KR100587016B1 - 식각 정지막을 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 식각 정지막을 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. Si 기층, 산화물로 된 식각 정지막 및 Si 상층을 순차적으로 형성하고 Si 상층을 식각하여 Si 상층 내에 캐비티를 형성한다. 이렇게 하면, 식각 정지막은 식각되지 않고 Si 상층만 식각되므로 캐비티가 용이하고도 신뢰성 있게 형성될 수 있으며, 거칠기 차이에 의한 접촉 저항 차이를 방지할 수 있다.

발광다이오드, 캐비티, 거칠기, 식각 정지, 산화물

Description

식각 정지막을 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법{LED PACKAGE HAVING ETCHING-STOP LAYER AND FABRICATION METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이다.

도 2는 도 1의 LED 패키지의 변형례의 단면도이다.

도 3a 내지 3h는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지 제조 방법을 설명하는 공정도이다.

도 4a 내지 4j는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지 제조 방법을 설명하는 공정도이다.

<도면의 주요 부분의 부호의 설명>

100, 200: LED 패키지 102, 202: Si 기층

104, 204: 식각 정지층 106, 206: Si 상층

116, 216: LED 칩

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이며, 더 구체적으로는 Si 기층, 산화물로 된 식각 정지막 및 Si 상층을 순차적으로 형성하고 Si 상층을 식각하여 Si 상층 내에 캐비티를 형성함으로써 캐비티가 용이하고도 신뢰성있게 형성될 수 있는 식각 정지막을 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

표면실장형(SMD) 패키지는 통상 식각을 통해 Si 웨이퍼에 캐비티( 또는 그루브)를 형성하여 그 내부에 LED(발광다이오드) 칩을 내장한 다음 밀봉시켜 완성하고 있다.

이와 같은 식각은 Si 웨이퍼의 결정 방향을 이용하여 습식 식각을 실시하며, 식각 시간을 조절하여 캐비티의 깊이를 결정한다. 따라서, 캐비티의 깊이는 정밀 제어가 곤란하며 그 표면 거칠기도 일정하지 않게 된다. 이렇게 되면, 기판의 두께가 일정하지 않으므로 열 저항 값이 달라질 수 있으며 거칠기 차이에 의한 접촉 저항 차이를 유발할 수 있다.

따라서 본 발명은 전술한 종래 기술의 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 Si 기층, 산화물로 된 식각 정지막 및 Si 상층을 순차적으로 형성하고 Si 상층을 식각하여 Si 상층 내에 캐비티를 형성함으로써 캐비티가 용이하 고도 신뢰성있게 형성될 수 있는 식각 정지막을 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 Si 기층; 상기 Si 기층 상에 증착된 식각 정지막; 캐비티를 갖고 상기 식각 정지막 상에 접합된 Si 상층; 상기 캐비티 내에 장착된 발광다이오드 칩; 및 상기 발광다이오드 칩을 외부 전원과 전기적으로 연결하는 단자부를 포함하며, 상기 단자부는 상기 캐비티 내부로부터 상기 식각 정지막과 상기 Si 기층을 관통하여 상기 Si 기층의 밑면에 형성되는 발광다이오드 패키지를 제공하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은

(가) Si 웨이퍼로 기층을 준비하는 단계;

(나) 상기 Si 기층 상에 식각 정지막을 증착하는 단계;

(다) 상기 식각 정지막 위에 Si 웨이퍼로 상층을 형성하는 단계;

(라) 상기 Si 상층을 습식 식각하여 상기 Si 상층 내에 상기 식각 정지막의 일부를 노출시키도록 캐비티를 형성하는 단계;

(마) 상기 노출된 식각 정지막의 일부와 그 하부의 상기 Si 기층을 함께 관통하는 전극용 구멍을 형성하는 단계;

(바) 상기 캐비티로부터 상기 전극용 구멍을 통해 상기 Si 기층 밑면으로 이어진 전원 공급용 단자부를 형성하는 단계;

(사) 상기 단자부와 전기적으로 연결되도록 발광다이오드 칩을 상기 캐비티 내에 장착하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은

(가) Si 웨이퍼로 기층을 준비하는 단계;

(나) 상기 Si 기층 상에 식각 정지막을 증착하는 단계;

(다) 상기 식각 정지막 위에 Si 웨이퍼로 상층을 형성하는 단계;

(라) 상기 Si 상층을 습식 식각하여 상기 Si 상층 내에 상기 식각 정지막의 일부를 노출시키도록 캐비티를 형성하는 단계;

(마) 상기 노출된 식각 정지막의 일부를 관통하는 전극용 구멍을 형성하는 단계;

(바) 상기 캐비티 내벽과 상기 내벽에 인접하게 노출된 상기 식각 정지막 상면 일부에 금속층을 증착하는 단계;

(사) 상기 식각 정지막의 전극용 구멍과 대응하여 상기 Si 기층을 관통하는 전극용 구멍을 형성하는 단계;

(아) 도금 또는 증착과 후속 패터닝을 수행해 상기 캐비티로부터 상기 전극용 구멍을 통해 상기 Si 기층 밑면으로 이어진 전원 공급용 단자부를 형성하는 단계; 및

(자) 상기 단자부와 전기적으로 연결되도록 발광다이오드 칩을 상기 캐비티 내에 장착하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이다. 도 1을 참조하면, LED 패키지(100)는 Si 기층(102), 상기 Si 기층(102) 상에 증착된 식각 정지막(104), 캐비티(108)를 갖고 상기 식각 정지막(104) 상에 접합된 Si 상층(106), 상기 캐비티(108) 내에 장착된 LED 칩(116), 그리고 상기 LED 칩(116)을 외부 전원과 전기적으로 연결하는 단자부를 포함한다. 또한, 상기 Si 상층(106)의 상단에는 상기 캐비티(108)를 밀봉하도록 투명한 커버(122)가 부착된다.

상기 Si 기층(102)은 일정한 두께의 Si 웨이퍼로부터 얻어지며, 식각 정지막(104)은 산화물을 Si 기층(102)상에 일정한 두께로 증착하여 얻는다.

상기 Si 상층(106)은 일정한 두께의 Si 웨이퍼 등을 양극 접합(anodic bonding)에 의해 상기 식각 정지막(104)에 결합하여 얻고, Si 상층(106) 내의 캐비티(108)는 Si 상층(106)을 포토레지스트를 이용해 습식 식각함으로써 형성된다. 이때의 식각액으로는 KOH(칼륨수산화물) 또는 TMAH(테트라메틸암모늄수산화물)을 사용한다.

이 경우, 상기 식각 정지막(104)은 식각되지 않으므로, 캐비티(108)의 바닥 즉 캐비티(108) 내의 식각 정지막(102)의 상면은 평활한 상태를 유지한다. 또한, Si 상층(106)만이 식각되므로 캐비티(108)의 깊이는 Si 상층(106)의 두께에 의해 정해진다. 따라서, 정밀하고도 신뢰성 있게 캐비티(108)를 형성할 수 있다.

캐비티(108) 내부는 통상 수지로 채워지는 종래기술과 달리 기체로 채워질 수 있으며, 비활성 기체로 채워지면 바람직하다. 이와 같이 하면, LED 칩과 수지 사이의 열팽창 계수 차이에 의해 발생할 수 있는 응력 등의 문제를 방지할 수 있다. 이와 달리, 상기 캐비티(108) 내부에 LED 칩(116)과 유사한 열팽창 계수를 갖는 실리콘 등을 충전하여 열팽창 계수 차이에 의한 응력을 완화할 수도 있다.

한편, 단자부는 양극 단자(112)와 음극 단자(114)로 구성되어 LED 칩(116)을 외부 전원과 전기적으로 연결한다. 양극 단자(112)와 음극 단자(114)는 각기 캐비티(108) 내부에 위치한 내부 단자, 식각 정지막(104)과 Si 기층(102)을 관통하는 비아 및 Si 기층(102) 밑면에 부착된 외부 단자로 이루어진다. 한편, 양극 단자(112)는 캐비티(108)의 내벽에 형성된 반사경과 연결된 것으로 도시하였으나, 이 반사경은 양극 단자(112) 대신 음극 단자(114)와 연결되어도 좋다.

이와 같은 양극 또는 음극 단자(112, 114)는 LED 패키지(100)가 장착되는 회로기판(도시 생략)의 히트 싱크에 연결되어 LED 칩(116)에서 발생하는 열을 히트 싱크로 빼낼 수 있게 된다. 이때, 내부 단자가 각기 평활한 식각 정지막(104)에 부착되므로 이들 사이의 열 저항 및 접촉 저항을 크게 감소시킬 수 있다.

또한, 양극 단자(112)의 내부 단자는 캐비티(108)의 측벽을 덮도록 형성되어 LED 칩(116)에서 발생한 빛을 상측으로 안내한다.

LED 칩(116)은 플립 칩 방식으로 캐비티(108) 내부에 장착되어, 양극(118)이 솔더 범프 등에 의해 단자부의 양극 단자(112)와 연결되고 음극(120)이 역시 솔더 범프 등에 의해 음극 단자(114)와 연결된다.

또한, 비록 도시하지는 않았지만, Si 기층(102)의 양극 및 음극 단자(112, 114) 사이에 절연벽을 형성하면 Si 기층(102)을 통해 이들 단자(112, 114) 사이에 전류가 도통할 가능성을 없앨 수 있다.

한편, 상기 Si 상층(106)의 상단에 부착된 밀봉용 커버(122)는 프레넬 글래스(fresnel glass)와 같은 평면광학소자로 구성될 수 있다. 이렇게 하면, LED chip(116)에 발생한 빛을 좀더 LED 패키지(100)의 전방으로 유도할 수 있다.

이와 같은 구성의 LED 패키지(100)에서, 식각 정지막(104)을 사용함으로써, 캐비티(108)를 정밀하고도 신뢰성 있게 형성할 수 있다. 또한, 양극 및 음극 단자(118, 120)의 내부 단자와 식각 정지막(104) 사이의 열 저항 및 접촉 저항을 크게 감소시킬 수 있다.

도 2는 도 1의 LED 패키지의 변형례의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 도 2의 LED 패키지(200)는 LED 칩(216)이 와이어 본딩 방식에 의해 캐비티(206) 내부에 장착된 것을 제외하고는 도 1의 LED 패키지(100)와 실질적으로 동일하다. 따라서, LED 칩(216)의 양극 및 음극(218, 220)은 한 쌍의 와이어(W)에 의해 양극 및 음극 단자(212, 214)의 내부 단자에 각기 전기적으로 연결된다. 나머지 구성은 도 1의 구성과 동일하므로 그 설명을 생략하며 대응 구성요소는 각기 200대의 도면부호로 표시하였다.

도 3a 내지 3h는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지 제조 방법을 설명하는 공정도이다.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 일정한 Si 웨이퍼를 준비하여 Si 기층(102)을 형성한다.

이어, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 Si 기층(102) 상에 식각 정지막(104)을 일정한 두께로 증착한다. 식각 정지막(102)은 산화물로 이루어지며, 후속하는 식각 작업에서 식각 마스크의 기능을 수행한다.

그런 다음, 도 3c에 도시한 바와 같이, 일정한 두께의 Si 웨이퍼를 상기 식각 정지막(104)에 결합하여 Si 상층(106)을 형성한다. 이때, Si 상층(106)은 양극 접합(anodic bonding) 등에 의해 식각 정지막(104)에 결합된다.

이어, 도 3d에 도시한 바와 같이 Si 상층(106) 상에 일정한 패턴(132)을 갖는 포토레지스트(130)를 부착하고 식각을 실시한다. 이때, 상기 포토레지스트(130)의 패턴(132)은 식각 작업을 통해 원하는 캐비티(108)를 얻기 위한 형상을 갖는다. 식각 작업은 KOH(칼륨수산화물) 또는 TMAH(테트랄메틸암모늄수산화물)을 사용하여 수행한다.

이렇게 하면, Si 상층(106)은 패턴(132)의 개구를 통해 식각되지만 식각 정지막(104)은 식각되지 않고 식각 마스크 기능을 수행하므로 Si 상층(106)의 선택적인 식각에 의해 도 3e에 도시한 것과 같은 캐비티(108)가 형성되며, 캐비티(108)를 통해 식각 정지막(104)의 일부가 상측으로 노출된다.

이와 같이 형성된 캐비티(108)의 바닥면 즉 식각 정지막(104)의 노출된 상면은 종래의 캐비티 바닥면과 달리 표면 거칠기가 일정하고 그에 따라 접촉 저항이 감소된다. 또한, 캐비티(108)의 깊이를 정밀 제어할 수 있으므로 최종 제품에서 Si 기층(102)의 두께가 일정하여 열 저항 값이 일정하게 된다.

이어서, 식각을 통해 식각 정지막(104)과 Si 기층(102)을 관통하는 통공(110)을 도 3f와 같이 형성한다. 통공(110)을 형성하는 세부 단계는 다음과 같다.

먼저, 캐비티(108) 내에 노출된 식각 정지막(104)에 포토레지스트를 코팅하고 HF로 식각을 수행해 식각 정지막(104)에 상부 통공을 형성한다. 이어, Si 기층(102)의 밑면에 포토레지스트를 코팅하고 플라즈마(plasma)로 Si 기층(102)을 식각하여 상기 식각 정지막(102)의 상부 통공과 이어진 하부 통공을 형성하여 상기 통공(110)을 완성한다.

그런 다음, 도금틀(도시 생략)을 준비하고, 캐비티(108) 내부와 Si 기층(102) 밑면 및 통공(110)을 도금 및/또는 증착하고 패터닝 및/또는 레이저 처리하여 도 3g에 도시한 바와 같이 양극 단자(112) 및 음극 단자(114)를 형성한다.

이어, 도 3h에 도시한 바와 같이, 준비한 LED 칩(116)을 양극(118)이 양극 단자(112)와 연결되고 음극(120)이 음극 단자(114)와 연결되도록 캐비티(108) 내부에 장착한다.

그런 다음, 캐비티(108) 내부에 기체 바람직하게는 비활성 기체를 채우고 커버(122) 바람직하게는 평면광학소자인 커버(122)를 Si 상층(106)의 상단에 부착하여 도 1에 도시한 것과 같은 LED 패키지(100)를 완성한다. 또는, 캐비티(108) 내부에 LED 칩(116)과 유사한 열 팽창 계수를 갖는 실리콘 등을 채울 수도 있다.

이와 달리, 도 3h의 단계에서 LED 칩을 와이어 본딩 방식으로 장착하여 도 2의 LED 패키지(200)를 얻을 수도 있다.

또한, 선택적으로, Si 기층(102)에 하부 통공을 형성할 때 기층 중앙에 절연벽용 통공을 형성하고, 추후 절연체로 채워 절연벽을 형성하면 Si 기층(102)을 통해 양극 및 음극 단자(112, 114) 사이에 전류가 도통할 가능성을 없앨 수 있다.

도 4a 내지 4j는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지 제조 방법을 설명하는 공정 단면도이다.

먼저, 도 4a 내지 4e의 단계는 전술한 도 3a 내지 3e의 단계와 동일하므로 전술한 것을 원용한다.

이어, 도 4f에 도시한 바와 같이, 캐비티(108) 내에 노출된 식각 방지막(104)에 포토레지스트(도시 생략)를 코팅하고 HF로 식각을 수행해 원하는 통공(110, 도 4h 참조)의 일부가 될 상부 통공(110a)을 식각 방지막(104)에 형성한다.

이어, 도 4g에 도시한 바와 같이 캐비티(108)의 측벽 및 이에 인접한 바닥부에 금속 전도층(112a)을 형성한다. 이 금속 전도층(112a)은 후속 작업에서 시드층(seed layer) 역할을 하며 완성 제품에서는 반사경 및 내부 단자 기능을 수행하게 된다.

이어서, Si 기층(102)의 밑면에 포토레지스트를 코팅하고 플라즈마로 Si 기층(102)을 식각하여, 도 4h에 도시한 바와 같이 상기 식각 정지막(102)의 상부 통공(110a)과 이어진 하부 통공(110b)을 형성하여 상기 통공(110)을 완성한다.

그런 다음, 도 4i에 도시한 바와 같이 양극 및 음극 단자(112, 114)를 형성한다. 양극 및 음극 단자(112, 114) 형성 단계는 다음과 같다.

먼저, 통공(110) 내부에 질화막 또는 산화막을 증착시킨 다음 Si 기층(102) 에 도금틀(도시 생략)을 설치하고 금속 전도층(112a)을 시드층으로 사용하여 도금한다. 이어, 도금틀을 제거하고, 금속 전도층(112a)을 비롯한 Si 상층(106) 표면의 도금층을 보호하기 위한 보호층(도시 생략)을 형성하며, Si 기층(102)의 밑면을 평탄화한 다음 전도층을 증착한다. 이어 패터닝 작업 등을 통해 양극 및 음극 단자(112, 114)를 완성한다. 이어, 보호층을 제거하고, 레이저 처리 등을 통해 음극 단자(114)를 반사경이 되는 금속 전도층(112a)과 분리한다.

후속하는 도 4j의 단계는 도 3h의 단계와 동일하며, 이후의 공정을 통해 도 1에 도시한 LED 패키지(100)를 얻게 된다.

이와 달리, 도 4j의 단계에서 LED 칩을 와이어 본딩 방식으로 장착하여 도 2의 LED 패키지(200)를 얻을 수도 있다.

한편, 하부 통공(110b)을 형성할 때, 이들 하부 통공(110b) 사이의 기층(102)의 중앙에 절연벽용 통공을 형성하고, 추후 절연체로 채워 절연벽을 형성하면 Si 기층(102)을 통해 양극 및 음극 단자(112, 114) 사이에 전류가 도통할 가능성을 없앨 수 있다.

전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, Si 기층, 산화물로 된 식각 정지막 및 Si 상층을 순차적으로 형성하고 Si 상층을 식각하여 Si 상층 내에 캐비티를 형성함으로써, 캐비티가 용이하고도 신뢰성있게 형성될 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기 술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경할 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (19)

1. Si 기층;

   상기 Si 기층 상에 증착된 식각 정지막;

   캐비티를 갖고 상기 식각 정지막 상에 접합된 Si 상층;

   상기 캐비티 내에 장착된 발광다이오드 칩; 및

   상기 발광다이오드 칩을 외부 전원과 전기적으로 연결하는 단자부를 포함하며, 상기 단자부는 상기 캐비티 내부로부터 상기 식각 정지막과 상기 Si 기층을 관통하여 상기 Si 기층의 밑면에 형성되는 발광다이오드 패키지.
2. 제1항에 있어서, 상기 캐비티를 밀봉하도록 상기 Si 상층 상단에 결합된 투명한 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
3. 제2항에 있어서, 상기 캐비티 내부는 기체로 채워지며, 상기 커버는 평면광학소자인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
4. 제3항에 있어서, 상기 기체는 비활성 기체인 것을 특징으로 하는 발광다이오 드 패키지.
5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 식각 정지막은 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
6. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 Si 상층은 상기 식각 정지막에 양극 접합에 의해 결합된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
7. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 Si 기층 내에 상기 단자부의 상기 Si 기층을 관통하는 부분들 사이에 형성된 절연벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
8. (가) Si 웨이퍼로 기층을 준비하는 단계;

   (나) 상기 Si 기층 상에 식각 정지막을 증착하는 단계;

   (다) 상기 식각 정지막 위에 Si 웨이퍼로 상층을 형성하는 단계;

   (라) 상기 Si 상층을 습식 식각하여 상기 Si 상층 내에 상기 식각 정지막의 일부를 노출시키도록 캐비티를 형성하는 단계;

   (마) 상기 노출된 식각 정지막의 일부와 그 하부의 상기 Si 기층을 함께 관통하는 전극용 구멍을 형성하는 단계;

   (바) 상기 캐비티로부터 상기 전극용 구멍을 통해 상기 Si 기층 밑면으로 이어진 전원 공급용 단자부를 형성하는 단계;

   (사) 상기 단자부와 전기적으로 연결되도록 발광다이오드 칩을 상기 캐비티 내에 장착하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 (마) 단계는 HF를 사용하여 식각 정지막을 식각하고 플라즈마(plasma)을 사용하여 Si 기층을 식각하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 (바) 단계는 도금과 증착 중의 적어도 하나를 수행해 상기 캐비티로부터 상기 전극용 구멍을 통해 상기 Si 기층 밑면으로 이어진 금속층을 형성하고 이를 패터닝하여 상기 단자부를 얻는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
11. 제8항에 있어서, (아) 상기 (사) 단계 이후 평면광학소자의 커버를 상기 Si 상층의 상단에 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
12. (가) Si 웨이퍼로 기층을 준비하는 단계;

    (나) 상기 Si 기층 상에 식각 정지막을 증착하는 단계;

    (다) 상기 식각 정지막 위에 Si 웨이퍼로 상층을 형성하는 단계;

    (라) 상기 Si 상층을 습식 식각하여 상기 Si 상층 내에 상기 식각 정지막의 일부를 노출시키도록 캐비티를 형성하는 단계;

    (마) 상기 노출된 식각 정지막의 일부를 관통하는 전극용 구멍을 형성하는 단계;

    (바) 상기 캐비티 내벽과 상기 내벽에 인접하게 노출된 상기 식각 정지막 상면 일부에 금속층을 증착하는 단계;

    (사) 상기 식각 정지막의 전극용 구멍과 대응하여 상기 Si 기층을 관통하는 전극용 구멍을 형성하는 단계;

    (아) 도금 또는 증착과 후속 패터닝을 통해 상기 캐비티로부터 상기 전극용 구멍을 통해 상기 Si 기층 밑면으로 이어진 전원 공급용 단자부를 형성하는 단계; 및

    (자) 상기 단자부와 전기적으로 연결되도록 발광다이오드 칩을 상기 캐비티 내에 장착하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 (마) 단계는 HF를 사용하여 식각 정지막을 식각하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
14. 제12항에 있어서, 상기 (라) 단계는 식각을 위해 KOH(칼륨수산화물) 또는 TMAH(테트라메틸암모늄수산화물)을 사용하고, 상기 (사) 단계는 식각을 위해 플라즈마(plasma)를 사용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
15. 제12항에 있어서, 상기 (아) 단계는 도금과 증착 중의 적어도 하나를 수행해 상기 캐비티로부터 상기 전극용 구멍을 통해 상기 Si 기층 밑면으로 이어진 금속층을 형성하고 이를 패터닝하여 상기 단자부를 얻는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
16. 제12항에 있어서, (차) 상기 (자) 단계 이후 평면광학소자의 커버를 상기 Si 상층의 상단에 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패 키지 제조 방법.
17. 제11항 또는 제16항에 있어서, 상기 캐비티 내에는 비활성 기체가 채워지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
18. 제8항 또는 제12항에 있어서, 상기 식각 정지막은 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
19. 제8항 또는 제12항에 있어서, 상기 Si 상층은 양극 접합에 의해 상기 식각 정지막에 결합되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.

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