KR100542583B1 - Susceptors for Glass Support of Chemical Vapor Deposition Equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명의 화학기상증착 장비의 글라스 지지용 서셉터는 LCD 공정을 위한 장비의 챔버 내에서 글라스를 지지하고 글라스에 열과 RF전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키고 글라스에 균일한 박막을 형성시켜 주는 서셉터에 있어서, 블럭(10); 상기 블럭(10)의 가장자리 부근을 따라 소정 패턴으로 배치되고 그 양단이 상기 블럭(10)의 중심부에 위치하는 제1히터라인(21); 상기 제1히터라인(21)의 둘레에 상응하는 한바퀴에 걸쳐 상기 제1히터라인(21)의 내부 영역에 지그재그 패턴으로 배치되고 그 양단이 상기 블럭(10)의 중심부에 위치하는 제2히터라인(22); 상기 블럭(10)의 중심과 외곽에 설치되어 온도를 검출하고 컨트롤하기 위한 써모커플(30,30'); 상기 블럭(10)을 지지하기 위한 로드부(40); 상기 블럭(10)의 표면에 글라스를 놓거나 옮기기 위한 핀 가이드홀(50); 및 상기 블럭(10)의 일측에 설치되어, RF 바이어스를 걸기 위한 접촉부(60)를 구비한 RF전원부;를 포함한다.The glass support susceptor of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention supports the glass in the chamber of the equipment for the LCD process and generates a plasma by applying heat and RF power to the glass and forming a uniform thin film on the glass. In the block 10; A first heater line (21) disposed in a predetermined pattern along an edge of the block (10) and both ends of which are located at the center of the block (10); A second heater line disposed in a zigzag pattern in an inner region of the first heater line 21 over one circumference corresponding to the circumference of the first heater line 21, and both ends of which are located at the center of the block 10; (22); Thermocouples (30, 30 ') installed at the center and the outside of the block (10) for detecting and controlling temperature; A rod part 40 for supporting the block 10; Pin guide hole 50 for placing or moving the glass on the surface of the block 10; And an RF power supply unit installed at one side of the block 10 and having a contact unit 60 for applying an RF bias.
서셉터, 블럭, 히터, 로드Susceptors, blocks, heaters, rods
Description
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.The following drawings attached to this specification are illustrative of preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention to serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to
도 1은 종래 기술에 따른 서셉터의 도면이다.1 is a view of a susceptor according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 서셉터의 측면을 나타낸 도면이다.2 is a view showing the side of the susceptor according to the prior art.
도 3은 종래 기술에 따른 블럭의 내부를 나타낸 도면이다.Figure 3 is a view showing the interior of the block according to the prior art.
도 4는 종래 기술에 따른 블럭과 로드부의 결합을 나타낸 도면이다.4 is a view showing a combination of a block and a rod according to the prior art.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터의 도면이다.5 is a diagram of a susceptor according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 블럭의 도면이다.6 is a diagram of a block according to one embodiment of the invention.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 블럭의 내부를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating the inside of a block according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터의 측단면도이다.8 is a side cross-sectional view of a susceptor according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 LCD 공정을 위한 장비의 챔버 내에서 글라스를 지지하고 글라스에 열과 RF전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키고 글라스에 균일한 박막을 형성시켜 주는 서셉터에 관한 것이다.The present invention relates to a susceptor for supporting a glass in a chamber of an equipment for an LCD process, generating heat by applying heat and RF power to the glass, and forming a uniform thin film on the glass.
종래의 서셉터(susceptor) 구성을 도 1및 도 2에 도시하였다. 이를 참조하면 서셉터는 크게 블럭(1), 히터(2), 써모커플(3), 로드부(4)로 형성된다. 상기 블럭(1)의 재질은 히터(2)로부터 공급되는 열이 서셉터 표면(7)에서 균일한 분포가 되도록 하기 위해 일반적으로 열전도율이 우수한 소재를 사용하게 된다. 현재 반도체 장비에서 사용되는 재질은 저온공정(500℃ 이하)에서는 알루미늄을 주로 사용하고 고온공정(500℃ 이상)에서는 인코넬 또는 질화알루미늄 계열의 세라믹을 사용하고 있다. 또한, 히터는 블럭(1)에 내장되어 있으면서 블럭에 열을 공급하기 위한 것으로서 블럭의 크기 또는 요구되는 특성에 의해 여러개로 구성된다. 종래 기술에서는 세개의 히터라인(2)(2')(2")으로 구성되어 있으며, 이때 히터는 양쪽단에서 단자가 형성되므로 세개의 히터라인을 사용하여 구성할 경우 단자는 총 여섯개가 형성되게 된다. 한편, 써모커플(3)은 블럭의 온도를 검출하기 위해 블럭내에 내장시킨 써모커플(3)(3')로 구성되며, 써모커플에서 검출된 온도와 설정된 온도를 비교하여 차이가 발생하면 히터(2)에 공급 되는 전원을 조정하여 온도를 맞추게 된다. 일반적으로 써모커플은 블럭의 가운데 영역에 한 개(3)와 가장자리 영역에 한 개(3')등 총 두개로 구성되어 있다. 상기 로드부(4)는 블럭(1)을 지지하며 블럭으로부터 챔버 외부로 결선되는 히터 배선 및 써모커플 배선을 보호하며 챔버내부로 진공도가 유지되도록 되어 있다. 이 외에 서셉터는 공정을 진행하기 위해 서셉 터의 표면(7)에 글라스를 놓거나 써셉터의 표면으로부터 글라스를 올리기 위한 핀가이드홀(5)과, 서셉터에 RF 바이어스를 걸어주기 위한 접촉부(6)를 구비하는 RF 전원연결부로 구성된다.Conventional susceptor configurations are shown in FIGS. 1 and 2. Referring to this, the susceptor is largely formed of a
상기와 같이 구성된 서셉터를 챔버 내부에 장착할 경우 챔버의 내부는 공정을 진행하기 위해 일정한 압력 이하로 유지할 필요가 있기 때문에 펌프를 통해 내부의 잔류 가스를 배출하여 챔버 내부를 저압상태로 유지한다. 아울러, 서셉터는 반응 챔버의 내부와 외부에 걸쳐 위치하게 되므로, 블럭(1)은 로드부(4)를 통해 외부로 연결되게 되며, 써모커플라인과 히터라인은 로드부를 통해 외부와 연결되게 된다. When the susceptor configured as described above is mounted in the chamber, the inside of the chamber needs to be maintained at a predetermined pressure or less to proceed with the process, so that the remaining gas is discharged through the pump to maintain the inside of the chamber at a low pressure. In addition, since the susceptor is located over the inside and outside of the reaction chamber, the
하지만, 상기와 같은 구조는 도 3및 도 4를 참조해서 보면, 히터 커버(10)와 블럭(1)의 용접면에서 균열이 발생하여 로드부(4)를 통해 유입된 공기가 균열이 발생한 면을 통해 챔버 내부로 들어가거나, 로드부(4)와 블럭(1)간의 용접면에 균열이 발생하여 로드부를 통해 유입된 공기가 균열이 발생한 면을 통해 챔버 내부로 들어가거나, 오링에서의 밀착도 불량에 의해 공기가 새어 들어가는 경우 등이 발생하여 진공상태가 불량해지는 문제점이 자주 발생하였다. 특히, 히터 커버(10)와 블럭(1)의 용접면에서 균열이 쉽게 발생하는데, 그 이유로는 용접후 용접한 면과 블럭(1)간의 높이를 맞춰주기 위해 용접한 면을 일부 제거하거나, 블럭(1)과 용접살(11)의 계면은 용접이 되었어도 취약한 상태로 존재하는데 이 부분을 제거하기 위한 가공시 계면으로 응력이 작용하여 더욱 취약한 상태로 되어 장기간 사용시 (온도 상승 및 하강이 반복적으로 일어남) 계면에 스트레스가 집중되어 균열의 발 생을 가속화 시키기 때문에 발생한다. However, the structure as described above with reference to Figures 3 and 4, the crack occurs in the welding surface of the
또한, 상기와 같은 구조는 블럭과 로드를 접합부에 있어서 용접강도 저하 및 직각도 불량이 발생한다. 구체적으로 도 4를 참조하여 설명하면, 서셉터 블럭(1)면과 로드부(4)는 서로 직각이 되어야 하는데, 직각이 되지 않을 경우에는 서셉터의 표면이 챔버 하부면 또는 상부 전극면과 평행하게 되지 않아 챔버 내부에서 플라즈마가 균일하게 형성되지 않는다. 따라서, 일반적으로 LCD 장비에 사용하는 서셉터는 사용 수명이 약 1년 정도이며 이 기간동안 수차례 챔버로부터 서셉터를 착탈 시켜 세정 및 아노다이징을 진행하게 되므로 이러한 과정을 거치면서 로드부(4)에 외적인 충격등에 의해 직각도가 틀어지게 된다. 나아가, 종래의 로드부는 상부로드 (4')와 하부 로드(4")를 맞대어 놓고 로드의 외부에서 용접을 진행하고 용접 비드(8)는 약 1~2mm 정도로 된 용접살에 의해서 결합되어 있기 때문에, 이와 같은 구조의 서셉터에 외부에서 물리적인 힘이 가해지면 용접면에 직접적으로 힘이 전달되어 용접면에 균열이 발생할 가능성이 높으며 또한 연질의 용접살의 변형에 의해 직각도가 틀어지는 원인이 된다. In addition, in the structure as described above, the weld strength decreases and the squareness is poor at the joint portion of the block and the rod. Specifically, referring to FIG. 4, the
또한, 다시 도 1을 참조해서 설명하면 블럭(1)에는 내부 영역에 히터(2')과 히터(2")이 설치되어 있고 외부에 히터(2)가 배치되어 있다. 내부 영역에 설치된 히터(2)(2")는 중심부에 위치한 써모커플(3)에 의해 콘트롤 되며 외부 영역에 설치된 히터(2)는 가장자리에 위치한 써모커플(3')에 의해 콘트롤 된다. 이러한 구조에서는 외부의 콘트롤에는 큰 문제가 없으나 내부에 설치된 히터(2')과 히터(2")간에는 저항이나 발열도 측면에서 차이가 발생하게 되어 한개의 써모커플에 의해 콘트 롤 할 경우 온도 균일도 측면에서 문제가 발생하게 된다. 1, the heater 2 'and the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 용접면에서 균열에 의해 발생하는 진공도의 불량과, 로드부의 용접강도 저하 및 직각도 불량 및 불합리한 히터 배치를 개선하여 알루미늄 씨즈 히터의 사용 및 그 구조와 히터 설계 개발을 통해 진공도, 온도 균일도 확보등 서셉터의 특성을 향상시킨 화학기상증착 장비의 글라스 지지용 서셉터를 제공하는 데 그 목적이 있다. The present invention was devised to solve the above problems, and improves the poor vacuum degree caused by the crack in the welding surface, the poor weld strength and the poor squareness and unreasonable heater arrangement of the rod part, thereby improving the use of aluminum seed heaters and Its purpose is to provide a glass support susceptor for chemical vapor deposition equipment that improves susceptor characteristics such as vacuum degree and temperature uniformity through its structure and heater design development.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 화학기상증착 장비의 글라스 지지용 서셉터는 LCD 공정을 위한 장비의 챔버 내에서 글라스를 지지하고 글라스에 열과 RF전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키고 글라스에 균일한 박막을 형성시켜 주는 서셉터에 있어서, 블럭(10); 상기 블럭(10)의 가장자리 부근을 따라 소정 패턴으로 배치되고 그 양단이 상기 블럭(10)의 중심부에 위치하는 제1히터라인(21); 상기 제1히터라인(21)의 둘레에 상응하는 한바퀴에 걸쳐 상기 제1히터라인(21)의 내부 영역에 지그재그 패턴으로 배치되고 그 양단이 상기 블럭(10)의 중심부에 위치하는 제2히터라인(22); 상기 블럭(10)의 중심과 외곽에 설치되어 온도를 검출하고 컨트롤하기 위한 써모커플(30,30'); 상기 블럭(10)을 지지하기 위한 로드부(40); 상기 블럭(10)의 표면에 글라스를 놓거나 옮기기 위한 핀 가이드홀(50); 및 상기 블럭(10)의 일측에 설치되어, RF 바이어스를 걸기 위한 접촉부(60)를 구비한 RF전원부를 포함한다.In order to achieve the above object, the glass support susceptor of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention supports the glass in the chamber of the equipment for the LCD process and generates heat by applying heat and RF power to the glass and A susceptor for forming a uniform thin film, comprising: a block (10); A first heater line (21) disposed in a predetermined pattern along an edge of the block (10) and both ends of which are located at the center of the block (10); A second heater line disposed in a zigzag pattern in an inner region of the
바람직하게, 상기 히터라인의 외피(23)는 알루미늄으로 구성되며 상기 블럭(10)에 히터라인(21,22)을 고정하기 위해서 블럭에 홈(11)을 형성하고 히터고정용 외측 커버(14)를 삽입한 후 용접할 접합면을 모따기를 하여 두 접촉면이 서로 대칭이 되도록 하여 용접하며, 상기 홈(11)은 계단 형상의 단차를 형성하여 제 1단은 히터라인(21,22)을 삽입한 후 내측커버(12)로 덮고 그 주외에 알루미늄필러(13)를 채우며, 제 2단은 히터고정용 외측커버(14)를 외부로 돌출되지 않도록 결합하고, 상기 히터고정용 외측커버(14)를 블럭에 용접할 때 그 용접살(15)이 블럭면 밖으로 돌출되지 않도록 하는 것을 포함한다.Preferably, the
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to the common or dictionary meanings, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.
도 5는 본 발명에 따른 서셉터의 도면으로서, 이를 참조하면 전체 구성은 종래 기술과 같이 블럭(10), 히터라인(21,22), 써머커플(30,30'), 로드부(40), 및 핀가이드홀 (50)과 RF전원 연결부로 구성된다.5 is a view of the susceptor according to the present invention, referring to the overall configuration is the
상기 블럭(10)은 화학기상증착된 박막이 위치하는 부분으로 히터라인(21,22) 및 써머커플(30,30')이 내부에 형성된다. 이를 도 6 및 도 7을 참조하여 좀 더 자세히 설명하면, 블럭(10)에는 히터(20)가 중심에 내장된 히터라인(21,22)이 삽입되는 홈(11)이 형성되고, 상기 홈(11)에는 히터라인(21,22)이 삽입된 후 내측 커버(12)와 외측 커버(14)가 끼워진다. 이를 위해, 상기 홈(11)에 내측 커버를 끼운 후 다시 내측 커버(12)위로 블럭(10)과 용접을 하기 위한 외측 커버(14)를 끼워 넣고 블럭과 외측 커버간에 용접을 실시한다. 용접이 진행되고 나면 블럭(10)과 외측 커버(14) 사이에는 용접살(15)이 형성되고 두 소재간에 접합이 이루어 진다. 이때, 블럭(10)과 히터라인(21,22)간의 밀착도는 히터로부터 발생된 열이 블럭으로 전달되는 효율을 결정하는 요소로 종래 기술에서는 밀착도를 높이기 위해 블럭과 히터라인 사이에 형성되어 있는 틈에 산화마그네슘 가루를 채워 넣은 후 조립을 진행하였으나, 본 발명에서는 히터라인과 동일한 재질의 알루미늄필러(13)를 사용하여 접합도를 향상시킨다. 상기 홈(11)은 상대적으로 폭이 좁은 내부의 제1단과, 상기 제1단으로부터 블럭 바깥으로 연장되되 상대적으로 폭이 넓은 제2단을 구비하도록 단차가 진 계단 형상으로 형성된다. 여기서, 상기 제1단에는 히터라인(21,22)이 삽입된 후 내측커버(12)가 덮히되, 상기 히터라인(21,22)과 내측커버(12) 사이에 알루미늄필러(13)가 채워지고, 상기 제2단에는 상기 외측커버(14)가 블럭면 외부로 돌출되지 않도록 끼워진다.The
또한, 블럭(10)과 외측 커버(14)간 접촉면에 대해 대칭적으로 모따기를 하여 용접시 발생되는 응력을 블럭(10)과 외측 커버(14)에 동일한 힘으로 작용토록 하여 응력이 한쪽으로 집중되는 현상을 방지하도록 한다. 나아가, 블럭(10)에 한 포인트의 단차(16)를 두어 용접살(15)과 블럭(10)간의 접촉면적을 넓혀 줌과 동시에, 용접살(15)의 단차를 블럭(10) 표면보다 낮게 하여 용접 완료후 용접살을 제거하는 작업을 실시할 필요가 없다. 아울러, 일부 용접살이 블럭(10)의 표면 보다 높게 형성되어서 용접살 부위를 제거하여도 블럭(1)과 용접살(11)과의 계면이 제거되지 않기 때문에 균열이 발생하지는 않는다. 나아가, 블럭(10)과 히터라인(21,22) 및 히터라인과 내측 커버(12)간에 알루미늄필러(13)를 사용하여 브레이징을 진행한 후 외측 커버와 블럭간에 용접을 진행하고, 브레이징을 진행하면 블럭(10)과 히터라인(21,22) 및 히터라인과 내측 커버(12) 사이가 알루미늄계 물질로 채워지고 용접한 것과 동일한 밀착도를 가지므로 히터로부터 공급되는 열을 블럭으로 원활하게 전달한다. 따라서, 히터로부터 블럭으로 열전달이 용이하게 되면 히터의 최고 상승온도가 낮아져(열전달이 불량하면 블럭의 온도를 올리기 위해 히터 자체의 온도는 높게 상승해야 한다) 히터의 수명을 연장할 수 있다.In addition, by symmetrically chamfering the contact surface between the
본 발명에 따르면, 블럭(10)의 내부 영역을 하나의 히터로 연결·관리하여 내부 써모커플(30, 30')에 의한 온도콘트롤을 용이하게 하고 온도 균일성을 확보하며, 히터의 패턴을 제1히터라인(21)과 제2히터라인(22)의 두 라인만을 사용함으로써 로드부(40) 내로 빠져 나오는 단자를 네 개로 줄였고, 씨즈히터 내의 전열선을 더블타입으로 설정하여 블력(10) 표면에서 균일한 온도를 얻을 수 있다. 여기서, 제1히터라인(21)은 상기 블럭(10)의 가장자리 부근을 따라 소정 패턴으로 배치되고 그 양단이 상기 블럭(10)의 중심부에 위치한다. 또한, 제2히터라인(22)은 상기 제1히터라인(21)의 둘레에 상응하는 실질적인 한바퀴에 걸쳐 상기 제1히터라인(21)의 내부 영역에 지그재그 패턴으로 배치되고 그 양단이 상기 블럭(10)의 중심부에 위치한다.According to the present invention, the internal area of the
도 8의 블럭과 로드부의 결합 도면을 참조하면, 본 서셉터에서는 히터의 씨즈(외피)(23) 재질을 알루미늄을 사용하여 로드부(40)의 알루미늄과 히터의 씨즈(23)와 용접(24) 또는 브레이징을 통해 실링하였다. 본 발명의 구조는 히터라인에서 용접면의 불량에 의한 균열이 생겨 있어도 상부로드(41)에서 용접한 부분에서 실링을 함으로서 진공도를 유지할 수 있게 된다. 또한, 써모커플(30,30')라인의 씨즈재질은 써스(SUS)로 되어 있기 때문에 알루미늄과 용접이 안된다. 따라서 써모커플(30,30') 부분은 블럭(10)에 알루미늄 파이프(32)가 삽입될 구멍(18)을 형성하고 알루미늄 파이프를 삽입한 다음 블럭(10)의 돌출부(19)와 파이프(32)를 용접 또는 브레이징을 하여 용접면(34)을 형성한다. 이때, 알루미늄 파이프(32)의 다른 한 면은 상부 로드(41)에 형성된 돌출부(44)와 용접 또는 브레이징을 하여 용접면(45)을 형성한다. 상기와 같은 구조는 최소의 용접면(24)(34)(45)으로 진공도를 확보할 수 있게 된다. 상부로드(41)와 하부로드(42)가 접합하는 부위의 구조로는 먼저 상부 로드(41에서 하부로드(42)와 접촉하는 면을 외측으로부터 일정 부분의 두께를 제거하고 나사산(47)을 형성하고, 하부로드(42)에도 상부로드(41)와 접촉하는 면을 내측으로부터 일정 부분을 제거하고 나사산(48)을 형성하여 서로 나사를 통해 겹합한 후 용접을 진행하여 용접살(49)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기의 구조의 로드부(40)에 외부에서 물리적인 힘이 로드에 인가 될 경우 상부로드(41)와 하부로드(42)의 나사산 접합부에서 힘을 받게 되므로 용접부(49)로는 힘이 전달되지 않아 균열 불량이 발생할 가능성이 적게 되며, 초기에 로드부의 직각도를 맞추기가 용이하다. 즉 기존의 경우 상부로드(41)와 하부로드(42)의 맞대기 접합면이 정확하게 수평도가 나와야 하며 용접시 응력에 의해 변형 되는 경우 직각도를 맞추는데 문제가 많았으나 본 발명에서는 나사산의 여유 공차로 용접전 직각도를 맞추고 용접을 진행하여 용접후 발생한 변형에 대해서도 용접면에 균열을 주지 않고 직각도를 맞추는 작업이 가능하다.Referring to the block diagram of FIG. 8, in the susceptor, the
본 발명의 화학기상증착 장비의 글라스 지지용 서셉터에 따르면, 용접면에서 균열에 의해 발생하는 진공도의 불량과, 로드부의 용접강도 저하 및 직각도 불량 및 불합리한 히터 배치를 개선하여 알루미늄 씨즈 히터의 사용 및 그 구조와 히터 설계 개발을 통해 진공도, 온도 균일도 확보 등 서셉터의 특성을 향상시킬 수 있다.According to the glass support susceptor of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention, the use of an aluminum seed heater by improving the poor vacuum degree caused by the crack in the weld surface, the poor weld strength and the poor squareness and the unreasonable heater arrangement of the rod part are improved. And through the development of the structure and heater design, it is possible to improve the characteristics of the susceptor, such as ensuring the degree of vacuum, temperature uniformity.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020019812A KR100542583B1 (en) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | Susceptors for Glass Support of Chemical Vapor Deposition Equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020019812A KR100542583B1 (en) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | Susceptors for Glass Support of Chemical Vapor Deposition Equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030081540A KR20030081540A (en) | 2003-10-22 |
KR100542583B1 true KR100542583B1 (en) | 2006-01-11 |
Family
ID=32378642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020019812A Expired - Fee Related KR100542583B1 (en) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | Susceptors for Glass Support of Chemical Vapor Deposition Equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100542583B1 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100715565B1 (en) * | 2005-05-27 | 2007-05-09 | (주)엔트로피 | Manufacturing method of susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment |
KR100750968B1 (en) * | 2005-06-07 | 2007-08-22 | 주식회사 알지비하이텍 | Susceptor Structure in Plasma Chemical Vapor Deposition Mechanism |
KR100795756B1 (en) * | 2006-04-28 | 2008-01-21 | 주식회사 단성일렉트론 | Susceptor and Manufacturing Method of Susceptor |
KR100795776B1 (en) * | 2006-04-28 | 2008-01-21 | 주식회사 단성일렉트론 | Susceptor manufacturing method |
KR100831242B1 (en) * | 2007-11-16 | 2008-05-22 | 주식회사 단성일렉트론 | Susceptor manufacturing method and susceptor using the same |
US9382622B2 (en) | 2013-12-06 | 2016-07-05 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Glass substrate for display and manufacturing method thereof |
CN103676296B (en) * | 2013-12-06 | 2016-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Glass substrate and manufacture method thereof for display |
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-
2002
- 2002-04-11 KR KR1020020019812A patent/KR100542583B1/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030081540A (en) | 2003-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20020411 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20050321 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20051007 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20060104 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20060105 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090105 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100705 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110104 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110104 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |