KR100511020B1 - Diffusion process equipment for semiconductor device manufacturing - Google Patents
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Abstract
본 발명은 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 배치된 웨이퍼들 사이에 넓은 공간을 형성하여 불순물가스의 흐름을 원활하게 하는 반도체소자 제조용 확산공정설비에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼 상에 불순물가스를 주입하여 막질을 형성하도록, 복수 개의 상기 웨이퍼들이 작고 큰 피치를 순차적으로 형성하며 2개씩 1개의 조를 이루어 위치하는 웨이퍼보트와, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼들이 서로 뒷면을 마주보며 위치하고, 상기 조들 사이에서는 상기 웨이퍼들이 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 상기 웨이퍼들을 교대로 반전시켜 상기 웨이퍼보트로 이송하는 이송수단 및 상기 이송수단을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 작고 큰 피치를 순차적으로 이루며 웨이퍼를 배치하여 웨이퍼보트의 처리량을 크게 하고, 불순물가스의 흐름을 원활하게 함으로써 막질의 균일성을 향상시키며, 균일한 불순물가스 및 열공급에 의해 상기 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소함으로써 상기 웨이퍼 상에 균열이 발생하는 슬립현상을 억제하게 하는 효과가 있다.The present invention relates to a diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device for forming a large space between the wafers disposed to face the process surface to facilitate the flow of impurity gas. The present invention relates to a wafer boat in which a plurality of the wafers are sequentially formed in a pair of two and a plurality of the wafers are formed in order to form a film quality by injecting impurity gas onto the wafer, and the wafers forming the group It is located facing the back, and between the jaw comprises a transfer means for alternately inverting the wafers to be transferred to the wafer boat so that the wafers face the process surface to each other and a control unit for controlling the transfer means. It is done. Therefore, the wafers are arranged in small and large pitches in order to increase the throughput of the wafer boat, and the impurity gas flows smoothly, thereby improving the uniformity of the film quality. By eliminating the difference in thermal expansion due to the temperature difference of the peripheral portion, there is an effect of suppressing the slip phenomenon that the crack occurs on the wafer.
Description
본 발명은 반도체소자 제조용 확산공정설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 배치된 웨이퍼들 사이에 넓은 공간을 형성하여 불순물가스의 흐름을 원활하게 하는 반도체소자 제조용 확산공정설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device, which forms a wide space between wafers disposed so as to face each other, and facilitates the flow of impurity gas. It is about.
일반적으로 반도체소자 제조공정 내에서 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정을 반복하여 수행한 후 반도체소자로 제작된다.In general, in a semiconductor device manufacturing process, a wafer is manufactured as a semiconductor device after repeatedly performing processes such as photographing, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition.
웨이퍼가 반도체소자로 제작되는 과정에서 웨이퍼 상에는 다수의 박막층인 막질이 형성되고, 이러한 막질은 웨이퍼 상에서 상호조합되어 유전체나 도체로 작용하게 된다.In the process of manufacturing a wafer into a semiconductor device, a plurality of thin films are formed on the wafer, and these films are combined with each other on the wafer to act as a dielectric or a conductor.
상기 막질을 형성하는 공정은 다양하고, 각각의 공정의 특성에 맞는 제조설비가 사용되고 있으며, 상기 막질을 형성하는 공정중 확산공정은 농도차가 발생할 때 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 농도 평형상태가 될 때까지 물질이 이동하는 현상을 이용하여 웨이퍼 상에 불순물을 분포시키는 공정이다.The process of forming the film quality is diverse, and manufacturing equipment suitable for the characteristics of each process is used, and the diffusion process in the process of forming the film quality becomes a concentration equilibrium state from a high concentration to a low position when a concentration difference occurs. It is a process of distributing impurities on the wafer by using the phenomenon that the material moves until it is.
확산공정에 사용되는 설비에는 노(Furnace)방식이 있으며, 웨이퍼 상에 불순물가스를 주입하여 막질을 형성하도록 웨이퍼카세트로부터 상기 웨이퍼가 이송되어 공정을 진행하는 노와 상기 노의 내부로 상기 불순물가스를 공급하는 가스공급원 및 상기 노를 가열하여 상기 불순물가스의 주입을 원활히 하는 가열원을 구비하여 이루어진다.Furnace is used for the diffusion process, and the impurity gas is injected onto the wafer to supply the impurity gas into the furnace where the wafer is transferred and the impurity gas is processed from the wafer cassette to form a film. And a heating source for heating the furnace to smoothly inject the impurity gas.
도1을 참조하여 설명하면, 종래의 반도체소자 제조용 확산공정설비는 복수 개의 상기 웨이퍼(2)가 안착되는 웨이퍼보트(10)와, 상기 웨이퍼보트(10)가 내부에 위치하는 노(도시하지 않음)와, 상기 웨이퍼(2) 상에 막질을 형성하도록 불순물가스를 공급하는 가스공급원(도시하지 않음) 및 상기 노를 가열하여 상기 불순물가스의 흐름을 원활히 하는 가열원(도시하지 않음)을 구비하여 이루어진다.Referring to FIG. 1, a conventional diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device includes a wafer boat 10 in which a plurality of wafers 2 are seated, and a furnace in which the wafer boat 10 is located (not shown). ), A gas supply source (not shown) for supplying impurity gas to form a film on the wafer 2, and a heating source (not shown) for heating the furnace to smoothly flow the impurity gas. Is done.
상기 웨이퍼보트(10)는 복수 개의 상기 웨이퍼(2)가 등간격으로 위치하는 웨이퍼지지대(12)와 상기 웨이퍼지지대(12)의 하부에서 상기 웨이퍼지지대(12)를 고정하는 받침판(14) 및 상기 웨이퍼지지대(12)의 흔들림을 방지하도록 상기 웨이퍼지지대(12)의 상부에서 상기 웨이퍼지지대(12)와 결합하는 고정판(16)을 구비하여 이루어지며, 상기 웨이퍼(2)들 사이의 공간으로 상기 불순물가스가 유입되어 막질이 형성된다.The wafer boat 10 includes a wafer support 12 on which the plurality of wafers 2 are positioned at equal intervals, and a support plate 14 for fixing the wafer support 12 under the wafer support 12. And a fixing plate 16 coupled to the wafer support 12 at an upper portion of the wafer support 12 to prevent shaking of the wafer support 12, and the impurities into the space between the wafers 2. Gas is introduced to form the membrane.
그러나, 상기 웨이퍼가 대구경화되면 상기 웨이퍼 상의 중심부까지 상기 불순물가스가 원활히 유입되도록 상기 웨이퍼들 사이에 넓은 공간이 필요하게 되어 상기 웨이퍼들 사이의 피치는 증가하게 된다.However, when the wafer is largely cured, a large space is required between the wafers so that the impurity gas smoothly flows up to the center of the wafer, thereby increasing the pitch between the wafers.
따라서, 상기 웨이퍼보트에 안착되는 상기 웨이퍼의 수량이 감소하게 되어 상기 웨이퍼보트의 처리량이 감소하게 되고, 상기 웨이퍼보트의 처리량을 늘리기 위하여 상기 웨이퍼를 많이 수용하게 되면, 상기 웨이퍼들 사이의 간격이 좁아져 상기 불순물가스의 유입이 원활하지 못하고 열공급이 고르지 않아 막질의 균일성이 감소하게 되는 문제점이 있었다.Therefore, the quantity of the wafer seated on the wafer boat is reduced, the throughput of the wafer boat is reduced, and when the wafer is accommodated in order to increase the throughput of the wafer boat, the interval between the wafers is narrowed. There is a problem that the inflow of the impurity gas is not smooth and the heat supply is uneven to reduce the uniformity of the film quality.
또한, 고르지 못한 열 및 불순물가스의 공급에 의해 상기 웨이퍼의 중심부와 주변부에서 온도차에 의한 열팽창의 차이가 발생하여 상기 웨이퍼 상에 균열이 생기는 슬립(Slip)현상이 발생하는 문제점이 있었다.In addition, a difference in thermal expansion due to a temperature difference occurs at the center and the periphery of the wafer due to uneven supply of heat and impurity gas, thereby causing a slip phenomenon in which cracks occur on the wafer.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 웨이퍼들을 크고 작은 피치를 순차적으로 이루며 배치하여 상기 웨이퍼들 사이에 넓은 공간을 확보하고, 웨이퍼보트의 처리량을 크게 하는 반도체소자 제조용 확산공정설비를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, the object of the semiconductor device manufacturing to secure a wide space between the wafers by placing the wafers in a large and small pitch in order to increase the throughput of the wafer boat To provide a diffusion process equipment.
본 발명의 또 다른 목적은 큰 피치를 이루는 위치에서 상기 웨이퍼들이 서로 공정면을 마주보고 위치하여 넓은 공간에서 불순물가스가 원활히 흐르도록 함으로써 막질의 균일성을 향상시키고, 균일한 불순물가스 및 열공급에 의해 상기 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소하여 상기 웨이퍼 상에 균열이 발생하는 슬립현상을 억제하게 하는 반도체소자 제조용 확산공정설비를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to improve the uniformity of the film quality by allowing the impurity gas to flow smoothly in a large space by placing the wafers facing each other at a large pitch position, thereby providing uniform impurity gas and heat supply. The present invention provides a diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device which eliminates a difference in thermal expansion due to a temperature difference between a center portion and a periphery of the wafer, thereby suppressing a slip phenomenon in which a crack occurs on the wafer.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체소자 제조용 확산공정설비는, 웨이퍼 상에 불순물 가스를 주입하여 막질을 형성하도록 웨이퍼카세트로부터 상기 웨이퍼가 이송되어 공정을 진행하는 노(Furnace)와 상기 노의 내부로 상기 불순물가스를 공급하는 가스공급원 및 상기 노를 가열하여 상기 불순물가스의 주입을 원활히 하는 가열원을 구비하는 반도체 소자 제조용 확산 공정설비에 있어서, 복수 개의 상기 웨이퍼들이 2개씩 1개의 조(Pair)를 이루며 위치하고, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼들 사이의 피치(Pitch)는 작고, 상기 조들 사이의 피치는 크게 하도록 상기 웨이퍼들을 지지하는 웨이퍼보트와, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼들이 서로 뒷면을 마주보며 위치하고, 상기 조들 사이에서는 상기 웨이퍼들이 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 상기 웨이퍼들을 상기 웨이퍼카세트로부터 교대로 반전시켜 상기 웨이퍼보트로 이송하는 이송수단과, 웨이퍼보트에서 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼들이 서로 뒷면을 마주보며 위치하는 사이 공간으로 상기 불순물 가스가 유입되는 것을 차단하는 가스차단수단과, 상기 이송수단에 신호를 인가하여 상기 웨이퍼들을 교대로 반전시켜 상기 웨이퍼보트로 이송하도록 상기 이송수단을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a furnace and a furnace in which the wafer is transferred from a wafer cassette to perform a process so as to form a film quality by injecting impurity gas onto a wafer. In the diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device having a gas supply source for supplying the impurity gas therein and a heating source for heating the furnace to facilitate the injection of the impurity gas, a plurality of the wafers in pairs And a wafer boat supporting the wafers so that the pitch between the wafers forming the jaw is small and the pitch between the jaws is large, and the wafers making up the jaw face each other. Position the wafers so that the wafers face each other, A transfer means for alternately inverting the wafers from the wafer cassette and transferring the wafers to the wafer boat, and blocking the introduction of the impurity gas into a space between the wafers constituting the set in the wafer boat facing each other with a back side facing each other; And a control unit for controlling the transfer means to apply a signal to the gas blocking means and the transfer means to alternately invert the wafers and transfer the wafers to the wafer boat.
또한, 상기 이송수단은 이송장치를 구비하여 이루어지며, 상기 이송장치는 상기 웨이퍼를 흡착하는 진공척과, 상기 진공척과 연결되어 상기 웨이퍼를 지면에 수평하여 직선 이동시켜 상기 웨이퍼카세트로부터 상기 웨이퍼보트로 로딩 및 언로딩시키는 수평이송부와, 상기 수평이송부에 연결되어 있으며, 상기 수평이송부를 180°회전시켜 상기 웨이퍼를 180°반전시키는 반전이송부와, 상기 수평이송부 및 상기 반전이송부와 연결되어 있으며, 상기 반전이송부와의 연결부를 회전중심으로 하고 상기 반전이송부로부터 상기 웨이퍼까지의 거리를 회전반경으로 하여 상기 수평이송부를 지면에 수평한 원호를 그리며 180°회동시켜 상기 웨이퍼를 이송하는 회전이송부 및 상기 반전이송부 및 상기 회전이송부를 회동시키는 회전력을 제공하는 동력원을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the transfer means is provided with a transfer device, the transfer device is connected to the vacuum chuck to suck the wafer, and the vacuum chuck linearly moving the wafer horizontally to the ground to load from the wafer cassette to the wafer boat And a horizontal transfer unit for unloading, a horizontal transfer unit connected to the horizontal transfer unit, a reverse transfer unit for rotating the horizontal transfer unit 180 °, and inverting the wafer by 180 °, and connecting the horizontal transfer unit and the reverse transfer unit. The horizontal transfer part is rotated 180 degrees with a horizontal arc on the ground, and the wafer is transferred by rotating the connecting portion with the inversion transfer part as the rotation center and the distance from the inversion transfer part to the wafer as the rotation radius. And a power source for providing a rotational force to rotate the rotary transfer unit and the reverse transfer unit and the rotary transfer unit. Be made of W are preferred.
상기 수평이송부는 수평축과, 상기 수평축의 내부에 형성되며 수평으로 직선 운동이 가능한 장축의 아암(Arm)을 구비하여 이루어지는 것이 바람직하다.It is preferable that the horizontal transfer part has a horizontal axis and an arm of a long axis formed in the horizontal axis and capable of linearly moving horizontally.
상기 반전이송부는 상기 수평축과 회전지지되어 있는 반전구동기를 구비하여 이루어지는 것이 바림직하다.Preferably, the inversion transfer part includes an inversion driver that is rotatably supported with the horizontal axis.
또한, 상기 반전이송부는 상기 수평축과 연결되어 상기 수평축을 회전시키는 반전기를 구비하여 이루어지는 것도 가능하다.In addition, the reverse transfer unit may be provided with an inverter connected to the horizontal axis to rotate the horizontal axis.
상기 회전이송부는 상기 반전이송부와 연결되며, 상기 동력원으로부터 제공되는 회전력에 의해 회전하는 회전축을 구비하여 이루어지는 것이 바람직하다.The rotation transfer unit is connected to the inversion transfer unit, it is preferable to have a rotating shaft that rotates by the rotational force provided from the power source.
상기 동력원은 펄스신호에 의해 일정각도 회전하는 스텝모터인 것이 바람직하다.Preferably, the power source is a step motor rotating at a predetermined angle by a pulse signal.
또한, 상기 이송수단이 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼카세트로부터 상기 웨이퍼보트로 연속하여 이송할 수 있도록, 상기 웨이퍼카세트에 안착되어 있는 상기 웨이퍼들 사이의 피치만큼 상기 웨이퍼카세트를 상승 또는 하강시키는 웨이퍼카세트 엘리베이터를 구비하는 것이 바람직하다.Also, a wafer cassette elevator for raising or lowering the wafer cassette by a pitch between the wafers seated on the wafer cassette so that the transfer means can continuously transfer the wafer from the wafer cassette to the wafer boat. It is preferable to provide.
또한, 바람직하기로는 상기 웨이퍼카세트로부터 이송되어 온 상기 웨이퍼들을 2개씩 1개의 조를 이루어 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼들 사이의 피치는 작고, 상기 조들 사이의 피치는 크게 하여 상기 웨이퍼들이 상기 웨이퍼보트로 연속하여 위치하도록, 상기 웨이퍼들 사이와 상기 조들 사이의 각각의 작고, 큰 피치만큼 순차적으로 상기 웨이퍼카보트를 상승 또는 하강시키는 웨이퍼보트 엘리베이터를 구비하는 것이다.In addition, preferably, the wafers transferred from the wafer cassette are arranged in pairs of two, and the pitch between the wafers forming the group is small, and the pitch between the groups is large, so that the wafers are transferred to the wafer boat. And a wafer boat elevator that sequentially raises or lowers the wafer carbots between each of the wafers and between the jaws so as to be positioned continuously.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체소자 제조용 확산공정설비는 복수 개의 웨이퍼(2)가 안착되는 웨이퍼보트(20)와, 상기 웨이퍼(2)를 웨이퍼카세트(4)로부터 상기 웨이퍼보트(20)로 2개씩 조를 이루도록 이송하고, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼(2)들은 서로 뒷면을 마주보고 상기 조들 사이에서는 상기 웨이퍼(2)들이 서로 공정면을 마주보고 위치하게 하는 이송장치(40)와, 상기 이송장치(40)에 신호를 인가하여 상기 웨이퍼(2)를 이송하는 이송동작을 제어하는 제어부(54)와, 상기 웨이퍼카세트(4)에 안착되어 있는 상기 웨이퍼(2)들 사이의 피치만큼 상기 웨이퍼카세트(4)를 상승 또는 하강시키는 웨이퍼카세트 엘리베이터(60) 및 상기 웨이퍼(2)가 상기 웨이퍼카세트(4)로부터 이송되어 안착되는 상기 웨이퍼보트(20)를 상승 또는 하강시키는 웨이퍼보트 엘리베이터(70)를 구비하여 이루어진다.Referring to FIG. 2, a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a wafer boat 20 on which a plurality of wafers 2 are seated, and a wafer cassette 4 of the wafers 2. 2) are transferred to the wafer boat 20 to form a pair, and the wafers 2 that make up the pair face each other with the back side facing each other, and the wafers 2 face the process surface with each other. The transfer device 40, a control unit 54 for controlling a transfer operation for transferring the wafer 2 by applying a signal to the transfer device 40, and the wafer seated on the wafer cassette 4. Wafer cassette elevator 60 which raises or lowers the wafer cassette 4 by the pitch between (2) and the wafer boat 20 to which the wafer 2 is transported and seated from the wafer cassette 4 Rising again Is provided with a wafer boat elevator 70 to descend.
도3을 참조하여 설명하면, 상기 웨이퍼보트(20)는 상기 웨이퍼(2)가 안착되는 웨이퍼지지대(22)와, 상기 웨이퍼지지대(22)의 하부에서 상기 웨이퍼지지대(22)를 고정하는 받침판(24) 및 상기 웨이퍼지지대(22)의 흔들림을 방지하도록 상기 웨이퍼지지대(22)의 상부에서 상기 웨이퍼지지대(22)와 결합하는 고정판(26)을 구비하여 이루어진다.Referring to FIG. 3, the wafer boat 20 includes a wafer support 22 on which the wafer 2 is seated, and a support plate for fixing the wafer support 22 below the wafer support 22. 24 and a fixing plate 26 coupled to the wafer support 22 at the top of the wafer support 22 to prevent shaking of the wafer support 22.
상기 웨이퍼지지대(22)에는 상기 웨이퍼(2)를 안내하여 지지하는 지지홈(23)이 형성되어 있으며, 상기 지지홈(23)은 상기 웨이퍼(2)들이 2개씩 조를 이루도록 작은 피치를 이루며 형성되어 있고, 상기 조들 사이에서는 큰 피치를 이루도록 형성되어 있으며, 작은 피치를 이루는 상기 지지홈(23)들에는 상기 웨이퍼(2)들이 서로 뒷면을 마주보고 위치하고, 큰 피치를 이루는 상기 지지홈(23)들에는 상기 웨이퍼(2)들이 서로 공정면을 마주보며 위치하게 된다.The wafer support 22 is formed with a support groove 23 for guiding and supporting the wafer 2, and the support groove 23 is formed in a small pitch such that the wafers 2 are grouped by two. The wafers 2 are positioned to face the back surface of each other, and the support grooves 23 forming a large pitch are formed in the support grooves 23 forming a small pitch. In the field, the wafers 2 are positioned to face each other.
상기 받침판(24)은 원판형상으로 상기 웨이퍼지지대(22)와 결합하고 있으며, 각각의 상기 웨이퍼지지대(22)와의 결합부에 근접하여 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼(2)들 사이에 형성되는 공간으로 상기 불순물가스가 유입되는 것을 차단하는 가스차단장치(30)와 결합하도록 고정홈(25)이 형성되어 있다.The support plate 24 is coupled to the wafer support 22 in the shape of a disc, and is formed between the wafers 2 forming the jaw in close proximity to each of the wafer support 22. The fixing groove 25 is formed to be coupled to the gas blocking device 30 that blocks the impurity gas from entering.
상기 고정판(26)은 원판형상으로 상기 가스차단장치(30)에 삽입되도록 상기 웨이퍼(2)의 직경에 대응하는 규격으로 형성되고, 상기 고정판(26)의 상부에는 상기 가스차단장치(30)와 결합하도록 핀(27)이 돌출하여 형성되어 있다,The fixing plate 26 is formed in a standard shape corresponding to the diameter of the wafer 2 so as to be inserted into the gas blocking device 30 in the shape of a disc, and the gas blocking device 30 is disposed on the fixing plate 26. The pin 27 protrudes so as to engage,
도4 내지 도6을 참조하여 설명하면, 상기 가스차단장치(30)는 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼(2)들 사이에 각각 형성되어 상기 웨이퍼(2)들 사이에 형성되는 공간으로 상기 불순물가스가 유입되는 것을 차단하는 가스차단막(34)과, 상기 가스차단막(34)을 지지하는 가스차단막지지대(32) 및 상기 가스차단막지지대(32)의 흔들림을 방지하도록 상기 가스차단막지지대(32)의 상부에서 상기 가스차단막지지대(32)를 지지하는 상판(36)을 구비하여 이루어진다.Referring to FIGS. 4 to 6, the gas shutoff device 30 is formed between the wafers 2 constituting the tank, and the impurity gas is formed in the spaces formed between the wafers 2. On the upper portion of the gas barrier membrane support 32 to prevent the inflow of the gas barrier membrane 34, the gas barrier membrane support 32 for supporting the gas barrier membrane 34 and the gas barrier membrane support 32 to prevent shaking It is provided with a top plate 36 for supporting the gas barrier membrane support (32).
상기 가스차단막(34)은 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼(2)들 사이의 피치에 대응하는 높이로 형성된 박판으로, 상기 웨이퍼보트(20)의 상기 고정판(26)의 직경에 대응하는 고리형상으로 형성되어 있다.The gas barrier layer 34 is a thin plate formed at a height corresponding to the pitch between the wafers 2 forming the jaw, and is formed in a ring shape corresponding to the diameter of the fixing plate 26 of the wafer boat 20. It is.
상기 가스차단막(34)의 외부에는 돌출부가 형성되어 있고, 상기 가스차단막지지대(32)와 고정되도록 상기 돌출부에는 관통홀(38)이 형성되어 있으며, 상기 관통홀(38)에 상기 가스차단막지지대(32)가 삽입되어 고정된다.A protrusion is formed outside the gas barrier membrane 34, a through hole 38 is formed in the protrusion to be fixed to the gas barrier membrane support 32, and the gas barrier membrane support is formed in the through hole 38. 32) is inserted and fixed.
상기 가스차단장치(30)는 상기 웨이퍼보트(20)의 외측면을 따라 미끄러져 상기 웨이퍼보트(20)와 결합하며, 상기 웨이퍼지지대(22)와 상기 받침판(24)의 결합부에 근접하여 형성되어 있는 고정홈(25)에 상기 가스차단막지지대(32)가 삽입되어 결합한다.The gas shutoff device 30 slides along the outer surface of the wafer boat 20 to be coupled to the wafer boat 20, and is formed in close proximity to the coupling portion of the wafer support 22 and the support plate 24. The gas barrier membrane support 32 is inserted into and coupled to the fixing groove 25.
상기 상판(36)의 밑면에는 상기 웨이퍼보트(20)의 상기 고정판(26) 상에 형성되어 있는 상기 핀(27)에 결합하도록 핀홀(도시하지 않음)이 형성되어 있다.Pinholes (not shown) are formed on the bottom surface of the upper plate 36 so as to couple to the pins 27 formed on the fixed plate 26 of the wafer boat 20.
도2를 참조하여 설명하면, 상기 이송장치(40)는 진공을 형성하여 상기 웨이퍼(2)를 흡착하는 진공척(42)을 구비하고 있다.Referring to Fig. 2, the transfer device 40 is provided with a vacuum chuck 42 for forming a vacuum and adsorbing the wafer 2.
상기 진공척(42)은 수평축(44)에 구비되어 있는 장축의 아암(46)의 끝단에 형성되어 있으며, 상기 아암(46)은 상기 수평축(44)의 내부에서 지면에 수평하여 직선운동이 가능하도록 구비되어, 상기 수평축(44)이 상기 웨이퍼카세트(4)에 안착되어 있는 상기 웨이퍼(2)를 꺼내거나 상기 웨이퍼(2)를 상기 웨이퍼보트(20)에 안착시키도록 한다.The vacuum chuck 42 is formed at the end of the arm 46 of the long axis provided on the horizontal axis 44, the arm 46 is capable of linear movement horizontally to the ground in the horizontal axis 44 The horizontal shaft 44 is provided to remove the wafer 2 seated on the wafer cassette 4 or to seat the wafer 2 on the wafer boat 20.
상기 진공척(42)의 반대편의 상기 수평축(44)의 끝단은 반전구동기(48)와 회전지지되어 있으며, 상기 반전구동기(48)는 상기 수평축(44)과의 회전지점을 중심으로 상기 회전지점으로부터 상기 진공척(42)에 흡착되어 있는 상기 웨이퍼(2)까지의 거리를 회전반경으로 하여 상기 수평축(44)을 지면에 수직한 원호를 그리며 180°회동시켜 상기 웨이퍼(2)를 반전시켜 이송한다.An end of the horizontal shaft 44 opposite to the vacuum chuck 42 is rotatably supported with the inversion driver 48, and the inversion driver 48 is rotated about the rotation point with the horizontal axis 44. The horizontal axis 44 is rotated 180 degrees in a circular arc perpendicular to the ground with the distance from the side of the wafer 2 adsorbed to the vacuum chuck 42 to be rotated, thereby inverting and transporting the wafer 2. do.
또한, 상기 반전구동기(48)의 하부에는 회전축(50)이 연결되어 있으며, 상기 회전축(50)은 상기 수평축(44)과 상기 반전구동기(48)와의 회전지점을 중심으로 하고, 상기 회전지점으로부터 상기 진공척(42)에 흡착되어 있는 상기 웨이퍼(2)까지의 거리를 회전반경으로 하여 상기 수평축(44)을 지면에 수평한 원호를 그리며 180°회동시켜 상기 웨이퍼(2)를 이송한다.In addition, a rotation shaft 50 is connected to a lower portion of the inversion driver 48, and the rotation shaft 50 is centered on a rotation point between the horizontal axis 44 and the inversion driver 48, and from the rotation point. The horizontal axis 44 is rotated 180 degrees with a horizontal arc on the ground with the distance to the wafer 2 adsorbed to the vacuum chuck 42 being rotated to convey the wafer 2.
상기 반전구동기(48) 및 상기 회전축(50)은 구동모터(52)에 연결되어 있고, 상기 구동모터(52)는 상기 반전구동기(48) 및 상기 회전축(50)에 회전력을 제공하여 상기 반전구동기(48)에 연결된 상기 수평축(44) 및 상기 회전축(50)을 펄스신호에 의해 180°회동시킨다.The inverting driver 48 and the rotating shaft 50 are connected to the driving motor 52, the driving motor 52 provides a rotational force to the inverting driver 48 and the rotating shaft 50 to the inverting driver The horizontal shaft 44 and the rotating shaft 50 connected to the 48 are rotated 180 ° by a pulse signal.
그리고, 상기 이송장치(40)는 제어부(54)에 연결되어 있으며, 상기 제어부(54)는 상기 구동모터(52)에 신호를 인가하여 상기 반전구동기(48) 및 상기 회전축(50)에 선택적으로 동력을 제공하게 한다.In addition, the transfer device 40 is connected to the control unit 54, the control unit 54 applies a signal to the drive motor 52 to selectively the inverting driver 48 and the rotary shaft 50. To provide power.
상기 웨이퍼카세트(4)는 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60) 상에 안착되고, 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60)는 상기 제어부(54)에 연결되며, 상기 제어부(54)에서 인가된 신호에 의해 상기 이송장치(40)가 상기 웨이퍼(2)를 상기 웨이퍼카세트(4)로부터 이송할 때마다 상기 웨이퍼카세트(4)를 상승 또는 하강시킨다.The wafer cassette 4 is seated on the wafer cassette elevator 60, the wafer cassette elevator 60 is connected to the control unit 54, and the transfer device is driven by a signal applied from the control unit 54. Each time 40 transfers the wafer 2 from the wafer cassette 4, the wafer cassette 4 is raised or lowered.
상기 웨이퍼보트(20)는 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70) 상에 안착되고, 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70)는 상기 제어부(54)에 연결되며, 상기 제어부(54)에서 인가된 신호에 의해 상기 이송장치(40)가 상기 웨이퍼(2)를 상기 웨이퍼보트(20)로 이송할 때마다 상기 웨이퍼보트(20)를 상승 또는 하강시킨다.The wafer boat 20 is seated on the wafer boat elevator 70, the wafer boat elevator 70 is connected to the controller 54, and the transfer device is driven by a signal applied from the controller 54. Each time 40 transfers the wafer 2 to the wafer boat 20, the wafer boat 20 is raised or lowered.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60)와 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70)를 상기 제어부(54)에 연결하여 구성하였으나, 별도의 제어부를 구비하여 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60)와 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70)를 제어하는 것도 가능하다.In the exemplary embodiment of the present invention, the wafer cassette elevator 60 and the wafer boat elevator 70 are configured by connecting the control unit 54. However, the wafer cassette elevator 60 and the wafer are provided with separate control units. It is also possible to control the boat elevator 70.
도7 내지 도8을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 상기 반도체소자 제조용 확산공정설비의 동작관계를 설명하면, 먼저 상기 웨이퍼(2)가 상기 웨이퍼카세트(4)에 수납되어 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60) 상에 안착되고, 상기 진공척(42)은 상기 아암(46)의 직선이동에 의해 제 1 웨이퍼의 하부에 삽입되어 상기 제 1 웨이퍼를 흡착한다.Referring to FIGS. 7 to 8, an operation relationship of the diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described. First, the wafer 2 is accommodated in the wafer cassette 4 and the wafer cassette is provided. Seated on the elevator 60, the vacuum chuck 42 is inserted under the first wafer by linear movement of the arm 46 to adsorb the first wafer.
상기 진공척(42)이 상기 제 1 웨이퍼를 흡착하면, 상기 웨이퍼지지대(22)의 최초 지지홈(23)으로 상기 제 1 웨이퍼를 이송하기 위하여 상기 제어부(54)는 상기 구동모터(52)에 신호를 인가하여 상기 회전축(50)에 선택적으로 동력을 전달한다.When the vacuum chuck 42 adsorbs the first wafer, the controller 54 supplies the drive motor 52 to transfer the first wafer to the first support groove 23 of the wafer support 22. The power is selectively transmitted to the rotating shaft 50 by applying a signal.
상기 회전축(50)은 상기 제 1 웨이퍼를 상기 회전지점을 중심으로 하여 상기 회전지점으로부터 상기 제 1 웨이퍼까지의 거리를 회전반경으로 하여 지면에 수평한 원호를 그리며 180°회동시키고, 상기 수평축(44)의 상기 아암(46)은 수평 직선운동을 하여 상기 제 1 웨이퍼를 상기 웨이퍼보트(20)에 안착시킨다.The rotating shaft 50 rotates the first wafer 180 degrees while drawing a circular arc horizontally on the ground with the distance from the rotating point to the first wafer as the radius of rotation about the rotating point, and the horizontal axis 44 The arm 46 of) moves in a horizontal linear motion to seat the first wafer on the wafer boat 20.
상기 수평축(44)은 상기 동작의 역순으로 최초 위치로 돌아오고, 상기 제어부(54)는 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60)와 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70)에 신호를 인가하여 상기 웨이퍼카세트(4)에 안착되어 있는 상기 웨이퍼(2)들의 피치만큼 상기 웨이퍼카세트(4)를 상승시키도록 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60)를 구동시키며, 상기 웨이퍼지지대(22)에 형성되어 있는 상기 지지홈(23)들 사이의 피치만큼 상기 웨이퍼보트(20)를 상승시키도록 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70)를 구동시킨다.The horizontal axis 44 returns to the initial position in the reverse order of the operation, and the controller 54 applies signals to the wafer cassette elevator 60 and the wafer boat elevator 70 to the wafer cassette 4. The wafer cassette elevator 60 is driven to raise the wafer cassette 4 by the pitch of the wafers 2 seated therebetween, and between the support grooves 23 formed in the wafer support 22. The waferboat elevator 70 is driven to raise the waferboat 20 by a pitch of.
상기 진공척(42)은 상기 웨이퍼카세트(4)에 삽입되어 제 2 웨이퍼를 흡착하고, 상기 웨이퍼보트(20)에 최초 안착된 상기 제 1 웨이퍼와 서로 뒷면을 마주보고 위치하도록 상기 제어부(54)는 상기 구동모터(52)에 신호를 인가하여 상기 반전구동기(48)에 선택적으로 동력을 전달하도록 한다.The vacuum chuck 42 is inserted into the wafer cassette 4 to suck the second wafer, and the control unit 54 to face the back surface with the first wafer initially seated on the wafer boat 20. Applies a signal to the drive motor 52 to selectively transmit power to the inverting driver 48.
상기 반전구동기(48)는 상기 회전지점을 중심으로 상기 회전지점으로부터 상기 제 2 웨이퍼까지의 거리를 회전반경으로 하여 상기 수평축(44)을 지면에 수직한 원호를 그리며 180°회동시켜 상기 제 2 웨이퍼를 반전시켜 이송하고, 상기 아암(46)의 직선운동에 의해 상기 제 2 웨이퍼는 상기 제 1 웨이퍼와 서로 뒷면을 마주보며 상기 웨이퍼보트(20)에 안착된다.The inversion driver 48 rotates the horizontal axis 44 by 180 degrees with a circular arc perpendicular to the ground, with the distance from the rotation point to the second wafer about the rotation point as the rotation radius. The second wafer is seated on the wafer boat 20 facing the back side with the first wafer by the linear motion of the arm 46.
상기의 동작을 반복하여 실시함으로써 상기 웨이퍼카세트(4)에 안착되어 있는 상기 웨이퍼(2)들은 상기 웨이퍼보트(20)로 이송되며, 각각의 상기 웨이퍼(2)들은 2개씩 조를 이루고, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼(2)들은 서로 뒷면을 마주보고 위치하며, 상기 조들 사이에서는 상기 웨이퍼(2)들이 서로 공정면을 마주보고 위치하게 된다.By repeating the above operation, the wafers 2 seated on the wafer cassette 4 are transferred to the wafer boat 20, and each of the wafers 2 is grouped by two, The wafers 2 constituting the wafers face each other and face each other, and between the jaws, the wafers 2 face each other with a process surface.
상기 웨이퍼보트(20)에 상기 웨이퍼(2)들이 모두 안착하게 되면, 상기 웨이퍼보트(20)는 상기 가스차단장치(30)와 결합하여 상기 노내에 위치하게 되고, 상기 가스공급원으로부터 상기 불순물가스를 공급받고 상기 가열원으로부터 열을 공급받아 확산공정을 실시하게 된다.When all of the wafers 2 are seated on the wafer boat 20, the wafer boat 20 is located in the furnace in combination with the gas shutoff device 30, and the impurity gas is discharged from the gas supply source. It is supplied with heat from the heating source to perform a diffusion process.
도9 내지 도10을 참조하여 설명하면, 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의한 상기 반도체소자 제조용 확산공정설비는 상기 웨이퍼(2)를 반전시켜 이송하기 위하여 상기 웨이퍼(2)를 흡착하는 진공척(82)과, 상기 진공척(82)과 연결되어 상기 웨이퍼(2)를 지면에 수평하여 직선이동시켜 상기 웨이퍼카세트(4)로부터 상기 웨이퍼보트(20)로 로딩 및 언로딩시키는 수평축(84)과, 상기 수평축(84)에 연결되어 있으며 상기 수평축(84)을 180°회전시켜 상기 웨이퍼(2)를 180°반전시키는 반전기(88)와, 상기 수평축(84) 및 상기 반전기(88)와 연결되어 있으며 상기 반전기(88)와의 연결부를 회전중심으로 하고, 상기 반전기(88)로부터 상기 웨이퍼(2)까지의 거리를 회전반경으로 하여 상기 수평축(84)를 지면에 수평한 원호를 그리며 180°회동시켜 상기 웨이퍼(2)를 이송하는 회전축(90) 및 상기 반전기(88) 및 상기 회전축(90)에 연결되어 상기 반전기(88) 및 상기 회전축(90)를 회동시키는 회전력을 제공하는 구동모터(92)을 구비하여 이루어지는 이송장치(80)을 포함하여 이루어진다.9 to 10, the diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device according to another preferred embodiment of the present invention is a vacuum chuck that adsorbs the wafer 2 to invert and transport the wafer 2 ( 82, a horizontal axis 84 connected to the vacuum chuck 82 to linearly move the wafer 2 horizontally to the ground to load and unload the wafer cassette 4 from the wafer cassette 4 to the wafer boat 20; And an inverter 88 connected to the horizontal axis 84 and rotating the horizontal axis 84 by 180 ° to invert the wafer 2 by 180 °, the horizontal axis 84 and the inverter 88 Connected to the center of rotation with the inverter 88 as the center of rotation, and the horizontal axis 84 on the ground with a horizontal arc on the ground with the distance from the inverter 88 to the wafer 2 as the radius of rotation Rotating shaft for rotating the wafer 2 by 180 ° rotation And a driving motor 92 connected to the inverter 88 and the rotation shaft 90 to provide a rotational force for rotating the inverter 88 and the rotation shaft 90. 80).
본 발명의 다른 실시예에 의한 상기 반도체소자 제조용 확산공정설비의 동작관계를 설명하면, 먼저 상기 웨이퍼(2)가 상기 웨이퍼카세트(4)에 수납되어 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60) 상에 안착되고, 상기 진공척(82)은 상기 아암(86)의 직선이동에 의해 제 1 웨이퍼의 하부에 삽입되어 상기 제 1 웨이퍼를 흡착한다.Referring to the operation relationship of the diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, first, the wafer 2 is accommodated in the wafer cassette 4 and seated on the wafer cassette elevator 60, The vacuum chuck 82 is inserted under the first wafer by linear movement of the arm 86 to adsorb the first wafer.
상기 진공척(82)이 상기 제 1 웨이퍼를 흡착하면 상기 웨이퍼지지대(22)의 최초 지지홈(23)으로 상기 제 1 웨이퍼를 이송하기 위하여 상기 제어부(94)는 상기 구동모터(92)에 신호를 인가하여 상기 회전축(90)에 선택적으로 동력을 전달한다.When the vacuum chuck 82 adsorbs the first wafer, the controller 94 sends a signal to the driving motor 92 to transfer the first wafer to the first support groove 23 of the wafer support 22. Applying power selectively transmits power to the rotating shaft (90).
상기 회전축(90)은 상기 제 1 웨이퍼를 상기 회전지점을 중심으로 하여 상기 회전지점으로부터 상기 제 1 웨이퍼까지의 거리를 회전반경으로 하여 지면에 수평한 원호를 그리며 180°회동시키고, 상기 수평축(84)의 상기 아암(86)은 수평 직선운동을 하여 상기 제 1 웨이퍼를 상기 웨이퍼보트(20)에 안착시킨다.The rotating shaft 90 rotates the first wafer 180 degrees while drawing a circular arc horizontally on the ground with the distance from the rotating point to the first wafer as the radius of rotation about the rotating point, and the horizontal axis 84 The arm 86 of) moves in a horizontal linear motion to seat the first wafer on the wafer boat 20.
상기 수평축(84)은 상기 동작의 역순으로 최초 위치로 돌아오고, 상기 제어부(94)는 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60)와 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70)에 신호를 인가하여 상기 웨이퍼카세트(4)에 안착되어 있는 상기 웨이퍼(2)들의 피치만큼 상기 웨이퍼카세트(4)를 상승시키도록 상기 웨이퍼카세트 엘리베이터(60)를 구동시키며, 상기 웨이퍼지지대(22)에 형성되어 있는 상기 지지홈(23)들 사이의 피치만큼 상기 웨이퍼보트(20)를 상승시키도록 상기 웨이퍼보트 엘리베이터(70)를 구동시킨다.The horizontal axis 84 returns to the initial position in the reverse order of the operation, and the controller 94 applies signals to the wafer cassette elevator 60 and the wafer boat elevator 70 to the wafer cassette 4. The wafer cassette elevator 60 is driven to raise the wafer cassette 4 by the pitch of the wafers 2 seated therebetween, and between the support grooves 23 formed in the wafer support 22. The waferboat elevator 70 is driven to raise the waferboat 20 by a pitch of.
상기 진공척(82)은 상기 웨이퍼카세트(4)에 삽입되어 제 2 웨이퍼를 흡착하고, 상기 웨이퍼보트(20)에 최초 안착된 상기 제 1 웨이퍼와 서로 뒷면을 마주보고 위치하도록 상기 제어부(94)는 상기 반전기(88)에 신호를 인가한다.The vacuum chuck 82 is inserted into the wafer cassette 4 to adsorb the second wafer, and the controller 94 is positioned to face the back surface with the first wafer initially seated on the wafer boat 20. Applies a signal to the inverter 88.
상기 반전기(88)는 상기 수평축(84)을 180°회전시켜 상기 제 2 웨이퍼를 180°반전시키고, 상기 제어부(94)는 다시 상기 회전축(90)에 신호를 인가하여 상기 수평축(84)을 지면에 수평한 원호를 그리며 180°회동시켜 상기 제 2 웨이퍼를 이송하게 하며, 상기 아암(86)의 직선운동에 의해 상기 제 2 웨이퍼는 상기 제 1 웨이퍼와 서로 뒷면을 마주보며 상기 웨이퍼보트(20)에 안착된다.The inverter 88 rotates the horizontal axis 84 by 180 ° to invert the second wafer by 180 °, and the controller 94 again applies a signal to the rotation axis 90 to rotate the horizontal axis 84. The second wafer is transported by drawing a horizontal arc on the ground and rotating 180 °. The linear movement of the arm 86 causes the second wafer to face the first wafer and the back surface, and the wafer boat 20 It is seated on).
상기의 동작을 반복하여 실시함으로써 상기 웨이퍼카세트(4)에 안착되어 있는 상기 웨이퍼(2)들은 상기 웨이퍼보트(20)로 이송된다.By repeating the above operation, the wafers 2 seated on the wafer cassette 4 are transferred to the wafer boat 20.
각각의 상기 웨이퍼(2)들은 2개씩 조를 이루고, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼(2)들은 서로 뒷면을 마주보고 위치하고, 상기 조들 사이에서는 상기 웨이퍼(2)들이 서로 공정면을 마주보고 위치하게 된다.Each of the wafers 2 constitutes a pair of two, and the wafers 2 that make up the pair face each other with the back facing each other, and the wafers 2 face the process surface with each other. .
상기 웨이퍼보트(20)에 상기 웨이퍼(2)들이 모두 안착하게 되면, 상기 웨이퍼보트(20)는 상기 가스차단장치(30)와 결합하여 상기 노내에 위치하게 되고, 상기 가스공급원으로부터 상기 불순물가스를 공급받고 상기 가열원으로부터 열을 공급받아 확산공정을 실시하게 된다.When all of the wafers 2 are seated on the wafer boat 20, the wafer boat 20 is located in the furnace in combination with the gas shutoff device 30, and the impurity gas is discharged from the gas supply source. It is supplied with heat from the heating source to perform a diffusion process.
따라서, 상기 웨이퍼들을 크고 작은 피치를 순차적으로 이루며 배치하여 상기 웨이퍼들 사이에 넓은 공간을 확보하고, 웨이퍼보트의 처리량도 크게 한다.Therefore, the wafers are arranged in a large and small pitch in sequence to ensure a wide space between the wafers and to increase the throughput of the wafer boat.
또한, 큰 피치를 이루는 위치에서 상기 웨이퍼들이 서로 공정면을 마주보고 위치하여 넓은 공간에서 불순물가스가 원활히 흐르도록 함으로써 막질의 균일성을 향상시키고, 균일한 불순물가스 및 열공급에 의해 상기 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소하여 상기 웨이퍼 상에 발생하는 슬립현상을 억제하게 한다.In addition, the wafers are positioned to face the process surface with each other at a large pitch, so that the impurity gas flows smoothly in a large space, thereby improving uniformity of the film quality, and providing the center of the wafer with uniform impurity gas and heat supply. The difference in thermal expansion due to the temperature difference of the peripheral portion is eliminated to suppress the slip phenomenon occurring on the wafer.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 확산공정설비에 의하면 웨이퍼들을 크고 작은 피치를 순차적으로 이루며 배치하여 상기 웨이퍼들 사이에 넓은 공간을 확보하고, 웨이퍼보트의 처리량을 크게 하는 효과가 있다.As described above, according to the diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the wafers are arranged in large and small pitches in order to secure a wide space between the wafers and increase the throughput of the wafer boat.
또한, 큰 피치를 이루는 위치에서 상기 웨이퍼들이 서로 공정면을 마주보고 위치하여 넓은 공간에서 불순물가스가 원활히 흐르도록 함으로써 막질의 균일성을 향상시키고, 균일한 불순물가스 및 열공급에 의해 상기 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소하여 상기 웨이퍼 상에 균열이 발생하는 슬립현상을 억제하게 하는 효과가 있다.In addition, the wafers are positioned to face the process surface with each other at a large pitch, so that the impurity gas flows smoothly in a large space, thereby improving uniformity of the film quality, and providing the center of the wafer with uniform impurity gas and heat supply. It is effective in eliminating the difference in thermal expansion due to the temperature difference of the peripheral portion to suppress the slip phenomenon in which the crack occurs on the wafer.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상범위내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.
도1은 종래의 반도체소자 제조용 확산공정설비의 웨이퍼보트를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a wafer boat of a diffusion process facility for manufacturing a conventional semiconductor device.
도2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체소자 제조용 확산공정설비의 구성을 나타낸 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing the configuration of a diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
도3은 도2의 웨이퍼보트를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view illustrating the wafer boat of FIG.
도4는 본 발명에 의한 반도체소자 제조용 확산공정설비의 가스차단장치을 나타낸 사시도이다.Figure 4 is a perspective view showing a gas shutoff device of a diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
도5는 도4의 가스차단막을 나타낸 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating the gas barrier membrane of FIG. 4. FIG.
도6은 본 발명에 의한 웨이퍼보트와 가스차단장치의 결합상태를 나타낸 사시도이다.Figure 6 is a perspective view showing a bonding state of the wafer boat and the gas shutoff device according to the present invention.
도7 내지 도8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체소자 제조용 확산공정설비의 웨이퍼 이송동작을 나타낸 도면이다.7 to 8 are diagrams illustrating a wafer transfer operation of a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도9 내지 도10은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의한 반도체소자 제조용 확산공정설비의 웨이퍼 이송동작을 나타낸 도면이다.9 to 10 are diagrams illustrating a wafer transfer operation of a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to another exemplary embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
2 ; 웨이퍼 4 ; 웨이퍼카세트2 ; Wafer 4; Wafer cassette
10, 20 ; 웨이퍼보트 12, 22 ; 웨이퍼지지대10, 20; Wafer boats 12 and 22; Wafer support
14, 24 ; 받침판 16, 26 ; 고정판14, 24; Base plates 16, 26; Fixed plate
23 ; 지지홈 25 ; 고정홈23; Support groove 25; Fixing groove
27 ; 핀 30 ; 가스차단장치27; Pin 30; Gas shutoff device
32 ; 가스차단막지지대 34 ; 가스차단막32; Gas barrier membrane support 34; Gas barrier
36 ; 상판 38 ; 관통홀36; Top plate 38; Through hole
40, 80 ; 이송장치 42, 82 ; 진공척40, 80; Conveying devices 42, 82; Vacuum chuck
44, 84 ; 수평축 46, 86 ; 아암44, 84; Horizontal axis 46, 86; Arm
48 ; 반전구동기 50, 90 ; 회전축48; Inverting drivers 50, 90; Axis of rotation
52, 92 ; 구동모터 54, 94 ; 제어부52, 92; Drive motors 54, 94; Control
60 ; 웨이퍼카세트 엘리베이터 70 ; 웨이퍼보트 엘리베이터60; Wafer cassette elevator 70; Wafer Boat Elevator
88 ; 반전기88; Reverser
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