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KR100401544B1 - 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법 및 장치그리고 이를 갖는 가공 장치 - Google Patents

반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법 및 장치그리고 이를 갖는 가공 장치 Download PDF

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KR100401544B1
KR100401544B1 KR10-2001-0005624A KR20010005624A KR100401544B1 KR 100401544 B1 KR100401544 B1 KR 100401544B1 KR 20010005624 A KR20010005624 A KR 20010005624A KR 100401544 B1 KR100401544 B1 KR 100401544B1
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dispersion head
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삼성전자주식회사
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Abstract

디스퍼션 헤드를 통하여 챔버에 가스를 제공하는 방법 및 장치가 개시되어 있다. 상기 가스는 상기 디스퍼션 헤드의 입구를 통하여 유입된다. 상기 유입된 가스는 상기 디스퍼션 헤드에 설치되는 제1디퓨저에 의해 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 발산된다. 상기 발산에 의해 상기 가스는 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공된다. 상기 중심 부위 근방으로 제공되는 가스는 상기 디스퍼션 헤드에 설치되는 제2디퓨저에 의해 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 발산된다. 상기 발산에 의해 상기 가스는 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공된다. 상기 가스는 상기 발산에 의해 균일한 분포를 갖고, 상기 디스퍼션 헤드의 출구를 통하여 상기 챔버로 제공된다. 이에 따라, 상기 챔버 내에 놓여있는 기판에 균일하게 가스가 제공된다.

Description

반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법 및 장치 그리고 이를 갖는 가공 장치{Method and apparatus for supplying gas in a semiconductor fabricating and apparatus for manufacturing with the same}
본 발명은 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스퍼션 헤드(dispersion head)를 통하여 챔버에 가스를 제공하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
근래에, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 막 형성을 위한 화학 기상 증착 또는 패턴 형성을 위한 플라즈마 식각 등과 같은 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.
최근, 상기 반도체 장치는 0.15㎛ 이하의 디자인룰(design rule)을 갖는다. 때문에, 상기 기판 상에 형성하는 막 또는 패턴은 균일한 두께를 갖도록 형성해야 한다. 이를 위하여, 상기 막 또는 패턴을 형성할 때 상기 기판의 전면(whole surface)에 상기 막 또는 패턴을 형성하기 위한 가스가 균일하게 제공되는 가를 공정 조건으로 설정하고, 상기 가스의 제공을 제어한다.
따라서, 상기 막 또는 패턴을 형성하는 장치는 상기 가스를 균일하게 제공하는 디스퍼션 헤드 및 상기 디스퍼션 헤드에 설치되는 디퓨저(diffuser) 등과 같은 부재(members)를 포함한다.
상기 가스를 균일하게 제공하기 위한 부재가 설치되는 장치에 대한 예는 일본국 특허 공개 평2-71511호, 일본국 특허 공개 2000-58294호, 할란(Harlan)에게 허여된 미합중국 특허 5,595,602호 및 대한민국 특허 공개 98-82853호에 개시되어 있다.
도 1은 종래의 반도체 공정에 사용되는 가공 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1를 참조하면, 상기 가공 장치는 기판(W) 상에 막을 형성하는 막 형성 장치 또는 기판 상에 형성되어 있는 막을 식각하여 패턴을 형성하는 식각 장치에 해당한다. 상기 막 형성 장치 또는 식각 장치에 대한 선택은 공정 조건에 의해 결정된다.
상기 가공 장치는 챔버(10) 내에 기판(W)이 놓여지는 페데스탈(pedestal)(101)을 포함한다. 그리고, 상기 가공 장치는 상기 챔버(10)의 상측에 설치되는 디스퍼션 헤드(103) 및 상기 디스퍼션 헤드(103) 내부에 설치되는 디퓨저(105)를 포함한다. 상기 디스퍼션 헤드(103)는 일측에 가스가 유입되는 입구(inlet) 및 타측에 상기 가스를 유출하는 출구를 갖는다. 상기 출구는 다수개의 홀들을 포함한다. 이에 따라, 상기 가스는 상기 디스퍼션 헤드(103)의 입구를 통하여 유입되고, 상기 디퓨저(105)에 의해 발산된 다음 상기 디스퍼션 헤드(103)의 출구를 통하여 상기 챔버(10) 내에 놓여있는 상기 기판(W)에 제공된다.
도 2는 도 1에 설치되는 디퓨저를 나타내는 사시도이다.
도 2를 참조하면, 도시된 도면은 상기 디퓨저(105)를 나타낸다. 상기 디퓨저는 원형(circle type)의 플레이트(plate) 형상을 갖는다.
상기 원형의 플레이트 형상을 갖는 디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드 내부에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드를 통하여 제공되는 가스를 블로킹(blocking)하여 발산(diffusing)시킨다. 따라서, 상기 가스가 상기 발산에 의하여 균일한 분포를 갖고, 상기 챔버 내에 놓여있는 기판으로 제공된다.
이외에도, 상기 디퓨저는 상기 가스를 균일하게 제공할 수 있도록 다양한 형태로 구성된다.
상기 미합중국 특허 5,595,602호에 의하면, 다공성의 신터링(sintering)된 디퓨저가 개시되어 있다. 이에 따라, 상기 다공성의 신터링된 디퓨저에 의해 기판의 전면에 균일하게 가스를 제공하는 구성을 갖는다.
상기 대한민국 특허 공개 제98-82853호에 의하면, 중심 부위에 관통홀을 갖는 디퓨저가 개시되어 있다. 이에 따라, 상기 관통홀을 통하여 가스가 기판으로 제공됨으로서, 상기 기판의 전면에 균일하게 가스를 제공하는 구성을 갖는다.
상기 일본국 특허 공개 2000-58294호에 의하면, 동일한 직경을 갖는 두 개의 디퓨저가 개시되어 있다. 상기 두 개의 디퓨저는 서로 다른 형태의 홀들을 갖고, 평행하게 설치된다. 이에 따라, 상기 두 개의 디퓨저에 의해 기판의 전면에 균일하게 가스를 제공하는 구성을 갖는다.
상기 일본국 특허 공개 평2-71511호에 의하면, 서로 다른 직경을 갖는 홀들을 갖는 디스퍼션 헤드가 개시되어 있다. 이에 따라, 상기 디스퍼션 헤드에 의해 기판의 전면에 균일하게 가스를 제공하는 구성을 갖는다.
이와 같이, 상기 디스퍼션 헤드 및 디퓨저에 의해 가스는 균일한 분포로 챔버 내에 놓여있는 기판의 전면에 제공된다.
그러나, 상기 원형의 플레이트 형상을 갖는 디퓨저의 블로킹에 의해 상기 가스를 발산시키는 경우에는 균일한 분포를 갖도록 상기 가스를 발산시키지 못하는 경우가 빈번하게 발생한다. 따라서, 상기 챔버 내에 놓여있는 기판의 전면에 균일하게 제공되지 않는다. 이는, 상기 디퓨저에 의해 상기 가스가 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 편중(preponderance)해서 발산되기 때문이다.
도 3은 도 1의 가공 장치를 사용하여 기판 상에 막을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 기판(30) 상에 막(32)이 형성되어 있다. 상기 막(32)은 절연막 또는 금속막 등이 해당된다. 상기 절연막 또는 금속막에 대한 선택은 공정 조건에 의한다.
그리고, 상기 막(32)은 가스를 제공받고, 상기 가스와 반응에 의해 형성된다. 이때, 상기 막(32)은 상기 가스가 기판(30)의 전면에 균일하게 제공될 경우 균일한 두께를 갖도록 형성된다.
그러나, 도 1의 장치를 사용하여 상기 기판(30) 상에 상기 막(32)을 형성할 경우 상기 기판(30)의 주연 부위에 형성되는 막의 두께(ℓ1)가 상기 기판(30)의 중심 부위에 형성되는 막의 두께(ℓ2)보다 더 두껍게 형성된다. 이는, 상기 기판(30)의 전면에 가스가 불균일하게 제공되기 때문이다. 즉, 상기 기판(30)의 중심 부위보다 주연 부위에 상기 가스가 많이 제공되기 때문이다.
이와 같이, 상기 막의 두께가 불균일하게 형성되는 것에 의해 상기 가스가 불균일하게 제공되고 있는 것을 확인할 수 있다. 그리고, 상기 가스가 불균일하게 제공되는 원인은 상기 가스를 제공하는 디스퍼션 헤드 및 디퓨저에 있는 것이 명백하다. 특히, 상기 디퓨저가 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 중심 영역으로 발산하지 못하기 때문이다.
따라서, 상기 디스퍼션 헤드 및 디퓨저의 결함으로 인하여 상기 가스를 균일하게 제공하지 못함에 따라 막 또는 패턴이 불균일한 두께로 형성된다. 이는, 반도체 공정에 있어 불량의 원인으로 작용한다. 때문에, 상기 불균일한 가스의 제공은 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도를 저하시키는 문제점으로 작용한다.
본 발명의 제1목적은, 디스퍼션 헤드의 중심 영역 및 외곽 영역을 포함하는 모든 영역에 균일하게 가스를 발산시키기 위한 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2목적은, 디스퍼션 헤드의 중심 영역 및 외곽 영역을 포함하는 모든 영역에서 균일하게 발산시킨 가스를 챔버로 제공하기 위한 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제3목적은, 디스퍼션 헤드의 중심 영역 및 외곽 영역을 포함하는 모든 영역에 균일하게 가스를 발산시키기 위한 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제4목적은, 디스퍼션 헤드의 중심 영역 및 외곽 영역을 포함하는 모든 영역에서 균일하게 발산시킨 가스를 챔버로 제공하여 공정을 수행하기 위한 반도체 공정에 사용되는 가공 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 반도체 공정에 사용되는 가공 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 도 1에 설치되는 디퓨저를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 가공 장치를 사용하여 기판 상에 막을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정에 사용되는 가공 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 5는 도 4에 설치되는 제1디퓨저 및 제2디퓨저를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1디퓨저 내지 제3디퓨저가 설치되는 가스 제공 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 7은 도 4에 설치되는 디스퍼션 헤드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8를 본 발명의 일 실시예에 따른 가스를 제공하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라 챔버 내에 가스를 제공하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 10은 도 4의 가공 장치를 사용하여 기판 상에 막을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 4의 가공 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1, 3, 30, W : 기판 4 : 패턴
10, 40 : 챔버 32 : 막
101, 401 : 페데스탈
103, 403, 603, 703 : 디스퍼션 헤드
105, 405a, 405b, 605a, 605b, 605c : 디퓨저
703a : 입구 703b : 출구
703c : 홀
상기 제1목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법은, 디스퍼션 헤드를 통하여 제공되는 가스를 제1지점에서 첫 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산시키는 단계와, 상기 첫 번째 발산시킨 가스를 상기 가스가 도달될 가스 제공 부위로 제1차 가이드하는 단계와, 상기 제1차 가이드된 가스를 제공받아 상기 제1지점보다 상기 가스 제공 부위에 가까운 제2지점에서 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시키는 단계와, 상기 두 번째 발산시킨 가스를 제2차 가이드하여 상기 가스 제공 부위로 제공하는 단계를 포함한다.
상기 두 번째로 발산시킨 가스를 (n-1) 번째 및 n(n은 자연수) 번째까지 계속해서 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 (n-1) 번째 및 n 번째 발산시켜 상기 가스 제공 부위로 제공하는 단계를 더 포함한다.
이와 같이, 상기 가스를 순차적으로 발산시킴으로서 상기 디스퍼션 헤드의 모든 영역에 균일하게 분포된다. 그리고, 상기 균일한 분포를 갖는 가스가 상기 챔버로 제공된다. 이때, 상기 챔버로 제공되는 가스는 균일한 분포를 갖기 때문에 균일하게 제공된다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법은, 가스를 제공하고, 상기 가스를 가이드하는 디스퍼션 헤드와, 상기 디스퍼션 헤드를 통하여 제공되는 가스를 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 발산시키는 적어도 두 개의 디퓨저를 포함하는 가공 챔버를 마련하는 단계와, 상기 디스퍼션 헤드와 마주하도록 상기 가공 챔버 내의 디스퍼션 헤드의 아래쪽에 기판을 위치시키는 단계와, 상기 디스퍼션 헤드로 상기 가스를 유입시키는 단계와, 상기 디스퍼션 헤드로 유입시킨 가스를 제1지점에서 첫 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산시키는 단계와, 상기 첫 번째로 발산시킨 가스를 제1차 가이드하여 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공하는 단계와, 상기 중심 부위 근방으로 제공되는 가스를 상기 제1지점에서보다 상기 기판에 가까운 제2지점에서 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시키는 단계와, 상기 두 번째 발산시킨 가스를 제2차 가이드하여 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공하는 단계와, 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 및 외곽 부위로 제공되는 가스를 상기 가공 챔버 내에 위치시킨 기판으로 제공하는 단계를 포함한다.
상기 두 번째로 발산시킨 가스를 계속해서 (n-1) 번째 및 n(n은 자연수) 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 (n-1) 번째 및 n 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 가공 챔버 내에 위치시킨 기판으로 제공하는 단계를 더 포함한다.
이와 같이, 상기 디퓨저에 의해 상기 가스는 균일한 분포를 갖도록 발산된다. 따라서, 상기 가공 챔버로 제공되는 가스는 균일하게 제공된다.
상기 챔버는 플라즈마 반응에 의해 기판 상에 막을 형성하는 가공 챔버 또는 상기 기판 상에 형성되어 있는 막을 식각하는 가공 챔버를 마련한다. 이때, 상기 가공 챔버에 대한 선택은 공정 조건에 의한다.
상기 제3목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치는, 내부에 공간을 갖고, 가스를 가이드하고, 상기 가이드된 가스를 일정 부위로 균일하게 제공하기 위한 디스퍼션 헤드와, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 상기 가스가 유입되는 상측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 중심 부위를 차지하고, 상기 디스퍼션 헤드를 통하여 제공되는 가스를 첫 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공하는 제1디퓨저와, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간에 상기 제1디퓨저가 설치된 하측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위를 차지하고, 상기 제1디퓨저에 의해 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공되는 가스를 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향이 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공하는 제2디퓨저를 포함한다.
상기 디스퍼션 헤드 내부에 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 (n-1) 번째 및 n(n은 자연수) 번째까지 계속해서 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 (n-1) 번째 및 n 번째 발산시키는 제(n-1)디퓨저 및 제n디퓨저를 더 포함한다.
상기 제1디퓨저는 원형의 플레이트 형상을 갖고, 상기 제2디퓨저는 환형의 플레이트 형상을 갖는데, 상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는 환형의 플레이트 형상을 갖는다.
이와 같이, 상기 제1디퓨저 내지 제n디퓨저를 설치하여 상기 가스를 발산시킴으로서 상기 가스를 디스퍼션 헤드의 모든 영역에 균일하게 발산시킬 수 있다. 따라서, 상기 균일하게 발산시킨 가스를 챔버에 제공하기 때문에 상기 가스는 상기 챔버에 균일하게 제공된다.
상기 제4목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정에 사용되는 가공 장치는 기판이 놓여지는 페데스탈을 포함하고, 상기 기판을 가공하기 위한 가공 챔버와, 내부에 공간을 갖고, 가스를 가이드하고, 상기 가이드된 가스를 일정 부위로 균일하게 제공하기 위한 디스퍼션 헤드와, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 상기 가스가 유입되는 상측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 중심 부위를 차지하고, 상기 디스퍼션 헤드를 통하여 제공되는 가스를 첫 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공하는 제1디퓨저와, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간에 상기 제1디퓨저가 설치된 하측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위를 차지하고, 상기 제1디퓨저에 의해 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공되는 가스를 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향이 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공하는 제2디퓨저를 포함하는 가스 제공 수단을 포함한다.
상기 가스 제공 수단은 디스퍼션 헤드 내부에 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 (n-1) 번째 및 n(n은 자연수) 번째까지 계속해서 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측방향으로 발산시키는 제(n-1)디퓨저 및 제n디퓨저를 더 포함한다.
상기 제1디퓨저는 원형의 플레이트 형상을 갖고, 상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는 환형의 플레이트 형상을 갖는다.
이와 같이, 상기 제1디퓨저 내지 제n디퓨저를 설치하여 상기 가스를 발산시킴으로서 상기 가스를 디스퍼션 헤드의 모든 영역에 균일하게 발산시킬 수 있다. 따라서, 상기 균일하게 발산시킨 가스를 챔버에 제공하기 때문에 상기 가스는 상기 챔버에 균일하게 제공된다. 상기 가스를 균일하게 제공함으로서 상기 기판 상에 균일한 두께를 갖는 막 또는 패턴을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정에 사용되는 가공 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 4를 참조하면, 상기 가공 장치는 기판(W) 상에 막을 형성하는 막 형성 장치 또는 상기 기판(W) 상에 형성되어 있는 막을 식각하여 패턴을 형성하는 식각 장치에 해당한다. 상기 막 형성 장치 또는 식각 장치에 대한 선택은 공정 조건에 의해 결정된다. 그리고, 상기 가공 장치는 플라즈마 반응을 이용하여 상기 막 또는 패턴을 형성하는 가공 장치를 포함한다.
상기 가공 장치에 실란(SiH4) 가스 및 산소 가스를 제공하고, 상기 실란 가스 및 산소 가스를 해리하여 플라즈마 상태로 형성하는 공정 조건을 조성할 경우 상기 기판 상에 산화막이 형성된다. 이때, 상기 공정 조건 중에서 압력, 온도 및 시간 등과 같은 공정 조건은 상기 산화막의 두께 등에 의해 결정된다.
상기 가공 장치에 CHF3가스를 제공하고, 상기 CHF3가스를 해리하여 플라즈마 상태로 형성하는 공정 조건을 조성할 경우 상기 기판 상에 형성되어 있는 산화막은 산화막 패턴으로 형성된다. 이때, 상기 패턴을 형성하기 위한 패턴 마스크는 포토레지스트 패턴을 사용한다. 그리고, 상기 공정 조건 중에서 압력, 온도 및 시간 등과 같은 공정 조건은 식각되는 산화막의 두께 등에 의해 결정된다.
상기 가공 장치는 챔버(40) 내에 기판(W)이 놓여지는 페데스탈(401)을 포함한다. 그리고, 상기 가공 장치는 상기 챔버(40) 내에 설치되는 디스퍼션 헤드(403) 및 상기 디스퍼션 헤드(403) 내부에 설치되는 제1디퓨저(405a) 및 제2디퓨저(405b)를 포함한다.
상기 제1디퓨저는 상기 가스가 유입되는 방향을 기준으로 상기 디스퍼션 헤드의 상측에 설치되고, 상기 제2디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드 내부에 상기 제1디퓨저가 설치된 하측에 설치된다. 상기 제1디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 상기 중심 부위에 설치되고, 상기 제2디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위를 제외한 외곽 부위에 설치된다. 따라서, 상기 제1디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위를 차지하고(occupying), 상기 제2디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 상기 중심 부위를 제외한 외곽 부위를 차지하는 구성을 갖는다.
도 5는 도 4에 설치되는 제1디퓨저 및 제2디퓨저를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 도시된 도면은 상기 제1디퓨저(405a) 및 제2디퓨저(405b)를 나타낸다. 상기 제1디퓨저(405a)는 원형의 플레이트 형상을 갖는다. 그리고, 상기 제2디퓨저(405b)는 환형의 플레이트 형성을 갖는다. 이때, 상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1디퓨저 내지 제3디퓨저가 설치되는 가스 제공 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 6을 참조하면, 도시된 도면은 디스퍼션 헤드(603) 및 상기 디스퍼션 헤드(603)에 설치되는 제1디퓨저(605a), 제2디퓨저(605b) 및 제3디퓨저(605c)를 나타낸다. 상기 제1디퓨저(605a)는 원형의 플레이트 형상을 갖는다. 그리고, 상기 제2디퓨저(605b)는 환형의 플레이트 형상을 갖는다. 이때 상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는다. 상기 제3디퓨저(605c)는 상기 제2디퓨저와 마찬가지로 환형의 플레이트 형상을 갖는다. 이때 상기 제3디퓨저는 상기 제2디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는다. 그리고, 상기 제1디퓨저(605a)는 상기 디스퍼션 헤드의 상측에 설치되고, 상기 제2디퓨저(605b)는 상기 디스퍼션 헤드 내부에 상기 제1디퓨전이 설치된 하측에 설치되고, 상기 제3디퓨저(605c)는 상기 디스퍼션 헤드 내부에 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 설치된다. 그리고, 상기 제1디퓨저(605a)는 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저(605b)는 상기 디스퍼션 헤드의상기 중심 부위를 제외한 외곽 부위를 차지하고, 상기 제3디퓨저(605c)는 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽의 부위를 차지한다.
이를 근거로, 상기 디스퍼션 헤드 내부에 제1디퓨저 내지 제n(n은 자연수)디퓨저를 순차적으로 설치할 수 있다. 상기 제1디퓨저 내지 제n디퓨저를 설치할 경우 상기 제1디퓨저 내지 제n디퓨저의 크기는 상기 디스퍼션 헤드의 크기 및 상기 가스의 발산 방향을 고려할 경우 용이하게 결정할 수 있다.
도 7은 도 4에 설치되는 디스퍼션 헤드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7를 참조하면, 도시된 도면은 디스퍼션 헤드(703)를 나타낸다. 상기 디스퍼션 헤드(703)는 가스가 유입되는 입구(inlet)(703a) 및 상기 가스가 유출되는 출구(703b)를 갖는다. 상기 입구(703a)는 가스를 제공하는 가스 제공 라인(도시되지 않음)과 연결되는 구성을 갖는다. 그리고, 상기 입구(703a)는 상기 디스퍼션 헤드(703)의 중심 부위에 위치하도록 설치된다. 상기 출구(703b)는 다수개의 홀(hole)(703c)들을 포함한다. 이에 따라, 상기 가스는 상기 출구의 홀들을 통하여 챔버에 제공되는 구성을 갖는다. 또한, 상기 디스퍼션 헤드(703)는 상기 제1디퓨저 및 제2디퓨저에 의해 발산되는 가스를 상기 가스가 제공될 가스 제공 부위로 가이드한다. 즉, 상기 가스가 상기 가스 제공 부위로 제공되도록 유도하는 것이다. 이때, 상기 가스 제공 부위는 가공 챔버 내에 위치하는 기판이 된다.
이상으로, 상기 가스 제공 장치는 디스퍼션 헤드 및 상기 디스퍼션 헤드에 설치되는 제1디퓨저 및 제2디퓨저를 포함한다. 그리고, 상기 장치는 (n-1) 번째 디퓨저 및 제n(n은 자연수)디퓨저를 더 포함한다. 그리고, 상기 가공 장치는 챔버 및상기 챔버에 가스를 제공하는 가스 제공부를 포함한다. 상기 챔버는 플라즈마 반응을 이용하는 플라즈마 반응 챔버를 포함한다. 상기 가스 제공부는 디스퍼션 헤드 및 상기 디스퍼션 헤드에 설치되는 제1디퓨저 및 제2디퓨저를 포함한다. 그리고, 상기 가스 제공부는 (n-1) 번째 디퓨저 및 제n(n은 자연수)디퓨저를 더 포함한다.
상기 가스 제공 장치에 의해 제공되는 가스는 다음과 같다.
도 8를 본 발명의 일 실시예에 따른 가스를 제공하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 8를 참조하면, 도시된 도면은 상기 디스퍼션 헤드의 입구를 통하여 유입되고, 상기 제1디퓨저 및 제2디퓨저에 의해 발산되고, 상기 디스퍼션 헤드의 출구를 통하여 유출되는 가스의 흐름을 나타낸다. 그리고, 상기 디스퍼션 헤드를 통하여 유출되는 가스는 챔버로 제공된다. 이때, 상기 제1디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 상측에 설치되고, 상기 제2디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 하측에 설치된다. 그리고, 상기 제1디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위를 차지한다.
구체적으로, 상기 디스퍼션 헤드의 입구를 통하여 가스가 제공된다. 상기 가스는 상기 제1디퓨저에 의해 첫 번째로 블로킹된다.(S80 단계) 이에 따라, 상기 가스는 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 발산된다. 그리고, 상기 측 방향으로 발산된 가스는 계속적으로 상기 디스퍼션 헤드의 하측으로 제공된다. 이때, 상기 디스퍼션 헤드는 상기 제1디퓨저에 의해 발산된 가스를 상기 가공 챔버 내에 위치하는 기판으로 가이드한다. 이에, 상기 첫 번째 블로킹에 의해 발산된 가스는제2디퓨저에 의해 두 번째로 블로킹된다.(S82 단계) 이에 따라, 상기 가스는 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 발산된다. 이때, 상기 디스퍼션 헤드는 상기 제2디퓨저에 의해 발산된 가스를 상기 가공 챔버 내에 위치하는 기판으로 가이드한다. 그리고, 상기 두 번째로 발산시킨 가스를 (n-1) 번째 및 n 번째까지 계속해서 블로킹할 수 있다. 이때, 상기 블로킹은 제(n-1)디퓨저 및 제n디퓨저에 의한다. 이에 따라, 상기 가스는 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 계속해서 발산된다.
상기 가스는 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 및 외곽 부위를 포함하는 모든 부위로 발산된다. 그리고, 상기 모든 부위로 발산된 가스는 상기 디스퍼션 헤드의 출구를 통하여 챔버로 제공된다. 따라서, 상기 가스는 상기 챔버에 놓여있는 기판 상에 균일하게 제공된다.
상기 가스가 균일하게 제공됨에 따라 상기 기판 상에 형성되는 막 또는 패턴은 균일한 두께를 갖도록 형성된다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라 챔버 내에 가스를 제공하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 9를 참조하면, 도시된 도면은 디스퍼션 헤드를 통하여 챔버에 가스가 제공되는 흐름을 나타낸다. 구체적으로, 상기 챔버를 마련한다.(S90 단계)
상기 챔버에는 디스퍼션 헤드와, 제1디퓨저 및 제2디퓨저를 포함하는 가스 제공부가 설치된다. 상기 디스퍼션 헤드는 입구 및 출구를 갖는다. 상기 입구는 상기 디스퍼션 헤드 중심 부위에 설치되고, 상기 출구는 다수개의 홀들을 포함한다.그리고, 상기 제1디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드의 상측에 설치되고, 중심 부위를 차지한다. 상기 제2디퓨저는 상기 디스퍼션 헤드에 상기 제1디퓨저가 설치된 하측에 설치되고, 상기 중심 부위를 제외한 외곽 부위를 차지한다. 그리고, 상기 챔버는 상기 기판이 놓여지는 페데스탈을 포함한다. 또한 상기 챔버는 플라즈마 반응을 이용하여 막을 형성하는 가공 장치 또는 패턴을 형성하는 가공 장치를 포함한다.
상기 챔버 내에 기판을 위치시킨다.(S91 단계) 상기 기판은 상기 챔버 내의 페데스탈에 놓여진다. 이때 상기 기판은 상기 디스퍼션 헤드 아래쪽에 위치하고, 상기 디스퍼션 헤드와 마주한다.
상기 챔버 내에 가스를 제공하기 위하여 상기 디스퍼션 헤드로 가스를 유입시킨다.(S92 단계) 상기 가스는 상기 디스퍼션 헤드의 입구를 통하여 제공된다.
상기 가스는 상기 제1디퓨저에 의해 첫 번째로 블로킹된다.(S93 단계) 따라서, 상기 가스는 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 발산되고, 상기 발산에 의해 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공된다.
상기 가스는 상기 제2디퓨저에 의해 두 번째로 블로킹된다.(S94 단계) 따라서, 상기 가스는 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 발산되고, 상기 발산에 의해 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공된다.
그리고, 상기 제1디퓨저 및 제2디퓨저에 의해 발산되는 가스는 상기 디스퍼션 헤드에 의해 상기 가공 챔버 내에 위치하는 기판으로 가이드된다.
이와 같이, 상기 중심 부위 및 외곽 부위로 제공된 가스는 상기 디스퍼션 헤드의 출구를 통하여 상기 챔버로 제공된다.(S95 단계)
이때, 상기 챔버로 제공되는 가스는 균일한 분포를 갖는다. 이는, 상기 가스가 상기 제1디퓨저 및 제2디퓨저에 의해 상기 디스퍼션 헤드의 중심 영역 및 외곽 영역을 포함하는 모든 영역에 균일하게 발산되기 때문이다. 따라서, 상기 챔버에 균일하게 제공되는 것이다.
이에 따라, 상기 챔버 내에 놓여있는 기판 상에 균일하게 상기 가스가 제공된다. 상기 균일한 가스의 제공에 의해 상기 기판 상에 형성하는 막 또는 패턴은 균일한 두께를 갖도록 형성된다.
그리고, 상기 두 번째로 발산시킨 가스를 (n-1) 번째 및 n 번째까지 계속해서 블로킹할 수 있다. 이때, 상기 블로킹은 제(n-1)디퓨저 및 제n디퓨저에 의한다. 이에 따라, 상기 가스는 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 계속해서 발산된다. 따라서, 상기 가스는 균일하게 상기 챔버로 제공된다.
도 10은 도 4의 가공 장치를 사용하여 기판 상에 막을 형성한 상태를 나타내는 단면도이고, 도 11은 도 4의 가공 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 도시된 도면은 기판(1) 상에 막(2)이 형성되어 있는 상태를 나탄내다. 여기서, 상기 막(2)은 상기 기판(1)의 중심 부위의 두께(ℓ4)와 주연 부위의 두께(ℓ3)가 동일하게 형성되어 있다. 이는, 상기 막을 형성할 때 가스를 상기 기판의 모든 부위에 균일하게 제공하기 때문이다.
따라서, 상기 제1디퓨저 및 제2디퓨저에 의한 가스의 발산이 상기 가스를 균일하게 제공한다는 것을 확인할 수 있다.
도 11를 참조하면, 도시된 도면은 기판(3) 상에 패턴(4)이 형성되어 있는 상태를 나탄내다. 여기서, 상기 패턴(4)은 상기 기판(3)의 중심 부위의 두께(ℓ6)와 주연 부위의 두께(ℓ5)가 동일하게 형성되어 있다. 이는, 상기 패턴을 형성할 때 가스를 상기 기판의 모든 부위에 균일하게 제공하기 때문이다.
따라서, 상기 제1디퓨저 및 제2디퓨저에 의한 가스의 발산이 상기 가스를 균일하게 제공한다는 것을 확인할 수 있다.
이와 같이, 적어도 두 개의 디퓨저를 포함하는 가스 제공 장치는 상기 가스를 계속해서 발산시키기 때문에 상기 가스를 균일하게 제공할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 챔버에 제공되는 가스의 균일도를 확보할 수 있다. 이와 같이, 상기 가스의 균일도가 확보되는 가스가 상기 챔버 내에 위치하는 기판 상에 제공됨으로서, 상기 기판 상에 형성되는 막 또는 패턴을 균일한 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 상기 균일한 두께를 갖는 막 또는 패턴은 신뢰도를 갖기 때문에 불량의 원인으로 작용하지 않는다. 특히, 미세 가공을 요구하는 최근의 반도체 장치에서 상기 균일한 두께를 갖는 막 또는 패턴의 형성은 필요 사항에 해당된다.
이와 같이, 본 발명은 상기 가스를 균일하게 제공할 수 있는 방법 및 장치를 제공함으로서 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과를 제공한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (19)

  1. 디스퍼션 헤드(dispersion head)를 통하여 제공되는 가스를 제1지점에서 첫 번째로 블로킹(blocking)하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측(side) 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산(diffusing)시키는 단계;
    상기 첫 번째 발산시킨 가스를 상기 가스가 도달될 가스 제공 부위로 제1차 가이드하는 단계;
    상기 제1차 가이드된 가스를 제공받아 상기 제1지점보다 상기 가스 제공 부위에 가까운 제2지점에서 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시키는 단계; 및
    상기 두 번째 발산시킨 가스를 제2차 가이드하여 상기 가스 제공 부위로 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두 번째 발산시킨 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 3 번째 및 4 번째 발산시켜 상기 가스 제공 부위로 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법.
  3. 가스를 제공하고, 상기 가스를 가이드하는 디스퍼션 헤드와, 상기 디스퍼션헤드를 통하여 제공되는 가스를 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 발산시키는 적어도 두 개의 디퓨저(diffuser)를 포함하는 가공 챔버를 마련하는 단계;
    상기 디스퍼션 헤드와 마주하도록 상기 가공 챔버 내의 상기 디스퍼션 헤드의 아래쪽에 기판을 위치시키는 단계;
    상기 디스퍼션 헤드로 상기 가스를 유입시키는 단계;
    상기 디스퍼션 헤드로 유입시킨 가스를 제1지점에서 첫 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산시키는 단계;
    상기 첫 번째로 발산시킨 가스를 제1차 가이드하여 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공하는 단계;
    상기 중심 부위 근방으로 제공되는 가스를 상기 제1지점에서보다 상기 기판에 가까운 제2지점에서 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시키는 단계;
    상기 두 번째 발산시킨 가스를 제2차 가이드하여 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공하는 단계; 및
    상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 및 외곽 부위로 제공되는 가스를 상기 가공 챔버 내에 위치시킨 기판으로 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 두 번째로 발산시킨 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 3 번째 및 4 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 가공 챔버 내에 위치시킨 기판으로 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 챔버는 플라즈마 반응 챔버를 마련하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 챔버는 플라즈마 반응에 의해 기판 상에 막을 형성하는 가공 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 챔버는 플라즈마 반응에 의해 기판 상에 형성되어 있는 막을 식각하는 가공 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법.
  8. 내부에 공간을 갖고, 가스를 가이드하고, 상기 가이드된 가스를 일정 부위로 균일하게 제공하기 위한 디스퍼션 헤드;
    상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 상기 가스가 유입되는 상측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 중심 부위를 차지하고(occupying), 상기 디스퍼션헤드를 통하여 제공되는 가스를 첫 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공하는 제1디퓨저; 및
    상기 디스퍼션 헤드 내부 공간에 상기 제1디퓨저가 설치된 하측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위를 차지하고, 상기 제1디퓨저에 의해 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공되는 가스를 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공하는 제2디퓨저를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간에 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 3 번째 및 4 번째 발산시키는 제3디퓨저 및 제4디퓨저를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 디스퍼션 헤드는 상기 가스가 유입되는 입구(inlet) 및 상기 가스가 유출되는 출구를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는가스를 제공하는 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 출구는 다수개의 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제1디퓨저는 원형(circle type)의 플레이트(plate) 형상을 갖고, 상기 제2디퓨저는 환형(ring type)의 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는 환형의 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치.
  14. 기판이 놓여지는 페데스탈(pedestal)을 포함하고, 상기 기판을 가공하기 위한 가공 챔버; 및
    내부에 공간을 갖고, 가스를 가이드하고, 상기 가이드된 가스를 상기 가공 챔버로 균일하게 제공하기 위한 디스퍼션 헤드와, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 상기 가스가 유입되는 상측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간의 중심 부위를 차지하고, 상기 디스퍼션 헤드를 통하여 제공되는 가스를 첫 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 첫 번째 발산시켜 상기가스를 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공하는 제1디퓨저 및 상기 디스퍼션 헤드 내부 공간에 상기 제1디퓨저가 설치된 하측에 설치되고, 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위를 차지하고, 상기 제1디퓨저에 의해 상기 디스퍼션 헤드의 중심 부위 근방으로 제공되는 가스를 두 번째로 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 두 번째 발산시켜 상기 가스를 상기 디스퍼션 헤드의 외곽 부위로 제공하는 제2디퓨저를 포함하는 가스 제공 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가공 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 가스 제공 수단은 상기 디스퍼션 헤드 내부에 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 3 번째 및 4 번째 발산시키는 제3디퓨저 및 제4디퓨저를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 챔버는 플라즈마 반응을 이용하여 상기 기판 상에 막을 형성하기 위한 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가공 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 챔버는 플라즈마 반응을 이용하여 상기 기판 상에 형성되어 있는 막을 식각하기 위한 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가공 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 디스퍼션 헤드는 상기 가스가 유입되는 입구(inlet) 및 상기 가스가 유출되는 다수개의 홀들을 포함하는 출구를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 제1디퓨저는 원형의 플레이트 형상을 갖고, 상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는 환형의 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가공 장치.
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