KR100376871B1 - Power-up signal generator - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 파워 업 신호 발생기는 외부 전원전압이 충분한 전압 레벨에 도달하지 않은 상태에서 초기화 신호가 발생하는 에러를 방지하여 안정적인 초기화가 이루어지도록 하는데 그 목적이 있다. 이와 같은 목적의 본 발명은 외부 초기화 신호 발생부와 내부 초기화 신호 발생부를 포함하여 이루어진다. 외부 초기화 신호 발생부는 바이어스 전압에 의해 제어되는 제 1 전류 미러가 제 1 노드에 연결되고, 외부 전원 전압과 접지 사이에 제 1 능동 부하와 제 1 인버터 회로 및 제 2 인버터 회로가 직렬 연결되며, 제 1 인버터 회로와 제 2 인버터 회로가 제 1 능동 부하를 통해 전원을 공급받고, 제 1 노드의 전압과 제 2 인버터 회로의 출력이 제 1 인버터 회로에 입력되며, 제 1 인버터 회로의 출력단인 제 2 노드가 제 2 인버터 회로의 입력에 연결되고, 제 1 인버터 회로의 출력이 파워 업 신호로서 출력되도록 이루어진다. 내부 초기화 신호 발생부는 제 2 능동 부하와 제 3 능동 부하 및 제 2 전류 미러가 내부 전원전압과 접지 사이에 직렬 연결되고, 제 2 전류 미러가 제 2 바이어스 전압에 의해 제어되며, 제 3 능동 부하와 제 2 전류 미러가 연결되는 제 3 노드가 제 2 노드에 연결되도록 이루어진다.The purpose of the power-up signal generator according to the present invention is to provide a stable initialization by preventing an error that the initialization signal is generated when the external power supply voltage does not reach a sufficient voltage level. The present invention for this purpose comprises an external initialization signal generator and an internal initialization signal generator. The external initialization signal generator includes a first current mirror controlled by a bias voltage connected to the first node, a first active load, a first inverter circuit, and a second inverter circuit connected in series between an external power supply voltage and ground. The first inverter circuit and the second inverter circuit are supplied with power through the first active load, the voltage of the first node and the output of the second inverter circuit are input to the first inverter circuit, and the second terminal which is an output terminal of the first inverter circuit. The node is connected to the input of the second inverter circuit and the output of the first inverter circuit is configured to be output as a power up signal. The internal initialization signal generator includes a second active load, a third active load, and a second current mirror connected in series between an internal power supply voltage and a ground, a second current mirror controlled by a second bias voltage, and a third active load. The third node to which the second current mirror is connected is made to be connected to the second node.
Description
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 특히 초기화에 필요한 파워 업 신호 발생기에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and more particularly, to a power up signal generator for initialization.
대부분의 반도체 회로는 시스템이 파워 온 된 다음 초기화(power on reset) 과정을 거치게 된다. 따라서 파워 온 되었을 때 회로를 초기화시키기 위한 신호가 필요한데, 이를 파워 업 신호(power up signal)라 한다. 파워 업 신호는 외부 전원전압(VDD)이 상승함에 따라 함께 상승하다가 외부 전원전압(VDD)이 충분한 레벨에 도달하면 로우 레벨로 떨어진다.Most semiconductor circuits go through a power on reset after the system is powered on. Therefore, when powered on, a signal for initializing a circuit is required, which is called a power up signal. The power-up signal rises together as the external power supply voltage VDD rises and then drops to a low level when the external power supply voltage VDD reaches a sufficient level.
도 1은 종래의 파워 업 신호 발생기를 나타낸 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a conventional power up signal generator.
도 1에 나타낸 바와 같이, 파워 업 신호 발생기(102)에는 바이어스 전압 발생기(104)로부터 바이어스 전압을 공급받는다. 바이어스 전압 발생기(104)의 노드(132)에는 피모스 트랜지스터(106)와 엔모스 트랜지스터(108)의 턴 온 저항에 의해 결정되는 바이어스 전류(IBIAS)가 흐른다.As shown in FIG. 1, the power up signal generator 102 is supplied with a bias voltage from the bias voltage generator 104. The node 132 of the bias voltage generator 104 flows a bias current I BIAS determined by the turn-on resistances of the PMOS transistor 106 and the NMOS transistor 108.
파워 업 신호 발생기(102)에서, 엔모스 트랜지스터(114)가 전류 미러(current mirror)를 구성하여 노드(134)에도 바이어스 전류(IBIAS)가 공급된다. 노드(134)의 전압은 두 개의 인버터(138)(140)로 구성된 래치(latch)에 저장되고, 래치의 출력 전압은 직렬 연결된 인버터 체인(128)(130)에 의해 구동 능력이 향상되어 액티브 로우(active low)의 파워 업 신호(/PU)로서 출력된다.In the power up signal generator 102, the NMOS transistor 114 forms a current mirror so that the bias current I BIAS is also supplied to the node 134. The voltage at node 134 is stored in a latch consisting of two inverters 138 and 140, and the output voltage of the latch is driven active by a series of inverter chains 128 and 130 connected in series, resulting in an active low. It is output as a power-up signal (/ PU) of (active low).
바이어스 전압 발생기(104)에서, 노드(132)의 전압은 바이어스 전압 발생기(104)의 피모스 트랜지스터(106)와 엔모스 트랜지스터(108)의 턴 온 저항에 의해 결정된다. 피모스 트랜지스터(106)와 엔모스 트랜지스터(108)의 크기를 크게 하면 노드(132)의 전압은 매우 낮게 유지되고, 파워 업 신호 발생기(102)의 엔모스 트랜지스터(114)가 매우 작은 전류 경로를 형성하게 된다.In bias voltage generator 104, the voltage at node 132 is determined by the turn on resistance of PMOS transistor 106 and NMOS transistor 108 of bias voltage generator 104. If the PMOS transistor 106 and the NMOS transistor 108 are made larger in size, the voltage at the node 132 is kept very low, and the NMOS transistor 114 of the power-up signal generator 102 generates a very small current path. To form.
외부 전원전압(VDD)이 2Vt 이하이면 노드(134)의 전압은 로우 레벨이 된다. 따라서 노드(136)의 전압은 하이 레벨이 되어 파워 업 신호(/PU) 역시 하이 레벨이다(비활성화 상태). 외부 전원전압(VDD)이 2Vt보다 커지면 직렬 연결된 두 개의 피모스 트랜지스터(110)(112)가 턴 온 되어 노드(134)의 전압이 외부 전원전압(VDD)을 따라 상승하고, 이 때문에 엔모스 트랜지스터(122)와 피모스 트랜지스터(116)가 턴 온 되어 노드(134)의 전압은 더욱 빠르게 상승하고, 노드(136)의 전압은 더욱 떨어져서 파워 업 신호(/PU)는 로우 레벨이 된다(활성화 상태).When the external power supply voltage VDD is 2Vt or less, the voltage of the node 134 becomes a low level. Therefore, the voltage at the node 136 is at a high level so that the power-up signal / PU is also at a high level (disabled state). When the external power supply voltage VDD is greater than 2Vt, two PMOS transistors 110 and 112 connected in series are turned on so that the voltage of the node 134 increases along with the external power supply voltage VDD. 122 and PMOS transistor 116 are turned on so that the voltage at node 134 rises faster, the voltage at node 136 is further dropped so that the power-up signal / PU is at a low level (active state) ).
그러나, 이와 같은 종래의 파워 업 신호 발생기는 다음과 같은 문제를 가지고 있다.However, such a conventional power-up signal generator has the following problems.
첫째, 두 개의 인버터(138)(140)로 구성되는 래치 회로의 입력인 노드(134)의 전압은 초기 파워 온 시에 외부 전원전압(VDD)이 충분히 상승하지 않은 동안에는 로우 레벨로 있어야 한다. 이를 위하여 노드(134)와 접지(VSS) 사이에는 엔모스 캐패시터(124)가 연결되고, 노드(136)와 외부 전원전압(VDD) 사이에는 피모스 캐패시터(126)가 연결된다. 그러나 외부 전원전압(VDD)이 천천히 상승하는 경우에는 이 두 캐패시터(124)(126)가 거의 영향을 미치지 한다. 따라서 직렬 연결된 두 개의 피모스 트랜지스터(110)(112)에 의한 전류 경로와 인버터(138)의 피모스 트랜지스터(116)에 의한 전류 경로를 통해 노드(134)에 공급되는 전류 량이 지나치게 커진다. 이 때문에 외부 전원전압(VDD)이 아직 임계전압 Vt 이하일 때에도 노드(134)의 전압이 인버터(140)의 논리 임계전압(logic threshold voltage) 이상으로 되어 노드(136)의 전압을 로우 레벨로 만들고, 나아가 파워 업 신호(/PU)까지도 로우 레벨로 활성화시키게 된다. 이 때 외부 전원전압(VDD)은 아직 충분한 레벨(2Vt 이상)에 도달하지 않은 상태이므로 비정상적인 파워 업 신호(/PU)가 발생한 것이 된다.First, the voltage of the node 134, which is the input of the latch circuit composed of two inverters 138 and 140, must be at a low level while the external power supply voltage VDD is not sufficiently increased at initial power-on. For this purpose, the NMOS capacitor 124 is connected between the node 134 and the ground VSS, and the PMOS capacitor 126 is connected between the node 136 and the external power supply voltage VDD. However, when the external power supply voltage VDD slowly rises, these two capacitors 124 and 126 have little effect. Therefore, the amount of current supplied to the node 134 through the current path by the two PMOS transistors 110 and 112 connected in series and the current path by the PMOS transistor 116 of the inverter 138 becomes excessively large. Therefore, even when the external power supply voltage VDD is still below the threshold voltage Vt, the voltage of the node 134 becomes higher than or equal to the logic threshold voltage of the inverter 140 to bring the voltage of the node 136 to a low level. Furthermore, even the power-up signal (/ PU) is activated at a low level. At this time, since the external power supply voltage VDD has not yet reached a sufficient level (2Vt or more), an abnormal power-up signal / PU has occurred.
둘째, 내부 전원전압(VPERI)을 사용하는 반도체 회로에서는 내부 전원전압(VPERI)이 필요한 레벨에 도달한 이후에 파워 업 신호(/PU)가 로우 레벨로 떨어지도록 설계해야 한다. 그러나 위에서 언급한 종래 기술의 첫 번째 문제로 인하여 외부 전원전압(VDD)과 내부 전원전압(VPERI)이 충분한 레벨에 도달하기 못한 상태에서 미리 파워 업 신호(/PU)가 활성화되는 에러가 발생할 수 있다.Second, the internal supply voltage (V PERI) power-up signal (/ PU) after reaching the required level of the internal power supply voltage (V PERI) in the semiconductor circuit using a must be designed to fall to the low level. However, due to the first problem of the prior art mentioned above, an error may occur in which the power-up signal (/ PU) is activated before the external power supply voltage VDD and the internal power supply voltage V PERI do not reach a sufficient level. have.
본 발명에 따른 파워 업 신호 발생기는 외부 전원전압이 충분한 전압 레벨에 도달하지 않은 상태에서 초기화 신호가 발생하는 에러를 방지하여 안정적인 초기화가 이루어지도록 하는데 그 목적이 있다.The purpose of the power-up signal generator according to the present invention is to provide a stable initialization by preventing an error that the initialization signal is generated when the external power supply voltage does not reach a sufficient voltage level.
이와 같은 목적의 본 발명은 외부 초기화 신호 발생부와 내부 초기화 신호 발생부를 포함하여 이루어진다.The present invention for this purpose comprises an external initialization signal generator and an internal initialization signal generator.
외부 초기화 신호 발생부는 바이어스 전압에 의해 제어되는 제 1 전류 미러가 제 1 노드에 연결되고, 외부 전원 전압과 접지 사이에 제 1 능동 부하와 제 1 인버터 회로 및 제 2 인버터 회로가 직렬 연결되며, 제 1 인버터 회로와 제 2 인버터 회로가 제 1 능동 부하를 통해 전원을 공급받고, 제 1 노드의 전압과 제 2 인버터 회로의 출력이 제 1 인버터 회로에 입력되며, 제 1 인버터 회로의 출력단인 제 2 노드가 제 2 인버터 회로의 입력에 연결되고, 제 1 인버터 회로의 출력이 파워 업 신호로서 출력되도록 이루어진다.The external initialization signal generator includes a first current mirror controlled by a bias voltage connected to the first node, a first active load, a first inverter circuit, and a second inverter circuit connected in series between an external power supply voltage and ground. The first inverter circuit and the second inverter circuit are supplied with power through the first active load, the voltage of the first node and the output of the second inverter circuit are input to the first inverter circuit, and the second terminal which is an output terminal of the first inverter circuit. The node is connected to the input of the second inverter circuit and the output of the first inverter circuit is configured to be output as a power up signal.
내부 초기화 신호 발생부는 제 2 능동 부하와 제 3 능동 부하 및 제 2 전류 미러가 내부 전원전압과 접지 사이에 직렬 연결되고, 제 2 전류 미러가 제 2 바이어스 전압에 의해 제어되며, 제 3 능동 부하와 제 2 전류 미러가 연결되는 제 3 노드가 제 2 노드에 연결되도록 이루어진다.The internal initialization signal generator includes a second active load, a third active load, and a second current mirror connected in series between an internal power supply voltage and a ground, a second current mirror controlled by a second bias voltage, and a third active load. The third node to which the second current mirror is connected is made to be connected to the second node.
도 1은 종래의 파워 업 신호 발생기를 나타낸 회로도.1 is a circuit diagram showing a conventional power-up signal generator.
도 2는 본 발명에 따른 파워 업 신호 발생기를 나타낸 회로도.2 is a circuit diagram illustrating a power up signal generator according to the present invention.
이와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 파워 업 신호 발생기의 바람직한 실시예를도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 2는 본 발명에 따른 파워 업 신호 발생기를 나타낸 회로도이다.A preferred embodiment of the power up signal generator according to the present invention as described above will be described with reference to FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a power up signal generator according to the present invention.
도 2에 나타낸 바와 같이, 파워 업 신호 발생기(202)에는 바이어스 전압 발생기(204)로부터 바이어스 전압을 공급받는다. 바이어스 전압 발생기(204)의 노드(236)에는 피모스 트랜지스터(206)와 엔모스 트랜지스터(208)의 턴 온 저항에 의해 결정되는 바이어스 전류(IBIAS)가 흐른다.As shown in FIG. 2, the power up signal generator 202 is supplied with a bias voltage from the bias voltage generator 204. The node 236 of the bias voltage generator 204 flows a bias current I BIAS determined by the turn-on resistances of the PMOS transistor 206 and the NMOS transistor 208.
파워 업 신호 발생기(202)에서, 노드(238)에 연결되는 엔모스 트랜지스터(114)가 노드(236)의 바이어스 전압에 의해 제어된다. 노드(238)의 전압은 두 개의 인버터(242)(244)로 구성된 래치(latch)에 저장되고, 래치의 출력 전압은 직렬 연결된 인버터 체인(226)(228)에 의해 구동 능력이 향상되어 액티브 로우(active low)의 파워 업 신호(/PU)로서 출력된다.In power up signal generator 202, NMOS transistor 114 coupled to node 238 is controlled by the bias voltage of node 236. The voltage at node 238 is stored in a latch consisting of two inverters 242 and 244, and the output voltage of the latch is driven active by a series of inverter chains 226 and 228 connected in series, resulting in an active low. It is output as a power-up signal (/ PU) of (active low).
CMOS로 구성되는 두 개의 인버터 회로(242)(244)에는 다이오드 연결된 피모스 트랜지스터(212)를 통해 전원이 공급된다. 인버터 회로(244)의 출력은 인버터 회로(242)의 입력단 즉, 노드(238)에 연결된다. 이와 같은 엔모스 트랜지스터(210)와 두 개의 인버터 회로(242)(244)는 외부 전원전압(VDD)에 의한 초기화 신호를 발생시키므로 외부 초기화 신호 발생부라고 할 수 있다.Two inverter circuits 242 and 244, which are composed of CMOS, are supplied with power through a diode-connected PMOS transistor 212. The output of the inverter circuit 244 is connected to the input terminal of the inverter circuit 242, that is, the node 238. The NMOS transistor 210 and the two inverter circuits 242 and 244 generate an initialization signal by the external power supply voltage VDD, and thus may be referred to as an external initialization signal generator.
엔모스 트랜지스터(236)는 채널이 매우 작기 때문에 노드(236)의 바이어스 전압에 의해 턴 온 되더라도 매우 작은 전류 경로를 형성한다. 외부 전원전압(VDD)에 의한 정상적인 초기화 신호 발생을 위해서는, 외부 전원전압(VDD)이 임계전압 Vt 이하인 동안 노드(238)의 전압이 로우 레벨로 유지되어야 한다. 인버터 회로(242)의 피모스 트랜지스터(218)가 턴 온 되어 노드(240)의 전압이 상승하고, 이 때문에 인버터 회로(244)의 엔모스 트랜지스터(216)가 턴 온 되어 노드(238)의 전압은 확실한 로우 레벨로 유지된다. 이 때 노드(238)의 전압 상승 요인은 피모스 트랜지스터(212)(214) 뿐이고, 피모스 트랜지스터(214)는 노드(240)의 전압이 하이 레벨인 동안에는 턴 온 되지 않는다. 따라서 노드(238)의 전압은 외부 전원전압(VDD)이 Vt 이하인 동안에는 확실하게 로우 레벨로 유지된다. 이때 노드(240)의 전압은 하이 레벨이고, 파워 업 신호(/PU) 역시 하이 레벨이다(비활성화 상태).The NMOS transistor 236 forms a very small current path even when turned on by the bias voltage of the node 236 because the channel is very small. In order to generate a normal initialization signal by the external power supply voltage VDD, the voltage of the node 238 should be maintained at a low level while the external power supply voltage VDD is less than or equal to the threshold voltage Vt. The PMOS transistor 218 of the inverter circuit 242 is turned on to increase the voltage at the node 240. As a result, the NMOS transistor 216 of the inverter circuit 244 is turned on and the voltage at the node 238 is turned on. Is kept at a certain low level. At this time, only the PMOS transistors 212 and 214 increase the voltage of the node 238, and the PMOS transistor 214 is not turned on while the voltage of the node 240 is at a high level. Therefore, the voltage at the node 238 is kept at a low level while the external power supply voltage VDD is below Vt. At this time, the voltage of the node 240 is high level, and the power-up signal / PU is also high level (disabled state).
외부 전원전압(VDD)이 상승함에 따라 내부 전원전압(VPERI)도 함께 상승하지만, 내부 전원전압(VPERI)은 외부 전원전압(VDD)보다 낮은 전위를 가지므로, 항상 VDD>VPERI의 관계가 성립한다. 내부 초기화 신호 발생부(246)에서 초기화 신호가 발생하기 위해서는 내부 전원전압(VPERI)이 2Vt 이상이 되어야 하는데, 내부 전원전압(VPERI)이 2Vt 이상이 되기 위해서는 외부 전원전압(VDD)이 2Vt보다 훨씬 높은 전압 레벨을 가져야 한다. 따라서 외부 전원전압(VDD)이 2Vt보다 큰 내부 전원전압(VPERI)을 발생시킬 수 있을 정도의 높은 전압 레벨에 도달할 때까지 노드(240)는 하이 레벨로 유지되며, 파워 업 신호(/PU) 역시 하이 레벨로 유지된다(비활성화 상태).As the external power supply voltage VDD rises, the internal power supply voltage V PERI also increases, but since the internal power supply voltage V PERI has a lower potential than the external power supply voltage VDD, the relationship between VDD> V PERI is always applied. Is established. In order for the initialization signal to be generated in the internal initialization signal generator 246, the internal power supply voltage V PERI should be 2Vt or more. In order for the internal power supply voltage V PERI to be 2Vt or more, the external power supply voltage VDD is 2Vt. Must have a much higher voltage level. Therefore, the node 240 remains at a high level until the external power supply voltage VDD reaches a voltage level high enough to generate an internal power supply voltage V PERI greater than 2Vt, and the power-up signal (/ PU ) Also remains high (disabled).
외부 전원전압(VDD)이 계속 상승하여 파워 업 신호(/PU)를 발생시킨 상태에서(외부 초기화), 내부 전원전압(VPERI)이 2Vt를 넘어서면 내부 초기화 회로(246)의 피모스 트랜지스터(230)(232)가 턴 온 되어 노드(240)의 전압을 하이 레벨로 만든다. 이때문에 로우 레벨로 활성화되어 있던 파워 업 신호(/PU)가 하이 레벨의 비활성화 상태로 된다(초기화 종료). 즉, 외부 전원전압(VDD)에 의한 초기화(파워 업 신호 활성화)와 내부 전원전압(VPERI)에 의한 초기화(파워 업 신호 종료)가 정상적으로 이루어지는 것을 알 수 있다.When the external power supply voltage VDD keeps rising to generate a power-up signal / PU (external initialization), and the internal power supply voltage V PERI exceeds 2Vt, the PMOS transistor of the internal initialization circuit 246 ( 230 and 232 are turned on to bring the voltage of node 240 to a high level. For this reason, the power-up signal / PU which was activated at the low level becomes inactive at the high level (end of initialization). That is, it can be seen that initialization (power up signal activation) by the external power supply voltage VDD and initialization (power up signal termination) by the internal power supply voltage V PERI are normally performed.
본 발명에 따른 파워 업 신호 발생기는 외부 전원전압이 충분한 전압 레벨에 도달하지 않은 상태에서 초기화 신호가 발생하는 에러를 방지함으로써 안정적인 초기화가 이루어지도록 한다.The power-up signal generator according to the present invention enables stable initialization by preventing an error that an initialization signal occurs when the external power supply voltage does not reach a sufficient voltage level.
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