[go: up one dir, main page]

KR100572323B1 - 멀티레벨 고전압 발생장치 - Google Patents

멀티레벨 고전압 발생장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100572323B1
KR100572323B1 KR1020030090190A KR20030090190A KR100572323B1 KR 100572323 B1 KR100572323 B1 KR 100572323B1 KR 1020030090190 A KR1020030090190 A KR 1020030090190A KR 20030090190 A KR20030090190 A KR 20030090190A KR 100572323 B1 KR100572323 B1 KR 100572323B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pump
voltage
input
high voltage
voltages
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020030090190A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050057957A (ko
Inventor
이승재
변대석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030090190A priority Critical patent/KR100572323B1/ko
Priority to US10/940,808 priority patent/US7176747B2/en
Priority to JP2004314667A priority patent/JP4824295B2/ja
Priority to DE102004055122A priority patent/DE102004055122A1/de
Publication of KR20050057957A publication Critical patent/KR20050057957A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100572323B1 publication Critical patent/KR100572323B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30Power supply circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/24Frequency-independent attenuators
    • H03H11/245Frequency-independent attenuators using field-effect transistor
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0083Converters characterised by their input or output configuration
    • H02M1/009Converters characterised by their input or output configuration having two or more independently controlled outputs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 메모리의 고전압 발생장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 고전압을 생성하는 하나의 전하 펌프를 이용하여 다양한 레벨의 고전압들을 생성하고, 이를 동시에 출력할 수 있는 멀티레벨 고전압 발생장치에 관한 것이다.
본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치는 입력단을 통해 입력되는 하나의 입력전압을 승압하여 서로 다른 레벨을 갖는 복수의 고전압들을 동시에 출력하는 전하 펌프부와 외부로부터의 인에이블 신호에 따라 동작하며, 전하 펌프부로부터 입력되는 전압들을 각각 분압하는 분압부 및 인에이블 신호에 따라 동작하며, 기준전압과 제어클락신호 및 분압부로부터의 분압전압들에 응답하여 각각의 분압전압들에 대응되는 펌프 제어신호들을 생성하는 펌프 제어부를 포함한다. 그리고, 전하 펌프부는 펌프 제어부로부터의 펌프 제어신호들에 의해 제어되어 고전압들을 생성한다.
고전압 발생장치, HIGH VOLTAGE PUMP, DIVIDER

Description

멀티레벨 고전압 발생장치{MULTI-LEVEL HIGH VOLTAGE GENERATION DEVICE}
도 1은 종래의 일반적인 고전압 발생장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 도 1에 보인 종래의 고전압 발생장치에서 전하 펌프부의 상세 블록도이다.
도 3은 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치의 실시예를 보여주는 블록도이다.
도 4는 도 3에 보인 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치에서 전하 펌프부의 실시예를 보여주는 블록도이다.
도 5는 도 4에 보인 본 발명의 전하 펌프부에서 k 번째 펌프 블록의 실시예를 보여주는 블록도이다.
도 6은 도 3에 보인 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치에서 분압부의 실시예를 보여주는 블록도이다.
도 7은 도 6에 보인 분압회로의 실시예를 보여주는 회로도이다.
도 8은 도 3에 보인 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치에서 펌프 제어부의 실시예를 보여주는 블록도이다.
도 9는 도 8에 보인 펌프 제어회로의 실시예를 보여주는 회로도이다.
본 발명은 플래쉬 메모리(Flash Memory)와 같은 반도체 메모리의 고전압 발생장치에 관한 것으로, 특히 고전압(high voltage)을 생성하는 하나의 전하 펌프(Charge Pump)를 이용하여 다양한 레벨(level)의 고전압들을 생성하고, 동시에 이를 출력할 수 있는 멀티레벨 고전압 발생장치(Multi-level High Voltage Generation Device)에 관한 것이다.
일반적으로 플래쉬 메모리에서 데이터를 프로그램(program)하거나, 또는 삭제(erase)하고자 하는 경우 높은 레벨의 전압(고전압)이 필요하다. 플래쉬 메모리에서 이러한 고전압은 전하 펌프(Charge Pump)를 이용한 고전압 발생장치를 이용하여 얻을 수 있다.
도 1은 종래의 일반적인 고전압 발생장치를 보여주는 블록도이다. 도 1에 보인 것처럼, 일반적인 고전압 발생장치는 전하 펌프부(Charge Pump Unit, 100)와 분압부(Voltage Divide Unit, 102) 및 펌프 제어부(Pump Control Unit, 104)로 구성된다. 이러한 고전압 발생장치에서는 입력되는 전압(VI)을 원하는 레벨의 목표전압(Target Voltage)까지 승압하여 출력한다.
전하 펌프부(100)는 직렬로 연결된 복수의 펌프회로(Pump Circuit)들로 구성되며, 이는 도 2에 도시되어 있다. 도 2를 참조하면, 각각의 펌프회로는 자신에게 입력되는 전압을 각각 승압하여 연결된 다음 펌프회로로 입력한다. 이 때, 각 펌프회로는 펌프 제어부(104)로부터 입력되는 펌프 제어신호(OSC_1)에 응답하여 승압동작을 수행한다. 만약, 펌프 제어부(104)로부터 펌프 제어신호(OSC_1)가 입력되지 않으면, 전하 펌프부(100)의 펌프회로는 승압동작을 수행하지 않는다.
분압부(102)는 외부의 인에이블 신호(EN)에 따라 동작하며, 전하 펌프부(100)의 출력전압(VO)을 분압하여 분압된 전압(VD)을 출력한다. 분압부(102)에 의한 출력전압(VO)의 분압은 직렬(serial)로 연결된 저항들의 비에 따라 결정된다.
펌프 제어부(104)는 분압부(102)로부터의 분압전압(VD)과 외부로부터 입력되는 소정의 기준전압(Vref) 그리고, 제어클락신호(OSC) 및 인에이블 신호(EN)에 따라 각 펌프회로들의 승압동작을 제어하는 펌프 제어신호(OSC_1)를 생성한다. 즉, 분압전압(VD)이 기준전압(Vref)보다 낮으면, 전하 펌프부(100)의 출력전압이 목표전압에 도달하지 않은 것이므로 펌프 제어부(100)는 제어클락신호(OSC)를 이용하여 펌프 제어신호(OSC_1)를 생성하고, 이를 각 펌프회로로 입력하여 승압동작이 수행되도록 한다. 반면에 분압전압(VD)이 기준전압(Vref)보다 높으면, 목표전압에 도달한 것이므로, 펌프 제어부(100)는 펌프 제어신호(OSC_1)를 생성하지 않음으로써, 전하 펌프부(100)의 승압동작을 중단한다.
그러나, 이와 같은 구조의 종래 고전압 발생장치는 한번에 하나의 전압레벨 을 갖는 전압만을 출력할 수 있다. 따라서, 서로 다른 레벨을 갖는 복수의 전압이 동시에 필요한 경우, 필요한 경우 수만큼의 별도 고전압 발생장치를 구비하여야 한다. 이는 고전압 발생장치를 필요로 하는 전체 회로의 면적을 증가시키고, 집적도를 떨어뜨리는 문제를 초래한다.
상술한 문제들을 해결하기 위해 본 발명에서는 하나의 입력전압에 대해 다양한 레벨의 고전압들을 생성하여 동시에 출력할 수 있는 멀티레벨 고전압 발생장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치는 입력단을 통해 입력되는 하나의 입력전압을 승압하여 서로 다른 레벨을 갖는 복수의 고전압들을 출력하는 전하 펌프부와 외부로부터의 인에이블 신호에 따라 동작하며, 전하 펌프부로부터 입력되는 고전압들을 각각 분압하는 분압부 및 상기 인에이블 신호에 따라 동작하며, 기준전압과 제어클락신호 그리고, 분압부로부터의 분압전압들에 응답하여 분압전압들 각각에 대응되는 펌프 제어신호들을 생성하는 펌프 제어부를 포함한다. 한편, 전하 펌프부는 펌프 제어신호들에 의해 제어되어 상기 고전압들을 생성하기 위한 승압동작을 수행한다.
(실시예)
도 3은 본 발명에 따른 멀티레벨 고전압 발생장치의 실시예를 보여주는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치는 크게 전하 펌프 부(300)와 분압부(302) 및 펌프 제어부(304)로 구성된다.
전하 펌프부(300)는 입력단을 통해 외부로부터 입력되는 하나의 입력전압(VI)을 승압하여 서로 다른 전압 레벨을 갖는 복수의 고전압들(VO1 ~ VO N)을 생성하고, 이를 출력한다. 이 때, 전하 펌프부(300)에 의한 승압동작은 펌프 제어부(304)로부터 입력되는 펌프 제어신호들(OSC_0 ~ OSC_N)에 의해 제어된다.
도 4는 도 3에 보인 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치에서 전하 펌프부(300)의 실시예를 보여주는 블록도이다. 도 4에 보인 것처럼, 전하 펌프부(300)는 입력단(A)과 최종 출력단(B) 사이에 직렬(series)로 연결된 복수의 펌프 블록들을 포함한다. 각각의 펌프 블록들은 자신에게 입력되는 전압을 펌프 제어신호(OSC_1 ~ OSC_N)에 따라 승압하여 출력한다. 각 펌프 블록들로부터 출력되는 전압은 전하 펌프부의 출력이 되고, 또한 다음 펌프 블록의 입력전압이 된다. 즉, k 번째 펌프 블록(402)은 k 번째 펌프 제어신호(OSC_K)에 의해 제어되어 입력전압(즉, k-1 번째 펌프 블록의 출력전압(V0(K-1)))을 승압하고, 승압된 전압(VOK)을 k+1 번째 펌프 블록으로 출력한다. 또한, 승압된 전압(VOK)은 전하 펌프부(300)의 출력이 되어 분압부(302)로 입력된다.
한편, 도 5는 도 4의 전하 펌프부에서 k 번째 펌프 블록의 실시예를 보여주는 블록도이다. 도 5에 보인 것처럼, 펌프 블록(402)은 직렬로 연결된 복수의 펌프회로들(펌프회로 1 ~ 펌프회로 n)을 포함하고, 각 펌프회로들의 승압동작에 의해 원하는 목표전압을 생성하여 출력한다. 기타 다른 펌프 블록들도 입력되는 펌프 제 어신호와 구성되는 펌프회로의 개수만 상이할 뿐 도 5와 유사한 구성을 갖는다. 한편, 각 펌프회로는 다양한 방법으로 구현될 수 있으며, 입력되는 전압을 승압할 수 있으면 어떠한 펌프회로도 이용될 수 있다.
도 6은 도 3에 보인 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치에서 분압부의 실시예를 보여주는 블록도이다. 도 6에 보인 것처럼, 분압부(302)는 전하 펌프부(300)로부터 입력되는 전압들(VO1 ~ VON)을 각각 분압하는 복수의 분압회로들로 구성된다. 각각의 분압회로들은 외부로부터 인에이블 신호(EN)가 인가되면, 전하 펌프부(300)로부터 입력되는 전압들(VO1 ~ VON)을 각각 분압하여 분압된 전압(VD 1 ~ VDN)을 펌프 제어부(304)로 입력한다.
도 7은 도 6에서 k 번째 분압회로(제 K 분압회로)의 실시예를 보여주는 회로도이다. 도 7을 참조하면, 분압회로(602)는 외부로부터의 인에이블 신호에 따라 분압회로의 동작을 제어하는 인버터들(706, 708)과 복수의 모스 트랜지스터들(P11, N11, N12, N13) 및 직렬로 연결된 저항들(R1, R2)로 구성된다. 그리고, 분압회로는 직렬로 연결된 저항(702, 704)의 비를 이용하여 전하 펌프부(300)로부터 입력되는 고전압(VOK)을 분압한다. 즉, 외부로부터 인에이블 신호(EN)가 입력되면, 전하 펌프부(300)로부터 입력되는 고전압(VOK)을 저항비(R2/(R1+R2))에 따라 분압하여 분압전압(VDK)를 생성한다. 다른 분압회로들도 도 7의 실시예에 보인 회로와 유사한 구성을 가지며, 단지 입력되는 고전압이 다르기 때문에 이를 분압하기 위한 저항의 값 만 다를 뿐이다.
도 8은 도 3에 보인 본 발명의 멀티레벨 고전압 발생장치에서 펌프 제어부의 실시예를 보여주는 블록도이다. 도 8에 보인 것처럼, 펌프 제어부(304)는 외부로부터 입력되는 인에이블 신호(EN)에 따라 동작하며, 소정의 기준전압(Vref)과 분압부(302)로부터 입력되는 각각의 분압전압들(VD1 ~ VDN)에 응답하여 펌프 제어신호들(OSC_1 ~ OSC_N)을 각각 생성하는 펌프 제어회로들로 구성된다. 펌프 제어회로들에 의해 생성되는 펌프 제어신호들(OSC_1 ~ OSC_N)은 전하 펌프부(300)를 구성하는 각 펌프회로들의 승압동작을 제어하는 신호이다.
도 9는 k 번째 펌프 제어회로의 실시예를 보여주는 회로도이다. 도 9를 참조하면, 펌프 제어회로(802)는 복수의 P 모스 트랜지스터들(P20, P21, P22)과 N 모스 트랜지스터들(N20, N21, N22)로 구성되는 차동 증폭기(Differential Amplifier, 902) 및 복수의 낸드 게이트들(904, 908)과 인버터들(906, 910)로 구성되는 논리 회로를 포함한다. 차동 증폭기(902)는 잘 알려진 바와 같이, 기준전압(Vref)과 입력되는 전압(VDK)을 비교하여 입력되는 전압(VDK)을 기준전압(Vref)과 동일한 레벨로 유지시키는 비교기의 역할을 수행한다.
본 발명에서 펌프 제어회로(802)의 차동 증폭기(902)는 입력되는 분압전압(VDK)과 기준전압(Vref)을 비교하여 분압전압(VDK)이 기준전압(V ref)보다 낮다면, 제어클락신호(OSC)를 이용하여 펌프 제어신호(OSC_K)를 생성하고, 이를 전하 펌프부(300)의 k 번째 펌프 블록(402)으로 입력한다. 앞서 언급한 것처럼, 펌프 블록(402)으로 펌프 제어신호(OSC_K)가 입력되면 각각의 펌프회로는 승압동작을 통해 입력되는 전압을 승압한다. 반대로, 분압전압(VDK)이 기준전압(Vref)보다 크다면, 펌프 제어회로(802)는 펌프 제어신호(OSC_K)를 생성하지 않는다. 따라서, 펌프 블록(402)은 승압동작을 중단하여 이전 출력전압을 그대로 유지한다. 즉, 펌프 블록(402)의 출력(VOK)이 원하는 전압에 도달한 것으로 인식하여 각 펌프회로의 승압동작이 중단된다.
이상에서, 본 발명에 따른 멀티레벨 고전압 발생장치의 구성 및 동작을 도면을 통해 상세히 설명하였지만, 이는 예시적인 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 응용 및 변경이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 하나의 전하 펌프를 통해 입력전압을 승압하여 동시에 다양한 레벨의 고전압들을 생성하여 출력함으로써, 동시에 서로 다른 레벨의 고전압을 필요로 하는 반도체 메모리의 집적도를 높일 수 있다.

Claims (11)

  1. 멀티레벨 고전압 발생장치에 있어서,
    입력단을 통해 입력되는 하나의 입력전압을 승압하여 서로 다른 레벨을 갖는 복수의 고전압들을 출력하는 전하 펌프부;
    외부로부터의 인에이블 신호에 따라 동작하며, 상기 고전압들을 각각 분압하는 분압부; 및
    상기 인에이블 신호에 따라 동작하며, 기준전압과 제어클락신호 및 상기 분압부로부터의 분압전압들에 응답하여 상기 분압전압들 각각에 대응되는 펌프 제어신호들을 생성하는 펌프 제어부를 포함하되,
    상기 전하 펌프부는 상기 펌프 제어신호들에 제어되어 상기 고전압들을 생성하기 위한 승압동작을 수행함을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전하 펌프부는 상기 입력단과 출력단 사이에 직렬로 연결된 복수의 펌프 블록들로 구성됨을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 각각의 펌프 블록들은 서로 다른 펌프 제어신호에 응답하여 각각 입력되는 전압을 승압함을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 펌프 블록은 직렬로 연결된 복수의 펌프회로들로 구성되며, 하나의 펌프 블록에 포함된 펌프회로들은 모두 동일한 펌프 제어신호에 의해 제어됨을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 펌프 회로는 상기 펌프 제어신호가 입력되면, 입력전압에 대한 승압동작을 수행함을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 펌프 회로는 상기 펌프 제어신호가 입력되지 않으면, 승압동작을 수행하지 않음을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 분압부는 상기 전하 펌프부로부터의 상기 고전압들 각각에 대응되는 복수의 분압회로들을 포함함을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 각각의 분압회로는 직렬로 연결된 복수의 저항들을 포함하고, 상기 인에이블 신호에 따라 상기 고전압을 상기 저항들의 저항값 비에 따라 분압함을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 펌프 제어부는 상기 분압부로부터 입력되는 분압전압들 각각에 대응되는 복수의 펌프 제어회로들을 포함함을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 각각의 펌프 제어회로는 상기 인에이블 신호에 따라 동작하며, 상기 기준전압과 상기 분압전압의 레벨을 동일하게 유지시키는 차동 증폭기; 및
    상기 차동 증폭기의 출력과 상기 인에이블 신호 및 상기 제어클락신호에 응답하여 상기 펌프 제어신호를 생성하는 논리 회로들로 구성됨을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 펌프 제어신호는 클락신호의 형태로 출력됨을 특징으로 하는 멀티레벨 고전압 발생장치.
KR1020030090190A 2003-12-11 2003-12-11 멀티레벨 고전압 발생장치 Expired - Fee Related KR100572323B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030090190A KR100572323B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 멀티레벨 고전압 발생장치
US10/940,808 US7176747B2 (en) 2003-12-11 2004-08-24 Multi-level high voltage generator
JP2004314667A JP4824295B2 (ja) 2003-12-11 2004-10-28 マルチレベル高電圧発生装置
DE102004055122A DE102004055122A1 (de) 2003-12-11 2004-11-10 Generator für hohe Spannung mit Ladungspumpe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030090190A KR100572323B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 멀티레벨 고전압 발생장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050057957A KR20050057957A (ko) 2005-06-16
KR100572323B1 true KR100572323B1 (ko) 2006-04-19

Family

ID=34651376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030090190A Expired - Fee Related KR100572323B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 멀티레벨 고전압 발생장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7176747B2 (ko)
JP (1) JP4824295B2 (ko)
KR (1) KR100572323B1 (ko)
DE (1) DE102004055122A1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1307720C (zh) 2003-06-27 2007-03-28 富士通株式会社 半导体集成电路
US7176732B2 (en) * 2003-08-28 2007-02-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) vzw) Device and method for increasing the operating range of an electrical circuit
KR101026379B1 (ko) * 2005-02-28 2011-04-07 주식회사 하이닉스반도체 고전압 펌핑장치
US20060227626A1 (en) * 2005-04-11 2006-10-12 Hynix Semiconductor Inc. Input buffer circuit of semiconductor memory device
KR100660638B1 (ko) * 2005-10-26 2006-12-21 삼성전자주식회사 고전압 발생 회로 및 이를 구비하는 반도체 장치
KR100764740B1 (ko) * 2006-05-16 2007-10-08 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것을 위한 고전압 발생회로
JP2008005374A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Mitsubishi Electric Corp マルチストリーム対応マルチプレクサ及びデマルチプレクサシステム
KR100809071B1 (ko) * 2006-09-25 2008-03-03 삼성전자주식회사 고전압 발생 회로를 구비하는 반도체 장치 및 그 전압 발생방법
KR100809072B1 (ko) * 2006-09-28 2008-03-03 삼성전자주식회사 고전압 발생 회로를 구비하는 반도체 장치 및 그 전압 발생방법
JP2008269727A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 昇圧回路、半導体記憶装置およびその駆動方法
KR100908532B1 (ko) * 2007-11-09 2009-07-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 고전압 공급장치
US7795951B2 (en) 2007-11-30 2010-09-14 Freescale Semiconductor, Inc. High-dynamic range low ripple voltage multiplier
KR100894490B1 (ko) * 2008-03-03 2009-04-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리장치의 내부전압 생성회로
US8078277B2 (en) 2008-10-29 2011-12-13 Medtronic, Inc. Identification and remediation of oversensed cardiac events using far-field electrograms
JP2010124590A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Seiko Instruments Inc 昇圧回路
US20100148840A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-17 Siyou Weng Pulse modulated charge pump circuit
DE102009014509B4 (de) * 2009-03-24 2015-05-07 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Ansteuerung einer Anzeige
US8013666B1 (en) * 2009-07-31 2011-09-06 Altera Corporation Low ripple charge pump
US8030988B2 (en) * 2009-12-31 2011-10-04 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Method for generating multiple incremental output voltages using a single charge pump chain
US10249346B2 (en) * 2017-07-13 2019-04-02 Winbond Electronics Corp. Power supply and power supplying method thereof for data programming operation
KR102545174B1 (ko) * 2018-10-05 2023-06-19 삼성전자주식회사 차지 펌프 회로를 포함하는 메모리 장치
US11069415B2 (en) 2018-10-05 2021-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device including charge pump circuit
US11336174B2 (en) 2019-10-18 2022-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Charge pump system with low ripple output voltage
IT202200012356A1 (it) * 2022-06-10 2023-12-10 Sk Hynix Inc Circuito di pompa di carica con protezione da sovratensione

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE61679B1 (en) 1987-08-10 1994-11-16 Fujisawa Pharmaceutical Co Water-soluble antibiotic composition and water-soluble salts of new cephem compounds
JP3285443B2 (ja) * 1993-12-22 2002-05-27 三菱電機株式会社 チャージポンプ
DE69430806T2 (de) * 1994-12-05 2002-12-12 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Ladungspumpe-Spannungsvervielfacherschaltung mit Regelungsrückkopplung und Verfahren dafür
US5602794A (en) 1995-09-29 1997-02-11 Intel Corporation Variable stage charge pump
JP2917914B2 (ja) * 1996-05-17 1999-07-12 日本電気株式会社 昇圧回路
KR100422977B1 (ko) 1996-08-24 2004-07-01 삼성전자주식회사 디스크슬립을방지한소형하드디스크드라이브장치
KR100271840B1 (ko) 1997-08-27 2000-11-15 다니구찌 이찌로오 회로 면적의 증대를 억제하면서 복수의 전위를 출력할 수 있는내부 전위 발생 회로
KR100280434B1 (ko) * 1998-01-23 2001-03-02 김영환 고전압발생회로
US6055168A (en) 1998-03-04 2000-04-25 National Semiconductor Corporation Capacitor DC-DC converter with PFM and gain hopping
JPH11265225A (ja) * 1998-03-16 1999-09-28 Toyota Motor Corp エンジン制御装置用の電源装置
US6404274B1 (en) * 1998-04-09 2002-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Internal voltage generating circuit capable of generating variable multi-level voltages
US6278316B1 (en) * 1998-07-30 2001-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Pump circuit with reset circuitry
JP4397062B2 (ja) * 1998-11-27 2010-01-13 株式会社ルネサステクノロジ 電圧発生回路および半導体記憶装置
JP2001075536A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Nec Corp 昇圧回路、電源回路及び液晶駆動装置
US6278317B1 (en) * 1999-10-29 2001-08-21 International Business Machines Corporation Charge pump system having multiple charging rates and corresponding method
JP2001169538A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Toshiba Corp 半導体集積回路およびフラッシュメモリ
US6275096B1 (en) * 1999-12-14 2001-08-14 International Business Machines Corporation Charge pump system having multiple independently activated charge pumps and corresponding method
JP4149637B2 (ja) * 2000-05-25 2008-09-10 株式会社東芝 半導体装置
TW533667B (en) 2000-08-31 2003-05-21 Univ Illinois Multiple output dynamically regulated charge pump power converter
GB2369458B (en) * 2000-11-22 2004-08-04 Nec Technologies Linear regulators
KR100374644B1 (ko) * 2001-01-27 2003-03-03 삼성전자주식회사 승압 전압의 조절이 가능한 전압 승압 회로
JP2002247838A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Denso Corp 昇圧回路及びドレイン、ソース間電圧緩和型インバータ回路
US6486728B2 (en) * 2001-03-16 2002-11-26 Matrix Semiconductor, Inc. Multi-stage charge pump
JP4576736B2 (ja) * 2001-03-28 2010-11-10 セイコーエプソン株式会社 電源回路、表示装置および電子機器
US7336121B2 (en) 2001-05-04 2008-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Negative voltage generator for a semiconductor memory device
JP3959253B2 (ja) 2001-10-02 2007-08-15 株式会社日立製作所 液晶表示装置及び携帯型表示装置
DE60134477D1 (de) * 2001-11-09 2008-07-31 St Microelectronics Srl Ladungspumpeschaltung mit niedriger Leistung
US6888399B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-03 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device equipped with a voltage step-up circuit
JP3830414B2 (ja) * 2002-04-02 2006-10-04 ローム株式会社 昇圧回路を備えた半導体装置
US6642774B1 (en) * 2002-06-28 2003-11-04 Intel Corporation High precision charge pump regulation
KR100520138B1 (ko) * 2002-11-28 2005-10-10 주식회사 하이닉스반도체 펌핑전압 발생장치
JP4257196B2 (ja) * 2003-12-25 2009-04-22 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP4492935B2 (ja) * 2004-03-08 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 昇圧回路および昇圧回路を備えた半導体装置
KR100645054B1 (ko) * 2004-10-27 2006-11-10 삼성전자주식회사 기생 커패시턴스의 영향을 줄인 전압 분배 회로 및 그것을포함한 워드라인 전압 발생회로

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004055122A1 (de) 2005-07-14
US20050127981A1 (en) 2005-06-16
KR20050057957A (ko) 2005-06-16
JP2005176590A (ja) 2005-06-30
US7176747B2 (en) 2007-02-13
JP4824295B2 (ja) 2011-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100572323B1 (ko) 멀티레벨 고전압 발생장치
KR100292565B1 (ko) 내부 전압 발생 회로와 반도체 메모리
US7656221B2 (en) Booster circuit and voltage supply circuit
US6518828B2 (en) Pumping voltage regulation circuit
US7253676B2 (en) Semiconductor device and driving method of semiconductor device
US7777466B2 (en) Voltage regulator or non-volatile memories implemented with low-voltage transistors
KR102376553B1 (ko) 전압생성회로
US7439794B2 (en) Power source circuit
US6771200B2 (en) DAC-based voltage regulator for flash memory array
KR102160353B1 (ko) 반도체 메모리 디바이스
US7385852B2 (en) Circuit for generating step-up voltage in non-volatile memory device
KR100572302B1 (ko) 플래시 메모리 장치와 그의 프로그램 방법
US10249374B2 (en) Voltage supply circuit and semiconductor storage device
US6836436B2 (en) Voltage generator for flash memory device
KR100449558B1 (ko) 차지 펌프 회로
KR20050040940A (ko) Dac 기반 플레시 메모리 어레이용 전압 레귤레이터
WO2004025389A2 (en) Dac-based voltage regulator for flash memory array
KR20090000379A (ko) 고전압 발생회로 및 이를 구비한 플래시 메모리 소자
KR20050019637A (ko) 임베디드 불휘발성 기억 장치의 부트스트랩 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20031211

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20050728

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20060208

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20060412

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20060413

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090316

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100315

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110315

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120402

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130411

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130411

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140319

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140319

Start annual number: 9

End annual number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20170309