KR100593741B1

KR100593741B1 - 구리 삼성분계 화합물을 타이층으로 사용한연성회로기판용 적층구조체

Info

Publication number: KR100593741B1
Application number: KR1020040060910A
Authority: KR
Inventors: 조정
Original assignee: 도레이새한 주식회사
Priority date: 2004-08-02
Filing date: 2004-08-02
Publication date: 2006-06-30
Anticipated expiration: 2024-08-02
Also published as: JP2006049894A; KR20060012166A; US20060029819A1

Abstract

본 발명의 연성회로기판용 적층구조체는 베이스 필름 상에 미량의 Zn-V 또는 Zn-Ta 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층을 형성한다.

이때, Zn-V 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층은 Zn 의 성분비율이 V 의 성분비율 보다 높은 것이 좋으며, 바람직하게는 Zn 의 성분비율이 2.5% 를 초과하고 5% 이하이며, V 의 성분비율이 2.5% 미만인 것이 좋다.

또한, Zn-Ta 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층은 Zn 의 성분비율이 Ta 의 성분비율 보다 높은 것이 좋으며, 바람직하게는 Zn 의 성분비율이 2.5% 를 초과하고 5% 이하이며, Ta 의 성분비율이 2.5% 미만인 것이 좋다.

구리화합물, 타이층

Description

구리 삼성분계 화합물을 타이층으로 사용한 연성회로기판용 적층구조체{FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD USING COPPER ALLOY FOR TIE LAYER}

도1 은, 본 발명에 의한 타이층을 폴리이미드 필름 상에 형성시킨 연성회로기판용 적층구조체의 단면도이다.

도2 는, 본 발명에 의한 연성회로기판용 적층구조체의 제조장치 및 그 공정을 간략히 도시한 도면이다.

도3 은, 본 발명에 의한 구리화합물 중 Zn-V 을 함유하는 구리화합물(Copper Alloy Tie 1; 이하, 'CAT1' 이라함) 에서 Zn 과 V 의 성분비율 변화에 따른 접착강도의 변화를 나타낸 그래프이다.

도4 는, 본 발명에 의한 구리화합물 중 Zn-Ta 을 함유하는 구리화합물(Copper Alloy Tie 2; 이하, 'CAT2' 이라함) 에서 Zn 과 Ta 의 성분비율 변화에 따른 접착강도의 변화를 나타낸 그래프이다.

도5 는, 서로 다른 재료를 사용한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체에 150도의 고온을 168시간까지 열처리를 수행하는 때 나타난 폴리이미드 필름과 구리도금층 사이의 접착강도 변화를 그래프로 나타낸 것이다.

도6 은, 본 발명에 의한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체의 도금 결정입자 크기와 다른 재료의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체의 도금 결 정입자 크기를 비교한 도면이다.

본 발명은, 전자제품에 사용되는 연성회로기판에 관한 것으로서, 특히 연성회로기판용 적층구조체에서 구리의 진공 스터링시 발생하는 폴리이미드 필름 내부로의 확산을 방지하고 구리-폴리이미드 필름간의 접착력, 내화학성 및 내열성을 향상시키기 위해 사용되는 타이층(tie layer)에 관한 것이다.

종래의 연성회로기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)에는 동박과 폴리이미드 필름을 접착제로 접착한 기판이 있다. 그 제조방법에 대해서 설명하면, 먼저 동박과 폴리이미드 필름을 각각 준비하고 폴리이미드 필름 위에 변성 에폭시계 접착제를 습식 코팅하여 건조한다. 이때, 두께를 약 10 ~ 15 μm 정도로 유지시키고, 가열된 롤 형태의 라미네이터를 이용하여 동박과 폴리이미드 필름을 합지한다. 이후, 숙성 공정을 거쳐 연성회로기판을 완성하게 된다.

그러나, 전자제품 특히, 휴대폰과 LCD 등의 디스플레이 소자가 소형화되고 또한 고성능을 요구하게 되면서, 이상과 같이 접착제를 사용하여 제조된 연성회로기판용 원판에는 다음과 같은 문제점을 나타내게 되었다. 즉, 소자의 소형화 및 고성능화를 달성하기 위한 고밀도의 회로패턴을 형성하는데 요구되는 가열공정과 습식 화학처리공정(에칭, 도금, 현상 솔더링 등)의 수행 시, 접착제와 동박 및 폴리이미드 필름 사이의 열팽창 계수 차이에 의해 기판의 치수 안정성이 악화되었다. 또한, 화학처리에 의해 접착력이 저하되고, 폴리이미드 필름이 내재하고 있는 흡습성에 대한 저항이 약화되어 기판의 불량율이 높아졌다.

접착제에 의해 기판 품질이 악화되는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 접착제를 사용하지 않고 동박과 폴리이미드 필름을 접합시키는 무접착제 방식의 연성회로 2층 기판에 대한 제조방법이 연구되어 왔다. 지금까지 연구된 연성회로 2층 기판의 제조방법은 크게 캐스팅법과 도금법으로 나눌 수 있다. 캐스팅법은 구리박막 위에 폴리이미드 바니쉬액을 코팅하고 이를 건조 및 경화시킨 후 필름 형태로 가공하는 것이다. 한편, 도금법은 폴리이미드 필름 상에 접착력을 향상시키는 표면 처리를 거친 후, 구리를 서브 μm 정도 진공 코팅하고, 이를 통전층으로 이용하여 전기도금을 함으로써 두께 1 μm 의 극박으로부터 최대 12 μm 두께의 동박을 제조하는 방법이다.

특히, 도금법에서는, 구리를 진공 코팅할 때 폴리이미드 필름 내부로 구리성분이 확산되는 것을 방지하고 구리박막과 폴리이미드 필름 간의 접착력을 향상시키기 위해 타이층(tie layer)을 폴리이미드 필름 상에 진공코팅하는 방법이 사용되기도 한다. 이러한 타이층의 재료로는 Cr, monel(Ni-Cu), Ni-Cr 등이 사용되어져 왔다.

그러나, 전자제품의 계속적인 소형화 및 고성능화가 진행되고, 특히 휴대폰과 LCD 등의 디스플레이 소자는 그 규격이 더욱 복잡하고 조밀하며 높은 성능을 요구하게 되면서, 소자를 구동하는 드라이버 IC 의 숫자와 집적도도 더욱 높아지게 되었다. 이에 따라서, 회로의 패턴 폭도 기존의 150 ~ 200 μm 의 피치에서 현재 는 100 ~ 120 μm 의 피치로 좁아지고 있으며, 앞으로는 100 μm 피치 이하의 고밀도 회로패턴이 요구되리라 예상되고 있다.

그러나, 현재 타이층으로 사용되고 있는 Cr, monel(Ni-Cu), Ni-Cr 등으로 이루어진 타이층으로는, 이러한 고밀도의 회로패턴에서 요구되는 접착력, 내화학성 및 고온에서의 내열성을 충분히 얻을 수가 없으며, 따라서 장래의 고밀도 회로패턴에서 요구되는 더욱 우수한 접착력, 내화학성 및 고온에서의 내열성을 얻을 수 있는 연성회로기판용 적층구조체가 요청되고 있다.

본 발명의 목적은, 장래의 소형화 및 고성능화되는 연성회로기판에서 요구되는 고밀도 회로패턴 형성에 필요한 우수한 접착력, 내화학성 및 내열성을 얻을 수 있는 연성회로기판용 적층구조체를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 연성회로기판에 가해지는 잦은 굴곡에도 회로 불량률이 낮으며 신뢰성이 높은 연성회로기판용 적층구조체를 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은, 고정밀 및 고주파 등의 엄격한 동작 조건에서도 오작동 없는 회로기판으로서 사용될 수 있는 연성회로기판용 적층구조체를 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 연성회로기판용 적층구조체는 베이스 필름 상에 미량의 Zn-V 또는 Zn-Ta 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층을 형성한다.

이로써, 소형화 및 고성능화되는 연성회로기판에서 요구되는 고밀도 회로패턴 형성에 필요한 우수한 접착력, 내화학성 및 내열성을 얻을 수 있으며, 또한 연성회로기판에 가해지는 잦은 굴곡에 의한 회로 불량률이 낮아지게 되어 연성회로기판의 신뢰성이 향상되게 된다.

또한, 베이스 필름은 폴리이미드 필름인 것이 바람직하다.

또한, 타이층은 스퍼터링에 의해 형성되는 것이 좋다.

이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.

도1 은, 본 발명에 의한 타이층을 폴리이미드 필름 상에 형성시킨 연성회로기판용 적층구조체를 나타낸 단면도이다. 본 발명에서는, 타이층으로서 Zn-V 또는 Zn-Ta을 함유하는 구리 삼성분계 화합물을 사용한다. 이하에서는, Zn-V 를 함유하는 구리 삼성분계 화합물을 'CAT1' 이라 하고, Zn-Ta을 함유하는 구리 삼성분계 화합물을 'CAT2' 이라 한다. 도1 에서, CAT 층이라고 한 것은 'CAT1'과 'CAT2'를 포괄하여 나타낸 것이다.

이하에서는, 도2 를 참조하여 도1 에 나타낸 본 발명에 의한 연성회로기판용 적층구조체를 제조하는 방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 도2 는 본 발명에 의한 연성회로기판용 적층구조체의 제조장치 및 그 공정을 간략히 도시한 도면이다.

먼저, 진공챔버 내에, 권출 롤러(2), 메인드럼(3) 및 권취 롤러(4)로 구성된 이송시스템이 장착된다. 또한, 폴리이미드 필름(1)을 예열시키기 위한 적외선 히터(5) 및 필름 가이드 롤러(7,8,9,10)가 설치되며, 폴리이미드 필름(1)이 메인드럼(3)에 접촉해 있는 동안 타이층(tie layer)과 구리통전층을 순차적으로 형성하기 위해 타이층 스퍼터링 캐소드(6a) 및 구리통전층 스퍼터링 캐소드(6b)를 설치한다.

이상과 같은 본 발명에 의한 연성회로기판용 적층구조체의 제조장치의 제조방법에 대해 설명하면, 먼저 폴리이미드 필름(1)이 일정한 권출 장력으로 권출 롤러(2)로부터 권출된다. 이후, 폴리이미드 필름(1)은 필름 가이드 롤러 (7)과 (8) 사이에서 적외선 히터(5)로 가열된다. 이어서, 가열된 폴리이미드 필름(1)은 롤러(8) 주위로 가이드되며, 이후 메인드럼(3)에 접촉해 있는 동안 타이층 스퍼터링 캐소드(6a)에 의해 본 발명에 따른 구리 삼성분계 화합물을 사용한 타이층을 먼저 형성하게 되고, 그 다음으로 구리통전층 스퍼터링 캐소드(6b)에 의해 구리 통전층이 형성되게 된다. 이후, 폴리이미드 필름(1)은 롤러 (9) 및 (10) 으로 가이드되고, 권취 롤러(4)로 일정한 권취 장력으로 권취되게 된다.

도면에 도시되어 있지는 않으나, 이상의 공정을 거친 폴리이미드 필름(1)에는 이후 구리통전층을 이용하여 전기도금을 수행함으로써 구리도금층을 적층시키게 된다.

이상의 실시예에서는, 본 발명에 의한 타이층을 스퍼터링 방법으로 형성하고 있으나, 반드시 스퍼터링을 할 필요는 없으며 증착 등의 다른 형성 방법을 이용할 수도 있다.

또한, 본 발명에 의한 타이층을 폴리이미드 필름 상에 형성하기 전에, 도1 에서 나타낸 바와 같이 폴리이미드 필름을 표면처리 함으로써 접착력을 더욱 향상시킬 수도 있다.

이상과 같은 방법에 의해, 본 발명에 의한 구리화합물 즉, 미량의 Zn-V 또는 Zn-Ta 을 함유하는 구리 삼성분계 화합물을 타이층으로 형성할 수 있다.

이하에서는, 도3 을 참조하여 본 발명에 의한 구리화합물 중 Zn-V 을 함유하는 구리화합물 즉, CAT1 에서 Zn 과 V 의 성분비율 변화에 따른 접착강도의 변화에 대해 설명한다. 도3 은 CAT1 에서 Zn 과 V 의 성분비율 변화에 따른 접착강도의 변화를 나타낸 그래프이다. 여기서, 그래프의 가로축은 열이 가해진 시간을 나타내고, 그래프의 세로축은 그 시간에서 본 발명의 연성회로기판용 적층구조체가 보인 접착강도(kgf/cm) 를 의미하며, 구리(Cu)의 성분비율은 95% 로 일정하다.

접착강도의 변화를 측정하기 위해, CAT1 의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체에 150도의 고온을 1시간 부터 168시간까지 열처리한 후, 폴리이미드 필름과 구리도금층 사이의 접착강도를 측정하는 방식으로 실험하였다.

도3 에서 알 수 있는 바와 같이, V 의 성분비율이 0 으로부터 계속 증가할 수록 접착강도가 증가하다가 Zn : V 의 성분비율이 3 : 2 가 될 때에 가장 높은 접 착강도를 나타내며, V 의 성분비율이 그 이상으로 증가하면 다시 접착강도가 감소하게 된다. 실험결과에 의하면, Zn 의 성분비율이 V 의 성분비율보다 많은 때에 접착강도가 양호하였으며, 바람직하게는 Zn : V 의 비율이 3 : 2 일 때가 가장 양호하였다.

이하, 도4 를 참조하여 본 발명에 의한 구리화합물 중 Zn-Ta 을 함유하는 구리화합물 즉, CAT2 에서 Zn 과 Ta 의 성분비율 변화에 따른 접착강도의 변화에 대해 설명한다. 도4 는 CAT2 에서 Zn 과 Ta 의 성분비율 변화에 따른 접착강도의 변화를 나타낸 그래프이다. 여기서, 그래프의 가로축은 열이 가해진 시간을 나타내고, 그래프의 세로축은 그 시간에서 본 발명의 연성회로기판용 적층구조체가 보인 접착강도(kgf/cm) 를 의미하며, 구리(Cu)의 성분비율은 도3 의 실험에서와 같이 95% 로 일정하다.

CAT1 의 타이층에 대한 접착강도 실험에서와 같이, 접착강도의 변화를 측정하기 위해서 CAT2 의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체에 150도의 고온을 1시간부터 168시간까지 열처리한 후, 폴리이미드 필름과 구리도금층 사이의 접착강도를 측정하는 방식으로 실험하였다.

도4 에서 알 수 있는 바와 같이, Ta 의 성분비율이 0 으로부터 계속 증가할 수록 접착강도가 증가하다가 Zn : Ta 의 성분비율이 4 : 1 이 될 때에 가장 높은 접착강도를 나타내며, Ta 의 성분비율이 그 이상으로 증가하면 다시 접착강도가 감소하게 된다. 실험결과에 의하면, Zn 의 성분비율이 Ta 의 성분비율보다 많은 때에 접착강도가 양호하였고, 바람직하게는 Zn : Ta 의 비율이 4 : 1 일 때가 가장 양호하였다.

이하에서는, 타이층을 사용하지 않은 연성회로기판용 적층구조체(Cu/PI)와, 타이층의 재료로서 monel(Ni-Cu), Ni-Cr 을 각각 사용한 연성회로기판용 적층구조체(Cu/monel/PI, Cu/Ni-Cr/PI), 그리고 본 발명에 의한 구리 삼성분계 화합물인 CAT1 및 CAT2 를 타이층으로서 사용한 연성회로기판용 적층구조체(Cu/CAT1/PI, Cu/CAT2/PI)를 접착력, 내열성, 및 내화학성의 면에서 비교하여 본다.

도5 는, 이상의 서로 다른 재료를 사용한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체에 150도의 고온을 일정시간 가하였을 때에 나타난 폴리이미드 필름과 구리도금층 사이의 접착강도 변화를 그래프로 나타낸 것이다. 여기서, 그래프의 가로축은 열이 가해진 시간을 나타내고, 그래프의 세로축은 그 시간에서 각 연성회로기판용 적층구조체가 보인 접착강도(kgf/cm) 를 의미한다.

도5 에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 열을 가하지 않은 초기에 Cu/CAT1/PI = 0.85 kgf/cm, Cu/CAT2/PI = 0.86 kgf/cm 의 접착강도를 나타내고 있으며, 이는 다른 재료의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체가 나타내고 있는 접착강도 즉, Cu/monel/PI = 0.62 kgf/cm, Cu/Ni-Cr/PI = 0.7 kgf/cm 보다 훨씬 우수하다.

또한, 각 연성회로기판용 적층구조체에 150 시간 이상의 열 부하를 가한 이후에도, 본 발명의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 각각 Cu/CAT1/PI = 0.59 kgf/cm, Cu/CAT2/PI = 0.6 kgf/cm 의 접착강도를 가지고 있어, 다른 재료의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체가 나타내고 있는 접착강도 즉, Cu/monel/PI = 0.12 kgf/cm, Cu/Ni-Cr/PI = 0.45 kgf/cm 보다 훨씬 뛰어남을 알 수 있다.

따라서, 본 발명에 의한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 종래의 연성회로기판용 적층구조체보다 우수한 접착력 및 내열성을 가지고 있음을 알 수 있다.

이하의 표1 은, 서로 다른 재료를 사용한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체의 내화학성을 테스트한 결과를 나타낸 것이다.

항 목	초기접착강도 (Kgf/cm)	내화학처리 후 접착강도 (Kgf/cm)
항 목	초기접착강도 (Kgf/cm)	내염기성	내산성
Cu/PI	0.6	0.1	0.1
Cu/monel/PI	0.62	0.4	0.37
Cu/Ni-Cr/PI	0.7	0.65	0.63
CAT1	0.85	0.81	0.8
CAT2	0.86	0.81	0.8

내화학성 테스트의 방법에 대해서 설명하면, 내염기성 테스트는 각 연성회로기판용 적층구조체를 농도 8% 의 NaOH 에 5분간 디핑(dipping)한 후에 구리도금층과 폴리이미드 필름간의 접착강도를 측정하는 방식으로 수행되었고, 내산성 테스트 는 각 연성회로기판용 적층구조체를 농도 8% 의 HCL 에 5분간 디핑한 후에 구리도금층과 폴리이미드 필름간의 접착강도를 측정하는 방식으로 이루어졌다.

표1 에서 알 수 있는 바와 같이, 내염기성 테스트를 거친 후, 본 발명의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 각각 Cu/CAT1/PI = 0.81 kgf/cm, Cu/CAT2/PI = 0.81 kgf/cm 의 접착강도를 나타내고 있으며, 이는 다른 재료의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체가 갖는 접착강도 즉, Cu/monel/PI = 0.4 kgf/cm, Cu/Ni-Cr/PI = 0.65 kgf/cm 보다 훨씬 우수하다.

또한, 내산성 테스트를 거친 후, 본 발명의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 각각 Cu/CAT1/PI = 0.8 kgf/cm, Cu/CAT2/PI = 0.8 kgf/cm 의 접착강도를 나타내고 있으며, 이는 다른 재료의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체가 갖는 접착강도 즉, Cu/monel/PI = 0.37 kgf/cm, Cu/Ni-Cr/PI = 0.63 kgf/cm 보다 훨씬 우수함을 알 수 있다.

이상의 내화학성 테스트 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 내염기성 및 내산성의 내화학성에서 종래의 연성회로기판용 적층구조체보다 뛰어나다.

이하의 표2 는 각 연성회로기판용 적층구조체에 부품실장을 위한 소더링용 단자도금으로 금도금(Gold plating) 처리를 한 후의 접착강도 변화를 측정한 것이다.

항 목	초기접착강도 (Kgf/cm)	처리후 접착강도 (Kgf/cm)
Cu/PI	0.6	0.1
Cu/monel/PI	0.62	0.45
Cu/Ni-Cr/PI	0.7	0.65
CAT1	0.85	0.81
CAT2	0.86	0.82

연성회로기판용 적층구조체가 전자제품에 사용될 수 있기 위해서는, 이러한 화학도금 후의 접착강도가 초기 접착강도의 90% 이상이어야 한다.

표2 에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는, 도금 후의 접착강도가 각각 Cu/CAT1/PI = 0.81 kgf/cm, Cu/CAT2/PI = 0.82 kgf/cm 를 나타내고 있다. 이는 테스트 통과 기준인 초기 접착강도의 90% 보다 우수한 것은 물론, 다른 재료의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체가 갖는 접착강도 즉, Cu/monel/PI = 0.45 kgf/cm, Cu/Ni-Cr/PI = 0.65 kgf/cm 과 비교해 보아도 훨씬 우수함을 알 수 있다.

따라서, 본 발명에 의한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 금도금(gold plating)을 한 후의 접착 강도에서도 다른 재료의 타이층을 갖는 연성회로기판 보다 뛰어남을 알 수 있다.

도6 은, 본 발명에 의한 구리화합물 중 Zn-V 을 함유하는 구리화합물로 타이 층을 형성한 연성회로기판용 적층구조체의 결정입자 크기와 Ni-Cr 으로 타이층을 형성한 연성회로기판용 적층구조체의 결정입자 크기를 비교한 것이다.

도6 (a)는 Ni-Cr 으로 타이층을 형성한 연성회로기판용 적층구조체를 촬영하여 그 결정입자를 표시한 것이고, 도6 (b)는 본 발명의 Zn-V 을 함유하는 구리화합물로 타이층을 형성한 연성회로기판용 적층구조체를 촬영하여 그 결정입자를 표시한 것이다. 한편, 도6 (c)는 Ni-Cr 으로 타이층을 형성한 연성회로기판용 적층구조체의 결정입자 크기의 분포비율을 나타낸 것이고, 도6 (d)는 본 발명의 Zn-V 을 함유하는 구리화합물로 타이층을 형성한 연성회로기판용 적층구조체의 결정입자 크기의 분포비율을 나타낸 것이다. 여기서, 가로축은 결정입자의 크기를 나타내며 세로축은 분포비율을 의미한다.

도6 (d)에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 의한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체의 결정입자는 1 μm 이하의 크기가 전체의 85% 이상을 차지하고 있다. 반면, Ni-Cr의 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체의 결정입자는, 도6 (c)에서 볼 수 있는 바와 같이, 1 μm 이하의 크기가 전체의 65% 정도이다.

연성회로기판용 적층구조체의 결정입자 크기가 작을수록, 입계의 형성율이 높아 입계가 크랙(crack)의 전파를 흡수하고 늦추는 효과로 인하여 기판의 크랙 전파속도(crack propagation rate)가 낮아지고, 그 결과 연성회로기판에 가해지는 잦은 굴곡에 의한 금속조직의 피로현상으로 발생하는 회로의 단락 및 단선이 단기간에 발생되지 않아 불량률이 낮아지게 되어, 연성회로기판의 신뢰성이 향상되게 된다.

따라서, 본 발명에 의한 타이층을 갖는 연성회로기판은 Ni-Cr의 타이층을 갖는 연성회로기판에 비해 신뢰성이 높음을 알 수 있다.

이상과 같은 본 발명에 의한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는, 전자 제품의 모든 분야 예를 들어, 연성회로기판 뿐만 아니라 TAB, COF 및 BGA 와 같은 결합을 요하는 회로기판에 적용될 수 있다.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.

이상에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 의한 연성회로기판용 적층구조체는 타이층으로서 Zn-V 또는 Zn-Ta을 함유하는 구리 삼성분계 화합물을 사용함으로써, 장래의 소형화 및 고성능화되는 연성회로기판에서 요구되는 고밀도 회로패턴 형성에 필요한 우수한 접착력, 내화학성 및 내열성을 얻을 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 연성회로기판용 적층구조체는 결정입자의 크기가 기존 재료의 연성회로기판용 적층구조체 보다 작기 때문에, 연성회로기판에 가해지는 잦은 굴곡에 의한 금속조직의 피로현상으로 발생하는 회로의 단락 및 단선이 단기간에 발생되지 않아 불량률이 낮아지게 되어, 연성회로기판의 신뢰성이 향상되게 된다.

또한, 본 발명의 타이층은 구리 입자가 폴리이미드 필름 내부로 확산되는 현상을 방지하는 확산 방지막의 역할을 수행하기 때문에, 회로기판으로 사용할 때 중 요시 되는 절연성의 면에서 우수한 성질을 나타내게 되므로, 본 발명에 의한 타이층을 갖는 연성회로기판용 적층구조체는 고정밀 및 고주파 등의 엄격한 동작 조건에서도 오작동 없는 회로기판으로서 사용할 수 있다.

Claims

베이스 필름 상에 타이층을 형성하는 연성회로기판용 적층구조체로서,

상기 타이층은, Zn-V 또는 Zn-Ta 를 함유한 구리화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 연성회로기판용 적층구조체.
제 1 항에 있어서,

상기 Zn-V 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층은, Zn 의 성분비율이 V 의 성분비율 보다 높은 것을 특징으로 하는 연성회로기판용 적층구조체.
제 2 항에 있어서,

상기 Zn-V 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층은, Zn 의 성분비율이 2.5% 를 초과하고 5% 이하이며, V 의 성분비율이 2.5% 미만인 것을 특징으로 하는 연성회로기판용 적층구조체.
제 1 항에 있어서,

상기 Zn-Ta 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층은, Zn 의 성분비율이 Ta 의 성분비율 보다 높은 것을 특징으로 하는 연성회로기판용 적층구조체.
제 4 항에 있어서,

상기 Zn-Ta 를 함유한 구리화합물로 이루어진 타이층은, Zn 의 성분비율이 2.5% 를 초과하고 5% 이하이며, Ta 의 성분비율이 2.5% 미만인 것을 특징으로 하는 연성회로기판용 적층구조체.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 베이스 필름은 폴리이미드 필름인 것을 특징으로 하는 연성회로기판용 적층구조체.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 타이층은 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 연성회로기판용 적층구조체.