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KR100519772B1 - 스핀 분극된 전자를 이용한 자성매체 및 자성매체를이용한 정보기록장치 및 기록방법 - Google Patents

스핀 분극된 전자를 이용한 자성매체 및 자성매체를이용한 정보기록장치 및 기록방법 Download PDF

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KR100519772B1
KR100519772B1 KR10-2003-0056423A KR20030056423A KR100519772B1 KR 100519772 B1 KR100519772 B1 KR 100519772B1 KR 20030056423 A KR20030056423 A KR 20030056423A KR 100519772 B1 KR100519772 B1 KR 100519772B1
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electrons
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Abstract

스핀 분극된 전류를 이용하는 자성매체, 정보기록장치 및, 정보기록방법이 개시된다. 개시된 자성매체는, 전자를 스핀 분극시키는 분극층 및 전자의 스핀분극방향에 따라 자화방향이 변하는 기록층을 포함한다. 개시된 정보기록장치는, 원편광을 조사하는 광원 및, 원편광에 의해 스핀 분극된 전자를 자성매체에 주입하여 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하는 탐침을 구비한다. 전류를 스핀 분극시켜 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하여 고속으로 정보를 기록할 수 있다.

Description

스핀 분극된 전자를 이용한 자성매체 및 자성매체를 이용한 정보기록장치 및 기록방법{Magnetic medium using spin-polarized electron and Apparatus of recording data and Recording method using the same}
본 발명은 자성매체 및, 자성매체의 정보기록장치 및, 기록방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및, 자성매체의 정보 기록장치 및, 기록방법에 관한 것이다.
종래의 정보저장기기에서 자성매체를 기록매체로 사용하는 경우 자기장에 의한 자화반전을 시킴으로써 정보를 기록하고 있다. 하지만, 종래의 정보저장기기에서는 기록밀도가 증가하면서 정보기록의 최소단위인 비트의 크기가 작아지고 이에 따라 기록하는 자기장도 비트의 크기에 대응하는 작은 영역으로 집속하도록 작아져야 하지만, 자성층의 자기이방성의 크기가 커짐에 따라 자성층의 자화반전에 필요한 자기장의 세기도 커져야 하는 모순이 있었다.
이러한 종래 기술의 기술적인 문제점을 극복하기 위하여 미국특허 제6,304,481호에서는 스핀 분극된 전자를 사용한 정보저장장치 및 재생방법을 제안하고 있다.
도 1은 상기 미국특허에 개시된 정보저장장치를 보인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 미국특허에 개시된 정보저장장치에는, 제어 장치(1), 팁(2b)을 가지는 스핀 분극된 전자 소스(40), 익스트랙터(4), 콜리메이터(6, 7, 9), 정전형 렌즈(10, 11, 12) 및, 절연소자(5, 8)가 구비된다. 상기 정보저장장치는 또한 블랭킹 소자(13), 성글고 미세한 마이크로편향기(14, 15), 전자 검출기(16), 정보저장층(17) 및, 기판(18)을 구비한다.
제어 장치(1)는 ADDRESS IN, DATA IN, DATA OUT을 통해 외부 장치의 제어 신호 및 정보를 수신하고 필요한 프로토콜을 이용하여 해독한 다음, 제어 응답 및 정보를 다시 송신한다.
전자 소스(40)는 스핀 분극된 전자(3)를 제공하고, 팁(2b)은 스핀 분극된 전자를 집속한다. 익스트랙터(4)는 스핀-분극된 전자(3)를 팁(2b)으로부터 추출하고, 콜리메이터(6, 7, 9)는 스핀 분극된 전자(3)를 스핀 분극된 전자빔(19)으로 집속한다. 정전형 렌즈(10, 11, 12)는 스핀 분극된 전자빔(19)을 포커싱하고 마이크로 편향기(14, 15)는 상기 전자빔(19)을 정보가 저장될 정보저장층(17)의 일부분내 생성되는 자기장으로 편향시킨다.
정보저장층(17)은 복수의 정렬 영역(22)을 포함하고 절연체(28)에 의해 정보저장층(17)으로부터 절연되는 도전부재(27)를 구비한다.
제어장치(1)는 전자 소스(40)에 전압(V1)을 인가하고, 전압(V2-V5)를 스핀 분극된 전자(3)와 스핀 분극된 전자빔(19)의 원하는 특성을 얻기 위해 인가한다. 전압(V6-V8)은 제어장치(1)에 의해 정전형 렌즈(10, 11, 12)에 인가되어 렌즈 개구를 통과하는 전기장을 생성한다. 전압(V12-V19)은 제어장치(1)에 의해 스티그메이터(stigmator) 소자(25)의 일단에 인가된다. 제어장치(1)는 신호(S19)를 전자 소스(40)에 인가하여 전자(3)의 스핀-분극 방향을 결정하고, 신호(S2-S17)를 편향기(14, 15)에 인가하여 전자빔(19)을 편향시킨다. 또한, 제어장치(1)는 신호(S1)를 블랭킹 소자(13)에 인가하고 신호(S18, S20)를 번갈아 검출하여 정보를 재생한다.
상기 미국특허에 개시된 정보저장장치는 전자빔을 특정 정보영역에 집중시키기 위해 전압을 미세하게 조절하여야 하므로 제어하기가 용이하지 아니하고 정보를 기록하는 신호를 정밀하게 출력하기가 어려워 정보재생이 용이하지 않다. 또한, 종래의 자성매체를 그대로 이용하므로 자성매체의 정보기록밀도를 증가시키는데 한계가 있으며, 장치의 구성이 복잡한 단점을 가진다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 일방향의 스핀을 가지는 전자를 주입하여 정보가 기록되는 고밀도 대용량의 자성매체와, 상기 자성매체에 일방향의 스핀을 가지는 전자를 주입하는 탐침을 이용하여 고속으로 정보를 기록하는 정보기록장치 및 정보기록방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
원편광을 조사하는 광원; 및
상기 원편광에 의해 스핀 분극된 전자를 자성매체에 주입하여 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하는 탐침;을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치를 제공한다.
상기 광원은 레이저인 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
전자를 스핀 분극시키는 자성막이 캡핑된 팁을 구비하며, 상기 전자를 자성매체에 주입하여 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하는 탐침;을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
전자를 스핀 분극시키는 분극층과, 상기 분극층에 의해 스핀분극되는 전자의 스핀분극방향에 따라 자화방향이 변하는 기록층을 포함하는 자성매체; 및
상기 자성매체 상을 이동하며 정보를 기록하는 탐침;을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은
전자를 스핀 분극시키는 분극층; 및
상기 전자의 스핀분극방향에 따라 자화방향이 변하는 기록층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자성매체를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
탐침에 주입되는 전자를 스핀 분극시키는 제1단계; 및
상기 전자의 스핀 분극 방향에 따라 자성매체의 기록층의 자화방향을 변화시켜 정보를 기록하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법을 제공한다.
상기 탐침에 원편광을 조사하여 전자를 스핀분극시킬 수 있으며, 상기 원편광으로는 레이저광을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 탐침에 전자를 스핀 분극시키는 자성막을 캡핑시킨 팁을 형성할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
기록층과 분극층을 가지는 자성매체와 상기 자성매체 상을 이동하며 정보를 기록하는 탐침을 마련하는 제1단계;
상기 전자를 상기 분극층에 의해 스핀 분극시킨 다음, 상기 전자의 스핀분극방향에 따라 상기 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법을 제공한다.
상기 탐침 또는 자성매체를 통해 전자가 주입될 수 있다.
상기 기록층 및 분극층은 수평자기 이방성 또는 수직자기 이방성을 가진다.
상기 기록층 및 분극층은 연속 박막층으로 형성하거나, 박막층을 전체 또는 일부를 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 기록층 및 분극층은 나노입자로 이루어지는 박막층일 수 있다.
상기 기록층 및 분극층은 계면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 형성하거나, 각각의 표면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 형성할 수 있다.
상기 기록층 및 분극층은 계면에 금속층을 더 형성할 수 있다.
본 발명은 스핀 분극된 전류를 이용하여 스핀 모멘텀(spin momentum) 또는 스핀-스핀 토크(spin-spin torque)에 의존하여 자화방향이 변하는 자성물질로 이루어진 기록층을 가지는 자성매체와, 자성매체에 일방향의 스핀을 가지는 전자를 주입함으로써 간단한 구성으로 정보를 고속 기록할 수 있는 정보기록장치 및 정보기록방법을 제공한다.
이하 본 발명의 실시예에 따른 자성매체 및 정보기록장치 및 정보기록방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 정보기록장치를 간략히 나타낸 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 정보기록장치는, 기판(115b)과, 기판(115b)의 상면에 적층된 자성 기록층(115a)을 가지는 자성매체(115)와, 팁(111a) 및 팁(111a)이 일단에 위치하는 캔티레버(111b)를 구비하는 탐침(111)과, 탐침(111) 및 자성매체(115)와 전기적으로 접촉하며 탐침(111)에 전류를 인가하는 제어부(117)를 포함한다.
자성매체(115)의 기록층(115a)에 정보를 기록하기 위해, 탐침(111)을 기록층(115a)에 접촉시키고 제어부(117)로부터 팁(111a)에 전압을 인가한다. 이와 동시에 탐침(111)의 상부에 위치하는 광원(113)으로부터 좌원편광 또는 우원편광을 조사하면 팁(111a)에서 여기된 전자는 편광에 의해 일방향으로 스핀 분극된다. 스핀 분극된 전자는 팁(111a)에서 방출되어 기록층(115a)으로 주입되는데, 각 전자들의 스핀 모멘텀은 기록층의 비트에 전달되거나 스핀-스핀 토크에 의해 비트의 자화방향을 변화시킨다.
팁(111a)으로는 일반 반도체 팁이나 전도성 금속으로 된 팁을 이용할 수 있다. 캔티레버(111b)는 제어부(117)로부터 인가되는 신호에 따라 팁(111a)의 위치를 이동시키는 역할을 한다. 제어부(117)에는 캔티레버(111b)의 위치 제어와 전류의 조절을 위한 일반적인 회로가 마련될 수 있을 것이다.
기록층(115a)은 수평자기이방성 또는 수직자기 이방성을 가지는 강자성물질로 이루어지거나, 연속 박막층 또는 나노입자로 형성되는 비트를 가지는 박막층으로 이루어질 수 있다. 기록층(115a)은 전체 또는 일부가 패터닝될 수도 있다. 기판(115b)과 기록층(115a)의 계면에는 자화방향이 일방향으로 고정된 자성층을 더 구비할 수도 있을 것이다.
광원(113)으로는 레이저를 이용할 수 있는데, 원편광을 조사하기 위해 광원(113)에는 편광기를 별도로 구비한다. 원편광의 방향에 따라 전자가 스핀 분극되며 스핀 분극 방향에 따라 기록층(115a)의 자화방향이 변화한다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 정보기록장치 및 방법을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 정보기록장치는, 일방향의 자화방향을 가지는 자성막이 팁(123)에 캡핑된 탐침(121)과, 탐침(121)을 통해 일방향으로 스핀 분극된 전자가 주입되면서 자성 기록층(125a)에서 탐침(121)이 접촉하고 있는 비트의 자화방향이 스핀 분극방향과 동일하게 변화하는 자성매체(125)와, 탐침(121)에 전자를 주입하도록 전류를 인가하는 제어부(127)를 포함한다. 스핀 분극된 전자는 스핀 모멘텀의 전달에 의해 또는 스핀과 스핀 사이의 토크에 의해 자성기록층(125a)의 자화방향을 변화시킨다. 여기서, 자성매체(125)는 일반적으로 사용되는 자성매체를 이용하거나, 그 외 자성층을 기록층으로 하는 다양한 자성매체를 모두 이용할 수 있다. 도면에서 기록층(125a)은 나노입자로 이루어진 비트를 가진다.
도 4a는 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체 및, 이를 구비하는 본 발명의 제3실시예에 따른 정보기록장치를 나타낸 도면이다.
도 4a를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체는 기판(135b)과, 기판(135b)의 상면에 적층되는 자성 기록층(135a)과, 자성 기록층(135a)의 상면에 위치하는 분극층(134)을 구비한다. 분극층(134)은 일방향의 자화방향을 가지는 자성층으로서, 탐침(131)으로부터 주입되는 전자를 동일 방향으로 스핀 분극시켜 기록층(135a)으로 통과시킨다. 기록층(135a)은 연속 박막층으로 형성되거나 전체 또는 일부가 패터닝될 수 있으며 나노입자로 비트가 형성되어, 분극층(134)에 의해 스핀 분극된 전자의 스핀 분극방향에 동기되어 자화방향이 변화함으로써 소정 비트에 정보가 기록된다.
본 발명의 제3실시예에 따른 정보기록장치는, 본 발명의 실시예에 따른 자성매체(135)에 정보를 기록하기 위해 일반 도전성 팁(131a)과 팁(131a)을 일단에 부착하는 캔티레버(131b)를 구비하는 탐침(131)과, 탐침(131)에 전류를 인가하는 제어부(137)를 구비한다. 제어부(137)는 자성매체(135)의 기록층(135a)의 비트에 정보를 기록하기 위해 캔티레버(131b)를 분극층(134)의 상부에서 X축 또는 Y축으로 이동시킨다. 팁(131a)으로부터 자성매체(135)를 통과하여 제어부(137)를 아우르는 회로가 형성되고, 팁(131a)을 통해 자성매체(135)에 전자를 주입한다. 주입된 전자는 자성매체(135)의 분극층(134)을 통해 스핀 분극되고 전자의 스핀분극방향에 따라 기록층(135a)의 비트의 자화방향이 변화함으로써 정보가 기록된다.
분극층(134)과 기록층(135a)의 자화방향이 상이한 경우 팁(131a)을 통해 자성매체에 전자를 주입하는데, 주입된 전자는 분극층(134)을 통과하면서 분극층(134)의 분극방향에 따라 스핀 분극되고 이 전자의 스핀분극방향에 따라 기록층(135a)의 비트의 자화방향이 변함으로써 정보가 기록된다. 분극층(134)과 기록층(135a)의 자화방향이 동일한 경우 기판(135b)을 통해 자성매체(135)에 전자를 주입한다. 주입된 전자 중 분극층(134)과 동일한 스핀방향을 가지는 전자는 기록층(135a)과 분극층(134)을 통과하지만, 상이한 스핀방향을 가지는 전자는 다시 기록층(135a)으로 회귀되고 회귀한 전자의 스핀분극방향에 따라 기록층(135a)의 비트의 자화방향이 변함으로써 정보가 기록된다.
도 4b는 본 발명의 제2실시예에 따른 자성매체와 이에 정보를 기록하는 본 발명의 제4실시예에 따른 정보기록장치를 보인 도면이다.
도 4b에 도시된 본 발명의 제2실시예에 따른 자성매체는, 도 4a에 도시된 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체와 달리 분극층(144)과 기록층(145a)의 위치가 역전되어 있다. 즉, 기판(145b)의 상면에 분극층(144)이 적층되고, 그 상부에 기록층(145a)이 위치한다. 이와 같은 역전 구조로 인해 분극층(144)과 기록층(145a)의 자화방향에 따른 전자의 주입방향도 역방향이 된다. 전자를 주입하는 탐침(141)과 탐침(141)에 전류를 인가하는 제어부(147)는 도 4a에 도시된 탐침(131) 및 제어부(137)와 유사한 도전성 탐침과 제어 회로를 이용할 수 있다. 참조부호 141a는 팁을 나타내며, 141b는 팁(141a)을 지지하는 캔티레버를 나타낸다.
분극층(144)과 기록층(145a)의 자화방향이 동일한 경우 팁(111a)을 통해 전자를 주입하는데, 주입된 전자 중 분극층(144)과 동일한 스핀분극방향을 가지는 전자는 분극층(144)과 기록층(145a)을 통과하지만 상이한 스핀방향을 가지는 전자는 분극층(144)에서 회귀하여 기록층(145a)으로 되돌아오게 되고 기록층(145a)의 자화방향을 변화시켜 정보를 기록한다. 분극층(144)과 기록층(145a)의 자화방향이 상이한 경우 기판(145b)을 통해서 전자를 주입한다. 기판(145b)을 통과한 전자는 분극층(144)을 통과하면서 스핀 분극되어 탐침(111)이 접촉하고 있는 비트의 자화방향을 스핀 분극방향과 동일하게 변화시킨다.
본 발명의 제3실시예에 따른 정보기록장치는, 본 발명의 제1 및 제2실시예에 따른 자성매체를 재생하기 위해 도전성 탐침(131, 141)을 구비하고, 분극층(134, 144)과 기록층(135a, 145a)의 배치에 따라 상이한 방향으로 전자를 주입함으로써 자성매체(135, 145)에 정보를 기록한다.
본 발명은 전자를 일방향으로 스핀 분극시키는 광원, 탐침 또는, 분극층을 구비하여, 자성 기록층의 자화방향을 조절함으로써 고속으로 정보를 기록할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 분극층을 구비하는 자성매체 및 본 발명에 따른 자성매체를 기록하는 정보기록장치 및 기록방법의 장점은, 전자를 스핀 분극시켜 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 고속으로 자성매체에 정보를 기록할 수 있다는 것이다.
도 1은 미국특허 제6,304,481호에 개시된 정보저장장치를 보인 도면,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 정보기록장치를 간략히 보인 구성도,
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 정보기록장치를 간략히 보인 구성도,
도 4a는 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체 및 이에 정보를 기록하는 본 발명의 제3실시예에 따른 정보기록장치를 간략히 보인 구성도,
도 4b는 본 발명의 제2실시예에 따른 자성매체 및 이에 정보를 기록하는 본 발명의 제4실시예에 정보기록장치를 간략히 보인 구성도.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
111, 121 ; 탐침 111a, 121a ; 팁
111b, 121b ; 캔티레버 115, 125, 135 ; 자성매체
115a, 125a, 135a ; 기록층 115b, 125b, 135b ; 기판
124, 134 ; 분극층

Claims (38)

  1. 원편광을 조사하는 광원; 및
    상기 원편광에 의해 스핀 분극된 전자를 자성매체에 주입하여 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하는 탐침;을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 레이저인 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  3. 전자를 스핀 분극시키는 자성막이 캡핑된 팁을 구비하며, 상기 전자를 자성매체에 주입하여 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하는 탐침;을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  4. 전자를 스핀 분극시키는 분극층과, 상기 분극층에 의해 스핀분극되는 전자의 스핀분극방향에 따라 자화방향이 변하는 기록층을 포함하는 자성매체; 및
    상기 자성매체 상을 이동하며 정보를 기록하는 탐침;을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 탐침은 상기 자성매체에 전자를 주입하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 자성매체는 외부 전원에 의해 전자가 주입되는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 수평자기 이방성 또는 수직자기 이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 연속 박막층인 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 박막층의 전체 또는 일부가 패터닝된 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 나노입자로 이루어지는 박막층인 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 기록층과 분극층은 계면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 분극층은 표면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 기록층은 표면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  14. 제 4 항에 있어서,
    상기 기록층과 분극층은 계면에 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보기록장치.
  15. 전자를 스핀 분극시키는 분극층; 및
    상기 전자의 스핀분극방향에 따라 자화방향이 변하는 기록층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자성매체.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 수평자기 이방성 또는 수직자기 이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 자성매체.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 연속 박막층인 것을 특징으로 하는 자성매체.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 박막층의 전체 또는 일부가 패터닝된 것을 특징으로 하는 자성매체.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 나노입자로 이루어지는 박막층인 것을 특징으로 하는 자성매체.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 기록층과 분극층은 계면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자성매체.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 분극층은 표면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자성매체.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 기록층은 표면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자성매체.
  23. 제 15 항에 있어서,
    상기 기록층과 분극층은 계면에 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자성매체.
  24. 탐침에 주입되는 전자를 스핀 분극시키는 제1단계; 및
    상기 전자의 스핀 분극 방향에 따라 자성매체의 기록층의 자화방향을 변화시켜 정보를 기록하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 탐침에 원편광을 조사하여 전자를 스핀분극시키는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 원편광은 레이저광인 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  27. 제 24 항에 있어서,
    상기 탐침에 전자를 스핀 분극시키는 자성막을 캡핑시킨 팁을 형성하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  28. 기록층과 분극층을 가지는 자성매체와, 상기 자성매체 상을 이동하며 정보를 기록하는 탐침을 마련하는 제1단계;
    상기 전자를 상기 분극층에 의해 스핀 분극시킨 다음, 상기 전자의 스핀분극방향에 따라 상기 기록층의 자화방향을 변화시킴으로써 정보를 기록하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 전자는 탐침을 통해 주입되는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 전자는 자성매체를 통해 주입되는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 수평자기 이방성 또는 수직자기 이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  32. 제 28 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 연속 박막층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  33. 제 28 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 박막층을 전체 또는 일부를 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  34. 제 28 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 나노입자로 이루어지는 박막층인 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  35. 제 28 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 계면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  36. 제 28 항에 있어서,
    상기 분극층은 표면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  37. 제 28 항에 있어서,
    상기 기록층은 표면에 전자가 터널링하는 옥사이드층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
  38. 제 28 항에 있어서,
    상기 기록층 및 분극층은 계면에 금속층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 정보기록방법.
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