[go: up one dir, main page]

KR100572388B1 - 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100572388B1
KR100572388B1 KR1020040069915A KR20040069915A KR100572388B1 KR 100572388 B1 KR100572388 B1 KR 100572388B1 KR 1020040069915 A KR1020040069915 A KR 1020040069915A KR 20040069915 A KR20040069915 A KR 20040069915A KR 100572388 B1 KR100572388 B1 KR 100572388B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
rib
main body
imaging device
solid
state imaging
Prior art date
Application number
KR1020040069915A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050024263A (ko
Inventor
시미즈가츠토시
미나미오마사노리
야마우치고우이치
Original Assignee
마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 filed Critical 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Publication of KR20050024263A publication Critical patent/KR20050024263A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100572388B1 publication Critical patent/KR100572388B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

기판부(2) 및 직사각형 틀 형상의 리브(3)가 수지에 의해 일체 성형된 본체(1)와, 본체에 매립되며, 본체의 내부 공간에 면하는 내부 단자부(9a) 및 본체의 외부에 노출된 외부 단자부(9b)를 각각 갖는 다수 개의 금속 리드편(9)과, 본체의 내부 공간에서 기판부 상에 배치된 촬상 소자(5)와, 촬상 소자의 전극과 금속 리드편의 내부 단자부를 각각 접속하는 접속 부재(10)와, 리브의 상단면에 접합된 투광판(7)을 구비한다. 리브의 상단면에 외주를 따라 낮아진 저단부(3a)가 형성되며, 적어도 저단부에 충전된 접착재(8)에 의해 투광판이 리브의 상단면에 접합되어 있다. 리브와 그 상단면에 접합되는 투명판의 접합이, 열 변형 등에 기인하여 양자간에 작용하는 응력에 대하여 완충 작용을 가지므로, 내구성이 개선된다.

Description

고체 촬상 장치 및 그 제조 방법{SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에서의 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 단면도,
도 2는 도 1의 고체 촬상 장치의 하면도,
도 3은 도 1의 고체 촬상 장치의 측면도,
도 4는 도 1의 고체 촬상 장치의 투명판을 제거하고 도시한 평면도,
도 5a∼도 5f는 본 발명의 실시 형태 2에서의 고체 촬상 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도,
도 6은 상기 제조 방법에서의 리드 프레임을 도시하는 평면도,
도 7은 상기 제조 방법에서의 리드 프레임을 매립하여 성형된 수지 성형체를 도시하는 평면도,
도 8a∼도 8c는 상기 제조 방법에서의 수지 성형의 공정을 구체적으로 도시하는 단면도,
도 9a∼도 9c는 본 발명의 실시 형태 3에서의 고체 촬상 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도,
도 10은 종래예의 고체 촬상 장치의 단면도,
도 11은 상기 고체 촬상 장치의 본체의 성형 공정을 도시하는 단면도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 본체 2 : 기판부
3 : 리브 3a : 저단부
4 : 내부 공간 5 : 촬상 소자
6 : 접합 부재 7 : 투광판
8 : 접착재 9 : 금속 리드편
9a : 내부 단자부 9b : 외부 단자부
9c : 측면 전극부 10 : 금속 세선
21 : 리드 프레임 22 : 리드부
23 : 오목부 24 : 기판부
25 : 리브 형성 부재 25a : 홈부
26 : 본체 27 : 투명판
28 : 접착재 29 : 다이싱 블레이드
30 : 상부 금형 30a : 볼록부
31 : 하부 금형 32 : 오목부
33 : 공간부 34 : 투명판
35, 36 : 필릿
본 발명은, CCD 등의 촬상 소자가 본체 내에 탑재된 구성의 고체 촬상 장치, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
고체 촬상 장치는, 비디오 카메라나 스틸 카메라 등에 널리 이용되고, CCD 등의 촬상 소자를 절연성 재료로 이루어지는 기대(基臺)에 탑재하며, 투광 영역을 투광판으로 덮은 패키지의 형태로 제공된다. 장치의 소형화를 위해, 촬상 소자는, 배어 칩의 상태로 기대에 탑재된다. 이와 같은 고체 촬상 장치의 종래예로서, 일본국 특개 2001-77277호 공보에 기재된 고체 촬상 장치를 도 10에 도시한다.
도 10에서, 41은 본체이고, 수지 몰드에 의해 일체 성형된 기판부(41a) 및 틀 형상의 리브(41b)로 이루어지며, 그 상면에 내부 공간(42)이 형성되어 있다. 본체(41)에는, 기판부(41a)의 중앙부에 위치하는 다이 패드(43), 및 리브(41b)의 하부에 위치하는 리드(44)가 매립되어 있다. 내부 공간(42)의 중앙부에 배치된 촬상 소자 칩(45)은, 다이 패드(43)의 상면에 고정되어 있다. 리드(44)는, 리브(41b)의 내측의 기판부(41a) 상면에서 내부 공간(42)에 노출된 내부 단자부(44a)와, 리브(41b)의 하부에서 기판부(41a) 바닥면으로부터 노출된 외부 단자부(44b)를 갖는다. 내부 단자부(44a)와, 촬상 소자 칩(45)의 본딩 패드가, 금속선으로 이루어지는 본딩 와이어(46)에 의해 접속되어 있다. 또 리브(41b)의 상단면에, 투명한 시일 글라스판(47)이 접합되어, 촬상 소자 칩(45)을 보호하기 위한 패키지가 형성되어 있다.
이 고체 촬상 장치는, 도시된 바와 같이 시일 글라스판(47) 측을 위쪽으로 향한 상태로 회로 기판 상에 탑재되고, 외부 단자부(44b)가, 회로 기판 상의 전극과 접속하기 위해 이용된다. 도시하지 않았지만, 시일 글라스판(47)의 상부에는, 촬상 광학계가 장착된 경통(鏡筒)이, 촬상 소자 칩(45)에 형성된 투광 영역과의 상호 위치 관계를, 소정 정밀도로 조정하여 장착된다. 촬상 동작 시는, 경통에 장착된 촬상 광학계를 통해서, 피촬상 대상으로부터의 광이 투광 영역에 집광되어 광전 변환된다.
이러한 구조의 고체 촬상 장치는, 본체 바닥면에 노출된 외부 단자부(44b)에 의해 회로 기판 상의 전극과 접속되므로, 본체의 측면으로부터 아래쪽으로 꺾인 아우터 리드에 의한 접속을 이용한 구조에 비해, 패키지의 높이나 점유 면적이 작아, 고 밀도 실장에 적합하다.
도 10의 형상의 본체(41)를 수지 몰드할 때에, 일본국 특개 2001-77277호 공보에 기재된 기술에서는, 도 11에 도시하는 바와 같은, 상부 금형(48)과 하부 금형(49)을 이용한다. 하부 금형(49)의 상면은 평탄하다. 상부 금형(48)의 하면에는, 리브(41b)에 대응하는 오목부(48a)가 형성되어 있다. 오목부(48a)의 양측에는, 내부 공간(42)을 형성하는 내측 볼록부(48b), 및 리브(41b)의 외측면을 형성하는 외측 볼록부(48c)가 설치되어 있다. 리드(44)와 다이 패드(43)는, 리드 프레임(50)으로서 일체의 상태로 공급되고, 상부 금형(48)과 하부 금형(49) 사이에 장착된다.
상부 금형(48)과 하부 금형(49) 사이에 리드 프레임(50)이 개재됨으로써, 상부 금형(48)의 내측 볼록부(48b)와 하부 금형(49) 사이에, 기판부(41a)를 몰드하기 위한 캐비티(51)가 형성된다. 이 상태로 수지의 충전을 행하며, 금형을 열어 성형 체를 취출한 상태로, 본체(41)를 형성하는 기판부(41a) 및 리브(41b)는 완성된 형상을 갖는다. 리드 프레임(50)은, 몰드 후에, 리브(41b)의 외측에 위치하는 부분이 절단된다.
상기 종래예의 고체 촬상 장치에서는, 시일 글라스판(47)은, 리브(41b)의 상단면과의 사이에 개재하는 약간의 양의 접착재만으로 접합되어 있다. 리브(41b)의 상단면의 면적이 작으므로, 접합 강도는 약하다. 또, 접착재의 층이 얇으므로, 열 변형 등에 기인하여 시일 글라스판(47)과 리브(41b) 사이에 응력이 작용했을 때에, 접착재층에서 뒤틀림을 완충하는 작용은 작아, 양자의 접합 내구성은 낮다.
본 발명은, 리브와 그 상단면에 배치되는 투명판의 접합이, 열 변형 등에 기인하여 양자간에 작용하는 응력에 대하여 높은 내구성을 갖는 고체 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 이것을 위한 구조를, 제조 공정을 복잡화시키지 않고 고체 촬상 장치에 부여하여, 고체 촬상 장치를 양산하는 데에 적합한 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 고체 촬상 장치는, 기판부 및 직사각형 틀 형상의 리브가 수지에 의해 일체 성형된 본체와, 상기 본체에 매립되며, 상기 본체의 내부 공간에 면하는 내부 단자부, 상기 본체의 바닥면에 노출된 외부 단자부, 및 상기 본체의 외측면에 노출된 측면 전극부를 각각 갖는 다수 개의 금속 리드편과, 상기 본체의 내부 공간 에서 상기 기판부 상에 배치된 촬상 소자와, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 금속 리드편의 내부 단자부를 각각 접속하는 접속 부재와, 상기 리브의 상단면에 접합된 투광판을 구비한다. 상기 과제를 해결하기 위해서, 상기 리브의 상단면에 외주를 따라 낮아진 저단부가 형성되며, 적어도 상기 저단부에 충전된 접착재에 의해 상기 투광판이 상기 리브의 상단면에 접합되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 기판부 및 직사각형 틀 형상의 리브에 의해 형성되는 본체를, 다수 개의 금속 리드편과 함께 일체적으로 수지 성형하여, 상기 각 금속 리드편에 의해 내부 단자부 및 외부 단자부를 형성하고, 상기 본체의 상기 내부 공간 내의 상기 기판부 상에 촬상 소자를 배치하고, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 금속 리드편의 내부 단자부를 각각 접속하며, 상기 리브의 상단면에 투광판을 접합하는 공정을 포함한다. 상기 과제를 해결하기 위해서, 상기 다수 개의 금속 리드편이 각각 배치된 다수 개의 상기 본체를 일괄하여 성형하고, 이 때, 인접하는 상기 각 본체를 형성하는 상기 각 리브를 하나로 합체시켜 리브 형성 부재로 하는 동시에, 상기 리브 형성 부재의 상단면에는 그 폭 방향의 중앙부에 배치되며 길이 방향으로 연장하는 홈부를 설치하고, 상기 각 본체의 상기 내부 공간 내에 상기 촬상 소자를 배치하여, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 내부 단자부를 접속하고, 상기 리브의 적어도 상기 홈을 포함하는 상단면에 접착재를 충전하고, 상기 리브의 상단면에 상기 투명판을 얹어놓고 접합한 후, 상기 각 본체마다, 상기 기판부에 직교하고 또한 상기 각 리브 형성 부재의 폭을 2등분하는 방향으로 상기 홈 내에서 절단하여, 상기 각 고체 촬상 장치를 각 개개의 것으로 분 리한다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 구성에 의하면, 본체를 형성하는 리브의 상단면에, 외주를 따라 낮아진 저단부가 형성되고, 저단부에 접착재가 충전되어 있다. 이것에 의해, 리브의 상단면에 투광판을 접합하고 있는 접착재가, 충분하게 큰 체적을 갖는다. 따라서, 열 변형 등에 기인하여 투명판과 리브 사이에 응력이 작용하였을 때에, 저단부의 접착재가 뒤틀림을 완화하여, 응력에 대한 강도가 향상한다.
바람직하게는, 상기 각 금속 리드편은, 상기 내부 단자부의 위치에서의 두께가 상기 기판부의 두께와 실질적으로 동일하고, 상기 내부 단자부의 위치에 대응하는 이면에 상기 외부 단자부가 형성되어 있다. 또 바람직하게는, 상기 리브의 외측면은, 상기 기판부의 면에 대하여 실질적으로 직교하는 평면을 형성하고, 상기 투광판의 단면은, 상기 리브의 외측면과 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 공정을 복잡화시키지 않고, 저단부에 접착재가 충전된 구조를 용이하게 제작하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 상기 다수 개의 금속 리드편을 형성하기 위한 리드부를 다수 세트 포함하고, 상기 각 리드부의 상기 내부 단자부에 상당하는 위치에서의 두께가 상기 기판부의 두께와 실질적으로 동일하도록 형성한 리드 프레임을 이용하며, 상기 리드 프레임을, 수지 성형용 금형의 상부 금형에서의 상기 본체의 내부 공간을 형성하는 부분과 하부 금형 사이에, 상기 각 리드부의 내부 단자부에 상당하는 부분이 끼워져 클램프되도록 장착하여 상기 본체의 수지 성형을 행한다.
또, 상기 투명판을 접합할 때에, 상기 다수 개의 본체에 걸치는 크기의 상기 투명판을 상기 리브 형성 부재의 상단면에 얹어놓고, 상기 각 본체마다 절단할 때에, 상기 투명판도 일괄하여 절단하도록 하여도 된다. 혹은, 상기 투명판을 접합할 때에, 상기 각 본체에 대하여 각각 개별의 상기 투명판을, 인접하는 상기 각 투명판의 가장자리를 상기 리브 형성 부재의 홈 상에, 서로 간에 간극을 형성하여 얹어놓고, 상기 간극의 영역에서 상기 각 고체 촬상 장치를 각 개개의 것으로 분리하도록 하여도 된다.
이하, 본 발명의 각 실시 형태에 관해서, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
(실시 형태 1)
도 1은 실시 형태 1에서의 고체 촬상 장치의 단면도, 도 2는 하면도, 도 3은 측면도이다.
1은 에폭시 수지 등의 가소성 수지로 이루어지는 본체이고, 평판 형상의 기판부(2) 상에 직사각형 틀 형상의 리브(3)를 배치한 구조를, 일체 성형에 의해 제작한 것이다. 본체(1)의 내부 공간(4)에 면한 기판부(2) 상에, 촬상 소자(5)가 접합 부재(6)에 의해 고정되어 있다. 리브(3)의 상단면에는, 예컨대 글라스로 이루어지는 투광판(7)이 접착제(8)에 의해 접합되고, 이것에 의하여 본체(1)의 내부 공간(4)이 밀봉되어 패키지가 형성되어 있다. 리브(3)의 높이는, 예컨대 0.3∼1.0mm의 범위로 설정된다. 리브(3)의 상단면에는, 외주를 따라 낮아진 저단부(3a)가 형성되고, 저단부(3a)에 충전된 접착재(8)는 두꺼운 층을 형성하고 있다. 리브(3)의 최상단면과 저단부(3a)와의 단차는, 실용적으로는 0.05∼0.5mm로 하는 것이 바람직하다.
본체(1)에는, 다수의 금속 리드편(9)이 성형 시에 매립되어 있다. 금속 리드편(9)은, 본체(1)의 내부 공간(4)으로부터 외부에 전기적인 도출을 하기 위한 부재이고, 기판부(2)의 내부 공간(4)측의 면에 노출된 내부 단자부(9a)와, 기판부(2)의 이면의 내부 단자부(9a)와 대응하는 위치에 노출된 외부 단자부(9b)와, 본체(1)의 외측면에 노출된 측면 전극부(9c)를 갖는다. 촬상 소자(5)의 패드 전극(5a)과 각 금속 리드편(9)의 내부 단자부(9a)는, 각각 금속 세선(10)에 의해 접속되어 있다. 패키지 전체의 두께는, 예컨대 2.0mm 이하로 설정된다. 도 1의 고체 촬상 장치로부터 투광판(7)을 제거한 상태의 평면 형상을 도 4에 도시한다.
이 고체 촬상 장치에서는, 리브(3)의 상단면에 저단부(3a)가 형성되어 있음으로써, 저단부(3a)에서 접착재(8)의 체적을 충분한 크기로 확보할 수 있다. 이것에 의해, 열 변형 등에 기인하여, 투명판(7)과 리브(3) 사이에 응력이 작용하였을 때에, 저단부(3a)의 접착재(8)가 뒤틀림을 완화하여, 응력에 대한 강도가 향상한다.
또 도 1에 도시하는 바와 같이, 금속 리드편(9)에서, 내부 단자부(9a)의 위치에 대응하는 이면이, 외부 단자부(9b)로 된다. 또, 이들 부분에서 금속 리드편(9)은 기판부(2)와 실질적으로 동일한 두께를 갖는다. 따라서, 수지 성형 시에, 내부 단자부(9a)와 외부 단자부(9b)를, 상하의 금형에 의해 개재하여 클램프하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 내부 단자부(9a)의 면이 상부 금형의 면에 가압되어 밀착하고, 수지 버르의 발생이 억제된다. 금속 리드편(9)에서의 리브(3)의 하부에 위치하는 부분은, 하프 에칭에 의해 얇게 되며, 하면이 수지에 덮여 있다.
도 1 및 3에 도시되는 바와 같이, 본체(1)의 각 외측면, 즉, 리브(3)의 외주면은 기판부(2)의 면에 대하여 실질적으로 직교하는 평면을 형성하고 있다. 또, 투광판(7)의 단면 및 측면 전극부(9c)의 표면은, 본체(1)의 외측면과 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있다. 이러한 동일 평면을 이루는 형상은, 예컨대, 제조 공정에서 리브(3) 및 투명판(7)을 일괄하여 절단함으로써, 양호한 평탄도를 갖도록 형성하는 것이 가능하다.
(실시 형태 2)
실시 형태 2에서의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 관해서, 도 5a∼도 5f, 도 6, 도 7을 참조하여 설명한다. 이 제조 방법은 실시 형태 1에 나타낸 구조의 고체 촬상 장치를 제조하는 방법이다.
우선 도 5a에 도시하는 바와 같이, 리드 프레임(21)을 준비한다. 리드 프레임(21)은, 도 6의 평면 형상에 도시되는 바와 같이, 도 1에 도시한 금속 리드편(9)을 형성하기 위한 리드부(22)를 다수 개 연결한 것이다. 각 리드부(22)의 내부 단자부(9a)에 대응하는 위치에서의 두께는, 기판부(2)의 두께와 실질적으로 동일하게 설정된다. 리드부(22)는 그 하면에 하프 에칭에 의해 형성된 오목부(23)를 갖고, 후 공정에서 이 부분에서 절단됨으로써, 도 1에 도시한 금속 리드편(9)의 형상으로 된다.
다음에, 도 5b에 도시하는 바와 같이, 리드 프레임(21)을 매립하여, 기판부 (24) 및 리브 형성 부재(25)로 이루어지는 본체(26)를 다수 개 포함하는 수지 성형체를 일체 성형한다. 성형 후의 평면 형상을 도 7에 도시한다. 리드부(22)의 상하면은, 각각 기판부(24)의 상하면으로부터 노출하도록 매립되어, 각각 내부 단자부(9a) 및 외부 단자부(9b)를 형성한다. 리브 형성 부재(25)는 인접하는 본체(26)의 리브를 하나로 합체하여 형성한 것이다. 리브 형성 부재(25)의 상단면에는, 그 폭 방향의 중앙부에 배치되며 길이 방향으로 연장하는 홈부(25a)를 설치한다.
다음에, 도 5c에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(25)에 의해 포위된 각 본체(26)의 내부 공간 내에, 촬상 소자(5)를 접착재(6)에 의해 고정하여, 촬상 소자(5)의 패드 전극(5a)과 각 내부 단자부(9a)를 금속 세선(10)에 의해 접속한다. 또한, 홈부(25a)를 중심으로 하여 리브 형성 부재(25)의 상단면에 접착재(28)를 도포한다. 접착재(28)의 도포량은, 홈부(25a) 내를 충전하는 데에 필요한 양보다도 약간 많고, 후술하는 바와 같이 투명판(27)을 얹어놓았을 때에, 홈부(25a)의 양측에 단면과 투명판(27) 사이에 접착재(28)가 알맞은 두께로 개재되도록 설정한다.
다음에 도 5d에 도시하는 바와 같이, 접착재(28)가 도포된 리브 형성 부재(25)의 상단면에 투명판(27)을 얹어놓고 접합시킨다.
다음에 도 5e에 도시하는 바와 같이, 투명판(27), 리브 형성 부재(25), 리드부(22) 및 기판부(24)를, 다이싱 블레이드(29)에 의해 절단하여, 도 5f에 도시하는 바와 같이, 각 고체 촬상 장치를 형성하는 개개의 것으로 분리한다. 절단은, 도 5e에 도시한대로, 기판부(24)에 직교하는 방향이며, 또한 평면 형상에서 각 리브 형성 부재(25)의 폭을 2등분하는 방향으로 홈부(25a) 내에서 행한다. 그 결과, 분 단된 투명판(27), 리브 형성 부재(25), 리드부(22) 및 기판부(24)에 의해, 하나의 고체 촬상 장치를 구성하는 투명판(7)과, 기판부(2) 및 리브(3)로 이루어지는 본체(1)와, 금속 리드편(9)이 형성된다. 리브(3)의 상단면에는 저단부(3a)가 남겨진다. 또, 금속 리드편(9)의 측면 전극부(9c)가 노출된다.
본 실시 형태에서의 제조 방법에 의하면, 공정을 복잡화시키지 않고, 저단부(3a)에 접착재(28)가 충전된 구조를 용이하게 제작하는 것이 가능하다. 또, 홈부(25a)가 형성됨으로써 리브 형성 부재(25)의 수지의 체적이 감소하여, 열에 의한 수축 ·팽창을 완화하는 작용이 얻어진다.
또, 인접하는 본체(26)의 2개의 리브를 합체시켜 형성된 하나의 리브 형성 부재(25)는, 하나의 리브를 개별로 성형하는 경우의 폭의 2배보다 작은 폭으로 설정 가능하다. 따라서, 이것을 도 5e에 도시하는 바와 같이 반으로 절단하면, 도 5f에 도시하는 각 개개의 것의 고체 촬상 장치에서의 리브(3) 폭은, 하나의 리브를 개별로 성형한 경우에 비하면 작아져, 그 만큼, 고체 촬상 장치의 면적이 축소된다.
이렇게 하여도, 리브 형성 부재(25)의 폭은, 투명판(27)을 접합하기 위한 접착재의 도포에는 충분한 범위로 확보 가능하다. 극단의 예에서는, 개별로 성형하는 경우의 하나 분의 폭으로 리브 형성 부재(25)를 성형하고, 이것을 2분할하면, 절단 후의 리브(3)의 폭을 종래예의 반으로 할 수 있다.
또, 리브 형성 부재(25)를 폭 방향으로 2등분하여 절단함으로써, 절단면은 기판부(24)에 수직이 된다. 이에 대하여, 종래와 같이 리브를 개별로 성형하는 경 우, 리브의 외측면에는, 성형 후에 금형으로부터 뽑아내기 위한 테이퍼가 형성된다. 따라서, 본 실시 형태에 의해 제작되는 리브는, 테이퍼부가 존재하지 않는 분만큼, 리브의 폭이 저감된다.
또한, 투명판(27), 리브 형성 부재(25) 및 리드부(22)가 동일한 다이싱 블레이드(29)에 의해 일괄하여 절단되므로, 투명판(27)의 단면, 본체(1)의 측면 및 금속 리드편(9)의 단면이 형성하는 패키지 측면은, 실질적으로 동일 평면이 되어, 양호한 평탄도를 얻을 수 있다. 따라서, 광학계를 수용한 경통을 장착할 때, 패키지의 측면을 이용하여, 촬상 소자(5)의 수광부에 대한 광학계의 위치 결정을 고 정밀도로 행할 수 있다. 즉, 패키지의 측면과 경통의 내면의 맞닿음에 의해 수평 위치를 용이하게 위치 결정할 수 있다. 또한, 수직 방향의 위치 결정은, 회로 기판면과 경통의 하면과의 맞닿음에 의해 행할 수 있다.
다음에, 상술의 제조 공정의 도 5b에 도시한, 수지에 의한 본체의 성형 공정에 관해서, 도 8a∼도 8c를 참조하여 구체적으로 설명한다.
우선 도 8a에 도시하는 바와 같이, 상부 금형(30) 및 하부 금형(31) 사이에 리드 프레임을 배치하여, 리드부(22)의 상하면을, 상부 금형(30) 및 하부 금형(31)으로 클램프한다. 하부 금형(31)의 상면은 평면이지만, 상부 금형(30)의 하면에는 리브 형성 부재(25)를 성형하기 위한 오목부(32)가 설치되어 있다. 오목부(32)의 바닥면에는, 홈부(25a)를 성형하기 위한 볼록부(30a)가 설치되어 있다. 리드부(22)를 개재시킴으로써 상부 금형(30) 및 하부 금형(31) 사이에 형성된 공간부(33), 상부 금형(30)의 오목부(32)의 공간부, 및 리드부(22)의 오목부(23)의 공간 부가, 수지 성형용의 캐비티를 형성한다.
다음에 도 8b에 도시하는 바와 같이, 캐비티에 수지를 충전하여, 기판부(24) 및 리브 형성 부재(25)를 성형한다. 그 후 도 8c에 도시하는 바와 같이, 금형을 열어, 도 5b에 도시하는 바와 같은, 본체가 연결된 성형체를 취출한다.
또한, 오목부(32)의 바닥면에 볼록부(30a)를 성형하는 것 대신에, 성형물 배출용의 인젝트 핀을, 볼록부(30a)와 동일한 형상, 치수로 하여, 볼록부(30a)와 동일 개소에 배치함으로써 홈부(25a)를 성형하도록 해도 된다.
또, 상기의 성형 공정에서는, 리드부(22)의 상하면을, 상부 금형(30) 및 하부 금형(31)으로 클램프함으로써, 금형면과 리드부(22)의 상하면이 밀착한 상태를 안정하게 얻을 수 있다. 또, 상부 금형(30)의 오목부(32)의 경계부는, 리드부(22)의 상면에 배치된다. 이상의 결과, 성형에 의한 수지 버르의 발생이 효과적으로 억제된다.
또, 본체의 수지 성형 시에, 금형과 리드 프레임(21) 사이에, 수지 플래시 버르의 발생을 억제하기 위한 수지 시트를 개재시키면, 버르의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
(실시 형태 3)
실시 형태 3에서의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 관해서, 도 9를 참조하여 설명한다. 이 제조 방법은, 실시 형태 2에 나타낸 제조 방법과 개략적으로 동일하지만, 투명판으로서, 다수의 고체 촬상 장치의 영역에 걸치는 대면적의 것이 아니라, 개별로 장착되는 투명판을 이용하는 점이 상이하다. 초기 공정은 도 5a∼도 5c와 동일하므로, 설명을 생략한다.
우선 도 9a에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(25)에 의해 포위된 각 본체(26)의 내부 공간 내에, 촬상 소자(5)를 고정하고, 금속 세선(10)에 의한 접속을 완료한 후에, 리브 형성 부재(25)의 홈부(25a)를 중심으로 상단면에 접착재(28)를 도포한다.
다음에 도 9b에 도시하는 바와 같이, 각 본체에 개별로 대응시킨 투명판(34)을 얹어놓는다. 인접하는 투명판(34)의 둘레 가장자리는, 리브 형성 부재(25)의 상단면의 홈부(25a) 내에서, 서로 소정의 간극을 형성하는 크기로 설정되어 있다. 따라서, 접착재(28) 상에 투명판(34)을 얹어놓으면, 투명판(34) 간의 간극에 접착재(28)가 투입되어, 필릿(35)을 형성한다.
다음에, 필릿(35), 리브 형성 부재(25), 리드부(22) 및 기판부(24)를, 다이싱 블레이드(29)에 의해 절단하여, 도 9c에 도시하는 바와 같이, 각 고체 촬상 장치를 형성하는 개개의 것으로 분리한다. 절단은, 실시 형태 2의 경우와 마찬가지로, 기판부(24)에 직교하는 방향이고, 또한 평면 형상에서 각 리브 형성 부재(25)의 폭을 2등분하는 방향으로 홈부(25a) 내의 위치에서 행한다. 그 결과, 분단된 리브 형성 부재(25), 리드부(22) 및 기판부(24)에 의해, 각각 하나의 고체 촬상 장치를 구성하는, 기판부(2) 및 리브(3)로 이루어지는 본체(1), 금속 리드편(9)이 형성된다. 또, 투명판(34)의 둘레 가장자리에 필릿(36)이 남겨진다.
이 제조 방법에 의하면, 리브 형성 부재(25)의 폭이 충분하게 크지 않더라도, 투명판(34)의 둘레 가장자리에 필릿(36)을 형성하여, 투명판(34)의 접합을 확 실하게 행할 수 있다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 구성에 의하면, 본체를 형성하는 리브의 상단면에, 외주를 따라 낮아진 저단부가 형성되고, 저단부에 접착재가 충전되어 있다. 이것에 의해, 리브의 상단면에 투광판을 접합하고 있는 접착재가, 충분하게 큰 체적을 갖는다. 따라서, 열 변형 등에 기인하여 투명판과 리브 사이에 응력이 작용하였을 때에, 저단부의 접착재가 뒤틀림을 완화하여, 응력에 대한 강도가 향상한다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 공정을 복잡화시키지 않고, 저단부에 접착재가 충전된 구조를 용이하게 제작하는 것이 가능하다.

Claims (7)

  1. 기판부 및 직사각형 틀 형상의 리브가 수지에 의해 일체 성형된 본체와, 상기 본체에 매립되며, 상기 본체의 내부 공간에 면하는 내부 단자부 및 상기 본체의 외부에 노출된 외부 단자부를 각각 갖는 다수 개의 금속 리드편과, 상기 본체의 내부 공간에서 상기 기판부 상에 배치된 촬상 소자와, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 금속 리드편의 내부 단자부를 각각 접속하는 접속 부재와, 상기 리브의 상단면에 접합된 투광판을 구비한 고체 촬상 장치에 있어서,
    상기 리브의 상단면에 외주를 따라 낮아진 저단부가 형성되며, 적어도 상기 저단부에 충전된 접착재에 의해 상기 투광판이 상기 리브의 상단면에 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 금속 리드편은, 상기 내부 단자부의 위치에서의 두께가 상기 기판부의 두께와 실질적으로 동일하고, 상기 내부 단자부의 위치에 대응하는 이면에 상기 외부 단자부가 형성된 고체 촬상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리브의 외측면은, 상기 기판부의 면에 대하여 실질적으로 직교하는 평면을 형성하고, 상기 투광판의 단면은, 상기 리브의 외측면과 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있는 고체 촬상 장치.
  4. 기판부 및 직사각형 틀 형상의 리브에 의해 형성되는 본체를, 다수 개의 금속 리드편과 함께 일체적으로 수지 성형하여, 상기 각 금속 리드편에 의해 내부 단자부 및 외부 단자부를 형성하고, 상기 본체의 내부 공간 내의 상기 기판부 상에 촬상 소자를 배치하고, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 금속 리드편의 내부 단자부를 각각 접속하며, 상기 리브의 상단면에 투광판을 접합하는 고체 촬상 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 다수 개의 금속 리드편이 각각 배치된 다수 개의 상기 본체를 일괄하여 성형하고, 이 때, 인접하는 상기 각 본체를 형성하는 상기 각 리브를 하나로 합체시켜 리브 형성 부재로 하는 동시에, 상기 리브 형성 부재의 상단면에는 그 폭 방향의 중앙부에 배치되며 길이 방향으로 연장하는 홈부를 설치하고,
    상기 각 본체의 상기 내부 공간 내에 상기 촬상 소자를 배치하여, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 내부 단자부를 접속하고,
    상기 리브 형성 부재의 적어도 상기 홈을 포함하는 상단면에 접착재를 충전하고, 상기 리브 형성 부재의 상단면에 상기 투명판을 얹어놓고 접합한 후,
    상기 각 본체마다, 상기 기판부에 직교하고 또한 상기 각 리브 형성 부재의 폭을 2등분하는 방향으로 상기 홈 내에서 절단하여, 상기 각 고체 촬상 장치를 각 개개의 것으로 분리하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다수 개의 금속 리드편을 형성하기 위한 리드부를 다수 세트 포함하고, 상기 각 리드부의 상기 내부 단자부에 상당하는 위치에서의 두 께가 상기 기판부의 두께와 실질적으로 동일하도록 형성한 리드 프레임을 이용하고,
    상기 리드 프레임을, 수지 성형용 금형의 상부 금형에서의 상기 본체의 내부 공간을 형성하는 부분과 하부 금형 사이에, 상기 각 리드부의 내부 단자부에 상당하는 부분이 끼워져 클램프되도록 장착하여 상기 본체의 수지 성형을 행하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 투명판을 접합할 때에, 상기 다수 개의 본체에 걸치는 크기의 상기 투명판을 상기 리브 형성 부재의 상단면에 얹어놓고, 상기 각 본체마다 절단할 때에, 상기 투명판도 일괄하여 절단하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 투명판을 접합할 때에, 상기 각 본체에 대하여 각각 별개의 상기 투명판을, 인접하는 상기 각 투명판의 가장자리를 상기 리브 형성 부재의 홈 상에, 서로 간에 간극을 형성하여 얹어놓고, 상기 간극의 영역에서 상기 각 고체 촬상 장치를 각 개개의 것으로 분리하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
KR1020040069915A 2003-09-03 2004-09-02 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 KR100572388B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00311723 2003-09-03
JP2003311723A JP3838572B2 (ja) 2003-09-03 2003-09-03 固体撮像装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050024263A KR20050024263A (ko) 2005-03-10
KR100572388B1 true KR100572388B1 (ko) 2006-04-18

Family

ID=34131846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040069915A KR100572388B1 (ko) 2003-09-03 2004-09-02 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7378748B2 (ko)
EP (1) EP1513200A3 (ko)
JP (1) JP3838572B2 (ko)
KR (1) KR100572388B1 (ko)
CN (1) CN100433343C (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339448A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 受光ユニットを有する露光装置
US20070040231A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Harney Kieran P Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
JP4467506B2 (ja) * 2005-11-24 2010-05-26 三菱電機株式会社 パッケージおよびそれを用いた電子装置
US9082607B1 (en) * 2006-12-14 2015-07-14 Utac Thai Limited Molded leadframe substrate semiconductor package
JP2008226378A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール
JP2008227233A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体デバイスの製造方法、光ピックアップモジュール、および半導体デバイス
JP2008227232A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスおよび光ピックアップモジュール
JP5132957B2 (ja) * 2007-03-14 2013-01-30 パナソニック株式会社 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール
US8493748B2 (en) * 2007-06-27 2013-07-23 Stats Chippac Ltd. Packaging system with hollow package and method for the same
US7763983B2 (en) * 2007-07-02 2010-07-27 Tessera, Inc. Stackable microelectronic device carriers, stacked device carriers and methods of making the same
JP2009141198A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法と、該半導体装置を備えるカメラモジュール
US20090152653A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Borzabadi Hamid R Surface mount multi-axis electronics package for micro-electrical mechanical systems(MEMS) devices
US20100013041A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Micron Technology, Inc. Microelectronic imager packages with covers having non-planar surface features
CN102738013B (zh) * 2011-04-13 2016-04-20 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其制作方法
US20130107462A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Zhirong LU Hidden pin type high-power led support and hidden pin type high-power led packaging structure and technology using same
JP5865038B2 (ja) * 2011-11-30 2016-02-17 日東電工株式会社 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置
CN116389865A (zh) * 2014-12-17 2023-07-04 Lg伊诺特有限公司 透镜驱动模块、相机模块和光学装置
TWI545714B (zh) * 2015-03-06 2016-08-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
JP6859634B2 (ja) * 2016-09-12 2021-04-14 新日本無線株式会社 中空パッケージの製造方法
FR3061630B1 (fr) 2017-01-03 2021-07-09 St Microelectronics Grenoble 2 Procede de fabrication d'un capot pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot
FR3061629A1 (fr) * 2017-01-03 2018-07-06 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Procede de fabrication d'un capot pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot
FR3061628A1 (fr) 2017-01-03 2018-07-06 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Procede de fabrication d'un capot d'encapsulation pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot
TWI797977B (zh) * 2022-01-27 2023-04-01 台灣晶技股份有限公司 封裝結構

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373950A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Seiko Instruments Inc 気密封止ｉｃパッケージの製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58127474A (ja) 1982-01-25 1983-07-29 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JPS6428853U (ko) 1987-08-13 1989-02-21
JP3074773B2 (ja) 1991-05-15 2000-08-07 日本電気株式会社 固体撮像素子
JP2843464B2 (ja) * 1992-09-01 1999-01-06 シャープ株式会社 固体撮像装置
EP1213755A3 (en) * 1994-03-18 2005-05-25 Hitachi Chemical Co., Ltd. Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package
US6059636A (en) * 1997-07-11 2000-05-09 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer polishing apparatus
JP2001077277A (ja) 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージ製造方法
US6384472B1 (en) * 2000-03-24 2002-05-07 Siliconware Precision Industries Co., Ltd Leadless image sensor package structure and method for making the same
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
TW521410B (en) * 2001-11-15 2003-02-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package article
TW551644U (en) * 2002-06-28 2003-09-01 Cen Link Co Ltd Electrical connector
TW551611U (en) 2002-12-13 2003-09-01 Kingpak Tech Inc Improved structure of photo sensor package

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373950A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Seiko Instruments Inc 気密封止ｉｃパッケージの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1513200A2 (en) 2005-03-09
KR20050024263A (ko) 2005-03-10
US20050044618A1 (en) 2005-03-03
EP1513200A3 (en) 2006-05-24
JP3838572B2 (ja) 2006-10-25
US20080194055A1 (en) 2008-08-14
JP2005079537A (ja) 2005-03-24
CN1591889A (zh) 2005-03-09
CN100433343C (zh) 2008-11-12
US7691678B2 (en) 2010-04-06
US7378748B2 (en) 2008-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100572388B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR100682970B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR100591375B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조방법
KR100652375B1 (ko) 와이어 본딩 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물및 그 제조방법
US7719585B2 (en) Solid-state imaging device
KR100603918B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR100644185B1 (ko) 고체 촬상 장치의 제조 방법
JP4219943B2 (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20040902

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20060327

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20060412

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20060413

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090410

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100412

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110318

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120322

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120322

Start annual number: 7

End annual number: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee