KR100539963B1 - 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 유전체막 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100539963B1 KR100539963B1 KR10-2000-0083192A KR20000083192A KR100539963B1 KR 100539963 B1 KR100539963 B1 KR 100539963B1 KR 20000083192 A KR20000083192 A KR 20000083192A KR 100539963 B1 KR100539963 B1 KR 100539963B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxygen
- forming
- source
- semiconductor device
- dielectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910017840 NH 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 23
- 229910004356 Ti Raw Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 유전체막 형성 방법에 관한 것으로, 단원자 증착법에 의해 STO막을 형성할 때 산소 플라즈마 또는 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 산소 소오스로 사용함으로써 박막내에 수증기의 응축 특성에 의한 반응 부산물 또는 박막내에 잔존하는 수분을 완전히 제거할 수 있어 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법이 제시된다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 유전체막 형성 방법에 관한 것으로, 특히 단원자 증착법에 의해 STO막을 형성할 때 산소 플라즈마 또는 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 산소 소오스로 사용함으로써 박막내에 수증기의 응축 특성에 의한 반응 부산물 또는 박막내에 잔존하는 수분을 완전히 제거할 수 있어 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화에 따라 캐패시터용 유전체막의 유효 두께를 낮추는 것이 충분한 정전 용량을 확보하기 위한 하부 전극의 높이와 후속 공정의 단순화에서 가장 중요한 관건이다. 이러한 차세대 반도체 소자의 캐패시터용 유전체막의 재료로 Ta205막, Ti02막, BST막, STO막, BTO막 등의 고유전체막을 이용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
상기의 물질중에서 STO(SrTiO3)막은 단원자 증착법(atomic layer deposition)을 이용하여 형성한다. 이러한 단원자 증착법에 의해 STO막을 형성하기 위한 방법으로 기판을 일정 온도로 유지하면서 Sr 원료 물질의 공급 및 퍼지 (purge), 산소 원료 물질인 수증기의 공급 및 퍼지, 그리고 Ti 원료 물질의 공급 및 퍼지, 수증기 공급 및 퍼지의 일련의 과정을 반복하여 STO막을 증착한다.
상기와 같은 일련의 과정을 반복하여 STO막을 증착할 경우 산소 원료 물질로 사용하는 수증기의 응축 특성으로 인하여 퍼지 공정에서 완전히 제거되지 않는다. 따라서, 후속으로 공급되는 Sr 원료 물질이나 Ti 원료 물질과 수증기가 반응하여 원하지 않는 부산물을 형성하고, 또한 박막내에 수분이 잔존함으로써 박막의 전기적 특성을 열화시킨다.
본 발명의 목적은 STO막을 증착할 때 수증기에 의한 부산물의 형성 및 전기적 특성의 열화를 방지할 수 있는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 STO막을 증착하기 위한 산소의 원료 물질인 수증기를 대체하여 수증기에 의한 특성 열화를 방지할 수 있는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에서는 STO막을 단원자 증착법을 이용하여 형성할 때 산소의 원료 물질로 수증기 대신에 산소 플라즈마 또는 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 사용함으로써 수증기의 응축 특성에 기인되는 장비 및 박막의 오염 방지와 박막의 특성 열화를 방지하고자 한다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 유전체막 형성 방법은 반도체 소자를 제조하기 위한 소정의 구조가 형성된 반도체 기판을 반응기내로 로딩시킨 후 상기 반도체 기판을 소정 온도로 유지시키는 제 1 단계와, 상기 반응기내에 Sr 소오스를 유입시켜 상기 반도체 기판 표면에 Sr이 흡착되도록 한 후 상기 미반응 Sr 소오스 및 반응 부산물을 제거하는 제 2 단계와, 상기 반응기내에 산소 플라즈마를 흘려주어 상기 반도체 기판 표면에 산소가 흡착되도록 한 후 상기 미반응 산소 및 반응 부산물을 제거하는 제 3 단계와, 상기 반응기내에 Ti 소오스를 유입시켜 상기 반도체 기판 표면에 Ti가 흡착되도록 한 후 상기 미반응 Ti 소오스 및 반응 부산물을 제거하는 제 4 단계와, 상기 반응기내에 산소 플라즈마를 흘려주어 상기 Ti와 반응시킨 후 상기 미반응 산소 및 반응 부산물을 제거하는 제 5 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명을 단계별로 상세히 설명하기로 한다.
첫째, 단원자 증착법을 이용하여 STO막을 형성하기 위해서는 배출 펌프를 갖춘 반응기내에 반도체 소자를 제조하기 위한 소정의 구조가 형성된 반도체 기판을 로딩시킨다. 로딩된 반도체 기판을 200∼400℃로 유지하면서 Sr 소오스를 0.1∼3초 동안 반응기내에 유입시켜 반도체 기판의 표면에 Sr 원료 물질이 흡착되도록 한다. 이때, Sr 소오스로는 [화학식 1]과 같은 β-디케토나이트(diketonate) 계열의 Sr 원료 물질인 Sr(DPM)2을 THF 용매에 용해시켜 사용하는 경우 뿐만 아니라 [화학식 2]와 같은 Sr 원료 물질에 임의의 부가물(adduct) 또는 [화학식 3]과 같은 임의의 치환기를 붙여서 Sr 원료 물질로 사용하여도 된다. 또한, [화학식 4]와 같은 시클로펜타(cyclopenta) 계열의 Sr 원료 물질을 사용하여도 된다. 이어서 N2 가스를 0.1∼3초 정도 반응기내에 유입시키거나 진공 퍼지하여 미반응 Sr 소오스 및 반응 부산물을 배출 펌프를 통해 배출한다.
둘째, 산소 소오스로서 산소 플라즈마 또는 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 0.1∼3초 정도 반응기내에 흘려주어 반도체 기판의 표면에 산소가 흡착되도록 한다. 그리고, 질소 가스를 0.1∼3초 정도 반응기내에 유입시키거나 진공 퍼지하여 미반응 산소 소오스 및 반응 부산물을 배출 펌프를 통해 배출한다. 산소 플라즈마를 산소 소오스로 이용할 경우 활성화 산소(O*)가 Sr의 원료 물질을 산화시켜 SrO의 표면에 잔류하게 된다. 그러나, 이 경우 표면의 산소 원자는 불안정한 댕글링 본드(dangling bond) 상태를 유지하거나 Sr 원료 물질의 CH3 등의 하이드로카본 (hydrocarbon)과 결합하게 되어 박막내에 탄소 오염물(carbon contamination)이 형성될 가능성이 있다. 반면 수소와 산소의 혼합 플라즈마를 산소 소오스로 사용하는 경우 OH, H의 활성화 가스가 형성되며, Sr 원료 물질의 리간드(ligand)를 대체하여 Sr-OH 본딩을 형성하여 안정된 상태를 유지한다. 활성화된 수소(H)는 리간드와 결합하여 배출되거나, 리간드가 분해되어 보다 작은 하이드로카본을 형성하는 경우에도 활성화된 H 또는 OH와 결합하여 배출됨으로써 박막내의 탄소 오염물이 줄어든다. 수소와 산소의 혼합 가스는 다량의 산소에 미량의 수소를 혼합하여 H2O의 발생을 억제하여야 한다. 또한, 산소 플라즈마를 흘려준 후 퍼지 과정없이 산소 가스를 단속하고 수소 가스를 유입시킬 수도 있다. 이것은 SrO의 표면에 댕글링 본드를 활성화 수소로 종단시키는 효과와 증착 과정중에 박막내의 탄소 오염물을 제거하는데 목적이 있다.
세째, Ti 원료 물질인 Ti(o-ipr)4 또는 Ti(Eto)4를 0.1∼3초동안 반응기내로 유입시켜 반도체 기판의 표면에 Ti 원료 물질이 흡착되도록 한다. 그리고, 질소 가스를 0.1∼3초 정도 반응기내에 유입시키거나 진공 퍼지하여 미반응 Ti 소오스 및 반응 부산물을 배출 펌프를 통해 배출한다.
네째, 산소 소오스인 산소 플라즈마 또는 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 0.1∼3초 동안 흘려주어 반도체 기판의 표면에 흡착되어 있는 Ti 원료 물질과 반응시킨다. 그리고, 질소 가스를 0.1∼3초 정도 반응기에 유입시키거나 진공 퍼지하여 미반응 산소 소오스 및 반응 부산물을 배출 펌프를 통해 배출한다. 여기서, 산소 플라즈마를 흘려준 후 퍼지 과정없이 산소 가스를 단속하고 수소 가스를 유입시킬 수도 있다. 또한, 산소 플라즈마 또는 산소와 수소의 혼합 플라즈마 대신에 NH3와 산소 가스를 플라즈마화하지 않고 유입시킬 수도 있다. 이때, NH3 가스는 Ti 원료 물질과 반응하여 TiO를 형성할 수 있도록 한다.
상기와 같은 일련의 과정을 원하는 두께로 STO막을 형성할 때까지 반복한다.
한편, Sr 원료 물질 대신에 Ba 원료 물질을 공급하고, 상기의 과정을 반복하면 BTO(BaTiO3)막을 형성할 수 있다. 또한, Ba 원료 물질과 Sr 원료 물질을 동시에 공급하고, 상기의 과정을 반복하면 (Ba, Sr)TiO3막을 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 단원자 증착법에 의해 STO막을 형성할 때 산소 플라즈마 또는 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 산소 소오스로 사용함으로써 박막내에 수증기의 응축 특성에 의한 반응 부산물 또는 박막내에 잔존하는 수분을 완전히 제거할 수 있어 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Claims (8)
- 반도체 소자의 유전체막 형성 방법에 있어서,반도체 소자를 제조하기 위한 소정의 구조가 형성된 반도체 기판을 반응기내로 로딩시킨 후 상기 반도체 기판을 소정 온도로 유지시키는 제 1 단계;상기 반응기내에 Sr 소오스를 유입시켜 상기 반도체 기판 표면에 Sr이 흡착되도록 한 후 미반응 Sr 소오스 및 반응 부산물을 제거하는 제 2 단계;상기 반응기내에 산소 플라즈마를 흘려주어 상기 반도체 기판 표면에 산소가 흡착되도록 한 후 미반응 산소 및 반응 부산물을 제거하는 제 3 단계;상기 반응기내에 Ti 소오스를 유입시켜 상기 반도체 기판 표면에 Ti가 흡착되도록 한 후 미반응 Ti 소오스 및 반응 부산물을 제거하는 제 4 단계; 및상기 반응기내에 산소 플라즈마를 흘려주어 상기 Ti와 반응시킨 후 미반응 산소 및 반응 부산물을 제거하는 제 5 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 Sr 소오스 대신에 Ba 소오스를 유입시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 Sr 소오스 대신에 Sr 소오스와 Ba 소오스를 동시에 유입시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 산소 플라즈마 대신에 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계의 산소 플라즈마 대신에 산소와 수소의 혼합 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계의 산소 플라즈마 대신에 NH3와 산소의 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계 내지 제 5 단계 각각의 미반응 물질 및 반응 부산물은 질소 가스를 상기 반응기내에 유입시키거나 진공 퍼지하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계 내지 제 5 단계를 소정 횟수 반복하여 원하는 두께로 유전체막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 유전체막 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0083192A KR100539963B1 (ko) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0083192A KR100539963B1 (ko) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020053533A KR20020053533A (ko) | 2002-07-05 |
| KR100539963B1 true KR100539963B1 (ko) | 2005-12-28 |
Family
ID=27686905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0083192A Expired - Fee Related KR100539963B1 (ko) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100539963B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498603B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2005-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 티탄산 스트로튬 박막 형성방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335561A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Fujitsu Ltd | 薄膜構成体とその製造方法 |
| WO1998008255A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing oxide dielectric device, and memory and semiconductor device usign the device |
| KR19980031926A (ko) * | 1996-10-31 | 1998-07-25 | 김광호 | 강유전 커패시터 제조방법 |
| KR19990057906A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 장치의 캐패시터 형성 방법 |
| KR19990053233A (ko) * | 1997-12-23 | 1999-07-15 | 정선종 | 산소 플라즈마 처리에 의한 실리콘산화 에어로겔막의 표면 화학종 감소 방법 |
| KR20000039578A (ko) * | 1998-12-15 | 2000-07-05 | 윤종용 | 화학적 결함을 제거한 유전막 제조 방법 및이를 이용한 셀 캐패시터 |
| KR100275738B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2000-12-15 | 윤종용 | 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법 |
-
2000
- 2000-12-27 KR KR10-2000-0083192A patent/KR100539963B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335561A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Fujitsu Ltd | 薄膜構成体とその製造方法 |
| WO1998008255A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing oxide dielectric device, and memory and semiconductor device usign the device |
| KR19980031926A (ko) * | 1996-10-31 | 1998-07-25 | 김광호 | 강유전 커패시터 제조방법 |
| KR19990053233A (ko) * | 1997-12-23 | 1999-07-15 | 정선종 | 산소 플라즈마 처리에 의한 실리콘산화 에어로겔막의 표면 화학종 감소 방법 |
| KR19990057906A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 장치의 캐패시터 형성 방법 |
| KR100275738B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2000-12-15 | 윤종용 | 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법 |
| KR20000039578A (ko) * | 1998-12-15 | 2000-07-05 | 윤종용 | 화학적 결함을 제거한 유전막 제조 방법 및이를 이용한 셀 캐패시터 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020053533A (ko) | 2002-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100406534B1 (ko) | 루테늄 박막의 제조 방법 | |
| EP2644741B1 (en) | Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors | |
| US20100227476A1 (en) | Atomic layer deposition processes | |
| US6849300B2 (en) | Method for forming high dielectric layers using atomic layer deposition | |
| KR20100122960A (ko) | 루테늄 및 알칼리 토금속 함유 3원 산화물 필름의 증착 | |
| JP5528762B2 (ja) | Ａｌｄ用原料及びこれを用いたケイ素含有薄膜形成方法 | |
| KR102724144B1 (ko) | 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법 | |
| KR100444304B1 (ko) | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 | |
| US11807652B2 (en) | Tungsten compound, raw material for thin film formation and method for producing thin film | |
| JP6760822B2 (ja) | 化合物、薄膜形成用原料、原子層堆積法用の薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| KR100539963B1 (ko) | 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 | |
| KR101741506B1 (ko) | 금속 박막 형성 방법 | |
| JP4711733B2 (ja) | 酸化珪素系薄膜の製造方法 | |
| KR102562274B1 (ko) | 유기 금속 전구체 화합물 | |
| KR102592360B1 (ko) | 화학적 퍼지 물질을 이용한 박막 형성 방법 | |
| KR100414871B1 (ko) | 원자층증착법에 의한 9족 금속막의 형성 방법 | |
| KR100498603B1 (ko) | 티탄산 스트로튬 박막 형성방법 | |
| EP3647460B1 (en) | Thin film production method and novel compound | |
| KR20050015442A (ko) | 엠오씨브이디에 의한 산화하프늄 박막 증착 방법 | |
| KR100766007B1 (ko) | 하프늄 금속 유기물을 이용한 하프늄 산화막 형성 방법 | |
| KR20210087808A (ko) | 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법 | |
| EP1961755A1 (en) | Strontium silylamides, adducts thereof with Lewis bases, preparation thereof and deposition of strontium thin films | |
| KR20220158601A (ko) | 반도체 박막 형성용 금속 전구체 화합물 및 이용하여 제조된 금속 함유 박막 | |
| WO2022107769A1 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| CN116529416A (zh) | 薄膜的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20001227 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20030129 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20001227 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20041216 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20050608 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20051219 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20051222 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20051221 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20081125 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20091126 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20101125 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20101125 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |