[go: up one dir, main page]

KR100295169B1 - 내장된프로세스제어감지기를갖고있는다구역조명기 - Google Patents

내장된프로세스제어감지기를갖고있는다구역조명기 Download PDF

Info

Publication number
KR100295169B1
KR100295169B1 KR1019930006277A KR930006277A KR100295169B1 KR 100295169 B1 KR100295169 B1 KR 100295169B1 KR 1019930006277 A KR1019930006277 A KR 1019930006277A KR 930006277 A KR930006277 A KR 930006277A KR 100295169 B1 KR100295169 B1 KR 100295169B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lamp
zone
wafer
illuminator
concentric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1019930006277A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940006190A (ko
Inventor
메르대드엠.모슬레히
로버트매튜스
세실제이.데이비스
Original Assignee
윌리엄 비. 켐플러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 비. 켐플러, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 윌리엄 비. 켐플러
Publication of KR940006190A publication Critical patent/KR940006190A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100295169B1 publication Critical patent/KR100295169B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

램프 하우징(lamp housing)의 반사기 측 내에 내장된 다수의 광원 램프 및 가상 램프를 포함하는, 반도체 웨이퍼를 프로세스하는 다구역 조명기(multi-zone illuminator)가 기술된다. 광원 램프는 다수의 동심원 구역 내에 배열된다. 또한, 상기 조명기는 반도체 웨이퍼 온도 및 이의 분포 균일성을 측정하기 위한 다점식 온도 감지기를 수용하는 다수의 광 파이프를 포함한다. 금 도금된 반사기 플레이트는 광 에너지를 웨이퍼 표면을 향하여 반사시켜서 조사하기 위해 상기 램프 하우징의 하부 측에 부착된다. 상기 반사기 플레이트와 상기 웨이퍼 사이의 공간 및 상기 램프와 상기 웨이퍼 사이의 공간은 공간 엘리베이터 및 어댑터 어셈블리를 사용하여 조정될 수 있다. 본 발명의 다구역 조명기는 과도 및 정상 상태 웨이퍼 가열 사이클 동안에 균일하게 웨이퍼를 가열할 수 있게 한다.
또한, 그 밖의 다른 장치, 시스템 및 방법이 개시된다.

Description

내장된 프로세스 제어 감지기를 갖는 다구역 조명기
제1도는 본 발명을 사용하여 반도체 장치를 프로세스하기 위한 단일-웨이퍼 급속 열 프로세싱 반응기를 도시한 개략도.
제2도는 제1도의 프로세싱 챔버와 관련하여 본 발명의 양호한 실시예를 부분적으로 절단하여 도시한 개략도.
제3도는 본 발명의 다구역 조명기의 양호한 실시예를 간략하게 도시한 도면.
제4도는 본 발명에 따른 다구역 조명기를 개략적으로 도시한 정면도.
제5도는 본 발명에 따른 다구역 조명기를 개략적으로 도시한 저면도.
제6도는 본 발명에 따른 다구역 조명기를 개략적으로 도시한 측면도.
제7(a)도 내지 제7(d)도는 본 발명에 따른 배전 시스템을 도시한 개략도.
제8도는 본 발명에 따른 광 간섭 제거 회로(LIEC)의 동작을 도시한 블럭도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : RTP 반응기 114 : 개스 주입기
122 : 플라즈마 주입기 126 : 프로세스 챔버
130 : 다구역 조명기 150 : 프로세스 제어 컴퓨터
152 : 다구역 제어기 200 : 수냉식 램프 하우징
본 발명은 반도체 장치 프로세싱에 관한 것으로, 더욱 상세히 말하면 급속 열 프로세싱 반응기 내에서 균일 웨이퍼를 프로세스하기 위한 내장된 실시간 프로세스 제어 감지기를 갖고 있는 다구역 조명기에 관한 것이다.
본 발명의 범위를 제한하지 않고, 본 발명의 배경 설명은 예로서 반도체 웨이퍼의 단일-웨이퍼 급속 열 프로세싱에 관련하여 기술된다.
반도체의 단일-웨이퍼 급속 열 프로세싱(Rapid Thermal Processing; RTP) 기술은 VLSI(Very Large Scale Integrated) 및 ULSI(Ultra Large Scale Integrated) 전자 장치의 제조에 유력하고 다예한 기술이다. 이것은 저열 대량 광자-보조 고속 웨이퍼 가열 단계와 비활성 또는 반응성 분위기의 반도체 웨이퍼 프로세싱 단계를 결합시킨 것이다. 웨이퍼 온도 및 프로세스 환경은 민감하게 변화될 수 있으므로, 각각의 제조 단계는 제조된 장치의 전체적 전기적 성능을 향상시키기 위해 독립적으로 최적화될 수 있다.
반도체 웨이퍼의 급속 열 프로세싱(RTP) 기술을 단일-웨이퍼 램프-가열식 열 프로세싱 반응기 내에 개선된 웨이퍼 대 웨이퍼 프로세스 반복력을 제공한다. 종 래의 RTP 시스템에 있어서, 정상 상태 가열 단계 동안에 웨이퍼를 균일하게 가열하기 위해서 설계 자원 및 조건들을 상당히 소비했다. 이러한 종래 기술의 시스템은 단일 구역 또는 매우 제한된 비대칭 다구역 제어 능력을 제공하는 조명기로 설계되었다. 그러므로, 조명기의 전력을 증가시키거나 감소시키는 경우에, 전체 웨이퍼 온도 분포에 영향을 미친다. 결과적으로, 정상 상태, 및 동적 과도 가열 및 냉각 사이클 동안에 웨이퍼 온도 균일성을 조정하거나 최적화시키는데 실시간 조정 및 제어 능력이 불충분하게 된다. 이러한 결과로서, 과도 가열 또는 냉각 프로세스 세그먼트는 프로세스 비균일성 뿐만 아니라 슬립 변위를 발생시킬 수 있다. 여러가지 프로세스 파라미터는 RTP 균일성에 영향을 미쳐서 균일성을 저하시킬 수 있다. 종래 기술의 RTP시스템은 고정된 압력에서 정상 상태 온도 균일성을 제공하도록 최적화된다. 그러므로, 압력 또는 개스 유동률의 변화가 또한 RTP 균일성을 저하시킬 수 있다.
일반적으로, 본 발명의 한 형태에 있어서, 램프 하우징의 반사기 측면 내에 내장된 다수의 개별 광원 램프를 포함하는 반도체 웨이퍼의 프로세싱에 사용된 다구역 조명기에 대해 기술된다. 광원 램프는 광 에너지를 발생시켜서 조사하기 위해 다수의 동심원 구역 내에 배열된다. 또한, 조명기는 실제 웨이퍼 가열시에 사용되지 않은 다수의 가상 램프를 갖고 있는 광 간섭 제거 회로(LIEC)를 포함한다. 광섬유 방사선 감지기를 수용하기 위해 광 파이프를 포함하는 각각의 원 구역에 최소한 하나의 가상 램프가 있다. 이 광섬유 방사선 감지기는 가상 램프로부터의 방사선을 측정한다. 또한, 단일 가상 램프를 모든 구역에 사용할 수도 있다. 그러나, 각각의 영역에 하나의 전용 가상 램프를 사용하는 것이 양호하다. 금 도금한 반사기 플레이트는 광 에너지를 반사시켜 조사하기 위해 램프 하우징의 하부 측면에 부착된다. 램프와 웨이퍼간의 공간에 조정 가능한 엘리베이터를 사용하고 램프하우징과 프로세스 챔버 사이에 조정 가능한 어댑터를 사용함으로써 반사기 플레이트와 웨이퍼 사이의 공간, 및 램프와 웨이퍼 사이의 공간이 조정될 수 있다.
본 발명의 장점은 동심원 다구역 구조를 사용하여 광범위한 개스 압력 및 유동률에 걸쳐 웨이퍼를 균일하게 가열하는데 있다.
본 발명의 다른 장점은 조정 가능한 반사기와 웨이퍼 사이의 공간 및 램프와 웨이퍼 사이의 공간을 사용하는 점이다.
본 발명의 또 다른 장점은 다점식 온도 감지기 및 광 간섭 제거 성분의 실행 수단을 최소한의 공간 및 패키징 복잡도로 제공하는데 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 양호한 실시예에 대해 설명하겠다. 도면 상에서 대응 부분에는 동일한 참조 부호를 붙였다.
VLSI/ULSI 회로 공간 내의 장치의 크기를 계속하여 단계적으로 축소시키는데는 복잡한 마이크로엘렉트로닉 장치를 제조하는데 필요한 제조 기구 및 기술을 요구한다. 급속한 기술 향상으로 디지탈 집적 회로의 최소 형태 크기를 서브미크론 규격으로 감소시켰다. 이러한 결과로서, 단시간 및/또는 활성화 저온 프로세스는 도펀트 분포 문제점을 최소화시키는데 필수적으로 고려되어, 장치 제조 수율을 증가시키고, 장치 제조 시퀀스 동안에 향상된 프로세스 제어를 달성한다.
RTP는 적절한 고속 회송 집적 회로를 제조하는데 바람직하게 고려된 단일 웨이퍼 프로세싱 방법론에 기초하여 동작한다.
제1도는 본 발명의 환경을 설정하는 반도체 프로세싱 반응기(100)를 도시한 개략도이다. 텍사스 인스트루먼츠사의 선행 자동차 진공 프로세서(AVP)와 같은 단일 웨이퍼 RTP 반응기(100) 내부에 반도체 웨이퍼(60)가 존재할 수 있다. 제1도의 하부 우측 코너에 있는 개스 분포 네트워크(102)는 2개의 개스 매니폴드, 즉 비플라즈마 프로세스 개스 매니폴드와 플라즈마 매니폴드를 포함할 수 있다. 비플라즈마 개스 매니폴드는 개스 라인(104)을 경유하여 반응기 벽(108) 및 프로세스 챔버 벽(110)을 통해 관통하여 접지 전극(112)을 통해 개스 주입기(114) 내로 진행한다. 플라즈마 매니폴드는 프로세스 플라즈마를 발생시키기 위해 개스 라인(106)을 경유하여 방전 캐비티(118)에 접속한다. 프로세스 플라즈마 활성화 종은 반응기 케이싱(108) 및 프로세스 챔버 벽(110)을 통해 플라즈마 방전 튜브(120) 내부를 통과하여, 접지 전극(112)을 통해 비플라즈마 개스 주입기 어셈블리(114) 근처의 플라즈마 주입기(122) 내로 진행한다. 저열 대량 핀(124)에 의해 지지된 상기 개스 주입기 어셈블리(114) 및 플라즈마 주입기(122)는 반도체 웨이퍼(60)에 존재한다. 저열 대량 핀(124)은 프로세스 챔버(126) 내부의 접지 전극(112)(또는 라이너, 도시되지 않음)에 의해 지지된다. 웨이퍼 프로세싱은 열 활성화만으로, 또는 열과 플라즈마 프로세스 활성화의 결합으로 행해질 수 있다.
프로세스 챔버(126)는 반도체 웨이퍼(60)를 본 발명의 다구역 조명기(130)로부터 분리시키는 광 수정 윈도우(128)를 포함한다. 1991년 4월 24일자로 출원되어 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드사에 양도된 엠. 모슬레히(M. Moslehi)의 미합중국 특허 출원 제702,646호에 기술된 바와 같이, 다구역 조명기(130)와 관련하여 다점식 온도 감지기(132; 도시되지 않음)를 가질 수 있다. 진공 펌프 접속부(134)는 프로세스 챔버(126)으로부터 그리고 펌핑 패키지(136) 내로 프로세스 개스 및 플라즈마가 흐르는 것을 방지한다. 부수적으로, 절연 게이트(138)는 반도체 웨이퍼(60)가 진공 로드-록크 챔버(140)로부터 RTP 프로세스 챔버(126) 내로 통과할 수 있게 한다. 반도체 웨이퍼(60)가 프로세스 챔버(126) 내로 이동할 수 있게 하기 위해, 챔버 칼라 리프트 메카니즘(142)은 챔버 칼라(110)를 지지한다.
진공 로드-록크 챔버(140) 내부에는 웨이퍼 핸들링 로보트(146)가 프로세스동안 단일 반도체 웨이퍼(60)를 이동시키는 반도체 웨이퍼(60)의 카세트(144)가 존재한다. 로드-록크 챔버(140)를 진공 상태로 유지시키기 위해, 로드-록크 챔버(140)는 진공 펌프 접속부(148)을 포함한다.
프로세스 제어 컴퓨터(150)는 RTP 반응기(100) 내의 반도체 웨이퍼(60)의 프로세싱을 제어한다. 프로세스 제어 컴퓨터(150)로부터의 제어 신호는 다구역 제어기(152)로의 신호를 포함한다. 제어기(또는 다구역 제어기)(152)는 여러 신호를 다구역 램프 모듈 전원 공급기(154)에 제공한다. 조명기 전원 공급기(154)는 다구역 조명기(130)의 전력을 고정시킨다.
또한, 프로세스 제어 컴퓨터(150)는 개스 및 플라즈마 유입구 유량 신호를 개스 분포 네트워크(102) 내의 질량-흐름 제어기에 제공할 뿐만 아니라 압력 고정점을 펌핑 패키지(136)에 제공한다. 방전 캐비티(118)에서 플라즈마 종의 적절한 활성화를 제공하기 위해, 압력 제어 컴퓨터(150)는 양호한 실시예에서 2450 MHZ의 주파수에서 동작하는 마이크로파 광원(156)에 제어 신호를 제공한다.
프로세스 제어 컴퓨터(150)는 식별하고/예측하기 위해 라인(158)을 경유하여 다구역 조명기(130)의 상태를 확인하고, 다점식 감지기(도시되지 않음)의 온도 판독에 응답하여 다중 온도 제어 신호를 다구역 제어기(152)에 제공한다. 다구역 제어기는 (컴퓨터로부터) 원하는 웨이퍼 온도 고정점뿐만 아니라 측정된 다점식 온도감지기 출력(도시되지 않음)을 수신하고 전력 고정점을 램프 구역 전력 공급기에 송출한다. 프로세스 제어 컴퓨터(150)과 본 발명의 다구역 조명기(130) 사이의 감지 라인(159)은 램프의 열화 및 결함을 모니터하기 위해 구역 램프의 상태 뿐만 아니라 실시간 반도체 웨이퍼(60)의 온도 측정용 다점식 온도 감지기(도시되지 않음)로부터의 신호를 포함한다.
제2도는 본 발명의 RTP 반응기(100)로서 동작하는 텍사스 인스트루먼츠사의 AVP 또는 선행/자동화 진공 프로세서를 도시한 사시도이다. 프로세스 챔버(126)는 반응기 프레임(136) 상에 장착된다. 프로세스 챔버(126)은 다구역 조명기(130)를 견고하게 지지한다. 반도체 웨이퍼(144)를 보유하기 위해 카세트(160)를 갖고 있는 진공 로드-록크 챔버(140)가 프로세스 챔버(126)에 인접하여 배치된다. 여러가지 소자와 연관된 프로세싱 반응기(100)의 동작을 제어하는 프로세스 제어 컴퓨터(150)는 진공 로드-록크 챔버(140)에 인접하여 배치된다.
제3도는 본 발명의 다구역 조명기(130)의 주요 구성 부품(구성 부품들은 서로 따로따로 도시됨)을 도시한 개략도이다. 주요 구성 부품은 수냉식 램프 하우징(200)/반사기(230), 다구역 가열 램프의 어레이(328), 램프 소켓 기부판(322), 및 전력 배선 모듈(320)을 포함한다. 전력 배선 모듈(320)은 램프 구역과 외부 전원공급기(도시되지 않음) 사이에 전기적 접속부를 제공한다. 기부판(322)은 모든 램프 소켓을 보유한다. 다구역 가열 램프(328)는 수냉식 램프 하우징/반사기 어셈블리(200) 내부의 수냉식 램프 튜브(329)를 통해 관통한다. 직경이 더 작은 추가 수냉식 튜브(326)는 다구역 램프 및 온도 제어용 다점식 온도 감지기 시스템을 삽입하기 위해 포함된다. 이러한 감지기들은 전력 배선 모듈(320), 램프 기부판(322), 및 수냉식 램프 하우징(200)/반사기(230) 사이에 배치되는 여러가지 홀(325, 324, 210)을 통해 다구역 조명기 어셈블리(130)내로 삽입된다.
제4도에는 본 발명의 양호한 실시예가 더욱 상세하게 도시되어 있다. 다구역 조명기(130)는 가열 램프(220) 및 가상 램프(222)의 어레이가 돌출하는 일련의 개구부 또는 튜브를 갖고 있는 램프 하우징(200)으로 구성된다. 가상 램프(222)는 하우징(200)의 주변에 도시되어 있지만 이들은 다른 곳에 배치될 수도 있다. 하우징(200)의 하부는 금 도금된 반사기 플레이트(230)이다. 램프 하우징(200)은 반사기(230) 및 고온계 광 파이프(210)의 가열을 방지하기 위해 수냉각된다. 제5도를 참조하면, 램프(220)는 조명기의 축을 따라 점 광원으로서 수직으로 배열되고 소정의 동심원 형태 링 상에 분포된다. 본 발명의 양호한 실시예는 4개의 동심원 형태링을 사용하고, 각각의 링은 하나의 가열 구역을 형성한다. 링(또는 구역)의 수는 4개 초과이거나 4개 미만일 수 있다. 구역 1은 5개의 가열 램프(240), 및 하우징(200)의 주변 상에 배치된 주변 가상 램프(242)로 구성된다. 구역 2는 11개의 가열 램프(250), 및 하우징(200)의 주변 상에 배치된 가상 램프(252)로 구성된다. 구역 3은 20개의 램프(260), 및 하우징(200)의 주변 상에 배치된 4개의 가상 램프(262, 264, 266 및 268)로 구성된다. 구역 4는 29개의 램프(270), 및 하우징(200)의 주변 상에 배치된 가상 램프(272)로 구성된다. 양호한 실시예에서, 램프(220)는 각각 1KW 텅스텐-할로겐 램프이다. 그러나, 500 W, 750W, 2KW 또는 그 이상의 정격을 갖는 램프도 사용될 수 있다. 텅스텐-할로겐 형태와 상이한 그 밖의 다른 램프의 형태도 사용될 수 있다.
제4도를 참조하면, 하우징(200)은 광 윈도우(290)에 의해 웨이퍼(60) 상에 이 웨이퍼(60)과 분리되어 배치된다. 광 윈도우(290)는 수정 또는 다른 투명 물질로 제조될 수 있다. 광 윈도우(290)의 주변 하부 연부상에 반사막 피복부(295)가 있다. 반사막(295)은 예를 들어, 크롬으로 제조될 수 있고, 진공 O형 링 밀봉부가 램프의 광에 직접 노출되지 못하도록 하기 위해 사용될 수 있다. 반사기 플레이트(230)와 웨이퍼(60) 사이의 공간 및 가열 램프(220)와 웨이퍼(60) 사이의 공간은 조정 가능한 엘리베이터(300), 및 램프 하우징(200)과 수정 윈도우(290) 사이에 배치된 어댑터 링에 의해 조정된다. 모터(350)는 안내 나사(330)를 구동시켜서 너트(370)를 상승시키거나 하강시킨다. 너트(370)는 캐리지(202)에 접속된다 캐리지(202)는 배선 모듈(320) 및 램프 지지부에 접속된다. 이 메카니즘은 주요 램프 하우징(200) [반사기(230)]에 대해 램프 어레이를 상승시키거나 하강시킨다. 분리 메카니즘(도시되지 않음)은 램프 반사기(230)와 수정 윈도우(290) 사이의 공간을 조정하기 위해 제공된다. 엘리베이터 메카니즘(300)은 2가지 목적, 즉 (i) 주어진 반사기와 수정 사이의 공간에 대한 램프 어레이와 수정 윈도우(290) 사이의 상대 공간을 조정하고, (ii) 주요 램프 하우징(200) [수냉식 반사기(230)]으로부터 전체 램프 어레이 및 관련 배선 모듈(320)을 위로 끌어올리기 위해 사용될 수 있다. 후자의 목적은 램프를 교체하기 위해 램프 어레이를 회전시킬 수 있게 한다. 이러한 결과로서, 조명기의 총 광속 및 이것의 분포 패턴은 챔버 압력 및 총 개스 유동률을 포함하는 광범위한 프로세스 파라미터에 최적화될 수 있다. 제4도는 전형적인 근거리 광 윈도우(290)에서의 램프 하우징(200)을 도시한 것이다. 제6도는 조명기(130)의 측면도로서, 보존 조명기 어셈블리의 회전용 피보트뿐만 아니라 4개의 동심원 구역 내의 여러 램프의 방사상 위치를 나타낸다.
전원 공급기(340 내지 370)는 3개 위상의 전원 공급기이다. 제7도를 참조하면, 구역 1은 전원 공급기(340)에 의해 전원이 공급된다. 램프(240)는 다음과 같이 접속될 수 있다. 램프(240a 및 240b)는 위상 1과 위상 2 사이에 직렬로 접속되고, 램프(240c 및 240d)는 위상 2와 위상 3 사이에 직렬로 접속되며, 램프(240e) 및 가상 램프(242)는 위상 1과 위상 3 사이에 직렬로 접속된다.
제7도를 참조하면, 구역 2는 전원 공급기(350)에 의해 전원이 공급된다. 위상 1과 위상 2 사이에 램프(250a 및 250b)가 직렬로 접속되고, 램프(250c 및 250d)가 직렬로 접속된다. 위상 2와 위상 3 사이에, 램프(250e 및 250f)가 직렬로 접속되고, 램프(250g 및 250h)가 직렬로 접속된다. 위상 1과 위상 3 사이에, 램프(250i 및 250j)가 직렬로 접속되고, 램프(250k) 및 가상 램프(252)가 직렬로 접속된다.
제7도를 참조하면, 구역 3은 전원 공급기(360)에 의해 전원이 공급된다. 위상 1과 위상 2 사이에, 램프의 쌍(260a와 260b, 260c와 260d, 260e와 260f, 및 260g와 262)이 직렬로 접속될 수 있다. 위상 2와 위상 3 사이에, 램프 쌍(260h와 260i, 260j와 260k, 260l과 260m, 및 260n과 264)이 직렬로 접속될 수 있다. 위상 1과 위상 3 사이에, 램프 쌍(260o와 260p, 260q와 260r, 260s와 266, 및 260t와 268)이 직렬로 접속될 수 있다.
제7도를 참조하면, 구역 4는 전원 공급기(370)에 의해 전원이 공급된다. 위상 1과 위상 2 사이에, 램프 쌍(270a와 270b, 270c와 270d, 270e와 270f, 270g와 270h, 및 270i와 272)이 직렬로 접속될 수 있다. 위상 2와 위상 3 사이에, 램프 쌍(270j와 270k, 270l과 270m, 270n과 270o, 270p와 270q, 및 270r과 270s)이 직렬로 접속될 수 있다. 위상 1과 위상 3 사이에, 램프 쌍(270t와 270u, 270v와 270w, 270x와 270y, 270z와 270aa, 및 270ab와 270ac)이 직렬로 접속될 수 있다. 상술된 접속 방법은 단지 한 예일 뿐이다. 본 분야에 숙련된 기술자들이면, 전원 공급기와 램프 전압 정격에 따라 다르게 조합할 수 있다.
예를 들어, 램프(220)는 텅스텐-할로겐 또는 플라즈마 아크 램프일 수 있고, 프로세스 동안에 반도체 웨이퍼(60)를 가열하는데 사용될 수 있다. 양호한 실시예에서 동심원 형태 링의 램프(220)는 58 KW 정도의 전력을 RTP에 제공한다. 각각의 구역 내의 다중 램프 광원 및 서로에 대한 근접성으로 인하여, 각각의 구역은 웨이퍼(200)의 표면에서 연속적인 광자 방사 링을 제공하여 균일한 웨이퍼 가열을 초래한다. 구역 내에 다수의 독립적인 점 광원 램프를 사용하고 이들을 하나의 전원공급기에 접속시키면 복잡도가 상당히 감소되고, 단일 링형 램프를 제공하는 것보다도 경제적이고 실용적이다.
가상 램프(222)는 이들의 출력 방사선이 웨이퍼(60)으로부터 분리되도록 이들이 하우징(200) 내에 배치된 점을 제외하고는 램프(220)와 동일하다. 제4도에 도시된 바와 같이, 가상 광 파이프의 단부를 캡(224)으로 차단시킴으로써 분리될 수 있다. 가상 램프(242, 252, 262, 264, 266, 268 및 272)는 후술된 바와 같은 광 변조 심도를 측정하기 위한 것이고, 예를 들어 고온계에 기초한 정밀한 온도 측정용으로 사용된다.
1991년 4월 24일자로 출원된 미합중국 특허 출원 제702,646호에 기술된 바와 같은 다점식 온도 감지기는 과도 및 정상 상태 열 사이클 동안에 균일한 제어 및 실시간 온도 측정을 실행하는데 사용될 수 있다. 그러나, 수정 윈도우(290)가 이들 파장에서 투과되기 때문에 적외선 파장이 3.5 미크론 미만인 방사선을 발생시키는 램프가 바람직하다. 그러나, 3.5 미크론 미만의 파장에서, 고온 측정은 온도측정 에러를 상당히 야기시키고 프로세스 반복성 문제를 야기시킬 수 있는 램프 간섭 효과의 영향을 받게 된다. 그러므로, 광 간섭 제거 회로(LIEC)가 바람직하다.
각각의 가상 램프는 이들의 각각의 구역에서 LIEC 변조 심도를 측정하고 제어하기 위해 광 간섭 제거 회로(LIEC)의 고온계 삽입 광 파이프(205)를 포함한다. 광 파이프(205)와 연관된 가상 광 고온계(206)(제8도에 도시됨)은 가상 램프(222)로부터의 방사선을 측정한다. 또한, 다중 고온계 삽입 광 파이프(210)는 5 이상의 방사 웨이퍼 온도 측정치에 이르기까지 하우징(200) 내에 내장된다. 광 파이프(210)와 연관된 웨이퍼 고온계(211)는 이들의 간섭에 기인한 램프(220) 및 웨이퍼(60)로부터의 방사선을 측정한다. 전력 변조 소오스(도시되지 않음)는 가상 램프(222)의 출력 방사선이 선택된 AC 변조로 변화하지만, 웨이퍼(60)의 온도가 거의 일정하게 유지되도록 선택된 변조 심도로 전원을 변조시키기 위해 제공된다. 웨이퍼 가열 램프(220)에 의해 방출된 광 파이프(210)와 연관된 고온계에 의해 접속된 총 방사선 분율을 결정하고, 웨이퍼(60)의 실제 온도를 계산하기 위한 회로가 제공된다. 제8도를 참조하면, 램프 방사선의 샘플 또는 일부의 스펙트럼 출력은 가상램프 고온계(206)에 의해 측정된다. 스펙트럼 출력은 AC 성분 △I(참고로, △I는 피크 대 피크의 AC 신호임) 및 DC 성분 I를 포함한다. 가상 램프 고온계(206)는 동일한 스펙트럼 밴드 △λ 에서 동작하므로, 웨이퍼 고온계와 같이 동일한 중심 파장에서 동작한다. 예로서, λo는 3.3μm이고, △λ 는 0.4 μm이다.
램프 고온계 출력 신호는 DC 성분 I를 출력하는 저역 통과 필터(428)에 제공된다. 또한, 가상 램프 고온계(206)의 출력은 고역 통과 필터(430)에 제공되고, 램프 세기 △I의 AC 부분을 교대로 출력하는 DC로의 피크 대 피크 변환기(432)에 제공된다[주의 : 원한다면, 2개의 블럭(430 및 432)는 LIEC의 기능성에 영향을 미치지 않고 바이패스될 수 있다].
램프 방사 변조 심도(ML)은 분할기(434) 내에서 가상 램프 고온계(206)의 AC성분 △I의 피크 대 피크치를 이것의 DC 성분 I로 분할함으로써 결정된다.
이와 동시에, 웨이퍼 고온계(211)의 AC 성분 △I′는 고역 통과 필터(436), 및 DC로의 피크 대 피크 변환기(438)로부터 결정된다. 그 다음, 웨이퍼 고온계(211)의 AC 성분 △I′는 분할 회로(440)에서 측정된 램프 변조 심도(ML)로 분할된다. 분할기의 출력 Y2는 DC 램프 간섭량, 즉 웨이퍼 온도 감지기 또는 웨이퍼 고온계(211) 내의 주요 광원의 측정 에러량이다. 또한, 블럭(430 및 432)이 제거되고/바이패스되면, 블럭(436 및 438)은 제거되고/바이패스된다.
램프 간섭 효과 또는 Y2는 차동 증폭기 회로(444) 내에서 저역 통과 필터(442)로부터 얻어진 웨이퍼 고온계(211)로부터의 DC 성분 I′가 감해질 수 있다. 차동 회로(444)의 출력 Y3은 실제 웨이퍼 온도에 기초하고, 실제로 모든 램프 간섭부는 제거된다.
또한, 이러한 기술은 고온계의 스펙트럼 밴드 내에서 스펙트럼 웨이퍼 반사율(또는 복사율)에 관한 실시간 데이타를 제공한다. 이러한 정보는 고온계를 사용한 웨이퍼 온도 측정의 실시간 보정/보상에 사용될 수 있다. 스펙트럼 반사율은 웨이퍼 고온계(211)에 의해 검출된 AC 신호 레벨 △I′와 가상 램프 고온계(206)에 의해 검출된 AC 신호 레벨 △I의 비에 반드시 비례한다. 복사율은 제8도에서 Y4로 표시된 분할기(452)의 출력에 비례한다. Y4는 고온계에서처럼 동일한 중심 파장에서의 웨이퍼 스펙트럼 복사율의 측정치이다. 내장된 가상 램프가 없는 LIEC의 동작에 대한 더욱 상세한 설명은 여기에서 참조로 사용되고, 1991년 10월 30일자로 출원되어 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드사에 양도된 계류중인 미합중국 특허출원 제785,386호에 기술되어 있다.
몇몇 양호한 실시예에 대해 상세하게 상술하였다. 본 발명은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도에서 상술된 실시예와 상이한 실시예도 포함한다.
본 발명은 양호한 실시예에 대해 설명되었지만, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니며, 본 분야에 숙련된 기술자들이라면 본 발명을 여러가지로 변형 및 조합할 수 있다. 그러므로, 본 발명은 첨부된 특허 청구의 범위 내에서만 제한된다.

Claims (21)

  1. 반도체 웨이퍼를 프로세스하기 위한 다구역 조명기(multi-zone illuminator )에 있어서, a. 하부 측을 갖는 램프 하우징(lamp housing), b. 상기 하부 측 내에 내장되어, 광 에너지를 발생시켜서 조사하기 위해 다수의 동심원 구역 내에 배열된 다수의 점 광원 램프(point source lamps), c. 광 에너지를 반사시켜서 조사하기 위해 상기 하부 측에 부착된 반사기 플레이트, 및 d. 광 변조 심도를 측정하기 위해 상기 하부 측에 내장되어 하나 이상의 상기 동심원 구역과 연관되는 하나 이상의 가상 램프(dummy lamp)를 포함하는 광 간섭 제거 회로(light interference elimination circuit: LIEC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  2. 제1항에 있어서, a. 상기 하부 측에 내장된 다수의 광 파이프, 및 b. 하나 이상의 가열 구역과 연관된 하나 이상의 상기 가상 램프 내에 배치된 광 파이프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광 간섭 제거 회로가 a. 상기 하부 측 내에 내장된 상기 다수의 광 파이프 내에 삽입 가능한 다수의 웨이퍼 온도 감지기, b. 상기 가상 램프 내에 배치된 상기 광 파이프 내에 삽입 가능한 다수의 램프 방사선 감지기, c. 상기 가열 램프 및 가상 램프를 선택된 변조 심도 및 주파수로 변조하기 위한 변조 소오스, d. 하나 이상의 상기 다수의 램프 방사선 감지기 내에서 검출된 방사선의 변조 심도의 크기를 결정하는 회로, e. 상기 다수의 웨이퍼 온도 감지기 내에 내장된 램프 간섭 신호의 크기를 결정하는 회로, 및 f. 웨이퍼 온도를 결정하기 위해 상기 램프 간섭 신호를 상기 웨이퍼 온도감지기 신호에서 감하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광원 램프들은 반도체 웨이퍼 표면에서 각각의 상기 동심원 구역으로부터 상기 광 에너지의 거의 연속적인 링을 제공하기 위해 각각의 상기 동심원 구역 내부에서 연관되는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 조명기는 상기 반사기를 냉각시키는 냉각 유체가 흐르는 다수의 냉각 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 각각의 조정 가능한 전원 공급기가 각각의 램프 구역에 전력을 제공하기 위해 연관된 다수의 조정 가능한 전원 공급기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  7. 제6항에 있어서, 각각의 전원 공급기가 또한 하나 이상의 가상 램프에 전력을 제공하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 소오스 램프가 텅스텐-할로겐 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  9. 제1항에 있어서, 각각의 상기 소오스 램프가 500 내지 2000 W 텅스텐-할로겐 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  10. 제1항에 있어서, 상기 램프와 상기 웨이퍼 사이의 공간을 조정하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  11. 제10항에 있어서, 상기 조정 수단이 상기 반사기 플레이트와 상기 웨이퍼 사이의 공간도 또한 조정할 수 있으며, 상기 램프와 상기 웨이퍼 사이의 공간은 상기 반사기 플레이트와 상기 웨이퍼 사이의 공간에 무관하게 조정될 수 있는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  12. 제1항에 있어서, 상기 반사기 플레이트가 평탄하고 금으로 도금된 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  13. 반도체 웨이퍼를 프로세스하는 다구역 조명기(multi-zone illuminator)에 있어서, a. 하부 측을 갖는 램프 하우징(lamp housing), b. 상기 하부 측 내에 내장되어, 균일한 웨이퍼 가열을 위해 광 에너지의 거의 연속적인 링을 각각 제공하는 4개의 동심원 구역 내에 배열된 다수의 광원 램프, c. 각각의 동심원 구역에 전력을 제공하기 위해 각각 연관된 다수의 조정 가능한 전원 공급기, d. 광 변조 심도를 측정하기 위해 상기 하부 측 내에 내장되고, 하나 이상의 가상 램프가 각각의 전원 공급기에 의해 전원이 공급되며 다수의 제1 광섬유 방사선 감지기들중 하나를 수용하기 위한 광 파이프를 포함하는 다수의 가상 램프, e. 다수의 제2 광섬유 웨이퍼 온도 감지기를 수용하기 위해 상기 하부 측내에 내장된 다수의 광 파이프, f. 광 에너지를 반사시켜서 조사하기 위해 상기 하부 측면에 부착된 평탄한 금 도금된 반사기 플레이트, 및 g. 램프와 웨이퍼 사이의 이격 및 반사기와 웨이퍼 사이의 이격을 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  14. 제13항에 있어서, 상기 4개의 동심원 램프 구역은 29개의 점 광원 램프를 갖는 외부 동심원 램프 구역, 20개의 점 광원 램프를 갖는 외부의 중간 동심원 램프 구역, 11개의 점 광원 램프를 갖고 있는 내부의 중간 동심원 구역, 및 5개의 점 광원 램프를 갖는 중심 동심원 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  15. 제13항에 있어서, a. 상기 램프 및 가상 램프를 선택된 변조 심도 및 주파수로 변조시키는 변조 소오스, b. 하나 이상의 상기 다수의 제1 광섬유 감지기 내에 검출된 방사선의 변조 심도의 크기를 결정하는 회로, c. 상기 다수의 제2 광섬유 감지기 내에 내장된 램프 간섭 신호의 크기를 결정하는 회로, 및 d. 실제 웨이퍼 온도를 결정하기 위해 상기 램프 간섭 신호를 상기 웨이퍼 온도 감지기 신호에서 감하는 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  16. 제13항에 있어서, 상기 하우징은 상기 반사기 및 상기 광 파이프를 냉각시키는 냉각 유체가 흐르는 다수의 냉각 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  17. 제13항에 있어서, 상기 광원 램프가 텅스텐-할로겐 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  18. 제13항에 있어서, 각각의 상기 점 광원 램프가 500 내지 2000 W 텅스텐-할로겐 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  19. 제13항에 있어서, 상기 4개의 동심원 램프 구역은 29개의 광원 램프를 갖는 외부 동심원 램프 구역, 20개의 광원 램프를 갖는 외부의 중간 동심원 램프 구역, 11개의 광원 램프를 갖는 내부의 중간 동심원 구역, 및 5개의 광원 램프를 갖는 중심 동심원 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
  20. 반도체 웨이퍼를 프로세스하는데 적합한 급속 열 프로세서(rapid thermal processor)에 있어서, a. 상기 웨이퍼 상의 수정 윈도우, 및 b. 상기 수정 윈도우 상에 배치된 다구역 조명기를 포함하되, 상기 다구역 조명기는 i. 하부 측을 갖는 램프 하우징(lamp hosing), ii. 상기 하부 측에 내장되어, 균일한 웨이퍼 가열을 위해 광 에너지의 거의 연속적인 링을 각각 제공하는 4개의 동심원 구역 내에 배열된 다수의 점 광원 램프, iii. 전력을 각각의 동심원 구역에 제공하기 위해 각각 연관된 다수의 조정 가능한 전원 공급기, iv. 광 변조 심도를 측정하기 위해 상기 하부 측 내에 내장되고, 각각의 전원 공급기에 의해 전원이 공급되며 다수의 제1 광섬유 감지기들중 하나를 수용하기 위한 광 파이프를 포함하는 다수의 가상 램프를 포함하는 광 간섭 제거 회로(light interference elimination circuit : LIEC), v. 광 에너지를 반사시켜서 조사하기 위해 상기 하부 측에 부착된 평탄한 금 도금된 반사기 플레이트, 및 vi. 램프와 웨이퍼 사이의 이격 및 반사기와 웨이퍼 사이의 이격을 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열 프로세서.
  21. 반도체 웨이퍼를 프로세스하는 다구역 조명기(multi-zone illuminator)에 있어서, a. 하부 측을 갖는 램프 하우징(lamp housing), b. 상기 하부 측 내에 내장되어, 광 에너지를 발생시켜서 조사하기 위해 다수의 동심원 구역 내에 배열된 다수의 점 광원 램프, c. 광 에너지를 반사시켜서 조사하기 위해 상기 하부 측에 부착된 반사기 플레이트, 및 d. 웨이퍼와 상기 반사기 플레이트 사이의 이격 및 상기 웨이퍼와 상기 점광원 램프 사이의 이격을 조정하는 수단을 포함하되, 상기 웨이퍼와 상기 점 광원 램프 사이의 이격이 상기 웨이퍼와 상기 반사기 사이의 이격과 무관하게 조정될 수 있는 것을 특징으로 하는 다구역 조명기.
KR1019930006277A 1992-04-16 1993-04-15 내장된프로세스제어감지기를갖고있는다구역조명기 Expired - Lifetime KR100295169B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/870,446 1992-04-16
US07/870,446 US5268989A (en) 1992-04-16 1992-04-16 Multi zone illuminator with embeded process control sensors and light interference elimination circuit
US7/870,446 1992-04-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940006190A KR940006190A (ko) 1994-03-23
KR100295169B1 true KR100295169B1 (ko) 2001-09-17

Family

ID=25355390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930006277A Expired - Lifetime KR100295169B1 (ko) 1992-04-16 1993-04-15 내장된프로세스제어감지기를갖고있는다구역조명기

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5268989A (ko)
EP (1) EP0576791B1 (ko)
JP (1) JP3400486B2 (ko)
KR (1) KR100295169B1 (ko)
DE (1) DE69322697T2 (ko)
TW (1) TW251389B (ko)

Families Citing this family (323)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5769540A (en) * 1990-04-10 1998-06-23 Luxtron Corporation Non-contact optical techniques for measuring surface conditions
US5446825A (en) * 1991-04-24 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated High performance multi-zone illuminator module for semiconductor wafer processing
US5268989A (en) * 1992-04-16 1993-12-07 Texas Instruments Incorporated Multi zone illuminator with embeded process control sensors and light interference elimination circuit
US5504831A (en) * 1993-11-10 1996-04-02 Micron Semiconductor, Inc. System for compensating against wafer edge heat loss in rapid thermal processing
US5444815A (en) * 1993-12-16 1995-08-22 Texas Instruments Incorporated Multi-zone lamp interference correction system
US5561612A (en) * 1994-05-18 1996-10-01 Micron Technology, Inc. Control and 3-dimensional simulation model of temperature variations in a rapid thermal processing machine
US5715361A (en) * 1995-04-13 1998-02-03 Cvc Products, Inc. Rapid thermal processing high-performance multizone illuminator for wafer backside heating
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
US6039848A (en) * 1995-07-10 2000-03-21 Cvc Products, Inc. Ultra-high vacuum apparatus and method for high productivity physical vapor deposition.
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US5864119A (en) * 1995-11-13 1999-01-26 Radiant Technology Corporation IR conveyor furnace with controlled temperature profile for large area processing multichip modules
US5881208A (en) * 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
US5938335A (en) * 1996-04-08 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Self-calibrating temperature probe
US6108490A (en) * 1996-07-11 2000-08-22 Cvc, Inc. Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution
US5937142A (en) * 1996-07-11 1999-08-10 Cvc Products, Inc. Multi-zone illuminator for rapid thermal processing
US5889258A (en) * 1996-12-12 1999-03-30 Lubomirski; Dimitri High temperature heating apparatus
US5781692A (en) * 1997-06-04 1998-07-14 Trw Inc. Quartz lamp heater assembly for thin film deposition apparatus
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6463981B1 (en) 1998-08-13 2002-10-15 Eastman Kodak Company Laminator assembly having a pressure roller with a deformable layer
US6213183B1 (en) 1998-08-13 2001-04-10 Eastman Kodak Company Laminator assembly having an endless belt
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6310328B1 (en) * 1998-12-10 2001-10-30 Mattson Technologies, Inc. Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers
US6771895B2 (en) * 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
US6303411B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-16 Vortek Industries Ltd. Spatially resolved temperature measurement and irradiance control
US6259072B1 (en) 1999-11-09 2001-07-10 Axcelis Technologies, Inc. Zone controlled radiant heating system utilizing focused reflector
US6471830B1 (en) 2000-10-03 2002-10-29 Veeco/Cvc, Inc. Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system
US6970644B2 (en) * 2000-12-21 2005-11-29 Mattson Technology, Inc. Heating configuration for use in thermal processing chambers
US7015422B2 (en) 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
WO2003060447A1 (en) 2001-12-26 2003-07-24 Vortek Industries Ltd. Temperature measurement and heat-treating methods and systems
US6768084B2 (en) * 2002-09-30 2004-07-27 Axcelis Technologies, Inc. Advanced rapid thermal processing (RTP) using a linearly-moving heating assembly with an axisymmetric and radially-tunable thermal radiation profile
US7166168B1 (en) 2002-10-18 2007-01-23 Carl Zeiss Smt Ag Substrate-coating system and an associated substrate-heating method
KR100377011B1 (ko) * 2002-11-01 2003-03-19 코닉 시스템 주식회사 급속 열처리 장치의 히터 모듈
AU2003287837A1 (en) 2002-12-20 2004-07-14 Vortek Industries Ltd Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece
US20040222210A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Hongy Lin Multi-zone ceramic heating system and method of manufacture thereof
JP5630935B2 (ja) 2003-12-19 2014-11-26 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
US7368303B2 (en) * 2004-10-20 2008-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for temperature control in a rapid thermal processing system
US7402778B2 (en) * 2005-04-29 2008-07-22 Asm Assembly Automation Ltd. Oven for controlled heating of compounds at varying temperatures
KR100621777B1 (ko) * 2005-05-04 2006-09-15 삼성전자주식회사 기판 열처리 장치
US7703614B2 (en) 2006-01-27 2010-04-27 Display Technologies Product display tray
WO2008058397A1 (en) 2006-11-15 2008-05-22 Mattson Technology Canada, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
JP5209237B2 (ja) * 2007-06-19 2013-06-12 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
US8733188B2 (en) 2010-08-27 2014-05-27 General Electric Company Apparatus for mounting pipe sensors
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2013045817A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置および真空処理方法
CN103390553B (zh) * 2012-05-11 2016-08-03 无锡华润上华科技有限公司 快速热退火方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8772055B1 (en) * 2013-01-16 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Multizone control of lamps in a conical lamphead using pyrometers
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9754807B2 (en) * 2013-03-12 2017-09-05 Applied Materials, Inc. High density solid state light source array
CN105706225B (zh) 2013-07-31 2019-08-13 瑞士艾发科技 辐射加热器布置
JP6469680B2 (ja) * 2013-11-22 2019-02-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ アクセスが容易なランプヘッド
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102609312B1 (ko) * 2016-09-13 2023-12-01 삼성전자주식회사 웨이퍼 워피지 개선 장치 및 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) * 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP6969348B2 (ja) * 2017-12-15 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
WO2020130090A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置用光照射装置
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
TWI838594B (zh) 2019-11-26 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理設備
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20210125923A (ko) 2020-04-08 2021-10-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 막을 선택적으로 식각하기 위한 장치 및 방법
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20220041751A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 방법
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN113981416B (zh) * 2021-12-29 2022-03-22 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 多功能晶圆预处理腔及化学气相沉积设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0482215A (ja) * 1990-07-25 1992-03-16 Sumitomo Electric Ind Ltd ランプアニール装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3627590A (en) * 1968-12-02 1971-12-14 Western Electric Co Method for heat treatment of workpieces
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US4097226A (en) * 1976-10-26 1978-06-27 General Electric Company Furnace for practising temperature gradient zone melting
US4356384A (en) * 1980-03-03 1982-10-26 Arnon Gat Method and means for heat treating semiconductor material using high intensity CW lamps
JPS60153115A (ja) * 1984-01-20 1985-08-12 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長装置におけるサセプタ均熱方法
US4555273A (en) * 1984-02-27 1985-11-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Furnace transient anneal process
DE3539981C1 (de) * 1985-11-11 1987-06-11 Telog Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleitermaterialien
US4859832A (en) * 1986-09-08 1989-08-22 Nikon Corporation Light radiation apparatus
US4890245A (en) * 1986-09-22 1989-12-26 Nikon Corporation Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor
JPS63227015A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd ランプ加熱装置
US4836138A (en) * 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
JPH01202633A (ja) * 1988-02-08 1989-08-15 Minolta Camera Co Ltd 放射温度計
KR960013995B1 (ko) * 1988-07-15 1996-10-11 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 반도체 웨이퍼 기판의 표면온도 측정 방법 및 열처리 장치
US4956538A (en) * 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
US4984902A (en) * 1989-04-13 1991-01-15 Peak Systems, Inc. Apparatus and method for compensating for errors in temperature measurement of semiconductor wafers during rapid thermal processing
US5108792A (en) * 1990-03-09 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Double-dome reactor for semiconductor processing
US5098198A (en) * 1990-04-19 1992-03-24 Applied Materials, Inc. Wafer heating and monitor module and method of operation
JP2725081B2 (ja) * 1990-07-05 1998-03-09 富士通株式会社 半導体装置製造用熱処理装置
US5179677A (en) * 1990-08-16 1993-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for substrate heating utilizing various infrared means to achieve uniform intensity
JPH04107818A (ja) * 1990-08-28 1992-04-09 Nec Corp ランプアニール装置
US5102231A (en) * 1991-01-29 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer temperature measurement system and method
US5180226A (en) * 1991-10-30 1993-01-19 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for precise temperature measurement
US5268989A (en) * 1992-04-16 1993-12-07 Texas Instruments Incorporated Multi zone illuminator with embeded process control sensors and light interference elimination circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0482215A (ja) * 1990-07-25 1992-03-16 Sumitomo Electric Ind Ltd ランプアニール装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3400486B2 (ja) 2003-04-28
JPH06267879A (ja) 1994-09-22
DE69322697D1 (de) 1999-02-04
EP0576791B1 (en) 1998-12-23
US5367606A (en) 1994-11-22
US5268989A (en) 1993-12-07
EP0576791A1 (en) 1994-01-05
DE69322697T2 (de) 1999-07-22
KR940006190A (ko) 1994-03-23
TW251389B (ko) 1995-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100295169B1 (ko) 내장된프로세스제어감지기를갖고있는다구역조명기
US5155336A (en) Rapid thermal heating apparatus and method
KR100194267B1 (ko) 반도체 웨이퍼 또는 기판 가열장치 및 방법
KR100885098B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 열처리에 유용한 저온 고온계 장치 및 그이용 방법
US5937142A (en) Multi-zone illuminator for rapid thermal processing
KR101699341B1 (ko) 확장된 온도의 고온계를 위한 방법 및 장치
US10409306B2 (en) Apparatus and methods for low temperature measurement in a wafer processing system
US6167195A (en) Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution
US10930530B2 (en) Methods and apparatus for wafer temperature measurement
CN116724385A (zh) 具有热处理系统的工件处理装置
CN116601753A (zh) 具有热处理系统的工件处理装置
US20250216268A1 (en) Dual sensor wafer temperature measurement system
US20250216154A1 (en) Thermal processing system for processing workpieces
WO2023134007A1 (zh) 半导体设备及其处理方法、温度测量方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19930415

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19980415

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19930415

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20000501

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20010316

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20010425

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20010426

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040412

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050331

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060331

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070330

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080331

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090331

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100331

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110330

Start annual number: 11

End annual number: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120329

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120329

Start annual number: 12

End annual number: 12

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term

Termination date: 20131022

Termination category: Expiration of duration