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KR100615711B1 - 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 및 그제조방법. - Google Patents

필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 및 그제조방법. Download PDF

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KR100615711B1
KR100615711B1 KR20050006771A KR20050006771A KR100615711B1 KR 100615711 B1 KR100615711 B1 KR 100615711B1 KR 20050006771 A KR20050006771 A KR 20050006771A KR 20050006771 A KR20050006771 A KR 20050006771A KR 100615711 B1 KR100615711 B1 KR 100615711B1
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South Korea
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membrane layer
substrate
forming
cavity
subwall
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하병주
송인상
김규식
홍석우
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삼성전자주식회사
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Abstract

개시된 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법은 기판상에 멤브레인층을 형성하는 단계; 멤브레인층의 상면에 복수의 공진기를 형성하는 단계; 기판의 하면에 마스크층을 증착한 후 복수개의 메인윈도우 및 서브 윈도우를 패터닝하는 단계; 및 메인윈도우 및 서브윈도우를 따라 기판에 캐비티를 형성함과 아울러서 캐비티 영역에 멤브레인층으로부터 소정간격 떨어지게 서브월을 건식식각에 의해 형성하는 단계;를 포함한다. 서브월이 멤브레인층으로부터 소정 간격 떨어지게 형성되는 것은 건식식각에 의해 발생된 이온이 유전체인 멤브레인층으로부터 반사되어 서브월이 식각되는 현상(노치현상)을 이용한다. 이러한 구성을 통해 서로 다른 크기를 갖는 캐비티를 동시에 식각하더라도 원하는 사이즈로 정확하게 식각하고, 노치현상이 발생되는 영역을 줄일 수 있게 됨에 따라 각 캐비티간의 간격을 줄이게 되어 전체 사이즈를 축소함과 아울러서, 각 공진기를 연결하는 배선길이를 줄일 수 있는 이점이 있다.

Description

필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 및 그 제조방법.{FILTER USING THE FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR AND METHOD OF THE SAME.}
도 1은 종래 기술에 의한 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 갖는 듀플렉서 필터의 개략적인 평면도,
도 2는 도 1의 선 Ⅰ-Ⅰ′를 따른 단면도로서, 도면에서는 서로 다른 캐비티를 갖는 필터의 구성을 도시한 도면,
도 3a 내지 도 3c는 종래 기술에 의한 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 갖는 듀플렉서 필터의 제조 과정을 나타내는 도면들,
도 4a는 종래 기술에 의한 건식식각 공정시 로딩이펙트가 발생된 예를 도시한 도면,
도 4b는 종래 기술에 의한 건식식각 공정시 노치현상이 발생된 예를 도시한 도면,
도 5는 본 발명에 일 실시 예에 의한 필름 벌크 공진기가 적용된 대역 필터의 일부를 절단해서 도시한 단면도,
도 6a 내지 6d는 본 발명에 의한 필름 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터의 제조과정을 도시한 도면들, 그리고,
도 7a 내지 7c는 본 발명에 적용되는 마스크층을 도시한 평면도로서, 서브 윈도우의 여러 실시 예를 나타내는 도면들이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
100 : 필터 101 : 기판
101a : 캐비티 101b : 서브월
G : 에어갭 103 : 멤브레인층
107 : 마스크층 107a : 메인윈도우
107b : 서브윈도우 110 : 공진기
본 발명은 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공진기의 박막을 진동시키기 위한 캐비티의 구조 및 그 제조방법을 개선한 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 필름 벌크 어쿠스틱 공진기(FBAR : Film Bulk Acoustic Resonator)는 주파수에 따른 압전막의 어쿠스틱를 이용한 필터이다. 전통적인 주파수 필터의 크기는 그 사용 주파수 대역에서의 전자기파의 파장과 동일하였다. 따라서, 전자기파를 이용한 필터의 크기는 상대적으로 크다. 예를 들어, 전자기파의 주파수가 1㎓일 때 고전적인 필터의 크기는 30㎝, 300㎓일 때 약 1㎜ 정도의 크기를 가지게 된다 그러나, 압전막의 어쿠스틱파를 이용하면 그 어쿠스틱 파장은 전자기 파의 파장에 비해서 1/10,000로 작아지게 된다. 따라서, 압전막에 의해 전자기파가 어쿠스틱파로 전환이 되고, 그 사이즈는 어쿠스틱파의 파장만큼 작아지는 것이다. 즉, 그 크기는 수백 마이크론 정도이고, 웨이퍼에서 제작이 가능하여 많은 양의 디바이스를 일괄적으로 제조하는 것이 가능해진다.
도 1은 종래 기술에 의한 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 갖는 듀플렉서 필터(1)의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 듀플렉서 필터(1)는 기판(3), 기판(3)상에 형성된 송신측 필름벌크 어쿠스틱 필터(5) 및 수신측 벌크 어쿠스틱 필터(7)로 이루어진다.
송신측 필름 벌크 어쿠스틱 필터(5) 및 수신측 필름 벌크 어쿠스틱 필터(7)는 다수의 필름 벌크 어쿠스틱 공진기(10)가 기판(3)상에 형성된 후 직, 병렬로 연결되어 이루어 진다.
도 2는 도 1의 선 Ⅰ-Ⅰ′를 따른 단면도로서, 도면에서는 서로 다른 캐비티를 갖는 필터의 구성을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판(3)에는 서로 다른 크기의 캐비티(3a,3b,3c)가 형성되고, 기판(3)의 상부에는 캐비티(3a,3b,3c)를 커버하는 멤브레인층(4)이 형성된다. 캐비티(3a,3b,3c)가 위치하는 멤브레인층(4)의 상부에는 공진기(10)가 형성된다. 여기서, 공진기(10)는 제 1전극(11), 압전막(13), 제 2전극(15)이 차례로 적층되어 형성된다.
상술한 바와 같은 필터의 제조 공정을 개략적을 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3c는 종래 기술에 의한 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 갖는 듀 플렉서 필터의 제조 과정을 나타내는 도면들이고, 도 4a 및 도 4b는 종래 기술에 의한 건식식각 공정시 발생되는 로딩이펙트 및, 노치현상이 발생된 예를 도시한 도면들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(3)상에 멤브레인층(4)을 증착하고, 멤브레인층(4)의 상측에 공진기(10)를 형성한다.
도 3b를 참조하면, 기판(3)의 마스크층(9)을 도포한 후 캐비티(3a,3b,3c)가 형성될 영역이 노출되도록 윈도우(9a,9b,9c)를 형성한다.
도 3c를 참조하면, 건식식각 장비 예컨대, ICP(Inductively Coupled Plasma)장비를 이용하여 캐비티(3a,3b,3c)를 식각한다. 이때, 캐비티(3a,3b,3c)의 사이에는 월(3d)들이 형성된다.
그러나, 종래에는 크기가 서로 다른 캐비티(3a,3b,3c)를 ICP를 이용하여 기판(3)을 동시에 에칭 할 경우, 로딩이펙트(Loading effect) 및 래그이펙트(Lag Effect)에 의해 캐비티(3a,3b,3c)가 원하는 사이즈로 정확하게 형성되지 않는 문제점이 있다.
여기서, 로딩이펙트라 함은 캐비티(3a,3b,3c)의 모서리 부분이 중앙부보다 식각률(etching rate)이 떨어져서 도 4a의 L표시부와 같이 캐비티(3a,3b,3c) 모서리 부분이 식각되지 않는 현상을 말한다.
한편, 래그이펙트는 캐비티의 크기가 커질수록 식각률이 높아지는 특성을 말한다. 따라서, 그 크기가 큰 캐비티(3c)가 캐비티(3a)에 비하여 식각률이 크므로 동일한 식각 조건으로 동시에 캐비티(3c)를 형성할 경우 상대적으로 캐비티(3c)는 원하는 사이즈보다 크게 형성될 것이다.
다음, 노치현상(Notch effect)이란 도 4b에 도시된 바와 같이 식각 동작을 실시하는 동안 발생된 이온이 유전체로 되는 멤브레인층(4)에 부딪혀 반사되는 데, 이때, 그 반사되는 이온이 월(3d)부분에 부딪혀 식각되는 현상(N표시부)을 말한다.
상술한 바와 같이 서로 다른 캐비티(3a,3b,3c)를 동시에 식각을 행할 경우 상술한 로딩이펙트, 레그이펙트, 노치현상 등을 통해 캐비티(3a,3b,3c)를 원하는 사이즈로 정확하게 형성하는 것이 어려우며, 심한 경우에는 캐비티(3a,3b,3c)를 구획하는 월(3d)들의 경계가 없어지거나, 멤브레인층(4)이 스트레스를 가진 경우 파손될 수 있는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해소시키기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 서로 다른 크기를 갖는 캐비티가 정확한 사이즈로 식각되고, 강건한 구조를 갖는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터를 제공하기 위한 것이다.
또한, 상술한 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터를 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 제안된 본 발명의 제 1실시예를 따르면, 기판; 상기 기판의 상면에 형성된 멤브레인층; 상기 멤브레인층의 상면에 형성된 복수개의 공진기; 상기 공진기에 대응하는 위치로 하여 상기 기판상에 형성된 복수개 의 캐비티; 및 상기 캐비티의 내부 영역에 그물 형태로 형성되되, 상기 멤브레인층과 소정의 간격을 두고 떨어지게 형성된 서브월;을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 갖는 듀플렉스 필터가 제공된다.
본 발명의 제 2실시 예를 따르면, 기판상에 멤브레인층을 형성하고; 상기 멤브레인층의 상면에 복수의 공진기를 형성하고; 상기 기판의 하면에 마스크층을 증착한 후 복수개의 메인윈도우 및 서브 윈도우를 패터닝하고; 그리고, 상기 메인윈도우 및 서브윈도우를 따라 상기 기판에 캐비티를 형성함과 아울러서 상기 캐비티 영역에 상기 멤브레인층으로부터 소정간격 떨어지게 서브월을 건식식각에 의해 형성하는 것;를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 갖는 듀플렉스 필터 제조방법이 제공된다.
상기 서브윈도우는 사각형, 원형, 사각형의 모서리부가 라운딩 처리된 형태중 어느 하나로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 메인윈도우는 서로 다른 사이즈로 형성되고, 상기 서브윈도우는 동일한 사이즈로 형성됨이 바람직하다.
상기 서브월이 상기 멤브레인층으로부터 소정 간격 떨어지게 형성되는 것은 상기 건식식각에 의해 발생된 이온이 유전체인 멤브레인층으로부터 반사되어 서브월을 식각하는 현상(노치현상)을 이용할 수 있다.
상기 서브월의 두께는 상기 멤브레인층으로부터 반사되는 이온에 의해 식각되는 양을 고려하여, 상기 멤브레인층으로부터 분리될 수 있는 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 멤브레인층은 상기 건식식각에 의해 식각되지 않는 보호재질로 형성되 는 것이 바람직하며, 예컨대, 상기 멤브레인층은 산화막 또는 메탈층으로 형성될 수 있다.
상기 기판은 실리콘 기판으로 함이 바람직하다.
상기 마스크층은 포토레지스트 또는 산화막으로 하며, 상기 산화막은 열처리에 의하거나 박막증착에 의해 형성하고, 상기 포토레지스트는 스핀코팅에 의해 증착할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명에 일 실시 예에 의한 필름 벌크 공진기가 적용된 대역 필터의 일부를 절단해서 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 필름 벌크 어쿠스틱 공진기(110)를 이용한 대역 필터(100)는 크게 기판(101), 멤브레인층(103), 공진기(110)로 구성된다.
공진기(110)는 전기적 신호를 기계적 신호로 변환하여 진동하는 압전막(111)과, 압전막(111)의 상부에 위치한 상부전극(113)과, 압전막(111)의 하부에 위치한 하부전극(115)으로 구성된다.
멤브레인층(103)은 공진기(110)가 진동 가능하도록 지지하는 층으로서, 캐비티(101a)를 식각하는 과정에서, 캐비티(101a)의 식각 깊이를 정의하는 역할도 함께 수행한다.
기판(101)상에는 공진기(110)가 형성된 대응된 위치로 하여 캐비티(101a)가 형성된다. 이때 캐비티(101a)는 서로 다른 크기로 제작될 수 있다. 여기서, 그 크 기를 달리함은 공진기(110)의 특성에 대응하는 조건을 만들기 위함이다.
캐비티(101a)의 내부 영역에는 그물 형상의 서브월(101b)들이 형성된다. 이때, 서브월(101b)은 그 상단측은 상기 멤브레인층(103)으로부터 소정 간격 떨어지게 형성되어 공진기(110)가 진동할 수 있는 에어갭(G)을 형성한다. 여기서, 서브월(101b)은 캐비티(101a)의 측벽(메인월(101d)을 통해 지지되므로 멤브레인층(103)으로부터 소정 간격 떨어지게 형성될 수 있다. 상술한 서브월(101b)은 보강 역할을 수행 할 수 있다.
다음은 상술한 바와 같이 구성된 필름 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터의 제조과정에 대해서 설명한다.
도 6a 내지 6d는 본 발명에 의한 필름 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터의 제조과정을 도시한 도면들이고, 도 7a 내지 7c는 본 발명에 적용되는 마스크층을 도시한 평면도로서, 서브윈도우의 여러 실시 예를 나타내는 도면들이다.
도 6a를 참조하면, 기판(101)을 제공하고, 기판(101)상에 소정두께의 멤브레인층(103)을 증착한다, 여기서, 기판(101)은 예컨대, 실리콘 기판이 사용되고, 멤브레인층(103)은 공진기(110)가 진동가능하도록 지지하는 역할을 수행함과 아울러서 후술될 캐비티(101a)의 식각 깊이를 정의하는 역할도 함께 수행한다. 따라서, 멤브레인층(103)은 후술될 건식 식각에 의해 식각 되지 않는 보호 재질로 형성됨이 바람직하다, 그 보호 재질은 예컨대, 산화막(SiO2), 또는 메탈층(metal layer)으로 할 수 있다. 산화막은 실리콘 기판을 고온 산화처리(Thermal oxidation)하는 것에 의해 가능하며, 박막증착(deposition)에 의해서도 가능하다. 박막증착은 예컨대, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리기상증착(Physicla Vapor Deposition)이 사용될 수 있다. 한편, 메탈층으로는 크롬(Cr) 또는 알루미늄질화막(AlN)으로 할 수 있으며, 상술한 박막증착, 즉, CVD 또는 PVD에 의할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 멤브레인층의 상면에 공진기(110)를 형성한다. 공진기(110)형성을 위하여 먼저, 도시되지 않은 하부전극층, 압전층, 상부전극층을 차례로 증착한 후 상부전극(113), 압전막(111), 하부전극(115)순으로 패터닝하여 공진기(110)를 완성한다. 이때, 각 공진기(110)의 사이는 배선을 통해 서로 직렬 또는 병렬 상태로 연결되나, 도면에서는 이러한 배선 관계는 도시하지 않았다.
도 6c 및 도 7a 내지 7c를 참조하면, 공진기(110)가 형성된 기판(101)의 하면에 마스크층(107)을 증착한 후 캐비티(101a) 형성을 위한 윈도우(메인윈도우(107a) 및 서브윈도우(107b))를 패터닝한다. 여기서, 마스크층(107)은 산화막(SiO2) 또는 포토레지스트(phtoresist)로 형성된다. 만일 산화막을 마스크층(107)으로 사용할 경우에는 상술한 멤브레인층(103)을 형성하는 단계에서 기판(101)의 상,하면을 함께 처리할 수도 있을 것이다.
여기서, 메인윈도우(107a)는 공진기(110) 특성을 다르게 하기 위하여, 그 크기를 서로 다르게 구성한다. 한편, 서브윈도우(107b)는 메인윈도우(107a)의 내부에 형성된다. 이때, 서브윈도우(107b)는 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이 사각형, 사각형의 모서리를 라운딩처리한 형태, 또는 원형 중 어느 하나로 할 수 있다. 여기서, 건식 식각 특성상 모서리 부분이 식각률이 저하되는 것을 고려한다면, 원형 또는 사각형의 모서리를 라운딩 처리한 형태를 취함이 보다 바람직할 것이다.
상술한 서브윈도우(107b)는 동일한 사이즈로 형성되어 서로 다른 크기의 캐비티(101a)를 제작하더라도 각 캐비티(101a)를 형성하기 위한 식각 조건을 동일하게 한다.
도 6d를 참조하면, 건식 식각 장비, 예컨대, 유도 결합형 플라즈마 식각(ICP)장비를 통해 기판(101)을 상술한 마스크 패턴에 따라 식각하여 캐비티(101a)를 형성하고, 캐비티(101a)의 내부 영역에는 그물 형태의 서브월(101b)을 형성한다. 이때, 서브월(101b)은 노치현상에 따라 그 상측이 식각되어 멤브레인층(103)으로부터 소정의 간격을 두고 떨어지게 형성되어 에어갭(G)을 이룬다. 노치현상은 앞서 설명된 것과 같은 의미이지만 그에 대하여 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 건식 식각의 원리는 진공 챔버 내부의 가스분자에 전기적 에너지가 가해지면 가속된 전자의 충돌로 인하여 분자, 원자의 최 외각 전자가 궤도를 이탈함으로 이온 또는 반응성이 높은 라디칼이 생성된다. 이렇게 생성된 이온, 라디칼은 계속적인 충돌과 전기적 인력에 의해 가속되어 재료 표면에 충돌, 수 ㎛이내의 영역에서 분자 결합을 파괴하여 서브윈도우(107b) 내부에 해당하는 영역을 깎아 내게 된다. 한편, 식각이 계속 진행되어 상술한 이온이 유전체의 역할을 하는 멤브레인층(103)에 부딪혀 반사된다. 이때, 반사되는 이온들 중 일부는 서브월(107b)에 부딪히게 되어 서브월(107b)을 식각하게 된다. 따라서, 서브월(107b)의 상부는 멤브 레인층(103)으로부터 소정간격 떨어지게 형성된다. 여기서, 서브월(103)의 두께는 노치현상을 통해 식각되는 량을 고려하여 그 상부가 멤브레인층(103)으로부터 완전히 분리될 수 있는 두께로 형성함이 바람직하다.
상술한 바와 같이 서브윈도우(107b)를 통해 식각을 실시함에 따라 노치현상이 발생되는 영역을 종래에 비하여 작게 할 수 있다. 따라서, 각 캐비티(101a)간의 간격(D)을 줄일 수 있다.(도 5참조) 또한, 동일한 크기를 갖는 서브윈도우(107b)를 통해 식각함에 따라 각 캐비티(101a)의 식각 조건이 같게 되어 크기가 서로 다른 복수의 캐비티(101a)를 동시에 식각할 때 각 캐비티(101a)를 원하는 사이즈로 제작할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 의한 필름 어쿠스틱 공진기가 적용된 대역 필터 제조 방법에 따르면, 서브윈도우를 통해 동일한 식각 조건으로 식각이 가능하게 되어 서로 다른 크기를 갖는 캐비티를 동시에 식각하더라도 원하는 사이즈로 정확하게 식각할 수 있는 이점이 있다.
또한, 노치현상이 발생되는 영역을 줄일 수 있게 됨에 따라 각 캐비티간의 간격을 줄이게 되어 전체 사이즈를 축소함과 아울러서, 각 공진기를 연결하는 배선길이를 줄일 수 있는 이점이 있다.
이와 같이 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판의 상면에 형성된 멤브레인층;
    상기 멤브레인층의 상면에 형성된 복수개의 공진기;
    상기 공진기에 대응하는 위치로 하여 상기 기판상에 형성된 복수개의 캐비티; 및
    상기 캐비티의 내부 영역에 그물 형태로 형성되되, 상기 멤브레인층과 소정의 간격을 두고 떨어지게 형성된 서브월;을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터.
  2. 기판상에 멤브레인층을 형성하는 단계;
    상기 멤브레인층의 상면에 복수의 공진기를 형성하는 단계;
    상기 기판의 하면에 마스크층을 증착한 후 복수개의 메인윈도우 및 서브 윈도우를 패터닝하는 단계; 및
    상기 메인윈도우 및 서브윈도우를 따라 상기 기판에 캐비티를 형성함과 아울러서 상기 캐비티 영역에 상기 멤브레인층으로부터 소정간격 떨어지게 서브월을 건식식각에 의해 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 서브윈도우는 사각형, 원형, 사각형의 모서리부가 라운딩 처리된 형태중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 필터 제조방법.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 메인윈도우는 서로 다른 사이즈로 형성되고, 상기 서브윈도우는 동일한 사이즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 필터 제조방법.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 서브월이 상기 멤브레인층으로부터 소정 간격 떨어지게 형성되는 것은 상기 건식식각에 의해 발생된 이온이 유전체인 멤브레인층으로부터 반사되어 서브월이 식각되는 현상(노치현상)을 이용하는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 서브월의 두께는 상기 멤브레인층으로부터 반사되는 이온에 의해 식각되는 양을 고려하여, 상기 멤브레인층으로부터 분리될 수 있는 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  7. 제 2항에 있어서, 상기 멤브레인층은 상기 건식식각에 의해 식각되지 않는 보호재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 멤브레인층은 산화막 또는 메탈층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  9. 제 2항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판으로 하는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  10. 제 2항에 있어서, 상기 마스크층은 포토레지스트 또는 산화막으로 하는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 산화막은 고온산화처리에 의하거나 박막증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 포토레지스트는 스핀코팅에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법.
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