KR100408566B1 - Apparatus For Cleaning Quartz Tube - Google Patents
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Abstract
본 발명은 퀄츠 튜브 세정장치를 개시한다. 이에 의하면, 본체의 내부 저면에 케미컬 세정조와 탈이온수 세정조가 설치되고, 상기 케미컬 세정조와 탈이온수 세정조 사이에서 퀄츠 튜브를 이동하기 위한 로봇암이 설치되고, 상기 케미컬 세정조 근처의 본체 측벽에 배기구가 설치되고, 상기 본체의 도아 근처의 내측벽에 가스 분사부가 설치된다.The present invention discloses a quartz tube cleaner. According to this, a chemical cleaning tank and a deionized water cleaning tank are installed on the inner bottom of the main body, a robot arm for moving the quality tube between the chemical cleaning tank and the deionized water cleaning tank is installed, and an exhaust port is provided on the side wall of the main body near the chemical cleaning tank. Is provided, and the gas injection part is provided in the inner wall near the door of the said main body.
따라서, 상기 가스 분사부의 노즐을 거쳐 질소가 분사되면, 상기 케미컬 세정조 내의 케미컬로부터 증발한 케미컬 증기가 상기 배기구를 거쳐 강제로 배기되어서 상기 본체 내에 케미컬 증기가 거의 잔존하지 않게 된다. 그러므로, 상기 본체 내에서 세정 및 건조과정이 완료된 퀄츠 튜브가 케미컬 증기로부터 오염되지 않는다. 또한, 본체의 내부 오염이나 로봇암과 같은 금속 부분의 부식이 발생하지 않는다. 또한, 퀄츠 튜브의 재세정 횟수가 감소하고 그에 따른 탈이온수의 사용량이 절감되고 원가 절감이 가능해지며, 세정 시간이 단축되고 설비의 가동율이 증가한다. 또한, 작업 환경이 개선되고 주변 환경 오염이 방지될 수 있다.Therefore, when nitrogen is injected through the nozzle of the gas injector, the chemical vapor evaporated from the chemical in the chemical cleaning tank is forcibly exhausted through the exhaust port so that almost no chemical vapor remains in the main body. Therefore, the quartz tube having been cleaned and dried in the main body is not contaminated from chemical vapor. In addition, internal contamination of the main body or corrosion of metal parts such as robot arms does not occur. In addition, the frequency of re-cleaning of the quartz tube is reduced, thereby reducing the amount of deionized water used, reducing the cost, reducing the cleaning time, and increasing the operation rate of the equipment. In addition, the working environment can be improved and environmental pollution can be prevented.
Description
본 발명은 퀄츠 튜브 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 케미컬 세정조(Chemical Bath)로부터 증발하여 본체 내에 잔존하는 케미컬의 증기(Fume)를 가스 분사에 의해 외부로 배기시킴으로써 케미컬의 증기로 인한 퀄츠 튜브의 오염을 방지하도록 한 퀄츠 튜브 세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a quartz tube cleaning device. More specifically, the chemical vapors are evacuated from a chemical bath and exhausted to the outside by gas injection. The present invention relates to a quartz tube cleaning device for preventing contamination of the tube.
일반적으로, 반도체 제조라인의 메인(main) 설비들에 부수적으로 설치되는 서브(sub) 설비들의 종류가 다양하다. 이러한 서브 설비들은 메인 설비들 자체에 설치되지 않으면서도 외적으로 반도체 소자의 특성에 영향을 미치는 요소를 많이 갖고 있다. 이러한 연유로 인해 메인 설비들 자체에 설치되는 부품들 또한 중요한역할을 하고 있다.In general, there are various kinds of sub equipments which are incidentally installed in the main equipments of the semiconductor manufacturing line. These sub-equipments have many factors that affect the characteristics of the semiconductor device externally without being installed in the main facilities themselves. For this reason, the parts installed in the main facilities themselves also play an important role.
이러한 부품들 중에서 확산, 산화 및 화학기상증착용 퀄츠 튜브들 또한 중요한 역할을 하므로 가능한 한 퀄츠 튜브들을 깨끗한 상태로 유지시켜주는 것이 필요하다. 그런데, 확산, 산화, 화학기상증착용 설비의 가동시간이 길어짐에 따라 퀄츠 튜브의 내벽은 반응가스를 포함한 반응 부산물 등의 여러 가지 불순물에 의해 오염되므로 설비의 공정 신뢰성을 확보하기 위해 설비의 일정한 가동시간이 경과하면, 퀄츠 튜브의 세정작업이 습식 세정장치에 의해 실시되고 있다.Among these components, quartz tubes for diffusion, oxidation and chemical vapor deposition also play an important role, so it is necessary to keep them as clean as possible. However, as the operating time of the equipment for diffusion, oxidation, and chemical vapor deposition increases, the inner wall of the quartz tube is contaminated by various impurities such as reaction by-products including reaction gas, so that the operation of the equipment is uniformly performed to secure process reliability. As time passes, cleaning of the quartz tube is performed by a wet cleaning device.
종래의 퀄츠 튜브 세정장치(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 습식 세정을 위한 내부 공간을 확보한 본체(11)의 전방부에 상하 개폐식 도아(12)가 설치되고, 상기 본체(11)의 저면부에서 상기 도아(12)에 근접한 위치에 탈이온수(Deionized Water) 세정조(13)가 설치되고 상기 도아(12)로부터 상기 탈이온수 세정조(13) 보다 원접한 위치에 케미컬 세정조(15)가 설치된다. 또한, 상기 케미컬 세정조(15)에 근접한 위치의 본체(11)의 측벽에 배기구(17)가 설치된다.As shown in FIG. 1, the conventional quartz tube cleaning device 10 is provided with a vertical opening / closing door 12 at a front portion of a main body 11 having an internal space for wet cleaning, and the main body 11. A deionized water washing tank 13 is installed at a position near the doa 12 at a bottom portion of the chemically-reduced water tank, and a chemical washing tank is located at a position closer to the deionized water washing tank 13 than the doa 12. 15) is installed. In addition, an exhaust port 17 is provided on the side wall of the main body 11 at a position close to the chemical cleaning tank 15.
또한, 로봇암(Robot Arm)(17)이 상기 본체(11)의 상측벽에 설치되며, 수직 상하 및 수평 전후 방향으로 이동한다. 또한, 퀄츠 튜브(도시 안됨)를 담을 바스켓(18)이 평상시에는 탈이온수 세정조(13)로부터 상측으로 일정 높이에 위치하며 상기 로봇암(18)에 걸쳐진다.In addition, the robot arm 17 is installed on the upper wall of the main body 11, and moves in the vertical vertical and horizontal directions. In addition, a basket 18 to hold a quartz tube (not shown) is normally positioned at a predetermined height upward from the deionized water washing tank 13 and spans the robot arm 18.
여기서, 상기 탈이온수 세정조(13)는 오버 플로우(Over Flow) 방식, 즉 탈이온수(14)를 세정조(13)의 하측방향에서 상측방향으로 흐르게 함으로써 세정조(13)를 넘치게 하는 방식의 세정조이다. 상기 케미컬 세정조(15)에는 케미컬(16), 예를들어 탈이온수와 질산용액 및 불산용액이 동일 비율로 혼합된 케미컬이 일정 높이만큼 담겨진다.Here, the deionized water washing tank 13 is an overflow method, that is, the deionized water 14 flows from the lower side of the washing tank 13 in the upper direction to overflow the washing tank 13. It is a washing tank. The chemical cleaning tank 15 contains chemicals 16, for example, chemicals in which deionized water, nitric acid solution and hydrofluoric acid solution are mixed in the same ratio.
그런데, 종래의 퀄츠 튜브 세정장치의 경우, 오염된 퀄츠 튜브의 세정을 위해 케미컬 세정조(15)의 커버(도시 안됨)가 개방되어 있기 때문에 케미컬(16)의 증기가 증발한다. 상기 증발한 케미컬의 증기를 제거하기 위한 배기관(19)의 배기구(19a)가 상기 케미컬 세정조(15) 근처의 본체(11)의 후방 측벽에 설치된다.By the way, in the conventional quartz tube cleaning apparatus, since the cover (not shown) of the chemical cleaning tank 15 is opened for cleaning the contaminated quartz tube, the vapor of the chemical 16 evaporates. An exhaust port 19a of the exhaust pipe 19 for removing the vaporized chemical vapor is provided on the rear side wall of the main body 11 near the chemical cleaning tank 15.
그러나, 상기 케미컬 세정조(15)의 커버가 개방될 때, 상기 커버가 상기 배기구(19a)가 설치된 본체(11)의 내측면을 덮기 때문에 상기 본체(11) 내의 케미컬 증기가 상기 배기구(19a)를 거쳐 배기관(19)으로 충분히 배기되기 어려워 상기 본체(11)의 내부 공간에 잔존한다. 이로써, 상기 잔존하는 케미컬의 증기가 본체(11)의 내부를 오염시키거나 상기 본체(11) 내의 로봇암(17)과 같은 금속 성분을 부식시킨다.However, when the cover of the chemical cleaning tank 15 is opened, since the cover covers the inner surface of the main body 11 in which the exhaust port 19a is installed, the chemical vapor in the main body 11 is discharged to the exhaust port 19a. It is difficult to be sufficiently exhausted to the exhaust pipe 19 via the gas and remains in the internal space of the main body 11. As a result, the remaining chemical vapor contaminates the inside of the body 11 or corrodes a metal component such as the robot arm 17 in the body 11.
또한, 상기 로봇암(17)이 상기 케미컬 세정조(15)에서 탈이온수 세정조(13)로 이동할 때 상기 배기구(19a)의 위치가 상기 본체(11)의 내측 저면에서 상측으로 너무 낮게 위치하여서 상기 로봇암(17)의 부분이 케미컬 증기에 의해 오염되기 쉽다.In addition, when the robot arm 17 moves from the chemical cleaning tank 15 to the deionized water cleaning tank 13, the position of the exhaust port 19a is located too low upward from the inner bottom of the main body 11, Portions of the robot arm 17 are likely to be contaminated by chemical vapors.
더욱이, 상기 잔존하는 케미컬의 증기가 상기 본체(11)의 내부에서 건조 완료된 퀄츠 튜브를 오염시킬 가능성이 높으므로 상기 퀄츠 튜브의 세정작업을 재실시하지 않으면 안되는 횟수가 많아진다. 이는 퀄츠 튜브의 재세정에 따른 탈이온수의 사용량 증가를 가져오고 나아가 원가 상승을 가져온다. 또한 세정 시간의 증가를 가져와 세정 장비의 잦은 예방 정비(Preventive Maintenance: PM)를 초래하고 그에 따른 세정 장비의 가동 중단이 잦아지고 가동율 저하를 가져온다. 또한, 상기 케미컬 증기의 냄새가 작업자의 건강에 악영향을 줄 뿐만 아니라 작업 환경의 악화 및 주변 환경 오염의 주요 원인으로 작용하기도 한다.Furthermore, since the residual chemical vapor is likely to contaminate the dried quality tube inside the main body 11, the number of times that the cleaning operation of the quality tube has to be performed again increases. This leads to an increase in the use of deionized water due to the re-cleaning of the quartz tube, which leads to an increase in cost. It also increases the cleaning time, resulting in frequent preventive maintenance (PM) of the cleaning equipment, resulting in frequent downtime and lowering of the cleaning equipment. In addition, the smell of the chemical vapor not only adversely affects the health of the worker, but also acts as a major cause of deterioration of the working environment and environmental pollution.
따라서, 본 발명의 목적은 본체 내의 잔존하는 케미컬 증기를 강제로 본체의 배기구를 거쳐 외부로 배기시켜 줌으로써 케미컬 증기로 인한 퀄츠 튜브의 오염을 방지하도록 한 퀄츠 튜브 세정장치를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a quartz tube cleaning apparatus which prevents contamination of the quartz tube due to chemical vapor by forcibly evacuating the chemical vapor remaining in the main body to the outside through the exhaust port of the main body.
본 발명의 다른 목적은 잔존하는 케미컬 증기로 인하여 오염된 퀄츠 튜브의 재세정 작업의 횟수를 줄여 탈이온수의 사용량을 줄이도록 한 퀄츠 튜브 세정장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a quartz tube cleaning apparatus which reduces the number of deionized water by reducing the number of re-cleaning operations of the quartz tube contaminated by the remaining chemical vapor.
본 발명의 또 다른 목적은 퀄츠 튜브의 세정 시간을 단축하여 예방 정비의 횟수를 줄이고 설비 가동율을 향상시키도록 한 퀄츠 튜브 세정장치를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a quartz tube cleaning device which shortens the cleaning time of the quartz tube, thereby reducing the number of preventive maintenance and improving the facility operation rate.
본 발명의 또 다른 목적은 케미컬 증기에 의한 본체의 오염 및 부식을 방지하도록 한 퀄츠 튜브 세정장치를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a quartz tube cleaning device for preventing contamination and corrosion of the main body by chemical vapor.
본 발명의 또 다른 목적은 케미컬 증기에 의한 작업 환경의 악화 및 주변 환경의 오염을 개선하도록 한 퀄츠 튜브 세정장치를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a quality tube cleaning apparatus for improving the deterioration of the working environment and contamination of the surrounding environment by chemical vapor.
도 1은 종래 기술에 의한 퀄츠 튜브 세정장치를 나타낸 개략 구성도.1 is a schematic configuration diagram showing a conventional tube cleaning device according to the prior art.
도 2는 본 발명에 의한 퀄츠 튜브 세정장치를 나타낸 개략 구성도.Figure 2 is a schematic block diagram showing a quartz tube cleaning device according to the present invention.
도 3은 도 2의 질소 분사부를 나타낸 상세 확대도.Figure 3 is an enlarged detail showing the nitrogen injection unit of FIG.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 퀄츠 튜브 세정장치는The quartz tube cleaning device according to the present invention for achieving the above object is
습식 세정을 위한 내부 공간을 확보하며, 개폐용 도아를 갖는 본체; 상기 본체의 저면부에 설치된 탈이온수 세정조; 상기 본체의 저면부에 설치되며 상기 탈이온수 세정조보다 상기 도아로부터 멀리 떨어져 위치하는 케미컬 세정조; 상기 본체의 내부에 설치되며, 상기 탈이온수 세정조와 상기 케미컬 세정조 사이에서 퀄츠 튜브를 이동하는 로봇암; 상기 케미컬 세정조 근처의 상기 본체의 측벽에 형성된 배기구; 및 상기 본체 내의 소정의 부분에 설치되며, 상기 케미컬 세정조로부터 증발한 케미컬 증기를 상기 배기구를 거쳐 배기시켜 주기 위한 소정의 가스를 분사하는 가스 분사부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A main body having an opening for opening and closing to secure an internal space for wet cleaning; Deionized water washing tank installed in the bottom portion of the main body; A chemical cleaning tank installed at the bottom of the main body and located farther from the door than the deionized water cleaning tank; A robot arm installed inside the main body and moving a quartz tube between the deionized water washing tank and the chemical washing tank; An exhaust port formed on a side wall of the main body near the chemical cleaning tank; And a gas injecting unit installed at a predetermined portion in the main body and injecting a predetermined gas for exhausting the chemical vapor evaporated from the chemical cleaning tank through the exhaust port.
바람직하게는 상기 가스 분사부가 상기 도아 상측에 위치한 상기 본체의 내측벽면에 설치되며, 상기 가스를 분사하기 위한 노즐들을 가질 수 있다.Preferably, the gas injection unit may be installed on an inner wall surface of the main body located above the door, and may have nozzles for injecting the gas.
또한, 상기 가스 분사부가 상기 노즐들을 거쳐 질소 가스를 분사하는 것이 가능하다.It is also possible for the gas injector to inject nitrogen gas via the nozzles.
또한, 상기 가스 분사부와 연결된, 상기 본체의 외부의 가스 공급관에 상기 가스의 공급/중단을 하기 위한 레귤레이터가 설치될 수 있다.In addition, a regulator for supplying / stopping the gas may be installed in a gas supply pipe outside the main body connected to the gas injection unit.
이하, 본 발명에 의한 퀄츠 튜브 세정장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일 구성 및 동일 작용의 부분에는 동일 부호를 부여한다.Hereinafter, the quartz tube cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same code | symbol is attached | subjected to the part of the same structure and the same action as the conventional part.
도 2는 본 발명에 의한 퀄츠 튜브 세정장치를 나타낸 개략 구성도이고, 도 3은 도 2의 질소 분사부를 나타낸 상세 확대도이다. 종래의 부분과 동일 구성 및 동일 작용의 부분에는 동일 부호를 부여한다.Figure 2 is a schematic configuration diagram showing a quartz tube cleaning apparatus according to the present invention, Figure 3 is a detailed enlarged view showing the nitrogen injection unit of FIG. The same code | symbol is attached | subjected to the part of the same structure and the same action as the conventional part.
도 2를 참조하면, 본 발명의 퀄츠 튜브 세정장치(20)는 습식 세정을 위한 내부 공간을 확보한 본체(11)의 전방부에 상하 개폐식 도아(12)가 설치되고, 상기 본체(11)의 저면부에서 상기 도아(12)에 근접한 위치에 탈이온수 세정조(13)가 설치되고 상기 도아(12)에 원접한 위치에 케미컬 세정조(15)가 설치된다. 또한, 상기 케미컬 세정조(15)에 근접한 위치의 본체(11)의 측벽에 배기구(17)가 설치된다. 여기서, 상기 탈이온수 세정조(13)는 오버 플로우(Over Flow) 방식, 즉 탈이온수(14)를 세정조(13)의 하측방향에서 상측방향으로 흐르게 함으로써 세정조(13)를 넘치게 하는 방식의 세정조이다. 상기 케미컬 세정조(15)에는 케미컬(16), 예를 들어 탈이온수와 질산용액 및 불산용액이 동일 비율로 혼합된 케미컬이 일정 높이만큼 담겨진다.Referring to FIG. 2, the quartz tube cleaning device 20 of the present invention is provided with a vertical opening / closing door 12 at the front of the main body 11 having an internal space for wet cleaning. The deionized water washing tank 13 is installed at a position close to the door 12 at the bottom portion, and a chemical washing tank 15 is installed at a position in contact with the door 12. In addition, an exhaust port 17 is provided on the side wall of the main body 11 at a position close to the chemical cleaning tank 15. Here, the deionized water washing tank 13 is an overflow method, that is, the deionized water 14 flows from the lower side of the washing tank 13 in the upper direction to overflow the washing tank 13. It is a washing tank. The chemical cleaning tank 15 contains chemicals, for example, deionized water, a nitric acid solution, and a hydrofluoric acid solution at a predetermined height.
또한, 로봇암(Robot Arm)(17)이 상기 본체(11)의 상측벽에 설치되며, 수직 상하 및 수평 전후 방향으로 이동한다. 또한, 퀄츠 튜브(도시 안됨)를 담을 바스켓(18)이 평상시에는 탈이온수 세정조(13)로부터 상측으로 일정 높이에 위치하며 상기 로봇암(18)에 걸쳐진다. 상기 본체(11) 내의 잔존한 케미컬의 증기를 제거하기 위한 배기관(19)의 배기구(19a)가 상기 케미컬 세정조(15) 근처의 본체(11)의 후방 측벽에 설치된다.In addition, the robot arm 17 is installed on the upper wall of the main body 11, and moves in the vertical vertical and horizontal directions. In addition, a basket 18 to hold a quartz tube (not shown) is normally positioned at a predetermined height upward from the deionized water washing tank 13 and spans the robot arm 18. An exhaust port 19a of the exhaust pipe 19 for removing the residual chemical vapor in the main body 11 is provided on the rear side wall of the main body 11 near the chemical cleaning tank 15.
또한, 가스 분사부(21)가 내화학성 재질의 관 형상으로 구성되며 상기도아(12)의 상측에 위치한, 상기 본체(11)의 전방 내측벽에 설치된다. 상기 가스 분사부(21)의 길이 방향을 따라 노즐(22)이 예를 들어 20mm의 간격을 두고 0.5mm의 직경으로 형성된다. 상기 가스 분사부(21)는 노즐(22)을 거쳐 예를 들어 질소(N2) 가스를 분사함으로써 상기 본체(11) 내의 잔존하는 케미컬의 증기를 상기 배기구(19a)를 거쳐 상기 배기관(19)으로 강제로 배기하여준다. 물론, 상기 가스의 분사를 필요한 때에만 실시하기 위해 상기 가스 분사부(21)에 연결된, 상기 본체(11) 외부의 가스 공급관(23)에 레귤레이터(24)가 설치된다.In addition, the gas injection unit 21 is formed in a tubular shape of a chemical resistant material and is installed on the front inner wall of the main body 11 located above the door 12. Along the longitudinal direction of the gas injection section 21, the nozzles 22 are formed with a diameter of 0.5 mm at intervals of 20 mm, for example. The gas injector 21 injects nitrogen (N 2 ) gas through the nozzle 22, for example, to exhaust the chemical vapor remaining in the main body 11 through the exhaust port 19a through the exhaust pipe 19. Forced exhaust. Of course, the regulator 24 is installed in the gas supply pipe 23 outside the main body 11, which is connected to the gas injection unit 21, to perform the injection of the gas only when necessary.
이와 같이 구성되는 본 발명의 퀄츠 튜브 세정장치를 이용한 세정과정을 살펴보면, 먼저, 세정 작업이 진행되지 않은 평상시에는 본체(11)의 도아(12)가 닫혀 있고 케미컬 세정조(15)가 커버(도시 안됨)에 의해 닫혀져 있다.Looking at the cleaning process using the quartz tube cleaning apparatus of the present invention configured as described above, first, the door 12 of the main body 11 is normally closed and the chemical cleaning tank 15 is covered (not shown). Not closed).
이후, 확산공정이나 화학기상증착공정에 의해 오염된 퀄츠 튜브(도시 안됨)의 세정을 실시하기 위해 작업자가 상기 도아(11)를 개방하고 로봇암(17)에 걸쳐진 바스켓(18)에 상기 퀄츠 튜브를 담아 놓고 나서 상기 도아(12)를 닫는다. 이때, 상기 케미컬 세정조(15)의 커버가 개방된다.Thereafter, the operator opens the door 11 and cleans the quartz tube in the basket 18 over the robot arm 17 to clean the quartz tube contaminated by the diffusion process or the chemical vapor deposition process. After holding the door 12 is closed. At this time, the cover of the chemical cleaning tank 15 is opened.
이어서, 상기 로봇암(17)이 수직 하향 이동하여 탈이온수 세정조(13)의 탈이온수(14)에 상기 퀄츠 튜브를 완전히 넣어줌으로써 상기 퀄츠 튜브에 묻은 먼지와 같은 오염물질이 오버플로우 방식으로 제거된다.Subsequently, the robot arm 17 moves vertically downward to completely insert the quartz tube into the deionized water 14 of the deionized water washing tank 13 to remove contaminants such as dust from the quartz tube in an overflow manner. do.
상기 탈이온수 세정이 완료되고 나면, 상기 로봇암(17)이 수직 상향 이동하여 탈이온수 세정조(13)로부터 상기 퀄츠 튜브를 완전히 벗어나게 한 후 케미컬 세정조(15)로 수평 전진 이동하고 나서 수직 하강 이동하여 상기 퀄츠 튜브를 상기 케미컬 세정조(13)의 케미컬(14)에 넣고 예를 들어 20분 정도의 시간동안 세정한다. 따라서, 상기 오염된 부분의 퀄츠 튜브가 식각되면서 상기 불순물이 제거되므로 상기 퀄츠 튜브의 케미컬 세정이 이루어진다.After the deionized water washing is completed, the robot arm 17 moves vertically upward to completely escape the quartz tube from the deionized water washing tank 13 and then moves forward horizontally to the chemical washing tank 15 and then vertically descends. It moves and puts the said quality tube into the chemical 14 of the said chemical washing tank 13, and wash | cleans for about 20 minutes, for example. Accordingly, the impurities are removed while the contaminated portion of the quartz tube is etched, thereby chemical cleaning of the quartz tube.
상기 케미컬 세정이 완료되면, 상기 로봇암(17)이 수직 상향 이동하여 상기 케미컬 세정조(13)로부터 상기 퀄츠 튜브를 벗어나게 한 후 상기 탈이온수 세정조(13)로 수평 후진 이동하고 나서 수직 하향 이동하여 상기 탈이온수 세정조(13)의 탈이온수(14)에 넣고 예를 들어 1시간 정도의 시간동안 세정한다. 따라서, 상기 퀄츠 튜브에 묻어 있던 케미컬이 제거되므로 상기 퀄츠 튜브의 탈이온수 세정이 이루어진다.When the chemical cleaning is completed, the robot arm 17 moves vertically upward to move out of the quartz tube from the chemical cleaning tank 13 and then moves horizontally backward to the deionized water cleaning tank 13 and then moves vertically downward. Into the deionized water 14 of the deionized water washing tank 13, for example, it is washed for about 1 hour. Therefore, since the chemical deposited on the quartz tube is removed, deionized water cleaning of the quartz tube is performed.
상기 탈이온수 세정이 완료되고 나면, 상기 로봇암(17)이 수직 상향 이동하여 탈이온수 세정조(13)로부터 상기 퀄츠 튜브를 꺼집어낸 후 일정 시간동안 자연 건조시킨다.After the deionized water washing is completed, the robot arm 17 moves vertically upward to take out the quartz tube from the deionized water washing tank 13 and then naturally dry for a predetermined time.
한편, 상기 오염된 퀄츠 튜브의 세정을 위해 케미컬 세정조(15)의 커버가 개방되고 나면, 상기 케미컬 세정조(15)의 케미컬(16)이 증발하기 시작한다. 이때, 본 발명의 가스 분사부(21)가 노즐(22)을 거쳐 예를 들어 질소(N2) 가스를 분사하므로 상기 증발된 케미컬(16)의 증기가 상기 배기구(19a)를 거쳐 배기구(19)로 강제적으로 배기된다. 물론, 상기 질소가스를 대신할 수 있는 불활성 가스들이 사용되는 것도 가능하다.On the other hand, after the cover of the chemical cleaning tank 15 is opened for cleaning the contaminated quartz tube, the chemical 16 of the chemical cleaning tank 15 begins to evaporate. At this time, since the gas injector 21 of the present invention injects nitrogen (N 2 ) gas through the nozzle 22, for example, the vapor of the vaporized chemical 16 passes through the exhaust port 19a and the exhaust port 19. Is forced to exhaust. Of course, it is also possible to use inert gases that can replace the nitrogen gas.
따라서, 상기 케미컬 세정조(15)의 커버가 개방될 때, 상기 커버가 상기 배기구(19a)가 설치된 본체(11)의 내측면을 덮더라도 상기 본체(11) 내의 케미컬 증기가 상기 배기구(19a)를 거쳐 배기관(19)으로 충분히 배기되므로 상기 본체(11)의 내부 공간에 거의 잔존하지 않게 된다.Therefore, when the cover of the chemical cleaning tank 15 is opened, even if the cover covers the inner surface of the main body 11 in which the exhaust port 19a is installed, the chemical vapor in the main body 11 is discharged to the exhaust port 19a. Since the exhaust pipe 19 is sufficiently exhausted via the exhaust gas, the internal space of the main body 11 hardly remains.
따라서, 상기 퀄츠 튜브가 상기 케미컬(16)의 증기에 의한 오염으로부터 방지될 수 있다. 또한, 상기 케미컬의 증기에 의한 상기 본체(11)의 내부 오염이나 상기 본체(11)의 금속 성분, 예를 들어 로봇암(17)의 부식이 방지될 수 있다. 또한, 상기 배기구(19a)의 위치가 상기 본체(11)의 내측 저면에서 상측으로 너무 낮게 위치하더라도 상기 로봇암(17)의 금속 부분이 케미컬 증기에 의해 거의 오염되지 않는다. 더욱이, 상기 본체(11)의 내부에서 건조되는 퀄츠 튜브가 상기 케미컬 증기에 의해 오염될 가능성이 적으므로 상기 퀄츠 튜브의 세정작업을 재실시하는 횟수가 줄어든다. 이는 퀄츠 튜브의 세정에 소요되는 탈이온수의 사용량 감소를 가져오고 나아가 원가 절감을 가져온다. 또한 세정 시간의 단축을 가져와 세정 장비의 예방 정비(Preventive Maintenance: PM)의 주기를 연장시키고 그에 따른 세정 장비의 가동 중단 횟수의 감소와 가동율 증가를 가져온다. 또한, 작업자의 건강이 향상될 뿐만 아니라 작업 환경이 개선되고 주변 환경 오염이 방지될 수 있다.Thus, the quartz tube can be prevented from contamination by the vapor of the chemical 16. In addition, internal contamination of the main body 11 or corrosion of a metal component of the main body 11, for example, the robot arm 17, by the vapor of the chemical may be prevented. In addition, even if the position of the exhaust port 19a is located too low upward from the inner bottom surface of the main body 11, the metal part of the robot arm 17 is hardly contaminated by chemical vapor. In addition, since the quality tube dried inside the main body 11 is less likely to be contaminated by the chemical vapor, the frequency of the cleaning operation of the quality tube is reduced. This leads to a reduction in the amount of deionized water used to clean the quartz tube and further a cost reduction. It also shortens the cleaning time, prolonging the cycle of preventive maintenance (PM) of the cleaning equipment, thereby reducing the number of downtimes of the cleaning equipment and increasing the operating rate. In addition, the health of the worker can be improved as well as the working environment can be improved and the environmental pollution can be prevented.
상기 퀄츠 튜브의 건조가 되고 나면, 작업자가 상기 도아(12)를 개방하고 상기 바스켓 내의 퀄츠 튜브를 꺼집어낸 후 상기 도아(12)를 닫는다. 상기 건조된 퀄츠 튜브는 재사용을 위해 보관 장소에 보관된다.Once the quartz tube has dried, the operator opens the dowel 12 and pulls out the quarts tube in the basket and closes the dowel 12. The dried quartz tube is stored in a storage location for reuse.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 퀄츠 튜브 세정장치는 본체의 내부 저면에 케미컬 세정조와 탈이온수 세정조가 설치되고, 상기 케미컬 세정조와 탈이온수 세정조 사이에서 퀄츠 튜브를 이동하기 위한 로봇암이 설치되고, 상기 케미컬 세정조 근처의 본체 측벽에 배기구가 설치되고, 상기 본체의 도아 근처의 내측벽에 질소가스 분사부가 설치된다.As described in detail above, in the quartz tube cleaning apparatus according to the present invention, a chemical cleaning tank and a deionized water cleaning tank are installed on an inner bottom of the main body, and a robot arm for moving the quartz tube between the chemical cleaning tank and the deionized water cleaning tank is provided. An exhaust port is provided in the main body side wall near the chemical cleaning tank, and a nitrogen gas injection unit is installed in the inner wall near the door of the main body.
따라서, 상기 질소가스 분사부의 노즐을 거쳐 질소가 분사되면, 상기 케미컬 세정조 내의 케미컬로부터 증발한 케미컬 증기가 상기 배기구를 거쳐 강제로 배기되어서 상기 본체 내에 케미컬 증기가 거의 잔존하지 않게 된다. 그러므로, 상기 본체 내에서 세정 및 건조과정이 완료된 퀄츠 튜브가 케미컬 증기로부터 오염되지 않는다. 또한, 본체의 내부 오염이나 로봇암과 같은 금속 부분의 부식이 발생하지 않는다. 또한, 퀄츠 튜브의 재세정 횟수가 감소하고 그에 따른 탈이온수의 사용량이 절감되고 원가 절감이 가능해지며, 세정 시간이 단축되고 설비의 가동율이 증가한다. 또한, 작업 환경이 개선되고 주변 환경 오염이 방지될 수 있다.Therefore, when nitrogen is injected through the nozzle of the nitrogen gas injector, the chemical vapor evaporated from the chemical in the chemical cleaning tank is forcibly exhausted through the exhaust port so that almost no chemical vapor remains in the main body. Therefore, the quartz tube having been cleaned and dried in the main body is not contaminated from chemical vapor. In addition, internal contamination of the main body or corrosion of metal parts such as robot arms does not occur. In addition, the frequency of re-cleaning of the quartz tube is reduced, thereby reducing the amount of deionized water used, reducing the cost, reducing the cleaning time, and increasing the operation rate of the equipment. In addition, the working environment can be improved and environmental pollution can be prevented.
한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.On the other hand, the present invention is not limited to the contents described in the drawings and detailed description, it is obvious to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. .
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54138827A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-27 | Hitachi Ltd | Washing apparatus for furnace core tube |
| KR970023790A (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-30 | 김주용 | Method for cleaning quartz tube for semiconductor manufacturing equipment and apparatus therefor |
| KR100237632B1 (en) * | 1997-05-24 | 2000-01-15 | 김영환 | Cleaning and drying apparatus for quarts tube |
| KR200234228Y1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-11-30 | 김영환 | Tube cleaning device |
| JP2002203801A (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Mitsumi Electric Co Ltd | Apparatus for cleaning silica tube |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54138827A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-27 | Hitachi Ltd | Washing apparatus for furnace core tube |
| KR970023790A (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-30 | 김주용 | Method for cleaning quartz tube for semiconductor manufacturing equipment and apparatus therefor |
| KR100237632B1 (en) * | 1997-05-24 | 2000-01-15 | 김영환 | Cleaning and drying apparatus for quarts tube |
| KR200234228Y1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-11-30 | 김영환 | Tube cleaning device |
| JP2002203801A (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Mitsumi Electric Co Ltd | Apparatus for cleaning silica tube |
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