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KR100477124B1 - In-line Etch Monitoring Device - Google Patents

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KR100477124B1 KR1019970036943A KR19970036943A KR100477124B1 KR 100477124 B1 KR100477124 B1 KR 100477124B1 KR 1019970036943 A KR1019970036943 A KR 1019970036943A KR 19970036943 A KR19970036943 A KR 19970036943A KR 100477124 B1 KR100477124 B1 KR 100477124B1
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Abstract

이 발명은 해당 부분이 식각되어 있는 패널과, 일정량의 빔을 상기 패널의 식각 부분으로 조사하는 광원과, 상기 광원에서 조사하는 빔의 일부를 반사시키는 빔 분산 수단과, 상기 빔 분산 수단에 의해 반사된 빔을 감지하여 감지된 빔에 해당하는 신호를 출력하는 제1 빔 검출 수단과, 상기 패널의 식각 부분을 통과한 상기 광원에서 조사한 빔을 감지하여 감지된 빔에 해당하는 신호를 출력하는 제2 빔 검출 수단을 포함하여 이루어져, 패널을 샘플링하는 과정을 가지지않고 패널이 진행되는 동안에 식각 정도를 확인할 수 있으므로, 식각 확인의 인-라인 모니터링이 가능하고 패널별 식각 정도의 변화를 정확히 파악할 수 있는 효과가 있다. The present invention provides a panel in which a corresponding portion is etched, a light source for irradiating a certain amount of beams to an etching portion of the panel, beam dispersing means for reflecting a part of the beam irradiated from the light source, and reflected by the beam dispersing means. First beam detection means for detecting a beam and detecting a beam corresponding to the detected beam, and a second beam for detecting a beam emitted from the light source passing through an etched portion of the panel and outputting a signal corresponding to the detected beam Equipped with a beam detection means, it is possible to check the degree of etching during the panel without the process of sampling the panel, so that the in-line monitoring of the etching confirmation is possible, and the effect of accurately identifying the change in the degree of etching by panel There is.

Description

인-라인 식각 모니터링 장치In-line Etch Monitoring Device

이 발명은 인-라인(in-line) 식각 모니터링(monitering) 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면, 빔을 식각 부위에 통과시켜 통과된 빔량에 따라 식각 정도를 확인하므로써 샘플링 공정없는 한 라인 공정으로 식각 정도의 변화를 파악할 수 있는 인-라인 식각 모니터링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an in-line monitoring device, and more specifically, to a line process without a sampling process by checking a degree of etching according to the amount of beam passed through a beam through an etching portion. The present invention relates to an in-line etching monitoring apparatus capable of detecting a change in etching degree.

일반적으로 설계자는 자신의 원하는 치수만큼의 선폭으로서 배선을 하기 위해 해당 치수만큼의 선폭을 가지도록 설계를 한 다음, 리소그래피(lithography) 공정을 한다.In general, a designer designs a wire width having a line width of the desired dimension, and then performs a lithography process.

그러나, 상기의 선폭은 아주 미세한 크기이므로 상기 리소그래피 공정에서의 장치의 얼라인(align) 오차에 의해 미세한 선폭의 오차를 가질 수 있다.However, since the line width is a very fine size, it may have a fine line width error due to the alignment error of the apparatus in the lithography process.

그래서, 종래에는 상기와 같은 선폭의 오차를 CD 미터(critical dimension meter)를 이용하여 측정하고 있다.Therefore, conventionally, the error of the above line width is measured using a CD dimension (critical dimension meter).

즉, CD 미터는 기준빔(beam)과 측정빔을 측정하고자 하는 선폭 부분에 얼라인시켜 선폭 부분이 어느 정도 식각이 되었는지를 측정하여 선폭 오차 정도를 제작자가 알 수 있게 하였다.In other words, the CD meter aligns the reference beam and the measurement beam to the line width portion to be measured to measure how much the line width portion is etched so that the manufacturer can know the extent of the line width error.

그러나, 상기와 같이 CD 미터를 사용하여 식각 정도를 측정하는 것은 기준빔과 측정빔을 얼라인하는 것이 다소 번거롭고 하나의 라인화 즉, 인-라인(in-line)하기가 어려우며, 측정 결과를 바로바로 알기가 어려웠다.However, measuring the etching degree using the CD meter as described above is somewhat cumbersome to align the reference beam and the measurement beam, and it is difficult to make one line, that is, in-line, and to immediately measure the measurement result. It was hard to know right away.

그래서, 생산 라인에서는 상기와 같은 이유로 인하여 식각 정도를 파악하기 위해 패널(panel)을 샘플링(sampling)하여 측정해야 하기 때문에 패널별 식각 정도의 변화를 정확히 파악하기 어려운 문제점이 발생하였다. Therefore, in the production line, the panel has to be sampled and measured in order to determine the degree of etching due to the above-mentioned reason, so that it is difficult to accurately grasp the change in the degree of etching for each panel.

따라서, 이 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 측정이 단순하면서도 패널이 공정 순서대로 진행되면서 식각 정도가 어떻게 진행되는지에 대한 모니터링이 가능하도록 한다. Accordingly, the present invention is to solve the conventional problems, it is possible to monitor how the etching degree proceeds while the measurement is simple and the panel proceeds in the process order.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 수단으로서의 이 발명은The present invention as a means for achieving the above technical problem

해당 부분이 식각되어 있는 패널과;A panel in which the portion is etched;

빔을 상기 패널의 식각 부분으로 조사하는 광원과;A light source for irradiating a beam to an etching portion of the panel;

상기 광원에서 조사하는 빔의 일부를 반사시키는 빔 분산 수단과;Beam scattering means for reflecting a part of the beam irradiated from the light source;

상기 빔 분산 수단에 의해 반사된 빔을 감지하여 감지된 빔에 해당하는 신호를 출력하는 제1 빔 검출 수단과;First beam detection means for detecting a beam reflected by the beam dispersion means and outputting a signal corresponding to the detected beam;

상기 패널의 식각 부분을 통과한 상기 광원에서 조사한 빔을 감지하여 감지된 빔에 해당하는 신호를 출력하는 제2 빔 검출 수단을 포함하여 이루어진다. And second beam detection means for detecting a beam irradiated from the light source passing through the etched portion of the panel and outputting a signal corresponding to the detected beam.

상기한 구성에 의하여, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.By the above-described configuration, a person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 이 발명의 제1 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치의 구성도이다.1 is a block diagram of an in-line etching monitoring apparatus according to a first embodiment of the present invention.

첨부한 도 1에 도시되어 있듯이, 이 발명의 제1 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치는,As shown in FIG. 1, an in-line etching monitoring apparatus according to a first embodiment of the present invention may include

식각된 패널(1)과,An etched panel (1),

상기 패널(1)의 식각된 부분으로 화소 100개 이상의 면적에 해당하는 량(W)을 가진 단색 빔을 조사하는 단색 광원(2)과,A monochromatic light source 2 for irradiating a monochromatic beam having an amount W corresponding to an area of 100 pixels or more to the etched portion of the panel 1;

상기 단색 광원(2)에서 출력하는 빔을 50% 반사율(R) 이하로 반사시키고, 나머지를 투과시키는 빔 스프리터(splitter)(3)와,A beam splitter (3) for reflecting the beam output from the monochromatic light source (2) at 50% or less reflectance (R) or less and transmitting the rest;

상기 빔 스프리터(3)에 의해 반사된 빔 감지하여 감지된 빔의 양에 해당하는 전기적인 신호를 출력하는 제1 포토 다이오드(photo diode)(4)와,A first photo diode 4 which detects the beam reflected by the beam splitter 3 and outputs an electrical signal corresponding to the detected amount of beam;

상기 패널(1)의 식각된 부분을 통과한 상기 빔 스프리터(3)를 투과한 빔을 감지하여 감지된 빔의 양에 해당하는 전기적인 신호를 출력하는 제2 포토 다이오드(5)를 포함하여 이루어진다.And a second photodiode (5) for detecting a beam passing through the beam splitter (3) passing through the etched portion of the panel (1) and outputting an electrical signal corresponding to the detected beam amount. .

도 2는 이 발명의 제2 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치의 구성도이다.2 is a block diagram of an in-line etching monitoring apparatus according to a second embodiment of the present invention.

첨부한 도 2에 도시되어 있듯이, 이 발명의 제2 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치는,As shown in FIG. 2, an in-line etch monitoring apparatus according to a second embodiment of the present invention includes:

식각된 패널(1)과,An etched panel (1),

상기 패널(1)의 식각된 부분으로 면빔을 조사하는 면광원(21)과,A surface light source 21 for irradiating a surface beam to the etched portion of the panel 1;

상기 면광원(21)에서 조사하는 면빔중 10%이하를 반사시키는 거울(31)과,A mirror 31 reflecting 10% or less of the surface beams irradiated from the surface light source 21,

상기 거울(31)에 의해 반사된 빔을 감지하고, 감지된 빔의 양에 해당하는 전기적인 신호를 출력하는 제1 포토 다이오드(4)와,A first photodiode 4 for detecting the beam reflected by the mirror 31 and outputting an electrical signal corresponding to the detected beam amount;

상기 패널(1)의 식각된 부분을 통과한 면빔을 감지하고, 감지된 빔의 양에 해당하는 전기적인 신호를 출력하는 제2 포토 다이오드(5)를 포함하여 이루어진다.And a second photodiode 5 for sensing the surface beams that have passed through the etched portion of the panel 1 and for outputting an electrical signal corresponding to the amount of the detected beams.

이하, 첨부한 도 1을 참조로 하여 이 발명의 제1 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치를 설명한다.Hereinafter, an in-line etch monitoring apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

광원(2)은 빔의 크기가 화소 100개 이상의 면적에 해당하는 량(W라 칭함)을 패널(1)의 식각된 부분으로 조사한다.The light source 2 irradiates an etched portion of the panel 1 with an amount (referred to as W) whose beam size corresponds to an area of 100 pixels or more.

상기 광원(2)과 상기 패널(1) 사이에는 빔 스프리터(3)가 위치하고 있어 상기 광원(2)에서 W크기의 빔을 일부 반사시키고, 나머지는 투과시켜 상기 패널(1)의 식각된 부분을 통과하도록 한다.A beam splitter 3 is positioned between the light source 2 and the panel 1 to partially reflect the W-sized beam from the light source 2, and transmit the remaining portion of the panel 1 to the etched portion of the panel 1. Pass it through.

상기 빔 스프리터(3)는 50%이하의 반사율(R)을 가지도록 제작된다.The beam splitter 3 is manufactured to have a reflectance R of 50% or less.

여기서, 상기 광원(2)과 패널(1) 사이에 빔 스프리터(3)를 위치시켜 상기 패널(1)의 식각 부분으로 조사되는 빔을 반사시키는 것은 상기 광원(1)에서 조사된 광이 해당 량만큼 출력되었는지를 검사하기 위한 것이다.Here, the beam splitter 3 is positioned between the light source 2 and the panel 1 to reflect the beam irradiated to the etched portion of the panel 1 so that the light irradiated from the light source 1 corresponds to the corresponding amount. To check that the output has been

다시말해, 상기 빔 스프리터(3)의 반사율(R)은 이미 설정된 것으로, 상기 빔 스프리터(3)에 반사된 빔의 량을 확인하면, 상기 광원(2)에서 조사한 빔의 량이 어느정도인지를 알 수 있다.In other words, the reflectance R of the beam splitter 3 is already set. When the amount of the beam reflected by the beam splitter 3 is confirmed, it is possible to know how much the beam is irradiated from the light source 2. have.

그래서, 반사된 빔의 량을 확인하기 위해 상기 빔 스프리터(3)에 의해 반사된 빔의 출사 연장선상에 제1 포토 다이오드(4)가 위치하고 있어 반사된 빔을 감지한다.Thus, in order to confirm the amount of the reflected beam, the first photodiode 4 is positioned on the emission extension line of the beam reflected by the beam splitter 3 to sense the reflected beam.

상기 제1 포토 다이오드(4)는 감지한 빔의 양에 대한 전기적인 신호를 출력하며, 제작자는 상기 전기적인 신호를 이용하여 상기 광원(2)에서 조사한 빔의 량을 확인할 수 있다.The first photodiode 4 outputs an electrical signal with respect to the detected beam amount, and a manufacturer can check the amount of beam irradiated from the light source 2 using the electrical signal.

여기서, 확인된 빔의 량이 기준치를 초과하거나 미달될 경우에, 제작자는 초과 또는 미달된 량에 대한 상기 광원(2)에서 조사한 빔의 증가 및 감소량을 계산하여 상기 광원(2)의 조사량을 알 수 있다.Here, when the amount of the identified beam exceeds or falls below the reference value, the manufacturer can calculate the amount of increase and decrease of the beam irradiated from the light source 2 with respect to the amount exceeding or under the amount, so as to know the irradiation amount of the light source 2. have.

그리고, 제작자는 상기 광원(2)에서 조사한 빔이 상기 빔 스프리터(3)를 투과하고 상기 패널(1)의 식각된 부분을 통과한 빔의 양을 제2 포토 다이오드(5)를 이용하여 확인한다.In addition, the manufacturer confirms the amount of the beam transmitted from the light source 2 through the beam splitter 3 and passed through the etched portion of the panel 1 by using the second photodiode 5. .

상기에서, 제2 포토 다이오드(5)는 감지된 빔의 양에 해당하는 전기적인 신호를 출력하므로써, 제작자에게 상기 패널(1)의 식각된 부분을 통과한 빔의 량을 알 수 있도록 한다.In the above, the second photodiode 5 outputs an electrical signal corresponding to the detected beam amount, so that the manufacturer can know the amount of beam that has passed through the etched portion of the panel 1.

제작자는 상기 제2 포토 다이오드(5)를 이용하여 확인한 빔의 량과 상기 제1 포토 다이오드(4)에 의해 감지된 빔의 량으로 계산된 상기 광원(2)에서 조사한 빔의 량을 비교한다.The manufacturer compares the amount of beams irradiated by the light source 2 calculated by the amount of beams identified by the second photodiode 5 with the amount of beams sensed by the first photodiode 4.

상기 비교에서, 제작자는 상기 광원(2)에서 조사한 빔의 량에서 상기 제1 포토 다이오드(4)에서 감지된 빔의 량을 뺀 빔의 양과 상기 제2 포토 다이오드(5)에서 감지된 빔의 양과의 차이를 판단한다.In the comparison, the manufacturer may determine the amount of beams obtained by subtracting the amount of beams detected by the first photodiode 4 from the amount of beams emitted by the light source 2, and the amount of beams detected by the second photodiode 5. Judge the difference.

만약, 상기의 차이가 클수록 상기 패널(1)의 식각 부분은 식각 정도가 경미함을 나타내며, 상기의 차이가 작을수록 상기 패널(1)의 식각된 부분은 식각 정도가 대단함을 나타낸다.If the difference is larger, the etching portion of the panel 1 is slightly etched, and the smaller the difference is, the greater is the etching portion of the panel 1 is.

그래서, 제작자는 상기 패널(1)이 진행되는 동안 상기 패널(1)의 식각 부분으로 빔을 조사하여 상기 광원(2)에서 조사한 빔의 량에서 상기 제1 포토 다이오드(4)에서 감지된 빔의 량을 뺀 빔의 양과 상기 제2 포토 다이오드(5)에서 감지된 빔의 양과의 차이를 확인하고 차이에 해당하는 식각 정도를 계산하므로써, 인-라인으로 식각 정도를 모니터링할 수 있다.Thus, the manufacturer irradiates the beam to the etching portion of the panel 1 while the panel 1 is in progress, and thus the amount of beams irradiated from the light source 2 is applied to the beam detected by the first photodiode 4. By checking the difference between the amount of the beam minus the amount and the amount of the beam detected by the second photodiode 5 and calculating the degree of etching corresponding to the difference, the degree of etching can be monitored in-line.

이하, 첨부한 도 2를 참조로 하여 이 발명의 제2 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치를 설명한다.Hereinafter, an in-line etching monitoring apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.

이 발명의 제2 실시예에서, 광원(21)은 면빔을 패널(1)의 식각된 부분에 조사한다.In the second embodiment of this invention, the light source 21 irradiates the surface beams to the etched portions of the panel 1.

그러므로, 제2 실시예는 단색 빔을 조사하는 제1 실시예의 빔 스프리터(4) 대신 거울(31)을 이용하여 면빔의 10%를 반사시켜 제1 포토 다이오드(4)에 입사되도록 하고, 그외의 빔은 상기 패널(1)의 식각된 부분을 통과하여 제2 포토 다이오드(5)에 입사되도록 한다.Therefore, the second embodiment reflects 10% of the surface beam using the mirror 31 instead of the beam splitter 4 of the first embodiment to irradiate the monochromatic beam to be incident on the first photodiode 4, and so on. The beam passes through the etched portion of the panel 1 and is incident on the second photodiode 5.

상기 제1 포토 다이오드(4)에 입사된 빔은 제1 실시예와 마찬가지로 상기 광원(21)의 조사 광량을 측정하는 기준이 된다.The beam incident on the first photodiode 4 serves as a reference for measuring the amount of light emitted from the light source 21 as in the first embodiment.

그리고, 제2 실시예는 제1 실시예와 동일하게 상기 제1 포토 다이오드(4)와 제2 포토 다이오드(5)에서 감지한 빔의 량을 비교하여 패널의 식각 부분에서의 식각 정도를 인-라인 모니터링할 수 있다. The second embodiment compares the amount of beams detected by the first photodiode 4 and the second photodiode 5 with the same degree as that of the first embodiment to determine the degree of etching in the etching portion of the panel. Line can be monitored.

이 발명은 패널을 샘플링하는 과정을 가지지않고 패널이 진행되는 동안에 식각 정도를 확인할 수 있으므로, 식각 확인의 인-라인 모니터링이 가능하고 패널별 식각 정도의 변화를 정확히 파악할 수 있는 효과가 있다. The present invention can check the degree of etching during the progress of the panel without the process of sampling the panel, it is possible to monitor the in-line of the etching confirmation and to accurately grasp the change in the degree of etching for each panel.

도 1은 이 발명의 제1 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치의 구성도이고,1 is a block diagram of an in-line etch monitoring apparatus according to a first embodiment of the present invention,

도 2는 이 발명의 제2 실시예에 따른 인-라인 식각 모니터링 장치의 구성도이다.2 is a block diagram of an in-line etching monitoring apparatus according to a second embodiment of the present invention.

Claims (5)

해당 부분이 식각되어 있는 패널과;A panel in which the portion is etched; 일정량의 빔을 상기 패널의 식각 부분으로 조사하는 광원과;A light source for irradiating a predetermined amount of beam to the etching portion of the panel; 상기 광원에서 조사하는 빔의 일부를 반사시키는 빔 분산 수단과;Beam scattering means for reflecting a part of the beam irradiated from the light source; 상기 빔 분산 수단에 의해 반사된 빔을 감지하여 감지된 빔에 해당하는 신호를 출력하는 제1 빔 검출 수단과;First beam detection means for detecting a beam reflected by the beam dispersion means and outputting a signal corresponding to the detected beam; 상기 패널의 식각 부분을 통과한 상기 광원에서 조사한 빔을 감지하여 감지된 빔에 해당하는 신호를 출력하는 제2 빔 검출 수단을 포함하여 이루어지는 인-라인 식각 모니터링 장치.And second beam detection means for detecting a beam irradiated from the light source passing through the etching portion of the panel and outputting a signal corresponding to the detected beam. 제1항에 있어서, 상기 광원은,The method of claim 1, wherein the light source, 단색 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 인-라인 식각 모니터링 장치.In-line etching monitoring device, characterized in that for irradiating a monochromatic beam. 제2항에 있어서, 상기 빔 분산 수단은,The method of claim 2, wherein the beam dispersion means, 입사되는 빔을 50%이하로 반사시키고, 그외의 빔을 투과시키는 빔 스프리터인 것이 특징인 인-라인 식각 모니터링 장치.An in-line etching monitoring apparatus characterized by being a beam splitter which reflects an incident beam to 50% or less and transmits other beams. 제1항에 있어서, 상기 광원은The method of claim 1, wherein the light source 면광을 출력하는 것이 특징인 인-라인 식각 모니터링 장치.In-line etching monitoring device characterized in that output the surface light. 제4항에 있어서, 상기 빔 분산 수단은The method of claim 4, wherein the beam dispersion means 면빔의 10%를 반사시키는 거울인 것이 특징인 인-라인 식각 모니터링 장치.An in-line etch monitoring device, characterized in that the mirror reflects 10% of the surface beam.
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