KR100550352B1

KR100550352B1 - 반도체 기판의 노광방법 및 이를 이용하는 노광 장치

Info

Publication number: KR100550352B1
Application number: KR1020040051355A
Authority: KR
Inventors: 이상호; 최진필; 신동화; 채승기; 박병철
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-07-02
Filing date: 2004-07-02
Publication date: 2006-02-08
Anticipated expiration: 2024-07-02
Also published as: JP2006019722A; KR20060002354A; US7417709B2; US20060001852A1

Abstract

제1노광공정의 스테이지 이송시간동안 제2노광공정을 수행할 수 있는 기판의 노광방법 및 이를 이용하는 노광장치가 개시된다. 광원에서 발생한 광을 제1 노광대상물로 유도하여 제1 노광공정을 수행한다. 제1노광 대상물에 대한 스테이지 이송시간 동안 광을 제2 노광대상물로 유도하여 제2 노광대상물의 표면에 제2 노광공정을 수행한다. 스테이지 이송이 종료되면, 광은 다시 제1노광대상물의 표면으로 유도되어 제1노광공정이 다시 수행된다. 스테이지 이송시간은 제1노광대상물의 표면에 형성된 각 샷의 노광시작점과 종료점을 검출하여 결정된다.

Description

반도체 기판의 노광방법 및 이를 이용하는 노광 장치 {METHOD OF EXPOSING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND APPARATUS USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치를 개략적으로 나타낸 개념도이다.

도 2는 도 1에 도시된 노광 장치에서 수행되는 제1 노광 공정을 위한 기판 스테이지의 이송을 나타내는 개념도이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 노광방법을 나타내는 흐름도이다.

도 4는 도 2에 도시한 샷들을 차례차례로 스캐닝 하는 경우 기판 스테이지의 궤적과 그에 따른 소요시간을 나타내는 도면이다.

도 5는 본 발명에 의한 노광방법을 적용할 에지 영역을 나타내는 웨이퍼의 개략도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 제1광공급부 110 : 광원

120 : 제1광학계 130 : 마스크

140 : 제1 투영유닛 150 : 기판 스테이지

200 : 제2광공급부 210 : 광경로변경 유닛

220 : 제2투영유닛 230 : 집광유닛

240 : 광섬유 300 : 제어부

310 : 검출부 320 : 구동부

900 : 노광 장치

본 발명은 노광방법 및 이를 이용하는 노광 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정에서 노광 공정의 효율을 향상시키기 위한 기판의 노광방법 및 이를 수행할 수 있는 노광 장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서는 반도체 기판에 물질막을 적층하고 패터닝하는 단계가 반복적으로 이루어진다. 상기 패터닝은 통상 물질막 위에 식각 마스크로서 포토레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피(photo-lithography process) 공정과 식각 마스크가 형성된 기판에 식각물질을 작용시켜 부분적으로 물질막을 제거하는 식각공정으로 이루어진다.

소정의 포토레지스트 막을 상기 물질막 위에 형성하고 포토 마스크를 통해 웨이퍼를 광원의 빛에 노출시킨 후 소정의 현상공정을 거침으로써 완성되는 상기 포토리소그래피 공정은 다수의 단위공정을 수행할 수 있는 노광 장치에 의해 수행된다. 이때, 상기 노광 장치는 노광공정을 수행하는 노광유닛과 노광공정 전후의 반도체 기판을 처리하기 위한 처리유닛으로 구성된다.

상기 처리유닛은 포토레지스트 도포공정이나 프리베이크(pre-baking process)공정 및 플랫 존(flat zone) 검출을 위한 프리 얼라인먼트 공정(pre-alignment process) 등과 같은 노광공정 전의 기판처리를 위한 전처리 유닛, 현상이나 포스트 베이크(post-baking process) 등의 노광공정 후의 기판처리를 행하기 위한 후처리 유닛 및 상기 전처리 및 후처리 유닛을 구성하는 단위공정 사이로 기판을 이송하기 위한 이송유닛을 포함한다.

상기 노광유닛은 노광을 위한 노광기, 노광위치를 결정하기 위한 얼라인먼트 기구 및 기판 이송을 위한 이송수단을 포함한다. 상기 노광기는 반도체 소자의 고집적화에 따라 최근에는 순차 이동형 투영노광장치를 주로 이용한다. 상기 순차이동형 투영노광장치는 마스크 또는 레티클의 하부에서 기판을 순차적으로 이동시키면서 상기 마스크의 미세패턴을 투영광학계를 통해 포토레지스트가 도포된 기판 상의 복수의 영역(이하 샷(shot)이라 함)으로 전사함으로써 기판의 표면에 포토레지스 패턴을 형성한다. 상기 투영노광장치로서 스텝-앤-리피트(step-and-repeat) 방식의 축소투영노광장치(이하 스텝퍼(stepper)라 함) 또는 상기 스텝퍼를 개량한 스텝-앤-스캔(step-and-scan) 방식의 주사형 노광장치(이하 스캐너(scanner)라 함)가 널리 이용되고 있다.

상술한 바와 같은 구성을 갖는 종래 노광 장치의 인덱스로 기판이 투입되면, 스핀 코터에 의해 기판의 표면에 포토레지스트가 도포되고, 플랫 존(flat zone)을 결정하기 위한 프리 얼라인먼트공정을 거친다. 이어서, 상기 이송수단에 의해 상기 스탭퍼 또는 스캐너로 이송되어 광원의 빛에 노출된다. 상기 노출공정에 의해 상기 포토레지스트 막은 부분적으로 조성이 변경되며, 다시 이송수단에 의해 인접하는 스피너(spinner)로 이송되어 현상공정을 거치면서 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한다.

상술한 바와 같은 포토레지스트 패턴형성 과정에 있어서, 기판의 표면을 광에 노출시키는 노광공정은 대부분은 상기 스텝퍼나 스캐너와 같은 노광기의 내부에서 수행되지만, 상기 스피너 내부에서 수행되는 웨이퍼 에지 노광(wafer edge exposure) 공정과 같이 상기 노광기에 인접한 처리유닛의 내부에서도 소수의 노광공정이 수행된다.

상기 웨이퍼 에지 노광공정은 스피너에서 상기 노광공정이 완료된 웨이퍼의 에지에 위치하는 포토레지스트막을 제거하는 공정으로서, 상기 웨이퍼의 에지부에 위치하는 포토레지스트막이 후속공정에서 파티클 소스로 기능하는 것을 방지한다.

상기 웨이퍼 에지부의 포토레지스트막을 제거하기 위해 상기 처리유닛의 내부에 별도의 광원을 설치하고, 웨이퍼의 패턴형성 영역에 대한 제1 노광공정이 완료된 후 상기 처리유닛의 내부에서 별도의 광원을 이용하여 제2 노광을 실시한다.

상기 웨이퍼의 패턴을 형성하기 위한 메인 노광공정인 상기 제1 노광공정은 반도체 소자의 집적도가 증가하면서 미세패턴을 형성할 수 있도록 불화 아르곤(ArF) 엑시머 레이저나 불화 크립톤(KrF) 엑시머 레이저 등과 같은 고비용의 단파장 광원을 채택하고 있다. 그러나, 상기 제2 노광공정은 미세패턴을 형성하는 공정이 아니라 웨이퍼 에지부의 잔류 포토레지스트막을 제거하는 부수적 공정이므로 상기 1차 노광공정에서와 같은 고비용의 광원을 사용하는 것은 비효율적이다. 따라서, 비교적 저비용으로 설치할 수 있는 초고압 수은램프에서 방출되는 광 중 램프 하우징이나 렌즈를 적절히 설계함으로써 제1 노광공정의 광 파장에 근접한 파장을 선택하여 제2 노광공정의 광원으로 이용하고 있다. 그러나, 상기 초고압 수은램프에서 단파장의 광을 형성하기 위해서는 램프의 출력을 높여야 하는데 이는 램프의 수명을 단축하여 효율을 저하시키는 요인으로 작용한다. 나아가, 상기 초고압 수은램프의 파장은 일반적으로 185nm 내지 2000nm 의 범위에 분포되어 있으므로 상기 제1 노광공정의 광원이 185nm 이하의 파장을 갖는 경우를 사용하는 경우에는 제2 노광공정의 광원으로 사용할 수 없는 문제점이 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 상기 초고압 수은램프에서 방출되는 광을 주파수 증배 기법(frequency doubling method)을 이용하여 원하는 파장의 광을 생성하는 방법이 제시되었으나 광의 강도(beam intensity) 및 시스템의 복잡성으로 실현되지 못하고 있다.

또한, 별도의 광원에 의한 상기 제2 노광공정은 제1 노광공정에 사용된 노광장치의 정렬과 달리 별도의 정렬방식이 필요하고, 이에 따라 상기 제1 노광과 제2 노광간의 오버랩이 불량해지는 단점이 있다. 뿐만 아니라, 동일한 대상에 대한 별도의 정렬에 따른 시간증가 및 별도의 설비투입에 따른 비용증가라는 문제점도 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 상기 제1 노광공정의 광원에서 발생된 광을 제2 노광공정의 광원으로 이용하는 방법이 대한민국 공개특허 1999-017136호에 개시되어 있다. 상기 대한민국 공개특허에 의하면, 제1 노광공정의 광원을 반사시켜 제2 노광공정의 광원으로 이용함으로써 제1 노광공정의 광원과 동일한 파장의 광을 제2 노광공정의 광원으로 이용할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 재정렬이나 별도의 장치 및 마스크의 제거 등과 같은 추가적인 절차 없이 웨이퍼 에지 노광공정을 수행할 수 있는 장점이 있다.

그러나, 상기 대한민국 공개특허에 의하면, 상기 제1 노광공정이 완료된 후에 제2 노광공정이 수행됨으로써 전체적인 노광 장치의 처리량(throughput)은 크게 개선되지 않고 있다.

따라서, 제1 노광공정의 광을 이용하면서 노광 장치의 처리량을 개선할 수 있는 제2 노광공정의 개발이 요구되고 있다. 제2 노광공정의 일실시예로서 웨이퍼 주변 에지공정을 제시하였지만, 상기와 같은 문제점은 패턴형성을 위한 메인 노광공정의 광을 이용하여 메인 노광공정을 제외한 부수적 노광공정을 수행할 필요가 있는 모든 공정에서 발생할 수 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 다수의 제1 노광공정과 상기 제1노광공정과 상이한 다수의 제2 노광공정을 효과적으로 수행할 수 있는 기판 노광 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 노광 방법을 수행하는 데 적합한 노광 장치를 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 광원에서 발생한 광을 제1 노광대상물로 유도하여 상기 제1 노광대상물의 표면에 제1 노광공정을 수행한다. 다음에, 상기 광을 제2 노광대상물로 유도하여 상기 제2 노광대상물의 표면에 제2 노광공정을 수행한 후, 상기 광을 상기 제1 노광 대상물로 유도하여 상기 제1 노광 대상물의 표면에 상기 제1 노광공정과 동일한 제3 노광공정을 수행한다.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 노광 장치는, 광원에서 발생한 광을 제1 노광 대상물로 유도하여 상기 제1 노광대상물의 표면에 다수의 제1 노광공정들을 수행하기 위한 광을 선택적으로 공급하는 제1 광공급부를 포함한다. 제2 광공급부는 상기 광을 제2 노광 대상물로 유도하여 상기 제2 노광 대상물의 표면에 다수의 제2 노광공정을 수행하기 위한 광을 공급한다. 제어부는 상기 광을 상기 제1 광공급부 및 제2 광공급부에 교호적으로 제공하여, 상기 제1 및 제2 노광공정들을 순차적으로 수행한다.

예를 들면, 상기 제2 광공급부는 상기 광의 경로를 변경하기 위한 반사경, 상기 반사경에 의해 반사된 광을 집광하기 위한 집광유닛, 상기 집광유닛을 경유한 광을 전송하기 위한 광 전송유닛 및 상기 광전송유닛에 의해 전송된 광을 상기 제2 노광대상물로 투영하는 제2 투영유닛을 포함한다.

바람직하게는, 상기 광경로변경 유닛은 상기 제1 광공급부의 광경로 상에 착탈 가능하게 배치된다. 일실시예로서, 상기 제어부는 예를 들면, 상기 각 제1 노광공정의 시작 및 종료시점을 측정할 수 있는 센서부 및 상기 광경로 변경유닛을 구동하기 위한 구동부를 구비한다. 상기 구동부는 상기 제1 노광공정의 노광 종료시점에 상기 광경로 변경 유닛을 상기 제1 광공급부의 광경로 상에 위치시키고, 연속 하는 다른 제1노광공정의 노광 시작시점에 상기 광경로 변경 유닛을 상기 제1 광공급부의 광경로 상에서 제거한다.

상기한 본 발명에 의하면, 제1 노광대상물에 대한 제1 노광공정과 상기 제1 노광공정의 광을 이용하여 교호적으로 제2 노광대상물에 대한 제2 노광공정을 수행함으로써 웨이퍼의 재정렬이나 별도의 광원 및 마스크의 제거 등과 같은 추가적인 절차 없이 제2 노광공정을 수행할 수 있으며, 제1노광공정의 비노광시간 동안 제2노광공정을 수행함으로써 노광 장치 전체의 공정효율(throughput)을 높일 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 기판 노광 장치(900)는 광원에서 발생한 광을 선택적으로 공급하여 제1 노광대상물(W1)에 대한 제1노광공정을 수행하는 제1 광공급부(100), 상기 광을 제2 노광대상물(W2)로 유도하여 제2노광공정을 수행하는 제2 광공급부(200) 및 상기 광을 제1 광공급부(100) 및 제2 광공급부(200)로 교호적으로 공급하는 제어부(300)를 포함한다.

일실시예로서, 상기 제1 광공급부(100)는 광을 발생하기 위한 광원(110)으로부터 발생한 광을 상기 제1 노광대상물(W1)로 유도하는 조명유닛(120), 상기 조명유닛(120)을 경유한 광을 소정의 패턴을 따라 투과시키는 마스크 유닛(130) 및 상기 마스크 유닛(130)을 경유한 광을 상기 제1 노광대상물(W1)로 투영시키는 제1 투 영유닛(140)을 포함한다.

일실시예로서, 상기 광원(110)은 초고압 수은 램프나 레이저 또는 빔 발생장치를 포함한다. 따라서, 상기 광은 초고압 수은 광, 아르곤 플로라이드(ArF) 엑시머 레이저, 크립톤 플로라이드 (KrF) 엑시머 레이저, 극 자외선 빔 (Extreme Ultraviolet beam) 또는 전자 빔(Electron beam) 중의 어느 하나로 이루어진다. 바람직하게는, 아르곤 플로라이드(ArF) 엑시머 레이저, 크립톤 플로라이드(KrF) 엑시머 레이저를 이용한다.

상기 조명유닛(120)은 일실시예로서, 상기 광원(110)에서 발생한 광을 평면광으로 전환하기 위한 제1 광학계(122), 상기 제1 광학계(122)를 경유한 광의 균일성을 확보하기 위한 제2 광학계(124) 및 상기 제2 광학계(124)를 경유한 광을 집광하기 위한 제3 광학계(126) 및 상기 광의 경로를 변경하기 위한 제1, 제2, 제3 및 제4 반사경(191, 192, 193, 194)을 포함한다.

일실시예로서, 상기 제1광학계(122)는 상기 제1 및 제2 반사경 (191, 192) 사이에 위치하며 상기 광원(110)으로부터 볼록 렌즈(미도시)와 간섭필터(미도시) 및 오목렌즈(미도시)가 순차적으로 배치되는 복합 렌즈 시스템을 포함하며, 상기 광원(110)에서 발생한 광을 파면이 평면인 평면광으로 변환한다. 상기 제2 광학계(124)는 상기 제1 광학계(122)에 대하여 수직하며, 상기 제2 반사경(192) 및 제3 반사경(193) 사이에 위치한다. 일실시예로서, 상기 제2 광학계(124)는 상기 제2 반사경(192)으로부터 순차적으로 위치하는 플라이 아이 렌즈(124a), 조리개(124b, aperture) 및 다수의 볼록렌즈(미도시)를 포함한다. 상기 제2 반사경(192)에 의해 반사된 상기 평면광은 상기 제2 광학계(124)를 경유하면서 광균일성이 향상되어 상기 제3 광학계(126)로 투사된다. 상기 제3광학계(126)는 상기 제2광학계(124)에 대하여 수직하며, 상기 제3 반사경(193) 및 제4 반사경(194) 사이에 위치한다. 일실시예로서, 상기 제3 광학계(126)는 상기 제3 반사경(193)으로부터 순차적으로 위치하는 다수의 볼록렌즈(126a,126b)를 포함한다. 상기 제3 반사경(193)에 의해 반사된 상기 평면광은 상기 제3 광학계(126)를 경유하면서 광의 직진성이 강화되어 상기 마스크 유닛(130)을 투과한다.

상기 마스크 유닛(130)은 그 표면에 제4 반사경(194)에 의해 반사된 광을 선택적으로 투과시키기 위한 소정의 패턴을 구비한다. 따라서, 상기 패턴의 형상대로 상기 광을 투과시킴으로써 상기 마스크 유닛(130)의 패턴을 따라 상기 광을 방출한다.

상기 제1 투영유닛(140)은 상기 마스크 유닛(130)을 경유한 광을 상기 제1 노광대상물(W1)로 투영한다. 일실시예로서, 상기 제1 투영유닛(140)은 광을 좀 더 세밀하게 집중적으로 상기 제1 노광대상물(W1)로 투영하는 축소투영렌즈(reduction lens)를 포함한다. 상기 제1 노광대상물(W1)의 표면에 형성된 노광영역(이하 샷(shot)이라 함)은 상기 마스크 유닛(130)에 대하여 상기 제1 노광대상물(W1)을 지지하는 기판 스테이지(150)가 상대적으로 이송되면서 순차적으로 스캐닝된다. 하나의 샷에 대한 노광이 완료되면, 상기 기판 스테이지(150)가 이송되어 다음 샷을 순차적으로 스캐닝한다. 상기 제1 투영유닛(140)은 상기 축소투영렌즈 뿐만 아니라 투사렌즈(projection lens, 미도시)를 포함할 수 있음은 자명하다. 상기 투사렌즈 를 이용하는 경우, 상기 투사렌즈를 경유한 광은 상기 샷의 전 면적에 동시에 주사된다. 하나의 샷에 대한 주사가 완료되면, 상기 스테이지(150)가 이송되어 다음 샷의 전면적에 대해 광이 주사된다.

상기 제2 광공급부(200)는 상기 샷과 샷 사이의 스테이지 이동시간에 상기 제1 광공급부(100)로의 광공급을 차단하고 상기 광을 제2 노광대상물(W2)로 유도한다.

일실시예로서, 상기 제2 광공급부(200)는 상기 광의 경로를 변경하기 위한 광경로변경 유닛(210), 상기 광경로 변경유닛(210)을 경유한 광을 상기 제2 노광대상물(W2)의 표면으로 투영하는 제2 투영유닛(220)을 구비한다.

일실시예로서, 상기 광 경로변경유닛(210)은 직진하는 광의 경로를 변경하는 반사경을 포함하며, 상기 투영유닛(220)은 축소렌즈(reduction lens)를 포함한다. 상기 축소렌즈는 다수의 렌즈를 구비하는 복합 렌즈 시스템으로 형성되며, 상기 광경로변경 유닛(210)에 의해 반사된 광을 상기 제2 노광대상물(W2)의 표면으로 투영한다. 따라서, 상기 제1 노광대상물(W1)의 스테이지가 이동하는 동안, 상기 제2 노광대상물(W2)의 표면에서 제2 노광공정이 수행된다. 바람직하게는, 상기 광경로변경 유닛(210)과 상기 제2 투영유닛(220) 사이에 상기 광경로변경 유닛(210)에 의해 반사된 광의 직진성을 강화하기 위한 집광유닛(230) 및 상기 집광유닛(230)에 의해 집광된 광을 상기 제2 투영유닛(220)으로 전송하는 광 전송수단(240)을 더 포함할 수 있다. 일실시예로서, 상기 집광유닛(230)은 다수의 볼록렌즈(미도시)를 포함하며, 상기 광 전송수단(240)은 내부 전반사에 의해 한 지점에서 다른 지점으로 광을 전송하는 광섬유를 포함한다.

상기 제어부(300)는 상기 제1 노광공정의 시작 및 종료시점을 측정하기 위한 검출부(310) 및 상기 광경로 변경유닛(210)을 구동하기 위한 구동부(320)를 포함한다.

도 2는 상기 제1 노광대상물(W1)의 샷별 노광을 위한 상기 마스크 유닛(130) 스테이지(미도시) 및 상기 기판 스테이지(150)의 이송을 나타내는 개념도이다. 도 2에서 굵은 화살표는 노광을 위한 스캐닝 방향을 나타내며, 이하에서는 스캐닝 방향을 기준으로 상부 및 하부를 정의한다.

도 2를 참조하면, 일실시예로서 상기 제1 노광대상물(W1)은 스캐너 내부에서 소정의 노광단위(exposing filed, E) 단위로 제1 샷(S1)을 스캐닝한다. 상기 노광단위의 상단부(E2)와 상기 제1 샷(S1)의 하단부(S1a)가 일치하는 시점에서 노광이 시작되어, 상기 노광단위의 하단부(E1)와 상기 제1 샷(S1)의 상단부(S1b)가 일치하는 시점에서 상기 제1 샷(S1)에 대한 노광이 종료된다. 이어서, 상기 기판 스테이지(150)가 이송되어 상기 노광단위의 상단부(E2)와 상기 제2 샷(S2)의 하단부(S2a)가 일치하는 시점에서 상기 제1노광공정이 다시 시작된다. 상기 제2 샷(S2)에 대한 제1 노광공정은 상기 노광단위의 하단부(E1)와 상기 제2 샷(S2)의 상단부(S2b)가 일치하는 시점에서 종료된다. 상술한 바와 같은 방법으로 다수의 제1노광공정을 반복함으로서 상기 제1 노광대상물의 표면에 형성된 모든 샷에 대하여 노광공정을 완료한다.

상기 검출부(310)는 상기 노광단위의 하단부(E1)와 상기 제1 샷(S1)의 상단 부(S1b)가 일치하는 시점을 상기 제1 샷(S1)에 대한 노광종료 시점으로 검출하고 상기 노광단위의 상단부(E2)와 상기 제2 샷(S2)의 하단부(S2a)가 일치하는 시점을 상기 제2 샷(S2)에 대한 노광시작 시점으로 검출한다.

상기 제어부(300)는 상기 제1 샷(S1)에 대한 노광종료 시점을 검출하면, 상기 광경로변경 유닛(210)을 구동하여 상기 제1 광공급부(100)의 광경로 상에 위치시킨다. 일실시예로서, 상기 광경로 유닛(210)은 상기 조명유닛(100)의 광경로 상에 위치하며, 바람직하게는 상기 제2 광학계(124)의 광경로 상에 위치한다. 따라서, 상기 광경로 변경 유닛(210)은 상기 플라이 아이 렌즈(124a)와 상기 제3 반사경(193) 사이에 위치한다. 따라서, 상기 플라이 아이 렌즈(124a)를 경유한 광은 상기 광경로 변경 유닛(210)에 의해 상기 집광유닛(230)으로 모두 반사되고, 상기 제1 노광대상물(W1)에 대한 제1 노광공정은 중단된다. 즉, 상기 기판 스테이지(150)가 다음 샷의 노광을 위해 이동하는 시간동안에는 상기 제1 노광공정은 중단된다.

또한, 상기 제어부(300)는 상기 제2 샷(S2)에 대한 노광시작 시점을 검출하면, 상기 제1 광공급부(100)의 광경로에서 상기 광경로변경 유닛(210)을 제거한다. 따라서, 상기 광원(110)에서 발생한 광은 제1 광공급부(100)를 경유하여 상기 제1 노광대상물의 표면으로 공급되어, 상기 제1 노광공정이 다시 시작된다.

따라서, 상기 제어부(300)에 의해 상기 광은 제1 노광공정이 중단되는 상기 기판 스테이지(150)의 이송시간동안에만 상기 제2 노광대상물(W2)로 공급되어, 상기 제1노광공정은 상기 제2 광공급부(200)에 의해 전혀 영향을 받지 않는다.

상기 제1노광대상물(W1)은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 웨이퍼를 포함하며, 상기 제2 노광대상물(W2)은 주변에 위치하는 포토레지스트 필름을 제거하기 위한 웨이퍼를 포함한다. 일실시예로서, 상기 제2 노광대상물(W2)은 노광공정을 완료한 웨이퍼에 대해 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상공정을 위한 스피너(spinner)에 위치한다. 다른 실시예로서, 상기 제2 노광대상물(W2)은 노광공정을 수행하기 위한 예비정렬을 수행하는 예비정렬 장치에 위치할 수 있다.

상기 제1노광대상물과 상기 제2 노광대상물은 동일하지만, 상기 제1 및 제2 노광공정이 서로 상이한 경우에도 본 발명이 적용될 수 있음은 자명하다. 예를 들면, 상기 제1 노광공정은 웨이퍼에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광을 수행하며, 상기 제2 노광공정은 웨이퍼의 주변부에 위치하는 주변부 포토레지스트를 제거할 수 있다. 즉, 웨이퍼에 대한 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 메인 노광공정과 웨이퍼 에지부의 잔류 포토레지스틀 제거하는 웨이퍼 에지 노광공정을 동시에 수행할 수 있다.

상술한 바와 같은 노광 장치에 의해, 상기 제1 노광대상물에 대한 공정효율에는 영향을 미치지 않으면서 상기 제2 노광대상물에 대한 노광을 수행함으로써 노광 장치 전체의 공정효율을 높일 수 있다.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시한 노광장치를 이용하여 본 발명의 일실시예에 의한 노광방법을 나타내는 흐름도이다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 노광방법은 먼저 광원(110)에서 발생한 광을 제1노광대상물(W1)의 표면으로 공급하여 상기 제1 노광대상물(W1) 에 대한 제1 노광공정을 수행한다(단계 S10). 일실시예로서, 상기 제1 노광공정은 상기 제1 노광대상물(W1)의 표면에 위치하는 제1 샷(shot)을 소정의 노광단위씩 순차적으로 스캐닝함으로써 수행된다. 상기 제1 노광대상물(W1)의 표면은 다수의 샷으로 구분되며, 상기 다수의 샷은 상기 제1 노광대상물(W1)을 지지하는 기판 스테이지의 이송에 의해 소정의 이송방향을 따라 차례차례(step-by-step) 노광된다. 본 실시예에서는 상기 제1 노광공정이 스캐너에 의해 하나의 샷이 소정의 노광단위씩 스캔됨으로써 차례차례 노광되는 것을 예시하고 있지만, 스텝퍼(stepper)를 이용하여 샷을 한번에 주사하는 스텝-앤-리티트(step-and-repeat) 방식으로 수행될 수도 있음은 자명하다. 일실시예로서, 상기 광은 초고압 수은광, 아르곤 플로라이드(ArF) 엑시머 레이저, 크립톤 플로라이드(KrF) 엑시머 레이저, 극 자외선 빔(Extreme Ultraviolet beam) 또는 전자 빔(electron beam) 중의 어느 하나를 이용한다.

이어서, 상기 제1 샷에 대한 제1 노광공정의 종료시점을 검출한다(단계 S20). 소정의 길이를 갖는 상기 제1 샷을 소정의 폭을 갖는 상기 스캐너의 노광단위로 반복적으로 스캐닝하면 상기 노광단위의 하단부와 상기 제1 샷의 상단부가 일치하면서 상기 제1 샷에 대한 상기 제1 노광공정은 종료된다. 이때, 상기 샷 및 노광단위에 대한 상부 및 하부는 상기 기판의 이송방향을 기준으로 상대적으로 결정한다. 즉, 상기 기판의 이송방향에 따라 노광이 진행될 샷 부분을 샷의 상부라 하며, 노광이 진행된 부분을 샷의 하부라 한다. 또한, 상기 샷에 대한 노광을 진행하는 방향에 위치하는 노광단위의 단부를 상부라 하며, 그 후단에 위치하는 단부를 하부라 약속한다. 상기 노광단위의 하단부와 상기 제1 샷의 상단부가 일치하는 시점을 경과한 경우에는 상기 노광단위가 상기 제1 샷의 내부에 위치하지 않으므로 비록 광이 공급된다 할지라도 상기 제1 샷에 대한 노광은 수행되지 않는다. 따라서, 상기 노광단위의 하단부와 상기 제1 샷의 상단부가 일치하는 시점을 상기 제1노광공정의 종료시점으로 선택한다.

상기 제1 노광공정을 수행하기 위한 광 공급 경로 상에 광경로 변경 유닛(210)을 위치시킨다(단계 S30). 일실시예로서, 제어부(300)는 상기 제1 노광공정의 종료시점을 검출함과 동시에 상기 광경로 변경 유닛(210)을 구동시켜 상기 제1 노광공정의 광공급 경로상에 위치시킨다. 일실시예로서, 상기 광경로 변경 유닛(210)은 반사경을 이용한다. 따라서, 상기 제1 노광공정을 수행하기 위한 광은 상기 반사경(210)에 의해 모두 반사되고 상기 제1 노광공정은 중단된다.

상기 반사된 광은 집광수단(230)을 통하여 집광되고(단계 S40), 투영유닛(220)을 통하여 제2 노광대상물(W2)의 표면으로 투영되어 상기 제2 노광대상물(W2)에 대한 제2 노광공정을 수행한다(단계 S50). 일실시예로서, 상기 집광수단(230) 및 투영유닛(220)은 다수의 볼록렌즈로 구성된 복합렌즈 시스템이다. 상기 집광수단(230)은 상기 반사광의 직진성을 향상시키며, 상기 투영유닛(220)은 집광된 광을 상기 제2 노광대상물(W2)의 특정영역으로 집중시킨다. 이에 따라, 상기 제2 노광대상물(W2)의 특정영역에서만 제2 노광공정이 수행된다.

상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1 샷과 순차적으로 이어지는 제2 샷에 대한 제3 노광공정의 시작시점을 검출한다(단계 S60). 상기 제3 노광공정은 상기 제1 샷에 대해 수행된 제1 노광공정과 동일한 공정으로서, 상기 기판 스테이지의 이송에 의해 제2샷에 수행되는 상기 제1 노광공정이다. 상기 제1 샷에 대한 제1 노광공정이 완료되면, 상기 기판 스테이지는 상기 이송방향을 따라 이동되어 상기 제2 샷에 대한 노광공정을 준비한다. 상기 기판의 이송이 완료되어, 상기 스캐너 노광단위의 상단부와 상기 제2 샷의 하단부가 일치하면 상기 제2 샷에 대한 노광이 다시 시작된다. 따라서, 상기 노광단위의 상단부와 상기 제2 샷의 하단부가 일치하는 시점을 상기 제3 노광공정의 시작시점으로 선택한다.

이어서, 상기 광경로 변경 유닛(210)을 광공급 경로로부터 제거한다(단계 S70). 상기 광원(110)에서 발생된 광은 상기 광경로 변경유닛(210)에 의해 상기 제1 노광대상물(W1)로의 공급이 차단되었으므로, 상기 광경로 변경유닛(210)을 제거함으로써 상기 광은 다시 제1 노광대상물(W1)로 공급된다. 이에 따라, 상기 제1 노광대상물(W1)의 제2샷에 대한 제3 노광공정이 수행된다. 따라서, 상기 제2 노광대상물로의 광 공급은 중단되고, 상기 제2 노광공정도 중단된다.

상술한 바와 같은 노광방법을 상기 제1 노광대상물(W1)의 모든 샷에 대해 적용하면, 상기 기판 스테이지의 이송시간인 샷과 샷 사이의 비노광시간 동안 상기 광의 경로를 변경시켜 제2 노광대상물(W2)에 제2 노광공정을 수행할 수 있다. 따라서, 제1 노광대상물(W1)에 대한 제1 노광공정과 제2 노광대상물(W2)에 대한 제2 노광공정이 교호적으로 수행된다. 따라서, 노광 장치 전체의 공정효율을 향상시킬 수 있다.

일실시예로서, 포토레지스트 패턴이 형성될 웨이퍼의 표면이 상기 제1 노광 공정에 의해 노광되며, 상기 웨이퍼의 주변부(edge)에 위치하는 포토레지스트 필름이 상기 제2 노광공정에 의해 노광된다. 이때, 상기 제2 노광공정은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광공정이 완료된 웨이퍼에 대해 현상공정을 수행하기 위한 스피너(spinner)에서 수행될 수 있다. 또한 상기 제2 노광공정은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광공정이 수행되기 이전에 포토레지스트 필름이 형성된 웨이퍼에 대해 웨이퍼의 플랫 존을 검출하기 위한 선정렬(pre-align) 장치에서 수행될 수도 있다.

상기 제1 노광대상물과 제2 노광대상물은 동일한 반도체 제조용 웨이퍼로서, 포토레지스트 패턴이 형성될 웨이퍼의 표면을 선택적으로 노광하는 제1 노광공정과 상기 웨이퍼의 주변부(edge)에 위치하는 포토레지스트 필름을 제거하는 제2 노광공정이 동일한 장치 내에서 수행될 수도 있다.

<노광 실험예>

길이 33mm 및 폭 26mm 크기를 갖는 다수의 샷을 구비하는 웨이퍼에 대하여 스캔속도 500mm/s인 아르곤 플로라이드(ArF) 엑시머 레이저 스캐너를 이용하여 본 발명에 의한 노광방법을 수행하였다.

웨이퍼의 이송방향에 따른 스캐닝 순서는 도 2에 도시된 방향과 동일하다. 상기 샷의 길이방향은 상기 스캐닝 방향으로 약속하며, 상기 길이방향과 수직한 방향을 상기 샷의 폭 방향으로 약속한다. 상기 노광단위(E)의 상단부와 상기 샷의 하단부가 일치하는 때에 상기 샷에 대한 노광이 시작되었다. 그러나, 노광이 시작되 는 순간에는 상기 노광단위(E)의 대부분이 상기 샷의 외부에 위치하므로 노광 시작시점에 공급되는 광은 상기 샷의 노광에 이용되지 않는다. 노광 시작시점에서 광은 공급되지만 샷에 대한 노광은 이루어지지 않는 영역을 전 스캔(pre-scan) 영역(A)이라 약속한다. 마찬가지로, 상기 노광단위(E)의 하단부와 상기 샷의 상단부가 일치하는 때에 상기 샷에 대한 노광이 종료되었다. 그러나, 노광이 종료되는 순간에는 상기 노광단위(E)의 대부분이 상기 샷의 외부에 위치하므로 노광 종료시점에 공급되는 광은 상기 샷의 노광에 이용되지 않는다. 노광 종료시점에서 광은 공급되지만 샷에 대한 노광은 이루어지지 않는 영역을 후 스캔(post-scan) 영역(B)이라 약속한다. 상기 전 및 후 스캔영역(A,B)과 상기 샷 영역(C)에 대해 스캐닝 동안 상기 기판 스테이지는 정속으로 이송되지만, 상기 샷의 이동시간에는 공정시간 단축을 위해 기판 스테이지의 이송속도가 빨라진다. 따라서, 상기 기판 스테이지는 상기 후 스캔영역(B)을 벗어나면서 가속되고 상기 전 스캔영역(A)으로 진입하면서 감속되어 상기 스캐닝에 필요한 속도를 유지한다. 즉, 상기 기판 스테이지는 광이 투사되는 영역(A,B,C)에서는 등속운동을 하지만, 상기 샷과 샷 사이의 이동시간에는 가속운동을 한다. 상기 노광단위(E)는 26mm x 8mm의 크기를 갖는 것으로 가정한다. 또한, 상기 샷 영역(C)에 대한 노광공정의 시작시점 및 종료시점의 완충영역을 확보하기 위해 상기 전 및 후 스캔영역(A,B)은 상기 노광단위의 폭이 8mm임에도 불구하고 12.5mm로 설정한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼의 표면에 위치하는 임의의 샷에 대한 총 노광시간은 다음과 같이 얻어진다.

샷 노광에 필요한 총소요시간 = (전 스캔시간 + 상기 샷 영역에 대한 스캔시간 + 후 스캔시간) + (가감속시간인 샷 이동시간)

= (정속시간) + (가감속시간) --------- (1)

상기 스캐너는 약 500mm/s의 속도로 이송하므로 각각 12.5mm로 고정된 상기 전후 스캔영역(A,B)에 대한 스캔시간은 각각 약 25ms가 소요된다. 또한, 상기 샷 영역은 33mm의 길이를 갖고 있으므로 순수 노광공정 시간은 약 66ms가 소요된다. 300mm 웨이퍼의 경우 샷당 총소요시간은 264ms이므로, 식 (1)에 의해 상기 가감속시간은 148ms가 되며, 이는 총 소요시간의 56%에 해당한다.

즉, 전체 웨이퍼의 노광시간에서 약 44%가 순수한 칩의 노광에 이용되고, 나머지 56%의 시간은 기판 스테이지의 이동에 소요되었다. 따라서, 기판 스테이지의 이송에만 소요되던 상기 56%의 시간을 다른 노광공정에 이용함으로써 노광 장치의 전체 공정효율을 현저하게 높일 수 있었다.

이하에서는 300mm 웨이퍼의 주변 노광공정에 필요한 광량(dose)의 관점에서 본 발명의 구현가능성을 검증해 본다.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 의한 노광방법을 이용하여 웨이퍼 주변에지 공정을 적용할 대상 웨이퍼는 반경(a) 150mm, 에지영역의 폭(b) 4mm, 웨이퍼 회전속도(ω) 200rpm으로 가정한다. 또한, 웨이퍼 에지에서의 선속도는 웨이퍼 노광속도와 동일한 500mm/s로 가정하며, 상기 웨이퍼의 표면에 120개의 샷이 위치한다.

상기한 바와 같은 가정에 의하면, 아래와 같은 기초 data가 얻어진다.

총 샷의 면적 : 26x33x120 = 102960mm²

웨이퍼 에지의 면적 : pix(150²-146²) = 3720mm²

샷의 면적/웨이퍼 에지의 면적 : 0.036 = 3.6%

총 노광시간 (정속시간) : 116ms x 120 = 13.92sec

총가감속 시간 : 148ms x 120 = 17.76sec

웨이퍼 에지공정에 필요한 시간 : 0.4sec

상기의 데이터에 의하면, 실제 웨이퍼에 대한 노광이 이루어지지 않는 가감속시간은 전체 노광시간의 56%에 해당하는 17.76초나 되지만, 상기 가감속 시간동안의 광을 변경하여 웨이퍼 에지 노광공정을 수행하는 경우 0.4초 정도밖에 소요되지 않는다. 비록 웨이퍼 에지 공정으로 반사되는 광의 세기가 1/10로 저하시킨 경우 상기 웨이퍼 에지 공정에 소요되는 시간은 4초에 불과하였다. 따라서, 상기 광경로변경 유닛의 구동시간을 고려한다 할지라도 상기 비노광시간의 광을 이용하여 상기 웨이퍼 에지 노광공정을 수행할 수 있는 충분한 양의 광량을 확보할 수 있음을 확인할 수 있다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 제1노광대상물에 대한 제1노광공정과 상기 제1노광공정의 광을 이용하여 제2노광 대상물에 대한 제2노광공정을 교호적으로 수행함으로써, 상기 제2노광공정을 수행하기 위한 별도의 광원이 요구되지 않으며, 상기 제2노광공정을 위한 상기 제2 노광대상물의 재정렬이나 마스크 제거 등과 같은 별도의 추가적인 절차를 요구하지 않는다. 이에 따라, 노광공정을 위한 비용과 효율을 높일 수 있는 장점이 있다. 또한, 상기 제1 노광공정의 샷 이동시간 동안 상기 제1노광공정의 광원을 이용하여 제2노광공정을 수행함으로써 상기 제1노광공정의 비노광시간 동안 제2노광공정을 수행할 수 있다. 이에 따라, 노광 장치의 전체적인 공정효율을 높일 수 있는 장점이 있다.

상기한 본 발명에 의하면, 제1 노광대상물에 대한 제1 노광공정이 일시 중단되는 동안 제1노광공정을 수행하는 광의 경로를 제2 노광대상물로 변경시켜 제2 노광대상물에 대한 제2 노광공정을 수행한다. 예를 들면, 웨이퍼에 대한 메인 노광공정을 수행하면서 스테이지 이동시간 동안 광의 경로를 변경하여 노광공정을 완료한 다른 웨이퍼에 대해 웨이퍼 주변 에지 공정을 수행한다. 따라서, 웨이퍼의 재정렬이나 별도의 광원 및 마스크의 제거 등과 같은 추가적인 절차 없이 웨이퍼 에지 노광공정을 수행할 수 있으며, 포토레지스 패턴을 형성하기 위한 주 노광공정과 웨이퍼 에지 노광공정을 교호적으로 수행함으로써 노광 장치 전체의 공정효율(throughput)을 높일 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영 역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

광원에서 발생한 광을 제1 노광대상물로 유도하여 상기 제1 노광대상물의 표면에 제1 노광공정을 수행하는 단계;

상기 광을 제2 노광대상물로 유도하여 상기 제2 노광대상물의 표면에 제2 노광공정을 수행하는 단계; 및

상기 광을 상기 제1 노광 대상물로 유도하여 상기 제1 노광 대상물의 표면에 상기 제1 노광공정과 동일한 제3 노광공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 노광공정을 수행하는 단계는

상기 광을 상기 제2 노광대상물로 반사하는 단계; 및

반사된 상기 광을 상기 제2 노광대상물의 표면으로 축소 투영하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제2항에 있어서, 상기 광을 상기 제2 노광대상물로 반사하는 단계는

상기 제1 노광공정의 종료시점을 검출하는 단계;

상기 광의 진행경로 상에 광반사 유닛을 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
제3항에 있어서, 상기 광반사 유닛은 반사경인 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
제3항에 있어서, 상기 제3 노광공정을 수행하는 단계는

상기 제3 노광공정의 시작시점을 검출하는 단계; 및

상기 광의 진행경로로부터 상기 광반사 유닛을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
제2항에 있어서, 상기 제2 노광공정을 수행하는 단계는 상기 반사광을 축소 투영하는 단계 이전에 상기 반사광을 집광하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 노광공정에 의해 포토레지스트 패턴이 형성될 웨이퍼의 표면이 노광되며, 상기 제2노광공정에 의해 웨이퍼의 주변부(edge)에 위치하는 포토레지스트 필름이 노광되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제7항에 있어서, 상기 제2 노광공정은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광공정이 완료된 웨이퍼에 대해 수행되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제8항에 있어서, 상기 제2노광공정은 스피너(spinner)에서 수행되는 것을 특 징으로 하는 노광방법.
제7항에 있어서, 상기 제2 노광공정은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광공정이 수행되기 이전에 포토레지스트 필름이 형성된 웨이퍼에 대해 수행되는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
제10항에 있어서, 상기 제2 노광공정은 웨이퍼의 플랫 존을 검출하기 위한 선정렬(pre-align) 장치에서 수행되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제7항에 있어서, 상기 제1 노광대상물과 제2 노광대상물은 동일한 반도체 제조용 웨이퍼 인 것을 특징으로 하는 노광방법.
제1항에 있어서, 상기 광은 아르곤 초고압 수은 램프, 플로라이드(ArF) 엑시머 레이저, 크립톤 플로라이드(KrF) 엑시머 레이저, 극 자외선 빔(Extreme Ultraviolet beam) 또는 전자 빔(electron beam) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
광원에서 발생한 광을 제1 노광 대상물로 유도하여 상기 제1 노광대상물의 표면에 다수의 제1 노광공정들을 수행하기 위한 광을 선택적으로 공급하는 제1 광공급부;

상기 광을 제2 노광 대상물로 유도하여 상기 제2 노광 대상물의 표면에 다수의 제2 노광공정을 수행하기 위한 광을 공급하는 제2 광공급부; 및

상기 광을 상기 제1 광공급부 및 제2 광공급부에 교호적으로 제공하여, 상기 제1 및 제2 노광공정들을 순차적으로 수행하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제14항에 있어서, 상기 제2 광공급부는 상기 광의 경로를 변경하기 위한 광 경로변경 유닛, 상기 광경로 변경유닛을 경유한 광을 상기 제2 노광대상물의 표면으로 투영하는 제2 투영유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제15항에 있어서, 상기 광경로 변경 유닛은 반사경인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제15항에 있어서, 상기 제2 투영유닛은 복합 렌즈구조물인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제15항에 있어서, 상기 제2 광공급부는 상기 광 경로변경 유닛을 경유한 광을 집광하기 위한 집광유닛 및 상기 집광유닛을 경유한 광을 상기 제2 투영유닛으로 전달하기 위한 광 전송수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제18항에 있어서, 상기 광전송 수단은 전반사를 이용하여 광을 전달하는 광섬유인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제15항에 있어서, 상기 광경로변경 유닛은 상기 제1 광공급부의 광경로 상에 착탈 가능하게 위치하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제20항에 있어서, 상기 제1 광공급부는 상기 광원으로부터 발생한 광을 상기 제1 노광대상물로 유도하기 위한 조명유닛, 상기 조명계를 경유한 광을 소정의 패턴을 따라 선택적으로 투과시키는 마스크 유닛 및 상기 마스크 유닛을 경유한 광을 상기 제1 노광대상물로 투영시키는 제1 투영유닛을 포함하며, 상기 광경로변경 유닛은 상기 조명유닛의 광 경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제21항에 있어서, 상기 조명유닛은 상기 광원으로부터 발생한 광의 균일도를 향상하기 위한 플라이 아이 렌즈(fly eye lens)를 더 포함하며, 상기 광경로 변경유닛은 상기 플라이 아이 렌즈를 경유한 광의 광경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제20항에 있어서, 상기 제어부는

상기 각 제1 노광공정의 시작 및 종료시점을 측정할 수 있는 센서부; 및

상기 제1 노광공정의 노광 종료시점에 상기 광경로 변경 유닛을 상기 제1 광 공급부의 광경로 상에 위치시키고, 연속하는 다른 제1노광공정의 노광 시작시점에 상기 광경로 변경 유닛을 상기 제1 광공급부의 광경로 상에서 제거하는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제14항에 있어서, 상기 제2 노광대상물은 포토레지트 막을 구비하는 반도체 장치 제조용 웨이퍼이며, 상기 제2노광공정은 상기 웨이퍼의 주변(edge)에 위치하는 포토레지스트 막을 제거하는 웨이퍼 주변 노광(wafer edge exposure) 공정인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제24항에 있어서, 상기 제2 노광대상물은 현상공정을 수행하기 위한 스피너(spinner)에 위치하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제24항에 있어서, 상기 제2 노광대상물은 상기 제1 노광공정 전에 수행되는 플랫 존(flat zone) 검출을 위한 선정렬(pre-align) 장치에 위치하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제24항에 있어서, 상기 제2 노광대상물은 상기 제1 노광대상물과 동일한 반도체 장치 제조용 웨이퍼이며, 상기 웨이퍼는 포토레지스트 패턴을 형성하는 상기 제1 노광공정과 상기 웨이퍼 주변 노광공정이 교호적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
제14항에 있어서, 상기 광은 초고압 수은 램프, 아르곤 플로라이드(ArF) 엑시머 레이저, 크립톤 플로라이드(KrF) 엑시머(excimer) 레이저, 극 자외선 빔(Extreme Ultraviolet beam) 또는 전자 빔(electron beam) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광 장치.