KR100293464B1 - 이파장광원모듈및그의제조방법과그를이용한광픽업장치 - Google Patents
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Abstract
파장이 다른 광빔들을 발생하는 이파장 광원 모듈 및 그 제조방법과 그를 이용한 광픽업 장치에 관한 것으로, 서브마운트에 오픈 영역을 형성하고, 그 오픈 영역에 적어도 2이상의 경사면들을 갖는 반사체를 서브마운트 표면에 돌출되도록 결합한 후, 반사체의 경사면들에 각각 대향되도록 서브마운트 위에 적어도 2이상의 광원을 형성함으로써, 하나의 모듈에서 파장이 다른 광빔을 발생시키는 이파장 광원 모듈이 간단하게 제조되며 이를 이용한 광픽업 장치의 구성이 간단해지고 부피가 최소화된다.
Description
본 발명은 파장이 다른 광빔들을 발생하는 이파장 광원 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다. 그리고, 본 발명은 이파장 광원 모듈을 이용하여 종류가 다른 광기록 매체들을 억세스하는 광픽업 장치에 관한 것이다.
최근의 기록 매체들은 정보가 대용량화됨에 따라 큰 기록 용량을 가지도록 요구되고 있다. 아울러, 기록 매체 시장의 점유율을 급속도로 증가시키고 있는 광기록 매체도 대용량의 정보를 기록할 수 있도록 개발되고 있다. 이러한 개발 노력에 따라, 광 기록 매체에는 기존의 컴펙트 디스크(Compact Disc ; 이하 "CD"라 함) 및 WORM(Write Once Read Many)형의 기록가능한 CD(이하 "CD-R"이라 함)보다 6 내지 7 배의 기록 용량을 가지는 디지탈 버서타일 디스크(Digital Versatile Disc ; 이하 "DVD"라 함)가 출현하게 되었다. 이 DVD는 CD 및 CD-R에 비하여 기록 밀도가 조밀할 뿐만 아니라 디스크의 표면으로부터 정보 기록면까지의 거리가 짧다. 실제로 DVD는 디스크 표면으로부터 정보 기록면까지의 거리가 0.6mm인 반면에 CD 및 CD-R은 1.2mm이다. 그리고, DVD 와 CD-R의 정보 기록면들은 광빔의 파장에 따라 다른 반사율을 가진다. 이를 상세히 하면, CD-R의 정보 기록면의 반사율은 파장이 780mm인 경우에 최대가 되는 반면에 DVD의 정보 기록면의 반사율은 파장이 650mm인 경우에 최대가 된다. 이와 같이, 구조 및 특성이 다른 광 디스크들이 통용됨에 따라 광픽업 장치도 이들 이종의 광 디스크들, 즉 CD, CD-R, DVD 모두를 억세스할 수 있도록 요청받고 있다. 이러한 요구를 충족시키기 위하여 2개의 광원을 이용하는 2빔 방식 광픽업 장치가 제안되었다.
이 2빔 방식 광픽업 장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 650nm의 광빔과 780nm의 광빔을 각각 발생하기 위하여 분리 설치된 제 1 및 제 2 광원(10, 12)과, 이들 광원들(10, 12)으로부터 광빔들의 경로를 일치시키기 위한 제 1 빔 스프리터(beam splitter,14)를 구비한다. 제 1 광원(10)은 DVD(11)가 억세스될 경우에 650nm의 파장을 가지는 광빔(이하 "제 1 광빔(B1)"이라 함)을 발생하여 그 제 1 광빔(B1)을 제 1 시준렌즈(Collimator, 16)를 경유하여 제 1 빔 스프리터(14)에 공급한다. 한편, 제 2 광원(12)은 CD 또는 CD-R이 억세스될 경우에 780nm의 파장을 가지는 광빔(이하 "제 2 광빔(B2)"이라 함)을 발생하고 그 제 2 광빔(B2)을 제 2 시준렌즈(18)을 경유하여 제 1 빔 스프리터(14)에 공급한다. 여기서, 제 1 광빔(B1)의 진행 경로와 제 2 광빔(B2)의 진행 경로가 직각을 이루도록 제 1 광원(10)은 빔 스프리터(14)와 수평선을 이루는 임의의 위치, 예를 들면 우측편에 그리고 제 2 광원(12)은 제 1 빔 스프리터(14)와 수직선을 이루는 임의의 위치, 예를 들면 위쪽에 각각 배열된다. 그러면, 제 1 빔 스프리터(14)는 제 1 광빔(B1)은 그대로 통과시키는 반면 제 2 광빔(B2)은 직각으로 반사시킴으로써 제 1 광빔(B1)의 진행 경로와 제 2 광빔(B2)의 진행 경로를 일치시킨다. 제 1 빔 스프리터(14)로부터의 제 1 광빔(B1)은 제 2 빔 스프리터(20), 직각반사경(22) 및 대물렌즈(24)를 경유하여 DVD(11)의 정보 기록면(11A)에 의해 스폿(spot)의 형태로 집속된다.그리고, 이 DVD(11)의 정보 기록면(11A)에 의해 반사되어진 광빔은 대물렌즈(24), 직각반사경(22), 제 2 빔 스프리터(20) 및 센서 렌즈(26)을 경유하여 다분할 광검출기(28)의 표면에 도달된다. 비슷하게, 제 1 빔 스프리터(14)로부터의 제 2 광빔(B2)도 제 2 빔 스프리터(20), 직각반사경(22) 및 대물렌즈(24)를 경유하여 CD 또는 CD-R(13)의 정보 기록면(13A)에 스폿(spot)의 형태로 집속된 후 CD 또는 CD-R(13)의 정보 기록면(13A)에 의해 반사되어 대물렌즈(24), 직각반사경(22), 제 2 빔 스프리터(20) 및 센서 렌즈(26)를 경유하여 다분할 광검출기(28)쪽으로 진행하게 된다. 그러면, 다분할 광검출기(28)는 센서 렌즈(26)로부터 입사되는 광빔의 광량을 전기적 신호로 변환한다. 이 전기적 신호에는 CD 또는 CD-R, 혹은 DVD에 기록되어진 정보가 포함되어 있다.
종래 기술에 따른 광픽업 장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 광픽업 장치에 있어서는 두 개의 광원과, 이들 광원으로부터 광빔들의 진행 경로를 일치시키기 위해 광학 소자들을 부수적으로 설치해야 하므로 제조가격이 상승하고, 또한 구성이 복잡해지고 부피가 커지는 단점이 있다.
본 발명은 이와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로 파장이 다른 광빔들을 발생할 수 있는 이파장 광원 모듈 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 이파장 광원 모듈을 이용하여 구성의 간소화와 부피의 최소화가 가능한 광픽업 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 광픽업 장치를 개략적으로 보여주는 도면
도 2는 본 발명에 따른 이파장 광원 모듈을 개략적으로 보여주는 도면
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 이파장 광원 모듈의 제조공정을 보여주는 공정단면도
도 4는 본 발명에 따른 이파장 광원 모듈을 이용한 광픽업 장치를 개략적으로 보여주는 도면
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 스템 32 : 서브마운트
33 : 반사체 34 : 제 1 레이저 다이오드
35 : 제 2 레이저 다이오드 36 : 캡
37 : 에칭 마스크용 박막 39 : 정렬판
40 : 이파장 광원 모듈 41 : 시준렌즈
42 : 빔 분할기 43 : 45도 반사경
44 : 대물렌즈 45 : 다분할 광검지기
46 : 집속 렌즈
본 발명에 따른 이파장 광원 모듈의 주요 특징은 서브마운트에 오픈 영역을 형성하고, 그 오픈 영역에 적어도 2이상의 경사면들을 갖는 반사체를 서브마운트 표면에 돌출되도록 결합한 후, 반사체의 경사면들에 각각 대향되도록 서브마운트 위에 적어도 2이상의 광원을 형성함으로써, 하나의 모듈에서 파장이 다른 광빔을 발생시키는데 있다.
본 발명에 따른 이파장 광원 모듈의 특징은 오픈 영역을 갖는 서브마운트와, 서브마운트의 오픈 영역에 형성되고 적어도 2이상의 경사면들을 갖는 반사체와, 반사체의 경사면들 각각에 대향되도록 서브마운트위에 형성되는 적어도 2이상의 광원으로 구성되는데 있다.
본 발명에 따른 이파장 광원 모듈 제조방법의 특징은 적어도 2이상의 경사면들을 갖는 반사체와 오픈 영역을 갖는 서브마운트를 각각 준비하는 단계와, 서브마운트의 표면위로 반사체의 상단부가 돌출되도록 서브마운트의 오픈영역에 반사체를 결합하는 단계와, 반사체의 경사면들 각각에 대향되도록 서브마운트위에 적어도 2이상의 광원들을 형성하는 단계로 이루어지는데 있다.
본 발명에 따른 이파장 광원 모듈 제조방법의 다른 특징은 적어도 2이상의 경사면들을 갖는 반사체 및 서브마운트를 각각 준비하는 단계와, 서브마운트의 상부 및 하부에 에칭마스크 물질을 형성하고 패터닝하여 서브마운트의 상부 및 하부의 소정영역을 노출시키는 단계와, 노출된 서브마운트의 상부를 소정 깊이로 제거하여 광원용 정렬판을 형성하고 노출된 서브마운트의 하부를 제거하여 오픈 영역을 형성하는 단계와, 서브마운트의 표면위로 반사체의 상단부가 돌출되도록 서브마운트의 오픈영역에 반사체를 결합하는 단계와, 반사체의 경사면들 각각에 대향되도록 서브마운트의 정렬판위에 적어도 2이상의 광원들을 형성하는 단계로 이루어지는데 있다.
본 발명에 따른 이파장 광원 모듈을 이용한 광픽업 장치의 특징은 광디스크의 종류에 따라 파장이 다른 광빔들을 발생하는 이파장 광원 모듈과, 광디스크에 의해 반사된 광빔을 전기적 신호로 변환하는 광검출부와, 이파장 광원 모듈로부터 발생된 광빔들을 광디스크로 전달하고 그 광디스크에 의해 반사되는 광빔을 광검출부로 전달하는 광경로부로 구성되는데 있다.
본 발명에 따른 이파장 광원 모듈을 이용한 광픽업 장치의 다른 특징은 광디스크의 종류에 따라 파장이 다른 광빔들을 발생하는 이파장 광원 모듈과, 이파장 광원 모듈로부터 발생된 광빔을 광디스크의 표면에 집속하는 집속부와, 광디스크에 의해 반사된 광빔을 전기적 신호로 변환하는 광검출부와, 이파장 광원 모듈 및 집속부 사이에 위치하여 이파장 광원 모듈로부터 발생된 광빔을 집속부로 전달하고 광디스크에 의해 반사되어 집속부를 경유한 광빔을 광검출부로 전달하는 광분리부로 구성되는데 있다.
상기와 같은 특징들을 갖는 본 발명에 따른 이파장 광원 모듈 및 그의 제조방법과 그를 이용한 광픽업 장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명의 개념은 서브마운트에 오픈 영역을 형성하여 그 오픈 영역에 경사면들을 갖는 프리즘이나 미러와 같은 반사체를 결합시키고 그 반사체의 경사면들에 대향하도록 파장이 다른 광빔을 발생시키는 레이저 다이오드들을 설치하여 하나의 모듈에 두 개 이상의 광빔들을 발생시킬 수 있는 이파장 광원 모듈을 제작함으로써, 광픽업 장치의 구성을 간소화하고 부피를 최소화하는데 있다.
도 2는 본 발명에 따른 이파장 광원 모듈을 개략적으로 보여주는 도면으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 스템(stem, 31)위에 중앙영역이 오픈(open)된 서브마운트(32)가 형성되고, 이 오픈 영역에 2면이 45도 경사면을 갖는 반사체(33)가 서브마운트(32) 표면 위로 돌출되어 형성된다.
여기서, 반사체(33)는 미러(mirror), 프리즘(prism), 경사면에 반사막이 부착된 구조물 등을 사용한다.
그리고, 반사체(33)의 좌우측 경사면에 각각 대향되도록 서브마운트(32)위에 제 1 레이저 다이오드(34)와 제 2 레이저 다이오드(35)가 각각 배열된다.
제 1 레이저 다이오드(34)는 650nm 파장을 갖는 제 1 광빔(B1)을 발생하고 이 제 1 광빔(B1)은 반사체(33)의 좌측 경사면에 반사되어 서브마운트(32)의 표면과 직각방향으로 진행하게 된다.
한편, 제 2 레이저 다이오드(35)는 780nm 파장을 갖는 제 2 광빔(B2)을 발생하고 이 제 2 광빔(B2)은 반사체(33)의 우측 경사면에 반사되어 제 1 광빔(B1)과 마찬가지로 서브마운트(32)의 표면과 직각방향으로 진행하게 된다.
또한, 서브마운트(32)의 상부에는 서브마운트(32)를 감싸도록 캡(cap, 36)이 형성된다.
이 캡(36)은 서브마운트(32)를 포함한 제 1, 제 2 레이저 다이오드(34, 35) 주변을 진공상태로 유지하여 불순물이 제 1, 제 2 레이저 다이오드(34, 35)로 침투되는 것을 막아준다.
이와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 이파장 광원 모듈의 제조방법은 도 3a 내지 3d와 같다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 먼저 (100)면을 갖는 단결정 실리콘으로 이루어진 서브마운트(32)의 상부면과 하부면에 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, Au 박막 중 어느 하나로 이루어진 에칭 마스크용 박막(37)을 증착한 후, 도 3b에 도시된 바와 같이, 에칭 마스크용 박막(37)을 패터닝하여 상부면에는 레이저 다이오드용 정렬판 마스크(37a)를 형성하고 하부면에는 반사체가 결합되는 위치에 창(window, 38)을 형성한다.
이어, 도 3c에 도시된 바와 같이, 실리콘 이방성 에칭 용액인 KOH 용액으로 노출된 서브마운트(32)의 상부면을 소정 깊이로 에칭하여 레이저 다이오드용 정렬판(39)들을 형성한 다음, 다시 KOH 용액으로 노출된 서브마운트(32)의 하부면을 에칭하여 서브마운트(32)의 하부면과 상부면이 관통되도록 구멍(open area)을 형성한다.
여기서, 레이저 다이오드용 정렬판(39)을 형성하는 이유는 레이저 다이오드를 원하는 위치에 손쉽게 자동 정렬시키기 위해서이고, 서브마운트(32)의 상부면과 하부면의 에칭을 따로 진행하는 이유는 두 면의 에칭 깊이가 각각 다르기 때문이다.
그리고, 도 3d에 도시된 바와 같이, 2면에 45도 경사면을 갖는 반사체(33)를 서브마운트(32)의 구멍에 결합하여 반사체(33)의 상단부가 서브마운트(32)의 표면위로 돌출되도록 한다.
여기서, 반사체(33)는 미러(mirror), 프리즘(prism), 경사면에 반사막이 부착된 구조물 중 어느 하나를 사용하고, 서브마운트(32)와 반사체(33) 결합시 UV결합제와 같은 접착제를 이용한다.
또한, 반사체(33)의 반사율을 높이기 위하여 반사체(33) 표면에 Au나 Al막이 도포하기도 한다.
이어, 제 1, 제 2 레이저 다이오드(34, 35)를 반사체(33)의 좌우측 경사면에 각각 대향되도록 정렬판(39)위에 형성한다.
여기서, 제 1, 제 2 레이저 다이오드(34, 35)와 반사체(33)와의 거리는 가능한 최소로 하고, 제 1, 제 2 레이저 다이오드(34, 35)에서 발생된 광빔들이 반사체(33)에 입사될 때 그 광빔들이 반사체(33)의 상단 부분에 입사되도록 한다.
그 이유는 레이저 다이오드로부터 나온 광빔이 반사체에 의해 반사될 때, 그 반사된 빔이 퍼지지 않고 광로 중심으로 시준 렌즈에 입사되도록 하는 것이 좋기 때문이다.
이것은 일반적으로 CD/DVD 장치에서 시준 렌즈에 입사되는 빔의 위치가 광로 중심으로부터 ±20㎛ 이내의 범위에 들도록 요구하기 때문이다.
그리고, 도시하지는 않았지만 제 1, 제 2 레이저 다이오드(34, 35)가 형성된 서브마운트(32)가 밀봉되도록 서브마운트(32) 상부에 캡을 형성함으로써 이파장 광원 모듈을 제작한다.
이러한 제작과정은 CMOS와 호환성을 갖게 되므로 추후 에칭작업 전에 포토다이오드를 서브마운트(32)위의 적절한 위치에 집적화시킬 수도 있다.
이와 같이 본 발명은 45도 반사체를 갖는 서브마운트를 제작하기 위해 미러(mirror), 프리즘(prism), 경사면에 반사막이 부착된 구조물 등을 이용한 반사체와 실리콘의 이방성 에칭 기술을 결합하여 구현한다.
일반적으로 실리콘의 이방성 에칭은 (100)면과 (111)면에 대해 에칭 속도의 선택성을 이용하므로 이 방법을 이용하여 에칭을 할 경우에는 54.74도의 경사면이 형성되기 때문에 45도 경사면을 갖는 미러를 제작하기가 어렵다.
따라서, 45도 경사면을 이방성 에칭으로 만드는 방법은 9.7도의 오프 엑시스 엥글(off axis angle)로 컷팅(cutting)된 웨이퍼나 미리 9.7도의 경사를 갖도록 그라인딩(grinding)을 하는 방법 등이 사용된 예가 있었지만 경사면의 평활도(roughness)가 좋지 않고 특수한 웨이퍼의 구입에 따른 비용 증가, 그라인딩 공정의 허용 오차를 만족시키는데 대한 어려움 등 가격이나 공정면에서 난점이 많다.
그러므로 본 발명에서는 45도 경사면을 갖는 반사체와 실리콘 이방성 에칭 기술을 결합하여 제조가 용이하고 재현성이 우수한 방법으로 45도 미러를 구현한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 이파장 광원 모듈을 이용한 광픽업 장치를 개략적으로 보여주는 도면으로써, 도 4에 도시된 바와 같이, 광픽업 장치는 두 가지 파장을 방출하는 이파장 광원 모듈(40)과, 이파장 광원 모듈(40)로부터 방출된 레이저 빔을 평행광으로 만드는 시준 렌즈(41)와, 빔 분할기(42)와, 45도 반사경(43)과, 대물 렌즈(44)와, 다분할 광검지기(45)에 빔을 집속시키는 집속 렌즈(46)와, 대물 렌즈 서보(servo)신호 및 광디스크에 기록된 정보 신호를 발생시키는 다분할 광검지기(45)로 구성된다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 광픽업 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, DVD를 읽을 경우에는 도 4에 도시된 바와 같이, 780nm인 광빔을 발산하는 제 2 레이저 다이오드(35)는 오프(off)되고 650nm인 광빔을 발산하는 제 1 레이저 다이오드(34)만이 동작하여 제 1 레이저 다이오드(34)에서 발산된 제 1 광빔(B1)이 반사체(33)에 반사되어 시준 렌즈(41)로 입사된다.
시준 렌즈(41)에 입사된 제 1 광빔(B1)은 평행광으로 되고, 빔 분할기(42)를 통과한 후, 45도 반사경(43)에 의해 대물렌즈(44)로 입사된 다음, DVD에 집속된다.
여기서, 45도 반사경(43)의 표면에는 650nm의 빔과 780nm의 빔 모두를 전반사 시키는 영역(43a)과 650nm의 빔만을 선택적으로 전반사 시키는 환원 모양의 영역(43b)이 각각 다른 물질로 형성되어 있다.
이어, DVD에 집속된 제 1 광빔(B1)은 DVD로부터 반사되어 그 광로를 역행하여 빔 분할기(42)를 지날 때, 제 1 광빔(B1)의 일부가 다분할 포토다이오드(45)쪽으로 진행 방향을 바꾸어 집속렌즈(46)에 의해 다분할 포토다이오드(45)상에 집속된다.
그 이후의 다분할 포토다이오드(45)의 동작 원리는 종래와 같다.
한편, CD를 읽을 경우에는 650nm인 광빔을 발산하는 제 1 레이저 다이오드(34)는 오프(off)되고 780nm인 광빔을 발산하는 제 2 레이저 다이오드(35)만이 동작하여 제 2 레이저 다이오드(35)에서 발산된 제 2 광빔(B2)이 반사체(33)에 반사되어 시준 렌즈(41)로 입사된다.
시준 렌즈(41)에 입사된 제 2 광빔(B2)은 평행광으로 되고, 빔 분할기(42)를 통과한 후, 45도 반사경(43)에 의해 대물렌즈(44)로 입사된다.
여기서, 45도 반사경(43)의 환원 모양의 영역(43b)에서는 제 2 광빔(B2)이 흡수되어 결국 어퍼춰(aperture)를 통과하는 효과가 나타나므로 빔 스팟(beam spot)이 줄어들게 된다.
이어, 제 2 광빔(B2)은 대물렌즈(44)에 의해 CD에 집속된 후, CD에 집속된 제 2 광빔(B2)은 CD로부터 반사되어 그 광로를 역행하게 되고, 빔 분할기(42)를 지날 때, 제 2 광빔(B2)의 일부가 다분할 포토다이오드(45)쪽으로 진행 방향을 바꾸어 집속렌즈(46)에 의해 다분할 포토다이오드(45)상에 집속된다.
그 이후의 다분할 포토다이오드(45)의 동작 원리는 종래와 같다.
본 발명에 따른 이파장 광원 모듈 및 그 제조방법과 그를 이용한 광픽업 장치에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에서는 미러, 프리즘, 경사면에 반사막이 부착된 구조물 등을 이용한 반사체와 실리콘의 이방성 에칭 기술을 이용한 서브마운트를 결합하여 이파장 광원 모듈을 구현함으로써, 제조공정이 간단하여 제조가 용이하고 재현성이 우수하다.
또한, 하나의 모듈에서 두 가지 파장의 레이저 빔을 방출할 수 있으므로 이 모듈을 이용한 광픽업 장치의 구성이 간단해지며 부피 등을 최소화시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
Claims (13)
- 오픈 영역이 반도체 물질로 형성되는 서브마운트;상기 서브마운트의 오픈 영역에 형성되고, 적어도 2이상의 경사면들을 갖는 반사체;상기 반사체의 경사면들 각각에 대향되도록 상기 서브마운트위에 형성되고 각각 파장이 다른 적어도 2이상의 광원을 구비하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 물질은 (100)면을 갖는 단결정 실리콘임을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사체의 경사면들은 각각 45도 각도로 기울어진 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈.
- 제 1 항에 있어서, 상기 경사면들을 갖는 반사체는 미러, 프리즘, 경사면에 반사막이 부착된 구조물 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈.
- 제 1 항에 있어서, 상기 각각의 광원들이 원하는 위치에 정렬되도록 상기 서브마운트와 각각의 광원 사이에 형성되는 정렬판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈.
- 적어도 2이상의 경사면들을 갖는 반사체와 오픈 영역을 갖는 서브마운트를 각각 준비하는 단계;상기 서브마운트의 표면 위로 상기 반사체의 상단부가 돌출되도록 상기 서브마운트의 오픈영역에 상기 반사체를 결합하는 단계;상기 반사체의 경사면들 각각에 대향되도록 상기 서브마운트위에 적어도 2이상의 광원들을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 오픈 영역을 갖는 서브마운트를 준비하는 단계는상기 서브마운트의 상부 및 하부에 에칭마스크 물질을 형성하고 패터닝하여 상기 서브마운트의 상부 및 하부의 소정영역을 노출시키는 단계;상기 노출된 서브마운트의 상부를 소정 깊이로 제거하여 광원용 정렬판을 형성하고, 상기 노출된 서브마운트의 하부를 제거하여 오픈 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 에칭마스크 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, Au 박막 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 노출된 서브마운트 제거시 KOH 에칭용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 서브마운트의 오픈영역에 반사체 결합시 UV접착제를 사용하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈 제조방법.
- 광디스크의 종류에 따라 파장이 다른 광빔들을 발생하는 이파장 광원 모듈;상기 이파장 광원 모듈로부터 발생된 광빔을 상기 광디스크의 표면에 집속하는 집속부;상기 광디스크에 의해 반사된 광빔을 전기적 신호로 변환하는 광검출부;상기 이파장 광원 모듈 및 집속부 사이에 위치하여 상기 이파장 광원 모듈로부터 발생된 광빔을 상기 집속부로 전달하고 상기 광디스크에 의해 반사되어 상기 집속부를 경유한 광빔을 상기 광검출부로 전달하는 광분리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈을 이용한 광픽업 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 집속부와 광분리부 사이에 위치하여 입사되는 광빔을 반사하는 반사경을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈을 이용한 광픽업 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 반사경은 이파장 광원 모듈에서 발생하는 광빔들을 전반사하거나 또는 이파장 광원 모듈에서 발생하는 광빔들 중 특정 파장의 광빔만을 전반사하 는 것을 특징으로 하는 이파장 광원 모듈을 이용한 광픽업 장치.
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