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KR100625337B1 - Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method using the same - Google Patents

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KR100625337B1
KR100625337B1 KR1020040114403A KR20040114403A KR100625337B1 KR 100625337 B1 KR100625337 B1 KR 100625337B1 KR 1020040114403 A KR1020040114403 A KR 1020040114403A KR 20040114403 A KR20040114403 A KR 20040114403A KR 100625337 B1 KR100625337 B1 KR 100625337B1
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wafer
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wafer boat
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Abstract

본 발명은 반도체 제조 설비 및 이를 이용한 반도체 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 제조 설비는 웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지(charge)하거나 디스차지(discharge)하기 위한 차지 존, 차지 존에 인접하여 배치되며, 차지 존으로부터 이송된 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하는 프로세스 존, 프로세스 존과 인접하여 배치되며, 프로세스 존에서 배출된 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 포스트 프로세스를 수행한 후, 웨이퍼 보트를 차지 존으로 이송하는 버퍼 존, 웨이퍼 보트를 차지 존, 프로세스 존 및 버퍼 존으로 운반하기 위한 이송 수단 및 상기 각 부분의 상태, 위치 등에 대한 정보를 인식하고, 제1 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하고, 상기 제1 웨이퍼 보트를 반응챔버로 언로딩 하면, 제 2 웨이퍼 버퍼를 상기 프로세스 존으로 이동하여 제2 웨이퍼 버퍼에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하도록 하는 제어부를 포함한다. The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility and a semiconductor manufacturing method using the same. A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is a charge zone for charging or discharging a wafer in a wafer boat, disposed adjacent to the charge zone, and predetermined for a wafer occupied in a wafer boat transferred from the charge zone. The process zone for performing the process of the process zone, disposed adjacent to the process zone, after performing a post process on the wafer occupied in the wafer boat discharged from the process zone, the buffer zone for transferring the wafer boat to the charge zone, wafer boat Recognizing information on the transfer means for transporting to the charge zone, the process zone and the buffer zone, and the state, position, etc. of each part, performing a predetermined process on the wafer occupied in the first wafer boat, and performing the first wafer When the boat is unloaded into the reaction chamber, the second wafer buffer is moved to the process zone so that the second wafer buffer With respect to the wafer up to a control unit to perform a predetermined process.

반도체, 웨이퍼, 프로세스Semiconductor, wafer, process

Description

반도체 제조 설비 및 이를 이용한 반도체 제조 방법{Equipment for manufacturing semiconductor and method using the same} Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method using the same {Equipment for manufacturing semiconductor and method using the same}             

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 위치 관계를 개략적으로 나타낸 도면.1 is a view schematically showing the internal positional relationship of a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제어부의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면.2 is a view schematically showing an internal configuration of a control unit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 차지 존에서의 공정 과정을 개략적으로 나타낸 도면.3 is a schematic representation of a process in a charge zone in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로세스 존에서의 공정 과정 중 일부를 개략적으로 나타낸 도면.4 is a schematic representation of some of the process steps in a process zone in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 방법을 나타낸 순서도.5 is a flow chart showing a semiconductor manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101…차지 존 103…프로세스 존101... Charge zone 103... Process zone

105…버퍼 존 201…센서105... Buffer zone 201... sensor

203…중앙 처리 장치 205…메모리203... Central processing unit 205... Memory

207…컨트롤러 301…웨이퍼 보트207... Controller 301... Wafer boat

305, 307…경판 309…보온 통305, 307... Hard plate 309... Thermos

311…반송 장치 313…반송 아암311... Carrier device 313... Bounce arm

401…보트 엘리베이터401... Boat elevator

본 발명은 반도체 제조 설비 및 이를 이용한 반도체 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility and a semiconductor manufacturing method using the same.

종래 반도체 제조 설비, 특히 열처리 장치에서 수행되는 반도체 제조 방법은 원 앤드 원(One and One) 시스템을 바탕으로 하였다. 즉 하나의 배치(batch) 웨이퍼를 탑재하는 카세트를 이송 장치에 의하여 웨이퍼 보트(boat)로 이송하면, 반송 아암이 카세트에 적재되어 있는 웨이퍼를 웨이퍼 보트에 차지(charge)한다. 웨이퍼의 차지가 완료되면, 웨이퍼 보트는 레일이나 로봇 아암 등의 이송 수단에 의하여 반응 챔버(특히, 열처리 반응로)로 이동된다. 반응 챔버로 이동된 웨이퍼 보트는 보트 엘리베이터(boat elevator)에 의하여 반응 챔버 내부로 로딩(loading)된다. 그 후, 반응 챔버 내부에서 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 일정한 공정(예를 들어 열처리 공정)을 수행한다. 상기 공정이 완료되면, 반응 챔버 내부의 웨이 퍼 보트는 상기 보트 엘리베이터에 의하여 언로딩(unloading)된다. 언로딩된 웨이퍼 보트에 적재된 웨이퍼에 대하여 일정한 포스트 프로세스(후처리, 예를 들어 쿨링(cooling))가 수행된다. 그 후, 웨이퍼 보트는 상기 이송 수단에 의하여 원 위치로 되돌아온다. 원 위치에서 반송 아암이 웨이퍼 보트에 적재된 웨이퍼를 디스차지(discharge)한다. BACKGROUND OF THE INVENTION A semiconductor manufacturing method performed in a conventional semiconductor manufacturing facility, in particular a heat treatment apparatus, is based on a one and one system. In other words, when a cassette on which one batch wafer is mounted is transferred to a wafer boat by a transfer device, the transfer arm charges the wafer loaded on the cassette to the wafer boat. When the charge of the wafer is completed, the wafer boat is moved to the reaction chamber (especially the heat treatment reactor) by a transfer means such as a rail or a robot arm. The wafer boat moved to the reaction chamber is loaded into the reaction chamber by a boat elevator. Thereafter, a certain process (for example, a heat treatment process) is performed on the wafer occupied by the wafer boat in the reaction chamber. When the process is complete, the wafer boat inside the reaction chamber is unloaded by the boat elevator. A constant post process (post-treatment, for example cooling) is performed on the wafers loaded in the unloaded wafer boat. The wafer boat is then returned to its original position by the transfer means. At the home position, the transfer arm discharges the wafer loaded on the wafer boat.

종래와 같은 공정 과정에서, 첫 번째 배치의 웨이퍼에 대한 모든 공정이 종료된 후에라야 두 번째 배치의 웨이퍼에 대한 공정이 진행될 수밖에 없다. 이로 인하여 아이들 타임(Idle Time)이 증가할 뿐만 아니라, 장비 가동율이 현저하게 감소되는 문제점이 있었다. In the conventional process, the process for the wafer in the second batch can only be performed after all the processes for the wafer in the first batch are finished. As a result, not only the idle time is increased, but also the equipment operation rate is significantly reduced.

본 발명은 프로세스 타임(process time)이 감소되며, 장비 가동율이 향상되는 반도체 제조 설비 및 이를 이용한 반도체 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing facility and a method for manufacturing a semiconductor using the same, which reduces process time and improves equipment operation rate.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지(charge)하거나 디스차지(discharge)하기 위한 차지 존, 상기 차지 존에 인접하여 배치되며, 상기 차지 존으로부터 이송된 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하는 프로세스 존, 상기 프로세스 존과 인접하여 배치되며, 상기 프로세스 존에서 배출된 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 포스트 프로세스를 수행한 후, 상기 웨이퍼 보트를 상기 차지 존으로 이송하는 버퍼 존, 상기 웨이퍼 보트를 상기 차지 존, 프로세스 존 및 버퍼 존으로 운반하기 위한 이송 수단 및 상기 각 부분의 상태, 위치 등에 대한 정보를 인식하고, 제1 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하고, 상기 제1 웨이퍼 보트를 반응챔버로 언로딩 하면, 제 2 웨이퍼 버퍼를 상기 프로세스 존으로 이동하여 제2 웨이퍼 버퍼에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하도록 하는 제어부를 포함하는 반도체 제조 설비를 제공할 수 있다.According to an aspect of the present invention to achieve the above object, a charge zone for charging or discharging a wafer in a wafer boat, disposed adjacent to the charge zone, and transferred from the charge zone A process zone for performing a predetermined process on a wafer occupied in a wafer boat, and disposed adjacent to the process zone, and performing a post process on a wafer occupied in a wafer boat discharged from the process zone; A buffer zone for transferring the wafer to the charge zone, transfer means for transporting the wafer boat to the charge zone, the process zone and the buffer zone, and information on the state, position, etc. of the respective portions, and charging the first wafer boat. When the predetermined wafer is performed and the first wafer boat is unloaded into the reaction chamber, Moving the second wafer to the buffer zone to the process it is possible to provide a semiconductor manufacturing facility including a controller which to carry out the desired process with respect to the wafer up to the second wafer buffer.

바람직한 실시예에서, 상기 프로세스 존은 상기 소정의 공정을 수행하기 위한 챔버 및 상기 웨이퍼 보트를 상기 챔버로 이송하기 위한 엘리베이터를 포함할 수 있다. 또한 상기 챔버는 열처리용 챔버인 것을 특징으로 한다. 또한 상기 소정의 공정은 상기 웨이퍼에 대한 열처리이며, 상기 포스트 프로세스는 상기 웨이퍼에 대한 쿨링(cooling)인 것을 특징으로 한다. 또한 상기 이송 수단은 레일인 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the process zone may include a chamber for performing the predetermined process and an elevator for transferring the wafer boat to the chamber. In addition, the chamber is characterized in that the heat treatment chamber. In addition, the predetermined process is a heat treatment for the wafer, the post process is characterized in that the cooling (cooling) for the wafer. In addition, the transfer means is characterized in that the rail.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 차지 존, 프로세스 존 및 상기 차지 존과 프로세스 존 각각에 인접하여 배치되는 버퍼 존, 웨이퍼 보트를 운반하는 이송 수단 및 설비의 동작을 제어하는 제어부를 포함하는 반도체 제조 설비에서 수행하는 반도체 제조 방법에 있어서, 상기 차지 존에서 제1 웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지(charge)하는 단계, 상기 제1 웨이퍼 보트를 상기 프로세스 존으로 이동하는 단계, 상기 프로세스 존에서 상기 제1 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하는 단계, 상기 차지 존에서 제2 웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지하는 단계, 상기 소정의 공정이 완료되면, 상기 제1 웨이퍼 보트를 상기 버퍼 존으로 이동하는 단계, 상기 제2 웨이퍼 버퍼를 상기 프로세스 존으로 이동하는 단계-여기서, 상기 제2 웨이퍼 버퍼에 차지된 웨이퍼에 대하여 상기 소정의 공정이 수행됨-, 상기 버퍼 존에서 상기 제1 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 포스트 프로세스를 수행하는 단계, 상기 제1 웨이퍼 보트를 상기 차지 존으로 이동하는 단계 및 상기 차지 존에서 상기 제1 웨이퍼 보트로부터 웨이퍼를 디스차지(discharge)하는 단계를 포함하는 반도체 제조 방법을 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a semiconductor manufacturing facility includes a charge zone, a process zone and a buffer zone disposed adjacent to each of the charge zone and the process zone, a transfer means for carrying a wafer boat, and a control unit for controlling the operation of the facility. A method of manufacturing a semiconductor, comprising: charging a wafer to a first wafer boat in the charge zone, moving the first wafer boat to the process zone, and the first wafer boat in the process zone Performing a predetermined process on the wafer occupied in the second process; occupying the wafer in the second wafer boat in the charge zone; moving the first wafer boat to the buffer zone when the predetermined process is completed; Moving the second wafer buffer into the process zone, where the second wafer buffer is occupied by the second wafer buffer The predetermined process is performed on the wafer-performing a post process on the wafer occupied by the first wafer boat in the buffer zone, moving the first wafer boat to the charge zone and the charge zone And discharging the wafer from the first wafer boat.

이어서, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Next, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 위치 관계를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the internal positional relationship of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비는 차지 존(charge zone, 101), 프로세스 존(process zone, 103), 버퍼 존(buffer zone, 105), 이송 수단(107) 및 설비의 동작을 제어하는 제어부(미도시)를 포함한다. 여기서, 이송 수단(107)은 웨이퍼 보트를 상기 차지 존(101), 프로세스 존(103) 및 버퍼 존(105)으로 운반하기 위한 것으로 레일, 로봇 등에 의하여 구현될 수 있다. Referring to FIG. 1, a semiconductor manufacturing facility includes a control unit for controlling an operation of a charge zone 101, a process zone 103, a buffer zone 105, a transfer means 107, and a facility. (Not shown). In this case, the transfer means 107 may be implemented by a rail, a robot, etc. to transport the wafer boat to the charge zone 101, the process zone 103, and the buffer zone 105.

상기 차지 존(101)은 카세트에 적재된 웨이퍼를 웨이퍼 보트에 차지(charge)하거나, 웨이퍼 보트에 적재된 웨이퍼를 디스차지(discharge)하는 부분이다. 상기 차지 존(101)에 대하여 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다. The charge zone 101 is a portion that charges a wafer loaded on a cassette to a wafer boat or discharges a wafer loaded on a wafer boat. The charge zone 101 will be described with reference to FIG. 3 as follows.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 차지 존에서의 공정 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면, 차지 존(101)은 웨이퍼 보트(301) 및 반송 장치(311)를 포함한다. 웨이퍼 보트(301)는 4개의 지주의 양단부에 2개의 경판(end plate, 305, 307)에 의하여 고정된다. 각 지주에는 소정의 피치로 다수의 홈이 형성된다. 대응하는 높이에 있는 4개의 홈에 의하여 수평 웨이퍼지지 레벨이 규정된다. 즉 4개의 홈상에 웨이퍼의 주연부 하면을 접촉시킴에 의해 웨이퍼(W)의 적재 상태를 유지한다. 웨이퍼 보트(301)는 석영제의 보온 통(309)상에 탑재된다. 웨이퍼 보트(301)의 측부에는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(301)에 차지시키기 위하여 승강 및 진퇴 가능하게 이루어진 반송 장치(311)가 배치된다. 반송 장치(311)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하기 위한 왕복 동작 가능한 반송 아암(313)을 갖는다. 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(301)에 탑재할 경우, 도 3에서 도시한 바와 같이 반송 아암(313) 상에 웨이퍼(W)를 탑재한 상태로 이것을 웨이퍼 보트(301) 측으로 전진시킨다. 다음으로 웨이퍼(W)의 주연부를 홈 사이에 위치시키고, 이 상태에서 반송 아암(313)을 약간 강하시킨다. 이러한 과정을 통하여 웨이퍼(W)는 홈상에 유지되고, 반송 아암(313)으로부터 웨이퍼 보트(301)로 웨이퍼(W)가 차지된다. 그 후, 반송 아암(313)을 후퇴시켜 웨이퍼 보트(301)에 소정 피치로 유지한다.3 is a view schematically showing a process in a charge zone according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the charge zone 101 includes a wafer boat 301 and a transfer device 311. The wafer boat 301 is fixed by two end plates 305 and 307 at both ends of the four posts. Each post is provided with a plurality of grooves at a predetermined pitch. The four grooves at corresponding heights define the horizontal wafer support level. In other words, the loaded state of the wafer W is maintained by contacting the lower periphery of the wafer on the four grooves. The wafer boat 301 is mounted on a quartz heat insulating container 309. On the side of the wafer boat 301, a transfer device 311 configured to be able to move up and down in order to occupy the wafer W in the wafer boat 301 is disposed. The conveying apparatus 311 has a conveying arm 313 which can perform a reciprocating operation for holding the wafer W horizontally. When the wafer W is mounted on the wafer boat 301, it is advanced to the wafer boat 301 side with the wafer W mounted on the transfer arm 313 as shown in FIG. 3. Next, the peripheral part of the wafer W is positioned between the grooves, and the carrier arm 313 is slightly lowered in this state. Through this process, the wafer W is held on the groove, and the wafer W is charged from the transfer arm 313 to the wafer boat 301. Thereafter, the transfer arm 313 is retracted and held at the predetermined pitch in the wafer boat 301.

상기 프로세스 존(103)은 상기 차지 존(101)으로부터 상기 이송 수단에 의하여 이송된 웨이퍼 보트에 탑재된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하는 부분이다. 상기 프로세스 존(103)에 대하여 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The process zone 103 is a portion that performs a predetermined process on the wafer mounted on the wafer boat transferred from the charge zone 101 by the transfer means. The process zone 103 will be described with reference to FIG. 4 as follows.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로세스 존에서의 공정 과정 중 일부를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하면, 상기 이송 수단에 의하여 프로세스 존(103)으로 이송된 웨이퍼 보트(301)는 하부에 보온 통(309)을 포함하 며, 보온 통(309)은 볼 나사 등을 설치하여 이루어지는 보트 엘리베이터(401)에 의하여 승강되어 반응 챔버(미도시) 내에 하방으로부터 로딩된다. 반응 챔버 내에 있어서, 복수개의 웨이퍼는 웨이퍼 보트(301)에 소정의 피치로 유지된 상태로 일정한 공정(예를 들어 열처리)이 진행된다. 웨이퍼(W)를 반응 챔버 내에서 취출하기 위해서는, 상술한 과정과 반대 조작에 의하여 웨이퍼 보트(301)를 강하시켜 반응 챔버로부터 언로딩한다.4 is a view schematically showing a part of the process in the process zone according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the wafer boat 301 transferred to the process zone 103 by the transfer means includes a heat insulating cylinder 309 at a lower portion thereof, and the heat insulating cylinder 309 is formed by installing a ball screw or the like. The boat is lifted by the elevator 401 and loaded from below into the reaction chamber (not shown). In the reaction chamber, a plurality of wafers are subjected to a constant process (for example, heat treatment) in a state of being maintained at a predetermined pitch in the wafer boat 301. In order to take out the wafer W in the reaction chamber, the wafer boat 301 is lowered and unloaded from the reaction chamber by the reverse operation.

상기 버퍼 존(105)은 프로세스 존(103)에서 배출된 웨이퍼 보트에 대하여 포스트 프로세스를 수행한 후, 상기 차지 존(101)으로 상기 이송 수단을 이용하여 이송하는 부분이다. 종래와 상이하게, 본 발명에서는 프로세스 존(103)에서 배출된 고온의 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 보트를 프로세스 존(103)에서 직접 쿨링(cooling)하는 것이 아니라, 버퍼 존(105)으로 옮겨서 쿨링한다. 버퍼 존(105)에서 웨이퍼에 대한 포스트 프로세스인 쿨링 과정을 진행하는 중에, 다른 배치 웨이퍼가 차지 존(101)에서 다른 웨이퍼 보트에 차지되어 프로세스 존(103)으로 이송된 후, 해당 프로세스가 진행된다. 버퍼 존(105)에서 포스트 프로세스가 완료된 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 보트는 이송 수단에 의하여 차지 존(101)으로 이송되어 웨이퍼를 디스차지한다. The buffer zone 105 is a portion for transferring the wafer boat discharged from the process zone 103 to the charge zone 101 by using the transfer means. Unlike the related art, in the present invention, the wafer boat on which the hot wafer discharged from the process zone 103 is mounted is not directly cooled in the process zone 103, but transferred to the buffer zone 105 for cooling. During the cooling process, which is a post process for the wafer in the buffer zone 105, another batch wafer is charged to another wafer boat in the charge zone 101 and transferred to the process zone 103, and then the process proceeds. . In the buffer zone 105, a wafer boat in which the wafer having the post process is completed is transferred to the charge zone 101 by the transfer means to discharge the wafer.

상기 제어부는 본 발명에 따른 전체 반도체 제조 설비에 대한 동작을 제어하는 부분이다. 상기 제어부의 내부 구성은 도 2를 참조하여 다음과 같이 설명한다.The control unit is a part for controlling the operation of the entire semiconductor manufacturing equipment according to the present invention. An internal configuration of the controller will be described as follows with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제어부의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2를 참조하면, 제어부는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비에 포함되며, 적어도 하나의 센서(201), 중앙 처리 장치(CPU, 203), 메모리(205) 및 컨트롤러(207)를 포함한다. 상기 센서(201)는 각 부분의 상태, 위치 등에 대한 정보를 인식하기 위한 센서 신호를 생성하며, 중앙 처리 장치(203)는 메모리(205)에 저장된 프로그램을 로딩한 후, 상기 센서 신호를 바탕으로 제어 신호를 생성하는 역할을 수행한다. 상기 컨트롤러(207)는 상기 중앙 처리 장치(203)에 포함되거나, 별도로 구성될 수 있는데, 후술할 도 5에서 나타낸 반도체 제조 방법을 수행하기 위한 제어 신호를 생성한다.2 is a view schematically showing an internal configuration of a control unit according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the controller is included in the semiconductor manufacturing facility according to the present invention, and includes at least one sensor 201, a central processing unit (CPU) 203, a memory 205, and a controller 207. The sensor 201 generates a sensor signal for recognizing information about a state, a position, and the like of each part, and the central processing unit 203 loads a program stored in the memory 205 and then based on the sensor signal. It is responsible for generating control signals. The controller 207 may be included in the CPU 203 or may be separately configured. The controller 207 generates a control signal for performing the semiconductor manufacturing method illustrated in FIG. 5 to be described later.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 방법을 나타낸 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a semiconductor manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 반도체 제조 설비는 제어부의 제어 신호에 따라서 차지 존에서 제1 웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지한다(단계 501). 그 후, 반도체 제조 설비는 웨이퍼가 차지된 제1 웨이퍼 보트를 이송 수단을 이용하여 프로세스 존으로 이동시킨다(단계 503). 반도체 제조 설비는 프로세스 존에서 이동된 제1 웨이퍼 보트를 보트 엘리베이터를 이용하여 반응 챔버 내로 로딩한다(단계 505). 반도체 제조 설비는 반응 챔버 내로 로딩된 제1 웨이퍼 보트에 탑재된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정(예를 들어 열처리 공정)을 수행한다(단계 507). 상기 제1 웨이퍼 보트에 탑재된 웨이퍼에 대한 소정의 공정을 진행한 후, 또는 진행함과 동시에 반도체 제조 설비는 차지 존에서 제2 보트에 다음 배치 웨이퍼를 차지한다(단계 509). 그 후, 반도체 제조 설비는 상기 소정의 공정이 완료되었는지를 판단(단계 511)하여, 완료되지 않은 경우에 제1 웨이퍼 보트에 대하여 상기 소정의 프로세스를 계속 수행하고, 제2 웨이퍼 보트에 대하여는 차지 존에서 대기시킨다(단계 513). 상기 소정의 공정이 완료된 경우에, 반도체 제조 설비는 제1 웨이퍼 보트에 대하여 반응 챔버로부터 언로딩(단계 515)한 후, 제1 웨이퍼 보트를 상기 이송 수단을 이용하여 버퍼 존으로 이동(단계 517)시키며, 제2 웨이퍼 보트에 대하여 이송 수단을 이용하여 프로세스 존으로 이동시킨다(단계 519). 그 후, 반도체 제조 설비는 제1 웨이퍼 보트에 탑재된 웨이퍼를 버퍼 존에서 포스트 프로세스(예를 들어, 쿨링 처리)를 수행(단계 521)한 후, 제1 웨이퍼 보트를 이송 수단을 이용하여 차지 존으로 이동(단계 523)시켜, 차지 존에서 웨이퍼를 디스차지한다(단계 525). 이후의 배치 웨이퍼에 대한 공정은 상기 과정을 다시 수행하여 처리한다. Referring to FIG. 5, the semiconductor manufacturing facility occupies the wafer in the first wafer boat in the charge zone according to the control signal of the controller (step 501). Thereafter, the semiconductor manufacturing facility moves the first wafer boat in which the wafer is occupied to the process zone using the transfer means (step 503). The semiconductor manufacturing facility loads the first wafer boat moved in the process zone into the reaction chamber using a boat elevator (step 505). The semiconductor manufacturing facility performs a predetermined process (eg, a heat treatment process) on the wafer mounted in the first wafer boat loaded into the reaction chamber (step 507). After or after the predetermined process has been performed on the wafer mounted on the first wafer boat, the semiconductor manufacturing facility occupies the next batch wafer on the second boat in the charge zone (step 509). Thereafter, the semiconductor manufacturing equipment determines whether the predetermined process is completed (step 511), and if not completed, continues the predetermined process for the first wafer boat, and charge zone for the second wafer boat. Wait at step 513. When the predetermined process is completed, the semiconductor fabrication facility unloads the first wafer boat from the reaction chamber (step 515) and then moves the first wafer boat to the buffer zone using the transfer means (step 517). And transfer to the process zone with the transfer means relative to the second wafer boat (step 519). Thereafter, the semiconductor manufacturing equipment performs a post process (for example, a cooling process) in the buffer zone on the wafer mounted on the first wafer boat (step 521), and then transfers the first wafer boat to the charge zone using the transfer means. (Step 523), the wafer is discharged from the charge zone (step 525). Subsequently, the process for the batch wafer is performed by performing the above process again.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다. The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.

본 발명에 의하면, 프로세스 타임(process time)이 감소되며, 장비 가동율이 향상되는 반도체 제조 설비 및 이를 이용한 반도체 제조 방법을 제공할 수 있다.


According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor manufacturing facility and a method of manufacturing a semiconductor using the same, in which process time is reduced and equipment operation rate is improved.


Claims (6)

웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지(charge)하거나 디스차지(discharge)하기 위한 차지 존;A charge zone for charging or discharging the wafer in the wafer boat; 상기 차지 존에 인접하여 배치되며, 상기 차지 존으로부터 이송된 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하는 프로세스 존;A process zone disposed adjacent to the charge zone and performing a predetermined process on the wafer occupied in the wafer boat transferred from the charge zone; 상기 프로세스 존과 인접하여 배치되며, 상기 프로세스 존에서 배출된 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 포스트 프로세스를 수행한 후, 상기 웨이퍼 보트를 상기 차지 존으로 이송하는 버퍼 존;A buffer zone disposed adjacent to the process zone and configured to transfer the wafer boat to the charge zone after performing a post process on the wafer occupied by the wafer boat discharged from the process zone; 상기 웨이퍼 보트를 상기 차지 존, 프로세스 존 및 버퍼 존으로 운반하기 위한 이송 수단; 및Transfer means for transporting the wafer boat to the charge zone, process zone and buffer zone; And 상기 각 부분의 상태, 위치 등에 대한 정보를 인식하고, 제1 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하고, 상기 제1 웨이퍼 보트를 반응챔버로 언로딩 하면, 제 2 웨이퍼 버퍼를 상기 프로세스 존으로 이동하여 제2 웨이퍼 버퍼에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하도록 하는 제어부를 포함하는 반도체 제조 설비.Recognizing the information on the state, position, etc. of each part, performing a predetermined process on the wafer occupied in the first wafer boat, and unloading the first wafer boat into the reaction chamber, the second wafer buffer is And a control unit moving to the process zone to perform a predetermined process on the wafer occupied in the second wafer buffer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프로세스 존은The process zone is 상기 소정의 공정을 수행하기 위한 챔버; 및A chamber for performing the predetermined process; And 상기 웨이퍼 보트를 상기 챔버로 이송하기 위한 엘리베이터Elevator to transfer the wafer boat to the chamber 를 포함하는 반도체 제조 설비.Semiconductor manufacturing equipment comprising a. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버는 열처리용 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.The chamber is a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the chamber for heat treatment. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 소정의 공정은 상기 웨이퍼에 대한 열처리이며, 상기 포스트 프로세스는 상기 웨이퍼에 대한 쿨링(cooling)인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.The predetermined process is a heat treatment for the wafer, and the post process is cooling for the wafer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이송 수단은The conveying means 레일인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.The semiconductor manufacturing equipment characterized by the rail. 차지 존, 프로세스 존 및 상기 차지 존과 프로세스 존 각각에 인접하여 배치되는 버퍼 존, 웨이퍼 보트를 운반하는 이송 수단 및 설비의 동작을 제어하는 제어부를 포함하는 반도체 제조 설비에서 수행하는 반도체 제조 방법에 있어서,A semiconductor manufacturing method performed in a semiconductor manufacturing facility comprising a charge zone, a process zone, a buffer zone disposed adjacent to each of the charge zone and the process zone, a transfer means for transporting a wafer boat, and a control unit for controlling the operation of the facility. , 상기 차지 존에서 제1 웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지(charge)하는 단계;Charging a wafer to a first wafer boat in the charge zone; 상기 제1 웨이퍼 보트를 상기 프로세스 존으로 이동하는 단계;Moving the first wafer boat to the process zone; 상기 프로세스 존에서 상기 제1 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 소정의 공정을 수행하는 단계;Performing a predetermined process on the wafer occupied by the first wafer boat in the process zone; 상기 차지 존에서 제2 웨이퍼 보트에 웨이퍼를 차지하는 단계;Occupying a wafer in a second wafer boat in the charge zone; 상기 소정의 공정이 완료되면, 상기 제1 웨이퍼 보트에 대하여 반응 챔버로부터 언로딩 한 후, 상기 제1 웨이퍼 보트를 레일로 구성된 이송 수단을 이용하여 상기 버퍼 존으로 이동하는 단계;When the predetermined process is completed, unloading the first wafer boat from the reaction chamber, and then moving the first wafer boat to the buffer zone using a transfer means composed of rails; 상기 제2 웨이퍼 버퍼를 상기 프로세스 존으로 이동하는 단계-여기서, 상기 제2 웨이퍼 버퍼에 차지된 웨이퍼에 대하여 상기 소정의 공정이 수행됨-;Moving the second wafer buffer into the process zone, wherein the predetermined process is performed on the wafer occupied in the second wafer buffer; 상기 버퍼 존에서 상기 제1 웨이퍼 보트에 차지된 웨이퍼에 대하여 포스트 프로세스를 수행하는 단계;Performing a post process on the wafer occupied by the first wafer boat in the buffer zone; 상기 제1 웨이퍼 보트를 상기 차지 존으로 이동하는 단계; 및Moving the first wafer boat to the charge zone; And 상기 차지 존에서 상기 제1 웨이퍼 보트로부터 웨이퍼를 디스차지(discharge)하는 단계Discharging a wafer from the first wafer boat in the charge zone 를 포함하는 반도체 제조 방법.Semiconductor manufacturing method comprising a.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03134176A (en) * 1989-10-18 1991-06-07 Tokyo Electron Ltd Unit for vacuum treating device
KR940010265A (en) * 1990-10-15 1994-05-24 카자마 젠쥬 Multi Chamber System
JPH07254538A (en) * 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Mach Co Ltd Heat treatment device
JP2001284278A (en) 2000-03-30 2001-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2002008988A (en) 2000-06-21 2002-01-11 Seiko Epson Corp Semiconductor manufacturing equipment
JP2002043292A (en) 2000-07-19 2002-02-08 Hitachi Ltd Plasma processing apparatus and processing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03134176A (en) * 1989-10-18 1991-06-07 Tokyo Electron Ltd Unit for vacuum treating device
KR940010265A (en) * 1990-10-15 1994-05-24 카자마 젠쥬 Multi Chamber System
JPH07254538A (en) * 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Mach Co Ltd Heat treatment device
JP2001284278A (en) 2000-03-30 2001-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2002008988A (en) 2000-06-21 2002-01-11 Seiko Epson Corp Semiconductor manufacturing equipment
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