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KR100482165B1 - 리페어패턴을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그제조방법 - Google Patents

리페어패턴을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그제조방법 Download PDF

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KR100482165B1
KR100482165B1 KR10-2002-0064133A KR20020064133A KR100482165B1 KR 100482165 B1 KR100482165 B1 KR 100482165B1 KR 20020064133 A KR20020064133 A KR 20020064133A KR 100482165 B1 KR100482165 B1 KR 100482165B1
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 리페어패턴을 포함한 액정표시장치용 어레이기판에 관한 것이다.
본 발명에 따른 어레이기판은 비표시영역에 형성한 Vcom 및 Vgl 배선과 데이터 배선간의 정전기에 의한 쇼트 발생에 따른 액정패널의 불량처리율을 낮추기 위해, 상기 비표시영역에 형성되는 Vcom 및 Vgl 배선상의 데이터 배선과 교차되는 부분에 리페어패턴을 형성한다.
이와 같이 하면, 쇼트된 Vcom 및 Vgl 배선과 데이터 배선간의 쇼트를 리페어할 수 있으므로 제품의 불량률을 낮출 수 있는 장점이 있다.

Description

리페어패턴을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{The substrate for LCD with repair patterns and method for fabricating the same}
본 발명은 액정표시장치(LCD)용 어레이기판에 관한 것으로 특히, 리페어패턴을 포함한 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상을 표현하게 된다.
상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판(상부기판)과 화소전극이 형성된 어레이기판(하부기판)과, 상부 및 하부기판 사이에 충진된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다. 이하, 도 1을 참조하여 액정표시장치를 개략적으로 설명한다.
도 1은 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치는 블랙매트릭스(6)와 서브컬러필터(적, 녹, 청)(8)를 포함한 컬러필터(7)와, 컬러필터 상에 투명한 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)과 화소영역 상에 형성된 화소전극(17)과 스위칭소자(T)를 포함한 어레이배선이 형성된 하부기판(22)으로 구성되며, 상기 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진 되어있다.
상기 하부기판(22)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 형성된다.
상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이다. 상기 화소영역(P)상에 형성되는 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 사용한다.
전술한 바와 같은 구성에서, 상기 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)의 끝단에는 소정의 면적으로 구성된 게이트 패드전극(24)과 데이터 패드전극(26)이 구성된다.
상기 각 패드전극(24, 26)은 외부의 신호를 직접 입력받게 되고, 상기 입력된 신호는 각 배선을 통해 상기 스위칭 소자(T)에 전달된다.
이하, 도 2는 종래의 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치용 어레이기판(30)은 서로 이격하여 가로방향으로 형성된 게이트 배선(35)과 상기 게이트 배선(35)의 일 끝단에 형성되고, 상기 게이트 배선(35)과 연결되는 게이트 패드 전극(36)이 형성된다.
또한, 상기 게이트 배선(35)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 다수의 데이터 배선(40)이 형성되고, 상기 데이터 배선(40)의 일 끝단에도 데이터 패드 전극(41)이 형성된다.
상기 각각의 게이트 배선(35)과 데이터 배선(40)의 교차지점에는 게이트 전극(50)과 반도체층(55)과 소스전극 및 드레인전극(60,65)을 포함한 박막트랜지스터(T)가 구성되며, 게이트 배선(35)에 중첩되어 화소전극(P)을 유지시키는 스토리지 캐패시터(67)가 형성된다.
또한, 액티브 영역 외 영역인 비표시영역에 인버젼을 위한 전압인 Vcom을 인가하기 위한 배선(이하 Vcom 배선이라 칭함, 45)과 게이트 오프 전압이며 스토리지 캐패시터 구동을 위한 전압인 Vgl을 인가하기 위한 배선(이하 Vgl 배선이라 칭함, 50)이 각각 형성되어 있으며 상기 배선의 일끝단에 패드 전극(46, 51)이 형성된다.
도 3 내지 도 4는 도 2의 절단선 I-I, Ⅱ-Ⅱ에 따라 절단된 단면도를 나타내었다.
도 3 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(30) 상에 게이트 전극(50)을 포함하는 게이트 배선(35) 및 Vcom 배선(45) 및 Vgl 배선(미도시)이 형성된다. 상기 게이트 전극(53) 및 Vcom 및 Vgl 배선(45, 미도시) 상부에는 게이트 절연막(54)이 형성되어 있으며, 박막트랜지스터(T)에 있어서 상기 게이트 절연막(54) 위로 액티브층(55a)과 오믹 콘택층(55b)이 순차적으로 형성되어 있다. 상기 오믹 콘택층(55b) 위에 게이트 배선과 직교하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극(60), 게이트 전극(53)을 중심으로 소스 전극(60)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(65) 및 게이트 배선(35)과 중첩하는 스토리지 캐패시터 전극(67)이 형성되어 있다. Vcom 및 Vgl 배선(45, 미도시)에 있어서 상기 배선 위에 게이트 절연막(53)이 형성되어 있고, 그 위로 데이터 배선(40)이 형성되어 있다.
데이터 배선(40)과 소스 및 드레인 전극(60, 65) 그리고 스토리지 캐패시터 전극(67)은 보호층(80)으로 덮여 있으며, 보호층(80)은 드레인 전극(65)과 캐패시터 전극(67)을 각각 드러내는 드레인 콘택홀(82)과 캐패시터 전극 콘택홀(84)을 갖는다.
게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 정의되는 화소 영역의 보호층(80) 상부에는 화소 전극(88)이 형성되어 있는데, 화소 전극(88)은 드레인 콘택홀(82)과 캐패시터 전극 콘택홀(84)을 통해 각각 드레인 전극(65) 및 캐패시터 전극(67)과 연결되어 있다.
상기 어레이기판과 컬러필터 및 공통전극이 형성된 기판에 액정을 충진한 후 합착하는 과정을 포함하는 셀 공정을 통하여 액정표시장치를 완성하게 되는데 상기 셀 공정에는 러빙 등 정전기에 취약한 공정들을 거치게 되므로 상기 정전기에 의해 배선간 쇼트가 발생하여 선결함을 일으키게 된다.
화상을 표시하는 액티브 영역 외 비표시영역에 있어서 외부회로와 연결되는 부분인 데이터 패드 그리고 Vcom 및 Vgl 인가를 위한 배선이 위치한 곳이 정전기에 특히 취약하여 Vcom 또는 Vgl 배선과 데이터 배선과의 쇼트가 많이 발생한다.
전술한 종래의 액정표시장치용 어레이기판은 상기 Vcom 및 Vgl 배선과 데이터 배선과의 쇼트가 발생하면 리페어 하기가 쉽지 않아 불량으로 빠지게 된다.
불량률이 높을수록 제품의 가격경쟁력과 제품의 수율을 낮추는 원인이 된다.
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 목적으로 안출된 것으로, 추가적인 공정 없이 상기 Vcom 및 Vgl 배선에 별도의 리페어패턴을 구성하여, 쇼트가 발생하더라도 리페어를 쉽게 할 수 있도록 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 화상을 표시하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역의 주위의 비표시영역이 정의된 투명한 절연기판과; 상기 절연기판 상의 액티브 영역에 가로방향으로 구성되며, 비표시 영역으로 연장되는 게이트 배선과; 상기 액티브 영역 내에서 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하며 세로방향으로 구성되며, 비표시 영역까지 연장되는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 상기 각 화소영역에 구성된 화소전극과; 상기 비표시 영역에 상기 게이트 배선과 평행하게 형성되며, 상기 비표시 영역까지 연장된 데이터 배선과 교차하는 Vcom 및 Vgl 배선과; 상기 Vcom및 Vgl 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 상기 데이터 배선을 가로지르며 상기 데이터 배선을 사이에 두고 양끝단이 상기 Vcom 배선 또는 Vgl 배선에 오버랩되도록 구성된 리페어패턴을 포함한다. 이때, 상기 게이트 배선과 데이터 배선 사이에는 게이트 절연막이 더욱 구성되며, 상기 박막트랜지스터 및 게이트 배선과 상기 화소전극 및 리페어 패턴 사이에는 보호층이 더욱 구성된다. 또한, 상기 리페어 패턴은 상기 화소전극과 동일한 물질로 이루어지며 동일층에 구성된 것이 특징이다.
이때, 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 이루어진 것이 특징이다.
또한, 상기 Vcom과 Vgl 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어지며 동일층에 구성된다.
또한, 상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극으로 구성된다.
본 발명의 실시예에 따른 어레이기판의 제조방법은 화상을 표시하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역 주위로 비표시 영역이 정의된 기판 상의 상기 액티브 영역에 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과, 상기 비표시 영역에 상기 게이트 배선과 평행하게 Vcom 및 Vgl 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 Vcom 및 Vgl 배선이 형성된 기판 상의 비표시 영역에서 상기 Vcom 및 Vgl 배선과 교차하고, 동시에 상기 액티브 영역내에서 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 및 데이터 배선 위로 전면에 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로, 상기 화소영역에 박막트랜지스터와 접촉하는 화소전극과, 상기 비표시 영역에 상기 Vcom 또는 Vgl 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분의 Vcom 또는 Vgl 배선과 양끝단이 오버랩되고 상기 데이터 배선을 가로지르는 리페어패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 게이트 배선, Vcom 및 Vgl 배선과 데이터 배선 사이에는 게이트 절연막을 더욱 형성하며, 상기 게이트 배선과 Vcom 및 Vgl 배선은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금을 포함하는 저 저항 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 구성된다.
또한, 상기 화소전극과 리페어패턴은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판(100)은 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(105)과 데이터 배선(110)과, 상기 교차지점에 형성되고 게이트 전극(130)과 반도체층(135)과 소스전극(140)및 드레인전극(145)을 포함하는 박막트랜지스터(T)와, 상기 드레인 전극(145)과 연결되는 화소전극(155)을 포함한다.
전술한 구성에서, 상기 게이트 배선(105)과 데이터 배선(110)의 일 끝단에는 각각 소정면적으로 형성된 게이트 패드전극(107)과 데이터 패드전극(113)을 형성되어 있다. 데이터 패드 전극(113)과 연결되는 데이터 배선(110) 하부로 상기 게이트 배선(105)과 일정간격 이격하여 동일한 방향으로 연장되는 상기 데이터 배선(110)을 가로지르는 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)이 위치하고 있다.
상기 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)에는 화소전극(155)을 이루는 물질인 투명한 도전성 물질 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 Vcom 배선(115) 또는 Vgl 배선(120)과 양끝이 겹쳐지며 각각의 데이터 배선(110)을 가로지르는 정전기에 의한 쇼트 대비 리페어패턴(160)이 형성되어 있다. 상기 리페어패턴(160)은 평면상으로 상기 Vcom 또는 Vgl 배선(115, 120)과 데이터 배선(110)이 교차하는 부분에 형성되며, 데이터 배선(110)을 가로지르며 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)의 측면과 양끝단이 오버랩되어진다. 상기 각각의 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120) 상의 리페어패턴(160)은 데이터 배선의 수만큼 형성된다. 좀더 자세히 설명하면 평면적으로 상기 패턴은 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)과 소정간격 이격하여 상기 배선과 동일한 방향으로 각각 데이터 배선(110)의 수만큼 패터닝되며 상기 리페어패턴(160)의 양끝은 상기 Vcom 또는 Vgl 배선(115, 120)의 측면과 오버랩 되어진다.
이하, 도 6a 내지 도 6e와 도 7a 내지 7e를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 6a 내지 도 6e는 도 5의 Ⅲ-Ⅲ를 도 7a 내지 도 7e는 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단하여 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
먼저 도 6a와 도 7a에서 도시한 바와 같이, 투명한 절연기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금을 포함하는 저 저항 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패터닝하여, 끝단에 게이트 패드전극(107)을 포함하는 게이트 배선(105)과 게이트 전극(130)을 형성한다. 동시에 상기 게이트 배선(105)을 이루는 물질과 동일한 물질로 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)을 형성한다.
다음으로 도 6b와 도 7b에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(130)을 포함하는 게이트 배선(105)과 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 사진식각공정(이후 마스크 공정이라 칭함)을 통하여 제 1 절연막인 게이트 절연막(132)을 형성한다. 이후 트랜지스터부(T)에 있어서 상기 게이트 절연막(132) 상에 순수 비정질 실리콘(a-Si), 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si)을 증착한 후, 마스크 공정에 의해 게이트 전극(130)을 덮는 위치에 액티브층(135a), 오믹 콘택층(135b)으로 각각 형성하여 반도체층(135)을 구성한다. 상기 액티브층(135a)은 일반적으로 수소를 포함하는 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하며, 상기 오믹 콘택층(135b)은 n+ 또는 p+의 불순물을 포함하는 불순물 비정질 실리콘(p+ 또는 n+a-Si:H)으로 형성한다.
다음으로 도 6c, 7c에 도시한 바와 같이 상기 액티브층(135a)과 오믹 콘택층(135b)이 형성된 기판(100)의 전면에 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패터닝하여, 데이터 배선(110) 및 이와 연결된 데이터 패드 전극(미도시)과, 반도체층(135) 상부에서 서로 일정간격 이격되는 소스 및 드레인 전극(140, 145)과 캐패시터 전극(150)을 형성한다. 이 단계에서는, 소스 및 드레인 전극(140, 145)을 마스크로 하여, 이격된 구간의 오믹 콘택층(135b)을 제거하고, 그 하부층인 액티브층(135a)을 노출시켜 채널(ch)을 형성한다. 상기 게이트 전극(130), 반도체층(135), 소스 및 드레인 전극(140, 145)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다.
다음으로 도 6d, 7d에 도시한 바와 같이 상기 데이터 배선(110) 및 박막트랜지스터가 형성된 기판(100)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)를 포함한 투명한 유기절연 물질그룹 중 선택된 하나를 증착한 후, 마스크 공정에 의해 드레인 전극(145), 스토리지 캐패시터 전극(150)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(173), 캐패시터 전극 콘택홀(176)을 가지는 보호막(170)을 형성한다. 경우에 따라서, 상기 보호막(170)은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6e와 도 7e에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 콘택홀(173, 176)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패터닝하여, 상기 노출된 드레인 전극(145)과 접촉하면서 상기 화소영역에 구성되는 화소전극(155)을 형성한다. 동시에, Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)상에 보호막(170) 및 데이터 배선(105) 상의 보호막(170) 위로 투명 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여 리페어패턴(160)을 형성한다.
전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여, 전술한 바와 같은 구성으로 제작된 어레이기판에 Vcom 또는 Vgl 배선과 데이터 배선이 정전기등에 의해 쇼트가 발생하였을 경우 이를 리페어하기 위한 방법을 설명한다.
도 8은 Vcom 및 Vgl 배선(115, 120)과 데이터 배선(110) 및 리페어패턴(160)이 있는 부분을 확대한 것이다. 도시한 바와 같이, Vcom 배선(115)과 데이터 배선(110)이 정전기 등으로 쇼트가 발생한 경우, 레이저(laser)와 같은 열 수단을 이용하여, 상기 Vcom 배선(115)위로 적층되어 있는 리페어패턴(160)의 양끝단을 적당한 에너지를 가한 레이저 월딩(welding)을 통하여 상기 투명한 도전성 금속으로 이루어진 리페어패턴(160)과 Vcom 배선(115)을 연결한다. 상기 Vcom 배선(115)상에 절연물질인 게이트 절연막(132)과 보호막(170)은 레이저 웰딩에 의해 콘택홀(180)이 형성되고 상기 콘택홀(180)홀 내부 벽을 따라 리페어패턴(160)을 이루는 투명한 도전성 금속이 흘러내림으로써 상기 Vcom 배선(115)과 리페어패턴(160)이 직접 연결된다. 다음에 쇼트가 일어난 부위 즉 Vcom 배선(115)과 데이터 배선(110)이 교차하는 부분에 있어서 상기 데이터 배선(110) 양측면의 Vcom 배선(115)을 레이저로써 절단하여 단선시킨다.
이와 같이 하면, 상기 단선된 부분(A)을 대신하여 상기 리페어패턴(160)을 통해 신호를 전달할 수 있게 된다.
마찬가지로, Vgl 배선(120)과 데이터 배선(110)이 쇼트가 된 경우도 전술대로 리페어패턴(160)을 이용하여 레이저 월딩 및 쇼트 된 부분 절단을 통하여 리페어 할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 리페어패턴 구조를 가진 액정표시장치용 어레이기판의 구성은 상기 정전기에 의해 데이터 배선과 Vcom 및 Vgl 배선이 쇼트가 발생하더라도 이를 수리할 수 있으므로 불량률을 낮추어 가격 경쟁력을 높이는 효과가 있다.더불어, 수리배선을 형성하기 위한 추가적인 공정이 필요치 않다.
도 1은 액정표시패널을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 종래의 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 개략적인 평면도
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ를 따라 절단한 단면도.
도 4는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 개략적인 평면도.
도 6a 내지 도 6e와 도 7a 내지 도 7e는 도 5의 Ⅲ-Ⅲ, Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단하여 본 발명의 실시예의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도.
도 8은 쇼트된 데이터 배선과 Vcom배선을 리페어하는 방법을 설명하기 위한 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 105 : 게이트 배선
110 : 데이터 배선 115 : Vcom 배선
120 : Vgl 배선 130 : 게이트 전극
135 : 반도체층 140 : 소스 전극
145 : 드레인 전극 155 : 화소전극
160 : 리페어패턴

Claims (12)

  1. 화상을 표시하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역의 주위의 비표시영역이 정의된 투명한 절연기판과;
    상기 절연기판 상의 액티브 영역에 가로방향으로 구성되며, 비표시 영역으로 연장되는 게이트 배선과;
    상기 액티브 영역 내에서 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하며 세로방향으로 구성되며, 비표시 영역까지 연장되는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 상기 각 화소영역에 구성된 화소전극과;
    상기 비표시 영역에 상기 게이트 배선과 평행하게 형성되며, 상기 비표시 영역까지 연장된 데이터 배선과 교차하는 Vcom 및 Vgl 배선과;
    상기 Vcom및 Vgl 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분에 상기 데이터 배선을 가로지르며 상기 데이터 배선을 사이에 두고 양끝단이 상기 Vcom 배선 또는 Vgl 배선에 오버랩되도록 구성된 리페어패턴
    을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Vcom과 Vgl 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어지며 동일층에 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인 전극으로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  4. 화상을 표시하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역 주위로 비표시 영역이 정의된 기판 상의 상기 액티브 영역에 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과, 상기 비표시 영역에 상기 게이트 배선과 평행하게 Vcom 및 Vgl 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 Vcom 및 Vgl 배선이 형성된 기판 상의 비표시 영역에서 상기 Vcom 및 Vgl 배선과 교차하고, 동시에 상기 액티브 영역내에서 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터 및 데이터 배선 위로 전면에 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 보호층 위로, 상기 화소영역에 상기 박막트랜지스터와 접촉하는 화소전극과, 상기 비표시 영역에 상기 Vcom 또는 Vgl 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 부분의 Vcom 또는 Vgl 배선과 양끝단이 오버랩되고 상기 데이터 배선을 가로지르는 리페어패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 게이트 배선, Vcom 및 Vgl 배선과 데이터 배선 사이에는 게이트 절연막을 더욱 형성하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 Vcom 및 Vgl 배선은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금을 포함하는 저 저항 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 화소전극과 리페어패턴은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 데이터 배선 사이에는 게이트 절연막이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이 기판.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 및 게이트 배선과 상기 화소전극 및 리페어 패턴 사이에는 보호층이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이 기판.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 리페어 패턴은 상기 화소전극과 동일한 물질로 이루어지며 동일층에 구성된 액정표시장치용 어레이 기판.
  12. 제 1 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 이루어진 액정표시장치용 어레이 기판.
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