KR100541829B1

KR100541829B1 - 액티브 매트릭스 ｏｌｅｄ에 대한 전류 구동 장치 및 방법

Info

Publication number: KR100541829B1
Application number: KR1020030070967A
Authority: KR
Inventors: 신-타이 로; 치이-충 치엔
Original assignee: 윈텍 코포레이숀
Priority date: 2003-10-13
Filing date: 2003-10-13
Publication date: 2006-01-10
Anticipated expiration: 2023-10-13
Also published as: KR20050035550A

Abstract

본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치 및 방법은 두 개의 인접하는 서브 화소들(홀수 서브 화소 및 짝수 서브 화소)을 포함한다. 각 서브 화소의 구동 장치는 기록 소자, 스위칭 소자, 구동 소자, 제어 소자, 저장 소자 및 광 방출 소자를 포함한다. 구동 회로는 홀수 서브 화소들에 대한 인에이블링 홀수 라인, 짝수 서브 화소에 대한 인에이블링 짝수 라인, 홀수 서브 화소와 짝수 서브 화소에 의해 공유된 데이터 라인, 스캔 라인, 공급 라인 및 공통 라인을 포함한다. 본 발명은 AMOLED 패널의 균일성을 향상시키고 필요한 데이터 라인의 개수를 감소시킬 수 있다.

Description

액티브 매트릭스 ＯＬＥＤ에 대한 전류 구동 장치 및 방법{CURRENT DRIVING APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVE MATRIX OLED}

도 1은 본 발명에 따른 장치의 배선도이다.

도 2는 도 1의 구동 배선도이다.

도 3은 미국 특허 제 6,229,506호의 화소 회로에 대한 배선도이다.

도 4는 도 3에 대한 구동 배선의 배선도이다.

본 발명은 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드 디스플레이(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 특정해서는 AMOLED 패널의 이미지 균일성을 향상시키는 데이터 전류 프로그래밍에 대한 구동 장치 및 방법에 관한 것이다.

OLED를 구동하기 위한 방법은 패시브 매트릭스 OLED(PMOLED)와 액티브 매트릭스 OLED(AMPLED)로 나뉠 수 있다. AMOLED는 OLED의 휘도(brightness)와 그레이 스케일(gray sclae)을 제어하기 위한 신호를 저장하기 위해서 박막 트랜지스터들(TFTs)과 커패시터들을 사용한다. PMOLED의 제조를 위한 비용과 기술 적 한계(technical threshold)가 더 낮아졌지만, PMOLED 제품들은 여전히 크기에서 약 5 인치로 제한되고 있고, 해상도는 구동 방법의 한계로 인하여 증가될 수 없다. 따라서 상기 제품들은 낮은 해상도와 작은 치수의 시장에 한정된다. 더 높은 해상도와 더 큰 스크린을 이루기 위해서는, 액티브 구동 방법이 사용되어야 한다. 액티브 구동 방법은 신호를 저장하기 위해서 커패시터를 사용하여, 화소는 스캐닝(scanning) 후에도 여전히 원래의 밝기를 유지할 수 있다. 패시브 구동에서는, 스캔 라인에 의해 선택된 화소 만이 빛을 낼 것이다. 따라서 액티브 구동 방법 하에서, OLED는 매우 큰 휘도까지 구동될 필요는 없다. 결과적으로, 액티브 구동 방법에 의해 더 긴 수명을 가지고 더 높은 해상도를 이룰 수 있다. TFT 기술로써 OLED를 링크시키는 것은 OLED의 액티브 구동을 가능하게 하고, 디스플레이의 연성(smoothness)과 훨씬 더 높은 해상도에 대한 시장의 요구를 충족시킨다.

유리 기판 상에 TFT를 성장시키기 위한 기술은 비결정질 실리콘(a-Si) 공정과 저온 폴리-실리콘(LTPS) 공정일 수 있다. LTPS TFT와 a-Si TFT 사이의 주요한 차이는 전기적 특성과 제조의 복잡성에 있다. LTPS TFT는 TFT가 충분한 전류를 더 잘 공급할 수 있다는 것을 의미하는, 더 높은 캐리어 이동도를 가지지만, 그 제조 공정이 더 복잡하다. 반대로, a-Si TFT는 LTPS보다 낮은 캐리어 이동도를 가지지만, 그 제조 공정이 더 간단하고 발전되어 있어서, a-Si TFT는 비용의 견지에서 더 좋은 경쟁력을 가진다.

LTPS의 제조 공정에서의 한계 때문에, 제조되는 TFT 소자는 임계 전압과 전자 이동도에서 편차(variation)를 가진다. 결과적으로, 각각의 TFT 소자는 다른 특성을 가진다. 구동 시스템이 그레이 레벨(gray level)을 이루기 위해서 아날로그 전압 조정을 채택할 때, 입력 데이터 전압이 같을 지라도, OLED는 다른 출력 전류를 생성하여, 디스플레이 패널 상의 다른 화소의 OLED는 다른 화소에 대한 다른 TFT 특성에 기인하여 다른 휘도를 디스플레이하도록 한다. 이러한 현상은 OLED 디스플레이 패널 상에 불량한 그레이 레벨을 유발하고 패널의 이미지 균일성을 심각하게 손상시킨다.

전술한 단점, 즉 패널의 이미지 균일성을 보정하기 위해서, "액티브 매트릭스 광 방출 다이오드 화소 구조 및 그 방법(Active Matrix Light Emitting Diode Pixel Structure and Concomitant Method)"로 명명된 미국특허 제6,229,506호는 TFT 임계 전압과 전자 이동도를 보상하여 이미지 균일성을 개선하는 데이터 전류 프로그래밍 메커니즘을 제안했다. 도 3은 미국특허 제 6,229,506호에 사용된 화소 회로의 개략도를 도시한다. 상기 회로의 동작 원리는 다음과 같이 기술된다.

스캐닝 동안에, 트랜지스터(P1 및 P3)는 트랜지스터(N1)가 오프(OFF)인 동안에 온(ON)이 된다. 이 때에, 데이터 라인(31)상의 데이터 전류(I_data)는 트랜지스터(P1)를 통과한다. 데이터 전류(I_data)가 트랜지스터(P2)를 통과하는 전류(I_p2)와 같지 않다면, 전류(I_c)는 저장 소자(Cs)를 충전시키거나 방전시킬 것이다. 상기 I_c는 I_data와 I_p2의 차이이다. 저장 소자(Cs)의 충전(방전) 동작은 전류(I_p2)를 증가(감소)시킨다. 그리고 저장 소자(Cs)의 충전 또는 방전 동작은 전 류(I_p2)가 데이터 전류(I_data)와 같게 될 때까지 계속될 것이다. 전류(I_p2)가 데이터 전류(I_data)와 같게 될 때, 저장 소자(Cs)의 두 말단 사이의 전위차는 I_p2가 I_data와 동일한 것을 보장하기 위해서 트랜지스터(P2)에 대해 필요한 Vsg(소스와 게이트간의 전위차)이다. 그래서, 트랜지스터(P1 및 P3)는 데이터 전류 프로그래밍 동작을 끝내기 위해 턴 오프되고, 그 후에 디스플레이하는 단계가 시작된다. 디스플레이 단계에서는, 트랜지스터(P2)의 S 말단(소스 말단)은 트랜지스터(N1)가 턴 온되는 것에 기인하여 전력 공급 라인(33)에 접속된다. 저장 소자(Cs)의 두 말단 사이의 전위차가 트랜지스터(P2)에 대해 필요한 Vsg와 정확히 같기 때문에, I_p2가 데이터 전류(I_data)와 같게 된다. 그래서, OLED(34)를 통해 흐르는 전류는 전류(I_p2), 즉 데이터 전류(I_data)와 같아서, OLED(34)의 휘도는 데이터 전류(I_data)에 대응된다.

OLED 디스플레이에 대한 화소 회로 기술에 기초한 구동 구조가 도 4에 도시된다. 프레임(frame)(40)(1프레임=1/60초)은 데이터 전류 프로그래밍에 대한 기록 동작(401)에 의해 현재 프레임(present frame)(40)의 제 1 스캔 라인으로부터 시작된다. 화소의 저장 소자(Cs)의 두 말단 사이의 전위차는 트랜지스터(P2)를 통과하는 전류가 데이터 전류(I_data)와 같을 때 필요한 Vsg를 제공한다. 제 1 스캔 라인(32)이 기록 동작(401)을 완료한 후에, 제 2 스캔 라인(32)이 현재 프레임(40)에 대한 기록 동작(401)을 수행하고, 그 동안에 전류는 제 1 스캔 라인(32) 상의 OLED 소자(34)를 통과하는 데이터 전류와 같게 되어, 제 1 스캔 라인(32)의 OLED 소자(34)가 디스플레이 동작(402)을 수행하게 한다.

제 2 스캔 라인(32)이 기록 동작(401)을 완료한 후에, 제 3 스캔 라인(32)이 차례로 현재 프레임(40)에 대한 데이터 전류의 기록 동작(401)을 수행하고, 그 동안에 전류는 제 2 스캔 라인(32) 상의 OLED 소자(34)를 통과하는 데이터 전류와 같게 되어, 제 2 스캔 라인(32)의 OLED 소자(34)가 디스플레이 동작(402)을 수행하게 한다.

상기 프로세스는 마지막 스캔 라인(32)이 현재의 프레임(existing frame)(40)에 대한 기록 동작(401)을 완료할 때까지 차례로 진행된다. 그리고 나서, 기록 동작(401)은 처음부터 반복되고, 제 1 스캔 라인(32)은 다음 프레임(40)에 대한 데이터 전류의 기록 동작(401)을 수행한다.

그러나, 전술한 특허 발명은 P-타입 및 N-타입 CMOS LTPS TFT 제조 공정을 사용해야 한다. 상기 공정은 상대적으로 복잡하고 생산 비용이 더 높다.

따라서, 본 발명의 주요 목표는 전술한 종래 기술의 단점을 해결하는 것이다.

본 발명은 TFT 소자의 전자 이동도와 임계전압의 변동을 보상하기 위해 프로그래밍된 데이터 전류에 대한 구동 방법을 제공하여, AMOLED 패널의 이미지 비균일성이라는 문제점을 해결한다. 본 발명을 통해서, 데이터 라인의 개수는 종래 설계의 절반으로 감소될 수 있다. 따라서 생산 비용이 또한 감소될 수 있다.

전술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 구동 장치는 두 개의 인접하는 서브 화소(홀수 서브 화소와 짝수 서브 화소)를 포함한다. 각 서브 화소의 구동 장치는 네 개의 TFT와 하나의 커패시터를 포함한다. 덧붙여, 각 서브 화소는 기록 소자, 스위칭 소자, 구동 소자, 제어 소자, 저장 소자 및 광 방출 소자를 포함한다. 구동 회로는 홀수 서브 화소를 인에이블링하는 홀수 라인, 짝수 서브 화소를 인에이블링하는 짝수 라인, 홀수 서브 화소와 짝수 서브 화소에 의해 공유된 데이터 라인, 스캔 라인, 공급 라인 및 공통 라인을 포함한다.

본 발명의 전술한 특징과 장점 뿐만 아니라 추가적인 목적은 첨부 도면들을 참조하여 진행되는 다음의 설명으로부터 쉽게 알 수 있을 것이다.

도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명에 따른 장치의 배선도이다. 상기 도면에 따라, 본 발명에서 제안된 구동 장치는 두개의 서브 화소(홀수 서브 화소(10)와 짝수 서브 화소(20))를 포함한다. 각 서브 화소의 구동 장치는 네 개의 TFT와 하나의 커패시터를 포함한다. 홀수 서브 화소(10)와 짝수 서브 화소(20)는 각각 기록 소자(T1, T1'), 스위칭 소자(T2, T2'), 구동 소자(T3. T3'), 제어 소자(T4, T4'), 저장 소자(C, C') 및 광 방출 소자(11, 21)를 포함한다. 구동 회로는 홀수 서브 화소(10)에 대한 인에이블링 홀수 라인(101), 공급 라인(52); 짝수 서브 화소(20)에 대한 인에이블링 짝수 라인(201), 공급 라인(52'); 홀수 서브 화소(10)와 짝수 서브 화소(20)에 의해 공유된 데이터 라인(50), 스캔 라인(51); 및 공통 라인(53)을 포함한다.

기록 소자(T1, T1')의 소스는 데이터 라인(50)에 접속된다. 스위칭 소자(T2, T2')의 게이트는 각각 기록 소자(T1, T1')의 게이트에 접속되고, 스위칭 소자(T2, T2')의 소스는 또한 데이터 라인(50)에 접속된다. 구동 소자(T3, T3')의 게이트는 기록 소자(T1, T1')의 드레인에 대응되게 접속되고, 구동 소자(T3, T3')의 소스는 공급 라인(52, 52')에 각각 접속된다. 제어 소자(T4, T4')의 게이트는 스캔 라인(51)에 접속되고; 제어 소자(T4, T4')의 소스는 인에이블링 홀수 라인(101)과 인에이블링 짝수 라인(201)에 각각 접속되며; 제어 소자(T4, T4')의 드레인은 스위칭 소자(T2, T2')의 게이트에 각각 접속된다.

각각의 저장 소자(C, C')는 두 개의 말단(end)을 가진다. 하나의 말단은 구동 소자(T3, T3')의 소스에 대응되게 접속되고, 다른 말단은 "구동 소자(T3, T3')의 게이트"와 "기록 소자(T2, T2')의 드레인"의 접속부에 접속된다. 광 방출 소자(11, 21)는 구동 소자(T3, T3')의 드레인에 접속되는 하나의 양 전극을 가지고; 다른 말단은 공통 라인(53)에 접속되는 음 전극을 형성한다.

*도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명의 구동 구조를 도시하는데, 픽쳐 프레임(picture frame)(1 프레임=1/60)의 주기는 두 기간으로 분할된다. 하나는 기록 기간(writing period)(601)이고, 다른 하나는 디스플레이 기간(display period)(602)이다.

기록 기간(601) 동안에, 공통 라인(53)의 전위는 고전위(Vdd)까지 상승되고, 패널의 모든 광 방출 소자(11, 21)는 이전의 픽쳐를 디스플레이하는 것을 멈추고, 데이터 전류 프로그래밍 동작이 현재의 픽쳐 프레임(60)의 제 1 스캔 라인(51)으로 부터 시작되고, 두 저장 소자(C, C')의 두 말단 사이의 전위차는 구동 소자(T3, T3')가 데이터 전류와 같을 때 T3와 T3'에 대해 필요한 Vsg(소스와 게이트 사이의 전위차)이다. 프로세스는 마지막 스캔 라인(51)이 데이터 전류 프로그래밍에 대한 기록 동작을 완료할 때까지 상기 순서로 진행된다. 모든 스캔 라인(51)이 데이터 전류 프로그래밍 동작을 완료한 후에, 공통 라인(53)의 전위는 디스플레이 기간(602)으로 진입하기 위해서 0(GND)으로 복귀한다. 프로그래밍된 데이터 전류와 같은 전류가 패널상의 각각의 화소의 광 방출 소자(11, 21)를 통과하여, 현재의 픽쳐(existing picture)의 휘도를 디스플레이하도록 광 방출 소자(11, 21)를 각각 인에이블링한다.

본 발명의 동작 원리는 다음과 같다. 기록 기간(601) 동안에, 공통 라인(53)의 전위는 고 전위(Vdd)까지 상승하고, 광 방출 소자(11, 21)는 광 방출 소자(11, 21)의 전류가 0이 되도록 하는 리버스 바이어스(reverse vias)에 기인하여 디스플레이할 수 없게 된다.

따라서, 스캔 라인(51)이 스캔 구동 신호를 보낼 때, 홀수 서브 화소(10)의 제어 소자(T4)와 짝수 서브 화소(20)의 제어 소자(T4')가 턴 온된다. 결과적으로, 홀수 인에이블-라인(101)의 신호는 턴 온되는 제어 소자(T4)에 기인하여 홀수 서브 화소(10)의 기록 소자(T1)와 스위칭 소자(T2)를 턴 온할 것이고; 인에이블링 짝수 라인(201)의 신호는 턴 온되는 제어 소자(T4')에 기인하여 짝수 서브 화소(20)의 기록 소자(T1')와 스위칭 소자(T2')를 턴 오프할 것이다. 그 동안에, 데이터 라인(50)은 홀수 서브 화소(10)의 홀수 데이터 전류(I_{data_odd})를 보낸다.

나아가, 데이터 라인(50) 상의 홀수 데이터 전류(I_{data_odd})가 구동 소자(T3)로 흐르는 전류(I_T3)와 같지 않은 경우에는, 전류(I_c)는 저장 소자(C)를 충전하거나 방전할 것이고, 전류는 홀수 데이터 전류(I_{data_odd})와, 구동 소자(T3)를 통해 흐르는 전류(I_T3) 사이의 차이와 같게 된다. 저장 소자(C)의 방전 또는 충전은 구동 소자(T3)를 통해 흐르는 전류(I_T3)의 증가 또는 감소를 초래한다. 그리고 저장 소자(C)의 방전 또는 충전은 구동 소자(T3)를 통해 흐르는 전류(I_T3)가 홀수 데이터 전류(I_{data_odd})와 같게 될 때까지 계속된다. 구동 소자(T3)로 흐르는 전류(I_T3)가 홀수 데이터 전류(I_{data_odd})와 같을 때, 저장 소자(C)의 두 말단 사이의 전위차는 구동 소자(T3)를 통해 흐르는 전류가 홀수 데이터 전류(I_{data_odd})와 같은 것을 보장하기 위해 구동 소자(T3)에 요구되는 Vsg를 제공한다.

그래서, 홀수 인에이블-라인(101)의 신호는 턴 온되는 제어 소자(T4)에 기인하여 홀수 서브 화소(10)의 기록 소자(T1)와 스위칭 소자(T2)를 턴 온할 것이고, 인에이블링 짝수 라인(201)의 신호는 턴 온되는 제어 소자(T4')에 기인하여 짝수 서브 화소(20)의 기록 소자(T1')와 스위칭 소자(T2')를 턴 온할 것이다. 그 동안에, 데이터 라인(50)은 짝수 서브 화소(20)의 짝수 데이터 전류(I_{data_even})를 보낸다.

이 때에, 데이터 라인(50) 상의 짝수 데이터 전류(I_{data_even})가 구동 소자(T3')로 흐르는 전류(I_T3')와 같지 않는 경우에는, 전류(I_c')는 저장 소자(C')를 충전하거나 방전할 것이고, 전류는 짝수 데이터 전류(I_{data_even})와, 구동 소자(T3')를 통해 흐르는 전류(I_T3') 사이의 차이와 같게 된다. 저장 소자(C')의 방전 또는 충전은 구동 소자(T3')를 통해 흐르는 전류(I_T3')의 증가 또는 감소를 초래한다. 그리고 저장 소자(C')의 방전 또는 충전은 구동 소자(T3')를 통해 흐르는 전류(I_T3')가 짝수 데이터 전류(I_{data_even})와 같게 될 때까지 계속된다. 구동 소자(T3')로 흐르는 전류(I_T3')가 짝수 데이터 전류(I_{data_even})와 같을 때, 저장 소자(C')의 두 말단 사이의 전위차는 구동 소자(T3')를 통해 흐르는 전류가 짝수 데이터 전류(I_{data_even})와 같은 것을 보장하기 위해 구동 소자(T3')에 요구되는 Vsg'를 제공한다.

모든 스캔 라인(51)이 데이터 전류 프로그래밍 동작을 완료한 후에, 공통 라인(53)의 전위는 디스플레이 기간(602)으로 진입하기 위해서 0(GND)으로 복귀하고 디스플레이 기간(602)이 시작된다. 광 방출 소자(11, 21)는 포워드 바이어스(forward vias)에 기인하여 빛을 낸다. 프로그래밍된 데이터 전류와 같은 전류가 패널상의 각각의 화소의 광 방출 소자(11, 21)를 통과하여, 현재의 픽쳐의 휘도를 디스플레이하도록 광 방출 소자(11, 21)을 각각 인에이블링한다. 저장 소자(Cs, Cs')의 두 말단 사이의 전위차는 구동 소자(T3, T3')를 통과하는 전류가 홀 수 데이터 전류(I_{data_odd})와 짝수 데이터 전류(I_{data_even})와 같을 때 구동 소자(T3. T3')에 대해 필요한 Vsg와 Vsg'를 각각 제공한다.

요약하면, 본 발명의 AMOLED에 대한 전류 구동 장치는 다음과 같은 장점을 가진다.

1. 본 발명은 AMOLED 패널의 이미지 비균일성의 문제를 해결하기 위해서 TFT 소자의 전자 이동도와 임계 전압의 변동을 보상하도록 프로그래밍된 데이터 전류에 대한 구동 방법을 실현한다.

2. 본 발명에 의해 제공된 기술은 요구되는 데이터 라인(50)의 개수를 종래 기술에 의해 요구되는 개수의 반으로 감소시킬 수 있다. 결과적으로 회로의 비용과 모듈러(modular) 시스템을 결합시키기 위한 제조 비용이 감소될 수 있으며, 동시에 모듈러 시스템 연결의 내구성이 증가된다.

3. 본 발명은 P-타입 및 N-타입 CTFT LTPS 제조 공정을 사용하는 것이 필요하지 않아서, 제조 비용이 감소될 수 있다.

4. 본 발명은 OLED 소자가 데이터 전류 프로그래밍 동작 동안의 시간 기간 동안 리버스 바이어스될 수 있도록 한다. 이런 동작 모드는 OLED 소자의 수명을 연장시킬 수 있다.

Claims

두 개의 인접한 서브 화소(sub-pixel)들(홀수 서브 화소와 짝수 서브 화소)을 이용하는, 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)용 전류 구동 장치로서, 각각의 서브 화소의 구동 장치는,

상기 홀수 서브 화소들에 대한 인에이블링 홀수 라인(odd line enable);

상기 짝수 서브 화소들에 대한 인에이블링 짝수 라인(even line enable);

상기 홀수 서브 화소들과 상기 짝수 서브 화소들에 의해 공유되는 데이터 라인(data line);

스캔 라인(scan line);

공급 라인(supply line);

공통 라인(common line);

상기 데이터 라인으로의 소스 접속(source connect)을 갖는 기록 소자(writing element);

상기 기록 소자의 게이트로의 게이트 접속(gate connect) 및 상기 데이터 라인으로의 소스 접속을 갖는 스위칭 소자(switching element);

상기 기록 소자의 드레인으로의 게이트 접속 및 상기 공급 라인으로의 소스 접속을 갖는 구동 소자(driving element);

상기 스캔 라인으로의 게이트 접속, 상기 인에이블링 홀수 라인(인에이블링 짝수 라인)으로의 소스 접속 및 상기 스위칭 소자의 게이트로의 드레인 접속을 갖 는 제어 소자(control element);

두 개의 말단을 갖는 저장 소자(storage element)로서, 하나의 말단은 상기 구동 소자의 소스에 연결되고, 다른 말단은 상기 구동 소자의 게이트와 상기 기록 소자의 드레인의 접속부에 연결되는 저장 소자; 및

두 개의 말단을 갖는 방출 소자로서, 하나의 말단은 상기 구동 소자에 연결되는 양 전극이고, 다른 말단은 상기 공통 라인에 연결되는 음 전극인 광 방출소자를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치.
제 1항에 있어서,

상기 기록 소자는 박막 트랜지스터(thin film transistor)인 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치.
제 1항에 있어서,

상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터인 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치.
제 1항에 있어서,

상기 구동 소자는 박막 트랜지스터인 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치.
제 1항에 있어서,

상기 제어 소자는 박막 트랜지스터인 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치.
제 1항에 있어서,

상기 저장 소자는 저장 커패시터(storage capacitor)인 액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드(AMOLED)에 대한 전류 구동 장치.
액티브 매트릭스 유기 광 방출 다이오드에 대한 전류 구동 방법으로서,

구동하는 동안에 픽쳐 프레임(picture frame)을 기록 기간(write period)과 디스플레이 기간(display period)인, 두 개의 기간들로 분할하는 단계;

패널의 광 방출 소자들이 이전의 픽쳐 프레임을 디스플레이하는 것을 방지하고, 상기 현재의 픽쳐 프레임(existing picture frame)의 제 1 스캔 라인부터 데이터 전류 프로그래밍된 동작을 진행하도록 하기 위해서 상기 공통 라인의 전위를 상기 기록 기간에 고전위까지 상승시키는 단계로서, 상기 저장 소자의 두 말단들 사이의 전위차는 상기 구동 소자를 통과하는 전류가 상기 데이터 전류와 같을 때 상기 구동 소자에 필요한 Vsg(상기 소스와 상기 게이트 사이의 전위차)를 제공하는 단계; 및

각각의 스캔 라인이 상기 기록 기간을 완료한 후에 상기 디스플레이 기간으 로 진입하기 위해서, 그리고 상기 패널 상의 각각의 화소의 광 방출 소자들을 통과하는 전류가 상기 프로그래밍된 데이터 전류와 같도록 하기 위해서 상기 공통 라인의 전위를 0(GND)으로 복귀시키는 단계로서, 이에 의해 상기 광 방출 소자들이 상기 픽쳐에 필요한 휘도로 디스플레이하는 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 광방출 다이오드에 대한 전류 구동 방법