KR100355397B1 - Manufacturing method of high temperature superconducting thin film - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 비교적 큰 증착율(deposition rate)을 가지는 양질의 이트륨(Yttrium)계 고온 초전도 박막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a high quality yttrium-based high temperature superconducting thin film having a relatively large deposition rate.
고온 초전도 박막을 이용하여 전자 소자를 제조 하기 위해서는 우선 양질의 박막을 만드는 것이 무엇 보다도 중요하다. 초전도 박막을 만들기 위한 방법으로는 현재 까지 전자-빔 Co-evaporation법, 스퍼터링법, 레이저 어블레이션(laserablation)법 등이 알려져 있지만 이중에서도 스퍼터링법과 레이저 어블레이션법이 최근 들어 가장 널리 이용되고 있다. 이들 방법은 특성이 우수한 박막을 재현성 있게 제조할 수 있는 장점을 가지고 있다.In order to manufacture electronic devices using high temperature superconducting thin films, it is important to make high quality thin films. As a method for making a superconducting thin film, electron-beam co-evaporation method, sputtering method, laser ablation method and the like have been known so far, but sputtering method and laser ablation method have been widely used recently. These methods have the advantage of reproducibly producing thin films having excellent properties.
한편, 앞에서 언급한 두 방법 중 스프터링법의 일종인 마그네트론 스프터링(magnetron sputtering)법을 이용하여 고온 초전도 박막을 제조하는 경우 가장 먼저 확보해야 할 조건은 박막 조성을 타케트 조성과 일치시키는 것이다.Meanwhile, when manufacturing a high temperature superconducting thin film by using a magnetron sputtering method, which is a kind of sputtering method, the first condition to be secured is to match the thin film composition with the target composition.
또한, 스퍼트링법에는 타케트와 기판의 배치 위치에 따라 온-축(on-axis)법과 오프-축(off-axis)법으로 나눌 수 있다. 최근 들어 박막의 조성이 타케트 조성으로 부터 벗어나게 하는 가장 큰 원인인 재스퍼터링(resputtering) 문제를 효과적으로 억제할 수 있는 방법인 오프-축(off-axis)법이 널리 행해지고 있다.In addition, the sputtering method can be divided into an on-axis method and an off-axis method according to the arrangement position of the target and the substrate. Recently, the off-axis method, which is a method capable of effectively suppressing the resputtering problem, which is the biggest cause of the thin film composition to deviate from the target composition, has been widely performed.
여기서 박막을 증착시킬 기판을 타케트와 마주 보게 배치한 온-축(on-axis)법의 경우 타케트 앞에 형성된 음극 외장(cathode sheath)로부터 산소 음이온이나 전자가 가속되어 기판위에 형성된 박막을 재스프터링(resputtering)하는 문제점이 있기 때문에 양질의 박막을 만드는데 큰 장애 요인이 되어 왔다.Here, in the on-axis method in which the substrate on which the thin film is to be deposited is faced with the target, oxygen anions or electrons are accelerated from the cathode sheath formed in front of the target to jasper the thin film formed on the substrate. Because of the problem of resputtering has been a major obstacle to the production of high quality thin film.
이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 스퍼터링시 챔버의 가스 압력을 증가시킴으로써, 재스프터링(resputtering)을 일으키는 산소 음이온의 평균 자유 행로(mean free path)를 줄이거나, 기판에 부 바이어스(Vae ＜0)를 가하여 음이온의 기판 접근을 억제하는 방법이 있다.In order to solve this problem, by increasing the gas pressure of the chamber during sputtering, it is possible to reduce the mean free path of oxygen anions causing resputtering or to negatively bias the substrate (Vae <0). There is a method of suppressing anion's access to the substrate by adding.
또한 기판과 타케트가 서로 마주보는 온-축(on-axis)법과는 달리 기판을 타케트 면에 수직으로 배치함으로써 산소 음이온의 재스프터링(resputtering)을 피하는 오프-축(off-axis)법은 증착율(deposition rate)이 낮고 기판으로 부터의 거리에 따라 박막 두께가 차이가 나는 근원적인 문제점을 가지고 있다.Also, unlike the on-axis method in which the substrate and the target face each other, the off-axis method of avoiding the resputtering of oxygen anions by placing the substrate perpendicular to the target plane. Silver has a fundamental problem that the deposition rate is low and the thickness of the thin film varies with distance from the substrate.
이상 설명한 바와 같이, 오프-축(off-axis)법은 온-축(on-axis)법에 비하여 비교적 용이하게 양질의 박막을 제조할 수 있는 장점이 있는 반면에 증착율(deposition rate)이 작고 기판으로부터의 거리에 따라 박막 두께가 변하는 등의 단점이 있으므로, 오프-축(off-axis)법을 사용하여 이트륨(Yttrium)계 초전도 박막을 제조하는데 있어서는, 증착율(deposition rate)을 크게하는 방법이 절실히 요구되어 왔다.As described above, the off-axis method has an advantage of producing a high quality thin film relatively easily compared to the on-axis method, while the deposition rate is small and the substrate is small. Since the thickness of the thin film varies depending on the distance from the film, a method of increasing the deposition rate is highly necessary in the production of a yttrium-based superconducting thin film using the off-axis method. Has been required.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안된 것으로, 오프-축법에 있어서 증착율이 크고, 기판으로 부터의 거리에 따라 박막의 두께가 변하지 않는 초전도 박막의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to improve the above problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a superconducting thin film in which the deposition rate is large in the off-axis method and the thickness of the thin film does not change with distance from the substrate.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 초전도 박막의 제조 방법은,Method for producing a superconducting thin film according to the present invention in order to achieve the above object,
타케트와 기판의 중심축이 서로 소정의 각도로 교차하도록 형성된 오프-축 스퍼터를 사용하는 초전도 박막 제조 방법에 있어서,In the method of manufacturing a superconducting thin film using an off-axis sputter formed so that the center axis of the target and the substrate cross each other at a predetermined angle,
타케트와 기판의 중심축이 서로 소정의 각도로 교차하도록 형성된 오프-축 스퍼터를 사용하는 초전도 박막 제조 방법에 있어서,In the method of manufacturing a superconducting thin film using an off-axis sputter formed so that the center axis of the target and the substrate cross each other at a predetermined angle,
상기 타케트와 기판의 수직 및 수평 거리를 소정의 간격으로 조정하는 단계;Adjusting vertical and horizontal distances of the target and the substrate at predetermined intervals;
챔버 내를 소정의 압력으로 조절하는 단계;Adjusting the interior of the chamber to a predetermined pressure;
챔버 내에 아르곤과 산소를 소정의 혼합비로 혼합하여 투입하는 단계;Mixing argon and oxygen in a chamber at a predetermined mixing ratio;
상기 기판의 온도를 소정의 온도로 가열하는 단계;Heating the temperature of the substrate to a predetermined temperature;
상기 기판을 챔버와 절연시킨 후 챔버를 접지로 하여 상기 기판에 부 바이어스 전압을 인가하는 단계;Insulating the substrate from the chamber and applying a negative bias voltage to the substrate with the chamber as ground;
기판 스퍼터링 수단을 이용하여 상기 기판에 소정의 시간동안 예비 스프터링하는 단계;Presputtering the substrate for a predetermined time using substrate sputtering means;
상기 기판에 소정의 시간 동안 스퍼터링하여 상기 타케트의 조성물을 증착하는 단계;Depositing a composition of the target by sputtering on the substrate for a predetermined time;
그리고 상기 챔버 내에 소정 기압의 산소를 투입하고 소정의 온도에서 소정의 시간 동안 유지하는 고온 산소압 유지 단계;를And a high temperature oxygen pressure maintaining step of injecting oxygen of a predetermined pressure into the chamber and maintaining the same at a predetermined temperature for a predetermined time.
포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized by including.
본 발명에 있어서, 상기 타케트와 기판의 중심축은 서로 직각으로 교차되는 것이 바람직하며,In the present invention, it is preferable that the center axis of the target and the substrate cross each other at right angles,
상기 타케트와 기판의 수직 및 수평 거리는 각각 50mm, 60mm 간격으로 이루어지는 것이 바람직하며,The vertical and horizontal distance of the target and the substrate is preferably made of 50mm, 60mm intervals, respectively,
상기 챔버 내의 압력은 100~200 mTorr를 유지하는 것이 바람직하며,The pressure in the chamber is preferably maintained at 100 ~ 200 mTorr,
상기 아르곤과 산소의 혼합비는 1:2~15 인 것이 바람직하며,It is preferable that the mixing ratio of argon and oxygen is 1: 2-15,
상기 기판은 그 연마면이 (100)인 MgO 혹은 LaAlO3인 것이 바람직하며,The substrate is preferably MgO or LaAlO 3 whose polishing surface is (100),
상기 기판의 온도를 700~800℃ 로 가열하는 것이 바람직하며,It is preferable to heat the temperature of the substrate to 700 ~ 800 ℃,
상기 부 바이어스 전압은 -5V ~ -40V 의 범위 내에서 인가되는 것이 바람직하며,The negative bias voltage is preferably applied within the range of -5V to -40V,
상기 예비 스퍼터링은 20분간 실시하는 것이 바람직하며,The preliminary sputtering is preferably performed for 20 minutes,
상기 스퍼터링은 2~4시간 동안 실시하는 것이 바람직하며,The sputtering is preferably performed for 2 to 4 hours,
상기 고온 산소압 유지 단계에서 상기 챔버 내의 투입 산소는 300 Torr인 것이 바람직하며,In the high temperature oxygen pressure maintaining step, the input oxygen in the chamber is preferably 300 Torr,
상기 고온 산소압 유지 단계에서 상기 산소가 투입된 챔버를 550℃에서 30분간 유지하는 것이 바람직하며,In the high temperature oxygen pressure maintaining step, the oxygen-injected chamber is preferably maintained at 550 ° C. for 30 minutes.
상기 고온 산소압 유지 단계 이후에 상기 챔버를 상온까지 자연 냉각되도록 하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include the step of allowing the chamber to naturally cool to room temperature after the high temperature oxygen pressure maintaining step.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 고온 초전도 박막의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a high temperature superconducting thin film according to the present invention will be described with reference to the drawings.
제1도는 본 발명에 제조 방법에 사용된 오프-축(off-axis) 고주파 마그네트론 스퍼터의 개략적 내부 구조도이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 고온 초전도 박막의 제조에 사용되는 장치는 오프-축(off-axis) 고주파 마그네트론 스프터(RF magnetron sputter)이다. 이 고온 오프-축 스퍼터의 챔버(5) 내부 구조를 제1도를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.1 is a schematic internal structural diagram of an off-axis high frequency magnetron sputter used in the manufacturing method of the present invention. As shown in this figure, the apparatus used to produce the high temperature superconducting thin film of the present invention is an off-axis high frequency magnetron sputter. The internal structure of the chamber 5 of this high temperature off-axis sputter will be described with reference to FIG.
진공 챔버(5) 내에 타케트(1)와 기판(2)은 수직으로 배치되며, 회전 가능한 기판(2)은 타케트(1)로부터 수직 및 수평으로 40~70nm 정도 범위 내에서 이격되도록 조정된다. 스프터링시 챔버(5) 압력은 100~200 mTorr를 유지되며, Ar 과 O2혼합비를 2~15로 혼합하여 투입된다. 기판(2)은 연마 면이 (100)인 MgO 혹은 LaAIO3를 사용하며, 기판(2) 온도는 700~800℃ 로 유지된다. 그리고 챔버 벽에는 가스 주입을 위한 가스라인(4)가 마련되며, 기판(1)은 챔버와 절연시킨 후 챔버(5) 접지로부터 부 바이어스(negative bias)를 가할 수 있도록 되어 있다.The target 1 and the substrate 2 are disposed vertically in the vacuum chamber 5, and the rotatable substrate 2 is adjusted to be spaced apart from the target 1 in the range of about 40 to 70 nm vertically and horizontally. . When sputtering, the chamber 5 pressure is maintained at 100 to 200 mTorr, and the mixture of Ar and O 2 is mixed at 2 to 15 to be introduced. The substrate 2 uses MgO or LaAIO 3 whose polishing surface is 100, and the substrate 2 temperature is maintained at 700 to 800 ° C. In addition, a gas line 4 for gas injection is provided on the chamber wall, and the substrate 1 is insulated from the chamber so that a negative bias can be applied from the ground of the chamber 5.
이와 같은 마그네트론 스퍼터를 사용하여 고온 초전도 박막을 제조하는 방법은 다음과 같다.The method of manufacturing a high temperature superconducting thin film using the magnetron sputter is as follows.
먼저 기판(2)은 타케트(1)로부터 수직, 수평 거리가 각각 50 mm, 60 mm 가 되도록 하고, 챔버 압력은 150 mTorr를 유지하며, Ar 과 O2를 1:10의 비율로 혼합하여 투입한다. RF 파워는 110 Watt로서 5.4 W/㎠ 가 되도록 한다. 기판(2)은 연마면이 (100)인 MgO 혹은 LaAlO3를 사용하며, 기판(2) 온도는 770℃로 한다. 기판에 인가하는 부 바이어스를 -5 ~ -40V로 하여 3시간 증착한다. 예비-스프터링을 20분 실시하며, 3시간 증착한 후 챔버 내에 산소를 300 Torr 투입하여 550℃ 에서 30분 유지하고 상온까지 자연 냉각시킨다. 표1은 기판에 가한 부 바이어스에 따른 특성 변화를 정리한 것이다.First, the substrate 2 has a vertical and horizontal distance of 50 mm and 60 mm from the target 1, and maintains a chamber pressure of 150 mTorr, and mixes Ar and O 2 in a ratio of 1:10. do. The RF power is 110 Watts, making it 5.4 W / cm 2. The substrate 2 uses MgO or LaAlO 3 whose polishing surface is (100), and the substrate 2 temperature is set to 770 ° C. The negative bias applied to the substrate was deposited at -5 to -40V for 3 hours. Pre-sputtering is carried out for 20 minutes, and after depositing for 3 hours, oxygen is added to the chamber in 300 Torr, maintained at 550 ° C for 30 minutes, and naturally cooled to room temperature. Table 1 summarizes the characteristic change caused by the negative bias applied to the substrate.
표1. 기판 부 바이어스에 따른 Tc, Jc 변화Table 1. Tc, Jc Variation with Sub-Bias
표1에서 관찰할 수 있는 바와 같이 기판에 부 바이어스를 가함에 따라 Tc 및 Jc가 증진된다. 특히 -10V를 인가한 경우 Tc는 ~2 K, Jc는 ~5배 증가하는 것을 알수 있다. 또한 바이어스가 -10 V 이상이 되면 박막의 두께가 800에서 2000 Å 이상으로 현저히 증가하는 것을 알 수 있다.As can be seen in Table 1, Tc and Jc are enhanced by applying a negative bias to the substrate. In particular, when -10V is applied, it can be seen that Tc increases by ~ 2 K and Jc increases by ~ 5 times. In addition, when the bias is -10V or more it can be seen that the thickness of the thin film significantly increases from 800 to 2000 Å or more.
이러한 제조 방법의 원리를 제2도를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.Looking at the principle of this manufacturing method with reference to Figure 2 as follows.
제2도는 본 발명의 제조 방법에 따른 마그네트론 스프터링(magnetron sputtering)에서 기판과 타케트 사이에 형성되는 포텐셜을 도식적으로 나타낸 것이다. 타케트 주위에 형성된 플라즈마 상태는 이 포텐샬 분포에 크게 영향을 받는다. 플라즈마 내부의 Ar+이온은 타케트 앞에 형성된 부 포텐샬(negative potential)에 의해 가속되어 높은 운동 에너지를 갖고 타케트에 부딪히게 되고, 결국 타케트 구성 원자들은 이 에너지의 일부를 가지고 타케트로 부터 떨어져 나가게된다. 따라서 타케트 앞에 형성된 부포텐샬이 커지면 커질수록 타케트로부터의 스프터링은 더 많이 발생하게 된다.2 schematically shows the potential formed between the substrate and the target in magnetron sputtering according to the manufacturing method of the present invention. The plasma state formed around the target is greatly influenced by this potential distribution. Ar + ions in the plasma are accelerated by the negative potential formed in front of the target, which hits the target with high kinetic energy, eventually causing the target constituent atoms to move away from the target with some of this energy. do. Therefore, the larger the subpotential formed in front of the target, the more sputtering from the target occurs.
그러나 플라즈마 내에 존재하는 산소 음이온 또는 전자는 부 전하(negative charge)를 가지므로 Ar+이온과는 반대 방향으로 가속되어 기판(2) 또는 주위의 음극에 부딪히게 된다. 이렇게 높은 에너지를 갖는 음이온 또는 전자가 기판(2)에 부딪히는 현상이 앞에서 언급한 재스프터링(resputtering) 현상이고, 박막의 조성 물질이 타케트의 조성 물질과 달라지게 하는 요인이 된다.However, since oxygen anions or electrons present in the plasma have negative charges, they are accelerated in the opposite direction to Ar + ions and hit the substrate 2 or the cathode around them. The phenomenon in which anion or electrons having such a high energy strike the substrate 2 is a resputtering phenomenon mentioned above, and causes a material of the thin film to be different from that of the target.
따라서 이같은 재스프터링(resputtering) 현상을 피하기 위한 한 가지 방법으로서 오프-축(off-axis)법을 일반적으로 사용하고 있으나 이 방법 또한 전술한 바와 같은 단점을 가지고 있다. 또한 오프-축(off-axis)법을 사용하더라도 재스프터링(resputtering) 현상을 완전히 제거할 수 없음을 여러 연구 기관에서 보고한 바 있다.Therefore, the off-axis method is generally used as one method to avoid such a resputtering phenomenon, but this method also has the disadvantages described above. In addition, several research institutes have reported that the use of off-axis methods does not completely eliminate resputtering.
따라서 오프-축(off-axis)법을 사용하면서 동시에 기판에 부포텐샬을 가함으로써 재스프터링(resputtering) 현상을 최소화하면서 박막의 증착율(deposition rate)을 증진시킨다. 또한 적절한 부바이어스(-5 ~ -40 V)를 가함으로써 기판 위에서 박막이 치밀하게 성장되도록하여 박막의 임계 전류 밀도를 최고 5배 이상 증가시킬 수 있게 된다.Therefore, by using an off-axis method and simultaneously applying subpotential to the substrate, the deposition rate of the thin film is improved while minimizing the resputtering phenomenon. In addition, by applying the appropriate sub-bias (-5 to -40 V), the thin film can be densely grown on the substrate, increasing the critical current density of the thin film by up to five times.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 고온 초전도 박막의 제조 방법은 비교적 큰 증착율(deposition rate)을 가지며, 양질의 이트륨(Yttrium)계 초전도 박막을 제조하기 위하여 오프-축(off-axis) 고주파 마그네트론 스프터링법을 사용하고, 챔버 내의 가스 압력을 높이는 동시에 기판에 부 바이어스를 가하여 산소 음이온의 평균 자유 행로를 줄여 음이온의 기판 접근을 막아줌으로써, 증착율(deposition rate)을 현저히 증가시킴과 아울러 바이어스를 가하지 않는 경우에 비하여 박막의 입계 전류 밀도(critical current density)를 5배 이상 크게 증가시키는 동시에 재스퍼터링을 방지할 수 있는 장점이 있다.As described above, the manufacturing method of the high temperature superconducting thin film according to the present invention has a relatively large deposition rate, and in order to manufacture a high quality yttrium-based superconducting thin film, an off-axis high frequency magnetron soup By using a turing method, increasing the gas pressure in the chamber and applying a negative bias to the substrate to reduce the average free path of oxygen anions, thereby preventing the negative ion from accessing the substrate, significantly increasing the deposition rate and not biasing. Compared to the case, the critical current density of the thin film is increased by five times or more, and at the same time, there is an advantage of preventing resputtering.
제1도는 본 발명에 제조 방법에 사용된 오프-축(off-axis) 고주파 마그네트론 스퍼터의 개략적 내부 구조도이고,1 is a schematic internal structural diagram of an off-axis high frequency magnetron sputter used in the manufacturing method of the present invention,
제2도는 본 발명의 제조 방법에 따른 마그네트론 스퍼터링에서 기판과 타케트 사이에 형성된 포텐셜 준위의 도식도이다.2 is a schematic diagram of potential levels formed between a substrate and a target in magnetron sputtering according to the manufacturing method of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1. 타케트 2. 기판1. Target 2. Substrate
3. 히터 4. 가스 라인3. heater 4. gas line
5. 진공 챔버5. Vacuum chamber
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Cited By (1)
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| KR100915440B1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-09-03 | 한양대학교 산학협력단 | Method for manufacturing magnetic semiconductor and Apparatus thoreof |
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1995
- 1995-07-31 KR KR1019950023504A patent/KR100355397B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100915440B1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-09-03 | 한양대학교 산학협력단 | Method for manufacturing magnetic semiconductor and Apparatus thoreof |
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