KR100640633B1

KR100640633B1 - Semiconductor test apparatus and test method thereof capable of testing AC current characteristics of analog semiconductor device

Info

Publication number: KR100640633B1
Application number: KR1020050010224A
Authority: KR
Inventors: 장진모; 김영부; 유두식; 안병욱
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-02-03
Filing date: 2005-02-03
Publication date: 2006-10-31
Anticipated expiration: 2025-02-03
Also published as: KR20060089947A

Abstract

아날로그 반도체 장치의 AC 전류 특성을 테스트할 수 있는 반도체 테스트 장치 및 그 테스트 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 테스트 장치는 아날로그 반도체 장치로부터 출력되는 AC 출력 전류를 입력하고 기준 DC 전류와 디지털 데이터를 발생하며 상기 AC 출력 전류의 크기에 응답하여 상기 디지털 데이터를 변경하여 출력하는 ATE, 및 상기 ATE와 상기 아날로그 반도체 장치에 연결되며 상기 디지털 데이터에 응답하여 상기 기준 DC 전류를 아날로그 전류로 변환하여 상기 아날로그 반도체 장치에 인가하는 디지털 아날로그 전류 변환기를 구비함으로써, 상기 아날로그 반도체 장치에 일정한 크기의 AC 전류를 공급하여 상기 아날로그 반도체 장치의 AC 전류 특성을 테스트할 수 있다. A semiconductor test apparatus capable of testing AC current characteristics of an analog semiconductor device and a test method thereof. The semiconductor test apparatus of the present invention inputs an AC output current output from an analog semiconductor device, generates a reference DC current and digital data, and changes and outputs the digital data in response to the magnitude of the AC output current, and the ATE. And a digital analog current converter connected to the analog semiconductor device and converting the reference DC current into an analog current in response to the digital data and applying the same to the analog semiconductor device. Can be supplied to test the AC current characteristics of the analog semiconductor device.

Description

Semiconductor test apparatus and method for testing the AC current characteristic of the analog semiconductor device {Apparatus and method for testing AC current characteristic of analog semiconductor device}

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to better understand the drawings cited in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 아날로그 반도체 장치를 테스트하는 종래의 반도체 테스트 장치의 블록도 및 이에 연결된 아날로그 반도체 장치를 보여준다. 1 shows a block diagram of a conventional semiconductor test device for testing an analog semiconductor device and an analog semiconductor device connected thereto.

도 2는 아날로그 반도체 장치를 테스트하는 본 발명의 반도체 테스트 장치의 블록도 및 이에 연결된 아날로그 반도체 장치를 보여준다. 2 shows a block diagram of a semiconductor test device of the present invention for testing an analog semiconductor device and an analog semiconductor device connected thereto.

도 3은 도 2에 도시된 ATE(Auto Test Equipment)의 내부 구성도이다. FIG. 3 is a diagram illustrating an internal configuration of an ATE (Auto Test Equipment) shown in FIG. 2.

도 4는 도 2에 도시된 반도체 테스트 장치로부터 발생되는 AC 입력 전류의 파형을 보여준다. FIG. 4 shows waveforms of AC input current generated from the semiconductor test apparatus shown in FIG. 2.

도 5는 도 2에 도시된 디지털 데이터의 전압 레벨에 따른 AC 입력 전류의 크기 변화를 도시한 그래프이다. FIG. 5 is a graph illustrating a change in magnitude of the AC input current according to the voltage level of the digital data shown in FIG. 2.

도 6은 본 발명에 따른 반도체 장치의 테스트 방법을 도시한 흐름도이다. 6 is a flowchart illustrating a test method of a semiconductor device according to the present invention.

본 발명은 아날로그 반도체 장치를 테스트하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 전압원(voltage source)만 가지고 있으면서도, AC(Alternative Curent; 이하, AC로 약칭) 전류를 발생하여 아날로그 반도체 장치의 AC 전류 특성을 테스트할 수 있는 반도체 테스트 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device and a method for testing an analog semiconductor device, and in particular, to generate an AC (Alternative Curent) current while having only a voltage source to test the AC current characteristics of the analog semiconductor device. It is related with the semiconductor test apparatus which can be performed.

반도체 장치를 테스트하는 테스터, 즉, ATE(Auto Test Equipment; 이하, ATEf 약칭함)는 AC 전압원(volatege source)을 가지고 있다. AC 전압원은 AC 전압만을 제공하며, AC 전류를 제공하지 못한다. 즉, AC 전압원은 AC 전류원(current source)의 역할은 수행하지 못한다. 하지만, 일부 반도체 장치들 특히 아날로그반도체 장치들은 AC 전류 특성에 대한 테스트를 필요로 하고 있으며, 이와 같은 반도체 장치의 AC 전류 특성을 테스트하기 위해서는 상기 반도체 장치로 AC 전류를 제공할 수 있어야 한다. A tester for testing a semiconductor device, that is, ATE (hereinafter referred to as ATEf) has an AC voltage source. AC voltage sources provide only AC voltage, not AC current. That is, the AC voltage source does not act as an AC current source. However, some semiconductor devices, especially analog semiconductor devices, require a test for an AC current characteristic, and in order to test an AC current characteristic of such a semiconductor device, it must be possible to provide AC current to the semiconductor device.

따라서, 이러한 아날로그 반도체 장치의 전기적 특성을 완전하게 테스트하기 위해서는 ATE는 AC 전압원만을 가지고서도 반드시 AC 전류를 공급할 수 있어야 한다. 이 때, AC 전압원은 2개 이상이 사용될 수 없다. 왜냐하면, 2개의 전압원들을 구비할 경우, 이들 사이에 동기가 맞지 않는 경우가 발생하며, 그렇게 되면 위상 에러(phase error) 문제가 발생하여 정확한 테스트를 수행할 수 없기 때문이다. Therefore, to fully test the electrical characteristics of these analog semiconductor devices, the ATE must be able to supply AC current with only an AC voltage source. At this time, two or more AC voltage sources cannot be used. This is because, when two voltage sources are provided, there is a case in which the synchronization between them occurs, and a phase error problem occurs, and an accurate test cannot be performed.

도 1은 아날로그 반도체 장치를 테스트하는 종래의 반도체 테스트 장치의 블록도 및 이에 연결된 아날로그 반도체 장치를 보여준다. 도 1을 참조하면, 종래의 반도체 테스트 장치(101)는 ATE(111)와 저항(R1)을 구비하며, ATE(111)는 AC 전압 원(115)을 구비한다. 1 shows a block diagram of a conventional semiconductor test device for testing an analog semiconductor device and an analog semiconductor device connected thereto. Referring to FIG. 1, a conventional semiconductor test apparatus 101 includes an ATE 111 and a resistor R1, and the ATE 111 includes an AC voltage source 115.

AC 전압원(115)에서 출력되는 AC 전압(Vpp)은 저항(R1)에 인가되며, 저항(R1)으로부터 AC 전류(Ia)가 발생되어 아날로그 반도체 장치(131)로 공급된다. 즉, 아래 수학식 1에 의하여 저항(R1)으로부터 출력되는 AC 전류(Ia)의 크기를 계산할 수 있다. The AC voltage Vpp output from the AC voltage source 115 is applied to the resistor R1, and AC current Ia is generated from the resistor R1 and supplied to the analog semiconductor device 131. That is, the magnitude of the AC current Ia output from the resistor R1 may be calculated by Equation 1 below.

Va = Ia × R1Va = Ia × R1

이와 같이, 종래의 반도체 테스트 장치(101)로부터 AC 전류(Ia)를 발생하는 방법은 저항(R1)을 이용하여 AC 전압(Vpp)을 AC 전류(Ia)로 변환하는 것이다. 단, 여기서 아날로그 반도체 장치(131)의 입력 핀(pin)(135)의 전압은 고정된 값이거나 AC 전압(Vpp)의 변화에 따라 일정한 값으로 유지가 되어야한다는 전제가 필요하다. 결과적으로, 아날로그 반도체 장치(131)의 입력핀(135)의 전압이 일정(linear)해야만 전압(Vpp)에 대한 전류(Ia)의 값이 정하여질 수 있다.As described above, the method of generating the AC current Ia from the conventional semiconductor test apparatus 101 is to convert the AC voltage Vpp into the AC current Ia using the resistor R1. However, it is necessary here that the voltage of the input pin 135 of the analog semiconductor device 131 is fixed or maintained at a constant value according to the change of the AC voltage Vpp. As a result, the value of the current Ia with respect to the voltage Vpp may be determined only when the voltage of the input pin 135 of the analog semiconductor device 131 is linear.

그러나 많은 경우에 있어서 아날로그 반도체 장치(131)의 입력핀(135)의 전압이 일정하지가 않다. 이와 같이, 입력되는 전류에 따라서 아날로그 반도체 장치(131)의 입력핀(135)의 전압이 변한다든가, 또는 일정한 비율로 변하지 않는 특성을 보인다면 도 1에 도시된 방법은 적용될 수 없다.However, in many cases, the voltage of the input pin 135 of the analog semiconductor device 131 is not constant. As such, if the voltage of the input pin 135 of the analog semiconductor device 131 changes in accordance with the input current or exhibits a characteristic that does not change at a constant rate, the method illustrated in FIG. 1 may not be applied.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 외부 조건에 관계없이 아날로그 반도체 장치에 일정한 크기의 AC 전류를 공급하여 AC 전류 특성을 테스트할 수 있는 반 도체 테스트 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor test apparatus that can test the AC current characteristics by supplying a certain amount of AC current to the analog semiconductor device regardless of external conditions.

본 발명이 이루고자하는 다른 기술적 과제는 외부 조건에 관계없이 아날로그 반도체 장치에 일정한 크기의 AC 전류를 공급하여 아날로그 반도체 장치의AC 전류 특성을 테스트하는 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for testing AC current characteristics of an analog semiconductor device by supplying a constant magnitude of AC current to the analog semiconductor device regardless of external conditions.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above technical problem,

아날로그 반도체 장치의 AC 전류 특성을 테스트할 수 있는 반도체 테스트 장치에 있어서, 상기 아날로그 반도체 장치로부터 출력되는 AC 출력 전류를 입력하고, 기준 DC 전류와 디지털 데이터를 발생하며, 상기 AC 출력 전류의 크기에 응답하여 상기 디지털 데이터를 변경하여 출력하는 ATE; 및 상기 ATE와 상기 아날로그 반도체 장치에 연결되며, 상기 디지털 데이터에 응답하여 상기 기준 DC 전류를 아날로그 전류로 변환하여 상기 아날로그 반도체 장치에 인가하는 디지털 아날로그 전류 변환기를 구비하는 반도체 테스트 장치를 제공한다.A semiconductor test apparatus capable of testing AC current characteristics of an analog semiconductor device, comprising: inputting an AC output current output from the analog semiconductor device, generating a reference DC current and digital data, and responding to a magnitude of the AC output current ATE for changing and outputting the digital data; And a digital analog current converter connected to the ATE and the analog semiconductor device and converting the reference DC current into an analog current in response to the digital data and applying the analog current to the analog semiconductor device.

바람직하기는, 상기 ATE는 기준 DC 전류를 발생하는 기준 DC 전류 발생부; 상가 아날로그 반도체 장치에 연결되며, 상기 AC 출력 전류를 DC 전류로 변환하는 아날로그 디지털 변환부; 상기 아날로그 디지털 변환부와 상기 기준 DC 전류 발생부에 연결되며, 상기 DC 전류를 상기 기준 DC 전류와 비교하여 그 차를 출력하는 비교부; 및 싱기 비교부에 연결되며, 상기 비교부의 출력신호에 응답하여 상기 디지털 데이터의 크기를 조정하여 출력하는 디지털 데이터 발생부를 구비한다.Preferably, the ATE is a reference DC current generating unit for generating a reference DC current; An analog-digital converter connected to an analog analog semiconductor device and converting the AC output current into a DC current; A comparator coupled to the analog-digital converter and the reference DC current generator, for comparing the DC current with the reference DC current and outputting a difference; And a digital data generation unit connected to a signal comparator and adjusting and outputting the size of the digital data in response to an output signal of the comparator.

바람직하기는 또한, 상기 디지털 아날로그 전류 변환기는 상기 ATE로부터 발 생되는 클럭 신호에 동기되어 동작하며, 상기 디지털 아날로그 전류 변환기는 상기 ATE와 상기 아날로그 반도체 장치를 인터페이스시키는 테스트 보드에 구비된다.Preferably, the digital analog current converter operates in synchronization with a clock signal generated from the ATE, and the digital analog current converter is provided on a test board for interfacing the ATE with the analog semiconductor device.

상기 다른 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above other technical problem,

ATE가 아날로그 반도체 장치에 AC 전류를 인가하여 상기 아날로그 반도체 장치의 AC 전류 특성을 테스트하는 방법에 있어서, (a) 기준 DC 전류를 설정하는 단계; (b) 상기 기준 DC 전류를 AC 전류로 변환하여 상기 아날로그 반도체 장치에 인가하는 단계; (c) 상기 아날로그 반도체 장치로부터 출력되는 AC 출력 전류를 입력하는 단계; (d) 상기 AC 출력 전류를 DC 전류로 변환하는 단계; (e) 상기 DC 전류를 상기 기준 DC 전류와 비교하는 단계; (f) 상기 비교 결과에 따라 크기가 조정된 디지털 데이터를 발생하는 단계; 및 (g) 상기 디지털 데이터에 응답하여 상기 기준 DC 전류를 AC 입력 전류로 변환하여 상기 아날로그 반도체 장치에 인가하는 단계를 포함하는 아날로그 반도체 장치의 AC 전류 특성 테스트 방법을 제공한다. A method for testing AC current characteristics of an analog semiconductor device by applying an AC current to an analog semiconductor device, the method comprising: (a) setting a reference DC current; (b) converting the reference DC current into an AC current and applying the same to the analog semiconductor device; (c) inputting an AC output current output from the analog semiconductor device; (d) converting the AC output current to a DC current; (e) comparing the DC current with the reference DC current; (f) generating digital data scaled according to the comparison result; And (g) converting the reference DC current into an AC input current and applying the same to the analog semiconductor device in response to the digital data.

바람직하기는, 상기 (g) 단계는 상기 ATE가 상기 아날로그 반도체 장치의 특정 핀으로 흐르는 AC 전류의 크기를 측정하는 단계를 더 포함한다. Preferably, step (g) further comprises the step of measuring the magnitude of the AC current through which the ATE flows to a specific pin of the analog semiconductor device.

바람직하기는 또한, 상기 (c) 내지 (g) 단계를 반복하면서 상기 아날로그 반도체 장치에 인가되는 AC 입력 전류의 크기를 일정하게 유지시킨다.Preferably, the steps of (c) to (g) are repeated to keep the magnitude of the AC input current applied to the analog semiconductor device constant.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 2는 아날로그 반도체 장치를 테스트하는 본 발명의 반도체 테스트 장치의 블록도 및 이에 연결된 아날로그 반도체 장치를 보여준다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 반도체 테스트 장치(201)는 ATE(211)와 디지털 아날로그 전류 변환기(221)를 구비한다.2 shows a block diagram of a semiconductor test device of the present invention for testing an analog semiconductor device and an analog semiconductor device connected thereto. Referring to FIG. 2, the semiconductor test apparatus 201 of the present invention includes an ATE 211 and a digital analog current converter 221.

ATE(211)는 아날로그 반도체 장치(231)와 디지털 아날로그 전류 변환기(221)에 연결된다. ATE(211)는 아날로그 반도체 장치(231)로부터 출력되는 AC 출력 전류(Iout)를 입력하고, 기준 DC(Direct Current; 이하, DC로 약칭) 전류(Iref)와 디지털 데이터(Dk) 및 클럭 신호(CLK)를 발생하여 디지털 아날로그 전류 변환기(221)로 전달한다. 여기서, 기준 DC 전류(Iref)의 크기와 클럭 신호(CLK)의 주파수는 작업자 또는 설계자에 의해 설정되어 ATE(211)에 저장된다. 또한, ATE(211)는 AC 출력 전류(Iout)의 크기에 응답하여 디지털 데이터(Dk)의 내용을 변경하여 출력한다. 즉, AC 출력 전류(Iout)의 크기에 따라 디지털 데이터(Dk)의 내용은 달라진다. ATE(211)의 내부 구성에 대해서는 도 3을 통해서 상세히 설명하기로 한다. The ATE 211 is connected to the analog semiconductor device 231 and the digital analog current converter 221. The ATE 211 inputs an AC output current Iout output from the analog semiconductor device 231, and outputs a reference DC (direct current), hereinafter abbreviated as DC current Iref, digital data Dk, and a clock signal ( CLK) is generated and transferred to the digital analog current converter 221. Here, the magnitude of the reference DC current Iref and the frequency of the clock signal CLK are set by an operator or a designer and stored in the ATE 211. In addition, the ATE 211 changes and outputs the contents of the digital data Dk in response to the magnitude of the AC output current Iout. That is, the content of the digital data Dk varies depending on the magnitude of the AC output current Iout. An internal configuration of the ATE 211 will be described in detail with reference to FIG. 3.

디지털 아날로그 전류 변환기(221)는 ATE(211)와 아날로그 반도체 장치(231)에 연결된다. 디지털 아날로그 전류 변환기(221)는 ATE(211)로부터 출력되는 디지털 데이터(Dk)와 기준 DC 전류(Iref) 및 클럭 신호(CLK)를 입력하고, 디지털 데이터(Dk)에 응답하여 상기 기준 DC 전류(Iref)를 변환하여 AC 입력 전류(Iin)로서 출력하며, AC 입력 전류(Iin)는 일정한 크기로 유지된다. 이 때, 디지털 아날로그 전류 변환기(221)는 클럭 신호(CLK)에 동기되어 동작한다. The digital analog current converter 221 is connected to the ATE 211 and the analog semiconductor device 231. The digital analog current converter 221 inputs the digital data Dk, the reference DC current Iref, and the clock signal CLK output from the ATE 211, and responds to the reference DC current (Dk) in response to the digital data Dk. Iref is converted and output as an AC input current Iin, and the AC input current Iin is maintained at a constant magnitude. At this time, the digital analog current converter 221 operates in synchronization with the clock signal CLK.

디지털 아날로그 전류 변환기(221)는 ATE(211)와 아날로그 반도체 장치(231)를 인터페이스시키는 테스트 보드(미도시)에 구비되는 것이 바람직하다. The digital analog current converter 221 is preferably provided on a test board (not shown) for interfacing the ATE 211 and the analog semiconductor device 231.

ATE(211)는 디지털 아날로그 전류 변환기(221)로부터 아날로그 반도체 장치(231)에 AC 입력 전류(Iin)가 인가되면 아날로그 반도체 장치(231)에 흐르는 전류를 측정하게 된다. When the AC input current Iin is applied to the analog semiconductor device 231 from the digital analog current converter 221, the ATE 211 measures the current flowing through the analog semiconductor device 231.

도 3은 도 2에 도시된 ATE(211)의 내부 구성도이다. 도 3을 참조하면, ATE(211)는 아날로그 디지털 변환부(511), 비교부(521), 디지털 데이터 발생부(531), 기준 DC 전류 발생부(541) 및 클럭 발생부(551)를 구비한다. 3 is a diagram illustrating an internal configuration of the ATE 211 shown in FIG. 2. Referring to FIG. 3, the ATE 211 includes an analog to digital converter 511, a comparator 521, a digital data generator 531, a reference DC current generator 541, and a clock generator 551. do.

아날로그 디지털 변환부(511)는 아날로그 반도체 장치(231)로부터 출력되는 AC 출력 전류(Iout)를 받아서 이를 DC 전류(D1)로 변환한다. The analog-digital converter 511 receives the AC output current Iout output from the analog semiconductor device 231 and converts it to the DC current D1.

비교부(521)는 아날로그 디지털 변환부(511)로부터 출력되는 DC 전류(D1)를 받아서 이를 기준 DC 전류(Iref)와 비교하고, 그 차의 신호(D2)를 출력한다. 즉, 비교부(521)는 DC 전류(D1)가 기준 DC 전류(Iref)보다 크면 출력 신호(D2)를 로우 레벨(low level)로써 출력하고, DC 전류(D1)가 기준 DC 전류(Iref)보다 작으면 출력 신호(D2)를 하이 레벨(high level)로써 출력한다. 설계자에 따라 그 반대로 구성될 수도 있다. The comparator 521 receives the DC current D1 output from the analog-digital converter 511, compares the DC current D1 with the reference DC current Iref, and outputs the difference signal D2. That is, the comparator 521 outputs the output signal D2 at a low level when the DC current D1 is greater than the reference DC current Iref, and the DC current D1 is the reference DC current Iref. If smaller, the output signal D2 is output at a high level. The reverse may be configured depending on the designer.

디지털 데이터 발생부(531)는 비교부(521)에 연결되며, 비교부(521)의 출력 신호(D2)에 응답하여 디지털 아날로그 전류 변환기(221)로 인가되는 디지털 데이터(Dk)의 크기를 조정한다. 예컨대, 출력 신호(D2)가 로우 레벨이면, 디지털 데이터(Dk)의 크기 즉, 전압 레벨을 낮추고, 출력 신호(D2)가 하이 레벨이면, 디지털 데이터(Dk)의 크기를 높여준다. The digital data generator 531 is connected to the comparator 521 and adjusts the size of the digital data Dk applied to the digital analog current converter 221 in response to the output signal D2 of the comparator 521. do. For example, when the output signal D2 is at a low level, the size of the digital data Dk, that is, the voltage level is lowered. When the output signal D2 is at a high level, the size of the digital data Dk is increased.

기준 DC 전류 발생부(541)는 기준 DC 전류(Iref)를 발생한다. 기준 DC 전류 (Iref)는 아날로그 반도체 장치(231)의 특성에 따라 조정될 수가 있다. The reference DC current generator 541 generates a reference DC current Iref. The reference DC current Iref can be adjusted according to the characteristics of the analog semiconductor device 231.

기준 DC 전류 발생부(541)와 디지털 데이터 발생부(531)는 ATE(211)에 구비되는 디지털 옵션(Digital Option)으로 구현할 수가 있다. The reference DC current generator 541 and the digital data generator 531 may be implemented as a digital option provided in the ATE 211.

클럭 발생부(551)는 클럭 신호(CLK)를 발생한다. The clock generator 551 generates a clock signal CLK.

이와 같이, 아날로그 반도체 장치(231)로부터 출력되는 AC 출력 전류(Iout)가 높아지면, 디지털 데이터(Dk)는 낮아지고, 아날로그 반도체 장치(231)로부터 출력되는 AC 출력 전류(Iout)가 낮아지면, 디지털 데이터(Dk)는 높아진다. 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨이 높아지면 아날로그 반도체 장치(231)로 입력되는 AC 입력 전류(Iin)는 커지고, 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨이 낮아지면 아날로그 반도체 장치(231)로 입력되는 AC 입력 전류(Iin)는 낮아진다. As described above, when the AC output current Iout output from the analog semiconductor device 231 becomes high, when the digital data Dk becomes low and the AC output current Iout output from the analog semiconductor device 231 becomes low, Digital data Dk becomes high. When the voltage level of the digital data Dk increases, the AC input current Iin input to the analog semiconductor device 231 becomes large. When the voltage level of the digital data Dk decreases, the AC input to the analog semiconductor device 231 decreases. The input current Iin is lowered.

도 4는 도 2에 도시된 반도체 테스트 장치(201)로부터 발생되는 AC 입력 전류(Iin)의 파형을 보여준다. 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 테스트 장치(201)로부터 AC 입력 전류(Iin)가 발생되어 아날로그 반도체 장치(231)로 전달된다. 상기 AC 입력 전류(Iin)는 기준 DC 전류(Iref)를 기준으로 그 크기가 설정된다. 예컨대, 상기 AC 입력 전류(Iin)의 최저 전압(V1) 및 최고 전압은 다음 수학식 2와 같다. FIG. 4 shows waveforms of the AC input current Iin generated from the semiconductor test apparatus 201 shown in FIG. 2. As shown in FIG. 4, an AC input current Iin is generated from the semiconductor test device 201 and transferred to the analog semiconductor device 231. The AC input current Iin is set in magnitude based on the reference DC current Iref. For example, the lowest voltage V1 and the highest voltage of the AC input current Iin are represented by Equation 2 below.

V1 = Iref × 4.4 ÷ 2V1 = Iref × 4.4 ÷ 2

V2 = Iref × 4.4 × 1.5V2 = Iref × 4.4 × 1.5

아날로그 반도체 장치(231)에 인가되는 AC 입력 전류(Iin)의 크기는 아날로그 반도체 장치(231)의 특성에 따라 달라진다. The magnitude of the AC input current Iin applied to the analog semiconductor device 231 depends on the characteristics of the analog semiconductor device 231.

도 5는 도 2에 도시된 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨에 따른 AC 입력 전류(Iin)의 크기 변화를 도시한 그래프이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨이 변경되면, 그에 따라 아날로그 반도체 장치(231)로 전달되는 AC 입력 전류(Iin)의 크기도 변경된다. 따라서, AC 입력 전류(Iin)의 크기는 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨에 의해 조정된다. FIG. 5 is a graph illustrating a change in magnitude of the AC input current Iin according to the voltage level of the digital data Dk shown in FIG. 2. As shown in FIG. 5, when the voltage level of the digital data Dk is changed, the magnitude of the AC input current Iin transmitted to the analog semiconductor device 231 is also changed accordingly. Therefore, the magnitude of the AC input current Iin is adjusted by the voltage level of the digital data Dk.

이와 같이, 본 발명의 반도체 테스트 장치(201)는 AC 입력 전류(Iin)를 발생하여 아날로그 반도체 장치(231)에 인가하여 아날로그 반도체 장치(231)의 AC 전류 특성을 측정할 수 있다. As described above, the semiconductor test apparatus 201 of the present invention may generate an AC input current Iin and apply the same to the analog semiconductor device 231 to measure AC current characteristics of the analog semiconductor device 231.

이뿐 아니라, 반도체 테스트 장치(201)는 아날로그 반도체 장치(231)로부터 출력되는 AC 출력 전류(Iout)의 크기에 따라 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨을 변경시켜서, 아날로그 반도체 장치(231)에 일정한 크기의 AC 입력 전류(Iin)를 인가한다. In addition, the semiconductor test apparatus 201 changes the voltage level of the digital data Dk in accordance with the magnitude of the AC output current Iout output from the analog semiconductor device 231, thereby providing a constant magnitude in the analog semiconductor device 231. AC input current (Iin) is applied.

도 6은 본 발명에 따른 테스트 방법을 도시한 흐름도이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 테스트 방법은 제1 내지 제8 단계(611∼661)를 포함한다. 도 2 내지 도 5를 참조하여 도 6에 도시된 반도체 테스트 장치(201)가 아날로그 반도체 장치(231)의 AC 전류 특성을 테스트하는 방법을 설명하기로 한다. 6 is a flowchart illustrating a test method according to the present invention. Referring to FIG. 6, the test method of the present invention includes first to eighth steps 611 to 661. A method of testing the AC current characteristics of the analog semiconductor device 231 by the semiconductor test device 201 illustrated in FIG. 6 will be described with reference to FIGS. 2 to 5.

제1 단계(611)로써, 기준 DC 전류(Iref)를 발생한다.In a first step 611, a reference DC current Iref is generated.

제2 단계(621)로써, 기준 DC 전류(Iref)를 AC 입력 전류(Iin)로 변환하여 아날로그 반도체 장치(231)에 인가한다. In a second step 621, the reference DC current Iref is converted into an AC input current Iin and applied to the analog semiconductor device 231.

제3 단계(631)로써, 아날로그 반도체 장치(231)로부터 출력되는 AC 출력 전류(Iout)를 입력한다. In a third step 631, the AC output current Iout output from the analog semiconductor device 231 is input.

제4 단계(641)로써, AC 출력 전류(Iout)를 DC 전류(D1)로 변환한다.In a fourth step 641, the AC output current Iout is converted into the DC current D1.

제5 단계(651)로써, DC 전류(D1)를 기준 DC 전류(Iref)와 비교한다. In a fifth step 651, the DC current D1 is compared with the reference DC current Iref.

제6 단계(661)로써, 상기 비교 결과에 따라 디지털 데이터(Dk)의 크기 즉, 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨을 설정한다. In a sixth step 661, the size of the digital data Dk, that is, the voltage level of the digital data Dk is set according to the comparison result.

제7 단계(671)로써, 기준 DC 전류(Iref)를 AC 입력 전류(Iin)로 변환하며, 이 때, 디지털 데이터(Dk)의 전압 레벨에 따라 AC 입력 전류(Iin)의 크기를 조정하여 아날로그 반도체 장치(231)에 인가한다. As a seventh step 671, the reference DC current Iref is converted into an AC input current Iin, and at this time, the size of the AC input current Iin is adjusted according to the voltage level of the digital data Dk to adjust the analog. It applies to the semiconductor device 231.

제8 단계(681)로써, 아날로그 반도체 장치(231)의 특정 핀으로 흐르는 AC 전류를 측정한다.In an eighth step 681, AC current flowing to a specific pin of the analog semiconductor device 231 is measured.

반도체 테스트 장치(201)는 제3 내지 제7 단계(631∼671)를 반복하면서 아날로그 반도체 장치(231)에 인가되는 AC 입력 전류(Iin)의 크기를 일정하게 유지시킨다. The semiconductor test apparatus 201 keeps the magnitude of the AC input current Iin applied to the analog semiconductor device 231 constant while repeating the third to seventh steps 631 to 671.

도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었으며, 여기서 사용된 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능할 것이므로, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The best embodiments have been disclosed in the drawings and the specification, and the terminology used herein is for the purpose of describing the invention only and is not intended to be limiting of the scope of the invention as defined in the appended claims or claims. Therefore, those skilled in the art will be able to various modifications and equivalent other embodiments therefrom, the true technical protection scope of the present invention will be determined by the technical spirit described in the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, AC 전압원(도 1의 115)만을 가지고 있 는 ATE(211)를 이용하여 아날로그 반도체 장치(231)의 AC 전류 특성을 테스트할 수 있으며, AC 전압원(도 1의 115)의 수를 증가시킬 필요도 없다. As described above, according to the present invention, the AC current characteristics of the analog semiconductor device 231 can be tested using the ATE 211 having only the AC voltage source (115 in FIG. 1), and the AC voltage source ( It is not necessary to increase the number of 115).

또한, 본 발명의 반도체 테스트 장치(201)는 아날로그 반도체 장치(231)의 입력핀의 전압이 일정하지 않을지라도 그에 상관없이 아날로그 반도체 장치(231)에 일정한 크기의 AC 전류를 인가할 수 있다. In addition, the semiconductor test apparatus 201 of the present invention may apply a constant AC current to the analog semiconductor device 231 regardless of whether the voltage of the input pin of the analog semiconductor device 231 is constant.

Claims

In the semiconductor test apparatus 201 capable of testing the AC current characteristics of the analog semiconductor device 231,

An ATE (211) for inputting an AC output current output from the analog semiconductor device, generating a reference DC current and digital data, and changing and outputting the digital data in response to the magnitude of the AC output current; And

And a digital analog current converter 221 connected to the ATE and the analog semiconductor device and converting the reference DC current into an analog current in response to the digital data and applying the same to the analog semiconductor device. Device.

The method of claim 1, wherein the ATE is

A reference DC current generator 541 for generating a reference DC current;

An analog-digital converting unit 511 connected to an analog analog semiconductor device and converting the AC output current into a DC current;

A comparator 521, connected to the analog-digital converter and the reference DC current generator, for comparing the DC current with the reference DC current and outputting the difference; And

And a digital data generator (531) connected to a signal comparator, for adjusting and outputting the size of the digital data in response to an output signal of the comparator.

The semiconductor test apparatus of claim 1, wherein the digital analog current converter operates in synchronization with a clock signal generated from the ATE.

The semiconductor test apparatus of claim 1, wherein the digital analog current converter is provided on a test board for interfacing the ATE with the analog semiconductor device.

In the method in which the ATE 211 applies the AC current to the analog semiconductor device 231 to test the AC current characteristics of the analog semiconductor device,

(a) setting a reference DC current;

(b) converting the reference DC current into an AC current and applying the same to the analog semiconductor device;

(c) inputting an AC output current output from the analog semiconductor device;

(d) converting the AC output current to a DC current;

(e) comparing the DC current with the reference DC current;

(f) generating digital data scaled according to the comparison result; And

(g) converting the reference DC current into an AC input current in response to the digital data and applying the same to the analog semiconductor device.

6. The method of claim 5, wherein step (g) further comprises the step of measuring the amount of AC current through which the ATE flows to a specific pin of the analog semiconductor device.

6. The method of claim 5, wherein the magnitude of the AC input current applied to the analog semiconductor device is kept constant while repeating the steps (c) to (g).