KR100571369B1

KR100571369B1 - 디바이스제조방법 및 컴퓨터프로그램

Info

Publication number: KR100571369B1
Application number: KR1020030085198A
Authority: KR
Inventors: 로비쉬마르틴; 디에리히스마르첼마티스테오도레마리에; 판잉겐슈에나우코엔; 판데르란한스; 린더스마르티누스헨드리쿠스안토니우스; 맥구엘라이네; 믹칸우베
Original assignee: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date: 2002-11-28
Filing date: 2003-11-27
Publication date: 2006-04-14
Anticipated expiration: 2023-11-27
Also published as: TW200426522A; US20040137677A1; KR20040047703A; US7042550B2; SG135931A1; TWI257532B; CN1530747A; JP2004179663A; JP4204959B2; DE60321883D1

Abstract

시스템 수차들은 비스듬히 조명된 두꺼운 흡수재를 구비한 두꺼운 반사마스크의 묘화를 최적화하도록 리소그래피장치의 투영시스템내에서 달성된다. 상기 수차들은 Z5 비점수차, Z9 구면수차 및 Z12 비점수차를 포함할 수 있다.

Description

디바이스제조방법 및 컴퓨터프로그램{Device Manufacturing Method and Computer Programs}

도 1은 본 발명의 방법을 수행하는 데 사용될 수 있는 리소그래피투영장치를 도시하는 도면;

도 2는 본 발명의 방법에 사용될 수 있는 반사다층마스크를 도시하는 도면;

도 3은 본 발명에 따른 방법의 플로우차트;

도 4는 본 발명의 방법에서 결정되는 보정을 적용하는 시스템의 다이어그램;

도 5는 본 발명에 따른 여하한의 보정이 적용되지 않고 브라이트필드(bright field)상의 30㎚ 라인에 대한 최적 포커스 시프트 대 피치의 그래프;

도 6은 본 발명에 따른 여하한의 보정이 적용되지 않고 브라이트필드상의 30㎚ 라인에 대한 이소포컬 경사 대 피치의 그래프;

도 7 내지 도 11은 본 발명의 방법에 따른 다양한 보정도(degree of correction)를 갖는 이소포컬 경사와 최적 포커스 시프트의 영향을 도시하는 그래프;

도 12 내지 도 15는 다양한 조명 조건과 보정도에 대한 임계치수 대 포커스의 그래프;

도 16은 조명 조건과 보정도에 대한 임계치수 균일성 대 추가된 포커스범위 의 그래프;

도 17은 마스크 입사각과 피치의 함수로서 이미지 임계치수의 그래프;

도 18은 이미지필드내의 위치의 함수로서 마스크 유도 임계치수와 수평-수직 바이어스의 그래프;

도 19는 마스크 입사각과 피치의 함수로서 이미지 변위의 그래프; 및

도 20 내지 도 22는 마스크 입사각을 설명하는 데 사용되는 다이어그램.

본 발명은 리소그래피장치를 사용하는 디바이스제조방법 및 리소그래피장치의 제어시에 사용되는 컴퓨터프로그램에 관한 것이다.

리소그래피장치는 기판의 타겟부상에 소정 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피장치는, 예를 들어, 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 마스크와 같은 패터닝수단이 IC의 개별층에 대응하는 회로패턴을 생성하도록 사용될 수 있고, 이 패턴은 방사선감응재(레지스트)층을 가지는 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피장치는, 한번에 하나씩 타겟부상의 전체패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위, 스테퍼 및 투영빔을 통하여 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같 은 방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위, 스캐너를 포함한다.

현재의 리소그래피투영장치에서 가능한 것보다 작은 피처들의 묘화를 가능하게 하기 위해서, 예를 들어 파장이 13.5㎚인 극자외선(EUV)를 사용하도록 제안된다. 이러한 방사선은 공지된 거의 모든 물질에 의하여 강력히 흡수되므로, 반사마스크를 사용할 필요가 있다. 하지만, EUV용 반사마스크를 만드는 것은 그 자체 문제점들을 나타내고, 수용가능한 반사율을 달성하기 위해서, 마스크는, 예를 들어 (Mo/Si) 또는(Mo/Be)의 40쌍 이상의 층으로 된 다층(multilayer)으로 형성된 분포브래그반사기(distrituted Bragg reflector)로서 형성되어야 한다. 그 다음, 마스크패턴은 탄탈륨(Ta) 또는 크롬(Cr)과 같은 위에 있는 패턴 흡수재층(overlying patterned absorber layer)에 의해 형성된다. 다층 및 흡수재층은 파장의 수십배 정도로 비교적 두꺼워야 하며, 이는 마스크를 비스듬히 조명할 필요성으로 결합되고, 이상적인, 얇은 바이너리 마스크에 비하여, 보호된 이미지내에 다양한 오차들을 도입한다.

이들 오차는 여러 공보에 개시되어 있다. B.S.Bollepalli 및 F.Cerrina의, On the Computation of Reflected Images from Extreme Ultra Violet Masks(SPIE Conference on Emerging Lithographic Technologies Ⅲ, Santa Clara, CA, SPIE Volume 3676, 587-597(1999년 3월))은 고립된 구조체의 입사각을 가진 패턴시프트 및 선폭의 변동을 기술하고 있고, 적절한 마스크 바이어스에 의한 보정을 제안한다. C.G.Krautschik, M.Ito, I.Nishiyama 및 K.Otaki의, Impact of the EUV mask phase response on the asymmetry of Bossung curves as predicted by rigorous EUV mask simulations(SPIE Conference on Emerging Lithographic Technologies Ⅴ, Santa Clara, CA, SPIE Volume 4343(2001년 3월))은 고립된 구조체를 위한 포커스를 통하여 보썽커브(Bossung curve)의 비대칭을 설명하며, 수평 및 수직라인에 의하여 겪는 상이한 조명각이 포커스를 통하여 추가적인 수평 대 수직 CD 바이어스를 유발한다는 것을 나타낸다. 또한, 마스크-사이징 개요(mask-sizing schemes)를 통하여 이들 영향을 보상하는 것이 제안되었다. K.Otaki의 Asymmetric properties of the Aerial Image in Extreme Ultraviolet Lithography(Jpn.J.Appl.Phys. Vol39(2000) pp 6819-6826)은 두꺼운 마스크가 비대칭적으로 조명되는 경우, 비대칭회절의 영향을 설명하고, 에어리얼 이미지의 비대칭을 나타낸다.

EP-1 251 402-A는 투영렌즈안으로 수차를 의도적으로 도입하여, 우수한 기능을 최소화하는 기존에 존재하는 여타의 수차들을 보상하는 개념을 설명한다. 또한, 개시된 명세서의 목적은 위상시프트마스크(PSM)내의 정확한 180°위상시프트의 편차로부터 도출되는 보썽경사(Bossung tilt)를 보상하기 위함이다.

하지만, 종래 기술에 제안된 해결책은 완전한 해결책을 제공하지는 않으며, 모든 마스크-유도 묘화 가공품(mask-induced imaging artifacts)을 보상할 수 없다.

본 발명의 목적은 개선된 묘화가 획득되는, 법선에 대하여 경사지게 조명되는 반사마스크를 사용하는 디바이스제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면,

- 적어도 부분적으로 방사선감응재층으로 덮힌 기판을 제공하는 단계;

- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;

- 두꺼운 흡수재에 의하여 패턴이 형성되는 반사마스크를 사용하여 상기 투영빔의 단면에 상기 패턴을 부여하는 단계;

- 방사선감응재층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계를 포함하여 이루어지고,

상기 패터닝된 빔을 투영시키는 상기 단계에 사용되는 투영시스템내의 시스템수차가 마스크-유도 묘화 가공물을 보상하도록 제어되거나 생성된다.

본 발명의 방법에서, 조밀한 라인과 고립된 라인 사이, 및 수평라인과 수직라인 사이의 최적 포커스 시프트 차이가 감소될 수 있는 방식으로 비스듬한 조명과, 두꺼운 흡수재를 갖는 반사마스크로 인한 최적 포커스 시프트 영향을 보상할 수 있다. EUV 방사선에 사용되는 두꺼운 흡수재는, 예를 들어, 50 내지 100㎚이상의 두께를 가질 수 있다. 본 발명은 이미지형상내의 여하한의 보정가능한 것들을 보정하기 위하여 파면 또는 위상 조작(manipulation)을 수행하는 투영시스템내의 임의로 이용가능한 "노브(knob)"를 사용한다. 이는 상이한 피처에 대한 프로세스윈도우를 서로 보다 근접하도록 도와준다. 또한, 수차입력의 레벨에 대한 측정기준(metric)으로서 이소-포컬(iso-focal) 경사를 사용하고, 상이한 구조형태 사이의 차이를 감소시킬 수 있다. 이소포컬 경사의 향상이 최적 포커스 시프트 성능을 악 화시킬 수 있으며, 그 반대의 경우도 그러하기 때문에, 측정기준의 선택이 중요하다.

또한, 본 발명의 방법은, 마스크 입사각(MAI), 흡수재두께, 피처종류 및 NA/조명세팅의 함수로서 생기는 마스크 유도 이미지 CD 오프셋을 보상할 수 있다. 지배적인 영향은 구조적 방위, 예를 들어 이미지필드에 걸쳐 변동하는 수평-수직(HV) 바이어스의 함수로서 피처간의 CD 변동이다. 콘택홀에 대하여, 마스크는 이미지필드에 걸쳐 타원형 변동을 유도할 것이다.

낮은 차수 시스템 수차들은 (하기에 정의되는 바와 같이) Z5 비점수차(astigmatism), Z9 구면수차, 및 Z12 비점수차 또는 등가 수차인 것이 바람직하다. 수차에 관계없이, 조밀한 및 준고립된(semi-isolated) 구조체의 시뮬레이션은 최적 포커스(BF) 시프트 및 이소포컬 경사(IFT)에 대한 민감한 데이터를 제공하고 있다. 제르니케(Zernike) Z5, Z9 및 Z12의 최적화된 조합은 동일한 임계치수(CD)의 조밀한, 준고립된, 수평 및 수직 라인들의 포커스위치를 서로 보다 근접하게 가져오도록 최적 포커스 시프트 및 이소포컬 경사를 보상하고 감소시킬 수 있다. 따라서, 묘화를 위해 프로세스윈도우를 오버랩할 가능성이 향상된다. 또한, 이러한 최적 포커스 시프트 보상을 이용하는 효과는 이소포컬 경사에 관하여는 긍정적인 효과를 가질 수 있지만, 이것은 피처 의존적이다. 이미지필드에 걸친 콘택홀 타원형 변형은 대부분 Z5 비점수차를 이용하여 보상될 수 있다. HV 바이어스 변동은 Z5, Z9 및 Z12 수차의 조합을 주로 이용하는 이소-포컬 및 최적 포커스 시프트와 조합하여 보상될 수 있다.

본 발명이 해결할 수 있는 또 다른 문제는 XY 평면내의 이미지변위이다. 이러한 이미지변위는 마스크 입사각, 흡수재두께, 피처종류 및 NA/조명세팅의 함수로서 생길 수 있으며, 이 변위는 이미지필드내의 위치에 대하여 의존적일 것이다. 어떤 경우에는, 이러한 영향들은 마스크의 예비-왜곡(pre-distortion)에 의하여, 그리고 광근접성보정에 의하여 보상될 수 있는 한편, 이들 해결책은 마스크를 기계세팅의 특정 세트와 함께 사용하기 위하여 결부된다. 더욱 융통성이 있는 해결책은 (하기에 서술되는 바와 같이) 투영시스템수차, 특히 Z2, Z3 및 Z7을 제어하고 및/또는 도입함으로써 본 발명에 의하여 제공될 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시형태는 두꺼운 흡수재내에 마스크패턴을 구현시키는 반사마스크의 묘화를 최적화하도록 리소그래피장치의 투영시스템내에서 실행될 시스템 수차를 결정하는 컴퓨터프로그램을 제공하며, 상기 프로그램은 컴퓨터시스템상에서 수행되는 경우,

상이한 수차에 대한 상기 패턴내의 상이한 피처들의 감응성을 결정하는 단계;

결정된 감응성을 이용하여 수차의 최적의 조합을 결정하는 단계를 실행하도록 컴퓨터에게 지시하는 코드수단을 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시형태는 두꺼운 흡수재내의 마스크패턴을 구현시키는 반사마스크의 묘화를 최적화하도록 리소그래피장치내의 투영시스템에서 시스템수차를 실현시키는 리소그래피투영장치를 제어하는 컴퓨터프로그램을 제공한다.

본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대 하여 언급하였으나, 이러한 장치는, 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널(LCD), 박막자기헤드와 같은 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다. 본 명세서에서 언급된 기판은, 예를 들어, 트랙(통상적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴) 또는 메트롤로지 또는 검사툴에서, 노광 전후에 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 본 명세서는 이러한, 여타의 기판처리툴에 적용될 수 있다. 또한, 기판은, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위해서 1회이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에서 사용되는 기판이라는 용어는 다수 처리된 층을 이미 포함하는 기판을 언급할 수도 있다.

본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인) 극자외(EUV)방사선을 포함한 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔까지도 포괄하여 사용된다.

여기서 사용되는 "패터닝수단" 이라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하도록 패터닝된 단면을 입사하는 투영빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 투영빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 소정패턴과 정확히 일치하지 않을 수 있다. 일반적으로, 투영빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.

패터닝수단은 투과 또는 반사형이다. 패터닝 수단의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 배열, 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피분야에 잘 알려져 있으며, 바이너리, 교번 위상시프트, 감쇠 위상시프트와 같은 마스크형식 및 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 프로그램가능한 거울배열의 예로는, 각각의 거울이 상이한 방향으로 입사방사선빔을 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용한다. 이 방식으로, 반사된 빔이 패터닝된다. 패터닝수단의 각각의 예에서, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있고, 패터닝수단이, 예를 들어 투영시스템에 대하여 소정 위치에 있는 것을 보장할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 본 명세서에서 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 사용은 "패터닝수단"이라는 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어, 사용되는 노광방사선, 또는 침지유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 적절하다면, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 시스템을 포함한, 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "렌즈"라는 용어의 사용은 "투영시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.

또한, 조명시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위하여 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학구성요소를 포괄할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으 로 "렌즈"라고 언급할 것이다.

리소그래피장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피장치는 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우도록, 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물에 기판이 침지되는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지액은 리소그래피장치내의 여타의 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소사이에 적용될 수 있다. 침지기술은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 당업계에 잘 알려져 있다.

대응하는 기준부호가 대응하는 부분을 나타내는 첨부된 도면을 참조로, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예를 서술한다.

리소그래피투영장치

도 1은 본 발명에 따라 사용가능한 리소그래피투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는;

- 방사선(예를 들어, EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 제공하는 조명시스템(일루미네이터)(IL);

- 패터닝수단(예를 들어, 마스크)을 지지하고, 아이템 PL에 대하여 패터닝수단을 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT);

- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘웨이퍼)(W)을 잡아주고, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및

- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)상에 패터닝수단(MA)에 의하여 투영빔(PB)에 부여된 패턴을 묘화하는 투영시스템("반사투영렌즈")(PL)을 포함한다.

도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사마스크 또는 상기 언급된 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울배열을 채용하는) 반사형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 채용하는) 투과형일 수도 있다.

일루미네이터(IL)는 방사선소스(SO)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 상기 소스 및 리소그래피장치는, 예를 들어, 상기 소스가 플라즈마방전원인 경우 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 부분을 형성하는 것으로 해석되지 않으며, 방사선빔은 일반적으로, 예를 들어 적절한 수집거울 및/또는 스펙트럼 순도 필터(spectral purity filter)를 포함하는 방사선 콜렉터의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은램프인 경우, 상기 소스는 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)를 방사선시스템이라 칭할 수 있다.

일루미네이터(IL)는 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정수단을 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 외측 및/또는 내측 반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 일루미네 이터는, 투영빔(PB)이라 하고, 그 단면에서 소정의 균일성 및 세기분포를 갖는 방사선의 조절된 빔(conditioned beam)을 제공한다.

상기 투영빔(PB)은 마스크테이블(MT)에 잡혀있는 마스크(MA)상에 입사된다. 마스크(MA)에 의하여 반사된 투영빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)을 포커스한다. 제2위치설정수단(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어 간섭계장치)에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 투영빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 유사하게, 제1위치설정수단(PM) 및 위치센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 상기 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 위치설정수단(PM, PW)의 부분을 형성하는 긴 행정 모듈(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스캐너와는 반대로) 스테퍼의 경우에는, 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정 액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.

상술한 장치는 다음의 바람직한 모드로 사용될 수 있다.

1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 투영빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)에 투영된다(즉, 단일정적노광(single static exposure)). 그런 후, 기판테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일정적노광시에 묘화된 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서는, 투영빔에 부여되는 패턴이 소정 타겟부(C)(즉, 단일동적노광(single dynamic exposure))상에 투영되는 동안에 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)이 동기적으로 스캐닝된다. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PL)의 이미지반전특성에 의하여 판정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향에서의) 폭을 제한하는 한편, 스캐닝동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝방향에서의) 높이를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝수단을 잡아주면서 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 투영빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)은 이동되거나 스캐닝된다. 상기 모드에서는, 일반적으로 펄스방사선소스가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝수단은 기판테이블(WT)의 각각의 이동 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 상기 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울배열과 같은 프로그램가능한 패터닝수단을 활용하는 마스크없는(maskless) 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 모드의 용법에 대한 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 모드에 관한 용법을 채용할 수 있다.

도 2는 패터닝된 흡수재층(3)이 그 위에 놓여진 분포브래그반사기(distributed Bragg reflector)를 형성하는 다층(2)이 그 위에 제 공된 기판(1)을 포함하는 마스크(MA)를 도시한다. 상기 다층은 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si) 또는 몰리브덴과 베릴륨(Be)의 40개 이상의 주기로 된 교번층으로 이루어질 수 있다. 여타의 물질 및 3개 또는 4개 층의 주기가 또한 사용될 수 있다. 다층스택으로 형성된 적절한 반사기의 보다 상세한 설명은 EP-A-1 065 532호, EP-A-1 065 568호 및 EP-A-1 260 862호에서 찾아볼 수 있으며, 상기 명세서들은 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 다층의 각각의 주기는 대략 파장의 1/2 두께를 가져, 다층의 총두께(T_ml)는 대략 270㎚이거나 그보다 두껍다. 흡수재층(3)은 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 또는 TaBN과 같은 물질을 포함하는 여타의(other) Ta로 형성될 수 있다. 충분한 흡수도를 제공하려면, 그 두께(T_ab)는 50 또는 100㎚ 또는 그 이상이다.

조명 및 투영시스템이 반사광학요소로 형성되어 있기 때문에, 마스크는, 예를 들어 수직에 대하여 대략 6°의 소정 각도(θ_i)로 비스듬히 조명되어야만 한다.

비스듬한 조명 및 다층과 흡수재층의 두께의 조합은, 이상적이고 얇은 바이너리 마스크에 의하여 생성될 이미지에 비하여, 투영된 이미지내의 다수의 변형을 유발한다. 쉽게 알 수 있는 바와 같이, 두꺼운 흡수재의 음영효과(shadowing effect)는 불투명한 피처가 마스크상의 피처보다 더 넓은 폭을 가지고 묘화되도록 할 것이고, 이 영향은 상이한 유효조명각도로 인하여 수평과 수직 피처사이에서 달라질 것이다. 다층의 두께 및 조명방사선이 다층을 관통하는 정도(extent)는 상황을 더욱 복잡하게 하고 여러가지 묘화 가공물을 도입시킨다.

두꺼운 반사마스크의 다양한 영향들이 시뮬레이션될 수 있고 패턴 의존적이 라는 것이 발견될 수 있다. 즉, 수평 및 수직 라인들의 영향은 상이하며, 그 영향은, 예를 들어 패턴밀도에 따라 상이하다. 그 생성된 에어리얼이미지의 변형들은 제르니케 다항식으로 표현될 수 있는 수차들에 의하여 특징지어지거나 근사화될 수 있다. 본 발명에 따르면, 투영시스템내의 수차들은 마스크 두께 및 비스듬한 조명의 영향을 상쇄하도록(counteract) 도입되고 및/또는 제어된다.

수차들은 투영시스템의 개별 거울 및 마스크 및 기판의 위치 및/또는 방위의 제어에 의하여 도입되거나 제어될 수 있다. 투영시스템의 개별 거울용 위치설정시스템은 필요한 이미지 안정성을 제공하도록 EUV 리소그래피투영시스템내에 포함되고, 추가적인 수정 없이, 단순히 상이한 세트포인트의 사용에 의하여 본 발명의 수차제어를 달성하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 본 발명은 EP-A-1 174 770호에 개시된 바와 같은, 순응성 거울(adaptive mirror)을 사용할 수 있으며, 상기 명세서는 본 명세서에 인용참조되고 있다.

도 3은 본 발명의 기본 프로세스를 예시한다. 특정한 마스크패턴에 대하여, 그것을 묘화할 시에 생기는 제1이미지변형은 단계 S1에서 계산된다. 다음, 요구되는 보정수차들은 단계 S2에서 계산되며, 이들 수차를 달성하기 위해서 요구되는 테이블위치 및 거울위치 및/또는 형상변화는 단계 S3에서 계산된다. 계산된 변화들은 묘화가 단계 S5에서 수행되기 이전에, 단계 S4에서 투영시스템에 적용된다. 단계 S1 내지 S3은 투영전에 미리 수행될 수 있으며, 필요에 따라, 결과들이 리소그래피투영장치로 전달될 수 있다. 이미지변형들이 묘화될 패턴에 걸쳐 변동하고, 관련된 액츄에이터들이 충분히 응답하는 경우, 관련된 변화들은 묘화 스캔 중에, 또한 그 이전에도 적용될 수 있다.

본 발명의 방법을 달성하기 위한 시스템이 도 4에 도시되어 있다. 스테이지 및 거울 위치 및/또는 형상에 대한 마스크패턴 데이터 또는 미리연산된(precomputerd) 세팅은 리소그래피장치의 중앙제어시스템(CCS)에 제공된다. 마스크패턴데이터가 제공되는 경우, 중앙제어시스템은 스테이지 및 거울 위치 및/또는 형상에 대한 바람직한 세팅을 연산한다. 스캐닝노광 이전에 및/또는 그 도중에, 중앙제어시스템은 각각의 위치설정시스템(PM, PW)을 통하여 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT) 위치뿐만 아니라, 각각의 제어시스템(MCS1, MCS2)을 통하여 투영시스템(PL)내의 일부 또는 모든 거울(M1, M2)의 위치 및/또는 형상을 제어한다. 도 4에는 투영시스템(PL)내에 2개의 거울만이 도시되어 있지만, 투영시스템은 4이상의 거울을 포함할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 마스크-유도 영향들을 제어하도록 도입된 수차들은 제르니케 다항식 Z5(비점수차 HV), Z9(구면 수차) 및 Z12(비점수차 HV - 보다 높은 차수)에 의하여 형성된다. 사용될 수 있는 여타의 수차들은 Z2(X에서의 경사), Z3(Y에서의 경사), Z4(디포커스), Z6(비점수차 45°/135°), Z7(코마 X), Z8(코마 Y) 및 Z13(비점수차 45°/135°- 보다 높은 차수)을 포함한다. 이들 다항식은 다음과 같은 형태를 취한다.

Z4는 구조체 크기 및 형태에 독립적인 포커스 시프트를 보정하는 데 사용될 수 있다. 수평과 수직 라인 사이의 차이에 관한 Z5 및 Z12와 마찬가지로, Z6 및 Z13은 45°와 135°라인들 사이의 차이에 대하여 동일한 영향을 가진다. Z5 및 Z6은 콘택홀 타원형의 보정 시에 동일하게 중요하다. Z7 및 Z8은 수평 및 수직 라인에 각각 영향을 준다.

또한, 바람직하고 및/또는 실현가능하다면, 제어를 개선시키기 위해서 보다 높은 차수의 수차들이 채용될 수 있다.

제르니케 다항식은, 예를 들어 정규화계수(normalization coefficient)의 유무에 관계 없이 상이한 형식으로 표현될 수 있고, 예를 들어 각도 따라서 반경의 정도를 증가시키는 또는 그 반대의 다양한 시퀀스로 열거될 수 있음을 유의한다. 또한, 수차들의 표면에 관한 다른 형식들, 예를 들어 자이델(Seidel) 수차 다항식이 알려져 있다. 본 발명은 도입되는 수차들에 대하여 특정한 표현형식으로 제한 하려는 것이 아니며, 다른 형식으로 표현되는 수차들의 계산 및 추가를 포함한다.

제1예시

이제, 시뮬레이션되었던 본 발명의 일례가 설명될 것이다.

수차가 없는, 즉 순수한 이미지들은 30㎚ 및 50㎚의 조밀한 및 준고립된 피처에서 수직라인들과 수평라인들 모두에 대하여 시뮬레이션되었다. 시뮬레이터 소프트웨어로 인한, 수평라인들은 수직라인들과 마찬가지로 시뮬레이션되어야 하지만, 수차감응성의 보정들은 이를 위해 행해졌다. 최적 포커스 시프트 및 이소포컬 경사가 계산되었다.

그 후, 단일 수차 입력의 1㎚를 갖는 동일한 피처들에 대하여 시뮬레이션이 여러차례 실행되었다. 최적 포커스 시프트와 이소포컬 경사의 분석이 반복되었다. 감응성 데이터는 각각의 피처 및 수차조합에 대하여 계산되었다. 감응성은 수차의 (+)1㎚로 인하여 소정 파라미터의 변화와 동일하다. (최적 포커스 시프트의 경우, 감응성 단위는 ㎚/㎚ 수차이고, 이소포컬 경사의 경우, ㎚/㎛ 포커스 /㎚ 수차이다.) 오직 Solid-EUV^TM 관련 감응성들, 즉 "순수한" 이미지의 위치에 대하여 최적 포커스 시프트 또는 이소포컬 경사의 변화들만이 최적화 목적을 위해 본 명세서에서 고려된다. 이들 결과는 수차입력 이전의 베이스라인을 가장 잘 설명하며, 흔히 프로세스윈도우들을 평가하는 표준 기술이다. 본 명세서에는 포지티브와 네거티브 시프트 위치 및 관련된 감응성이 시스템좌표에 관하여 서술되어 있음을 유의한다.

본 발명은 수평피처들과 수직피처들 사이, 및 조밀한 피처들과 고립된 피처 들 사이의 차이를 제거하도록 포커스시프트 및 이소포컬 경사값을 위치시키기 위함이며, 따라서, 프로세스윈도우들의 오버랩을 허용하고, 보다 넓은 범위의 동시 묘화를 가능하게 한다. 이상적으로는, 상이한 형상, 선폭, 피치(고립된 또는 조밀한 것이든 간에) 및 방위를 갖는 모든 피처들은 공통의 최적의 초점평면을 가져야 한다. 즉, 모든 최적 포커스 시프트가 동일하고 이소포컬 경사가 0이다. 각각의 제르니케 수차는 상이한 방식으로 상이한 피처종류 및 방위에 작용한다. 단일 제르니케 또는 수개의 제르니케와의 상호작용 후, 생성위치(resultant position)를 자동으로 도식화하는 Excel^TM 시트를 프로그램함으로써, 플롯들을 평탄하게 하고(피치의존성을 제거함), H 및 V 플롯들이 서로에 대하여 보다 인접하도록 하기 위해, 제르니케 입력의 상이한 조합들과 레벨들로 실험을 할 수 있다. 제르니케는 시스템내에서 양 또는 음의 방향 중 어느 한 방향으로 입력될 수 있다.

채용된 방법의 일례로서, 브라이트필드 마스크상의 30㎚ 라인들이 고려되었다. 시스템 수직라인들에 동등한 수직 입사의 경우, 및 시스템 수평라인들에 동등한 6°입사의 경우, 초기 최적 포커스 시프트 및 순수한 이미지에 대한 이소포컬 경사 결과는 상이한 피치들에 대하여 하기에 도시되어 있다. 또한, 상세한 값들은 수직 및 6°입사에 대한 Z9 구면수차 및 Z5 및 Z12 비점수차에 대하여 계산된 감응성 값이다. 이들 제르니케는 리소그래피투영장치에서 조정될 수 있다.

표 1: BF 시프트 및 IFT : 순수 이미지, 스타팅 값들

	BF시프트_V	BF시프트_H	IFT시프트_V	IFT시프트_H
피치 60㎚(D)	-5	10	-0.5	-0.5
피치 150㎚(I)	5	20	8	8.5

표 2: 관련 감응성(시스템 좌표 내)

BF시프트	조밀 (dense)		이소 (iso)		IFT	조밀 (dense)		이소 (iso)
	N	6	N	6		N	6	N	6
Z5	-25	40	-25	40	Z5	0	0.5	-0.5	0
Z12	-5	20	15	-25	Z12	-1.5	1.5	6	-5.5
Z9	20	5	55	60	Z9	-1.5	-1.5	11	6.5

플롯시에, BF 시프트 및 IFT에 대한 스타팅 위치들은 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 나타낸다. 조밀한 라인들과 고립된 라인들 사이 및 수평라인들과 수직라인들 사이의 파라미터의 차이가 명확히 가시화될 수 있다.

30㎚ 내지 50㎚ 브라이트 필드에 대한 이제까지의 최적의 결과들이, 이러한 보정이 트리거링(trigger)될 IFT에 관한 영향과 함께, 도 7 내지 17에 도시되어 있다. 스타팅위치로부터의 제르니케는 그래프 부호의 순서대로 추가되므로, 따라서 목록에서 맨 마지막의 제르니케가 BF 및 IFT 플롯의 최종 위치이고 모든 제르니케 입력값의 합인 것에 유의한다.

도 7은 마스크로 인한 최적 포커스에 대하여 보정하기 위한 수차들을 추가하는 영향을 도시한다. 추가된 제르니케 수차들의 값은: Z5=-0.26㎚, Z9=-0.24㎚ 및 Z12=-0.07㎚였다. 그 다음, 도 8은 이소포컬 경사에 관한 보정의 영향을 예시한다. 확실히 개선되었음을 알 수 있다. 즉, 최적 포커스 시프트와 이소포컬 경사 둘 모두는 보정수차가 도입된 후에 피치에 대한 의존성이 낮아진다.

상이한 피처들에 대하여 획득된 최적의 결과들은 아래의 표 3에 도시된다.

	Z5(㎚)	Z9(㎚)	Z12(㎚)	스타팅 포커스범위(㎚)	생성된 포커스범위(㎚)	스타팅 IFT 최대값	BF 보정 후의 IFT 최대
30㎚	-0.26	-0.24	-0.07	25	0	8.5	7.3
50㎚	-0.18	-0.22	-0.18	15	0	10.5	7.8

도 7 및 도 9를 비교하면, 브라이트 필드에서 30㎚ 및 50㎚에 대하여 개선되었음을 예시한다.

또한, IFT에 대하여 최적화할 수 있음은 물론이다. 하지만, 이로 인해, 상이한 세트의 수차입력들이 생기고, 따라서 BF 시프트 위치에 영향을 준다. 브라이트 필드상의 30㎚ 및 50㎚ 라인들은 아래의 표 4에 도시되어 있다.

	Z5(㎚)	Z9(㎚)	Z12(㎚)	스타팅 포커스범위(㎚)	생성된 포커스범위(㎚)	스타팅 IFT 최대값	BF 보정 후의 IFT 최대
30㎚	-0.4	-0.55	0.11	25	25	8.5	4.3
50㎚	-0.34	-0.37	-0.11	15	15	10.5	6.1

이들 결과들은 30㎚ 라인들에 대하여는 도 10에 도시되어 있으며, 50㎚ 라인들에 대하여는 도 12에 도시되어 있다.

또한, 최적 포커스 시프트와 이소포컬 경사 둘 모두에 최적의 해결책을 주는 수차들의 조합을 검색할 수 있으며, 이는 최적 포커스 시프트와 이소포컬 경사의 상대적인 중요성을 가중시키는 것과 관계된다.

상기의 예시들은, 조밀한 라인들과 고립된 라인들 사이, 및 수평라인들과 수직라인들 사이의 BF 시프트 차이가 감소될 수 있는 방식으로, 반사마스크와 비스듬한 조명으로 인하여 BF 시프트 영향들을 보상할 수 있다는 것을 설명한다. 이는 상이한 피처들에 대한 프로세스 윈도우를 서로에 대하여 보다 근접하도록 하는 데 도움을 줄 것이다. 또한, 수차입력의 레벨에 대한 측정기준으로서 IFT를 사용하고, 상이한 구조형태 사이의 차이를 감소시킬 수 있다. IFT의 개선은 BF 시프트 성능을 악화시키고, 그 반대의 경우도 그러하기 때문에, 측정기준의 선택은 중요하다.

본 발명의 유용성을 입증하기 위해서, 상술된 조정들을 사용함으로써, 레지스트내의 이미지들은 CDU(임계치수균일성)에 대한 BF 시프트의 보정의 영향을 조사하도록 시뮬레이션되었다. Prolith^TM은 레지스트 두께가 120㎚인 EUV-2D 레지스트 모델을 시뮬레이션하는 데 사용되었다. CDU 예상모델은 베이스로서 레지스트 이미지들을 사용하였고, 에너지 버짓(budget)과 포커스의 사용자 입력들과 함께, 다양한 포커스 범위에 대한 생성 CDU를 계산하였다. 도 12 내지 도 16은, IFT 및 BF 파라미터들을 변경시키는 것이 CDU 성능을 향상시킨다는 것을 명확히 보여주고 있으며, 따라서, 수차입력에 의한 BF 시프트 및 IFT 보정의 관련성을 나타낸다.

도 12는 수평라인들을 대표하는 NA=0.25, σ=0.5 및 6도 MAI로 프린트된 30㎚ 고립된 라인들에 대한 에너지 및 포커스에 대하여 레지스트내의 시뮬레이션된 CD 반응을 도시한다. 그래프에서, 3개의 타원형 CD 윤곽은 시스템에너지와 포커스 오차의 함수로서 CD 변동을 나타낸다. 각각의 CD 윤곽은 상이한 포커스세팅, 0 및 +/-100㎚를 나타내었다. 도 12에서의 CD 반응은 불량한(poor) CD 균일성을 유도하는 마스크-유도 이소포컬 경사를 도시한다.

도 13은 이소포컬 경사에 대하여 수학적으로 보정된 에너지 대 포커스에 대한 CD 반응을 도시한다. 3개의 CD 윤곽들은, 이 경사 보정이 CD 균일성을 개선시키는 것을 나타내는 낮은 CD 변동을 보여준다. 도 14는 수직라인들을 나타내는 0도 MAI에 대한 레지스트내의 CD 반응을 도시한다. 또한, 도 15는 이소포컬 경사 보정이 CDU를 개선시킨다는 것을 도시한다.

도 16은 도 12 내지 도 15의 모든 CDU 정보를 조합한다. 예상된 CDU는 포커스범위에 대하여 플롯팅된다. CDU에 대한 수학적인 최적 포커스(BF)와 이소포컬 경사(IFT)의 보정이 도시된다. 예를 들어, 0㎚ 포커스 범위에 대한 CDU는, 최적 포커스가 0㎚로 설정된 어두운 CD 윤곽에 기초한다. 200㎚ 포커스 범위에 대한 CDU는 0 및 +/-100㎚ 포커스 세팅에 대한 3개의 모든 CD 윤곽에 기초한다.

상기 도면은 CDU가 수평라인들과 수직라인들 둘 모두에 대하여 BF 및 IFT 보정에 의해 실질적으로 개선될 수 있는 것을 도시한다. CDU는 가장 큰 포커스 범위에 대하여 가장 많이 개선시킨다.

제2예시

마스크-유도 포커스 관련 영향들과 해결책들(Z 평면)에 대처한 제1예시까지 추적하여, 제2예시는 마스크-유도된 이미지 CD 및 변위 영향들과 이들(X-Y 평면)을 보상하는 방법을 대처하였다. 본 명세서에 설명된 시뮬레이션 결과들은 제1예시에서와 같은 생성된 동일한 Solid-EUV^TM생성 에어리얼 이미지에 기초한다. 이들 에어리얼 이미지는 이미지 CD 및 변위를 계산하도록 Prolith v7.1에 도입된다.

마스크 입사각(MAI), 흡수재 두께, 피처형태 및 NA/조명 세팅의 함수로서, 마스크 유도 이미지 CD 오프셋이 발생할 것이다. 우세한 영향은 HV 바이어스와 같은 구조적 방위의 함수로서 피처들간의 CD 변동이다. 콘택홀의 경우, 마스크는 타원형을 유도할 것이다.

도 17은 NA=0.25, σ=0.5를 갖는 30㎚ 라인들에 대하여 MAI 및 피치의 함수 로서 이미지 CD를 도시한다. MAI 0도 와 MAI 6도 사이의 CD 바이어스는 조밀한 라인들에 대하여는 2.9㎚이고 (준)고립된 라인들에 대하여는 2.8㎚인 것을 알 수 있다. 이 정보는 0.5㎚ CD/도(degree) MAI의 감응성을 산출한다.

도 18은 수평 및 수직 라인들에 대한 MAI 변동과 MAI에 대한 CD 감응성에 기초하여, 슬릿위치의 함수로서 마스크-유도 CD 및 HV 바이어스를 도시한다. 논점(issue)은 HV 바이어스, 즉 슬릿에 걸친 HV 바이어스와 평균 CD변동이다.

슬릿에 걸친 결과로 생성된 마스크-유도 콘택홀 타원형 변동은 투영렌즈수차들, 가장 현저하게 비점수차(Z5)에 의하여 보상될 수 있다. HV 바이어스는 최적화된 투영렌즈 수차세팅, 가장 현저하게 Z5, Z9 및 Z12에 의하여 BF 및 IFT 보상과 조합하여 보상될 수 있다.

마스크 입사각(MAI), 흡수재두께, 피처형태 및 NA/조명 세팅의 함수로서, 마스크 유도 이미지 변위가 발생할 것이다. 이미지 CD 영향들과 마찬가지로, 마스크에 의하여 유도된 이미지변위는 슬릿위치 의존적일 것이다. 도 19는 NA=0.25, σ=0.5인 30㎚ 라인들에 대한 MAI 및 피치의 함수로서 이미지변위를 도시하여, 마스크 입사각이 6°인 수평피처들과 마스크 입사각이 0°인 수직피처들 사이의 강한 바이어스를 입증한다. 이 영향은 수차 Z2, Z3 및 Z7의 도입에 의하여 보상될 수 있다.

마스크 입사각

위에서 사용되는 "마스크 입사각"이라는 용어는 도 20 내지 도 22를 참조하여 설명될 수 있다.

도 20 내지 도 22에서, 다음의 참조부호가 사용된다.

21 입사평면;

22 입사중심조명광선(incident central illumination ray);

23 반사중심패턴광선(reflected central patterned ray);

24 패턴의 평면에 수직;

25 패턴의 평면상의 아치형(고리형의 일부) 조명영역;

26 패턴의 평면내의, 반사중심패턴광선의 성분;

27 수평 피처;

28 수직 피처; 및

α 피처와 반사중심패턴광선의 성분 사이의 각도.

마스크 입사각(MAI)은 본 명세서와 청구항에 정의되어 있다.

EUV 투영장치에서, 조명된 필드(25)는 통상적으로 아크형이고, 조명의 입사중심광선(22)은, 도 20에서 x,y 평면에 수직인 라인(도 20에 도시되지 않음)을 따라 서로 교차하고, y축선을 교차하면서 입사평면(21)에 놓인다. 그 결과, 대응하는 반사중심패턴광선은 y축선상의 한 지점(도 20에 도시되지 않음)에 모이는 x,y 평면에서 성분(26)을 가진다. 두꺼운 흡수재의 음영효과는 피처와 그 피처의 위치 에서 반사중심패턴광선(23)의 성분(26) 사이의 각도(α)에 따라 좌우된다. 도 21에서, 이 각도는 수평피처(27)와 수직피처(28)에 대하여 도시되어 있다. 상이한 x 위치에서 수평피처(27)에 대한 상기 각을 도시하는 도 22로부터, 각도(α)는 x 축선을 따른 피처의 위치에 따라 변동하는 것은 분명하다. 따라서, 일반적으로, 음영효과는 x 축선을 따른 피처의 위치에 따라 달라지며, 결과적으로, 리소그래피오차들은 α의 변동에 따른 x 의존성을 나타낸다. 본 발명에 따르면, 바람직하게 (상기 정의된 바와 같이) Z2, Z3 및 Z7은 상기 언급된 x-의존 음영효과에 관련된 리소그래피오차들에 대하여 보정하도록 제어된다.

이상, 본 발명의 특정 실시예에 대하여 서술하였지만, 본 발명은 서술된 바와 다르게 실시될 수도 있다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.

본 발명에 따르면, 반사마스크와 비스듬한 조명을 사용하여, 묘화를 개선시키는 디바이스제조방법이 제공된다.

Claims

디바이스제조방법에 있어서,

- 적어도 부분적으로 방사선감응재층으로 덮힌 기판을 제공하는 단계;

- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;

- 두꺼운 흡수재에 의하여 패턴이 그 위에 형성되는 반사마스크를 사용하여 상기 투영빔의 단면에 상기 패턴을 부여하는 단계;

- 상기 방사선감응재층의 타겟부상으로 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계를 포함하여 이루어지고,

- 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 상기 단계에 사용되는 상기 투영시스템내의 시스템수차가 마스크-유도 묘화 가공물을 보상하도록 제어되거나 생성되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제1항에 있어서,

상기 패턴에 대하여 상기 투영시스템내에서 달성되도록 최적의 수차들을 계산하는 단계를 더 포함하며, 상기 계산은 상기 투영하는 단계에서 사용될 1이상의 파라미터들을 고려하고, 상기 파라미터들은 마스크 입사각(MAI), 흡수재두께, 피처형태 및 NA/조명세팅을 포함하는 그룹으로터 선택되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 시스템수차들은 1이상의 제르니케 다항식 Z2(X에서의 경사), Z3(Y에서의 경사) 및 Z7(코마 X)을 포함하며, 이들 다항식은,

형태를 취하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 수차들은, 상기 패턴내에 나타나는 상이한 피처 형태들에 대한 1이상의 묘화 측정기준(imaging metric)의 값들이 서로에 대하여 보다 근접하게 되도록 유도되고 및/또는 제어되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제4항에 있어서,

상기 1이상의 묘화 측정기준은, 최적 포커스 시프트, 이소포컬 경사, 임계치수, 임계치수균일성, 오버레이, 텔레센트리시티(telecentricity), 패턴비대칭, 피치선형성 및 이소-덴스(iso-dense) 바이어스를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제4항에 있어서,

상기 상이한 피처들은 상이한 밀도, 상이한 방위 및/또는 상이한 임계치수들을 가지는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제4항에 있어서,

상기 수차들은 상기 상이한 피처들에 대한 프로세스윈도우가 서로 보다 근접하게 되도록 도입되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 측정시스템 수차들은 1이상의 제르니케 다항식 Z4(디포커스), Z5(비점수차 HV), Z6(비점수차 45°/135°), Z8(코마 Y), Z9(구면수차), Z12(비점수차 HV - 보다 높은 차수) 및 Z13(비점수차 45°/135°- 보다 높은 차수)를 포함하며, 이들 다항식은

형태를 취하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제2항에 있어서,

상기 계산하는 단계는,

상이한 수차들에 대한 상기 패턴내의 상이한 피처들의 감응성을 결정하는 단계;

결정된 상기 감응성을 이용하여 수차들의 최적의 조합을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
제9항에 있어서,

상기 감응성은 수차들의 상이한 양 및/또는 조합으로 상기 상이한 피처들의 이미지들을 시뮬레이션함으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
두꺼운 흡수재내에 마스크패턴을 구현시키는 반사마스크의 묘화를 최적화하도록 리소그래피장치의 투영시스템내에서 달성될 시스템 수차들을 결정하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체에 있어서,

상기 프로그램이 컴퓨터시스템에서 수행되는 경우, 상기 프로그램은,

상이한 수차들에 대한 상기 패턴내의 상이한 피처들의 감응성을 결정하는 단계;

결정된 상기 감응성을 이용하여 수차들의 최적의 조합을 결정하는 단계를 실행하도록 컴퓨터에게 지시하는 코드수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.
제11항에 있어서,

상기 코드수단은, 상기 감응성을 결정하는 단계를 달성하도록 수차들의 상이한 양 및/또는 조합으로 상기 상이한 피처들의 이미지들을 시뮬레이션하는 코드수단을 포함하는 것을 특징으로하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.
제11항 또는 제12항에 있어서,

상기 코드수단은, 상기 패턴내에 나타나는 상이한 피처 형태들에 대한 1이상의 묘화 측정기준의 값들이 서로에 대하여 보다 근접하게 되도록 달성되어야 할 최적의 수차들을 결정하기에 적합한 것을 특징으로 하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.
제13항에 있어서,

상기 1이상의 묘화 측정기준은, 최적 포커스 시프트, 이소포컬 경사, 임계치수, 임계치수균일성, 오버레이, 텔레센트리시티, 패턴비대칭, 피치선형성 및 이소-덴스 바이어스를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.
제13항에 있어서,

상기 상이한 피처들은 조밀한 및 고립된 라인들, 및/또는 수평 및 수직 라인들, 및/또는 상이한 폭의 라인들인 것을 특징으로 하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.
제11항 또는 제12항에 있어서,

상기 코드수단은 상이한 피처들에 대하여 프로세스 윈도우가 서로 보다 근접하게 되도록 수행되는 최적의 수차들을 결정하는 데 적합한 것을 특징으로 하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.
두꺼운 흡수재내에 마스크패턴을 구현시키는 반사마스크의 묘화를 최적화하도록 리소그래피장치의 투영시스템내의 시스템 수차들을 달성시키는 상기 리소그래피투영장치를 제어하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.
제11항 또는 제12항에 있어서,

상기 시스템수차들은 제르니케 다항식 Z2(X에서의 경사), Z3(Y에서의 경사) 및 Z7(코마 X)이며, 이들 다항식은

형태를 취하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체.