KR100314627B1

KR100314627B1 - 고주파증폭부의 스위칭회로

Info

Publication number: KR100314627B1
Application number: KR1019970066645A
Authority: KR
Inventors: 이용군
Original assignee: 이형도; 삼성전기주식회사
Priority date: 1997-12-08
Filing date: 1997-12-08
Publication date: 2002-02-04
Anticipated expiration: 2017-12-08
Also published as: KR19990048044A

Abstract

본 발명은 고주파증폭부의 스위칭회로에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 하나의 전압원과 두 개의 전류싱크포트로 고주파증폭부에 대한 증폭동작과 증폭없는 신호패스를 선택적으로 스위칭하도록 함으로서, 동작을 위한 소비전류를 줄일 수 있으며 또한 필요한 전압원이 하나로 감소되어 전원공급부의 구성을 간단화시킬 수 있는 것이다.

Description

고주파증폭부의 스위칭회로

본 발명은 고주파증폭부의 스위칭회로에 관한 것으로, 특히 하나의 전압원과 두 개의 전류싱크포트로 고주파증폭부에 대한 증폭동작과 증폭없는 신호패스를 선택적으로 스위칭하도록 함으로서, 동작을 위한 소비전류를 줄일 수 있으며 또한 필요한 전압원이 하나로 감소되어 전원공급부의 구성을 간단화시킬 수 있도록 한 고주파증폭부의 스위칭회로에 관한 것이다.

도 1은 종래의 고주파증폭부의 스위칭회로도로서, 도 1을 참조하면, 종래의 고주파증폭부의 스위칭회로는 제1전압원(V1)으로 하이가 인가되면, 제3,제4다이오드(D3,D4)는 오프상태로 되고, 반면에 제1,제2다이오드(D1,D2) 및 증폭트랜지스터(Q1)는 온상태로되어 안테나(ANT)를 통해 입력되는 고주파신호는 고주파증폭부(2)에서 증폭된다.

그리고, 상기 제2전압원(V2)으로 하이가 인가되면, 제1,제2 다이오드(D1,D2)는 오프상태로 됨과 동시에 증폭트랜지스터(Q1)도 오프상태로 되므로 고주파증폭부(2)는 증폭동작을 수행하지 않게 되고, 반면에 제3,제4다이오드(D3,D4)가 온상태로 되므로 상기 안테나(ANT)를 통해 입력되는 고주파신호는 상기 제3,제4다이오드(D3,D4)를 통해서 출력단으로 증폭없이 통과된다.

이와같이, 안테나(ANT)로 입력되는 고주파신호의 수신강도에 따라 두 개의 전압원을 사용하여 강전계지역에서는 증폭없이 고주파신호를 통과시키고 약전계지역에서는 고주파신호를 소정레벨로 증폭하여 출력하게 되는 것이다.

그러나, 이와같은 종래의 고주파증폭부의 스위칭회로는 바이어스용 및 스위칭용으로 인가되는 제1전압원과 제2전압원으로는 증폭트랜지스터와 핀다이오드를 동작시키기에 충분한 전류원을 제공하여야 하므로, 전류의 소비가 가중되며, 또한 두 개의 전압원이 필요하게 되므로 전원공급부의 공급이 복잡하게 되는 문제점이 있었던 것이다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 따라서, 본 발명의 목적은 하나의 전압원과 두 개의 전류싱크포트로 고주파증폭부에 대한 증폭동작과 증폭없는 신호패스를 선택적으로 스위칭하도록 함으로서, 동작을 위한 소비전류를 줄일 수 있으며 또한 필요한 전압원이 하나로 감소되어 전원공급부의 구성을 간단화시킬 수 있도록 한 고주파증폭부의 스위칭회로를 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 고주파증폭부의 스위칭회로도이다.

도 2는 본 발명에 따른 고주파증폭부의 스위칭회로도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

10 : 입력필터 20 : 고주파증폭부

Q2 : 증폭트랜지스터 D11∼D14 : 제1∼제4 스위칭다이오드

P1,P2 : 제1,제2전류싱크포트

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 발명의 회로는 안테나(ANT) 및 입력필터를 통한 고주파신호를 증폭 또는 패스시키기 위해 스위칭시키는 회로에 있어서, 상기 입력필터에 제1,제2결합콘덴서를 통해 캐소드단을 접속하고, 그 애노드단을 바이어스전원단에 접속함과 동시에 제3결합콘덴서를 통해 상기 고주파증폭부의 입력단에 접속한 제1스위칭다이오드; 애노드단을 상기 바이어스전원단에 접속함과 동시에 제4결합콘덴서를 통해 상기 고주파증폭부의 출력단에 접속하고, 그 캐소드단을 제5결합콘덴서를 통해 다음회로블럭의 입력단에 접속한 제2스위칭다이오드; 상기 제1,제2다이오드의 각 캐소드단에 접속한 제1전류싱크포트; 상기 제1,제2결합콘덴서 사이에 캐소드단을 접속하고, 그 애노드단을 바이어스 전원단에 접속한 제3스위칭다이오드; 상기 제3스위칭다이오드의 애노드단에 애노드단을 접속하고, 그 캐소드단을 제5결합콘덴서를 통해 상기 제2스위칭다이오드의 캐소드단에 접속한 제4스위칭다이오드; 상기 제3,제4스위칭다이오드의 각 캐소드단에 접속한 제2전류싱크포트; 를 구비함을 특징으로 한다.

이하, 본 발명에 따른 고주파증폭부의 스위칭회로에 대해서 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 고주파증폭부의 스위칭회로도로서, 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 고주파증폭부의 스위칭회로는 안테나(ANT) 및 입력필터(10)를 통한 고주파신호를 증폭 또는 패스시키기 위해 스위칭시키는 회로에 있어서, 상기 입력필터(10)에 제1,제2결합콘덴서(CC1,CC2)를 통해 캐소드단을 접속하고, 그 애노드단을 바이어스전원단(V1)에 접속함과 동시에 제3결합콘덴서(CC3)를 통해 상기 고주파증폭부(20)의 입력단에 접속한 제1스위칭다이오드(D11)와, 애노드단을 상기 바이어스전원단(V1)에 접속함과 동시에 제4결합콘덴서(CC4)를 통해 상기 고주파증폭부(20)의 출력단에 접속하고, 그 캐소드단을 제5결합콘덴서(CC5)를 통해 다음회로블럭의 입력단에 접속한 제2스위칭다이오드(D2)와, 상기 제1,제2다이오드(D1,D2)의 각 캐소드단에 접속한 제1전류싱크포트(P1)와, 상기 제1,제2결합콘덴서(CC1,CC2) 사이에 캐소드단을 접속하고, 그 애노드단을 바이어스 전원단(V1)에 접속한 제3스위칭다이오드(D3)와, 상기 제3스위칭다이오드(D3)의 애노드단에 애노드단을 접속하고, 그 캐소드단을 제5결합콘덴서(CC5)를 통해 상기 제2스위칭다이오드(D2)의 캐소드단에 접속한 제4스위칭다이오드(D4)와, 상기 제3,제4스위칭다이오드(D3,D4)의 각 캐소드단에 접속한 제2전류싱크포트(P2)로 구성한다.

상기 고주파증폭부(20)의 증폭트랜지스터(Q2)의 에미터단에 저항(R25)과 콘덴서(C22)를 직렬접속하여 접지시키고, 상기 제1전류싱크포트(P1)를 상기 증폭트랜지스터(Q2)의 에미터단에 접속된 저항(R25)과 콘덴서(C22)의 접점에 접속하여 구성한다.

또한, 상기 제1전류싱크포트(P1)와 제2전류싱크포트(P2)로 제공되는 로직은 상호 반대레벨을 가지도록 구성하며, 상기 제1전류싱크포트(P1)로 제공되는 로직은 약전계지역에서 로우레벨이 되도록 구성한다.

이와같이 구성된 본 발명의 회로에 따른 동작을 첨부도면에 의거하여 하기에 상세히 설명한다.

도 2를 참조하여 본 발명에 따른 고주파증폭부의 스위칭회로의 동작을 설명하기 전에 본 발명에서 이용되는 제1,제2전류싱크포트(P1,P2)에 대해서 먼저 설명하면, 본 발명에 관련되는 고주파증폭부가 포함되는 튜너에서는 수신감도를 표시하는 전압을 출력하는 복조기(도시생략)가 있는데, 상기 복조기로부터의 수신감도표시(RSSI)전압에 기초해서 마이컴(도시생략)에서 강전계에서는 제1전류싱크포트(P1)로 하이레벨을, 제2전류싱크포트(P1,P2)로 로우레벨을 출력하며, 반대로 약전계에서는 제1전류싱크포트(P1)로 로우레벨을, 제2전류싱크포트(P1,P2)로 하이레벨을 출력한다.

상기 수신감도표시(RSSI)전압을 이용한 포트로의 로직출력제어는 상기한 바와같이 마이컴을 이용할 수도 있고, 간단한 비교기를 이용할 수도 있으며, 또한 위상동기루프를 채용하는 시스템에서는 위상동기루프(PLL)IC를 이용할 수 있다.

상기한 바와같이, 수신감도에 따라 제1,제2전류싱크포트(P1,P2)로 제공되는 로직에 따라, 본 발명을 고주파증폭부의 스위칭회로에 대한 동작을 설명하면, 먼저, 약전계지역에서, 즉 제1전류싱크포트(P1)로는 로우레벨이, 제2전류싱크포트(P2)로는 하이레벨이 출력되면, 도 2의 제1,제2스위칭다이오드(D11,D12) 및 증폭트랜지스터(Q2)는 온상태로 됨과 동시에 제3,제4스위칭다이오드(D13,D14)는 오프상태로 된다. 이때 입력되는 고주파신호는 제1스위칭다이오드(D11)를 통한후 고주파증폭부(20)에서 증폭되고, 그후 제2스위칭다이오드(D12)를 통해 출력된다.

상기 제1,제2스위칭다이오드(D11,D12)는 애노드단에 바이어스전압단(V1)으로부터 전압이 인가되는 상태에서, 그 캐소드단에 로우레벨이 제공되기 때문에 도통상태로 되는 것이며, 상기 증폭트랜지스터(Q2)도 바이어스전압단(V1)으로 전압이 공급되는 상태에서 그 에미터단이 상기 제1전류싱크포트(P1)의 로우레벨에 의해 접지가 형성되기 때문이다.

다음으로, 강전계지역에서, 즉 제1전류싱크포트(P1)로는 하이레벨이, 제2전류싱크포트(P2)로는 로우레벨이 출력되면, 도 2의 제1,제2스위칭다이오드(D11,D12) 및 증폭트랜지스터(Q2)는 오프상태로 됨과 동시에 제3,제4스위칭다이오드(D13,D14)는 온상태로 된다. 이때 입력되는 고주파신호는 제3,제4스위칭다이오드(D13.D14)를 통하여 증폭없이 출력단으로 출력되는 것이다.

상술한 바와같은 본 발명에 따르면, 하나의 전압원과 두 개의 전류싱크포트로 고주파증폭부에 대한 증폭동작과 증폭없는 신호패스를 선택적으로 스위칭하도록 함으로서, 동작을 위한 소비전류를 줄일 수 있으며 또한 필요한 전압원이 하나로 감소되어 전원공급부의 구성을 간단화시킬 수 있는 효과가 있는 것이다.

이상의 설명은 본 발명의 일실시예에 대한 설명에 불과하며, 본 발명은 그 구성의 범위내에서 다양한 변경 및 개조가 가능한다.

Claims

안테나(ANT) 및 입력필터(10)를 통한 고주파신호를 증폭 또는 패스시키기 위해 스위칭시키는 회로에 있어서,

상기 입력필터(10)에 제1,제2결합콘덴서(CC1,CC2)를 통해 캐소드단을 접속하고, 그 애노드단을 바이어스전원단(V1)에 접속함과 동시에 제3결합콘덴서(CC3)를 통해 상기 고주파증폭부(20)의 입력단에 접속한 제1스위칭다이오드(D11);

애노드단을 상기 바이어스전원단(V1)에 접속함과 동시에 제4결합콘덴서(CC4)를 통해 상기 고주파증폭부(20)의 출력단에 접속하고, 그 캐소드단을 제5결합콘덴서(CC5)를 통해 다음회로블럭의 입력단에 접속한 제2스위칭다이오드(D2);

상기 제1,제2다이오드(D1,D2)의 각 캐소드단에 접속한 제1전류싱크포트(P1);

상기 제1,제2결합콘덴서(CC1,CC2) 사이에 캐소드단을 접속하고, 그 애노드단을 바이어스 전원단(V1)에 접속한 제3스위칭다이오드(D3);

상기 제3스위칭다이오드(D3)의 애노드단에 애노드단을 접속하고, 그 캐소드단을 제5결합콘덴서(CC5)를 통해 상기 제2스위칭다이오드(D2)의 캐소드단에 접속한 제4스위칭다이오드(D4);

상기 제3,제4스위칭다이오드(D3,D4)의 각 캐소드단에 접속한 제2전류싱크포트(P2);

를 구비함을 특징으로 하는 고주파증폭부의 스위칭회로.
제1항에 있어서, 상기 고주파증폭부(20)의 증폭트랜지스터(Q2)의 에미터단에 저항(R25)과 콘덴서(C22)를 직렬접속하여 접지시키고, 상기 제1전류싱크포트(P1)를 상기 증폭트랜지스터(Q2)의 에미터단에 접속된 저항(R25)과 콘덴서(C22)의 접점에 접속하여 구성함을 특징으로 하는 고주파증폭부의 스위칭회로.
제1항에 있어서, 상기 제1전류싱크포트(P1)와 제2전류싱크포트(P2)로 제공되는 로직은 상호 반대레벨을 가지도록 구성함을 특징으로 하는 고주파증폭부의 스위칭회로.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1전류싱크포트(P1)로 제공되는 로직은 약전계지역에서 로우레벨임을 특징으로 하는 고주파증폭부의 스위칭회로.