KR100483332B1 - Packaging apparatus of high frequency communication module and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본딩 와이어를 통해 고주파 통신 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 패키징 장치의 급전선 하부에 상호 이격된 한 쌍의 금속 단자를 형성하여 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 커패시턴스의 임피던스 매칭으로 감소시켜 고주파 영역에서 급전선의 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 한다.The present invention relates to a packaging apparatus for a high frequency communication module and a method of manufacturing the same, and forms a pair of metal terminals spaced apart from each other under a feed line of a packaging device electrically connected to a pad formed on an upper surface of the high frequency communication module through a bonding wire. Therefore, the high frequency parasitic inductance caused by the bonding wire is reduced by impedance matching of the capacitance to improve the transmission characteristics of the feed line in the high frequency region.
Description
본 발명은 본딩 와이어를 통해 고주파 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 급전선의 하부에 상호 이격된 한 쌍의 금속 단자를 형성하여 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 커패시턴스의 임피던스 매칭으로 감소시켜 고주파 영역에서 급전선의 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention forms a pair of metal terminals spaced apart from each other in the lower portion of the feed line electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency module through the bonding wire to reduce the high frequency parasitic inductance caused by the bonding wire to impedance matching of capacitance The present invention relates to a packaging apparatus for a high frequency communication module and a method of manufacturing the same that can improve the transmission characteristics of a feeder in a region.
일반적으로, 고주파 대역(1GHz ~ 30 GHz)의 높은 주파수에서 사용되는 고주파 통신 모듈은 그 주파수 특성에 의하여, 짧은 길이의 신호 전달용 선로 조차도 인덕턴스(Inductance)로 작용해서 그 제조가 매우 어려웠으나, 반도체 기술의 발달로 특정 소자에 고주파 통신 모듈을 집적(MMIC)화 시킬 수 있게 됨에 따라 그 사용되는 응용범위가 확대되기 시작하였다. In general, high frequency communication modules used at high frequencies in the high frequency band (1 GHz to 30 GHz), due to their frequency characteristics, are difficult to manufacture because even short-length signal transmission lines act as inductances. As the development of technology enables the integration of high frequency communication modules (MMIC) in specific devices, the scope of their applications has begun to expand.
하지만, 아직까지 그 집적화한 고주파 통신 모듈(MMIC)에 본딩 와이어를 통해 신호를 인가할 때 발생되는 기생 커패시턴스의 문제는 개선되어야할 여지도 남아 있는 실정인데, 도 1은 일반적인 고주파 모듈의 패키징 장치를 도시한 도면이다.However, the problem of parasitic capacitance generated when applying a signal through a bonding wire to the integrated high frequency communication module (MMIC) still needs to be improved. FIG. 1 illustrates a packaging device of a general high frequency module. One drawing.
이에 도시한 바와 같이, 일반적인 고주파 통신 모듈의 패키징 장치는 고주파 회로를 하나의 반도체 소자에 집적화한 고주파 통신 모듈(11)과, 그 고주파 통신 모듈(11)을 기계적으로 보호하기 위하여 세라믹(Ceramic) 또는 에폭시 수지판 등으로 이루어지는 기판(12)과, 고주파 통신 모듈(11)의 신호 전송을 위하여 상기 기판(12)상에 도전성 물질로 부착 형성한 패드(Pad)(13)와, 고주파 통신 모듈(11)의 신호 입출력 단자와 패드(13)를 전기적으로 연결시켜주는 본딩 와이어(14)와, 그 패드(13)와 전기적으로 연결되어 그 고주파 통신 모듈(11)을 외부와 직접 전기적으로 연결하는 리드 프레임(15)과, 전술한 소자 등을 외부의 기계적 충격 등으로부터 보호하는 패키지 커버(16)로 구성된다. As shown in the drawing, a packaging apparatus of a general high frequency communication module includes a high frequency communication module 11 in which a high frequency circuit is integrated into a semiconductor element, and a ceramic or a ceramic to mechanically protect the high frequency communication module 11. A substrate 12 made of an epoxy resin plate or the like, a pad 13 attached to the substrate 12 by a conductive material for signal transmission of the high frequency communication module 11, and a high frequency communication module 11. Bonding wire 14 electrically connecting the signal input / output terminals of the < RTI ID = 0.0 > and < / RTI > pad 13, and a lead frame electrically connected to the pad 13 to directly connect the high frequency communication module 11 to the outside. And a package cover 16 which protects the above-described elements from external mechanical shocks and the like.
이러한, 일반적인 고주파 통신 모듈 패키징 장치는, 상기 리드 프레임(15)의 선로의 길이가 길게 형성됨으로 인하여 고주파에서 높은 인덕턴스 값을 가지게 될 뿐만 아니라, 특히 주파수가 증가할수록 본딩 와이어에 의한 기생 인덕턴스가 증가하게 되는데, 이러한 인덕턴스에 의하여 기생 발진이 발생하는 문제가 생기며, 또한 그로 인해 고주파 전송 특성 예컨대, 반사 손실이나 삽입 손실에 나쁜 영향을 미치게 되는 문제점이 발생된다.Such a general high frequency communication module packaging device has not only a high inductance value at a high frequency due to the length of the line of the lead frame 15 but also a parasitic inductance caused by the bonding wire increases as the frequency increases. The inductance causes parasitic oscillation, which also causes a problem of adversely affecting high frequency transmission characteristics such as reflection loss or insertion loss.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위하여 개발된 것으로, 주파수가 증가할수록 본딩 와이어에 의해 증가하는 기생 인덕턴스를 임피던스 매칭을 통해 줄여 인덕턴스에 의한 기생 발진을 줄이고, 고주파 전송 특성을 향상시키도록 하는 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention was developed to solve the above problems, and as the frequency increases, the parasitic inductance increased by the bonding wire is reduced through impedance matching to reduce the parasitic oscillation caused by the inductance, and to improve the high frequency transmission characteristics. It is an object of the present invention to provide a packaging device for a communication module and a method of manufacturing the same.
이를 위해 본 발명은 본딩 와이어를 통해 고주파 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 급전선의 하부에 상호 이격된 한 쌍의 금속 단자를 형성하여 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 커패시턴스의 임피던스 매칭으로 감소시켜 고주파 영역에서 급전선의 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 한다.To this end, the present invention forms a pair of metal terminals spaced apart from each other in the lower portion of the feed line electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency module through the bonding wire to reduce the high-frequency parasitic inductance caused by the bonding wire to impedance matching of capacitance. It is possible to improve the transmission characteristics of the feed line in the high frequency region.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
먼저, 본 발명에 따른 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 제조 방법에 대해 도 2내지 도 4를 참조하여 설명한다.First, a method for manufacturing a packaging apparatus for a high frequency communication module according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4.
상기 도 2내지 도 4는 본 발명인 고주파 모듈의 패키징 장치 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.2 to 4 are diagrams sequentially showing a method for manufacturing a packaging device of a high frequency module according to the present invention.
우선, 본 발명에 따른 고주파 모듈의 패키징 장치 제조 방법은, 상기 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 시트(20)의 일영역에 제 1 캐비티(21)를 형성한다. First, in the method of manufacturing a packaging apparatus for a high frequency module according to the present invention, as shown in FIG. 2, the first cavity 21 is formed in one region of the first sheet 20.
그런 다음, 상기 제 1 캐비티(21) 양측에 일정 거리만큼 이격된 한 쌍의 인덕턴스 보상용 금속 단자(22)를 각기 인쇄하고, 상기 제 1 시트의 하면에는 접지면(G)을 인쇄하여 제 1 시트 구조체(23)를 형성한다.Then, a pair of inductance compensation metal terminals 22 are respectively printed on both sides of the first cavity 21 by a predetermined distance, and a ground plane G is printed on the bottom surface of the first sheet to form a first surface. The sheet structure 23 is formed.
상기 인덕턴스 보상용 금속 단자(22)는 상기 제 1 캐비티(21) 양측에 금, 은, 구리 중에서 선택된 어느 하나의 전도성 페이스트를 이용해 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 형성하는 것이 바람직하다.The inductance compensation metal terminal 22 may be formed on both sides of the first cavity 21 by printing by screen printing using any one of conductive pastes selected from gold, silver, and copper.
그리고, 상기 인덕턴스 보상용 금속 단자(22)의 길이는 50㎛ ~ 500㎛ 정도로 하는 것이 바람직하고, 그 선폭은 후속 공정에서 형성되는 급전선의 선폭보다 2배 ~ 6배 정도 넓은 것이 바람직하다.The length of the inductance compensation metal terminal 22 is preferably about 50 μm to 500 μm, and the line width is preferably about 2 to 6 times wider than the line width of the feed line formed in a subsequent step.
한편, 상기 제 1 시트 구조체(23)의 형성 공정과는 별도로, 상기 제 1 캐비티 형상과 동일한 형상의 제 2 캐비티(31)를 별도로 마련된 제 2 시트(30)의 일영역에 형성하고, 상기 제 2 캐비티(31) 양측에 급전선(32)을 인쇄하여 제 2 시트 구조체(33)를 형성한다.Meanwhile, apart from the process of forming the first sheet structure 23, the second cavity 31 having the same shape as the first cavity shape is formed in one region of the second sheet 30 provided separately, and the second The feed line 32 is printed on both sides of the second cavity 31 to form the second sheet structure 33.
아울러, 상기 공정들, 즉, 제 1, 2 시트 구조체 형성 공정과는 각기 별도로 상기 제 2 캐비티 영역을 포함할 정도로 큰 제 3 캐비티(41)를 별도로 마련된 제 3 시트(40) 일영역에 형성하고, 이와 동시에 또는 각기 상기 제 3 캐비티의 양측에 각기 제 4 캐비티(42)를 형성하여 제 3 시트 구조체(43)를 형성하는데, 이 때, 후속 공정인 상기 제 2, 3 시트 구조체의 합체시, 상기 제 3 시트 구조체의 제 4 캐비티로 상기 제 2 시트 구조체의 급전선의 일부가 노출된다. In addition, a third cavity 41 that is large enough to include the second cavity region separately from the processes, that is, the first and second sheet structure forming processes, is formed in one region of the third sheet 40 provided separately. At the same time, or respectively, the fourth cavity 42 is formed on both sides of the third cavity, respectively, to form the third sheet structure 43, wherein, when the second and third sheet structures are merged, A portion of the feed line of the second sheet structure is exposed to the fourth cavity of the third sheet structure.
그리고, 상기 제 3 시트 구조체의 제 3, 4 캐비티는 자동 펀처 또는 펀칭 금형 등을 이용해 형성하는 것이 바람직하다.The third and fourth cavities of the third sheet structure are preferably formed using an automatic puncher or a punching die.
아울러, 상기 제 1, 2, 3 시트 구조체에 사용되는 시트(sheet)로는 800℃ ~ 900℃ 정도에서도 소성이 가능한 세라믹 그린 시트를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use a ceramic green sheet capable of firing at about 800 ° C to 900 ° C as a sheet used in the first, second, and third sheet structures.
덧붙여서, 상기 도 2에서 상기 제 3 캐비티의 상하 영역에 형성된 또 다른 캐비티(44)는 종래 시트 구조체에 형성되는 DC 라인을 노출시키는 것으로서, 이는 본 발명의 기술적 사상을 이탈하는 것으로서 그에 대한 설명을 여기서는 생략한다In addition, another cavity 44 formed in the upper and lower regions of the third cavity in FIG. 2 exposes a DC line formed in a conventional sheet structure, which is a departure from the technical idea of the present invention. Omit
다음, 상기 공정들을 통해 형성한 제 1, 2, 3 시트 구조체가 형성되면, 이렇게 형성된 제 1, 2, 3 시트 구조체(23, 33, 43)를 순차적으로 적층하고 일축압으로 가압하여 도 3에 도시된 바와 같이, 합체시킨다.Next, when the first, second, and third sheet structures formed through the above processes are formed, the first, second, and third sheet structures 23, 33, and 43 thus formed are sequentially stacked and pressurized under uniaxial pressure to FIG. 3. As shown, coalesce.
이 때, 적층시 층간 접합력이 약하면 소성 중에 층분리(de-lamination)가 일어나거나 모서리 부분이 뭉개질 수 있기 때문에, 각 층간의 접합력을 향상시키기 위하여 글루(glue)를 코팅하여 적층하고, 적층이 종료되면 800℃ ~ 900℃정도의 온도에서 소성시키는 것이 바람직하다.At this time, if the interlayer bonding strength is weak during the lamination, de-lamination may occur during firing or the edges may be crushed. Thus, in order to improve the bonding strength between the layers, a glue is coated and laminated. It is preferable to bake at the temperature of about 800 to 900 degreeC when it is complete | finished.
마지막으로 제 1, 2, 3 시트 구조체가 합체되면, 상기 제 1 시트 구조체(23)의 접지면(G)과 특정 금속(51)으로 둘레가 도금된 금속체(50)를 예컨대, AuSn이나 AuGe 등의 브레이징 합금을 이용해 접합시켜 본 발명을 종료한다(도 4).Finally, when the first, second and third sheet structures are coalesced, the metal body 50 circumferentially plated with the ground plane G and the specific metal 51 of the first sheet structure 23 is, for example, AuSn or AuGe. The present invention is completed by joining using a brazing alloy such as the like (FIG. 4).
상기 금속체는 효과적인 열방출을 위하여 열전도성이 좋은 금속을 주로 사용하며, 예를 들면 Cu와 W가 혼합된 합금, Cu와 Mo이 혼합된 합금, 또는 Cu, Mo, Cu가 순서대로 적층된 3층의 합금, Ni, Mo, Ni가 순서대로 적층된 3층의 합금 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.The metal body mainly uses a metal having good thermal conductivity for effective heat dissipation, for example, an alloy in which Cu and W are mixed, an alloy in which Cu and Mo are mixed, or 3 in which Cu, Mo, and Cu are sequentially stacked. It is preferable to use any one selected from the alloy of the layer, Ni, Mo, and the alloy of three layers in which Ni was laminated in order.
그리고, 상기 금속체의 둘레는 Ni 또는 Au 중에서 선택된 어느 하나 또는 두 종이 혼합된 것으로 도금되도록 하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the circumference of the metal body is plated by mixing any one or two species selected from Ni or Au.
전술한 방법에 따라 제조되는 고주파 모듈의 패키징 장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 그 하면과 일영역에 접지면(G)과 제 1 캐비티가 각기 형성되고, 상기 접지면(G)이 상기 금속체 상면과 접합된 제 1 시트 구조체와, 상기 제 1 캐비티의 영역에 대응되는 위치에 제 2 캐비티가 형성되고, 상기 제 2 캐비티 양측에 급전선이 형성되어 상기 제 1 시트 구조체 상부에 적층된 제 2 시트 구조체와, 상기 제 2 캐비티를 포함하는 영역과 상기 급전선의 영역에 대응되는 위치의 일부에 각기 제 3 캐비티와 제 4 캐비티가 형성된 제 3 시트 구조체로 이루어지되, 상기 제 1 시트 구조체의 제 1 캐비티 양측에는 상호 이격된 한 쌍의 인덕턴스 보상용 금속 단자가 각기 형성되고, 상기 제 2 시트 구조체의 급전선은, 상기 제 2 시트 구조체의 상면 중에서, 상기 인덕턴스 보상용 금속 단자가 형성된 영역에 대응되는 상면 일부에 연속적으로 길게 형성되는 구조를 가지게 된다.In the packaging apparatus of the high frequency module manufactured according to the above-described method, as shown in FIG. 4, the ground plane G and the first cavity are respectively formed on the lower surface and one region thereof, and the ground plane G is the metal. A first sheet structure bonded to an upper surface of the sieve, a second cavity is formed at a position corresponding to an area of the first cavity, and a feed line is formed on both sides of the second cavity to stack the second sheet stacked on the first sheet structure. And a third sheet structure in which a third cavity and a fourth cavity are respectively formed at a part of a sheet structure, a region including the second cavity, and a position corresponding to the region of the feed line, wherein the first sheet structure is formed of a first sheet structure. A pair of inductance compensation metal terminals spaced apart from each other are formed on both sides of the cavity, and the feed line of the second sheet structure is configured to compensate for the inductance of the upper surface of the second sheet structure. It has a structure that is continuously formed in a portion of the upper surface corresponding to the region where the metal terminal is formed.
이러한 본 발명의 고주파 통신 모듈의 패키징 장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 시트 구조체(23)의 제 1 캐비티(21) 양측에는 상호 이격된 한 쌍의 인덕턴스 보상용 금속 단자(22)가 각기 형성되고, 상기 제 2 시트 구조체(33)의 급전선(32)은, 상기 제 2 시트 구조체(33)의 상면 중에서, 상기 인덕턴스 보상용 금속 단자(22)가 형성된 영역에 대응되는 상면에 연속적으로 길게 형성되는 구조를 가지게 됨에 따라, 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 임피던스 매칭을 통하여 감소시켜 고주파 전송 특성을 향상시키는데, 이에 대한 설명을 후술하는데, 먼저 본 발명의 패키징 장치의 사용 양태에 대해 도 5a와 도 5b를 참조하여 설명한다.As shown in FIG. 4, the packaging device of the high frequency communication module according to the present invention includes a pair of inductance compensation metal terminals 22 spaced apart from each other on both sides of the first cavity 21 of the first sheet structure 23. Are each formed, and the feed line 32 of the second sheet structure 33 is formed on an upper surface of the upper surface of the second sheet structure 33 corresponding to the region where the inductance compensation metal terminal 22 is formed. As the structure is formed to be continuously elongated, the high frequency parasitic inductance due to the bonding wire is reduced through impedance matching to improve the high frequency transmission characteristics, which will be described below. First, a use aspect of the packaging apparatus of the present invention will be described. This will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.
먼저, 도 5a와 도 5b는 본 발명에 따라 형성된 패키징 장치에 고주파 통신 모듈이 패키징된 평면도와 단면도이다.First, FIGS. 5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view of a high frequency communication module packaged in a packaging device formed according to the present invention.
상기 도 5a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 패키징 장치에서 제 2 시트 구조체에 형성된 급전선(32)의 일부가 제 3 시트 구조체(43)에 형성된 캐비티를 통해 노출되어 있으며, 노출된 급전선의 일부는 본딩 와이어(62)를 통해 고주파 통신 모듈(60)의 상면에 형성된 패드(61)와 전기적으로 연결되어 있다.As shown in FIG. 5A, in the packaging apparatus of the present invention, a part of the feed line 32 formed in the second sheet structure 43 is exposed through a cavity formed in the third sheet structure 43, and a part of the exposed feed line is The pad 61 is electrically connected to the pad 61 formed on the upper surface of the high frequency communication module 60 through the bonding wire 62.
그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 본딩 와이어(62)를 통해 고주파 통신 모듈(60)의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 급전선(32)의 하부에는 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 커패시턴스의 임피던스 매칭으로 감소시키는 상호 이격된 한 쌍의 금속 단자(22)가 각기 형성되어 있다.5B, a high frequency parasitic inductance due to the bonding wire is formed at a lower portion of the feed line 32 electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency communication module 60 through the bonding wire 62. A pair of mutually spaced metal terminals 22, each of which is reduced by impedance matching, is formed.
또한, 도 6a와 도 6b는 패키징 장치와 고주파 모듈을 본딩 와이어로 연결하였을 경우에 나타나는 급전선의 반사 손실과 삽입 손실을 각기 그래프적으로 보인 도면으로서, 여기서 "EMS"는 본 발명의 패키징 장치와 고주파 모듈을 본딩 와이어로 연결한 경우이고, "Conventional"은 종래의 패키징 장치와 고주파 모듈을 본딩 와이어로 연결한 경우, "Buried"는 종래의 패키징 장치와 고주파 모듈을 본딩 와이어로 연결하되, 와이어의 주변을 에폭시로 몰딩한 경우를 각기 나타낸다.6A and 6B are graphs showing the reflection loss and insertion loss of a feeder line when a packaging device and a high frequency module are connected by bonding wires, respectively, where "EMS" is a packaging device and a high frequency of the present invention. When the module is connected by a bonding wire, "Conventional" is a case where the conventional packaging device and the high-frequency module is connected by a bonding wire, "Buried" is a connection between the conventional packaging device and the high-frequency module by a bonding wire, but the periphery of the wire Each case of molding with epoxy is shown.
일반적으로 반사 손실이 클수록, 삽입 손실이 작을수록 패키징 장치의 전송 특성이 양호한 것으로 인식되는데, 상기 도 6a에서는, 30GHz 이상의 고주파 영역으로 갈수록 본 발명에 따른 패키징 장치의 반사 손실이 점점 커짐을 볼 수 있으며, 상기 도 6b에서는 30GHz이상의 고주파 영역으로 갈수록 본 발명에 따른 패키징 장치의 삽입 손실이 종래의 패키징 장치보다 급격하게 작아짐을 볼 수 있다.In general, the larger the reflection loss, the smaller the insertion loss, the better the transmission characteristics of the packaging device. In FIG. 6A, the reflection loss of the packaging device according to the present invention increases as the high frequency region is 30 GHz or more. 6B, it can be seen that insertion loss of the packaging apparatus according to the present invention is drastically smaller than that of the conventional packaging apparatus toward the high frequency region of 30 GHz or more.
이와 같이, 본 발명의 패키징 장치는 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 임피던스 매칭을 통하여 감소시켜 고주파 영역으로 갈수록 반사 손실을 커지게 하고, 삽입 손실을 급격하게 작게 하여 급전선의 전송 특성을 향상시킬 수 있게 된다.As described above, the packaging apparatus of the present invention reduces the high frequency parasitic inductance due to the bonding wire through impedance matching to increase the reflection loss toward the high frequency region, and rapidly reduce the insertion loss to improve the transmission characteristics of the feeder. do.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법은 본딩 와이어를 통해 고주파 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 급전선의 하부에 상호 이격된 한 쌍의 금속 단자를 형성하여 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 커패시턴스의 임피던스 매칭으로 감소시켜 고주파 영역에서 급전선의 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.As described in detail above, the packaging apparatus of the high frequency module and the manufacturing method thereof according to the present invention comprises a pair of metal terminals spaced apart from each other on the lower portion of the feed line electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency module through a bonding wire. It is formed to reduce the high frequency parasitic inductance due to the bonding wire to the impedance matching of the capacitance to improve the transmission characteristics of the feed line in the high frequency region.
본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to the specific examples described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.
도 1은 일반적인 고주파 통신 모듈의 패키징 장치를 도시한 도면1 is a view showing a packaging device of a general high frequency communication module
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 고주파 통신 모듈의 패키징 장치를 도시한 도면2 to 4 illustrate a packaging device of a high frequency communication module according to the present invention.
도 5a와 도 5b는 본 발명에 따른 고주파 통신 모듈의 패키징 장치의 사용 양태를 예로 들어 도시한 도면5A and 5B are views showing an example of the use of the packaging apparatus of the high frequency communication module according to the present invention as an example;
도 6a와 도 6b는 본 발명에 따른 고주파 통신 모듈의 패키징 장치와 종래의 고주파 통신 모듈의 패키징 장치의 전송 특성을 비교한 도면6A and 6B are diagrams comparing the transmission characteristics of a packaging apparatus of a high frequency communication module and a packaging apparatus of a conventional high frequency communication module according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
20 : 제 1 시트 21 : 제 1 캐비티(cavity)20: first sheet 21: first cavity
22 : 금속 단자 23 : 제 1 시트 구조체22 metal terminal 23 first sheet structure
30 : 제 2 시트 31 : 제 2 캐비티30: 2nd sheet 31: 2nd cavity
32 : 급전선 33 : 제 2 시트 구조체32: feed line 33: second sheet structure
40 : 제 3 시트 41 : 제 3 캐비티40: third sheet 41: third cavity
42 : 제 4 캐비티 43 : 제 3 시트 구조체42: fourth cavity 43: third sheet structure
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