비 도포 처리에 의해, 슬릿 노즐(41)의 상태를 Y축 방향으로 균일화시킨다. The roller 731 is arrange | positioned so that a part may expose from the upper surface opening part of the cylinder 732, and the cylindrical side surface becomes a coating surface to which resist liquid is apply | coated. In the substrate processing apparatus 1, the resist liquid is discharged from the slit nozzle 41 to the roller 731 in the preliminary coating process. In addition, the preliminary coating process is a process of preliminarily applying a resist liquid to the roller 731 by discharging a small amount of resist liquid from the slit nozzle 41 which moved above the roller 731 before this coating process. . The substrate processing apparatus 1 in this embodiment makes the state of the slit nozzle 41 uniform in the Y-axis direction by the preliminary coating process.

롤러(731)의 도포면은, 통체(732) 내부의 아래쪽에서, 저류된 세정액에 침지되게 되어 있다. 즉, 예비 도포 처리에서 레지스트액이 도포된 도포면은, 회전 기구(730)에 의해 아래쪽으로 이동하고, 세정액에 의해서 세정된다. 또한, 세정 후, 세정액으로부터 끌어올려진 도포면에 부착해 있는 오염물은, 탈액 블레이드(733)에 의해서 긁어진다. 이렇게 하여, 도포면은 롤러(731)가 1회전하는 동안에 청정한 상태로 회복되어, 슬릿 노즐(41)에 의해서 예비 도포 처리가 행해질 때, 슬릿 노즐(41)을 오염시키지 않도록 되어 있다. The coated surface of the roller 731 is immersed in the washing | cleaning liquid stored under the inside of the cylinder 732. In other words, the coated surface to which the resist liquid is applied in the preliminary coating process is moved downward by the rotating mechanism 730 and washed by the cleaning liquid. In addition, after cleaning, the contaminants adhering to the coated surface drawn up from the cleaning liquid are scratched by the dewatering blade 733. In this way, the coating surface is restored to a clean state during the rotation of the roller 731, and the slit nozzle 41 is not contaminated when the preliminary coating process is performed by the slit nozzle 41.

또한, 노즐 초기화 기구(7)는 노즐 세정 기구(70)를 구비한다. 도 3은, 노즐 세정 기구(70)의 구성을 도시하는 도면이다. 노즐 세정 기구(70)는, 가스 공급 기구(71), 흡인 기구(72), 세정부(74), 세정액 공급 기구(75) 및 구동 기구(76)를 구비하고, 주로 상술의 노즐 세정 처리를 행하는 기구이다. 또한, 도 3에서 도시 를 생략하지만, 가스 공급 기구(71), 흡인 기구(72), 세정액 공급 기구(75) 및 구동 기구(76)는 각각 제어부(8)와 신호의 송수신이 가능한 상태로 접속되어 있고, 이들 각 기구는 제어부(8)로부터의 제어 신호에 의해 제어된다. The nozzle initialization mechanism 7 also includes a nozzle cleaning mechanism 70. 3 is a diagram illustrating a configuration of the nozzle cleaning mechanism 70. The nozzle cleaning mechanism 70 includes a gas supply mechanism 71, a suction mechanism 72, a cleaning portion 74, a cleaning liquid supply mechanism 75, and a driving mechanism 76, and mainly performs the nozzle cleaning process described above. It is a mechanism to perform. In addition, although illustration is abbreviate | omitted in FIG. 3, the gas supply mechanism 71, the suction mechanism 72, the washing | cleaning liquid supply mechanism 75, and the drive mechanism 76 are connected in the state which can transmit and receive a signal with the control part 8, respectively. Each of these mechanisms is controlled by a control signal from the controller 8.

가스 공급 기구(71)는, 도시하지 않은 봄베로부터 공급 배관을 통해 세정부(74)에 질소 가스를 공급하는 기구이다. 세정부(74)에 공급된 질소 가스는, 가스 노즐(710)로부터 소정의 방향을 향해 분출된다(상세 후술). 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)에서는, 불활성 가스로서 질소 가스를 이용하는데, 불활성 가스는 질소 가스에 한정되지 않는다. 또한, 청정한 기체이면, 공기(압공 : 가압된 공기)라도 된다. The gas supply mechanism 71 is a mechanism which supplies nitrogen gas to the washing | cleaning part 74 through a supply pipe from the cylinder which is not shown in figure. Nitrogen gas supplied to the washing | cleaning part 74 is ejected toward the predetermined direction from the gas nozzle 710 (it mentions later). In addition, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, although nitrogen gas is used as an inert gas, an inert gas is not limited to nitrogen gas. Moreover, as long as it is a clean gas, it may be air (pressure hole: pressurized air).

흡인 기구(72)는, 폐기 배관을 통해 세정부(74)에 형성되는 흡인구(720)(도 5)로부터, 세정액이나 세정액에 의해서 제거된 레지스트액 등의 흡인을 행하는 기구이다. 또한, 흡인 기구(72)로는, 종래부터 일반적으로 알려져 있는 기구를 채용할 수 있다. 예를 들면, 진공 발생 장치나 컴프레서(compressor)를 이용해 흡인하는 기구라도 좋고, 흡인 펌프와 기액 분리 BOX로 이루어지는 기구 등이라도 좋다. 또한, 예를 들면, 필요한 용력(用力)이 얻어지는 것이면, 공장 내에 설치되어 있는 배기 설비를 이용해도 된다. The suction mechanism 72 is a mechanism that sucks a cleaning liquid, a resist liquid removed by the cleaning liquid, or the like from the suction port 720 (FIG. 5) formed in the cleaning portion 74 through a waste pipe. Moreover, as the suction mechanism 72, the mechanism generally known conventionally can be employ | adopted. For example, a mechanism may be used for sucking using a vacuum generator or a compressor, or may be a mechanism comprising a suction pump and a gas-liquid separation box. In addition, as long as required power is obtained, you may use the exhaust installation provided in a factory.

세정부(74)는, 주로 베이스(740), 스페이서(741), 토출부(742), 가이드 블록(743), 지지 부재(744)로 구성되고, 본 도포 처리를 반복함으로써 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 부착된 레지스트액을, 노즐 세정 처리에서 세정 제거하는 기능을 갖고 있다. The cleaning part 74 mainly consists of the base 740, the spacer 741, the discharge part 742, the guide block 743, and the support member 744, and repeats this application | coating process, and the slit nozzle 41 is carried out. It has a function of washing and removing the resist liquid attached to the tip end side surface of the nozzle in the nozzle cleaning process.

세정부(74)의 각 구성의 기대(基臺)로서 기능하는 베이스(740)는, 구동 기구(76)와 연결되어 있어, 구동 기구(76)에 의해서 Y축 방향으로 왕복 이동하는 것이 가능하게 되어 있다. The base 740 which functions as the base of each structure of the washing | cleaning part 74 is connected with the drive mechanism 76, and can be reciprocated to the Y-axis direction by the drive mechanism 76. It is.

스페이서(741)는, 소정의 두께를 갖는 판 형상의 부재로서, 베이스(740)와 토출부(742)와의 사이에 탈착 가능한 상태로 삽입된다. 본 실시의 형태에서 스페이서(741)는, 베이스(740)의 이면으로부터 토출부(742)를 향해 삽입되는 볼트에 의해서 고정되어 있어, 해당 볼트를 느슨하게 함으로써 제거할 수 있다. The spacer 741 is a plate-shaped member having a predetermined thickness and is inserted in a detachable state between the base 740 and the discharge part 742. In this embodiment, the spacer 741 is fixed by the bolt inserted into the discharge part 742 from the back surface of the base 740, and can remove it by loosening the said bolt.

이와 같이, 베이스(740)와 토출부(742)와의 사이에 배치되는 스페이서(741)를, 두께가 다른 것으로 적절히 교환함으로써, 토출부(742)의 Z축 방향의 위치를 조정할 수 있다. 후술과 같이, 토출부(742)의 소정의 위치에는, 세정 노즐(750)이 설치되고, 토출부(742)의 Z축 방향의 위치를 조정하는 것은, 세정 노즐(750)의 높이 위치(Z축 방향의 위치)를 조정하는 것에 상당한다. 따라서, 본 실시의 형태에 있어서의 노즐 세정 기구(70)는, 세정액 공급 기구(75)에 의해서 공급되는 세정액의 공급 위치를 Z축 방향으로 조정할 수 있다.In this manner, by appropriately replacing the spacer 741 disposed between the base 740 and the discharge portion 742 with a different thickness, the position of the discharge portion 742 in the Z-axis direction can be adjusted. As described later, the cleaning nozzle 750 is provided at a predetermined position of the discharge part 742, and adjusting the position in the Z-axis direction of the discharge part 742 is the height position Z of the cleaning nozzle 750. Corresponds to the position in the axial direction). Therefore, the nozzle cleaning mechanism 70 in this embodiment can adjust the supply position of the cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply mechanism 75 in the Z-axis direction.

도 4는, 토출부(742)의 대향면(742a)의 정면도이다. 토출부(742)는, 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)이 소정의 위치 관계로 배치되도록 규정하는 부재이다. 이에 따라, 가스 노즐(710)에 의한 질소 가스의 공급 위치 및 세정 노즐(750)에 의한 세정액의 공급 위치가 결정된다. 또한, 도 4의 Z1 내지 Z4는, 대향면(742a)에서의 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)의 Z축 방향의 좌표를 표시한다. 또한, 본 실시의 형태에서의 토출부(742)는, Z1 내지 Z4가 등간격으로 규정되어 있 지만 이에 한정되는 것은 아니다. 4 is a front view of the opposing surface 742a of the discharge portion 742. The discharge part 742 is a member which defines that the gas nozzle 710 and the washing nozzle 750 are arrange | positioned in predetermined position relationship. Thereby, the supply position of nitrogen gas by the gas nozzle 710 and the supply position of the washing | cleaning liquid by the washing nozzle 750 are determined. In addition, Z1-Z4 of FIG. 4 show the coordinate of the Z-axis direction of the gas nozzle 710 and the washing nozzle 750 in the opposing surface 742a. In addition, although the discharge part 742 in this embodiment is prescribed | regulated by Z1-Z4 at equal intervals, it is not limited to this.

슬릿 노즐(41)의 선단부에 대향하도록 배치되는 대향면(742a)은, 슬릿 노즐(41)의 선단부의 경사에 따라, YZ 평면에 대해 소정 각도의 경사를 갖는 경사면으로 되어 있다. 대향면(742a)에는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)이 분포하고, 각각 가스 공급 기구(71) 및 세정액 공급 기구(75)와 연통 접속되어 있다. The opposing surface 742a disposed to face the distal end of the slit nozzle 41 is an inclined surface having an inclination at a predetermined angle with respect to the YZ plane in accordance with the inclination of the distal end of the slit nozzle 41. As shown in FIG. 3, the gas nozzle 710 and the washing | cleaning nozzle 750 are distributed in the opposing surface 742a, and are connected to the gas supply mechanism 71 and the washing | cleaning liquid supply mechanism 75, respectively.

가스 노즐(710)에서는, 가스 공급 기구(71)에 의해서 공급된 질소 가스가 슬릿 노즐(41)을 향해 내뿜어진다. 이에 따라, 노즐 세정 처리에 의해서 슬릿 노즐(41)에 부착된 세정액이 효율적으로 휘발된다(혹은 불어 날려진다). 또한, 세정 노즐(750)로부터 토출된 세정액은, 슬릿 노즐(41)과 충돌함으로써, 토출되었을 때의 높이 위치보다도 약간 높은 위치에까지 비산한다. 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)에서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 가스 노즐(710)에 의한 질소 가스의 공급 위치가 세정액의 비산 위치 보다 윗쪽이 되도록, 가스 노즐(710)을 세정 노즐(750)보다 윗쪽에 설치한다. 이에 따라, 노즐 건조 처리에서, 슬릿 노즐(41)을 보다 효율적으로 건조시킬 수 있다. In the gas nozzle 710, the nitrogen gas supplied by the gas supply mechanism 71 is blown toward the slit nozzle 41. As a result, the cleaning liquid attached to the slit nozzle 41 is efficiently volatilized (or blown off) by the nozzle cleaning process. Moreover, the washing | cleaning liquid discharged from the washing | cleaning nozzle 750 collides with the slit nozzle 41, and it scatters to the position slightly higher than the height position at the time of discharge. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the gas nozzle 710 so that the supply position of nitrogen gas by the gas nozzle 710 is above the scattering position of the cleaning liquid. Is installed above the cleaning nozzle 750. Thereby, in the nozzle drying process, the slit nozzle 41 can be dried more efficiently.

또한, 가스 노즐(710)은, 아래쪽 가스 노즐(710a)과 윗쪽 가스 노즐(710b)로 구성된다. 대향면(742a)에서, 아래쪽 가스 노즐(710a)은 Z3의 높이 위치에 배치되고, 윗쪽 가스 노즐(710b)은 아래쪽 가스 노즐(710a)보다 위쪽인 Z4의 높이 위치에 배치된다. In addition, the gas nozzle 710 is comprised from the lower gas nozzle 710a and the upper gas nozzle 710b. On the opposing surface 742a, the lower gas nozzle 710a is disposed at the height position of Z3, and the upper gas nozzle 710b is disposed at the height position of Z4, which is higher than the lower gas nozzle 710a.

또한, 세정 노즐(750)은, 아래쪽 세정 노즐(750a)과 윗쪽 세정 노즐(750b)로 구성된다. 대향면(742a)에서, 아래쪽 세정 노즐(750a)은 Z1의 높이 위치에 배치되고, 윗쪽 세정 노즐(750b)은 아래쪽 세정 노즐(750a)보다 위쪽인 Z2의 높이 위치에 배치된다. In addition, the cleaning nozzle 750 is comprised by the lower cleaning nozzle 750a and the upper cleaning nozzle 750b. On the opposing surface 742a, the lower cleaning nozzle 750a is disposed at the height position of Z1 and the upper cleaning nozzle 750b is disposed at the height position of Z2 that is higher than the lower cleaning nozzle 750a.

도 5는 세정부(74)의 가이드 블록(743)을 도시하는 사시도이다. 가이드 블록(743)은, Y축 방향에 거의 균일한 단면을 갖는 막대 형상의 부재이고, 그 X축 방향의 두께는 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 폭(X축 방향의 폭) 이상이고, 또한, 지지 부재(744)의 X축 방향의 폭 미만이다. 5 is a perspective view illustrating the guide block 743 of the cleaning unit 74. The guide block 743 is a rod-shaped member having a substantially uniform cross section in the Y-axis direction, and the thickness in the X-axis direction is equal to or greater than the width (width in the X-axis direction) of the discharge port 41a of the slit nozzle 41. In addition, it is less than the width of the supporting member 744 in the X-axis direction.

가이드 블록(743)은, 1쌍의 지지 부재(744)에 의해서 Y축 방향의 양단부가 고정 지지되고, 베이스(740)에 대해서는 지지 부재(744)를 통해 부착된다. 즉, 가이드 블록(743)의 하면은 베이스(740)로부터 이격되고, 베이스(740)와 가이드 블록(743)의 사이에는 공간이 형성되어 있다. 본 실시의 형태에서의 세정부(74)에서는, 베이스(740)와 가이드 블록(743)의 상대 위치는 고정되어 있다. The guide block 743 is fixedly supported at both ends in the Y-axis direction by a pair of support members 744, and is attached to the base 740 via the support member 744. That is, the lower surface of the guide block 743 is spaced apart from the base 740, and a space is formed between the base 740 and the guide block 743. In the washing | cleaning part 74 in this embodiment, the relative position of the base 740 and the guide block 743 is fixed.

또한, 가이드 블록(743)의 상면은, 슬릿 노즐(41)의 선단부에 근접하는 근접면(743a)으로 되어 있다. 근접면(743a)은 X축 방향의 양단을 향해 아래쪽으로 만곡한 곡면이다. 또한, 가이드 블록(743)의 측면 중 토출부(742)에 대향하는 면은, YZ 평면에 대략 평행한 가이드면(743b)으로 되어 있다. 가이드면(743b)은 토출부(742)와 이격되고, 이들 사이에는 공간이 형성되어 있다. The upper surface of the guide block 743 is a proximal surface 743a that is close to the distal end of the slit nozzle 41. The proximal surface 743a is a curved surface curved downward toward both ends in the X-axis direction. Moreover, the surface which faces the discharge part 742 among the side surfaces of the guide block 743 is the guide surface 743b which is substantially parallel to a YZ plane. The guide surface 743b is spaced apart from the discharge portion 742, and a space is formed between them.

한쌍의 지지 부재(744) 중의(-Y측)의 지지 부재(744)에는 흡인구(720)가 형성되고, 상술의 폐기 배관을 통해 흡인 기구(72(도 3))와 연통 접속되어 있다. 흡인구(720)는, 지지 부재(744)를 관통하는 구멍으로, 지지 부재(744)에 부착되는 가 이드 블록(743)보다 아래쪽에 형성된다. A suction port 720 is formed in the support member 744 of the pair of support members 744 (-Y side), and is connected to the suction mechanism 72 (FIG. 3) via the above-described waste pipe. The suction port 720 is a hole penetrating the support member 744, and is formed below the guide block 743 attached to the support member 744.

이에 따라, 흡인 기구(72)가 흡인을 개시하면, 가이드 블록(743)의 아래쪽 공간이 흡인된다. 또한, 양쪽의 지지 부재(744)에 흡인구(720)를 형성하고, 각각의 방향에서 흡인 기구(72)가 흡인을 행하도록 구성해도 좋다. Accordingly, when the suction mechanism 72 starts suction, the space below the guide block 743 is sucked. In addition, the suction port 720 may be formed in both of the supporting members 744, and the suction mechanism 72 may be sucked in each direction.

도 3으로 되돌아가, 세정액 공급 기구(75)는, 세정액 병이나 용액 이송 펌프 등으로 이루어지는 기구로서, 공급 배관을 통해 세정부(74)에 세정액을 공급한다. Returning to FIG. 3, the washing | cleaning liquid supply mechanism 75 is a mechanism which consists of a washing | cleaning liquid bottle, a solution transfer pump, etc., and supplies a washing | cleaning liquid to the washing | cleaning part 74 through a supply piping.

구동 기구(76)는, 세정부(74)를 Y축 방향으로 이동시키는 기구이다. 구동 기구(76)로는, 회전 모터와 볼 나사를 이용한 일반적인 직동(直動) 기구를 채용할 수 있다. 도 6은, 토출부(742)가 이동하는 모습을 슬릿 노즐(41)과 동시에 도시하는 도면이다. 또, 도 6에 도시하는 슬릿 노즐(41)의 위치를, 이하, 「세정 위치」라고 칭한다. The drive mechanism 76 is a mechanism which moves the washing | cleaning part 74 to a Y-axis direction. As the drive mechanism 76, a general linear mechanism using a rotating motor and a ball screw can be adopted. FIG. 6 is a diagram showing the state in which the discharge part 742 moves with the slit nozzle 41 at the same time. In addition, the position of the slit nozzle 41 shown in FIG. 6 is called "washing position" hereafter.

이와 같이, 세정 위치에 있는 슬릿 노즐(41)의 선단부에 대해, 토출부(742)가 Y축 방향으로 왕복 이동함으로써, 토출부(742)에 형성된 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)이 슬릿 노즐(41)의 선단부를 주사하게 된다. 또, 구동 기구(76)는, 세정부(74)에 슬릿 노즐(41)을 주사하기 위한 동작을 행하게 할 뿐만 아니라, 세정부(74)를 슬릿 노즐(41)의 아래쪽으로부터 퇴피시키는 동작도 행하는 것이 가능하다. 이에 따라, 슬릿 노즐(41)의 선단부가 후술하는 대기 포트(77)에 삽입될 때에는, 세정부(74)와 슬릿 노즐(41)이 상호 간섭하지 않도록 되어 있다. Thus, the discharge part 742 reciprocates in the Y-axis direction with respect to the front-end | tip part of the slit nozzle 41 in a cleaning position, and the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 formed in the discharge part 742 are moved. The tip of the slit nozzle 41 is scanned. Moreover, the drive mechanism 76 not only performs the operation | movement for scanning the slit nozzle 41 to the washing | cleaning part 74, but also performs the operation | movement which retracts the washing | cleaning part 74 from the lower side of the slit nozzle 41 also. It is possible. As a result, when the distal end portion of the slit nozzle 41 is inserted into the standby port 77 described later, the cleaning portion 74 and the slit nozzle 41 do not interfere with each other.

도 2로 되돌아가, 대기 포트(77)는, 슬릿 노즐(41)의 길이 방향의 폭과 거의 동일한 사이즈를 갖는 대략 상자 형상의 부재이다. 대기 포트(77)의 내부에는 레 지스트액의 용제가 저류되어 있다. 대기 포트(77)는, 비교적 장시간, 본 도포 처리가 행해지지 않은 경우에 있어서, 슬릿 노즐(41)의 특히 토출구(41a) 부근의 레지스트액이 건조 변질되지 않도록 설치되는 기구이다. Returning to FIG. 2, the standby port 77 is a substantially box-shaped member having a size substantially the same as the width in the longitudinal direction of the slit nozzle 41. The solvent of the resist liquid is stored in the standby port 77. The standby port 77 is a mechanism provided so that the resist liquid of the slit nozzle 41 especially in the vicinity of the discharge port 41a may not be dried and deteriorated, when the main coating process is not performed for a relatively long time.

대기 포트(77)의 상면에는, 슬릿 노즐(41)의 선단부를 내부로 삽입하기 위한 개구부가 형성되어 있다. 슬릿 노즐(41)은, 대기 중에, 세정 위치로부터 더욱 Z축 방향으로 하강한 소정의 위치(이하, 「대기 위치」라고 칭한다)로 이동한다. 슬릿 노즐(41)이, 이 대기 위치에 있을 때, 슬릿 노즐(41)의 선단부는, 개구부로부터 대기 포트(77)의 내부에 삽입된 상태로 되고, 용제 분위기에 노출됨으로써, 레지스트액의 건조가 억제된다. The upper surface of the standby port 77 is formed with an opening for inserting the tip portion of the slit nozzle 41 into the inside. The slit nozzle 41 moves to the predetermined position (henceforth a "standby position" hereafter) lowered further in a Z-axis direction from a washing | cleaning position in air | atmosphere. When the slit nozzle 41 is in this standby position, the tip end portion of the slit nozzle 41 is inserted into the standby port 77 from the opening, and is exposed to a solvent atmosphere, whereby drying of the resist liquid Suppressed.

도 1로 되돌아가, 제어부(8)는, 프로그램에 따라서 각종 데이터를 처리하는 연산부(80), 프로그램이나 각종 데이터를 저장하는 기억부(81)를 내부에 구비한다. 또한, 전면에는, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)에 대해 필요한 지시를 입력하기 위한 조작부(82) 및 각종 데이터를 표시하는 표시부(83)를 구비한다. Returning to FIG. 1, the control part 8 is equipped with the calculating part 80 which processes various data according to a program, and the storage part 81 which stores a program and various data inside. Moreover, the front surface is provided with the operation part 82 for inputting the instruction | indication which an operator requires with respect to the substrate processing apparatus 1, and the display part 83 which displays various data.

제어부(8)는, 도 1에는 도시하지 않은 케이블에 의해 본체(2)에 부속하는 각 기구와 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(8)는, 조작부(82)로부터의 입력 신호나, 도시하지 않은 각종 센서 등으로부터의 신호에 따라서, 승강 기구(43, 44)에 의한 승강 동작, 주행 기구(5)에 의한 주행 동작, 레지스트 공급 기구(6)에 의한 레지스트액의 공급 동작을 제어한다. 나아가 노즐 초기화 기구(7)의 각 구동 기구, 각 회전 기구 및 각 밸브 등의 동작, 특히, 가스 공급 기구(71) 및 세정액 공급 기구(75)의 공급 유량을 제어한다. The control part 8 is electrically connected with each mechanism attached to the main body 2 by the cable which is not shown in FIG. The control part 8 according to the input signal from the operation part 82, the signal from various sensors etc. which are not shown in figure, the lifting operation by the lifting mechanisms 43 and 44, the traveling operation by the traveling mechanism 5, The supply operation of the resist liquid by the resist supply mechanism 6 is controlled. Furthermore, the operation of each drive mechanism, each rotation mechanism, each valve, etc. of the nozzle initialization mechanism 7 is controlled, in particular, the supply flow rates of the gas supply mechanism 71 and the cleaning liquid supply mechanism 75.

또한, 구체적으로는, 데이터를 일시적으로 기억하는 RAM, 읽기 전용의 ROM 및 자기 디스크 장치 등이 기억부(81)에 해당한다. 혹은, 운반 가능한 광자기 디스크나 메모리 카드 등의 기억 매체 및 그들 읽기 장치 등이라도 좋다. 또한, 조작부(82)에는, 버튼 및 스위치류(키보드나 마우스 등을 포함한다) 등이 해당한다. 혹은, 터치 패널 디스플레이와 같이 표시부(83)의 기능을 겸비한 것이라도 좋다. 표시부(83)에는, 액정 디스플레이나 각종 램프 등이 해당한다. Specifically, the storage unit 81 corresponds to a RAM that temporarily stores data, a read-only ROM, a magnetic disk device, and the like. Alternatively, it may be a storage medium such as a magneto-optical disk or memory card and a reading device. In addition, the operation part 82 corresponds to buttons, switches (including a keyboard, a mouse, and the like). Alternatively, the display unit 83 may have a function similar to that of a touch panel display. The display unit 83 corresponds to a liquid crystal display, various lamps, and the like.

이상이, 본 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)의 기능 및 구성의 설명이다. The above is description of the function and the structure of the substrate processing apparatus 1 in this embodiment.

다음에, 노즐 세정 기구(70)가 슬릿 노즐(41)의 선단부를 세정할 때의 동작(노즐 세정 처리)에 대해서 설명한다. 도 7 내지 도 9는 노즐 세정 처리의 모습을 도시하는 도면이다. 또한, 도 7 내지 도 9에서의 슬릿 노즐(41)의 위치는 세정 위치이다. 또한, 도 7 내지 도 9에서는, 지지 부재(744)에 대해서 도시를 생략하는 동시에, 가이드 블록(743) 및 슬릿 노즐(41)은 단면으로서 도시하고 있다. Next, the operation (nozzle cleaning process) when the nozzle cleaning mechanism 70 cleans the front end of the slit nozzle 41 will be described. 7-9 is a figure which shows the state of a nozzle washing process. In addition, the position of the slit nozzle 41 in FIGS. 7-9 is a washing position. In addition, in FIG. 7-9, the illustration of the support member 744 is abbreviate | omitted, and the guide block 743 and the slit nozzle 41 are shown as a cross section.

우선, 노즐 세정 처리에 앞서, 제어부(8)가, 구동 기구(76)를 제어함으로써, 퇴피하는 세정부(74)를, 슬릿 노즐(41)에 대한 세정 처리를 행하는 위치로 이동시킨다. 또한, 제어부(8)는, 이 처리와 병행하여, 승강 기구(43, 44) 및 주행 기구(5)를 제어함으로써, 슬릿 노즐(41)을 세정 위치로 이동시킨다. First, before the nozzle cleaning process, the control part 8 controls the drive mechanism 76 to move the cleaning part 74 to retract to the position which performs the cleaning process with respect to the slit nozzle 41. FIG. Moreover, the control part 8 moves the slit nozzle 41 to a washing | cleaning position by controlling the lifting mechanisms 43 and 44 and the traveling mechanism 5 in parallel with this process.

이에 따라, 슬릿 노즐(41)과 세정부(74)가, 도 7에 도시하는 것과 같은 배치 관계로 된다. 이 때, 도 7에 도시하는 바와 같이, 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에는, 도포 처리를 반복하여 행함으로써, 레지스트액이 부착되어 있다. 또, 본 실시 의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 노즐 세정 처리에 있어서, 슬릿 노즐(41)의 하단과 가이드 블록(743)의 근접면(743a)과의 거리(근접 거리)가, 약 1.5㎜가 되도록, 슬릿 노즐(41)의 세정 위치가 규정되어 있는데, 물론 이에 한정되는 것은 아니다. 근접 거리는, 사용되는 세정액의 성질이나 토출 유량 등에 따라 미리 적절히 설정되는 것이다. Thereby, the slit nozzle 41 and the washing | cleaning part 74 become an arrangement relationship as shown in FIG. At this time, as shown in FIG. 7, the resist liquid is affixed to the front-end | tip side surface of the slit nozzle 41 by repeating application | coating process. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, in the nozzle cleaning process, the distance (proximity distance) between the lower end of the slit nozzle 41 and the proximal surface 743a of the guide block 743 is The cleaning position of the slit nozzle 41 is defined to be about 1.5 mm, but is not limited thereto. Proximity distance is suitably set previously according to the nature of the cleaning liquid used, discharge flow volume, etc.

여기까지의 이동 동작에 의해, 노즐 세정 처리의 준비가 완료되면, 세정액 공급 기구(75)가 밸브를 개방 상태로 함으로써 세정액의 공급을 개시하고, 도 8에 도시하는 바와 같이, 세정 노즐(750)이 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면을 향해 세정액을 토출시킨다. 세정 노즐(750)이 세정액을 토출시키는 동작과 병행하여, 흡인 기구(72)가 흡인구(720)로부터 흡인을 개시한다. When the preparation for the nozzle cleaning process is completed by the movement operation so far, the cleaning liquid supply mechanism 75 starts the supply of the cleaning liquid by opening the valve, and as shown in FIG. 8, the cleaning nozzle 750. The cleaning liquid is discharged toward the tip end side of the slit nozzle 41. In parallel with the operation of the cleaning nozzle 750 discharging the cleaning liquid, the suction mechanism 72 starts suction from the suction port 720.

도 10은, 도 8에 도시하는 상태의 확대도이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 아래쪽 세정 노즐(750a) 및 윗쪽 세정 노즐(750b)로부터 세정액(린스액(LQ))이 토출되고, 토출된 린스액(LQ)이 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 충돌함으로써, 슬릿 노즐(41)의 세정이 행해진다. FIG. 10 is an enlarged view of the state shown in FIG. 8. As shown in FIG. 10, the cleaning liquid (rinse liquid LQ) is discharged from the lower cleaning nozzle 750a and the upper cleaning nozzle 750b, and the discharged rinse liquid LQ is discharged from the front end side of the slit nozzle 41. The slit nozzle 41 is cleaned by colliding with.

이 때, 아래쪽 세정 노즐(750a)에서 토출된 린스액(LQ)에 의해서, 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 부착해 있는 레지스트액(R)이 용해된다. 이에 따라, 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에는, 레지스트액(R)과 린스액(LQ)의 혼합액(비교적 레지스트액(R)의 농도가 높은 혼합액)이 존재하게 된다. 종래의 장치에서는, 세정 노즐의 높이 위치가 현격한 차이로 배치되어 있지 않았으므로, 이 혼합액에 의해서, 도 23에 도시하는 것과 같은 부착물(RL)이 형성된다. At this time, the resist liquid R adhering to the front end side of the slit nozzle 41 is dissolved by the rinse liquid LQ discharged from the lower cleaning nozzle 750a. As a result, a mixed liquid of the resist liquid R and the rinse liquid LQ (a mixed liquid having a high concentration of the resist liquid R) is present on the front end side of the slit nozzle 41. In the conventional apparatus, since the height positions of the cleaning nozzles are not arranged at a noticeable difference, the deposit RL as shown in FIG. 23 is formed by this mixed liquid.

그러나, 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)는, 아래쪽 세정 노즐(750a)에 추가하여, 윗쪽 세정 노즐(750b)을 구비하고 있다. 따라서, 도 10에 도시하는 바와 같이, 윗쪽 세정 노즐(750b)에 의해서, 아래쪽 세정 노즐(750a)에 의한 린스액(LQ)의 공급위치보다도 더 높은 위치에 린스액(LQ)이 공급된다. However, the substrate processing apparatus 1 in this embodiment is provided with the upper cleaning nozzle 750b in addition to the lower cleaning nozzle 750a. Therefore, as shown in FIG. 10, the rinse liquid LQ is supplied to the position higher than the supply position of the rinse liquid LQ by the lower washing nozzle 750a by the upper washing nozzle 750b.

즉, 윗쪽 세정 노즐(750b)에 의해서 공급된 린스액(LQ)은, 아래쪽 세정 노즐(750a)이 린스액(LQ)을 공급함으로써 생성된 혼합액을, 다시 윗쪽으로부터 아래쪽을 향해 씻어 흘려버릴 수 있다. 따라서, 종래의 장치와 같은 줄무늬 형상의 부착물(RL)이 잔류하지 않고, 노즐 세정 처리에 있어서의 세정 효과가 향상되므로, 슬릿 노즐(41)의 상태를 양호하게 회복시킬 수 있다.That is, the rinse liquid LQ supplied by the upper cleaning nozzle 750b can wash away the mixed liquid produced by supplying the rinse liquid LQ by the lower cleaning nozzle 750a from the upper side to the lower side again. . Therefore, since the streak deposit RL like a conventional apparatus does not remain and the washing | cleaning effect in a nozzle washing process improves, the state of the slit nozzle 41 can be restored favorably.

세정 노즐(750)에 의해 토출된 린스액(LQ)은, 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 따라 아래쪽으로 흐르고, 그 일부는 슬릿 노즐(41)의 하면에 부착된다. 그러나, 슬릿 노즐(41)의 하면에 부착된 린스액(LQ)은, 근접면(743a)과 접촉함으로써, 신속하게 근접면(743a)에 따라 인도되고, 양측의 가이드면(743b)을 향해 흐른다. 이 흐름에 의해서 슬릿 노즐(41)의 하면이 세정되는 동시에, 린스액(LQ)에 의해서 용해된 레지스트액(R)이, 신속하게 제거된다. 또한, 린스액(LQ)은, 가이드 블록(743)의 가이드면(743b)으로 인도되어, 아래쪽으로 흐른다. The rinse liquid LQ discharged by the cleaning nozzle 750 flows downward along the tip side surface of the slit nozzle 41, and part of the rinse liquid LQ is attached to the lower surface of the slit nozzle 41. However, the rinse liquid LQ attached to the lower surface of the slit nozzle 41 is quickly guided along the proximity surface 743a by contacting the proximity surface 743a and flows toward the guide surfaces 743b on both sides. . By this flow, the lower surface of the slit nozzle 41 is cleaned, and the resist liquid R dissolved by the rinse liquid LQ is quickly removed. In addition, the rinse liquid LQ is led to the guide surface 743b of the guide block 743 and flows downward.

이와 같이, 근접면(743a)이, 아래쪽으로 향해 만곡하는 곡면으로 되어 있으므로, 세정부(74)는, 린스액(LQ)을 신속하게 배출시킬 수 있다. 또한, 가이드 블록(743)이, 세정액 공급 기구(75)에 의해 공급된 린스액(LQ)을 아래쪽을 향해 인도하는 가이드면(743b)을 가지므로, 슬릿 노즐(41)의 하면에 부착된 린스액(LQ)을 더 욱 신속하게 배출할 수 있다. Thus, since the proximity surface 743a becomes a curved surface curved downward, the washing | cleaning part 74 can discharge | release the rinse liquid LQ quickly. In addition, since the guide block 743 has a guide surface 743b for guiding the rinse liquid LQ supplied by the cleaning liquid supply mechanism 75 downward, the rinse adhered to the lower surface of the slit nozzle 41. The liquid (LQ) can be discharged more quickly.

상술과 같이, 세정 노즐(750)로부터 린스액(LQ)이 토출되는 동안, 흡인 기구(72)에 의해서 슬릿 노즐(41)의 아래쪽 흡인이 행해진다. 이 흡인 기구(72)에 의한 흡인력은, 도 10에 도시하는 바와 같이, 가이드 블록(743)에 의해 토출구(41a) 근방에 직접 작용하지 않도록 차단되어 있다. 즉, 세정에 사용된 린스액(LQ)은, 토출부(742)와 가이드면(743b)과의 사이에 형성된 공간의 상부 개구부(Y축 방향에 따른 슬릿 형상의 개구부가 된다)로부터 흡인되게 된다. As described above, suction of the slit nozzle 41 is performed by the suction mechanism 72 while the rinse liquid LQ is discharged from the cleaning nozzle 750. As shown in FIG. 10, the suction force by this suction mechanism 72 is interrupted | blocked by the guide block 743 so that it may not act directly in the vicinity of the discharge port 41a. That is, the rinse liquid LQ used for cleaning is sucked from the upper opening (which becomes a slit-shaped opening along the Y-axis direction) of the space formed between the discharge part 742 and the guide surface 743b. .

슬릿 노즐(41) 내에 충전되어 있는 레지스트액(R)은, 주로 (-Z) 방향으로 작용하는 힘에 의해 내보내 지게 된다. 그러나, 흡인 기구(72)의 흡인력이, 도 10에 하향의 화살표로 표시하는 바와 같이, 토출구(41a)로부터 떨어진 위치에 작용하면, 토출구(41a)의 근방에서, 그 흡인력은 주로 X축 방향으로 작용하고, (-Z) 방향으로 작용하는 흡인력은 약하게 된다. The resist liquid R filled in the slit nozzle 41 is discharged mainly by a force acting in the (-Z) direction. However, when the suction force of the suction mechanism 72 acts on the position away from the discharge port 41a, as indicated by the downward arrow in FIG. 10, the suction force is mainly in the X-axis direction near the discharge port 41a. The suction force acting in the (-Z) direction becomes weak.

세정부(74)에 있어서, 흡인 기구(72)의 흡인력이 (-Z)방향으로 작용하는 위치는, 가이드 블록(743)의 가이드면(743b)의 위치에 의해서 규정된다. 따라서, 가이드 블록(743)의 X축 방향의 두께를 조정함으로써, 토출구(41a)에 작용하는 (-Z) 방향의 흡인력을 조정할 수 있다. In the cleaning portion 74, the position at which the suction force of the suction mechanism 72 acts in the (-Z) direction is defined by the position of the guide surface 743b of the guide block 743. Therefore, by adjusting the thickness of the guide block 743 in the X-axis direction, the suction force in the (-Z) direction acting on the discharge port 41a can be adjusted.

본 실시의 형태에 있어서의 세정부(74)에서는, 토출구(41a)의 근방이 레지스트액(R)의 거의 정류점이 되도록 가이드 블록(743)의 두께가 미리 결정되어 있고, 이에 따라 레지스트액(R)의 유출이 억제된다. 또, 흡인력이 작용하는 위치가, 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면의 아래쪽이 되므로, 선단부 측면에 부착한 레지스트액 (R)을 제거한 린스액(LQ)은, 신속하게 아래쪽으로 흡인 배출된다. 또한, 가이드 블록(743)의 X축 방향의 두께에 의해서, 토출부(742)와 가이드 블록(743)의 간격이 규정되는데, 이 간격이 좁을수록, 흡인 기구(72)의 흡인력이 압박되어, 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 작용하는 흡인력이 증가한다. In the cleaning section 74 according to the present embodiment, the thickness of the guide block 743 is determined in advance so that the vicinity of the discharge port 41a is almost the rectifying point of the resist liquid R, whereby the resist liquid R Outflow) is suppressed. In addition, since the position at which the suction force acts becomes the lower side of the tip end side of the slit nozzle 41, the rinse liquid LQ from which the resist liquid R attached to the tip end side is sucked out quickly. Moreover, although the space | interval of the discharge part 742 and the guide block 743 is prescribed | regulated by the thickness of the X-axis direction of the guide block 743, the narrower this space | gap, the suction force of the suction mechanism 72 is pressed, The suction force acting on the tip side of the slit nozzle 41 increases.

이에 따라, 본 실시의 형태에 있어서의 노즐 세정 기구(70)는, 가이드 블록(743)의 두께에 의해서, 토출구(41a) 내의 레지스트액(R)에 작용하는 흡인 기구(72)의 흡인력을 약하게 할 수 있으므로, 종래의 장치에 비해 다량의 린스액(LQ)을 사용해도, 흡인 기구(72)의 흡인력을 적절히 상승시킴으로써, 사용된 린스액(LQ)을 신속하게 흡인 배출시킬 수 있다. 따라서, 노즐 세정 처리에 있어서의 세정 효과를 향상시킬 수 있다. As a result, the nozzle cleaning mechanism 70 in the present embodiment weakens the suction force of the suction mechanism 72 acting on the resist liquid R in the discharge port 41a by the thickness of the guide block 743. Therefore, even if a large amount of rinse liquid LQ is used as compared with the conventional apparatus, by using the suction force of the suction mechanism 72 appropriately raised, the rinse liquid LQ used can be sucked out quickly. Therefore, the washing | cleaning effect in a nozzle washing process can be improved.

세정액 공급 기구(75)로부터의 린스액(LQ)의 공급 동작 및 흡인 기구(72)에 의한 흡인 동작에 병행하여, 세정부(74)에 의한 주사 동작이 행해진다. 즉, 구동 기구(76)가 세정부(74)를 Y축 방향에 따라, 슬릿 노즐(41)의 전체 폭에 걸쳐, 왕복 이동시키는 동작이 행해진다. The scanning operation by the cleaning unit 74 is performed in parallel with the supply operation of the rinse liquid LQ from the cleaning liquid supply mechanism 75 and the suction operation by the suction mechanism 72. That is, the drive mechanism 76 reciprocates the washing | cleaning part 74 along the Y-axis direction over the whole width | variety of the slit nozzle 41.

이에 따라, 슬릿 노즐(41)의 Y축 방향의 전체 폭에 걸쳐, 세정 노즐(750)로부터 린스액(LQ)이 토출되어, 노즐 세정 처리가 진행된다. 이와 같이, 구동 기구(76)에 의해서, 세정부(74)에 의한 주사를 행함으로써, 예를 들면, 슬릿 노즐(41)의 전체 폭에 걸쳐 세정 노즐(750)을 배치할 필요가 없어, 장치를 소형화할 수 있다. 또한, 이 주사 동작을 반복하는 횟수는 임의이고, 전회의 노즐 세정 처리가 행해지고 나서 실행된 본 도포 처리의 횟수나, 사용하는 레지스트액(R)의 성질 등 에 따라 미리 적절한 값이 설정되어 있다. Thereby, the rinse liquid LQ is discharged from the washing nozzle 750 over the full width of the slit nozzle 41 in the Y-axis direction, and nozzle cleaning process advances. In this way, the scanning mechanism 74 scans the driving mechanism 76 so that, for example, the cleaning nozzle 750 does not need to be disposed over the entire width of the slit nozzle 41, and thus the apparatus is provided. Can be miniaturized. In addition, the number of times of repeating this scanning operation is arbitrary, and the appropriate value is previously set according to the frequency | count of this application | coating process performed after the last nozzle cleaning process, the property of the resist liquid R to be used, and the like.

소정 횟수의 주사 동작이 종료하면, 세정액 공급 기구(75)는 린스액(LQ)의 공급을 정지한다. 이에 따라, 세정 노즐(750)에 의한 린스액(LQ)의 토출이 정지된다. 또한, 가스 공급 기구(71)가 질소 가스의 공급을 개시하고, 가스 노즐(710)로부터 질소 가스가 분출된다. 또한, 이 동안도 구동 기구(76)에 의한 세정부(74)의 주사 동작은 계속된다. When the scanning operation of the predetermined number of times ends, the cleaning liquid supply mechanism 75 stops the supply of the rinse liquid LQ. As a result, the discharge of the rinse liquid LQ by the cleaning nozzle 750 is stopped. In addition, the gas supply mechanism 71 starts supplying nitrogen gas, and nitrogen gas is ejected from the gas nozzle 710. In addition, the scanning operation | movement of the washing | cleaning part 74 by the drive mechanism 76 is continued also during this time.

이와 같이, 가스 노즐(710)로부터 슬릿 노즐(41)의 선단부를 향해 질소 가스를 분출하면서, 세정부(74)를 Y축 방향에 따라 이동시킴으로써, 슬릿 노즐(41)에 부착된 린스액(LQ)의 건조가 촉진된다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 토출부(742)의 대향면(742a)에서, 모든 가스 노즐(710)이, 모든 세정 노즐(750)보다도 높은 위치에 설치되어 있으므로, 가스 노즐(710)은 효과적으로 린스액(LQ)이 부착된 영역에 질소 가스를 공급할 수 있다. 또, 린스액(LQ)을 건조시키기 위한 주사 동작의 횟수도 소정의 값이 미리 설정되어 있다. Thus, the rinse liquid LQ adhered to the slit nozzle 41 by moving the washing | cleaning part 74 along the Y-axis direction, blowing a nitrogen gas from the gas nozzle 710 toward the front-end | tip of the slit nozzle 41. FIG. ) Drying is promoted. As shown in FIG. 4, since all the gas nozzles 710 are provided at a position higher than all the cleaning nozzles 750 on the opposing surface 742a of the discharge part 742, the gas nozzles 710 are effective. Nitrogen gas can be supplied to the region to which the rinse liquid LQ is attached. In addition, a predetermined value is also set in advance for the number of scanning operations for drying the rinse liquid LQ.

소정 횟수의 주사 동작이 종료하면, 제어부(8)는, 구동 기구(76)를 정지시켜 세정부(74)의 주사 동작을 종료시킴과 동시에, 가스 공급 기구(71)를 제어하여 질소 가스의 공급을 정지시킨다. 이에 따라, 가스 노즐(710)에 의한 질소 가스의 분출이 정지하여, 슬릿 노즐(41)을 건조시키기 위한 주사 동작이 종료한다. When the predetermined number of scanning operations are completed, the control unit 8 stops the driving mechanism 76 to terminate the scanning operation of the cleaning unit 74, and controls the gas supply mechanism 71 to supply nitrogen gas. To stop. Thereby, the ejection of nitrogen gas by the gas nozzle 710 stops, and the scanning operation for drying the slit nozzle 41 is complete | finished.

이상의 동작에 의해서, 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)의 노즐 세정 처리가 종료한다. 또한, 노즐 세정 처리가 종료된 후는, 예비 도포 기구(73)에서 예비 도포 처리를 행하고, 슬릿 노즐(41)의 상태를 정비하고 나서 본 도 포 처리를 행한다. 단, 노즐 세정 처리 후의 동작은 이에 한정되지 않고, 본 도포 처리를 행하기 까지 시간이 걸릴 것 같으면, 슬릿 노즐(41)을 대기 위치로 이동시키고, 슬릿 노즐(41)의 레지스트액(R)의 건조를 방지하도록 해도 된다. 즉, 구동 기구(76)에 의해서 세정부(74)를 슬릿 노즐(41)의 아래쪽에서 퇴피시켜, 슬릿 노즐(41)을 세정 위치로부터 더 하강시키고, 선단부가 대기 포트(77) 내의 용제 분위기에 노출되도록 한다. By the above operation, the nozzle cleaning process of the substrate processing apparatus 1 in this embodiment is complete | finished. After the nozzle cleaning process is completed, the preliminary coating process is performed by the preliminary coating mechanism 73, and the main coating process is performed after the state of the slit nozzle 41 is maintained. However, the operation | movement after nozzle cleaning process is not limited to this, If it seems to take time to perform this application | coating process, the slit nozzle 41 is moved to a standby position, and the resist liquid R of the slit nozzle 41 may be You may prevent drying. That is, the cleaning part 74 is retracted from the lower part of the slit nozzle 41 by the drive mechanism 76, and the slit nozzle 41 is further lowered from a washing position, and the front end part is made into the solvent atmosphere in the atmospheric port 77. To be exposed.

이상에 의해, 본 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)는, 가이드 블록(743)이, 도 7 등에 도시하는 바와 같이, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 짧은쪽 방향 폭 이상의 두께를 가지고, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 아래쪽 근방에 배치되고, 흡인 기구(72)의 흡인구(720)가, 가이드 블록(743)의 아래쪽에서 흡인을 행함으로써, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a) 근방이 레지스트액(R)의 거의 정류점이 되도록 흡인 기구(72)의 흡인력을 조정함으로써, 흡인 배출에 의해서 세정액과 오염물을 신속하게 배출하면서, 토출구(41a)로부터 슬릿 노즐(41) 내의 레지스트액(R)이 내보내지는 것을 억제할 수 있다. As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the guide block 743 has a thickness equal to or shorter than the shorter width of the discharge port 41a of the slit nozzle 41, as shown in FIG. 7 and the like. Is disposed in the vicinity of the discharge port 41a of the slit nozzle 41, and the suction port 720 of the suction mechanism 72 sucks from the lower side of the guide block 743, thereby slitting the nozzle 41. By adjusting the suction force of the suction mechanism 72 such that the vicinity of the discharge port 41a of the discharge hole 41a is almost a rectifying point of the resist liquid R, the slit nozzle (from the discharge port 41a) is discharged quickly while discharging the cleaning liquid and contaminants by suction discharge. The resist liquid R in 41 can be suppressed from flowing out.

또한, 가이드 블록(743)은, 세정액 공급 기구(75)에 의해 공급된 린스액(LQ)을 아래쪽을 향해 인도하는 가이드면(743b)을 가짐으로써, 사용된 린스액(LQ)을 더욱 신속하게 배출할 수 있다. In addition, the guide block 743 has a guide surface 743b for guiding the rinse liquid LQ supplied by the cleaning liquid supply mechanism 75 downward, so that the rinse liquid LQ used is more quickly. Can be discharged.

또한, 세정액 공급 기구(75)에 의한 린스액(LQ)의 공급 위치를 조정하는 스페이서(741)를 구비하고 있으므로, 상황에 따라 세정 위치를 변경할 수 있으므로, 예를 들면, 레지스트액(R)이 부착되는 범위가 다른 경우라도 유연하게 대응할 수 있다. Moreover, since the spacer 741 which adjusts the supply position of the rinse liquid LQ by the washing | cleaning liquid supply mechanism 75 is provided, since a washing position can be changed according to a situation, for example, the resist liquid R Even if the attached range is different, it can be flexibly responded.

또한, 공급 위치의 조정이, 소정의 두께를 갖는 스페이서(741)의 탈착에 의해서 실현되어 있으므로, 복잡한 기구를 필요로 하지 않고 용이하게 실현할 수 있다.Moreover, since adjustment of a supply position is implement | achieved by the detachment | attachment of the spacer 741 which has a predetermined thickness, it can implement it easily, without requiring a complicated mechanism.

또한, 세정부(74)를 슬릿 노즐(41)의 길이 방향을 따라 이동시키는 구동 기구(76)를 구비함으로써, 장치 전체를 소형화할 수 있다. Moreover, the whole apparatus can be miniaturized by providing the drive mechanism 76 which moves the washing | cleaning part 74 along the longitudinal direction of the slit nozzle 41. FIG.

또한, 슬릿 노즐(41)의 선단부에 질소 가스를 공급하는 가스 공급 기구(71)를 구비하고, 가스 공급 기구(71)에 의한 질소 가스의 공급 위치는, 세정액 공급 기구(75)에 의한 린스액(LQ)의 공급 위치보다 윗쪽으로 되어 있으므로, 세정액의 건조를 촉진시킬 수 있다. Moreover, the gas supply mechanism 71 which supplies nitrogen gas to the front-end | tip part of the slit nozzle 41 is provided, The supply position of nitrogen gas by the gas supply mechanism 71 is the rinse liquid by the washing | cleaning liquid supply mechanism 75. Since it is higher than the supply position of LQ, drying of a washing | cleaning liquid can be accelerated | stimulated.

또한, 윗쪽 세정 노즐(750b)에 의한 린스액(LQ)의 공급 위치가, 아래쪽 세정 노즐(750a)에 의한 린스액(LQ)의 공급 위치에 대해, 높이 방향이 다르도록 배치되어 있으므로, 줄무늬 형상의 부착물(RL)(도 23)이 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 세정 효과를 향상시킬 수 있다. In addition, since the supply position of the rinse liquid LQ by the upper washing nozzle 750b is arrange | positioned so that a height direction may differ with respect to the supply position of the rinse liquid LQ by the lower washing nozzle 750a, a stripe shape It is possible to prevent the deposit RL (FIG. 23) from remaining on the front end side of the slit nozzle 41. Therefore, the washing effect can be improved.

또한, 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)에서는, 아래쪽 세정 노즐(750a) 및 윗쪽 세정 노즐(750b)이 동시에 린스액(LQ)을 토출하는 구성으로 되어 있다. 그러나, 예를 들면, 아래쪽 세정 노즐(750a)과 윗쪽 세정 노즐(750b)을 별도 계통의 배관에 의해서 세정액 공급 기구(75)와 연통 접속하여, 가는 길(往路) 상의 주사(토출부(742)에 의한 슬릿 노즐(41)의 주사)에서는 아래쪽 세정 노즐(750a)만 토출을 행하고, 오는 길 상의 주사에 있어서는 윗쪽 세정 노즐(750b)만 토출을 행하도록 제어해도 된다. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the lower cleaning nozzle 750a and the upper cleaning nozzle 750b are configured to discharge the rinse liquid LQ at the same time. However, for example, the lower cleaning nozzle 750a and the upper cleaning nozzle 750b are connected in communication with the cleaning liquid supply mechanism 75 by piping of a separate system, so as to scan on a narrow path (discharge part 742). Scanning by the slit nozzle 41), only the lower cleaning nozzle 750a may be discharged, and in the scan on the way, only the upper cleaning nozzle 750b may be discharged.

또한, 세정 노즐(750)로부터 린스액(LQ)을 토출시키면서 주사 동작을 행할 때에, 질소 가스의 분출을 병행하여 행해도 된다. 이 경우, 소위 질소 가스의 커튼이 세정 노즐(750)의 윗쪽에 형성되므로, 린스액(LQ)의 먼지 등이 슬릿 노즐(41)의 윗쪽으로 비산되는 것을 방지할 수 있다. In addition, when performing a scanning operation | movement discharging the rinse liquid LQ from the washing | cleaning nozzle 750, you may perform nitrogen gas blowing in parallel. In this case, since a so-called curtain of nitrogen gas is formed above the cleaning nozzle 750, it is possible to prevent dust or the like of the rinse liquid LQ from scattering above the slit nozzle 41.

<2. 제2 실시의 형태> <2. Second Embodiment>

제1 실시의 형태에서는, 흡인 기구(72)의 흡인구(720)가 토출구(41a)의 아래쪽에 형성되고, 가이드 블록(743)의 아래쪽에서 린스액(LQ)을 흡인하도록 구성했는데, 흡인 기구(72)에 의한 흡인 위치(흡인구가 형성되는 위치)는, 이에 한정되는 것은 아니다. In the first embodiment, the suction port 720 of the suction mechanism 72 is formed below the discharge port 41a and is configured to suck the rinse liquid LQ from the bottom of the guide block 743. The suction position (position at which the suction port is formed) by 72 is not limited to this.

도 11은, 이러한 원리에 따라서 구성한 제2의 실시의 형태에서의 노즐 세정 기구(70)의 구성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 12는 제2 실시 형태에서의 토출부 대향면의 정면도이다. FIG. 11: is a figure which shows the structure of the nozzle cleaning mechanism 70 in 2nd Embodiment comprised according to such a principle. 12 is a front view of the discharge part opposing surface in the second embodiment.

본 실시의 형태에서의 노즐 세정 기구(70)는, 제1 실시의 형태에 있어서의 세정부(74) 대신에, 세정부(74a)를 구비하고 있는 점이, 제1 실시의 형태에 있어서의 노즐 세정 기구(70)와 다르다. 또, 제1 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)와 거의 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 붙여, 적절한 설명을 생략한다. The nozzle cleaning mechanism 70 in the present embodiment has a cleaning unit 74a in place of the cleaning unit 74 in the first embodiment, and the nozzle in the first embodiment. It is different from the cleaning mechanism 70. In addition, about the structure substantially the same as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and an appropriate description is abbreviate | omitted.

토출부(745)는, 세정 위치에 있는 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면과 대향하는 면으로서, 대향면(745a) 및 한 쌍의 대향면(745b)을 갖고 있다. 대향면(745a)은, 제1 실시의 형태에서의 토출부(742)의 대향면(742a)에 상당하는 면으로서, 도 12에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태와 거의 동일하게 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)이 배치되어 있다. The discharge part 745 is a surface which faces the front-end | tip side part of the slit nozzle 41 in a washing position, and has an opposing surface 745a and a pair of opposing surface 745b. The opposing surface 745a is a surface corresponding to the opposing surface 742a of the discharge part 742 in the first embodiment, and as shown in FIG. 12, the gas nozzle ( 710 and cleaning nozzle 750 are disposed.

한 쌍의 대향면(745b)은 대향면(745a)과 대략 평행한 면으로서, 대향면(745a)의 Y축 방향의 양 측에 설치되어 있다. 또한, 각 대향면(745b)은, 세정 위치에서의 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 대해, 대향면(745a)보다도 근접하는 위치가 되도록 형성되고, 각각에 흡인구(721)가 형성된다. 흡인구(721)는, 흡인 배관을 통해 흡인 기구(72)에 연통 접속되어 있다. The pair of opposing surfaces 745b is a surface substantially parallel to the opposing surfaces 745a and is provided on both sides in the Y-axis direction of the opposing surfaces 745a. In addition, each opposing surface 745b is formed so that it may become a position closer to the front end side surface of the slit nozzle 41 in the cleaning position than the opposing surface 745a, and suction ports 721 are formed in each. The suction port 721 is connected to the suction mechanism 72 via a suction pipe.

도 13은, 제2 실시의 형태에서의 노즐 세정 처리에 있어서, 세정 노즐(750)로부터 린스액(LQ)이 토출되는 모습을 도시하는 도면이다. 또한, 도 13에 있어서의 각 부는, XZ 평면에 평행한 면 중, 대향면(745a)과 교차하는 면에서의 단면으로서 표시하고 있다. FIG. 13 is a view showing a state in which the rinse liquid LQ is discharged from the cleaning nozzle 750 in the nozzle cleaning process according to the second embodiment. In addition, each part in FIG. 13 is shown as the cross section in the surface which intersects the opposing surface 745a among the surfaces parallel to an XZ plane.

도 11에서, 도시를 생략했지만, 본 실시의 형태의 베이스(740)에는, 가이드 블록(743)의 아래쪽이 되는 위치에 폐액용의 배출구(740a)가 Y축 방향을 따른 슬릿 형상으로 설치되고, 가이드 블록(743)에 의해서 아래쪽으로 인도된 린스액(LQ)이 배출구(740a)로부터 배출된다. 이에 따라, 흡인 기구(72)에 의한 흡인 배출을 보완할 수 있다. Although not shown in FIG. 11, in the base 740 of the present embodiment, a discharge port 740a for waste liquid is provided in a slit shape along the Y-axis direction at a position below the guide block 743, The rinse liquid LQ guided downward by the guide block 743 is discharged from the discharge port 740a. As a result, the suction discharge by the suction mechanism 72 can be compensated for.

도 14는 제2 실시의 형태에 있어서의 흡인 기구(72)의 작용을 설명하는 도면이다. 또한, 도 14에서의 각 부는, XZ 평면에 평행한 면 중, 흡인구(721)와 교차하는 면에서의 단면으로서 표시한다. FIG. 14: is a figure explaining the operation | movement of the suction mechanism 72 in 2nd Embodiment. In addition, each part in FIG. 14 is shown as a cross section in the surface which intersects the suction opening 721 among the surfaces parallel to an XZ plane.

도 14에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서 는, 흡인구(721)가 세정 위치에 있는 슬릿 노즐(41)의 선단부의 측방에 위치하고 있으므로, 흡인 기구(72)에 의한 흡인은, 슬릿 노즐(41)의 선단부의 측방에서 행해진다. 따라서, 슬릿 노즐(41) 내에 충전되어 있는 레지스트액(R)에 작용하는 흡인 기구(72)의 흡인력은, 슬릿 노즐(41)의 선단부 아래쪽에서 흡인하는 경우에 비해, 약해진다. As shown in FIG. 14, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, since the suction port 721 is located in the side of the front-end | tip part of the slit nozzle 41 in a washing position, the suction mechanism 72 The suction by) is performed on the side of the tip of the slit nozzle 41. Therefore, the suction force of the suction mechanism 72 which acts on the resist liquid R filled in the slit nozzle 41 becomes weak compared with the case where it sucks under the front-end | tip part of the slit nozzle 41. FIG.

이와 같이, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 흡인구(721)를 토출부(745)의 대향면(745b)에 설치하고, 슬릿 노즐(41)의 선단부의 측방으로부터 린스액(LQ)의 흡인을 행함으로써, 토출구(41a)의 근방이 레지스트액(R)의 거의 정류점이 되도록 조정할 수 있다. 따라서, 흡인 기구(72)의 흡인력을 증가시켜도, 레지스트액(R)이 슬릿 노즐(41)의 바깥으로 배출되는 현상의 발생을 억제할 수 있으므로, 노즐 세정 처리의 세정 효과를 향상시킬 수 있다.Thus, the substrate processing apparatus 1 in this embodiment is provided with the suction port 721 in the opposing surface 745b of the discharge part 745, and rinse liquid from the side of the front-end | tip part of the slit nozzle 41. FIG. By sucking (LQ), it is possible to adjust the vicinity of the discharge port 41a so that the rectification point of the resist liquid R is almost. Therefore, even if the suction force of the suction mechanism 72 is increased, the occurrence of the phenomenon in which the resist liquid R is discharged to the outside of the slit nozzle 41 can be suppressed, so that the cleaning effect of the nozzle cleaning process can be improved.

또한, 대향면(745b)은 대향면(745a)에 비해, 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 근접해 있다. 따라서, 도 13과 도 14를 비교하면 명백한 바와 같이, 흡인구(721)는 세정 노즐(750)보다도 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 근접하도록 배치된다. 이와 같이, 흡인구(721)가 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면에 근접함으로써, 해당 선단부 측면에 부착해 있는 린스액(LQ)을 효율적으로 흡인 배출할 수 있다. In addition, the opposing surface 745b is closer to the tip side surface of the slit nozzle 41 than the opposing surface 745a. Therefore, as shown in comparison with FIG. 13 and FIG. 14, the suction port 721 is disposed closer to the front end side of the slit nozzle 41 than the cleaning nozzle 750. Thus, when the suction port 721 is close to the front end side of the slit nozzle 41, the rinse liquid LQ adhering to the front end side can be sucked out efficiently.

또한, 도 14에서는, 도시의 형편상, 가이드 블록(743)의 주위에 린스액(LQ)이 존재하지 않는 것처럼 도시하고 있지만, 실제로는 세정부(74a)의 양 단부에서도 세정에 사용된 린스액(LQ)의 일부가 가이드 블록(743)에 의해서 아래쪽으로 인도되어, 배출구(740a)으로부터 배출된다. In addition, although FIG. 14 shows that the rinse liquid LQ does not exist in the circumference | surroundings of the guide block 743 for the convenience of illustration, in practice, the rinse liquid used for washing also in both ends of the washing part 74a. A part of the LQ is guided downward by the guide block 743 and is discharged from the discharge port 740a.

이상과 같이, 제2 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)에서도, 흡인구(721)를 슬릿 노즐(41)의 선단부의 측방에 형성하고, 이 위치에서 흡인 기구(72)에의한 흡인을 행함으로써, 제1 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 마찬가지로, 토출구(41a)의 근방이 레지스트액(R)의 거의 정류점이 되도록 조정할 수 있으므로, 동일한 효과를 얻을 수 있다. As mentioned above, also in the substrate processing apparatus 1 in 2nd Embodiment, the suction port 721 is formed in the side of the front-end | tip part of the slit nozzle 41, and suction by the suction mechanism 72 is at this position. By performing the above, similarly to the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, since the vicinity of the discharge port 41a can be adjusted to be almost a rectifying point of the resist liquid R, the same effect can be obtained.

또한, 린스액(LQ)을 슬릿 노즐(41)의 선단부 아래쪽에 형성된 배출구(740a)로부터 배출함으로써, 흡인 기구(72)만에 의존하지 않고 린스액(LQ)을 배출할 수 있으므로, 흡인 기구(72)로서 소용량의 기구를 채용할 수 있다. 혹은 린스액(LQ)을 신속하게 배출할 수 있으므로, 노즐 세정 처리의 세정 효과를 향상시킬 수 있다.In addition, since the rinse liquid LQ is discharged from the discharge port 740a formed below the distal end of the slit nozzle 41, the rinse liquid LQ can be discharged without depending on the suction mechanism 72, and thus the suction mechanism L ( 72, a small capacity mechanism can be employed. Or since the rinse liquid LQ can be discharged quickly, the cleaning effect of the nozzle cleaning process can be improved.

또한, 슬릿 노즐(41)의 선단부 아래쪽에 배치되고, 린스액(LQ)을 아래쪽을 향해 인도하는 근접면(743a) 및 가이드면(743b)을 갖는 가이드 블록(743)을 구비함으로써, 린스액(LQ)의 배출구(740a)로부터의 배출을 보다 효과적으로 행할 수 있다. In addition, the rinse liquid (not shown) is provided below the tip end of the slit nozzle 41 and includes a guide block 743 having a proximal surface 743a and a guide surface 743b for guiding the rinse liquid LQ downward. The discharge from the discharge port 740a of the LQ can be performed more effectively.

또한, 도 11에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 스페이서(741)를 사용하지 않는다. 즉, 세정 노즐(750)의 원하는 높이 위치에 따라서는, 스페이서(741)는 반드시 사용되지 않으면 안되는 부재가 아니라, 제거해도 좋다. 본 실시의 형태에서의 세정부(74a)에서는, 스페이서(741)에 의해 토출부(745)의 높이 조정을 행함으로써, 흡인구(721)와 슬릿 노즐(41)의 선단부 측면과의 거리에 대해서도 조정 가능하다. 이 경우는, 해당 거리가 0.1 내지 5㎜ 정 도가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 11, the substrate processing apparatus 1 in this embodiment does not use the spacer 741. As shown in FIG. That is, depending on the desired height position of the cleaning nozzle 750, the spacer 741 may not necessarily be used but may be removed. In the cleaning part 74a in this embodiment, the height of the discharge part 745 is adjusted by the spacer 741, and also the distance between the suction port 721 and the side surface of the front-end | tip part of the slit nozzle 41 is also provided. It is adjustable. In this case, it is preferable to adjust so that the said distance may be about 0.1-5 mm.

본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 동일한 가이드 블록(743)을 이용한다. 그러나, 본 실시의 형태에서는, 배출구(740a)에서의 흡인 배출은 행하지 않으므로, 배출구(740a)에서는, 주로 중력의 작용에 의해서 린스액(LQ)이 배출되게 된다. 이에 따라, 토출구(41a)에 작용하는 (-Z) 방향의 힘(레지스트액(R)을 끌어내는 원인이 되는 힘)은 주로 중력이 된다. 따라서, 가이드 블록(743)은 X축 방향의 두께가 비교적 얇은 판 형상의 부재라도, 토출구(41a)의 근방이 레지스트액(R)의 거의 정류점이 되도록 조정할 수 있다. In the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, the same guide block 743 as the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment is used. However, in this embodiment, since suction is not discharged from the discharge port 740a, the rinse liquid LQ is discharged mainly by the action of gravity at the discharge port 740a. As a result, the force in the (-Z) direction acting on the discharge port 41a (the force causing the drag of the resist liquid R) is mainly gravity. Therefore, even if the guide block 743 is a plate-shaped member whose thickness in the X-axis direction is relatively thin, the guide block 743 can be adjusted so that the vicinity of the discharge port 41a is almost a rectifying point of the resist liquid R. FIG.

<3. 제3 실시의 형태> <3. Third embodiment>

상기 실시의 형태의 노즐 세정 기구(70)는, 세정액을 토출하면서, 슬릿 노즐(41)을 주사하는 기구(세정부(74) 및 구동 기구(76))에 의해서, 노즐 세정 처리를 행하는 것으로 설명했는데, 노즐 세정 처리를 행하는 기구는, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 주변을 Y축 방향에 대해, 균일하게 세정할 수 있는 것이면, 이에 한정되지 않는다. The nozzle cleaning mechanism 70 of the above embodiment is described as performing nozzle cleaning by a mechanism (the washing unit 74 and the drive mechanism 76) that scans the slit nozzle 41 while discharging the cleaning liquid. However, the mechanism for performing the nozzle cleaning process is not limited thereto as long as it can uniformly clean the periphery of the discharge port 41a of the slit nozzle 41 with respect to the Y-axis direction.

도 15는 이러한 원리에 따라서 구성한 제3 실시의 형태에서의 토출부(746)와, 세정 위치에 있는 슬릿 노즐(41)의 배치 관계를 도시하는 도면이다. 도 15에서 명백한 바와 같이, 본 실시의 형태에서의 토출부(746)의 Y축 방향의 사이즈는, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 Y축 방향의 폭과 거의 같게 되어 있다. 또한, 상세한 것은 도시하지 않지만, 이와 마찬가지로, 베이스(740), 스페이서(741) 및 가 이드 블록(743)에 대해서도, Y축 방향의 사이즈가, 토출구(41a)의 Y축 방향의 폭에 따라 결정된다. FIG. 15 is a diagram showing an arrangement relationship between the discharge portion 746 and the slit nozzle 41 in the cleaning position in the third embodiment configured according to this principle. As is apparent from FIG. 15, the size of the discharge portion 746 in the Y-axis direction in this embodiment is substantially equal to the width of the discharge port 41a of the slit nozzle 41 in the Y-axis direction. In addition, although not shown in detail, similarly, about the base 740, the spacer 741, and the guide block 743, the size of the Y-axis direction is determined according to the width | variety of the Y-axis direction of the discharge port 41a. do.

즉, 제3 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 세정부(74b)는, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 Y축 방향의 폭과 거의 같은 사이즈를 가지는 점이, 제1 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 세정부(74)와 다르다. 또한, 세정부(74b) 이외의 구성에 대해서는, 제1 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 거의 동일하므로, 설명을 적절히 생략한다. That is, the cleaning part 74b of the substrate processing apparatus 1 in 3rd Embodiment has the point which is substantially the same size as the width | variety of the Y-axis direction of the discharge port 41a of the slit nozzle 41, 1st Embodiment. It differs from the washing | cleaning part 74 of the substrate processing apparatus 1 in the form of a. In addition, about the structure other than the washing | cleaning part 74b, since it is substantially the same as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted suitably.

도 16은, 제3 실시의 형태에서의 토출부(746)의 대향면(746a)의 정면도이다. 대향면(746a)에는, 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)이 배치된다. 가스 노즐(710)은, 대향면(746a)에서, 세정 노즐(750)의 윗쪽이 되는 높이 위치에 Y축 방향의 전체 폭에 걸쳐 배열되어 있다. 또한, 세정 노즐(750) 중, 윗쪽 세정 노즐(750b)은, 대향면(746a)에서, 아래쪽 세정 노즐(750a)의 윗쪽이 되는 높이 위치에 Y축 방향의 전체 폭에 걸쳐 배열되어 있다. FIG. 16: is a front view of the opposing surface 746a of the discharge part 746 in 3rd Embodiment. The gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 are arrange | positioned at the opposing surface 746a. The gas nozzle 710 is arrange | positioned over the full width of a Y-axis direction at the height position which becomes the upper side of the washing | cleaning nozzle 750 in the opposing surface 746a. In the cleaning nozzle 750, the upper cleaning nozzle 750b is arranged on the opposite surface 746a over the entire width in the Y-axis direction at a height position that becomes the upper side of the lower cleaning nozzle 750a.

이상과 같은 구성을 갖는 본 실시의 형태에서의 노즐 세정 처리에 대해서 간단히 설명한다. 우선, 세정액 공급 기구(75)가 린스액(LQ)의 공급을 개시하고, 세정 위치에 있는 슬릿 노즐(41)의 선단부를 향해, 모든 세정 노즐(750)이 린스액(LQ)을 토출한다. 이 동작과 병행하여, 흡인 기구(72)가 흡인을 개시한다. The nozzle cleaning process in the present embodiment having the above configuration will be briefly described. First, the cleaning liquid supply mechanism 75 starts supply of the rinse liquid LQ, and all the cleaning nozzles 750 discharge the rinse liquid LQ toward the tip end portion of the slit nozzle 41 at the cleaning position. In parallel with this operation, the suction mechanism 72 starts suction.

이에 따라, 슬릿 노즐(41)의 선단부의 세정이 행해진다. 본 실시의 형태에서의 세정 노즐(750)은, 슬릿 노즐(41)의 Y축 방향의 거의 전체 폭에 걸쳐 설치되므로, 해당 선단부의 전체 영역에 대해 거의 동시에 세정 처리가 진행된다. 또한, 상기 실시의 형태에서 설명한 바와 같이, 구동 기구(76)에 의해서 세정부(74b)를 토출구(41a)에 따라 이동시키는 동작(주사 동작)을 행할 필요가 없다. 이는, 질소 가스를 내뿜는 처리(후술)에 있어서도 동일하다. 즉, 제3 실시의 형태에서의 구동 기구(76)는, 슬릿 노즐(41)이 세정 위치로부터 대기 위치로 이동할 때에, 세정부(74b)를 퇴피시키는 기능만 갖고 있다. Thereby, washing | cleaning of the front-end | tip part of the slit nozzle 41 is performed. Since the cleaning nozzle 750 in this embodiment is provided over almost the full width of the slit nozzle 41 in the Y-axis direction, the cleaning process advances substantially simultaneously with respect to the whole area | region of this front-end | tip part. In addition, as described in the above embodiment, it is not necessary to perform the operation (scanning operation) of moving the cleaning part 74b along the discharge port 41a by the drive mechanism 76. This is the same also in the process of blowing out nitrogen gas (described later). That is, the drive mechanism 76 in 3rd Embodiment has only the function which retracts the washing | cleaning part 74b, when the slit nozzle 41 moves from a washing | cleaning position to a standby position.

또한, 노즐 세정 처리에 사용되는 린스액(LQ)은, 제1 실시의 형태와 마찬가지로, 가이드 블록(743)의 근접면(743a) 및 가이드면(743b)에 의해서 아래쪽으로 인도됨과 동시에, 흡인 기구(72)의 흡인력에 의해서, 신속하게 흡인 배출된다. In addition, the rinse liquid LQ used for the nozzle cleaning process is guided downward by the proximal surface 743a and the guide surface 743b of the guide block 743, similarly to the first embodiment, and the suction mechanism By the suction force of 72, the suction is discharged quickly.

본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에 있어서도, 가이드 블록(743)에 의해 토출구(41a)가 덮어진 상태로 되고, 흡인 기구(72)의 흡인력이 직접 토출구(41a)에 작용하지 않도록 되어 있다. 즉, 토출구(41a)의 근방이 레지스트액(R)의 거의 정류점이 되도록 조정되어 있다. Also in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the discharge port 41a is covered by the guide block 743 so that the suction force of the suction mechanism 72 does not directly act on the discharge port 41a. It is. That is, it is adjusted so that the vicinity of the discharge port 41a is almost the rectification point of the resist liquid R. FIG.

세정 노즐(750)이 토출을 개시하고 나서 소정의 시간이 경과하면, 세정액 공급 기구(75)가 린스액(LQ)의 공급을 정지하고, 세정 노즐(750)에 의한 린스액(LQ)의 토출이 정지된다.When a predetermined time elapses after the cleaning nozzle 750 starts to discharge, the cleaning liquid supply mechanism 75 stops the supply of the rinse liquid LQ, and discharges the rinse liquid LQ by the cleaning nozzle 750. Is stopped.

다음에, 가스 공급 기구(71)가 질소 가스의 공급을 개시하고, 슬릿 노즐(41)의 선단부를 향해, 모든 가스 노즐(710)이 질소 가스를 뿜어낸다. 이에 따라, 슬릿 노즐(41)의 선단부에 부착된 린스액(LQ)의 건조가 촉진된다. 또한, 가스 공급 기구(71)에 의한 질소 가스의 공급이 행해지는 동안에도, 흡인 기구(72)에 의한 흡인은 계속되고, 예를 들면, 린스액(LQ)의 성분을 포함한 분위기나, 질소 가스에 의 해 불어날려진 린스액(LQ)의 먼지 등이 신속하게 흡인 배출된다. Next, the gas supply mechanism 71 starts supplying nitrogen gas, and all the gas nozzles 710 blow out nitrogen gas toward the tip of the slit nozzle 41. Thereby, drying of the rinse liquid LQ adhering to the front-end | tip part of the slit nozzle 41 is accelerated | stimulated. In addition, while the supply of nitrogen gas is performed by the gas supply mechanism 71, the suction by the suction mechanism 72 continues, for example, an atmosphere containing a component of the rinse liquid LQ, or nitrogen gas. The dust of the rinse liquid (LQ) blown by the air is quickly sucked out.

가스 노즐(710)이 분출을 개시하고 나서 소정의 시간이 경과하면, 가스 공급 기구(71)가 질소 가스의 공급을 정지하고, 가스 노즐(710)에 의한 질소 가스의 분출이 정지한다. 이에 따라, 본 실시의 형태에서의 노즐 세정 처리가 종료한다. When a predetermined time elapses after the gas nozzle 710 starts to eject, the gas supply mechanism 71 stops supply of nitrogen gas, and the ejection of nitrogen gas by the gas nozzle 710 stops. Thereby, the nozzle cleaning process in this embodiment is complete | finished.

이와 같이, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 슬릿 노즐(41)의 Y축 방향에 대해서, 동시에 노즐 세정 처리의 각 공정이 행해진다. 따라서, 노즐 세정 처리에서의 Y축 방향의 균일성을 향상시킬 수 있어, 세정후의 슬릿 노즐(41)의 상태를 Y축 방향으로 균일화시킬 수 있다. Thus, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, each process of nozzle cleaning process is performed simultaneously with respect to the Y-axis direction of the slit nozzle 41. FIG. Therefore, the uniformity of the Y-axis direction in nozzle cleaning process can be improved, and the state of the slit nozzle 41 after cleaning can be made uniform in the Y-axis direction.

이상과 같이, 제3 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에 있어서도, 제1 실시의 형태와 마찬가지로, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)가 레지스트액(R)의 거의 정류점이 되도록, 흡인 기구(72)의 흡인력을 조정할 수 있어, 상기 실시의 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. As described above, also in the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment, similarly to the first embodiment, the discharge port 41a of the slit nozzle 41 is set to almost the rectifying point of the resist liquid R, The suction force of the suction mechanism 72 can be adjusted, and the same effect as the above embodiment can be obtained.

또한, 세정부(74b)(토출부(746))가, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 Y축 방향의 폭과 거의 동일한 사이즈를 가지고 있고, 토출부(746)에 있어서, 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)이, 토출구(41a)의 전체 폭에 걸쳐 배치되어 있으므로, 슬릿 노즐(41)의 전체 폭에 걸쳐 동시에 린스액(LQ)을 토출할 수 있다. 따라서, 노즐 세정 처리에 요하는 시간을 단축시킬 수 있다.Moreover, the washing | cleaning part 74b (discharge part 746) has the size substantially the same as the width | variety of the Y-axis direction of the discharge port 41a of the slit nozzle 41, and in the discharge part 746, the gas nozzle Since the 710 and the cleaning nozzle 750 are disposed over the entire width of the discharge port 41a, the rinse liquid LQ can be discharged simultaneously over the entire width of the slit nozzle 41. Therefore, the time required for the nozzle cleaning process can be shortened.

<4. 변형예> <4. Variation>

이상, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 설명했는데, 본 발명은 상기 실시의 형태에 한정되지 않고 다양한 변형이 가능하다. As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

예를 들면, 제2 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)와 같이, 슬릿 노즐(41)의 토출구(41a)의 측방으로부터 린스액(LQ)을 흡인하는 구조를 채용하면서, 제3 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 같이, 토출구(41a)의 Y축 방향의 거의 전체 폭을 동시에 세정하는 구조를 채용할 수도 있다. 이 경우에는, 토출부(746)의 대향면(746a)에서, 아래쪽 세정 노즐(750a)의 더 아래쪽 위치에, 흡인 기구(72)에 연통 접속하는 흡인구를 형성하도록 해도 된다. 또한, 이 경우에는, 해당 흡인구를 Y축 방향에 따라 뻗는 슬릿 형상으로 하는 것이 바람직하다. For example, like the substrate processing apparatus 1 in 2nd Embodiment, 3rd embodiment is carried out, employ | adopting the structure which sucks the rinse liquid LQ from the side of the discharge port 41a of the slit nozzle 41. FIG. Like the substrate processing apparatus 1 in the form of, the structure for simultaneously washing almost the entire width of the discharge port 41a in the Y-axis direction may be adopted. In this case, on the opposite surface 746a of the discharge part 746, a suction port communicating with the suction mechanism 72 may be formed at a lower position of the lower cleaning nozzle 750a. In this case, it is preferable to make the suction port into a slit shape extending along the Y-axis direction.

또한, 제1 실시의 형태에서의 토출부(742)에서는, 대향면(742a)의 Y축 방향의 양측에 아래쪽 세정 노즐(750a)가 설치되고, 대향면(742a)의 Y축 방향의 중앙부에 윗쪽 세정 노즐(750b)이 설치되었는데, 세정 노즐(750)의 배치는 이러한 배치에 한정되지 않는다. 도 17은, 변형예에서의 토출부(742)의 대향면(742a)의 정면도이다. 이와 같이, 대향면(742a)의 Y축 방향의 양측에 윗쪽 세정 노즐(750b)이 설치되고, 대향면(742a)의 Y축 방향의 중앙부에 아래쪽 세정 노즐(750a)이 설치되어도 좋다. In addition, in the discharge part 742 of 1st Embodiment, lower washing nozzle 750a is provided in the both sides of the opposing surface 742a in the Y-axis direction, and the center part of the opposing surface 742a in the Y-axis direction is provided. The upper cleaning nozzle 750b is provided, but the arrangement of the cleaning nozzle 750 is not limited to this arrangement. FIG. 17: is a front view of the opposing surface 742a of the discharge part 742 in a modification. Thus, upper cleaning nozzle 750b may be provided in the both sides of the opposing surface 742a in the Y-axis direction, and lower cleaning nozzle 750a may be provided in the center part of the Y-axis direction of the opposing surface 742a.

또한, 아래쪽 세정 노즐(750a)의 Y축 방향의 위치와, 윗쪽 세정 노즐(750b)의 Y축 방향의 위치가 일치해도 된다. 즉, 토출부(742, 745, 746)에 있어서, 아래쪽 세정 노즐(750a)의 바로 위에 윗쪽 세정 노즐(750b)이 배치되어도 좋다. In addition, the position of the Y-axis direction of the lower side washing nozzle 750a, and the position of the Y-axis direction of the upper side washing nozzle 750b may correspond. That is, in the discharge part 742, 745, 746, the upper cleaning nozzle 750b may be arrange | positioned just above the lower cleaning nozzle 750a.

또한, 가스 노즐(710) 및 세정 노즐(750)의 개구부 형상은 원형에 한정되지 않고, Y축 방향으로 뻗는 슬릿 형상을 가져도 좋다. The shape of the openings of the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 is not limited to the circular shape, but may have a slit shape extending in the Y-axis direction.

청구항 1 내지 12 및 14에 기재의 발명에서는, 토출구 근방이 소정 처리액의 거의 정류점이 되도록 흡인 수단의 흡인력을 조정함으로써, 흡인에 의해서 세정액과 오염물을 신속하게 배출하면서, 토출구로부터 토출 노즐 내의 처리액이 내보내지는 것을 억제할 수 있다. In the inventions described in claims 1 to 12 and 14, by adjusting the suction force of the suction means such that the vicinity of the discharge port is almost a rectifying point of the predetermined processing liquid, the processing liquid in the discharge nozzle from the discharge port is quickly discharged while sucking the cleaning liquid and contaminants. This can be suppressed.

청구항 2에 기재의 발명에서는, 토출 노즐의 토출구의 짧은쪽 방향 폭 이상의 두께를 가지고, 토출 노즐의 토출구의 아래쪽 근방에 배치되는 차폐 부재를 더 구비하고, 흡인 수단의 흡인구가, 차단 부재의 아래쪽에서 흡인을 행함으로써, 토출 노즐의 토출구 근방에서의 흡인 수단의 흡인력을 조정하여, 청구항 1에 기재의 발명을 용이하게 실현할 수 있다. In the invention described in claim 2, a shielding member having a thickness greater than or equal to the width in the shorter direction of the discharge port of the discharge nozzle and disposed near the lower side of the discharge port of the discharge nozzle, wherein the suction port of the suction means is located below the blocking member. By performing the suction at, the suction force of the suction means in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle can be adjusted, and the invention described in claim 1 can be easily realized.

청구항 3에 기재의 발명에서는, 세정액 공급 수단에 의해 공급된 소정의 세정액을 아래쪽으로 향해 인도하는 가이드면을 가짐으로써, 세정액을 더욱 신속하게 배출할 수 있다.In the invention described in claim 3, the cleaning liquid can be discharged more quickly by having a guide surface leading the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supplying means downward.

청구항 4에 기재의 발명에서는, 토출 노즐의 선단부 측방으로부터 흡인을 행함으로써, 토출 노즐의 토출구 근방에서의 흡인 수단의 흡인력을 조정함으로써, 청구항 1에 기재의 발명을 용이하게 실현할 수 있다. In the invention described in claim 4, the invention described in claim 1 can be easily realized by adjusting the suction force of the suction means in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle by sucking from the tip end side of the discharge nozzle.

청구항 6에 기재의 발명에서는, 세정액 공급 수단에 의해서 공급된 소정의 세정액을, 토출 노즐의 선단부 아래쪽에 형성된 배출구로부터 배출함으로써, 흡인 수단만에 의존하지 않고 세정액을 배출할 수 있으므로, 흡인 수단으로서 작은 용량의 기구를 채용할 수 있다. In the invention described in claim 6, since the cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means is discharged from the discharge port formed below the distal end of the discharge nozzle, the cleaning liquid can be discharged without depending on the suction means. A mechanism of capacity can be adopted.

청구항 7에 기재의 발명에서는, 토출 노즐의 선단부 아래쪽에 배치되고, 세 정액 공급 수단에 의해 공급된 상기 소정의 세정액을 아래쪽을 향해 인도하는 가이드면을 가짐으로써, 세정액의 배출구로부터의 배출을 보다 효과적으로 행할 수 있다. In the invention as set forth in claim 7, the discharge liquid is discharged from the discharge port more effectively by having a guide surface disposed below the distal end of the discharge nozzle and guiding the predetermined cleaning liquid supplied by the three semen supply means downward. I can do it.

청구항 8에 기재의 발명에서는, 세정액 공급 수단에 의한 소정의 세정액의 공급 위치를 조정하는 조정 수단을 더 구비함으로써, 처리액의 부착 상황에 따라, 세정하는 위치를 유연하게 조정할 수 있다. In the invention described in claim 8, further comprising adjusting means for adjusting the supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means, it is possible to flexibly adjust the position to be cleaned according to the attachment state of the processing liquid.

청구항 9에 기재의 발명에서, 조정 수단은, 소정의 두께를 갖는 스페이서이므로, 청구항 8에 기재의 발명을 용이하게 실현할 수 있다. In the invention described in claim 9, since the adjusting means is a spacer having a predetermined thickness, the invention according to claim 8 can be easily realized.

청구항 10에 기재의 발명에서, 토출 노즐의 토출구는 소정의 방향으로 뻗는 슬릿이고, 세정액 공급 수단을 소정의 방향에 따라 이동시키는 주사 기구를 구비함으로써, 장치 전체를 소형화할 수 있다. In the invention described in claim 10, the discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction, and the whole apparatus can be miniaturized by providing a scanning mechanism for moving the cleaning liquid supplying means in the predetermined direction.

청구항 11에 기재의 발명에서, 세정액 공급 수단은, 토출 노즐의 선단부에서의 소정 방향의 전체 폭에 걸쳐 거의 동시에 소정의 세정액을 공급함으로써, 노즐 세정에 요하는 시간을 단축할 수 있다. In the invention described in claim 11, the cleaning liquid supplying means can shorten the time required for nozzle cleaning by supplying the predetermined cleaning liquid almost simultaneously over the entire width of the predetermined direction at the distal end of the discharge nozzle.

청구항 12에 기재의 발명에서는, 토출 노즐의 선단부에 소정의 기체를 공급하는 기체 공급 수단을 구비하고, 기체 공급 수단에 의한 소정 기체의 공급 위치는, 세정액 공급 수단에 의한 소정 세정액의 공급 위치보다 윗쪽으로 되어 있으므로, 세정액의 건조를 촉진시킬 수 있다. In the invention described in claim 12, a gas supply means for supplying a predetermined gas to the distal end of the discharge nozzle is provided, and the supply position of the predetermined gas by the gas supply means is higher than the supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means. Since it is, the drying of the washing liquid can be accelerated.

청구항 13 및 15에 기재의 발명에서는, 복수의 세정 노즐 중 적어도 1개의 세정 노즐에 의한 소정의 세정액의 공급 위치가, 다른 세정 노즐에 의한 소정 세정 액의 공급 위치에 대해, 높이 방향으로 다르게 배치되어 있으므로, 토출 노즐에 줄무늬 형상의 부착물이 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 세정 효과를 향상시킬 수 있다. In the invention described in claims 13 and 15, the supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one cleaning nozzle among the plurality of cleaning nozzles is differently arranged in the height direction with respect to the supply position of the predetermined cleaning liquid by the other cleaning nozzle. Therefore, it is possible to prevent the stripe-shaped deposit from remaining on the discharge nozzle. Therefore, the washing effect can be improved.

Claims

In the nozzle cleaning apparatus for cleaning a discharge nozzle for discharging a predetermined processing liquid from the discharge port formed in the tip portion,

Cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid from a discharge port toward the vicinity of a distal end of the discharge nozzle;

Suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means from a suction port; And

And a shielding member having a thickness greater than or equal to a width in a shorter direction of the discharge port of the discharge nozzle and disposed near the lower side of the discharge port of the discharge nozzle,

The suction port of the suction means sucks from the lower side of the shielding member,

And a suction force of the suction means is adjusted so that the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle is almost a rectifying point of the predetermined processing liquid.

The method according to claim 1,

The said shield member has the guide surface which guides the said predetermined | prescribed washing | cleaning liquid supplied by the said washing | cleaning liquid supply means downward, The nozzle cleaning apparatus characterized by the above-mentioned.

Cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid from a discharge port toward the vicinity of a distal end of the discharge nozzle; and

Suction means for sucking the predetermined washing liquid supplied by the washing liquid supply means from a suction port,

The suction means sucks from the distal end side of the discharge nozzle,

The method according to claim 3,

The suction port of the suction means,

A nozzle cleaning apparatus, characterized in that disposed closer to the discharge nozzle than the discharge port of the cleaning liquid supply means.

The method according to claim 3,

And the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supplying means is discharged from a discharge port formed below the distal end of the discharge nozzle.

The method according to claim 5,

And a guide member disposed below the distal end of the discharge nozzle and having a guide surface for guiding the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supplying device downward.

The method according to claim 1 or 2,

And an adjusting means for adjusting a supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supplying means.

The method according to claim 7,

The adjusting means is a nozzle cleaning apparatus, characterized in that the spacer having a predetermined thickness.

The method according to claim 1 or 3,

The discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction,

And a scanning mechanism for moving the cleaning liquid supplying means along the predetermined direction.

The method according to claim 1 or 3,

And the cleaning liquid supplying means supplies the predetermined cleaning liquid at substantially the same time over the entire width of the predetermined direction at the distal end of the discharge nozzle.

The method according to claim 1 or 3,

Further comprising gas supply means for supplying a predetermined gas to the distal end of the discharge nozzle,

The supply position of the predetermined gas by the gas supply means is above the supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means.

Washing liquid supplying means for supplying a predetermined washing liquid toward the distal end of the discharge nozzle;

Suction means for sucking the predetermined washing liquid supplied by the washing liquid supplying means,

The cleaning liquid supply means,

A plurality of cleaning nozzles for discharging the predetermined cleaning liquid toward the distal end of the discharge nozzle,

A nozzle cleaning apparatus, wherein a supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one cleaning nozzle among the plurality of cleaning nozzles is differently disposed in a height direction with respect to a supply position of the predetermined cleaning liquid by another cleaning nozzle.

In the substrate processing apparatus which apply | coats a predetermined process liquid to a board | substrate,

Support means for supporting a substrate,

A discharge nozzle which discharges a predetermined processing liquid from a discharge port formed at a distal end portion on a surface of the substrate supported by the support means;

A nozzle cleaning device for cleaning the discharge nozzle,

The nozzle cleaning device,

A shielding member having a thickness greater than or equal to a width in a shorter direction of a discharge port of the discharge nozzle and disposed in a lower side vicinity of the discharge nozzle discharge port,

Support means for supporting a substrate,

A nozzle cleaning device for cleaning the discharge nozzle,

The nozzle cleaning device,

A suction means for sucking the predetermined washing liquid supplied by the washing liquid supply means from a suction port,

The suction means sucks from the distal end side of the discharge nozzle,

Support means for supporting a substrate,

A nozzle cleaning device for cleaning the discharge nozzle,

The nozzle cleaning device,

The cleaning liquid supply means,

The substrate processing apparatus characterized in that the supply position of the said predetermined | prescribed washing | cleaning liquid by the at least 1 washing | cleaning nozzle of the said some cleaning nozzle is arrange | positioned differently in the height direction from the supply position of the said predetermined | prescribed washing | cleaning liquid by another washing nozzle. .