[go: up one dir, main page]

KR100485580B1 - 이온주입장치의 패러데이 컵 - Google Patents

이온주입장치의 패러데이 컵 Download PDF

Info

Publication number
KR100485580B1
KR100485580B1 KR10-2003-0006964A KR20030006964A KR100485580B1 KR 100485580 B1 KR100485580 B1 KR 100485580B1 KR 20030006964 A KR20030006964 A KR 20030006964A KR 100485580 B1 KR100485580 B1 KR 100485580B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
faraday cup
electromotive force
ion implantation
present
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR10-2003-0006964A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040070775A (ko
Inventor
김태훈
Original Assignee
동부아남반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부아남반도체 주식회사 filed Critical 동부아남반도체 주식회사
Priority to KR10-2003-0006964A priority Critical patent/KR100485580B1/ko
Publication of KR20040070775A publication Critical patent/KR20040070775A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100485580B1 publication Critical patent/KR100485580B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 이온주입장치의 패러데이 컵에 관한 것이다.
본 발명의 패러데이 컵은, 사각의 틀 형상으로 상부면은 중심부를 기준으로 소정 넓이로 일부 개구되어 있으며, 전면부와 후면부는 전체가 개방된 전자석의 본체와; 상기 본체의 일측단에 전기적으로 연결 설치되어 상기 전자석 본체의 후면부와 전면부의 통과시 발생하는 기전력의 변화를 측정하는 기전력 감지기로; 구성된 것을 특징으로 한다. 따라서 패러데이 컵의 형상 변경으로 2차 전자가 발생되는 것이 방지되어 정확한 이온빔의 측정이 가능하고, 웨이퍼의 포토레지스터 번 현상이 방지 또는 최소화되는 효과가 있다.

Description

이온주입장치의 패러데이 컵{FARADAY CUP OF AN ION IMPLANTING APPARATUS}
본 발명은 반도체 이온주입장치의 패러데이 컵에 관한 것으로써, 패러데이 컵의 충돌에 의한 2차 전자의 발생을 방지하여 정확한 이온빔의 측정이 가능한 이온주입장치의 패러데이 컵에 관한 것이다.
고집적화되어가는 반도체 디바이스(semiconductor device)의 제조에서 원하는 이온(ion)을 반도체 웨이퍼(semiconductorwafer)내에 주입하기 위한 반도체 이온 주입 장치(semiconductor ion-implanting apparatus)는 진공 장치, 이온 공급 장치(ion-supplyingapparatus), 이온 추출 장치(ion extracting apparatus), 스캐닝 장치(scanning apparatus), 이온-주입 장치(ion-injecting apparatus)로 구성되어 있다.
상기 각각의 요소들(elements)은 각각의 프로세서를 진행하는 데 있어서, 적절한 수준으로 고압을 제공받는다. 이러한 장치들을 통해서, 상기 이온은 소스 가스(source gas)를 제공받는 이온 생성부(ion generating section)로부터 공급된 전압을 이용하여 발생된다. 상기 발생된 이온은 추출되어 상기 반도체 웨이퍼의 내부로 주입된다.
특히나 상기 이온 주입 장치중에서 원하는 이온을 반도체 웨이퍼에 주입시키는 공정이 진행되는 진공 챔버에는, 이온 빔의 프로파일(profile)을 잡아주기 위한 패러데이 컵(faraday cup)이 있다. 패러데이 컵은 진공 챔버의 내부에서 이동가능하도록 샤프트와 연결되어 있다. 샤프트는 진공 챔버의 외부에서 기어(gear)와 연결되어 있으며, 상기 기어는 모터(motor)로부터 구동력을 얻게 된다. 그래서 상기 모터로부터 구동되는 기어가 상기 샤프트를 움직이게되고 상기 샤프트의 움직에 의해서 상기 패러데이 컵이 상기 진공 챔버의 내부에서 이동가능하도록 하는 구조를 가지고있다.
도 1은 종래의 이온주입장치의 패러데이 컵의 개략적인 구성도이다. 도시된 바와 같이, 패라데이 컵(1)은 이온빔의 패스에 위치된 그래파이트(graphit) 재질의 컵으로서 일측의 중심부가 개방되어 있다. 상기 개방부를 통하여 주입된 이온빔을 측정하기 위해 제공된다.
그리고 패러데이 컵(1)의 하단으로 양이온을 모으기 위한 바이어스 링(2)이 설치되고, 바이어스 링(2) 상에 음이온의 이동시 발생하는 커런트(current)를 측정하기 위한 카운트 모드(3)가 설치된다.
그러나 이온주입공정이 이루어지는 동안 양이온이 개구부를 통하여 패러데이 컵에 충돌하고, 이 후 튕겨저나간 일부 이온들이 패러데이 컵 내에서 재충돌하여 2차 전자가 발생한다. 2차 전자의 발생은 이온빔의 정확한 측정이 이루어지지 못하게 되어 이온주입이 너무 적게 또는 너무 과다하게 될 수 있고, 이온주입이 특정부위에 집중되는 현상에 기인하여 웨이퍼 상의 포토레지스트 막의 번(burn)이 발생될 수 있는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 결점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로서, 패러데이 컵의 형상 변경으로 2차 전자가 발생되는 것을 방지한 이온주입장치의 패러데이 컵을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 이온주입장치의 패러데이 컵에 있어서; 상기 패러데이 컵은, 사각의 틀 형상으로 상부면은 중심부를 기준으로 소정 넓이로 일부 개구되어 있으며, 전면부와 후면부는 전체가 개방된 전자석의 본체와; 상기 본체의 일측단에 전기적으로 연결 설치되어 상기 전자석 본체의 후면부와 전면부의 통과시 발생하는 기전력의 변화를 측정하는 기전력 감지기로; 구성된 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 패러데이 컵을 제공한다.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 이온주입장치의 패러데이 컵의 구성도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 패러데이 컵(10)은 사각 틀 형상을 이루는 전자석의 본체(20)와 기전력 감지기(30)로 구성된다.
본체(20)의 상부면은 중심부를 기준으로 소정 넓이로 일부 개구되어 있으며, 본체(20)의 전면부(22)와 후면부(24) 전체가 관통되도록 개방되는 형상을 가진다.
그리고 본체(20)의 일측단에, 상기 본체의 후면부(24)와 전면부(22)를 통과하여 발생하는 기전력의 변화를 측정하는 기전력 감지기(30)가 전기적으로 연결 설치된다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 이온주입장치의 패러데이 컵의 작용을 설명하면 다음과 같다.
주입되는 양이온은 본체(20)의 후면부(24)를 지나 전면부(22)를 통과하게 된다. 이 때 전자석 본체(10)에 양이온이 지나가게 되면 기전력이 발생한다.
따라서 본체(10)에 연결된 기전력 감지기(30)로 하여 발생된 기전력이나 자계의 변화를 측정하면 이온빔이 지나가는 크기를 수치로 변환하여 측정하게 된다.
이처럼 종래의 패러데이 컵에 충돌하여 발생되는 2차 전자의 발생을 원천적으로 차단하여 이온빔의 정확한 측정이 가능하다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시 예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 이온주입장치의 패러데이 컵은, 패러데이 컵의 형상 변경으로 2차 전자가 발생되는 것이 방지되어 정확한 이온빔의 측정이 가능하고, 웨이퍼의 포토레지스터 번 현상이 방지 또는 최소화되는 효과가 있다.
도 1은 종래의 이온주입장치의 패러데이 컵의 개략적인 구성도이고,
도 2는 본 발명에 따른 이온주입장치의 패러데이 컵의 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 패러데이 컵 20 : 본체
22 : 전면부 24 : 후면부
30 : 기전력 감지부

Claims (1)

  1. 반도체 이온주입장치의 패러데이 컵에 있어서;
    상기 패러데이 컵은,
    사각의 틀 형상으로 상부면은 중심부를 기준으로 소정 넓이로 일부 개구되어 있으며, 전면부와 후면부는 전체가 개방된 전자석의 본체와;
    상기 본체의 일측단에 전기적으로 연결 설치되어 상기 전자석 본체의 후면부와 전면부의 통과시 발생하는 기전력의 변화를 측정하는 기전력 감지기로; 구성된 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 패러데이 컵.
KR10-2003-0006964A 2003-02-04 2003-02-04 이온주입장치의 패러데이 컵 Expired - Fee Related KR100485580B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0006964A KR100485580B1 (ko) 2003-02-04 2003-02-04 이온주입장치의 패러데이 컵

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0006964A KR100485580B1 (ko) 2003-02-04 2003-02-04 이온주입장치의 패러데이 컵

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040070775A KR20040070775A (ko) 2004-08-11
KR100485580B1 true KR100485580B1 (ko) 2005-04-27

Family

ID=37358995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0006964A Expired - Fee Related KR100485580B1 (ko) 2003-02-04 2003-02-04 이온주입장치의 패러데이 컵

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100485580B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040070775A (ko) 2004-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4743767A (en) Systems and methods for ion implantation
EP0964426B1 (en) Ion dosage measurement apparatus for an ion beam implanter and method
KR101380149B1 (ko) 이온 주입기를 위한 패러데이 컵의 자기적 모니터링
US5130552A (en) Improved ion implantation using a variable mass resolving system
KR20010053627A (ko) 플라즈마 침지 이온 주입 도핑 장치용 투여량 모니터
KR20110112368A (ko) 플라즈마 이온 프로세스 균일도 모니터링
KR20070020023A (ko) 플라즈마 기반 이온주입을 위한 패러데이 도즈 및 균일성모니터
KR20030064752A (ko) 이온 주입기용 패러데이 장치
JP2012513678A (ja) プラズマドーズ量測定方法及び装置
KR100485580B1 (ko) 이온주입장치의 패러데이 컵
US6300642B1 (en) Method for monitoring Faraday cup operation in an ion implantation apparatus
KR100517143B1 (ko) 이온주입장치의 패러데이 컵
KR20010043738A (ko) 저 에너지 이온 주입을 위한 방법 및 장치
KR100517148B1 (ko) 이온주입장치의 패러데이 어셈블리
JP3074818B2 (ja) イオン注入装置
KR20010054277A (ko) 이온 검출 장치
US9230776B2 (en) Ion irradiation apparatus and ion irradiation method
KR100241695B1 (ko) 이온주입설비의 웨이퍼 오염방지장치
US7462846B2 (en) Apparatus for measuring a position of an ion beam profiler and a method for its use
JPH08106875A (ja) イオン注入装置および方法
KR20070075932A (ko) 이온주입기의 패러데이장치 및 그 패러데이 바이어스전압공급방법
JP3127502B2 (ja) イオン注入装置
KR100720396B1 (ko) 중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법
KR100725094B1 (ko) 이온주입시스템의 웨이퍼 이차전자 발생억제장치
KR100281180B1 (ko) 이온주입 설비의 웨이퍼 차지 업 방지를 위한 이차전자 방출량교정방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20030204

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20050125

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20050418

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20050419

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080401

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080401

Start annual number: 4

End annual number: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee