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KR100585032B1 - Electrode structure and manufacturing method of plasma processing apparatus - Google Patents

Electrode structure and manufacturing method of plasma processing apparatus Download PDF

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KR100585032B1
KR100585032B1 KR1020030093791A KR20030093791A KR100585032B1 KR 100585032 B1 KR100585032 B1 KR 100585032B1 KR 1020030093791 A KR1020030093791 A KR 1020030093791A KR 20030093791 A KR20030093791 A KR 20030093791A KR 100585032 B1 KR100585032 B1 KR 100585032B1
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metal layer
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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 설치되는 전극의 구조 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전극 모재와 절연층 사이에 금속층을 더 형성시킴으로써 고주파 전력의 손실을 방지하고 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있는 플라즈마 처리장치의 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a structure and a manufacturing method of an electrode installed in the plasma processing apparatus, and more particularly, by forming a metal layer between the electrode base material and the insulating layer to prevent the loss of high-frequency power and to form a uniform plasma An electrode of a plasma processing apparatus and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극은, 모재; 상기 모재 상부에 형성되는 금속층; 및 상기 금속층 상부에 형성되는 절연층; 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Electrode of the plasma processing apparatus according to the present invention, the base material; A metal layer formed on the base material; And an insulating layer formed on the metal layer. Characterized in that comprises a.

또한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극 제조방법은, 모재를 가공하여 전극 몸체를 형성시키는 모재가공단계; 상기 모재 상부에 금속층을 형성시키는 금속층 형성단계; 및 상기 금속층 상부에 절연층을 형성시키는 절연층 형성단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the electrode manufacturing method of the plasma processing apparatus according to the present invention, the base material processing step of forming the electrode body by processing the base material; A metal layer forming step of forming a metal layer on the base material; And an insulating layer forming step of forming an insulating layer on the metal layer. Characterized in that it comprises a.

플라즈마, 플라즈마 처리장치, 전극, 금속층, 절연층, 표면효과Plasma, plasma processing device, electrode, metal layer, insulation layer, surface effect

Description

플라즈마 처리장치의 전극구조 및 제조방법{Electrode of plasma processing apparatus and manufacturing method thereof}Electrode structure and manufacturing method of plasma processing apparatus

도 1은 플라즈마 처리장치내에 상부전극 및 하부전극이 설치된 구조를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a structure in which an upper electrode and a lower electrode are provided in a plasma processing apparatus.

도 2는 종래의 플라즈마 처리장치내에 구비되는 전극의 구조를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing the structure of an electrode provided in the conventional plasma processing apparatus.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 전극의 구조를 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing the structure of an electrode according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 전극의 구조를 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing the structure of an electrode according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극 제조방법에 대한 공정순서를 나타내는 공정도이다. 5 is a process chart showing a process procedure for the electrode manufacturing method of the plasma processing apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 ><Explanation of Signs of Major Parts of Drawings>

100 : 플라즈마 처리장치 110 : 상부 전극100: plasma processing apparatus 110: upper electrode

120 : 하부 전극 210 : 종래 전극의 모재120: lower electrode 210: the base material of the conventional electrode

220 : 종래 전극의 절연층 310 : 본 발명의 모재220: insulating layer of a conventional electrode 310: the base material of the present invention

320 : 본 발명의 절연층 330 : 본 발명의 금속층320: insulating layer of the present invention 330: metal layer of the present invention

340 : 본 발명의 접합물질340: bonding material of the present invention

본 발명은 플라즈마 처리장치에 설치되는 전극의 구조 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전극 모재와 절연층 사이의 전영역에 금속층을 더 형성시키거나 전극 모재와 절연층 사이에 특정한 형상으로 금소측을 형성시킴으로써 고주파 전력의 손실을 방지하고 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있는 플라즈마 처리장치의 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a structure and a manufacturing method of an electrode installed in a plasma processing apparatus, and more particularly, to form a metal layer in the entire region between the electrode base material and the insulating layer or to provide a specific shape between the electrode base material and the insulating layer. The present invention relates to an electrode of a plasma processing apparatus capable of preventing loss of high frequency power and forming a uniform plasma by forming a side thereof, and a method of manufacturing the same.

대직경의 반도체 웨이퍼 또는 대면적의 평판디스플레이 제작에 있어서, 기판을 에칭하거나 기판상에 어떤 대상물들을 증착하기 위해, 플라즈마 처리장치가 유용하게 사용되고 있다. 이러한 플라즈마 처리장치에는 스퍼터 에칭, RIE(Reactive Ion Etching), 및 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등이 포함된다. BACKGROUND In the manufacture of large diameter semiconductor wafers or large area flat panel displays, plasma processing apparatuses are usefully used to etch a substrate or to deposit certain objects on the substrate. Such plasma processing apparatus includes sputter etching, reactive ion etching (RIE), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and the like.

일반적으로 이러한 플라즈마 처리가 이루어지는 진공 상태의 처리장치내의 전극에 파워를 인가하는 전원으로 RF(Radio Frequency)가 사용되며, 이 RF 소오스와 파워가 인가된 전극과의 효율적인 커플링을 위해 매치박스가 사용되기도 한다. In general, RF (Radio Frequency) is used as a power source for applying power to an electrode in a vacuum processing apparatus in which a plasma treatment is performed, and a match box is used for efficient coupling between the RF source and a powered electrode. Sometimes.

도 1은 플라즈마 처리장치내(100)에 상부전극(110) 및 하부전극(120)이 설치된 구조를 나타내는 단면도이다. 이때 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 상부전극(110)은 RF전원에 연결되고, 상기 하부전극(120)은 접지된 상태로 설치되는 것이 일반적이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure in which an upper electrode 110 and a lower electrode 120 are installed in a plasma processing apparatus 100. In this case, as shown in FIG. 1, the upper electrode 110 is connected to an RF power source, and the lower electrode 120 is generally installed in a grounded state.

도 2는 상기 플라즈마 처리장치(100) 내에 설치되는 상부전극(110) 및 하부 전극(120)에 설치되는 전극의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이 종래의 전극은 전극의 몸체를 이루는 모재(210)가 형성되고 그 모재(210)의 상부면에 절연층(220)이 형성된 구조를 가진다. 이때, 상기 모재(210)는 알루미늄(Al)을 기계적으로 가공하여 형성되는 것이 일반적이고, 상기 모재(210)의 상부면에 절연층(220)이 형성된다. 2 is a cross-sectional view illustrating a structure of an electrode provided in the upper electrode 110 and the lower electrode 120 installed in the plasma processing apparatus 100. As shown in FIG. 2, the conventional electrode has a structure in which a base material 210 constituting the body of the electrode is formed and an insulating layer 220 is formed on an upper surface of the base material 210. At this time, the base material 210 is generally formed by mechanically processing aluminum (Al), the insulating layer 220 is formed on the upper surface of the base material 210.

그런데 상기 모재(210)로 사용되는 알루미늄은 도 2에 도시된 바와 같이, 경도가 약해서 기계적 가공에 의하여 형성되는 모재(210)의 표면이 매우 거칠게 형성된다. 즉, 1.6 ~ 0.8㎛ 크기의 돌출부분이 상기 모재의 표면에 무수하게 형성되어 있는 것이다. 따라서 도체의 표면을 통하여 흐르는 고주파 전력의 특성상 도체의 표면이 엉성하거나 불균일할 경우 고주파 전력 전달에 많은 영향을 미치고, 그 전달과정에서 많은 고주파 전력의 손실이 발생한다. 또한 상기 고주파 전력의 전달과정에서 손실된 전력은 열에너지로 전환되어 전극의 온도를 상승시키게 된다. By the way, the aluminum used as the base material 210, as shown in Figure 2, the hardness is so weak that the surface of the base material 210 formed by mechanical processing is formed very rough. That is, the protruding portion of 1.6 to 0.8㎛ size is formed on the surface of the base material. Therefore, if the surface of the conductor is sloppy or uneven due to the characteristics of the high frequency power flowing through the surface of the conductor, it has a great influence on the high frequency power transfer, and a lot of high frequency power is lost in the transfer process. In addition, the power lost during the transmission of the high frequency power is converted into thermal energy to increase the temperature of the electrode.

그러므로 종래의 전극에서는 고주파 전력의 손실이 발생하는 문제점과 이로 인한 전극 온도 상승의 문제점 및 온도 상승에 의해서 전극이 손상되는 문제점이 있다. Therefore, in the conventional electrode, there is a problem that a loss of high frequency power occurs, a problem of electrode temperature rise and a damage of the electrode by the temperature rise.

더구나 최근에는 플라즈마 처리장치에 의하여 처리되는 기판이 대형화되면서 플라즈마 처리장치내에서 형성되는 플라즈마의 밀도가 균일하지 못하여 기판의 각 부분에 따라서 처리되는 정도가 달라지는 문제점이 있는데, 종래의 전극에서는 고주파 전력의 인가 자체가 균일하지 않아서 균일한 플라즈마가 형성되지 못하고, 또한 전극의 면적이 넓어지면서 전극의 중앙 부분과 측면(Edge) 부분에서 형성되는 플라즈마의 균일도 차이가 증가하므로 처리되는 기판의 식각 또는 증착이 일정하지 못한 문제점이 있다. Moreover, in recent years, as the substrate processed by the plasma processing apparatus is enlarged, the density of the plasma formed in the plasma processing apparatus is not uniform. Since the application itself is not uniform, a uniform plasma is not formed, and as the area of the electrode becomes wider, the difference in uniformity of plasma formed in the center portion and the edge portion of the electrode increases, so that the etching or deposition of the processed substrate is constant. There is a problem that could not be.

본 발명의 목적은 고주파 전력의 손실을 방지할 수 있는 플라즈마 처리장치의 전극을 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide an electrode of a plasma processing apparatus capable of preventing the loss of high frequency power.

본 발명의 다른 목적은 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있는 플라즈마 처리장치의 전극을 제공하는데 있다. Another object of the present invention is to provide an electrode of a plasma processing apparatus capable of forming a uniform plasma.

본 발명의 또 다른 목적은 선택적인 플라즈마 밀도의 향상과 효율 향상이 가능한 플라즈마 처리장치의 전극을 제공하는데 있다. Still another object of the present invention is to provide an electrode of a plasma processing apparatus capable of selectively improving plasma density and improving efficiency.

본 발명의 또 다른 목적은 고주파 전력의 손실을 방지하고, 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있는 플라즈마 처리장치의 전극 제조방법을 제공함에 있다. Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electrode of a plasma processing apparatus, which can prevent loss of high frequency power and form a uniform plasma.

상술한 목적은 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극은, 모재; 상기 모재 상부에 형성되는 금속층; 및 상기 금속층 상부에 형성되는 절연층; 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The electrode of the plasma processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the base material; A metal layer formed on the base material; And an insulating layer formed on the metal layer. Characterized in that comprises a.

또한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극 제조방법은, 모재를 가공하여 전극 몸체를 형성시키는 모재가공단계; 상기 모재 상부에 금속층을 형성시키는 금속층 형성단계; 및 상기 금속층 상부에 절연층을 형성시키는 절연층 형성단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the electrode manufacturing method of the plasma processing apparatus according to the present invention, the base material processing step of forming the electrode body by processing the base material; A metal layer forming step of forming a metal layer on the base material; And an insulating layer forming step of forming an insulating layer on the metal layer. Characterized in that it comprises a.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성, 작용 및 실시예를 상세하게 설명한다. 후술하는 내용에 의하면 본 발명의 구성 및 작용을 보다 명확하게 이해할 수 있을 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration, operation and embodiment of the present invention. According to the following description, the configuration and operation of the present invention will be more clearly understood.

먼저 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극은 도 3에 도시된 바와 같이, 모재(310), 금속층(330) 및 절연층(320)으로 형성된다. First, as shown in FIG. 3, the electrode of the plasma processing apparatus according to the present invention is formed of the base material 310, the metal layer 330, and the insulating layer 320.

이때 상기 모재(310)는 전극 자체의 몸체를 이루는 것으로서, 평판디스플레이 기판의 제조에 사용되는 플라즈마 처리장치에 있어서는 일반적으로 직사각형 형상으로 형성된다. 상기 모재(310)는 고주파 전력이 인가될 수 있도록 전기 전도성이 있는 금속으로 형성되는데 일반적으로는 알루미늄 합금(Al-alloy)으로 형성된다. 즉, 상기 알루미늄 합금을 기계적인 가공방법을 사용하여 그 표면을 평평하게 가공하여 직사각형 형상의 모재를 형성시키는 것이다. In this case, the base material 310 forms a body of the electrode itself, and is generally formed in a rectangular shape in a plasma processing apparatus used for manufacturing a flat panel display substrate. The base material 310 is formed of an electrically conductive metal so that high frequency power can be applied, and is generally formed of an aluminum alloy (Al-alloy). In other words, the aluminum alloy is processed into a flat surface by using a mechanical processing method to form a rectangular base material.

그리고 상기 금속층(330)은 상기 모재(310)의 상부면에 형성된다. 이때 상기 금속층(330)은 상기 모재(310)로 사용된 금속보다 전기 전도성이 우수한 금속인 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 구리(Cu) 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 모재(310)보다 전기 전도성이 우수한 금속의 층을 상기 모재(310)의 상부면에 형성시킴으로써 고주파 전력이 용이하게 통과할 수 있는 통로를 형성시키는 것이다. 상기 모재(310)는 그 표면을 기계적으로 가공하기 때문에 표면이 거칠게 가공될 수 밖에 없는 반면에, 상기 금속층(330)은 코팅 방법으로 형 성되므로 그 표면이 상기 모재(310)보다 매우 평평하고 매끈하게 형성된다. 따라서 표면을 통하여 전달되는 고주파 전력의 손실없이 고주파 전력을 인가할 수 있는 장점이 있다. The metal layer 330 is formed on the upper surface of the base material 310. In this case, the metal layer 330 is any one of gold (Au), silver (Ag), nickel (Ni), chromium (Cr), and copper (Cu), which are metals having better electrical conductivity than the metal used as the base material 310. Preference is given to using. That is, by forming a layer of a metal having better electrical conductivity than the base material 310 on the upper surface of the base material 310 to form a passage through which high frequency power can easily pass. Since the base material 310 mechanically processes the surface thereof, the surface is inevitably processed, whereas the metal layer 330 is formed by a coating method, and thus the surface thereof is much flatter and smoother than the base material 310. Is formed. Therefore, there is an advantage that can be applied to the high frequency power without losing the high frequency power transmitted through the surface.

또한, 상기 금속층(330)은 상기 모재(310)의 상부 전면에 형성시킬 수도 있지만, 포토리소그래피(photolithography)공정 등을 이용하여 특정한 패턴 형상 마스크를 형성시키고 그 패턴 형상 마스크 내부에 금속층을 금속 증착 또는 코팅 공정으로 형성시킴으로써 상기 모재(310)의 상부면 중 특정한 영역에만 특정한 형상으로 금속층을 형성시킬 수도 있다. 따라서 플라즈마 밀도를 원하는 영역에서 선택적으로 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 즉, 대형 기판을 처리하는 플라즈마 처리장치에서 전극의 중앙 부분과 측면 및 가장자리 부분에서 플라즈마의 균일도 차이가 나는 현상을 상기 전극의 측면 및 가장자리 부분에 특정한 패턴으로 상기 금속층(330)을 형성시킴으로써 극복할 수 있는 장점이 있다. In addition, although the metal layer 330 may be formed on the entire upper surface of the base material 310, a specific pattern mask may be formed using a photolithography process, and the metal layer may be deposited or deposited inside the pattern mask. The metal layer may be formed in a specific shape only in a specific region of the upper surface of the base material 310 by forming by a coating process. Therefore, there is an advantage that can selectively improve the plasma density in the desired region. That is, in the plasma processing apparatus for processing a large substrate, a phenomenon in which the uniformity of plasma is different in the central part, the side and the edge of the electrode may be overcome by forming the metal layer 330 in a specific pattern on the side and the edge of the electrode. There are advantages to it.

따라서 특정한 부분에서만 선택적으로 플라즈마의 밀도를 증가시킬 수 있는 전극을 제공할 수 있어서, 대형기판의 처리에 적합한 플라즈마 처리장치를 제공할 수 있는 장점이 있다. Therefore, it is possible to provide an electrode that can selectively increase the density of the plasma only in a specific portion, there is an advantage that can provide a plasma processing apparatus suitable for the treatment of large substrates.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 금속층(330)과 모재(310) 사이에 접착물질(340)을 형성시켜서 상기 금속층(330)이 모재(310)에 더 견고하게 부착되도록 하는 것이 바람직하다. In addition, as shown in FIG. 4, it is preferable to form an adhesive material 340 between the metal layer 330 and the base material 310 so that the metal layer 330 is more firmly attached to the base material 310.

그리고 상기 금속층(310) 상부에 형성되어 있는 절연층(320)은 상기 모재(310) 및 금속층(330)을 보호하고 외부와 절연시키기 위하여 형성되는 것이다. 일반적으로 상기 절연층(320)은 아노다이징(anodizing) 방법을 이용하여 형성된다. The insulating layer 320 formed on the metal layer 310 is formed to protect the base material 310 and the metal layer 330 and to insulate the outside. In general, the insulating layer 320 is formed using an anodizing method.

이하에서는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극 제조방법을 상세히 설명한다. Hereinafter, an electrode manufacturing method of the plasma processing apparatus according to the present invention will be described in detail.

먼저 모재가공 단계는 상기 전극의 몸체를 형성하는 모재(310)를 전극 자체의 형상으로 가공하는 단계를 말한다. 일반적으로 플라즈마를 이용하는 평판 디스플레이 제조장치에서는 상기 전극 자체의 형상이 직사각형 형상이므로 상기 모재(310)를 직사각형 형태로 가공하는 것이 일반적이다. 이때 상기 모재(310)는 주로 알루미늄 합금으로 형성되며, 그 표면은 기계적 가공방법에 의하여 가공된다. 따라서 경도가 약한 알루미늄 합금의 특성상 그 표면은 상당한 거칠기를 보유하게 된다. First, the base material processing step refers to a step of processing the base material 310 forming the body of the electrode into the shape of the electrode itself. In general, in the flat panel display manufacturing apparatus using plasma, since the shape of the electrode itself is a rectangular shape, it is common to process the base material 310 into a rectangular shape. At this time, the base material 310 is mainly formed of an aluminum alloy, the surface is processed by a mechanical processing method. Therefore, the surface of the aluminum alloy of low hardness has a considerable roughness.

상기 모재가공 단계가 완료되면 상기 모재(310)의 상부면에 금속층(330)을 형성시키는 금속층 형성단계가 진행된다. 상기 금속층(330)은 상기 모재(310)의 상부면에 매우 얇게 형성되는데, 그 두께는 약 2㎛ ~ 30㎛ 로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 금속층(330)은 도금(electroplating) 방법 또는 이온 플레이팅(Ion plating) 방법을 사용하여 형성될 수 도 있고, 용사 코팅(spray coating) 방법, 진공 증착(sputtering, evaporation) 방법 등 다양한 코팅 방법을 이용하여 형성될 수 있다. When the base material processing step is completed, the metal layer forming step of forming the metal layer 330 on the upper surface of the base material 310 is in progress. The metal layer 330 is formed very thin on the upper surface of the base material 310, the thickness is preferably formed of about 2㎛ ~ 30㎛. In this case, the metal layer 330 may be formed using an electroplating method or an ion plating method, and various coatings such as a spray coating method and a vacuum deposition method. It can be formed using the method.

또한 본 발명의 플라즈마 처리장치의 전극 제조방법에는 상기 금속층(330) 형성전에 상기 금속층(330)이 상기 모재(310)에 견고하게 부착되도록 하기 위하여 상기 모재(310) 상부면에 접착물질을 형성시키는 접착물질 형성단계가 포함될 수 도 있다. In addition, in the electrode manufacturing method of the plasma processing apparatus of the present invention, before the metal layer 330 is formed, an adhesive material is formed on the upper surface of the base material 310 so that the metal layer 330 is firmly attached to the base material 310. An adhesive material forming step may be included.

그리고 상기 금속층 형성 단계 이전에 상기 모재(310) 상부면에 특정한 패턴 형상 마스터를 형성시키는 마스터 형성단계가 더 구비될 수도 있다. 이때 패턴 형상 마스터라 함은 상기 금속층(330)을 특정한 형상으로 형성시키기 위하여 상기 모재(310) 상부면에 특정한 형상으로 형성되는 패턴을 말하는 것이며, 이러한 패턴 형상 마스크는 포토레지스트 등을 이용하여 형성시킬 수 있다. 본 단계를 수행하는 이유는 상기 금속층(330)을 특정한 영역에 특정한 형상으로 형성시킴으로써 전극 상의 특정 영역에서 선택적으로 플라즈마의 밀도를 향상시킬 수 있도록 하기 위함이다. 이때 상기 패턴 형상 마스터는 포토리소그래피 공정을 사용하여 형성될 수도 있고, 소정의 마스터 테이프를 접착하는 테이핑(Taping) 공정을 이용하여 형성될 수도 있다. In addition, a master forming step of forming a specific pattern shape master on the upper surface of the base material 310 may be further provided before the metal layer forming step. In this case, the pattern shape master refers to a pattern formed in a specific shape on the upper surface of the base material 310 to form the metal layer 330 in a specific shape. Such a pattern shape mask may be formed using a photoresist or the like. Can be. The reason for performing this step is to form the metal layer 330 in a specific shape in a specific region so that the density of the plasma can be selectively improved in a specific region on the electrode. In this case, the pattern shape master may be formed using a photolithography process, or may be formed using a taping process of adhering a predetermined master tape.

물론 상기 패턴 형상 마스터는 상기 금속층(330) 형성이 완료되면 상기 절연층(320)을 형성시키기 전에 제거하여야 한다. 따라서 패턴 형상 마스터를 이용하여 상기 금속층(330)을 형성시키는 경우에는 상기 금속층 형성단계와 절연층 형성단계 사이에 상기 패턴 형상 마스터를 제거하는 마스터 제거 단계가 더 수행된다. Of course, when the metal layer 330 is formed, the pattern shape master should be removed before forming the insulating layer 320. Therefore, when the metal layer 330 is formed using the pattern shape master, a master removing step of removing the pattern shape master is further performed between the metal layer forming step and the insulating layer forming step.

마지막으로 상기 금속층(330) 상부에 절연층(320)을 형성시키는 절연층 형성단계를 수행한다. 상기 절연층(320)은 코팅방법으로 형성되는 것이 일반적이며, 특히 아노다이징 또는 알루미나(Al2O3) 코팅(thermal spray coating or evaporation) 방법을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. Finally, an insulating layer forming step of forming an insulating layer 320 on the metal layer 330 is performed. The insulating layer 320 is generally formed by a coating method, and particularly preferably formed by using an anodizing or alumina (Al 2 O 3 ) coating (thermal spray coating or evaporation) method.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극을 사용하면, 금속층과 모재 사이의 경계면이 기계적, 전기적으로 안정화되어 고주파 전력 전달 효율이 향상되어, 고주파 전력이 전달 과정에서 손실되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다. Using the electrode of the plasma processing apparatus according to the present invention, the interface between the metal layer and the base material is mechanically and electrically stabilized to improve the high frequency power transfer efficiency, thereby preventing the high frequency power from being lost during the transfer process. .

또한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 전극을 사용하면 고주파 전력의 전달이 용이하고, 균일하게 전달되므로 보다 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있는 장점이 있다. In addition, the use of the electrode of the plasma processing apparatus according to the present invention has the advantage that it is easy to transfer high-frequency power, and uniformly transmitted to form a more uniform plasma.

또한 본 발명의 플라즈마 처리장치의 전극 제조방법에 의하여 제조되는 전극은 특정한 패턴으로 금속층을 형성시킬 수 있으므로 원하는 모양으로 고효율 고주파 통로 전극을 형성할 수 있어서, 선택적으로 플라즈마의 밀도를 향상시키고, 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 특히, 대형 기판의 처리에 사용되는 플라즈마 처리장치에 있어서, 전극의 중앙부분과 측면 부분에서의 플라즈마 균일도차를 극복할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공할 수 있는 장점이 있다. In addition, since the electrode manufactured by the electrode manufacturing method of the plasma processing apparatus of the present invention can form a metal layer in a specific pattern, a high efficiency high-frequency passage electrode can be formed in a desired shape, thereby selectively increasing the density of the plasma and improving efficiency. There is an advantage that can be improved. In particular, in the plasma processing apparatus used for processing a large substrate, there is an advantage that it is possible to provide a plasma processing apparatus that can overcome the plasma uniformity difference between the central portion and the side portion of the electrode.

Claims (17)

모재, 상기 모재의 상부에 형성되는 금속층, 상기 금속층 상부에 형성되는 절연층으로 이루어진 플라즈마 처리장치에 있어서,In the plasma processing apparatus consisting of a base material, a metal layer formed on the base material, an insulating layer formed on the metal layer, 상기 알루미늄으로 이루어진 모재와 금속층 사이에는 접착물질이 구비되고, 상기 금속층은 상기 모재보다 전기 전도성이 우수한 금속을 2㎛ ~ 30㎛의 두께로 상기 모재의 상부면 특정 영역에 특정 패턴 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전극. An adhesive material is provided between the base metal and the metal layer made of aluminum, and the metal layer is formed of a specific pattern on a specific region of the upper surface of the base material with a thickness of 2 μm to 30 μm of a metal having better electrical conductivity than the base material . The electrode of the plasma processing apparatus. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 금속은, The method of claim 1, wherein the metal, 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 구리(Cu) 중에서 선택되는 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 전극.Electrode of the plasma processing apparatus, characterized in that formed of one metal selected from gold (Au), silver (Ag), nickel (Ni), chromium (Cr), copper (Cu). 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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