KR100458629B1 - 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법 및 장치 - Google Patents
전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100458629B1 KR100458629B1 KR10-1999-7001903A KR19997001903A KR100458629B1 KR 100458629 B1 KR100458629 B1 KR 100458629B1 KR 19997001903 A KR19997001903 A KR 19997001903A KR 100458629 B1 KR100458629 B1 KR 100458629B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- modulation
- phase
- pixel
- modulated
- electromagnetic waves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 70
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 47
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 40
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 23
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 18
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000003416 augmentation Effects 0.000 description 1
- 238000013475 authorization Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000005203 cap stage Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001839 endoscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012372 quality testing Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000004154 testing of material Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J2009/0211—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods for measuring coherence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
Description
Claims (34)
- 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법은- 적어도 두 개 이상의 광감지 변조 게이트 Gam및 Gbm와, 관련된 어큐뮬레이션 게이트 Ga및 Gb를 갖는 하나 이상의 픽셀을 포함하는 포토닉 혼합 요소의 표면상에 전자파가 조사되는 단계;- 변조 포토게이트 Gam및 Gbm와 변조 포토게이트 전압 Uam(t) Ubm(t)은 Uam(t)=U0+Um(t)와 Ubm(t)=U0-Um(t)의 형성에 적용되는 단계;- 어큐뮬레이션 게이트 Ga및 Gb는 변조 전압 Um(t)의 진폭과 U0의 합계의 크기만한 dc 전압으로 적용되는 단계;- 입사 전자파에 의하여 변조 포토게이트 Gam및 Gbm의 차지 영역 공간에서 발생된 차지 캐리어는 변조 포토게이트 전압 Uam(t)과 Ubm(t)의 극성에 의존하여 표류 필드의 포텐셜 기울기에 노출되고, 어큐뮬레이션 게이트 Ga및 Gb로 표류하는 단계;- 각각의 어큐뮬레이션 게이트 Ga및 Gb에 표류된 차지 qa와 qb가 꺼지게 되는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, - 휘도- 변조된 전자파는 트랜스미터에 의하여 조사되고,- 사물에 의하여 반사된 전자파는 포토닉 혼합 요소의 표면에 방사되며,- 변조 포토게이트 전압 Uam(t)과 Ubm(t)은 트랜스미터에 의하여 조사된 전자파의 위상과 관련된 고정적 위상이며,- 발생된 차지 캐리어는 푸시-풀 변조 포토게이트 전압 Uam(t)과 Ubm(t)의 위상에 의존하는 표류 필드의 포텐셜 기울기에 노출되는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 2 항에 있어서, 트랜스미터에 의하여 조사된 두 개의 다른 위상 변조 포토게이트 전압 Uam(t)과 Ubm(t)의 Δφ1,Δφ2를 변동시키고, 차지 qa1과 qb1뿐만아니라 qa2와 qb2는 제거되고, 차지 차이 (qa1- qb1)과 (qa2- qb2)가 형성되며 관련된 방정식은 아래와 같으며 ,,,상기 입사 전자파의 픽셀 위상 φopt는 트랜스미터에 의하여 조사된 전자파의 위상에 대하여 감지되고, 픽셀에 의하여 감지된 전자파의 전이 시간이 감지되는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 4개의 변조 포토게이트 Gam, Gbm, Gcm, Gdm와 4개의 관련된 어큐뮬레이션 게이트 Ga, Gb, Gc, Gd와, 트랜스미터에 의하여 조사된 전자파의 위상과 비례하는 변조 포토게이트 전압 Uam(t) = U0+ Um1(t)와 Ubm(t) = U0- Um1(t)과 Ucm(t) = U1+ Um2(t)와 Udm(t) = U1- Um2(t) 의 두개의 다른 위상과, 동시에 차지 qa, qb, qc, qd는 분리되어 제거되고, 그 방정식은이다.트랜스미터에 의하여 조시된 전자파의 φopt과 픽셀에 의하여 수신된 전자파의 전이시간이 감지되는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,- 포토닉 혼합 요소는 다수의 픽셀을 갖고,- 적어도 하나의 픽셀은 트랜스미터로 부터의 휘도 변조 전자파의 일부와 함께 조사되며,- 조사된 전자파와 변조 포토게이트 전압 Uam(t), Ubm(t)간의 위상 변동의 측정은 상기 픽셀로 측정된 위상 변동으로 부터 실행되는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, - 독립적으로 야기되고 알려지지 않은 휘도 변조를 갖는 전자파는 포토닉 혼합 요소의 표면으로 방사된다- 변조 포토게이트 Uam(t) Ubm(t)은 조정 가능한 변조 제너레이터에 의하여 발생된다.- 차지 캐리어는 푸시-풀 변조 포토게이트 전압 Uam(t)과 Ubm(t)의 위상을 기반으로 하는 표류 필드의 포텐셜 기울기에 노출된다.- 포토닉 혼합 요소와 변조 제너레이터는 적어도 하나의 위상-로크 루프를 형성하고, 전자파는 로크-인 방법으로 측정되는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 연속적이거나 비연속적인 HF-변조, 푸세이도(pseudo)-소음 변조 또는 처프 변조는 주기적인 변조로 사용되는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 변조는 HF-변조이고, 바람직하게는 위상 변동 Δφ=0°/180°와 90°/270°을 위한 차지 qa,qb,qc,qd가 제거되는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 정상상태 변조는 시간설정에 대하여 일정한 값으로 설정가능한 변조 dc 볼테이지Umo와 차지 qa와 qb의 차로부터 얻어지는 디퍼런스 이미지를 갖는 변조 포토게이트 볼테이지 Uam= U0+ Um0와 Ubm= U0- Um0를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 누적 게이트Ga와 Gb보다 낮은 값을 갖는 차지 qa와 qb는 하나로 합쳐져서 다양한 구조, 바람직하기로는 CCD 구조로 읽을 수 있게 된 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 누적게이트 Ga와 Gb는 pn 다이오드 형태로 사용하되, 바람직하기로는 블럭화된 저커패시티 pn 다이오드와 CMOS를 사용하고, 차지 qa와 qb, 그리고 qc와 qd는 볼테이지나 전류 형태로 직접 읽을 수 있게 한 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 픽셀 위상 또는 픽셀 트랜시트 타임과 픽셀 휘도는 활성 픽셀 센서 구조(APS)를 이용하여 직접 확인할 수 있고, 바람직하기로는 on-칩을 이용하여 선택적으로나 연속적으로 읽을 수 있게 한 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 픽셀 휘도는 각각 그레이 이미지의 누적 게이트에 대한 차지의 합으로서 각각 측정가능한 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 배경조명 또는 외부의 비변조된 부수적인 조명의 경우에 상기 그레이 이미지 차이는 변조된 조명이 켜지거나 반대로 꺼져 있을 때에 그 반대되는 보정변수를 이용하는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 복수로 분리된 복합 요소는 선형, 표면 또는 공간적인 어레이로 사용하는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 제 15 항에 있어서, 적어도 하나의 픽셀은 조명으로부터 나오는 높게 변조된 전자기파의 일부를 직접 방사하고 적어도 하나의 픽셀에 대한 측정은 다른 위상과 휘도를 측정하여 이용하되, 상기 기준 픽셀(들)은 명암이 다른 레벨 또는 다른 셋의 레벨을 갖는 트랜스미터를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법.
- 적어도 하나의 픽셀(1)과; 적어도 2개의 광감지 변조 포토게이트(Gam, Gbm)과; 그리고, 상기 변조 게이트(Gam, Gbm)의 조합과 입사된 전자기파와 관련되어 차단시켜 주는 누적 게이트(Ga, Gb)로 구성된 포토닉 복합 요소로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 미들 게이트(G0)는 변조 게이트(Gam, Gbm) 사이에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 픽셀(1)은 4개가 대칭으로 배치된 변조 포토게이트(Gam,Gbm,Gcm, Gdm)과 누적게이트(Ga,Gb,Gc,Gd)를 갖는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 누적 게이트(Ga,Gb,Gc,Gd)는 pn다이오드 형태로 형성되어 있으며, 바람직하기로는 블럭화되어 저용적 pn-다이오드 형태나 CMOS 형태로 형성되고, 상기 차지(qa,qb,qc,qd)는 직접 볼테이지나 전류를 읽을 수 있게 한 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 최대 변조 속도를 향상시키기 위하여 상기 픽셀은 GaAs를 이용하여 제작되어 있으며, 더욱 바람직하기로는 매립체널형(매립형 n-체널)로 드리프트 필드를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 픽셀(1)은 분리할 수 있는 픽셀로 연결된 시그날 공정과 선형 또는 매트릭스와 연관된 시그날 공정을 포함하는 활성 픽셀 센서 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항 내지 제 22 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 음영은 변조 포토게이트의 테두리 영역으로 확장되는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 적어도 2개의 포토닉 복합 요소를 갖는 복합 요소 배열에 있어서, 상기 포토닉 복합 요소는 1차원, 2차원, 또는 3차원으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 24 항에 있어서, 상기 변조 포토게이트(Gam,n,Gam,n+1)와 (Gbm,n,Gbm,n+1)는 각각 주변에 인접하게 배열된 2개와 함게 상관하고, 서로 다른 픽셀(n,n+1)은 각각 공통의 누적 게이트(Gs)을 가지고 있으며, 상기 변조 포토게이트(Gam,n,Gam,n+1)와 (Gbm,n,Gbm,n+1)는 각각 동일한 변조 포토게이트의 볼테이지Uam(t)와 Uam(t)에 의해 동작하는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 24 항에 있어서, 상기 복합 요소 배열에는 직접 방사하는 장치가 구비되어 있어 있되, 이 장치는 리퍼런스 픽셀로서 적어도 하나의 픽셀(1)을 포함하되, 해를 구하기 위해 트랜스미터에서 직접 픽셀에 방사된 고변조 전자기파의 일부를 이용하는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 26 항에 있어서, 상기 직접 방사를 위한 장치는 직접 방사로부터 얻어지는 강도에 대한 공간/시간을 대신하는 변수가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 27 항에 있어서, 1차원 또는 다차원의 복합 요소 배열에 있어서, 상기 픽셀(1)은 실리콘재(2) 상에 MOS로 구체화되고 바람직하기로는 CCD 구조와 같은 복합구조로 읽을 수 있게 한 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 17 항 또는 제 24 항에 있어서, 상기 복합 요소 배열에는 마이크로렌즈 광학장치가 구비되어 있되, 상기 광학장치는 크기를 줄일 수 있도록 입사된 방사가 복합 요소의 중앙으로 집중되도록 마이크로렌즈로 이미지를 기록하는데 사용하는 각각의 복합 요소를 산출할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치는- 장치 청구범위 17항에서 23 항중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 포토닉 혼합 요소를 가지며,- 변조 제너레이터(10,13)를 가지며,- 변조 제너레이터(10,13)에 의하여 휘도-변조된 조사된 전자파를 갖는 트랜스미터(4),- 사물(6)에 의하여 반사된 전자파가 상기 포토닉 혼합 요소의 표면으로 방사되며,- 트랜스미터로 부터 조사된 전자파의 위상에 관하여 미리 설정된 위상관계에 있는 변조 전압 Um(t)을 갖는 포토닉 혼합 요소를 공급하는 변조 제너레이터(10,13)는 이루어진 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 30 항에 있어서, 상기 장치는 제 24 항에서 29항중 하나의 항에 따른 광학 시스템(7)과 혼합 요소 배열로 이루어지고, 상기 광학 시스템(7)은 혼합 요소 배열 또는 혼합요소의 표면상에 반사된 전자파의 화상을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서, 차이 신호용 전자 평가와 신호처리 시스템, 합계 신호와 관련된 기준 신호, 그레이 값 화상을 위한 디지탈 메모리와 전이 시간 또는 거리 화상, 변조된 전자파를 갖는 3차원 모습을 비추기 위한 트랜스미터, 광학 수신 시스템에 대응하는 조절 가능한 광학 전달 시스템, 콤팩트 단위의 형성에 있어 3차원 디지탈 포토그래픽을 형성하는 광학 수신 시스템과 관련된 혼합요소 배열이 제공되는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서, 3차원으로 기록하는 디지탈 비디오 카메라를 형성하기 위하여 광학 수신 시스템과 관련된 혼합 요소 배열, 차이 신호용 전자 평가와 신호 처리 시스템, 합계 신호와 관련된 기준 신호, 그레이 값 화상 이미지와 전이 시간 또는 거리 화상을 위한 디지탈 메모리, 변조된 전자파를 갖는 3차원 모습을 조사하는 트랜스미터와, 광학 수신 시스템에 대응하는 조절 가능한 트랜스미팅 시스템이 제공되고, 디지탈 이미지 시퀀스의 저장을 위한 메모리 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
- 제 30 항에 있어서, 상기 트랜스미터는 칼라 화상 또는 칼라 화상 요소를 발생시키기 위한 다양한 스펙트랄 영역에서 광파가 발산되도록 하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자파의 위상 정보를 감지하는 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1999-7001903A KR100458629B1 (ko) | 1999-03-05 | 1997-09-05 | 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1999-7001903A KR100458629B1 (ko) | 1999-03-05 | 1997-09-05 | 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법 및 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000068490A KR20000068490A (ko) | 2000-11-25 |
KR100458629B1 true KR100458629B1 (ko) | 2004-12-03 |
Family
ID=49516311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-1999-7001903A Expired - Lifetime KR100458629B1 (ko) | 1999-03-05 | 1997-09-05 | 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법 및 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100458629B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8369575B2 (en) | 2009-05-14 | 2013-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | 3D image processing method and apparatus for improving accuracy of depth measurement of an object in a region of interest |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100432982B1 (ko) * | 2002-03-20 | 2004-05-24 | 오흥국 | 물을 이용한 회전 전자파 측정 방법 |
-
1997
- 1997-09-05 KR KR10-1999-7001903A patent/KR100458629B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8369575B2 (en) | 2009-05-14 | 2013-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | 3D image processing method and apparatus for improving accuracy of depth measurement of an object in a region of interest |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000068490A (ko) | 2000-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4060365B2 (ja) | 電磁波の位相情報および/または振幅情報を調べるための方法と装置 | |
US11467286B2 (en) | Methods and systems for high-resolution long-range flash lidar | |
EP1612511B1 (en) | TOF rangefinding with large dynamic range and enhanced background radiation suppression | |
JP5066735B2 (ja) | 電磁波の位相及び振幅を検出するための装置並びに方法 | |
US7462808B2 (en) | Method and device for redundant distance measurement and mismatch cancellation in phase-measurement systems | |
RU99106432A (ru) | Способ и устройство для определения информации об амплитуде и фазе электромагнитной волны | |
US20110051121A1 (en) | Telescope with a wide field of view internal optical scanner | |
CN112444818A (zh) | 一种激光雷达 | |
JP2004525351A (ja) | 量子効率変調を用いたcmosコンパチブルの三次元イメージセンシングのためのシステム | |
US7417744B2 (en) | Coherent hybrid electromagnetic field imaging | |
Schwarte et al. | New optical four-quadrant phase detector integrated into a photogate array for small and precise 3D cameras | |
KR100458629B1 (ko) | 전자파의 진폭정보와 위상을 감지하는 방법 및 장치 | |
US20250224496A1 (en) | Time-of-flight demodulation circuitry and time-of-flight demodulation method | |
Schmackers et al. | Landmark based fast positioning for sensor data fusion—Receiver design and measurement results | |
Luan | Experimentelle Untersuchungen des Photomischdetektors (PMD) und Entwicklung der PMD-basierten 3D-TOF-Entfernungsmesssysteme | |
Piatek | Lidar and other techniques | |
HK1023177A (en) | Method and device for determining the phase and/or amplitude data of an electromagnetic wave | |
Wei | Advancements in Short-Wave (SWIR) Light Detection and Ranging (LiDAR) Technology: Flash and Scanning LiDAR systems | |
Hossain et al. | Current assisted photonic mixing demodulator implemented in 0.18 μm standard CMOS technology | |
EP2138865A1 (en) | Method and device for recording 3D images of a scene | |
IL307724A (en) | Laser imaging system and method | |
Gulden et al. | Novel optical distance sensor based on MSM technology | |
Hossain et al. | A 3D image sensor based on current assisted photonic mixing demodulator in 0.18 µm CMOS technology | |
Grootjans et al. | Analysis of non-ideal behavior of CAPD based time-of-flight pixels | |
SPICKERMANN | TERAHERTZ IMAGING: Terahertz imaging uses a demodulating detector array A new approach to electro-optic terahertz imaging uses a time-of-flight camera as a demodulating detector array, eliminating the need for amplified laser sources. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 19990305 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20020905 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20040525 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20040907 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20041117 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20041118 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20071026 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20081027 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20091116 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20101109 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20111109 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121109 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20121109 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131107 Year of fee payment: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20131107 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141107 Year of fee payment: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141107 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151105 Year of fee payment: 12 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151105 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161104 Year of fee payment: 13 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20161104 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
EXPY | Expiration of term | ||
PC1801 | Expiration of term |
Termination date: 20180305 Termination category: Expiration of duration |