KR100614567B1 - 반도체 처리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 연마 강화제로서 아인산 및/또는 아인산염을 포함하는, 반도체 처리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 조성물을 제공한다. 본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 70-99.5 중량%의 수성 매체, 0.1-25 중량%의 연마제, 및 0.01-2 중량%의 연마 강화제(enhancer)를 포함하는 슬러리의 형태로 이루어질 수 있다. 또한, 본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 아미노산, 아미노산염, 카복실산, 카복실산염, 또는 이들 산 및/또는 염의 혼합물로부터 선택된 연마 보조 강화제(co-enhancer)를 포함할 수 있다.
반도체 처리, 슬러리, 연마 조성물, 연마 강화제, 화학-기계적 폴리싱
Description
본 발명은 화학-기계적 연마(abrasive) 조성물에 관한 것이다. 화학-기계적 연마 조성물은 반도체 웨이퍼의 표면을 폴리싱(polishing)하는데 유용하다.
화학-기계적 폴리싱(CMP)은 증착된 박막의 높이차로 인해 집적회로를 제조하기 위한 포토리소그래피 공정 동안의 포커스의 어려움과 관련된 문제점을 해결하기 위해 개발된 평탄화 기술이다. 화학-기계적 폴리싱 기술은 처음에는 0.5 마이크론 정도의 크기를 가진 소자 제조에 적용되었다. 소자의 크기가 감소됨에 따라, 화학-기계적 폴리싱 기술은 더욱 증가된 수의 층들에 적용될 수 있었다. 0.25 마이크론 정도의 소자들이 개발되었을 때까지는, 화학-기계적 폴리싱 기술이 필수적인 주요 평탄화 기술이었다. 일반적으로, 배선 회로를 제조하기 위한 폴리싱 방법은 연마 헤드가 장착된 스피닝 테이블 상에 반도체 웨이퍼를 장착하는 단계와 연마 효율을 향상시키기 위해 연마 입자와 산화제로 이루어진 연마 슬러리를 웨이퍼의 표면에 인가하는 단계를 포함한다.
미국특허 제5,225,034호에는, AgNO3와 고체 연마 입자 및 H2O2, HOCl, KOCl, KMgO4, 또는 CH3COOOH로부터 선택된 산화제로 이루어진 화학-기계적 연마 슬러리가 기재되어 있다. 이 슬러리는 웨이퍼 상에 구리 배선을 제조하기 위해 반도체 웨이퍼 상의 구리층을 폴리싱하기 위해 이용된다.
미국특허 제5,209,816호에는, 화학-기계적 연마 슬러리를 이용하여 알루미늄(Al) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 금속층을 폴리싱하기 위한 방법이 기재되어 있다. 이 연마 슬러리는 고체 연마 물질뿐만 아니라, 약 0.1-20 체적%의 H3PO4와 약 1-30 체적%의 H2O2를 포함하고 있다.
미국특허 제4,959,113호에는, 금속 표면을 폴리싱하기 위해 수성 연마 조성물을 이용하는 방법이 기재되어 있다. 이 수성 연마 조성물은 물과 예를 들어, CeO2, Al2O3, ZrO2, TiO2, SiO2, SiC, SnO2, 또는 TiC와 같은 연마제, 및 그룹 ⅡA, ⅢA, ⅣA 또는 ⅣB의 금속 양이온(cation)과 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 질산염, 황산염, 인산염 또는 과염소산염의 음이온(anion)을 포함하고 있다. 이 특허는 연마 조성물의 pH를 1-6의 범위에 있도록 조절하기 위해 염산, 질산, 인산 또는 황산을 이용하는 것에 관해 기술하고 있다.
미국특허 제5,391,258호에는, 실리콘, 실리카 또는 실리케이트 복합체를 폴리싱하기 위한 연마 조성물이 기재되어 있다. 이 연마 조성물은 연마 입자뿐만 아니라, 과산화수소 및 프탈산수소칼륨(potassium hydrogen phthalate)을 포함하고 있 다.
미국특허 제5,114,437호에는, 0.2-5 ㎛ 크기의 평균 입자를 가진 알루미나 폴리싱 작용제를 포함하는 알루미늄 기판을 위한 폴리싱 조성물과, 질산크롬(Ⅲ), 질산란탄, 질산암모늄세륨(Ⅲ) 및 질산네오디뮴으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 폴리싱 촉진제에 관해 기재되어 있다.
미국특허 제5,084,071호에는, 전자 소자 기판을 위한 화학-기계적 폴리싱 슬러리에 관해 기재되어 있다. 이 폴리싱 슬러리는 1 중량%를 넘지 않는 알루미나, 연마 입자(예, SiO2, CeO2, SiC, Si3N4, Fe2O2 입자), 폴리싱 촉진제로서 사용하기 위한 전이금속 킬레이티드염(transition metal chelated salt)(예, 암모늄철 EDTA), 및 상기 염을 위한 솔벤트를 포함하고 있다.
미국특허 제5,336,542호에는, 알루미나 연마 입자와, 폴리아미노카복실산(polyaminocarboxylic acid)(예, EDTA) 및 그것의 소듐 및 포타슘 염으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 킬레이트 작용제를 포함하는 폴리싱 작용제에 관해 기재되어 있다. 이 조성물은 베오미트(beohmit) 또는 알루미늄 염을 더 포함하고 있다.
미국특허 제5,340,370호에는, 텅스텐 또는 텅스텐 질화막을 위한 화학-기계적 폴리싱 슬러리에 관해 기재되어 있으며, 이 슬러리는 페리시안화물(ferricyanide)과 같은 산화제, 연마제 및 물을 포함하고 있으며, 2와 4사이의 pH를 갖는다.
미국특허 제5,516,346호에는, 티타늄막을 화학-기계적으로 폴리싱하기 위한 슬러리에 관해 기재되어 있으며, 이 슬러리는 상기 티타늄막을 합성하기에 충분한 농도의 포타슘 플루오라이드와 실리카와 같은 연마제를 포함하고 있으며, 8 이하의 pH를 갖는다.
국재공개 WO 96/16436호에는, 0.400 마이크론 이하의 중간 입자 직경을 가진 연마 입자와, 제2철염 산화제(ferric salt oxidant), 및 프로필렌글리콜(propyleneglycol)과 메틸파라벤(methylparaben)의 혼합물의 수성 계면활성제 현탁액을 포함하는 화학-기계적 폴리싱 슬러리에 관해 기재하고 있다.
반도체 처리에 있어서, 보다 경제적이고 높은 폴리싱 성능을 가진 연마 조성물에 대한 필요성이 여전히 존재하고 있다.
본 발명은 연마 강화제로서 아인산 및/또는 아인산염을 포함하는, 반도체 처리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 조성물을 제공한다. 본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 70-99.5 중량%의 수성 매체, 0.1-25 중량%의 연마제, 및 0.01-2 중량%의 연마 강화제(enhancer)를 포함하는 슬러리의 형태로 이루어질 수 있다. 또한, 본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 아미노산, 아미노산염, 카복실산, 카복실산염, 또는 이들 산 및/또는 염의 혼합물로부터 선택된 연마 보조 강화제(co-enhancer)를 포함할 수 있다.
본 발명은 연마 강화제로서 아인산 및/또는 아인산염을 포함하는, 반도체 처 리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 조성물을 제공한다. 본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 70-99.5 중량%의 수성 매체, 0.1-25 중량%, 바람직하게는 0.5-15 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5-8 중량%의 연마제, 및 0.01-2 중량%, 바람직하게는 0.03-1 중량%, 더욱 바람직하게는 0.03-0.5 중량%의 연마 강화제(enhancer)를 포함하는 슬러리의 형태로 이루어질 수 있다. 또한, 본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 아미노산, 아미노산염, 카복실산, 카복실산염, 또는 이들 산 및/또는 염의 혼합물로부터 선택된 연마 보조 강화제(co-enhancer)를 포함할 수 있다.
만일 연마 슬러리에 아인산이 부가되면, 그 연마 슬러리에 의해 달성되는 연마 속도가 향상될 수 있다. 또한, 만일 연마 슬러리가 아미노산 또는 카복실산을 포함하면, 그 연마 슬러리에 의해 달성되는 연마 속도는 더욱 향상될 수 있다. 그러나, 만일 오직 아미노산 또는 카복실산만이 연마 슬러리에 부가되면, 그 연마 슬러리에 의해 달성되는 연마 속도가 향상될 수 없는 것으로 알려졌다. 더욱이, 인산이 갖고 있는 연마 성능보다 아인산이 갖고 있는 연마 성능이 더욱 양호하다는 것을 다음의 실시예로부터 알 수 있다.
본 발명의 연마 조성물에 사용되는 연마제는 SiO2, Al2O3, ZrO2, CeO2, SiC, Fe2O3, TiO2, Si3N4, 또는 이들의 혼합물과 같은, 입자 형태로 된 모든 상업적으로 입수가능한 연마제가 될 수 있다. 이들 연마 입자는 통상적으로 고순도, 높은 표면적 및 좁은 입자 크기 분포도를 가지며, 따라서, 연마 조성물에 연마제로서 사용하기 적합하다.
본 발명에 사용되는 아미노산 또는 카복실산은 글리신, 크레아틴, 알라닌, 포름산, 초산, 프로피온산, 낙산(butyric acid), 발레르산, 헥산산(hexanoic acid), 말론산(malonic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디핀산(adipic acid), 구연산(citric acid), 사과산(malic acid), 주석산(tartaric acid), 또는 수산(oxalic acid)과 같은 상업적으로 이용가능한 것이 될 수 있다.
본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 매체로서 물을 사용할 수 있다. 연마 조성물을 준비하는데 있어, 연마 조성물을 슬러리로 만들기 위해 물, 바람직하게는 통상적인 탈이온수가 사용될 수 있다.
본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 또한, 화학-기계적 연마 조성물에 통상적으로 사용되는 다른 성분도 포함할 수 있는데, 이들 성분이 본 발명의 연마 조성물에 어떠한 역효과도 유발하지 않는 경우에만 그렇다. 그러므로, 본 발명의 화학-기계적 연마 조성물은 선택적으로는, 이 기술분야에 통상적으로 사용되는 산화제를 포함할 수 있으며, 또는 예를 들어, 구리 제조 공정의 경우에, 본 발명의 연마 조성물은 구리가 빠르게 부식되는 것을 방지하기 위해 벤조트리아졸(benzotriazole) 및/또는 그 유도체를 포함할 수 있다.
본 발명의 연마 조성물은 통상적인 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 연마 슬러리는 먼저 물에 연마 입자를 부가하고, 계속해서 연마 입자가 수중에서 완전히 부유할 때까지 높은 전단응력(shear force)으로 혼합물을 휘젓음으로써 준비될 수 있다. 이후에, 슬러리내의 연마 입자들이 원하는 고체 함유량(solid content)으로 나타날 때까지 슬러리에 추가적인 양의 물을 부가한다. 예를 들어, 본 발명에 따 라 준비된 연마 슬러리가 70-99.5 중량%의 탈이온수를 포함하는 경우에, 슬러리의 고체 함유량은 0.5-25 중량%, 바람직하게는 0.5-15 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5-8 중량%의 범위에 있게 된다. 다음에, 그 생성된 슬러리에 전술한 첨가물들이 삽입되고, 슬러리의 pH가 원하는 범위내에 있게 되도록 염기(base)에 의해 조절된다. 예를 들어, 폴리싱될 금속막이 Cu 또는 TaN 막인 경우에, pH는 2.5-7의 범위에 있게 되도록 조절될 수 있다.
이제, 본 발명은 다음의 실시예에 의해 설명되게 되는데, 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다. 이 기술분야에 통상의 지식을 가진 자에 의해 쉽게 이루어질 수 있는 본 발명을 참조한 어떠한 변형 또는 변화도 본 발명의 범위에 속하게 된다.
실시예
연마 테스트
가. 장치: IPEC/Westech 472
나. 조건: 압력: 5psi
배압(back pressure): 1.5psi
온도: 25℃
스핀들 속도: 55rpm
스피닝 테이블 속도: 50rpm
패드 타입: IC 1400
슬러리 유속: 150 ml/min
다. 웨이퍼: Cu막 및 TiN막: 실리콘 밸리 마이크로일렉트로닉스사로부터
상업적으로 입수될 수 있으며, 6인치 실리콘 웨이퍼상에 0.85 ±5% 마이크로미터의 두께를 가진 Cu막 및 TiN막을 PVD 증착
함으로써 얻어짐.
라. 슬러리: 다음 실시예의 각각의 슬러리를 30% H2O2와 9:1의 체적비율로 혼합하고, 그 생성된 혼합물을 균일하게 휘젓음으로써 준비됨.
연마 테스트 절차
연마 테스트 전후에, 두께 측정 수단을 이용하여 폴리싱될 웨이퍼의 두께를 측정해야 한다. 금속막의 면저항은 4-포인트 프로브(4-point probe)를 이용하여 측정한다. 막의 두께는 다음의 방정식에 의해 결정된다.
T×R = 저항 계수
여기서, T는 막 두께(Å)를 나타내고, R은 면저항(Ω/㎠)을 나타낸다. 다양한 금속막에 대해, 저항 계수는 일정하게 된다.
본 발명은 금속막 두께를 판단하기 위해 KLA-Tencor사의 Model RS75를 이용했다. 연마 속도는 다음과 같이 결정된다.
전술한 장치 Model RS75를 이용하여 먼저 금속막 두께 T1을 판단한다. 다음에, 전술한 조건하에서 1분 동안 예시적인 슬러리를 이용하여 막을 폴리싱한다. 이후에, Solid State Equipment Corporation으로부터 상업적으로 입수가능한 Evergreen Model 10X를 이용하여 웨이퍼를 클리닝한다. 그리고, 웨이퍼를 스프레이-건조시킨 이후에, 전술한 장치 Model RS75를 이용하여 금속막 두께 T2를 측정한다. 이 예시적인 슬러리에 대한 금속막의 연마 속도는 T1-T2로 표현된다.
실시예 1
연마 슬러리는 연마제로서 발연된(fumed) 실리카를 이용하여 제조되었다. 그 생성된 슬러리는 다음의 구성을 갖는다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
아인산: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 2
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예1에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
글리신: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 3
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예1에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
아디핀산: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 4
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예1에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
아인산: 0.2 중량%
글리신: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 5
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예1에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
아인산: 0.2 중량%
아디핀산:0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 6
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예1에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
아인산: 0.2 중량%
포름산:0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 7
연마 슬러리는 연마제로서 콜로이드(colloidal) 실리카를 이용하여 제조되었다. 그 생성된 슬러리는 다음의 구성을 갖는다.
콜로이드 실리카: 12.0 중량%
아인산: 0.2 중량%
아디핀산: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 8
연마 슬러리는 연마제로서 발연된 알루미나를 이용하여 제조되었다. 그 생성된 슬러리는 다음의 구성을 갖는다.
발연된 알루미나: 8.0 중량%
아인산: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 9
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예8에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 알루미나: 8.0 중량%
글리신: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 10
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예1에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
인산: 0.2 중량%
글리신: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
실시예 11
다음의 구성을 갖는 연마 슬러리는 실시예1에 설명된 것과 유사한 방식으로 제조되었다.
발연된 실리카: 8.0 중량%
인산: 0.2 중량%
아디핀산: 0.2 중량%
벤조트리아졸: 0.1 중량%
pH 조절용 염기와 탈이온수: 평형
이 생성된 슬러리에 대한 연마 테스트의 결과는 표1에 기입되어 있다.
표 1
전술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 처리에 있어서 보다 경제적이고 높은 폴리싱 성능을 가진 연마 조성물을 제공할 수 있는 효과가 있다.
Claims (15)
- 70-99.5 중량%의 수성 매체;0.1-25 중량%의 연마제; 및0.01-2 중량% 연마 강화제를 포함하며,상기 연마 강화제는 아인산을 포함하는 것을 특징으로 하는반도체 처리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 슬러리.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 연마제는 SiO2, Al2O3, ZrO2, CeO2, SiC, Fe2O3, TiO2, Si3N4, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,아미노산, 아미노산염, 카복실산, 카복실산염, 또는 이들 산과 염 중 어느 하나 이상의 혼합물로부터 선택된 연마 보조 강화제를 더 포함하는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,상기 아미노산은 글리신, 크레아틴 또는 알라닌으로부터 선택되는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 4 항에 있어서,상기 카복실산은 포름산, 초산, 프로피온산, 낙산, 발레르산, 헥산산, 말론산, 글루타르산, 아디핀산, 구연산, 사과산, 주석산, 또는 수산으로부터 선택되는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,트리아졸 화합물과 그 유도체 중 어느 하나 이상을 더 포함하는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,산화제를 더 포함하는화학-기계적 연마 슬러리.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 폴리싱하는 방법에 있어서,상기 방법은,상기 반도체 웨이퍼의 표면에 화학-기계적 연마 슬러리를 인가하는 단계를 포함하고,상기 슬러리는,70-99.5 중량%의 수성 매체;0.1-25 중량%의 연마제; 및아인산과 아인산염 중 어느 하나 이상을 포함하는, 0.01-2 중량%의 연마 강화제를 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 연마제는 SiO2, Al2O3, ZrO2, CeO2, SiC, Fe 2O3, TiO2, Si3N4, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 연마 슬러리는 아미노산, 아미노산염, 카복실산, 카복실산염, 또는 이들 산과 염 중 어느 하나 이상의 혼합물로부터 선택된 연마 보조 강화제를 더 포함하는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 아미노산은 글리신, 크레아틴 또는 알라닌으로부터 선택되는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 카복실산은 포름산, 초산, 프로피온산, 낙산(butyric acid), 발레르산, 헥산산(hexanoic acid), 말론산(malonic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디핀산(adipic acid), 구연산(citric acid), 사과산(malic acid), 주석산(tartaric acid), 또는 수산(oxalic acid)으로부터 선택되는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 슬러리는 트리아졸 화합물과 그 유도체 중 어느 하나 이상을 더 포함하는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 슬러리는 산화제(oxidant)를 더 포함하는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
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Families Citing this family (1)
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09208934A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Showa Denko Kk | 研磨用組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
| WO1998023408A1 (en) * | 1996-11-26 | 1998-06-04 | Cabot Corporation | A composition and slurry useful for metal cmp |
| JPH1180708A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
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| JPH09208934A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Showa Denko Kk | 研磨用組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
| WO1998023408A1 (en) * | 1996-11-26 | 1998-06-04 | Cabot Corporation | A composition and slurry useful for metal cmp |
| JPH1180708A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| KR20010036274A (ko) * | 1999-10-07 | 2001-05-07 | 이터널 케미칼 컴퍼니 리미티드 | 반도체 공정에서 사용하기 위한 화학기계적 연마 조성물 |
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