KR100574813B1

KR100574813B1 - 열 헤드 및 열 헤드 장치

Info

Publication number: KR100574813B1
Application number: KR1020017001753A
Authority: KR
Inventors: 다키자와오사무; 삼본기노리미츠; 쇼지노리요시; 나카무라유지; 이토다로; 야마구치유미코
Original assignee: 세이코 인스트루 가부시키가이샤
Priority date: 1998-08-11
Filing date: 1999-08-09
Publication date: 2006-04-27
Anticipated expiration: 2019-08-09
Also published as: HK1041853B; EP1106365A1; CN1154570C; KR20010074816A; WO2000009340A1; US6606109B1; HK1041853A1; CN1323262A; EP1106365A4

Abstract

농도 격차를 막는 동시에 열 헤드의 크기를 작게 억제할 수 있는 열 헤드 및 열 헤드 장치가 제공된다. 한쪽 면에 발열체 및 그 발열체에 접속되는 개별 전극을 갖는 헤드 칩(20)과, 상기 개별 전극에 접속되는 IC 칩(32)을 구비하는 열 헤드(10)에 있어서, 상기 헤드 칩(20)에는 상기 발열체의 배열 방향으로 연장하여 설치되는 공통 전극(27)이 마련되고, 그 공통 전극(27)과 공통 전극용 배선(41)의 접속을 상기 배열 방향에 걸쳐 복수의 위치에 마련한다.

Description

열 헤드 및 열 헤드 장치{THERMAL HEAD AND THERMAL HEAD UNIT}

본 발명은, 예컨대, 소형 휴대용 기록 장치, 팩시밀리, 티켓 및 영수증의 인쇄 장치 등에 쓰이는 열 헤드 및 열 헤드 장치에 관한 것이다.

열 헤드는, 일렬로 배열된 발열체 및 그것에 접속되는 전극을 세라믹 기판 상에 마련한 헤드 칩과, 소정의 발열체를 소정의 타이밍으로 선택적으로 발열시키기 위한 인쇄 신호를 출력하는 드라이버가 되는 IC 칩을 갖는다.

도 9는 이러한 열 헤드를 방열판 상에 탑재하여 장치를 구성하는 열 헤드 장치의 일례를 나타낸다. 이 열 헤드 장치는, 열 헤드(101)와, 알루미늄 등으로 이루어지는 방열판(102)을 포함한다. 열 헤드(101)는, 세라믹 기판(103) 상에 전극(104) 및 발열체(105)를 형성하고, 또한 그 위에 IC 칩(106)을 탑재하는 것으로 설계된다. 전극(104) 및 별도로 마련된 외부 신호 입력용 외부 단자(107)와, IC 칩(106)은 본딩 와이어(108)에 의해 서로 접속된다. IC 칩(106) 및 본딩 와이어(108)는, 실링(sealing) 수지(109)로 몰드된다.

또한, 크기를 작게 한 세라믹 기판을 사용하여 복합 기판을 제공하는 것이 알려지고 있다. 즉, 도 10에 나타낸 바와 같이, 세라믹 기판(103) 대신, 세라믹 회로 기판(103A) 및 유리 조직 기재 에폭시 수지 기판(이하, 적절하게 GE 기판이라 부름) 등의 배선 기판(103B)이 사용된다. 이 경우에는, 배선 기판(103B) 상에 외부 단자(107)가 마련된다.

이러한 열 헤드에 있어서의 각 발열체와 전극간의 접속 구조는 두 가지로 분류된다. 하나는 세라믹 기판의 각 발열체가 배열되는 단부 측에 공통 전극을 갖는 공통 전극형이다. 이 형태에서는, 각 인쇄 도트에 대응하는 발열체로부터의 개별 전극은 세라믹 기판의 다른 단부로 연장하고, 또한 공통 전극의 양 단부로부터의 드로잉 배선도 세라믹 기판의 다른 단부로 연장한다. 다른 형태는 소위 U턴 전극형이다. 즉, 각 인쇄 도트에 대응하는 한 쌍의 발열체를 갖고, 이들 발열체의 한 단부끼리가 U자형 배선에 의해 접속된다. 또한, 한쪽의 발열체가 세라믹 기판의 단부로 연장하는 개별 전극에 접속되는데 반하여, 다른 쪽의 발열체는 세라믹 기판의 단부에 마련된 공통 전극에 접속된다. 그리고, 어떠한 경우도 공통 전극은 외부 단자를 통해 접속되고, 각 개별 전극에 IC 칩을 통해 선택적으로 전압이 인가된다.

그러나, 전술한 형태의 열 헤드에 있어서는, 둘 중 어떤 경우에도 공통 전극이 발열체의 배열 방향에 따라 연장하여, 대개, 그 공통 전극의 양 단부가 접속된다. 따라서, 공통 전극이 가진 전기 저항에 의해 각 발열체에 흐르는 전류치에 격차가 생긴다. 즉, 공통 전극의 접지부로부터 떨어진 중앙부에 접속되는 발열체에 흐르는 전류치가 작아져 발열량이 작아짐으로써, 인쇄 농도 격차의 원인이 된다.

세라믹 기판 상에 공통 전극의 폭을 크게 하여 공통 전극의 전기 저항을 작게 함으로써, 인쇄 농도 격차를 억제하는 방법을 생각할 수 있다. 그러나, 이것은 열 헤드의 소형화의 요구에는 상반하는 것이다. 즉, 세라믹 기판이 커져 열 헤드 전체가 대형화되는 문제가 있다.

따라서, 본 발명은, 전술한 문제를 고려하여, 인쇄 농도 격차를 막는 동시에 열 헤드의 크기를 작게 억제할 수 있는 열 헤드 및 열 헤드 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제1 측면은, 한쪽 면에 발열체 및 그 발열체에 접속되는 개별 전극 및 공통 전극이 마련된 헤드 칩과, 상기 개별 전극에 접속되는 반도체 집적회로를 구비하는 열 헤드에 있어서, 상기 헤드 칩에는 상기 발열체의 배열 방향으로 연장하는 공통 전극이 마련되고, 그 공통 전극과 상기 외부 단자와의 접속이 상기 배열 방향을 따라 복수의 위치에 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제2 측면은, 상기 발열체가 상기 헤드 칩의 한 단부에 배열되고, 상기 공통 전극이 상기 단부의 반대측의 단부에 상기 발열체의 배열 방향으로 연장하는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제3 측면은, 상기 헤드 칩에는 상기 반도체 집적회로가 탑재되는 회로 기판이 접합되고, 그 회로 기판에는 상기 공통 전극과 상기 외부 단자를 접속하는 공통 전극용 배선이 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제4 측면은, 본 발명의 제3 측면에 있어서, 상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 접속 배선이 상기 반도체 집적회로에 의해 규정되는 물리 블록 사이에 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제5 측면은, 본 발명의 제4 측면에 있어서, 상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 접속 배선이 상기 반도체 집적회로에 의해 규정되는 물리 블록마다 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제6 측면은, 본 발명의 제3 내지 제5의 어느 한 측면에 있어서, 상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 배선이 상기 반도체 집적회로에 의해 규정되는 물리 블록 내에 적어도 하나 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제7 측면은, 본 발명의 제3 내지 제6의 어느 한 측면에 있어서, 상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 각 접속배선이 본딩 와이어에 의한 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제8 측면은, 본 발명의 제7 측면에 있어서, 상기 본딩 와이어의 적어도 일부가 상기 반도체 집적회로를 넘어 설치되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제9 측면은, 본 발명의 제7 또는 제8 측면에 있어서, 상기 본딩 와이어의 적어도 일부가 상기 반도체 집적회로를 경유하여 설치되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제10 측면은, 본 발명의 제7 내지 제9의 어느 한 측면에 있어서, 상기 본딩 와이어의 적어도 일부의 한 끝이 상기 반도체 집적회로의 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제11 측면은, 본 발명의 제3 내지 제6의 어느 한 측면에 있어서, 상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 각 접속 배선이 플립 칩 방식에 의한 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제12 측면은, 본 발명의 제3 내지 제7의 어느 한 측면에 있어서, 상기 반도체 집적회로가 플립 칩 방식에 의해, 상기 헤드 칩과 상기 회로 기판을 걸치도록 설치되는 것을 특징으로 하는 열 헤드와 관련이 있다.

본 발명의 제13 측면은, 본 발명의 제1 내지 제12항 중 어느 한 측면에 따른 열 헤드가 지지체에 탑재된 것을 특징으로 하는 열 헤드 장치와 관련이 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 열 헤드의 단면도 및 평면도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 열 헤드의 헤드 칩과 배선 기판 사이의 배선 접속부의 단면도 및 평면도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 헤드 칩과 배선 기판 사이의 배선 접속부의 변형예의 단면도이다.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 열 헤드 장치의 단면도이다.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 열 헤드의 헤드 칩과 배선 기판 사이의 배선 접속부의 단면도이다.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 변형 예를 나타내는 평면도이다.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 변형 예를 나타내는 단면도이다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 헤드의 헤드 칩과 배선 기판 사이의 배선 접속부의 단면도 및 평면도이다.

도 9는 종래 기술에 따른 열 헤드의 단면도이다.

도 10은 종래 기술에 따른 열 헤드의 단면도이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관하여 상세히 설명한다.

(제1 실시예)

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 열 헤드의 개략적인 단면도 및 주요부 평면도이다. 도 1(a)에 나타낸 것과 같이, 열 헤드(10)는 복수의 박막층이 형성된 헤드 칩(20)과, 이 헤드 칩(20)에 거듭 접합된 배선 기판(30)을 갖는다.

헤드 칩(20)은 세라믹 기판(21) 상에 각종 박막층이 형성되어 구성된다. 세라믹 기판(21) 상에는, 단열층의 기능을 갖는 유리계 재질로 구성된 그레이스 층(22) 및 언더코트 층(23)이 형성된다. 그레이스 층(22)은, 세라믹 기판(21)의 일단으로부터 소정의 거리에 위치하고 단면이 반원 형상인 돌출 리브(22a)를 갖는다. 이 돌출 리브(22a)에 대향하는 영역에, 그 길이 방향에 걸쳐 소정의 간격으로 간헐적으로 배치되는 발열체(24)가 형성된다. 세라믹 기판(21)에서 각 발열체(24)의 끝 부분(도면에서 좌우 양측 단부)에 접촉하도록, 알루미늄 등의 금속으로 이루어진 전극(25)이 형성된다. 또한, 발열체(24) 위에는 보호막(28)이 형성된다.

여기서, 각 발열체(24)는 한 쌍의 발열체(24a, 24b)로 이루어지고, 발열체(24a, 24b)의 각각의 단부에는 전극(25a, 25b)이 접속된다. 전극(25a)은 개별 전극으로서 기능하고, 그 단부는, 예컨대, 금 박막층으로 이루어지는 단자부(26)에 접속된다. 또한, 전극(25b)은 공통 전극으로서 기능하여, 기판에서 발열체(24)의 반대측 단부에 위치하는 공통 전극(27)에 접속된다. 또한, 발열체(25a) 및 발열체(25b) 각각의 다른 단부는, 전극(25c)에 의해 서로 연결된다.

배선 기판(30)은 GE 기판 등의 기판(31) 상에 IC 칩(32)과 외부 단자(33)가 마련되어 구성된다. IC 칩(32)은 소정의 발열체(24)를 선택적으로 발열시키기 위한 구동 신호를 출력하는 드라이버로서 기능한다. IC 칩(32)은 발열체(24)의 소정의 물리 블록마다 제공된다. 외부 단자(33)는 각 IC 칩(32)에 외부 신호를 입력하기 위한 것이다. 각 IC 칩(32)은 본딩 와이어(34)에 의해 단자부(26) 및 외부 단자(33)에 각각 접속된다. IC 칩(32) 및 본딩 와이어(34)는 실링 수지(35)에 의해 몰드된다.

이상 설명한 열 헤드(10)는, 헤드 칩(20)과, 이 헤드 칩(20)의 지지 기판으로서 기능하는 배선 기판(30)을 일부가 겹쳐지게 접합하여, 배선 기판(30) 상에 IC 칩(32)을 탑재하는 것으로 구성된다. 따라서, 헤드 칩(20)의 폭(도면에서 좌우 방향)을 현저히 줄일 수 있으므로, 기판 공정에서 얻어지는 헤드 칩(20)의 수가 증대하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 헤드 칩(20)과 배선 기판(30)을 서로 접합시킨 상태로 취급할 수 있으므로, IC 칩(32) 탑재 공정에서의 취급성도 낮아지지 않는다. 이 경우, 복수의 배선 기판(30)을 나누어 얻을 수 있는 배선 기판용 플레이트 상에 복수의 헤드 칩(20)을 접합하여 IC 칩(32) 탑재 공정 및 와이어 본딩을 실시하면, 취급성이 보다 현저하게 향상될 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 열 헤드는, 공통 전극(27)의 폭을 최소한으로 억제 하여 세라믹 기판(21)의 폭을 최소로 하는 동시에, 공통 전극(27)과 외부 단자와의 접속을 개선하여 각 발열체(24) 사이의 인쇄 농도 격차를 제거한 공통 전극(27)을 사용한다.

도 2(a)는 헤드 칩(20)의 공통 전극(27)과 배선 기판(30)의 공통 전극용 배선 사이의 배선 접속부의 단면도이고, 도 2(b)는 평면도이다.

이 도면들에 나타낸 것과 같이, 배선 기판(30)에는 공통 전극용 배선(61)이 각 IC 칩(32) 사이의 영역까지 마련되고, 이들 공통 전극용 배선(61)과, 세라믹 기판(21)의 단부에 마련된 공통 전극(27)은 각각 본딩 와이어(63)에 의해 접속된다. 각 공통 전극용 배선(61)은 도시하지 않은 외부 단자에 의해 접지된다. 즉, 본 실시예에서는, 공통 전극(27)은 각 IC 칩(32)으로 규정되는 물리 블록마다 공통 전극용 배선(61)에 접속된다.

따라서, 공통 전극(27)과 배선 기판(30)의 공통 전극용 배선(61)과의 접속이 각 IC 칩(32)으로 규정되는 물리 블록마다 마련되기 때문에, 공통 전극(27)의 전기 저항에 의해 발생하는 인쇄 농도 격차를 줄일 수 있다. 즉, 각 발열체에 흐르는 전류치의 격차를 줄여, 각 발열체로부터의 발열량을 균일하게 할 수 있다.

공통 전극용 배선(61)의 수는 공통 전극(27)의 전기 저항, 인쇄 시에 인가되는 전압, IC 칩(32)에 접속되는 발열체의 수, 발열체의 전기 저항 등에 의해 결정될 수 있다. 예컨대, 도 3에 나타낸 것과 같이, 2개의 IC 칩(32)마다, 또는 3개 이상의 복수의 IC 칩(32)마다 공통 전극용 배선(61)이 마련될 수 있다.

또한, 이상 설명한 열 헤드(10)는 알루미늄 등의 금속으로 이루어져 방열판 의 기능을 갖는 지지체에 지지되어 열 헤드 장치를 구성하는데 이용된다. 도 4에 열 헤드 장치의 일례를 나타내고 있다.

도 4에 나타낸 것과 같이, 지지체(50)는, 배선 기판(30)으로부터 돌출하여 발열체(24)를 형성한 헤드 칩(20)의 발열체 형성부의 이면 측에 밀착하여 헤드 칩 지지부로서 기능하는 상단부(51)와, 배선 기판(30)의 두께보다 깊게 움푹 패인 단차부(52)를 갖는다. 발열체 형성부, 즉, 헤드 칩(20)의 돌출부(20)는 상단부(51)에 접착층(53)으로 단단히 고정되고, 단차부(52)의 기저부에는 접착제 층(54)이 마련된다. 이러한 구성에 의해, 지지체(50)와 배선 기판(30)은 접착제 층(54)에 의해, 지지체(50)와 헤드 칩(20)은 접착층(53)에 의해 고정된다.

(제2 실시예)

이 실시예에서는, 세라믹 기판(21)의 공통 전극(27)과, 배선 기판(30)의 공통 전극용 배선(61B)과의 복수의 접속이 각 물리 블록 안에 마련된다. 즉, 본 실시예에서는, IC 칩(32)의 거의 중앙부의 표면에 공통 전극용 배선(61A)과, 그것에 대응하는 공통 전극용 배선(61B)을 마련하여, 공통 전극(27)과 공통 전극용 배선(61A), 그리고 공통 전극용 배선(61A)과 공통 전극용 배선(61B)을 각각 본딩 와이어(63A, 63B)로 접속한다. 다른 구성은 전술한 실시예와 마찬가지이다. 이와 같이, 공통 전극(27)과 IC 칩(32) 사이의 접속 외에 또, IC 칩(32)의 거의 세로 중심부에 공통 전극(27)과 공통 전극용 배선(61A)과의 접속이 마련된다. 이에 따라, 각 발열체에 흐르는 전류량의 불균형을 더욱 억제할 수 있어, 인쇄 농도의 격차를 더욱 줄일 수 있다.

각 물리 블록 안에 마련된 공통 전극 사이의 접속 수, 각 접속의 위치 및 접속 방법은 특별히 한정되지 않는다. 각 물리 블록마다 복수의 접속이 마련된다면, 같은 효과를 얻을 수 있다.

예컨대, 각 물리 블록 안의 접속을 IC 칩(32)의 표면에 마련된 공통 전극용 배선(61A)을 사용하여 행하는 대신에, 도 6에 나타낸 것과 같이, IC 칩(32)의 아래쪽에 마련된 공통 전극용 배선(61C) 및 본딩 와이어(63C)를 사용하여 행할 수도 있다. 이 경우, 와이어 본딩을 용이하게 할 수 있고, 본딩 와이어의 길이를 짧게 할 수 있다.

도 7에 나타낸 것과 같이, IC 칩(32)에 대하여 공통 전극(27)과는 반대측에 마련된 공통 전극용 배선(61D)과 공통 전극(27)을 IC 칩(32)을 가로질러 넘는 본딩 와이어(63D)로 접속할 수도 있다. 이 경우에는, IC 칩(32) 상에 공통 전극용 배선을 마련하는 등의 가공이 불필요하다는 이점이 있다.

(다른 실시예)

이상 설명한 각 실시예에서는, 열 헤드는 헤드 칩(20) 및 배선 기판(30)을 일부가 겹쳐지게 접합하는 것으로 구성된다. 물론, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 배선 기판을 특별히 갖지 않고 세라믹 기판 상에 IC를 탑재한 열 헤드에 본 발명을 응용할 수 있고, 세라믹 기판 상에 마련된 공통 전극과, 예컨대, 지지체 상에 마련된 외부 단자와의 접속에도 응용할 수 있다.

또한, 전술한 실시예에서는, 공통 전극과 공통 전극용 배선과의 접속을 와이어 본딩을 사용하여 행하였지만, 물론 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 전기적으로 접속할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.

도 8(a) 및 도 8(b)은 다른 실시예에 따른 열 헤드의 헤드 칩과 배선 기판사이의 배선 접속부의 단면도 및 평면도이다.

본 실시예에서, 헤드 칩(20)의 높이는 배선 기판(30)의 높이와 거의 동일하고, 플립 칩 방식의 반도체 집적회로(32A)가 헤드 칩(20)과 배선 기판(30)에 걸쳐 설치된다.

발열체에 접속되는 개별 전극(25a) 상의 단자부(26)는 IC 칩(32A)의 밑면에 마련된 패드(71)와 범프(72)에 의해 외부 단자(33)에 접속된다. 또한, IC 칩(32A)에는 공통 전극용 배선을 위한 서로 단락된 패드(73)가 마련되고, 이들 패드(73)는 각각 범프(74)에 의해 공통 전극(27) 및 배선 기판(30) 상의 공통 전극용 배선(61E)에 접속된다. 이와 같이 플립 칩 방식의 IC 칩(32A)을 사용하는 것에 의해, 와이어 본딩에 의한 접속이 불필요해질 수 있다.

물론, 플립 칩 방식의 IC 칩 사이에서 공통 전극과 공통 전극용 배선과의 접속을 위해 와이어 본딩이 행해질 수도 있다.

또한, 전술한 실시예에서는, 소위 U턴 전극형의 접속에 관하여 설명했지만, 본 발명은 공통 전극형의 접속에도 응용할 수 있다. 즉, 발열체 측에 마련된 공통 전극의 외부 단자에 의한 접속을 공통 전극의 양 단부나 그 이외의 다른 위치에 제공함으로써, 인쇄 농도 격차를 줄일 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 헤드 칩의 공통 전극이 발열체의 배열 방향을 따라 복수의 위치에서 외부 단자에 접속된다. 따라서, 열 헤드의 형상을 소형으로 유지할 수 있어, 인쇄 격차를 줄이는 효과를 나타낸다.

Claims

삭제
한쪽 면에 발열체 및 그 발열체에 접속되는 개별 전극 및 공통 전극이 마련된 헤드 칩과, 상기 개별 전극에 접속되는 반도체 집적회로를 구비하는 열 헤드에 있어서,

상기 발열체가 상기 헤드 칩의 한 단부에 배열되고, 상기 공통 전극이 상기 단부의 반대측의 단부에 상기 발열체의 배열 방향으로 연장하며,

상기 공통 전극과 외부 단자와의 접속이 상기 배열 방향을 따라 복수의 위치에 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
삭제
제2항에 있어서,

상기 헤드 칩에는 상기 반도체 집적회로가 탑재되는 회로 기판이 접합되고, 그 회로 기판에는 상기 공통 전극과 상기 외부 단자를 접속하는 공통 전극용 배선이 마련되며,

상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 접속 배선이 상기 반도체 집적회로에 의해 규정되는 물리 블록 사이에 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제4항에 있어서,

상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 접속 배선이 상기 반도체 집적회로에 의해 규정되는 물리 블록마다 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제4항 또는 제5항에 있어서,

상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 배선이 상기 반도체 집적회로에 의해 규정되는 물리 블록 내에 적어도 하나 마련되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제4항 또는 제5항에 있어서,

상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 각 접속배선이 본딩 와이어에 의한 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제7항에 있어서,

상기 본딩 와이어의 적어도 일부가 상기 반도체 집적회로를 넘어 설치되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제7항에 있어서,

상기 본딩 와이어의 적어도 일부가 상기 반도체 집적회로를 경유하여 설치되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제7항에 있어서,

상기 본딩 와이어의 적어도 일부의 한 끝이 상기 반도체 집적회로의 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제4항 또는 제5항에 있어서,

상기 공통 전극과 상기 공통 전극용 배선을 접속하는 각 접속 배선이 플립 칩 방식에 의한 것을 특징으로 하는 열 헤드.
제4항 또는 제5항에 있어서,

상기 반도체 집적회로가 플립 칩 방식에 의해, 상기 헤드 칩과 상기 회로 기판을 걸치도록 설치되는 것을 특징으로 하는 열 헤드.
열 헤드 장치에 있어서,

제2항, 제4항 또는 제5항에 따른 열 헤드가 지지체에 탑재된 것을 특징으로 하는 열 헤드 장치.