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KR100402183B1 - 이온주입기에서사용하는주입량제어장치및방법 - Google Patents

이온주입기에서사용하는주입량제어장치및방법 Download PDF

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KR100402183B1
KR100402183B1 KR10-1998-0001334A KR19980001334A KR100402183B1 KR 100402183 B1 KR100402183 B1 KR 100402183B1 KR 19980001334 A KR19980001334 A KR 19980001334A KR 100402183 B1 KR100402183 B1 KR 100402183B1
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KR
South Korea
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ion
ion beam
ions
charge
beam current
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KR10-1998-0001334A
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KR19980070586A (ko
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첸 헹-궁
미치로 스기다니
싱크래이어 후렌크
모리스 벤베니스테 빅타
Original Assignee
액셀리스 테크놀로지스, 인크.
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract

전하 중성화 효과는, 고(高) 전류 주입기(11)에 의한 빔(beam) 처리의 농도 또는 주입량(dose)에 영향을 미치는 인자(因子)로 공지되어 있다. 빔 에너지를 1 MeV 이상으로 상승시키는 것은, 전하 스트리핑(charge stripping) 및 전하 중성화(charge neutralization) 모두의 효과를 보상하는 수치적으로 효율적인 모델뿐만아니라 이러한 효과에 대한 이해도 요구된다. 전하 스트리핑은 더 높은 대전(帶電)상태의 이온을 발생시키고, 패러데이 컵(Faraday cup)으로부터의 측정된 전자의 전류를 실제 입자 전류보다 더 많게 측정시킬 수도 있다. 본 발명은 이온 빔(19)에 대한 유효한 대전 상태의 개념을 근거한 분석을 이용하며, 이온 중성화뿐만 아니라 전하 스트리핑에 의한 효과까지 포함하는 더욱 일반적인 해석을 제공한다. 개시된 기술을 사용하는 주입량 제어는 2개의 조절 가능한 파라미터(parameter)가 요구되는 데, 이는 빔 경로에서 입자와 빔간의 상호 작용에 대한 겉보기 단면적(cross section) 및 초기 대전 상태에 대한 최종 안정 대전 상태의 비율이 그것이다.

Description

이온 주입기에서 사용하는 주입량 제어 장치 및 방법
본 발명은 일반적으로 이온 주입기에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼에 주입되는 이온 주입량(dose) 또는 농도를 제어하기 위한 장치와 방법에 관한 것이다.
이온빔이 반도체 웨이퍼에 지향되는 이온 주입은, 현재 다양한 산업 응용분야, 특히 전기적 능동 디바이스(active device)를 제조하기 위한 반도체의 이온주입에서 광범위하게 사용된다. 소재(workpiece)로 주입되는 이온 주입량 제어의 중요성은, Farley의 미합중국 특허 제4,587,433호 및 Ryding의 미합중국 특허 제 4,234,797호에 설명되어 있다. Farley의 미합중국 특허 제4,587,433호 및 Ryding의 미합중국 특허 제4,234,797호는 여기에 참고로 포함하였다. 반도체 디바이스의 제조에서 전체 이온 주입량과 균일성의 허용 오차범위는 많은 응용분야에서 1% 수준이다.
상기 2개의 특허에서 개시된 형태의 이온 주입기에서 이러한 정확도를 성취하기 위해서는, 주입기 체적 내에서 전자 및 잔류 원자와의 충돌 결과로서 발생하는 빔 경로를 따르는 이온의 중성화(neutralization)를 고려할 필요가 있다.
패러데이 케이지(Faraday cage)는, 이온빔에 수반될 수 도 있는 전자를 차단하는 동안, 이온빔 전류를 포집(trap)하고 측정한다. 이러한 패러데이 케이지는 이온빔내의 중성 원자는 측정하지 않는다. 중성화된 원자는 필연적으로 이온과 동일한 에너지를 가지며, 주입에서 주입량이 관계되는 한 개별적으로 그들과 동등하기 때문에, 현저한 빔의 중성화가 발생된다면, 패러데이 케이지는 이온주입 전류를 잘못 측정하게될 것이다.
선행 기술의 이온 주입기는 포토레지스트를 기체 제거, 휘발 또는 스퍼터(sputter)하는 포토레지스트 피막 반도체 표면을 처리하는데 특히 유용한 것이다. 주입기 진공도가 충분히 낮을 때, 주입되는 종들(species)은 주입기의 분석자석에 의해 선택되어 본질적으로 모두 동일한 대전 상태로 된다. 그러나 소재와 분석 자석 사이의 경로를 따라 압력이 충분히 낮지 않으면, 이온빔은 에너지의 현저한 변화없이 빔 경로를 따라 잔류 가스 원자와의 원자적 충돌을 통해 그 대전 상태가 변화될 수도 있다. 이러한 경우에, 패러데이 케이지에 충돌하는 빔은 중성의 원자를 포함할 수도 있다. 이러한 중성화된 입자는 필요한 종(種)이며, 이온주입을 위해 필요한 에너지를 가지고 있다. 중성화된 이온은 이후 이온 주입의 적절한 주입량을 결정할 때 이온빔 플럭스(flux)내에 계산되어야 한다. 패러데이 케이지는 이러한 빔 전류를 측정할 수 없기 때문에 감지된 이온 전류는 그것의 실제 값 미만이 된다.
낮은 빔 에너지에서, 빔 입자 상호 작용의 주요 영향은 이온 중성화이다. Farley의 특허 제4,587,433호는 이온빔 중성화를 근거하여 빔 세기를 조절하는 기술을 사용한다. 제4,587,433호 특허의 공식은 비교적 낮은 에너지 주입기에 적합한 반면, 높은 에너지에서는 빔 내의 이온으로부터 전자의 스트리핑(stripping)이 전하 중성화보다 더욱 가능성 있게 된다. 예를 들어, 추가의 전자가 스트립(strip)되어 있는 단일 양(陽)으로 대전된 이온은 이온 주입량의 단지 반(半)에만 기여하는 것으로 나타나는데, 이는 전기적인 빔 전류가 주입량을 제어하기 위해 사용되는 시스템에서 그 이온들이 그것의 전하에 근거하기 때문이다. 그러므로, 감지된 이온 전류는 실제 전류보다 더 크다. Farley의 특허 제4,587,433호는 전하 스트리핑이 일어날 수 있다는 것을 인식하고 있지만, 이 특허에서 개발된 공식은 이온 중성화를 근거로 하는 계산으로 한정되 있다.
본 발명은 이온 스트리핑이 이온 중성화보다 우세한 경향이 있는 높은 빔 에너지에서 개선된 주입량 제어를 제공한다. 본 발명의 한 실시예에 따른 주입기는, 타겟 챔버(target chamber)와, 소스(source)에서 나오는 이온으로부터 이온빔을 형성하고 이 이온빔을 상기 타겟 챔버 내에서 하나 이상의 소재에 충돌하도록 지향시키는 이온 소스(ion source) 및 구조물을 포함한다.
상기 소재로 주입되는 이온의 주입량을 제어하기 위한 바람직한 주입량 제어 시스템은, 타겟 챔버에서 이온빔의 감지된 빔 세기(beam intensity)를 측정하기 위한 패러데이 케이지와 같은 센서(sensor)를 포함한다. 주입 제어기는, 타겟으로의 빔 경로를 따르는 빔에 충돌되는 잔류 가스분자 및 빔을 형성하는 이온간의 상호 작용에 의해 발생된 이온빔 내 이온의 전하 중성화 와 전하의 스트리핑 모두를 고려함으로써 감지된 빔 세기로부터 빔 전류를 결정한다.
보상 이온빔 전류(compensated ion beam current)를 결정하기 위해서, 하나의 표가 이온주입 방법에 특정된 파라미터에 근거한 제한된 증분 또는 간격내에서각종 압력에서의 보상량을 제공하고, 이온 주입기는 이온이 소재에 충돌하기 전에 이온빔 경로에서 가스 분자와의 상호 작용으로 인해 초기 및 상이한 최종 대전 상태를 갖는 이온의 상대적인 농도에 대한 지시(indication)를 제공하는 제1입력을 수신한다. 이러한 지시는, 전하 스트리핑 또는 이온 중성화의 어느 것이 우세한 이온/분자 상호 작용인가에 따라 변할 것이다. 주입 제어기로의 제2입력은, 이온빔 경로를 따라 소재로부터 상부 흐름 위치에서의 가스 분자 압력에 대한 지시이다. 주입 제어기는, 이러한 두 입력을 사용하여 전하 스트리핑 및 전하 중성화를 모두 고려하는 수정된 이온빔 전류를 근거로 하여 이온 주입량을 조절한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 관계식가 사용되며, 여기에서γ는 소재를 향해 이온빔 내에서 이동하는 입자에 대한 대전 상태의 비율이고, P는 이온 소스 및 타겟 쳄버 사이의 구조물에 의해 한정되는 영역 내에서의 가스 압력이며, K는 빔 입자와 가스 상호 작용에서의 단면적 (cross section)이다.
감마(γ) 값은 수집된 데이터로부터 결정된다. 가장 적당한 근사 값은, 이온주입 중에 매(每) 150 밀리초(millisecond)마다 기록되는 데이터를 근거로 감마값을 결정하는데 사용된다.
이온 종(種), 초기 대전 상태 및 에너지에 따른 감마값은 사용자에 의해 제어기 콘솔(controller console)에서 무시될 수 있는 디폴트 값(default value)으로서 이온 주입 제어기에 저장된 탐색표(look-up table)에서 제공된다. 그러나, 일반적으로 사용자에 의해 무시되지 않으면 결함 감마가 선택되기 때문에, 사용자는 기계 설정(setup)중에 단지 제 2파라미터 K만을 결정하여 그 값을 콘솔에 입력하는 것만을 필요로 한다.
본 발명의 실시에서는, 처리 챔버 압력의 함수로서 이온빔 전류를 좀 더 정확하게 설명할 수 있도록 추가 파라미터를 제공한다. 이것은 다음에, Farley와 Ryding의 특허에서 설명된 선행 기술인 이턴(Eaton) 주입량 제어 절차를 개량하는 방법으로 주입량 제어가 실시간으로 갱신되도록 허용한다.
본 발명의 이들 및 기타 목적, 장점 및 특징은 첨부된 도면과 관련하여 설명되는 첨부한 본 발명의 상세한 설명을 검토함으로써 더욱 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명에 적용 가능한 측정 및 제어 소자를 갖는 대표적인 이온 주입 시스템의 개략도.
도 2는 마그네슘(Mg) 증기 내에서 30 KeV Te+1이온들의 이동 거리에 대한 함수로서 각각의 대전 상태하의 이온의 백분율을 나타내는 그래프.
도 3은 포토레지스트 웨이퍼의 상이한 수량에 대하여 850 KeV P4에 대한 빔전류 대(對) 압력에 관한 그래프.
도 4는 550 μA, 850 KeV P+1에 대한 압력 보상의 유무에 대한 면 저항(sheet resistance) 응답을 나타낸 그래프.
도 5는 압력 보상 파라미터 설정을 상이하게 할때 450 μA, 1.2 MeV로 단일 대전된 인(phosphorus)에 대한 결과를 나타낸 그래프.
도 6은 10-4Torr의 압력에서 붕소(boron)에 대한 전하 중성화 및 전자 스트리핑(electron stripping)의 경향을 나타내는 그래프.
도 7은 10-4Torr의 압력에서 인(phosphorus)에 대한 전하 중성화와 전자 스트리핑의 경향을 나타내는 그래프.
도 1은 이온 소스(12)를 포함하는 이온빔을 발생하는 부품, 분석 자석(13), 주입을 위해 그 위에 소재(16)가 장착되는 디스크(15)를 포함하는 회전 디스크 조립체(14), 및 디스크(15)에 형성된 슬롯(18)을 통과하는 이온빔 전류의 측정을 위해 사용되는 패러데이 케이지(17)를 갖는 이온 주입기(11)를 나타낸 것이다. 이온주입 기술에서 공지된 바와 같이, 특정 이온 종(種)은 분석 자석(13)에 의해 선택되고, 그 결과 선택된 종(種)의 빔(19)이 소재(16)를 향해 지향된다.
여기에서 참고로 사용되는 Ryding의 미합중국 특허 제4,234,797호에서 나타난 바와 같이, 지지대(support)(15)는 디스크 조립체(14)상에 장착된 모터(20)에 의해 일정한 각속도(角速度)로서 회전한다. 지지대 위의 소재에 대한 이온빔 처리동안, 디스크 조립체는 패러데이 케이지(17)에 의해 측정되는 주입량에 의해 결정되는 속도로 리드 스크루(lead screw)(23)와 스테퍼 모터(stepper motor)(22)의 수단에 의해 화살표(A) 방향에서 이동하여 소재(16)의 균등한 이온주입을 보장한다.
선행 기술에서 공지된 바와 같이, 도 1에서 파선(25)으로 표시되는 타겟 챔버 또는 엔드 스테이션(end station)를 형성하는 패러데이 케이지(17) 및 디스크 조립체(14)를 사용하여 이온 주입이 높은 진공 상태하에서 수행된다. 본 발명은, 주입량을 제어할 때 빔을 형성하는 이온의 대전 상태 변화를 인지하는 수단을 제공한다. 주입량 결정은, 이온 주입기의 엔드 스테이션에서의 가스 압력 및 이온화 전류 측정치를 근거로 한다.
엔드 스테이션 압력은 이온화 게이지(ionization gauge)(26)에 의해 측정된다. 입사 전류 I0을 갖는 것으로 표시된 초기 양(陽) 이온빔(19)과 분해 자석으로부터 하류 빔라인(beam line)을 따르는 가스 원자들과의 충돌은 이온 빔 내에서 양(陽)으로 대전된 일부 이온들에 전자를 부가(중성화)하거나 이들 이온들로부터 전자를 탈취(스트리핑) 시키게 만든다. 이러한 현상이 일어나는 정도는 이온 종(種), 이온 속도, 및 빔이 통과하는 가스의 농도나 밀도에 의존하는 것으로, 미합중국 특허 제4,587,433호에서 설명되어 있다.
이온주입 제어기(27)는 보상 이온빔 전류를 결정하기 위해 잔류 가스 분자 및 빔을 형성하는 이온간의 상호 작용에 의해 야기되는 이온빔내의 이온의 전하 중성화와 전하 스트리핑 모두를 고려하여, 감지된 빔 세기로부터 빔 전류를 계산한다. 이온주입 제어기(27)는 이온이 소재에 충돌하기 전에 이온빔 경로에서 가스 분자와의 상호 작용에 기인하여 초기 및 이와다른 최종 대전 상태를 갖는 이온의 상대적인 농도에 대한 지시를 입력하기 위한 제1입력(30)을 포함하고, 또한 이온빔 경로를 따라 소재로부터 상류의 위치에서 가스 전자 압력 P의 지시를 입력하기 위한 제2입력(32)을 포함한다. 스테퍼 모터(22)에 연결된 주입량 제어기(28)는 이온 주입 제어기(27)에 의해 결정되는 이온빔 전류를 근거하여 주입량을 조절한다. 주입량 제어기(28)는 이온주입 제어기(27)로부터 전달되는 수정된 전류 신호에 응답한다.
발명의 이론
초기 대전 상태 및 최종 대전 상태의 두 대전 상태를 고려한다. 이온빔은 이러한 두 대전 상태를 갖는 이온들로 형성되어 있다고 가정한다. 최초, 이온이 분석자석을 떠날때, 이온주입 챔버를 향해 이동하는 초기 전하 q1을 갖는 이온 N1이 있다. 압력 P에서 고정 경로의 길이를 이동한 후, 다수의 이온 N2는 전자 스트리핑 상호 작용 또는 전하 교환에 기인하여 안정된 대전 상태 q2로 변환되고, 나머지 N1이온은 초기 대전 상태 q1로 남아 있다. 패러데이 컵(Faraday cup)에 도착하는 전체전하는 (q1N1+q2N2)이 될 것이다. 이것은 다음에서 수학적으로 설명될 수 있다.
기체를 제거하지 않은 빔 전류 I0와, 기체 제거로부터의 압력 P에서 측정된 전자 빔 전류 Im은:
재 순환을 허용하는 더욱 정밀한 모델에서,
는 미분 방정식 세트를 유도하여:
재 순환이 없는 세 개의 상이한 대전 상태(i-1, i, i+1)에서는 다음 식이 얻어진다:
해답은 다음과 같다:
여기서 i는 초기 대전 상태의 전하 수이다; 그리고 여기서
윗식에서, Im은 측정 빔 전류(순 전하에 의거하는)이고 I0은 원자 빔 전류이다.
가정
이러한 상이한 함수로부터, 이온 주입 설계는 낮은 에너지뿐만 아니라 1 MeV와 거의 비슷한 에너지를 갖는 이온빔에서 이온의 전하 교환/전자 스트리핑 작용을 설계하기 위하여 방정식를 사용하여 구현된다.
Farley와 Ryding의 특허에서의 함수 관계는 감마(γ)가 0(zero)일 때의 본 발명 기술의 특별한 경우로서 설명될 수 있다. 감마(γ)가 0(zero)일 때, 잔류 가스를 통해 도펀트(dopant)에 의해 전하가 운반될 수 없고, 단지 중성화만이 실행된다는 전제 하에 방정식은 im= I0e-KP로 단축된다. 이 두 매개 방정식에서, 감마(γ)값은 초기에 주입된 대전 상태에 대한 최종 안정 전하 상태의 비율로서 간단하게 해석되고, K는 가스 압력에 관한 상호 작용의 단면적이다.
방정식는, 두 매개 변수 감마와 K를 사용하는 가스 압력과 측정된 빔 전류 사이의 관계를 나타내는 모델(model)을 개선함으로써, 적용할 수 있는 에너지 범위는 수 백 KeV로부터 수 MeV까지 확장된다. 감마와 K를 적절히 선택하여, 주입기에 의해 조우되는 압력 범위내의 소정 압력에서 실제 빔 전류와 측정 빔 전류의 편차는, 통계 한계 내에서 정확하게 계산될 수 있다.
방정식 1의 함수 형태는 Te+1에 대해 Heinemeier & NIM 148(1978)65로부터의 데이터에 맞춰져 있다. 이 데이터는, 평형 대전 상태는 음(negative)이라는 점에서 보통의 경우와는 다르다. 도 2에서 나타낸 바와 같이, γ=0.625로서 제안된 공식이 매우 적합함을 나타낸다.
장비 및 구성
개시된 모델은, Ryding의 특허에서 개시된 이턴 코퍼레이션(Eaton Corporation)의 선행 기술 주입량 제어 알고리즘(algorithm)을 변형하여 실험되었다. 압력 보상 알고리즘은, 모델에서 나타낸 관계에 근거한 순시 압력 판독으로써 실시간으로 측정 빔 전류 오류를 보상한다. 여기에 제공되는 데이터는, 이턴(Eaton) 이온 주입기 모델 번호 NV GSD/VHE #29로 실험하여 산출되었다.
1. 모든 모니터 웨이퍼는 200mm이다.
2. 모든 이온주입 각도는α/β인(5°,1.5°)로서θ/φ인(5.22°, 16.77°)와 등가이다.
3. 실험을 위해 사용된 이온 게이지는, Granvill-Phillips에서 제조한 "STABIL-ION guage"이다.
4. 이턴(Eaton) 표준이 8" 및 10"인 CTI-CRYOGENICS가 만든 250F, 저온 펌프(cryo pump) 및 후방 저온 펌프(backside cryo pump).
5. 실험에 사용된 모든 포토레지스트 웨이퍼(photoresist wafer)는 두께가 4mm이며, 소성 되지 않고, 패턴 형성이 안된 포토레지스트 마스크(photoresist mask).
6. 써머 웨이브(Therma Wave) 측정용 써머 웨이브 써머프로브(Therma Wave Thermaprobe) 400xp.
7. 써멀 어닐(thermal anneal)용 HTEC 고속 열 처리기(HTEC Rapid Thermal Processor).
8. 면저항(sheet resistance) 측정용 프로메트릭스(Prometrix) RS-55/tc.
광범위한 동적 압력 범위 하에서 제안된 모델을 실험하기 위해서, 각각의 실험 방법은, 각각의 이온주입에 대하여 총 13개의 웨이퍼 중에서 0, 4, 8 및 12개의 포토레지스트 피막 웨이퍼들에 대해 4번 반복하였다. 이 모델에 근거하여 압력 보상을 위해 사용되는 γ와 K를 위한 파라미터 설정은 상기 실험 중에 발생하는 데이터를 근거하여 추정된다. 이 실험의 결과는 이 포토레지스트 기체 제거 효과를 제어함에 있어 제안된 모델의 가능성(potential)을 보여준다.
K 인자(factor) 결정
실험 데이터는, 여기서 참조로 사용되는 "Best Methods and Practices for Pressure Compensation"이란 제목의 기술 문서에서 설명된 선행 기술에 따라 K-인자를 계산하는데 사용되었다. K 인자는 최소한 4회의 주입 실험이 요구되는 그래프 기법을 사용하여 결정된다(실험 전에 결정된 동일한 감마 인자 하에서). K 인자는, 주입기 모델, 이온 종(種), 잔류 가스 종(種), 에너지 및 빔 전류에 따라 변한다. 2개의 가장 중요한 영향은 이온 종(種)과 에너지이다.
K 인자를 결정하기 위한 실험 중에, 주입기는 청결해야 되며, 주입기는 이온종과 에너지가 최적화 되도록 설정되어야 한다. 기술 문서에서 대략 설명한 바와 같이, 적당한 K인자는 4회 또는 그 이상의 주입 실험과 면저항 대(對) K 인자의 좌표 결정으로부터 그래프 분석을 통해 결정된다. 1차 실험은 베어 웨이퍼(bare wafer)와 값이 0인 K 인자를 사용하여 실행한다. 2차 실험은 베어 웨이퍼와 더 높고 더욱 전형적인 K 인자를 사용하여 실행한다. 3차 및 4차 실험은 다수의 포토레지스트 피막 웨이퍼와 1차 및 2차에서 선택된 것과 동일한 K 인자를 사용하여 실행된다. 주입된 웨이퍼 저항 대(對) K 인자를 그래프에 좌표 결정함으로써, 2 세트의 데이터(피막 및 비 피막(coated and uncoated))의 교차점은 최적의 K 인자를 산출한다.
감마 인자는 K를 결정하기 전에 결정될 것인데, 디폴트 값(default value)(또는 사용자 지정) 또는 가장 적합한 방법으로 얻어진 값으로 될 수 있다. 후자의 경우에서, 실험자는 감마 값을 결정하기 위해 요구되는 데이터를 얻기 위해서 1차 이온주입으로 부터 K=0 및 포토레지스터 피막 웨이퍼를 이용하는 순서로, 최적의 K 인자를 결정하기 위한 최소 요구되는 4회의 실험을 준비할 수 있다. 초기 감마 값이 한 번 결정되면, 나머지 세 번의 이온주입은 결정된 감마 값을 사용하여 수행된다. K=0이 초기 이온주입에서 사용되기 때문에 보상이 이 이온주입에 적용되지 않으며, 그 결과 나머지 이온주입 실험에 대하여 어떤 감마의 값이 사용되는가에 차이가 나지 않고, 동일한 감마값을 사용하는 K 인자를 결정하기 위한 실험을 계속 따른다. 이와같이, 감마 인자를 추가하기 위하여 요구되는 특별한 이온주입은 없다.
850 KeV, 550 μA인 P+1(단일 대전 인(燐))에 대한 압력 및 측정 빔 전류의 관계는, 전형적인 예로서 도 3에 나타나 있다. 측정 빔 전류 및 압력은, 포토레지스트 웨이퍼로 이온주입되는 동안 매(每) 150msec마다 실시간으로 기록된다. 각각의 배치(batch)에 4, 8, 12개의 포토레지스트 웨이퍼가 있는, 3회의 주입으로부터의 데이터는, 이 그래프에서 방정식(1)의 적합한 함수와 일치된다. 여기에서 중요 논점은, I 대(對) P의 관계가 그래프에서 증명된 바와 같이 압력 범위와 관계없이 유지되어야 한다는 것이다. 압력 보상이 있고, 없는 상기 실험의 면저항 응답은, 도 4에 나타나 있다. 이 압력보상이 없으면, 평균 면적 저항은 1.4%의 균일도에서 15% 만큼 이동한다. 적절한 압력 보상 후, 이온주입량의 반복성 및 0.5%보다 더 좋은 균일도가 성취되었다. 파라미터 설정을 변화시켜서 1.2 MeV, 450 μA인 P+1에 대한 3회의 유사 반복 실험의 결과를 도 5에서 나타냈다. 상기 두 경우에 대해 0, 4, 8, 및 12개의 포토레지스트 웨이퍼를 사용하는 주입 중에서 반복성은 적절한 설정에서 각각 0.40%과 0.45%이다.
이온 에너지 및 초기 이온 대전 상태의 함수로서 전자 스트리핑 및 전하 중성화의 경향을 도 6과 도 7에 나타냈다. Y축 상의 실제 빔 전류에 대한 전기적으로 측정된 빔 전류의 비(ratio)는, 각각의 실험 처방에 대해 각종 압력에서 모든 데이터 점들(points)을 최상으로 맞춘 후, 압력 10-4Torr에서 예측 빔 전류를 근거로 한다. 이러한 비(比)는 주된 영향이 전자 스트리핑일 때 1보다 크다. 일반적으로, 높은 에너지로 단일 대전된 이온은, 두 번 또는 세 번 대전된 상태에서의 이온과 비교하여 가장 현저한 압력 관련 주입량의 변화를 나타낸다. 이에대한 하나의 명백한 이유는, 주입량 오류가 입사 이온의 초기 대전 상태로 나누어진 측정된 대전상태의 오류에 비례하는데 있다. 또 다른 가능한 이유는, 전자 스트리핑의 단면적이 전하 중성화와 평행하게 일어나는 초기 대전 상태의 증가와 함께 보다 작아 지는데있다.
본 발명은 이턴(Eaton) 주입량 압력 보상 알고리즘으로 실시하여 실험되었다. 이 알고리즘의 사용은, 이온 주입량의변화를 야기한 포토레지스트 탈기체를 생략하고, 제일 극한 조건 하에서도 주입량의 정확도 및 양호한 주입량 균일도를 산출한다. 이러한 2개의 파라미터 모델은, 포토레지스트의 탈기체 하에서 대전 상태변동을 성공적으로 특정할 수 있을 뿐만 아니라 또한 일상적으로 사용되기에 충분히 실용적이다.
이온 주입기의 주입량 제어기(27)는, 보상 빔 전류를 계산하기 위한 제1입력으로서 이온주입을 시작하기 전에 생성되는 보상 참고표(look-up table)를 포함한다. 보상 참고표는 한정된 증분 또는 간격에서의 각종 압력에서, 주입될 처방에서 특정된 소정 세트의 감마 및 K 인자를 근거로(또는 주어진 세트를 제거) 계산되는 백분율 보상 값에 대한 표를 갖는다. 참고표 기술(예를 들어, 보간법에 의해 종속 변수의 주어진 값에서 상응하는 값을 탐색함으로써)을 수단으로 하여, 주입량 제어기는, 실시간 압력 판독값과 제2입력을 사용하여, 전체 방정식에 근거하여 실시간 계산에 요구되는 것보다 매우 빠르게 보상 빔 전류를 계산한다. 수정된 빔 전류는 출력 신호로서 상/하 주사(y scan)를 구동하여 적절한 주입량 제어를 달성한다.
본 발명의 바람직한 실시예를 어느 정도의 특징을 가지고 설명하였다. 그러나, 본 발명은, 첨부된 청구 내용의 취지나 범주에 속하는 개시된 설계로부터의 모든 변경 및 변형을 포함하는 것으로 한다.
본 발명은 이온 스트리핑이 이온 중성화보다 더 우세한 경향이 있는 높은 빔 에너지에서 향상된 주입량 제어를 제공한다.

Claims (8)

  1. 타겟 챔버(25)와, 이온소스(12)와, 이 이온소스에서 나오는 이온들로부터 이온빔(19)을 형성하고 이 이온빔이 상기 타겟 챔버 내의 하나 이상의 소재(16)에 충돌하도록 지향시키는 구조물, 및 상기 소재로 주입되는 이온의 주입량을 제어하는 주입량 제어 시스템을 포함하는 이온 주입기에 있어서:
    타겟 챔버에서 이온빔의 감지된 빔 세기를 측정하는 센서 수단(17)과;
    보상 이온빔 전류를 결정하기 위하여 잔류 가스 분자와 이온빔을 형성하는 이온간의 상호 작용에 의해 야기되는 이온빔 내에서의 이온의 전자 스트리핑 및 전하 중성화 모두를 고려하여, 감지된 빔 세기로부터 빔 전류를 결정하는 보상 수단(27)으로서, 이온이 소재에 충돌하기 전에 가스 압력 판독값의 함수로서 이온빔 경로내의 가스 분자와의 상호 작용으로 인해 최초의 대전상태와 이와다른 최종 대전상태를 갖는 이온의 상대적인 농도의 지시값을 입력하는 제1입력(30), 및 이온빔 경로를 따라 소재로부터 상류에 위치하는 가스 분자의 압력 지시값을 입력하기 위한 제2입력을 포함하는 보상 수단(2); 및
    상기 보상 수단에 의해 결정된 보상된 이온빔 전류를 근거하여 주입량을 조절하는 주입량 제어 수단(28)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이온 주입기는 상기 타겟 챔버내에 장착된 소재 지지대(14)를 더 포함하고, 상기 소재 지지대는 이온빔에 의한 처리를 위해 챔버내의지지대 상에 소재를 위치시키기 위해 이동가능하게 장착되며, 상기 주입량 제어 수단(28)은 소재에 대한 이온 처리가 실행될때 소재 지지대의 이동을 제어하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보상 수단은 순간 빔 전류를 실시간 기준으로 측정하는 프로세서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 프로세서는 방정식 Im=(I0)[1+(γ-1)(1-e-KP)](여기서, γ는 소재를 향해 이온빔과 함께 이동하는 입자에 대해 실험적으로 결정된 대전 상태의 비율이고, P는 타겟 챔버와 이온소스 사이의 구조물에 의하여 한정된 영역 내의 가스 압력이며, K는 주어진 이온 종(種)과 이온빔 에너지에 대해 실험적으로 결정된 상수임)에 따라, 상기 센서 수단에서 측정된 이온빔 전류(Im)를 근거로 보정된 이온빔 전류를 계산하기 위한 기억 프로그램을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  5. 이온소스(12)와, 특정한 전하대 질량비를 갖는 이온빔(19)을 생성하기 위한 분석 자석(13)을 갖는 이온 주입기(11)에 사용하기 위한 이온 주입량 계산 방법에 있어서,
    빔에 의해 처리될 하나 이상의 소재(16)를 수용하는 타겟 챔버(25)로 중성화상태를 포함하는 다수의 가능한 대전 상태를 갖는 이온빔을 지향시키는 단계와;
    상기 하나 이상의 소재(16)의 빔 처리가 실행될 때, 상기 타겟 챔버(25)내에서 이온빔을 세기 센서(17)로 지향시킴으로써 감지된 이온빔 전류를 주기적으로 측정하는 단계; 및
    분석 자석을 떠나는 이온의 대전 상태보다 낮거나 높은 대전 상태에 있는 이온빔 내에서의 이온의 비율에 근거하여 계산된 이온빔 전류를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입량 계산 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 계산된 이온빔 전류를 결정하는 단계는 방정식 Im=(I0)[1+(γ-1)(1-e-KP)](여기서, γ는 소재를 향하여 이온빔과 함께 이동하는 입자에 대한 대전 상태의 비율이고, P는 타겟 챔버와 이온 소스 사이의 구조물로 한정된 영역 내의 가스 압력이며, K는 가스분자와 이온빔 입자간 상호 작용에 대한 단면적이다)에 따라서, 측정된 빔 전류(Im)를 근거로 수정된 이온빔 전류(I0)를 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입량 계산 방법.
  7. 타겟 챔버(25)와, 이온소스(12), 및 이 이온소스에서 나오는 이온으로부터 이온빔(19)을 형성하고 이 이온빔이 상기 타겟 챔버 내의 하나 이상의 소재(16)에 충돌하도록 이온빔을 지향시키는 구조물을 포함하는 이온 주입기에서, 상기 소재로 주입되는 이온의 주입량을 제어하는 방법은:
    타겟 쳄버(25)에서 이온빔의 빔 세기를 감지하는 단계와;
    보상 이온빔 전류를 결정하기 위하여 잔류 가스 분자와 이온빔을 형성하는 이온간의 상호 작용에 의해 야기되는 이온빔(19)내에서의 이온의 전자 스트리핑 및 전하 중성화 모두를 고려하여, 감지된 빔 세기로부터 빔 전류를 결정하는 단계로서, 상기 빔 전류 결정단계는 낮은 가스 압력 및 높은 가스 압력의 경계 조건에서 이온이 이온빔 경로내의 가스 분자와의 상호 작용으로 인해 최초 대전상태와 이와다른 최종 대전 상태를 갖는 이온의 상대적 농도에 대한 지시값을 결정하는 제 1결정단계와, 이온 주입 중 이온빔 단계를 따라 소재로부터 상류에 위치하는 가스분자 압력값을 결정하고 상기 제 1결정단계에서 결정된 비율로부터 상기 감지된 가스 분자 압력에 대한 빔 전류를 결정하고 제 2결정단계를 포함하는 빔 전류 결정단계; 및
    상기 결정단계 중에 결정된 이온빔 전류를 근거하여 주입량을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입량 제어 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제 2결정단계는 방정식 Im=(I0)[1+(γ-1)(1-e-KP)](여기서, γ는 소재를 향해 이온빔과 함께 이동하는 입자에 대한 대전 상태의 비율이고, P는 타겟 챔버와 이온 소스 사이의 구조물에 의해 한정된 영역 내의 가스 압력이며, K는 가스분자와 이온빔 입자간 상호작용에 대한 단면적이다)에 따라 측정 빔 전류(Im)를 근거로 수정된 이온빔 전류(I0)를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입량 제어 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646552B1 (ko) 2005-12-28 2006-11-15 동부일렉트로닉스 주식회사 파라데이컵을 이용한 선량 변화 측정장치

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3006535B2 (ja) * 1997-04-07 2000-02-07 日本電気株式会社 イオン注入方法および装置
JP3449198B2 (ja) * 1997-10-22 2003-09-22 日新電機株式会社 イオン注入装置
TW423018B (en) * 1998-06-11 2001-02-21 Axcelis Tech Inc Ion dosage measurement apparatus for an ion beam implanter and method
US6137112A (en) * 1998-09-10 2000-10-24 Eaton Corporation Time of flight energy measurement apparatus for an ion beam implanter
JP3934262B2 (ja) * 1998-10-13 2007-06-20 三星電子株式会社 半導体を製造するため使用するイオン注入装置のファラデーカップをモニタする方法
KR100528458B1 (ko) * 1999-02-22 2005-11-15 삼성전자주식회사 이온주입설비용 빔 커런트 센싱툴
US6297510B1 (en) 1999-04-19 2001-10-02 Applied Materials, Inc. Ion implant dose control
US6323497B1 (en) 2000-06-02 2001-11-27 Varian Semiconductor Equipment Assoc. Method and apparatus for controlling ion implantation during vacuum fluctuation
US6476399B1 (en) * 2000-09-01 2002-11-05 Axcelis Technologies, Inc. System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam
US7547460B2 (en) * 2000-09-15 2009-06-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implanter optimizer scan waveform retention and recovery
US6657209B2 (en) * 2000-09-20 2003-12-02 Axcelis Technologies, Inc. Method and system for determining pressure compensation factors in an ion implanter
US6608315B1 (en) * 2000-11-01 2003-08-19 Kourosh Saadatmand Mechanism for prevention of neutron radiation in ion implanter beamline
US6600163B2 (en) 2000-12-22 2003-07-29 Alfred M. Halling In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter
US6646277B2 (en) * 2000-12-26 2003-11-11 Epion Corporation Charging control and dosimetry system for gas cluster ion beam
US6690022B2 (en) 2001-01-17 2004-02-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion beam incidence angle and beam divergence monitor
DE60203367T2 (de) 2001-01-18 2006-04-06 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc., Gloucester Justierbare strömungslimitierende öffnung für ionenimplantierungsgeräte
US20020175297A1 (en) * 2001-05-25 2002-11-28 Scheuer Jay T. Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines
FR2830372B1 (fr) * 2001-09-28 2008-08-22 Procede de caracterisation d'une etape d'implantation dans un substrat de materiau
US6583421B2 (en) * 2001-10-11 2003-06-24 Diamond Semiconductor Group, Llc Charge measuring device with wide dynamic range
JP4071494B2 (ja) * 2001-12-28 2008-04-02 松下電器産業株式会社 イオン照射装置
KR100588687B1 (ko) * 2002-10-09 2006-06-12 동부일렉트로닉스 주식회사 이온주입장비의 디스크 패러데이
US6639231B1 (en) * 2002-10-24 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Method of obtaining a performance parameter for an ion implanter and an ion implanter employing the method
JP2005005098A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Sumitomo Eaton Noba Kk イオン注入装置及びその制御方法
US7009193B2 (en) * 2003-10-31 2006-03-07 Infineon Technologies Richmond, Lp Utilization of an ion gauge in the process chamber of a semiconductor ion implanter
TWI225272B (en) * 2003-11-04 2004-12-11 Promos Technologies Inc Method of controlling implanting dosage and method of controlling pressure compensate factor in-situ
GB2409928B (en) * 2004-01-09 2007-03-21 Applied Materials Inc Improvements relating to ion implantation
US6992308B2 (en) * 2004-02-27 2006-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Modulating ion beam current
US6965116B1 (en) * 2004-07-23 2005-11-15 Applied Materials, Inc. Method of determining dose uniformity of a scanning ion implanter
KR100679263B1 (ko) * 2005-09-22 2007-02-05 삼성전자주식회사 페러데이 시스템 및 그를 이용한 이온주입설비
CN100456427C (zh) * 2006-01-13 2009-01-28 北京中科信电子装备有限公司 控制离子注入的方法和装置
CN101578680A (zh) * 2006-11-08 2009-11-11 瓦里安半导体设备公司 从离子注入机移除分子裂片的技术
US7638781B2 (en) * 2007-10-22 2009-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Local pressure sensing in a plasma processing system
US8071964B2 (en) * 2008-05-01 2011-12-06 Axcelis Technologies, Inc. System and method of performing uniform dose implantation under adverse conditions
US8035080B2 (en) * 2009-10-30 2011-10-11 Axcelis Technologies, Inc. Method and system for increasing beam current above a maximum energy for a charge state
CN102115874B (zh) * 2009-12-31 2012-12-19 上海凯世通半导体有限公司 束流密度分布和角度分布测量装置及方法、束流控制方法
US8558197B2 (en) * 2010-09-15 2013-10-15 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Ion implanting system
CN102683164B (zh) * 2011-03-10 2015-05-20 北大方正集团有限公司 一种监控离子注入机异常的方法和装置
CN102779714A (zh) * 2012-08-20 2012-11-14 杭州士兰集成电路有限公司 一种Bipolar电路中的二价硼离子注入工艺
US9558914B2 (en) * 2015-02-25 2017-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Bipolar wafer charge monitor system and ion implantation system comprising same
TWI557778B (zh) * 2015-05-29 2016-11-11 漢辰科技股份有限公司 離子佈植機
US10553411B2 (en) * 2015-09-10 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ion collector for use in plasma systems
CN107039225B (zh) * 2017-04-25 2018-07-24 上海新傲科技股份有限公司 加热型离子注入机安全互锁装置
US11646175B2 (en) 2019-02-15 2023-05-09 Axcelis Technologies, Inc. Method of mixing upstream and downstream current measurements for inference of the beam current at the bend of an optical element for realtime dose control
US11264205B2 (en) * 2019-12-06 2022-03-01 Applied Materials, Inc. Techniques for determining and correcting for expected dose variation during implantation of photoresist-coated substrates
CN112259431A (zh) * 2020-10-14 2021-01-22 北京烁科中科信电子装备有限公司 一种基于位置补偿的靶台工位控制方法
CN113885440A (zh) * 2021-08-10 2022-01-04 上海哥瑞利软件股份有限公司 一种针对离子植入机的进阶智能设备控制系统
US20240274404A1 (en) * 2023-02-09 2024-08-15 Applied Materials, Inc. System and Method for Reducing Particle Formation in a Process Chamber of an Ion Implanter

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539217A (en) * 1984-06-27 1985-09-03 Eaton Corporation Dose control method
US4680474A (en) * 1985-05-22 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for improved ion dose accuracy
US5378899A (en) * 1993-10-07 1995-01-03 Kimber; Eugene L. Ion implantation target charge control system
KR970066576A (ko) * 1996-03-27 1997-10-13 문정환 빔전류 측정장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4234797A (en) * 1979-05-23 1980-11-18 Nova Associates, Inc. Treating workpieces with beams
US4587433A (en) * 1984-06-27 1986-05-06 Eaton Corporation Dose control apparatus
US4751393A (en) * 1986-05-16 1988-06-14 Varian Associates, Inc. Dose measurement and uniformity monitoring system for ion implantation
US4816693A (en) * 1987-08-21 1989-03-28 National Electrostatics Corp. Apparatus and method for uniform ion dose control
US5525807A (en) * 1995-06-02 1996-06-11 Eaton Corporation Ion implantation device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539217A (en) * 1984-06-27 1985-09-03 Eaton Corporation Dose control method
JPS6116456A (ja) * 1984-06-27 1986-01-24 イートン　コーポレーシヨン イオン照射制御方法および装置
US4680474A (en) * 1985-05-22 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for improved ion dose accuracy
US5378899A (en) * 1993-10-07 1995-01-03 Kimber; Eugene L. Ion implantation target charge control system
KR970066576A (ko) * 1996-03-27 1997-10-13 문정환 빔전류 측정장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646552B1 (ko) 2005-12-28 2006-11-15 동부일렉트로닉스 주식회사 파라데이컵을 이용한 선량 변화 측정장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0854494A2 (en) 1998-07-22
KR19980070586A (ko) 1998-10-26
CN1208245A (zh) 1999-02-17
EP0854494A3 (en) 2001-04-18
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