KR100567077B1 - 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리장치와 그 출력신호를 재조절하는 방법 - Google Patents
내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리장치와 그 출력신호를 재조절하는 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리 장치에 있어서,상기 내부 회로의 출력신호를 동시에 수신하는 복수개의 신호 변조기와,상기 복수개의 신호 변조기중의 하나를 선택하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하며,상기 제어부에서 출력되는 상기 제어 신호는 OCD 조절 정보를 내포하고 있는 것을 특징으로 하는 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 OCD 조절 정보는 외부 시스템이 상기 메모리 장치로부터 획득한 후, 상기 메모리 장치로 전송되어 세팅된 정보인 것을 특징으로 하는 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 내부 회로의 출력신호는 펄스 신호이고,상기 신호 변조기는 상기 펄스 신호의 펄스 폭을 조절하는 펄스 폭 변조기인 것을 특징으로 하는 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 각 펄스 폭 변조기로부터 출력되는 신호의 펄스 폭은 상이한 것을 특징으로 하는 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 OCD 조절 정보에 의하여 상기 메모리 장치의 출력 드라이버의 구동력이 제어되는 것을 특징으로 하는 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 장치를 갖는 메모리 장치.
- 메모리 장치의 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 방법에 있어서,상기 메모리 장치의 OCD 조절 정보를 획득하는 단계;상기 OCD 조절 정보를 이용하여, 상기 내부 회로의 출력신호를 수신하는 복수개의 신호 변조기중의 하나를 선택하는 단계;상기 신호 변조기에서 출력되는 신호를 다른 내부 회로에 전달하는 단계를 구비하는 메모리 장치의 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 내부 회로의 출력신호는 펄스 신호이고,상기 다른 내부 회로에 인가되는 상기 변조된 신호의 펄스 폭은 상기 내부회로에서 출력되는 상기 펄스 신호의 펄스 폭과 동일하거나 다른 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 내부 회로의 출력신호를 재조절하는 방법.
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
US5682116A (en) | 1994-06-07 | 1997-10-28 | International Business Machines Corporation | Off chip driver having slew rate control and differential voltage protection circuitry |
US5834955A (en) | 1995-12-08 | 1998-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated circuit with memory programmable pad driver |
JP2002135102A (ja) | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 出力回路 |
KR20050022042A (ko) * | 2003-08-25 | 2005-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 출력드라이버 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3693201B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2005-09-07 | 富士通株式会社 | 内部動作周波数設定可能なdram |
KR100505645B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 동작주파수 정보 또는 카스 레이턴시 정보에 따라출력신호의 슬루율을 조절 할 수 있는 출력 드라이버 |
JP2004199817A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
KR100500921B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 출력드라이버의 임피던스를 조정할 수 있는 반도체메모리 장치 |
KR100605590B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-07-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 출력드라이버의 임피던스를 조정할 수 있는 반도체메모리 장치 |
KR100613449B1 (ko) * | 2004-10-07 | 2006-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 공급회로 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5682116A (en) | 1994-06-07 | 1997-10-28 | International Business Machines Corporation | Off chip driver having slew rate control and differential voltage protection circuitry |
US5834955A (en) | 1995-12-08 | 1998-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated circuit with memory programmable pad driver |
JP2002135102A (ja) | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 出力回路 |
KR20050022042A (ko) * | 2003-08-25 | 2005-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 출력드라이버 |
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