KR100462622B1 - 이층구조 정대전형 유기감광체 - Google Patents
이층구조 정대전형 유기감광체 Download PDFInfo
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Abstract
Description
전하수송층 조성물 중의제1전하수송물질 :제2전하수송물질의중량비 | 전하발생층 조성물 중의아세테이트계 용매 :알콜계 용매의중량비 | |
실시예 1 | 5 : 5 | 3 : 7 |
실시예 2 | 3 : 7 | 3 : 7 |
비교예 1 | 1 : 0 | 3 : 7 |
비교예 2 | 0 : 1 | 3 : 7 |
비교예 3 | 1 : 0 | 7 : 3 |
비교예 4 | 0 : 1 | 7 : 3 |
실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | 비교예 2 | 비교예 3 | 비교예 4 | |
대전전위(V) | 464 | 451 | 412 | 467 | 456 | 449 |
노광전위(V) | 69 | 78 | 37 | 96 | 55 | 81 |
Claims (15)
- 전도성 지지체;상기 전도성지지체 위에 위치하며, 아세테이트계 용매에 잘 용해되는 제 1 전하수송물질, 아세테이트계 용매에 잘 용해되지 않는 제 2 전하수송물질 및 결합제수지를 포함하는 전하수송층; 및상기 전하수송층 위에 위치한 전하발생층을 포함하는 전자사진용 이층구조 정대전형 유기감광체.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전하수송물질은 화학식 1로 표시되는 전하수송물질 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기감광체.<화학식 1>화학식 1에서, R1및 R2는 각각 독립하여, 수소원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 스티릴기이고, R1및 R2중의 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 치환 또는 비치환된 스티릴기이며; R3는 치환 또는 비치환된 알킬, 치환 또는 비치환된 아르알킬, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며; R4및 R5는 각각 독립하여, 수소원자, 치환 또는 비치환된 알킬, 치환 또는 비치환된 벤질, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이며; R6은 수소원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 또는 할로겐 원자이다.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전하수송물질은 화학식 2로 표시되는 전하수송물질 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기감광체.<화학식 2>화학식2에서 n은 2 내지 6의 정수이며, R1과 R2는 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 또는 아릴기이거나, R1과 R2가 질소원자로 연결되어 링을 형성할 수 있으며; Y는 결합(bond), 탄소원자, -CR3기, 아릴기, 시클로알킬기, 또는 시클로실록실기일 수 있는데, 이때 R3은 수소원자, 알킬기, 또는 아릴기이며; X는 -(CH2)m의 화학식을 갖는 연결기(linking group)로서 m은 4 내지 10의 정수이고, 한 개 이상의 메틸렌기가 산소원자, 카르보닐기, 또는 에스테르기로 치환될 수 있다.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 전하수송물질 및 제 2 전하수송물질의 총량 중 제 1 전하수송물질의 함량은 30 내지 90 중량%인 것을 특징으로 하는 유기감광체.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전하수송층 중의 제 1 전하수송물질 및 제 2 전하수송물질의 총함량은 40 내지 60 중량%인 것을 특징으로 하는 유기감광체.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전하발생층 위에 위치한 오버코트층을 더 포함하는 유기감광체.
- 아세테이트계 용매에 잘 용해되는 제 1 전하수송물질, 아세테이트계 용매에 잘 용해되지 않는 제 2 전하수송물질, 결합제수지 및 유기용매를 포함하는 전하수송층 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전하수송물질은 화학식 1로 표시되는 전하수송물질 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 조성물.<화학식 1>화학식 1에서, R1및 R2는 각각 독립하여, 수소원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 스티릴기이고, R1및 R2중의 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 치환 또는 비치환된 스티릴기이며; R3는 치환 또는 비치환된 알킬, 치환 또는 비치환된 아르알킬, 또는 치환또는 비치환된 아릴기이며; R4및 R5는 각각 독립하여, 수소원자, 치환 또는 비치환된 알킬, 치환 또는 비치환된 벤질, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이며; R6은 수소원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 또는 할로겐 원자이다.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전하수송물질은 화학식 2로 표시되는 전하수송물질 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 조성물.<화학식 2>화학식2에서 n은 2 내지 6의 정수이며, R1과 R2는 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 또는 아릴기이거나, R1과 R2가 질소원자로 연결되어 링을 형성할 수 있으며; Y는 결합(bond), 탄소원자, -CR3기, 아릴기, 시클로알킬기, 또는 시클로실록실기일 수 있는데, 이때 R3은 수소원자, 알킬기, 또는 아릴기이며; X는 -(CH2)m의 화학식을 갖는 연결기(linking group)로서 m은 4 내지 10의 정수이고, 한 개 이상의 메틸렌기가 산소원자, 카르보닐기, 또는 에스테르기로 치환될 수 있다.
- 제 7 항에 있어서, 제 1 전하수송물질 및 제 2 전하수송물질의 총량 중 제 1 전하수송물질의 함량은 30 내지 90 중량%인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 조성물의 고형분 중의 제 1 전하수송물질 및 제 2 전하수송물질의 총함량은 40 내지 60 중량%인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 전도성지지체 표면에, 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 코팅 및 건조시켜 전하수송층을 형성하는 단계; 및상기 전하수송층의 표면에, 전하발생물질, 결합제, 알콜계 용매 및 아세테이트계 용매를 포함하는 전하발생층 조성물을 코팅 및 건조시켜 전하발생층을 형성하는 단계를 포함하는,전자사진용 이층구조 정대전형 유기감광체의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 전하발생층 조성물의 아세테이트계 용매 및 알콜계 용매의 총량 중 아세테이트계 용매의 함량은 10 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 전자사진용 이층구조 정대전형 유기감광체의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 전하발생층 조성물 중의 아세테이트계 용매 및 알콜계 용매의 총함량은 90 내지 99 중량%인 것을 특징으로 하는 전자사진 이층구조 정대전형 유기감광체의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 전하발생층의 표면에 오버코트층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 이층구조 정대전형 유기감광체의 제조 방법.
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