KR100284325B1 - Waste gas treatment system for atmospheric pressure equipment - Google Patents
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Abstract
상압(atmospheric pressure)에서 공정이 진행되는 상압 공정 설비에서 생성된 폐가스를 처리하는 상압 설비용 폐가스처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 상압 설비용 폐가스처리장치는 공정 설비 내부의 압력 조정이 가능하며 빠른 유속, 대용량으로 폐가스를 처리할 수 있으며, 상압 설비용 폐가스처리장치중 일부분이 설비 고장을 일으켜도 상압 공정 설비의 공정이 중단되지 않토록 한다.The present invention relates to a waste gas treatment apparatus for an atmospheric pressure equipment that processes waste gas generated in an atmospheric pressure process equipment at which the process is performed at atmospheric pressure. According to the present invention, a waste gas treatment apparatus for an atmospheric pressure equipment is capable of adjusting pressure in a process equipment. The waste gas can be treated with high flow rate and large capacity, and the process of the atmospheric process equipment is not interrupted even if a part of the waste gas treatment device for the atmospheric pressure equipment fails.
Description
본 발명은 폐가스처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상압(atmospheric pressure)에서 공정이 진행되는 상압 공정 설비에서 생성된 폐가스를 처리하는 상압 설비용 폐가스처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a waste gas treatment apparatus, and more particularly, to a waste gas treatment apparatus for an atmospheric pressure facility for treating waste gas generated in an atmospheric pressure process facility in which a process is performed at atmospheric pressure.
일반적으로, 반도체 산업은 관련 산업인 전기 산업, 전자 산업, 정보 통신 산업, 컴퓨터 산업 등에 많은 영향을 미치고 있는 바, 이와 같이 타 산업에 많은 영향을 끼치는 반도체 소자를 제조하기 위해서는 순수 실리콘 기판에 매우 정밀하면서도 반복적으로 수행되는 반도체 박막 제조 공정을 필요로 한다.In general, the semiconductor industry has a great influence on related industries such as the electric industry, the electronics industry, the information and communication industry, and the computer industry. In order to manufacture a semiconductor device having a great influence on other industries, the semiconductor industry has a very high precision on a pure silicon substrate. However, there is a need for a semiconductor thin film manufacturing process that is repeatedly performed.
이와 같은 반도체 박막을 제조하기 위한 설비로는 다양한 설비가 개발된 바 있으나, 순수 실리콘 기판상에 원하는 화학가스를 반응시켜 원하는 박막 물질을 형성한 후, 순수 실리콘 기판상에 눈송이 쌓이듯이 적층시키는 화학적기상증착(Chemical Vapor deposition;CVD)의 방법이 보편적으로 사용되고 있다.Various facilities have been developed as a facility for manufacturing such a semiconductor thin film, but the desired chemical gas is reacted on a pure silicon substrate to form a desired thin film material, and then a chemical vapor layer is deposited on the pure silicon substrate as if it were stacked with snowflakes. Chemical vapor deposition (CVD) is commonly used.
이와 같은 화학적 기상 증착 방법은 다시 상압 화학적기상증착 방법과 저압 화학적기상증착 방법 및 플라즈마 화학적기상증착 방법등으로 나뉠수 있는 바, 상압 화학적기상증착은 화학 가스의 반응이 상압(atmospheric pressure)에서 이루어짐과 동시에 빠른 가스의 흐름이 요구된다.Such chemical vapor deposition methods can be divided into atmospheric pressure chemical vapor deposition method, low pressure chemical vapor deposition method, and plasma chemical vapor deposition method. Atmospheric pressure chemical vapor deposition involves the reaction of chemical gases at atmospheric pressure. At the same time fast gas flow is required.
한편, 저압 화학적기상증착 방법은 화학 가스의 반응이 상압 화학적기상증착 방법에서의 압력보다 낮은 저압 상태(0.1∼10torr;Low pressure)에서 이루어지며 상압 화학적기상증착 방법에 비하여 균일한 막질을 얻을 수 있다. 이때, 공정중 발생한 반응 가스와 미반응 가스는 진공펌프에 의하여 낮은 유량과 낮은 압력 및 유속으로 강제 배기된다.On the other hand, in the low pressure chemical vapor deposition method, the reaction of chemical gases is performed at a low pressure (0.1-10torr; low pressure) lower than the pressure in the atmospheric pressure chemical vapor deposition method, and a uniform film quality can be obtained as compared with the atmospheric pressure chemical vapor deposition method. . At this time, the reaction gas and the unreacted gas generated during the process are forced out by the vacuum pump at low flow rate, low pressure and flow rate.
또한, 저압 화학적기상증착 방법중 하나로 저압 상태(0.1∼5 torr)에서 높은 에너지를 갖는 전자가 중성 상태의 가스 분자와 충돌하여 가스 분자들이 이온화된 원자로 분해되고 분해된 가스의 반응에 의하여 실리콘 웨이퍼상에 원하는 물질이 증착되도록 한 PE CVD(Plasma Enhanced CVD) 방법이 있다.In addition, as one of the low pressure chemical vapor deposition methods, electrons having high energy in a low pressure state (0.1 to 5 torr) collide with gas molecules in a neutral state, and gas molecules are decomposed into ionized atoms, and the reaction of the decomposed gas on the silicon wafer is performed. There is a PE Enhanced Plasma Enhanced CVD (PE CVD) method.
이와 같은 공정 설비들은 인체 및 생태계에 매우 유해한 화학 가스를 사용하여 공정이 진행됨으로 공정 진행중 발생한 반응 가스 및 미반응 가스는 대기중에 무단 방출될 수 없고, 폐가스처리장치를 통하여 무해가스로 처리된 후 배기된다.Such process facilities use chemical gases that are very harmful to human body and ecosystem, so that the reaction gases and unreacted gases generated during the process cannot be released into the air without being released into the air. do.
종래 폐가스처리장치는 공정 설비로부터 소정 압력으로 배기된 폐가스, 불활성가스 및 산화용 공기를 매니폴더(manifolder)라 불리우는 폐가스-공기-불활성가스 혼합장치에 의하여 혼합되어 혼합기가 형성되고, 혼합기는 폐가스가 산화되기 적합한 고온 환경이 형성된 가열 챔버 내부로 공급된 후 폐가스와 공기는 화학반응된다. 이때, 불활성가스는 폐가스와 공기의 급격한 산화반응을 억제하는 역할을 한다.Conventional waste gas treatment device is a waste gas, inert gas and the air for oxidation exhausted from the process equipment by a waste gas-air-inert gas mixing device called a manifold (manifolder) is mixed to form a mixer, the mixer is a waste gas Waste gas and air are chemically reacted after being fed into a heating chamber in which a high temperature environment suitable for oxidation is formed. At this time, the inert gas serves to suppress the rapid oxidation reaction of the waste gas and air.
이처럼 가열 챔버에서 폐가스가 산화되면서 2차 생성물인 폴리머와 정제 가스로 분리된 후, 폴리머와 정제가스를 분리하기 위하여 정제 가스/폴리머 혼합물은 포집 유닛으로 이송된다. 포집 유닛은 다시 가열 챔버와 연통되어 폴리머가 피착되는 냉각 챔버, 냉각 챔버를 밀폐시기는 포집 챔버 및 냉각 챔버/포집 챔버에 피착된 폴리머를 긁어 제거하는 스크래이퍼 유닛으로 구성된다.As the waste gas is oxidized in the heating chamber as described above, the secondary product is separated into the polymer and the purification gas, and then the purification gas / polymer mixture is transferred to the collection unit to separate the polymer and the purification gas. The collection unit is in turn composed of a cooling chamber in communication with the heating chamber to deposit the polymer, a collection chamber to seal the cooling chamber, and a scraper unit to scrape off and remove the polymer deposited on the cooling chamber / collection chamber.
스크래이퍼 유닛에 의하여 긁혀 제거된 덩이리 형태의 폴리머는 폴리머 수거통으로 수거되고, 정제 가스에 미량이 혼합된 폐가스는 포집 챔버의 소정 부분에 연통된 가스배관을 따라 집진 유닛으로 이송된다.The polymer in the form of a lump scraped off by the scraper unit is collected by a polymer container, and the waste gas mixed with a trace amount in the purified gas is transferred to the dust collecting unit along a gas pipe connected to a predetermined portion of the collection chamber.
이때, 집진 유닛은 다단계로 폴리머를 분리하는 다단계 싸이클론 분리 유닛이 설치되고, 다단계 싸이클론 분리 유닛의 단부에는 최종적으로 폴리머를 필터링하는 필터 부재가 설치되어 필터 부재를 통과한 무해 가스만이 후처리 공정으로 이송된다.At this time, the dust collection unit is provided with a multi-stage cyclone separation unit for separating the polymer in multiple stages, and at the end of the multi-stage cyclone separation unit, a filter member for finally filtering the polymer is installed so that only the harmless gas passing through the filter member is post-treated. Transferred to the process.
그러나, 이와 같이 포집챔버 종래 폐가스처리장치는 적은 유량 작은 유속으로 소량의 폐가스를 배출하는 저압 화학기상증착설비에 특히 적합하지만 저압 화학적기상증착설비보다 다량의 폐가스를 배출하는 예를 들어, 풍부한 유량 및 고속으로 다량의 폐가스가 배출되는 상압 화학기상증착 설비 등에는 적용하기 어려운 문제점이 있다.However, such a collection chamber conventional waste gas treatment device is particularly suitable for low pressure chemical vapor deposition equipment that discharges a small amount of waste gas at a low flow rate and small flow rate, but for example, a large flow rate and There is a problem that it is difficult to apply to atmospheric pressure chemical vapor deposition equipment, such as a large amount of waste gas discharged at high speed.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 상압 공정 설비에서 발행한 다량의 폐가스의 처리에 적합한 상압 설비용 폐가스처리장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a waste gas treatment apparatus for atmospheric pressure equipment suitable for treatment of a large amount of waste gas issued by the atmospheric pressure process equipment.
본 발명의 다른 목적은 본 발명의 상세한 설명에서 보다 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become more apparent from the detailed description of the invention.
도 1은 본 발명에 의한 상압 공정설비용 폐가스처리장치를 도시한 개념도.1 is a conceptual diagram showing a waste gas treatment apparatus for atmospheric pressure process equipment according to the present invention.
도 2는 본 발명에 의한 매니폴더와 가열챔버 부분을 확대 도시한 단면도.Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of the manifold and the heating chamber according to the present invention.
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 상압 설비용 폐가스처리장치는 상압 공정 설비의 배기관으로부터 폐가스를 공급받아 불활성가스, 공기를 혼합시켜 혼합기를 생성시키는 혼합기 생성부와, 혼합기 생성부에 연통되며 혼합기를 소정 온도로 가열하여 정제 가스와 2차 생성물을 생성시키는 폐가스 산화부와, 폐가스 산화부의 출구에 연통된 정제가스/2차 생성물 이송배관과, 정제가스/2차 생성물 이송배관에 연통되어 2차 생성물만을 상기 정제가스로부터 분리시키는 2차 생성물 분리수단과, 상압 공정 설비로부터 혼합기 생성부로 폐가스가 유입되도록 함과 동시에 상압 공정 설비의 내부 압력이 일정하게 유지되도록 2차 생성물 분리수단에 연통된 블로워를 포함한다.Waste gas treatment apparatus for atmospheric pressure equipment for achieving the object of the present invention is supplied to the waste gas from the exhaust pipe of the atmospheric pressure process equipment, the mixer generating unit for mixing the inert gas, air to produce a mixer, the mixer generating unit is in communication with the Waste gas oxidizing unit for heating purified gas to a predetermined temperature to produce a refined gas and a secondary product, a refined gas secondary product conveying pipe connected to an outlet of the waste gas oxidizing unit, and a refined gas secondary product conveying pipe connected Secondary product separation means for separating only the product from the purified gas and a blower connected to the secondary product separation means so that the waste gas flows from the atmospheric pressure processing equipment into the mixer generating unit and the internal pressure of the atmospheric pressure processing equipment is kept constant. Include.
이하, 본 발명 상압 설비용 폐가스처리장치를 첨부된 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the waste gas treatment apparatus for atmospheric pressure installation of the present invention will be described with reference to FIG. 1.
첨부된 도 1을 참조하면, 상압 설비용 폐가스처리장치(600)는 매니폴더(100), 가열챔버(200), 정제가스/폴리머 이송관(300) 및 집진 설비(400), 복수개의 블로워(500)로 구성된다.Referring to FIG. 1, the waste gas treatment apparatus 600 for atmospheric pressure equipment includes a manifold 100, a heating chamber 200, a purified gas / polymer transfer pipe 300, a dust collecting equipment 400, and a plurality of blowers ( 500).
보다 구체적으로, 첨부된 도 2를 참조하면 매니폴더(100)는, 하우징(110), 혼합기 형성홀(120), 공기 공급공(미도시), 불활성가스 공급공(130)으로 구성된다.More specifically, referring to the accompanying FIG. 2, the manifold 100 includes a housing 110, a mixer forming hole 120, an air supply hole (not shown), and an inert gas supply hole 130.
보다 구체적으로, 원통형 하우징(110)에는 양단을 관통하여 혼합기 형성홀(120)이 형성되고, 하우징(110)의 외주면에는 혼합기 형성홀(120)과 연통되도록 공기 공급공과 불활성가스 공급공(130)이 형성된다.More specifically, the cylindrical housing 110 penetrates both ends to form a mixer forming hole 120, the outer peripheral surface of the housing 110 to communicate with the mixer forming hole 120, the air supply hole and the inert gas supply hole 130 Is formed.
이에 더하여, 하우징(110)의 외주면 하단에는 후술될 가열챔버(200)에 결합되는 플랜지(140)가 결합되기 위한 수나사부가 형성된다.In addition, a male screw portion is formed at the bottom of the outer circumferential surface of the housing 110 to couple the flange 140 coupled to the heating chamber 200 to be described later.
이와 같이 구성된 매니폴더(100)의 혼합기 형성홀(120)의 내경 상단을 통하여 원통 형상의 연결배관(10)이 설치되며, 혼합기 형성홀(120)의 내경 하단을 통하여 후술될 제 1 인너 튜브(210)가 설치된다.A cylindrical connecting pipe 10 is installed through the inner diameter upper end of the mixer forming hole 120 of the manifold 100 configured as described above, and the first inner tube to be described later through the lower inner diameter of the mixer forming hole 120 ( 210 is installed.
이때, 연결배관(10)에는 상압 공정 설비(미도시)의 배기관(20)이 결합되고, 연결 배관(10)에는 앞서 언급한 불활성가스 공급공(130)과 연통되도록 관통공이 형성되며 제 1 인너 튜브(210)에는 공기 공급공과 연통된 관통공이 형성된다.At this time, the connection pipe 10 is coupled to the exhaust pipe 20 of the atmospheric pressure processing equipment (not shown), the connection pipe 10 is formed with a through hole to communicate with the aforementioned inert gas supply hole 130 and the first inner The tube 210 has a through hole communicating with the air supply hole.
이와 같이 연결배관(10)과 하우징(110)을 관통하도록 형성된 공기 공급공에는 혼합기 형성홀(120) 내부로 공기를 소정 압력으로 분사하는 공기 분사 노즐(150)이 설치되고, 제 1 인너 튜브(210)와 하우징(110)을 관통하도록 형성된 불활성가스 공급공(130)에는 혼합기 형성홀(120) 내부로 불활성가스를 소정 압력으로 분사하는 불활성가스 분사 노즐(135)이 설치된다.In this way, the air supply hole formed to penetrate the connection pipe 10 and the housing 110 is provided with an air injection nozzle 150 for injecting air at a predetermined pressure into the mixer formation hole 120, and the first inner tube ( The inert gas supply hole 130 formed to penetrate the 210 and the housing 110 is provided with an inert gas injection nozzle 135 for injecting inert gas at a predetermined pressure into the mixer formation hole 120.
이때, 매니폴더(100)의 하우징(110)을 관통하여 형성된 공기 공급공에는 공기 공급부(미도시)가 연통되며, 하우징(110)의 외주면을 관통하여 형성된 불활성가스 분사 노즐(135)에는 불활성가스 공급부(미도시)가 연통된다.In this case, an air supply unit (not shown) communicates with an air supply hole formed through the housing 110 of the manifold 100, and an inert gas is provided in the inert gas injection nozzle 135 formed through the outer circumferential surface of the housing 110. The supply part (not shown) is in communication.
한편, 매니폴더(100)의 하단부에는 가열 챔버(200)가 연통되는 바, 가열 챔버(200)는 전체적으로 보아 제 1, 제 2 인너 튜브(210,220), 제 1, 제 2 인너 튜브(210,220)가 가열되도록 제 1, 제 2 인너튜브(210,220)을 감싸도록 삽입된 원통형 히터(230), 히터(230)가 삽입되는 아웃터 튜브(240) 및 아웃터 튜브(240)를 냉각시키는 냉각 튜브(250)로 구성된다.On the other hand, the heating chamber 200 is in communication with the lower end of the manifold 100, the heating chamber 200 is the first, the second inner tube (210, 220), the first, the second inner tube (210, 220) as a whole Cylindrical heater 230 inserted to surround the first and second inner tubes 210 and 220 to be heated, an outer tube 240 into which the heater 230 is inserted, and a cooling tube 250 for cooling the outer tube 240. It is composed.
보다 구체적으로, 매니폴더(100)의 혼합기 형성홀(120)의 내경 하단에는 앞서 언급한 바와 같이 제 1 인너 튜브(210)가 설치되고, 제 1 인너 튜브(210)의 단부는 제 2 인너 튜브(220)의 일측 단부와 맞대기 이음된다.More specifically, the first inner tube 210 is installed at the lower end of the inner diameter of the mixer forming hole 120 of the manifold 100, and the end of the first inner tube 210 is the second inner tube. Butt joint with one end of the (220).
제 1 인너 튜브(210)와 맞대기 이음된 제 2 인너 튜브(220)의 타측 단부에는 제 2 인너 튜브(220)의 외경면에 억지끼워맞춤되는 직경을 갖는 정제가스/폴리머 이송관(300)의 일측 단부가 결합된다.At the other end of the second inner tube 220 butt-coupled with the first inner tube 210, the purified gas / polymer transfer pipe 300 having a diameter that is forcibly fitted to the outer diameter surface of the second inner tube 220. One end is coupled.
이때, 정제가스/폴리머 이송관(300)의 외주면에는 플랜지(310)가 형성되고, 플랜지(310)는 아웃터 튜브(240)의 플랜지(245)에 기밀하게 결합된다.In this case, a flange 310 is formed on the outer circumferential surface of the purified gas / polymer transfer pipe 300, and the flange 310 is hermetically coupled to the flange 245 of the outer tube 240.
이때, 정제가스/폴리머 이송관(300)은 제 2 인너 튜브(220)에 비하여 직경의 좁아지지 않토록 주의하여야 하는데, 이는 정제가스/폴리머 이송관(300)을 통과하는 폴리머/정제 가스의 유속 변화가 발생하지 않토록 하기 위함이다.At this time, care should be taken not to narrow the diameter of the purified gas / polymer delivery pipe 300 compared to the second inner tube 220, which is the flow rate of the polymer / purified gas passing through the purified gas / polymer delivery pipe 300 This is to ensure that no change occurs.
이때, 정제가스/폴리머 이송관(300)의 타측 단부는 제 1 싸이클론 집진기(410)와 연통되며, 제 1 싸이클론 집진기(410)는 다시 제 2 싸이클론 집진기(420)에 연통된다.At this time, the other end of the purified gas / polymer transfer pipe 300 is in communication with the first cyclone dust collector 410, the first cyclone dust collector 410 is in communication with the second cyclone dust collector 420 again.
보다 구체적으로, 제 1 싸이클론 집진기(410)는 상단부가 막히고 하단부는 개구된 원통 형상으로, 제 1 싸이클론 집진기(410)의 외주면에는 정제가스/폴리머 이송 배관(300)이 외주면 접선방향으로 연통되고, 제 1 싸이클론 집진기(410)의 상단부를 통해서 배기 배관(415)의 개구된 일측 단부가 내측으로 깊숙히 삽입된다. 이때, 제 1 싸이클론 집진기(410)의 개구된 하단부에는 폴리머 수거통(417)이 결합된다.More specifically, the first cyclone dust collector 410 has a cylindrical shape with an upper end blocked and an open lower end thereof, and the purified gas / polymer transport pipe 300 communicates with the outer circumferential surface tangentially to the outer circumferential surface of the first cyclone dust collector 410. Then, one open end of the exhaust pipe 415 is inserted deeply through the upper end of the first cyclone dust collector 410. In this case, the polymer container 417 is coupled to the opened lower end of the first cyclone dust collector 410.
배기 배관(415)의 타측 단부는 다시 제 2 싸이클론 집진기(420)의 외주면 접선 방향으로 연통되고, 제 2 싸이클론 집진기(420)의 상단부에는 역시 배기 배관(425)이 연통되는데, 배기 배관(425)은 제 1 싸이클론 집진기(410)의 연결 배관(415)과 마찬가지로 제 2 싸이클론 집진기(420)의 내측으로 깊숙히 삽입된다.The other end of the exhaust pipe 415 communicates again in the tangential direction of the outer circumferential surface of the second cyclone dust collector 420, and the exhaust pipe 425 also communicates with the upper end of the second cyclone dust collector 420. 425 is deeply inserted into the second cyclone dust collector 420 similarly to the connection pipe 415 of the first cyclone dust collector 410.
이와 같이 설치된 제 2 싸이클론 집진기(420)의 단부에 설치된 배기 배관(425), 앞서 설명한 상압 공정 설비 배기관(20)과 연결 배관(20)의 사이에는 각각 제 1 블로워(510), 제 2 블로워(520)가 설치된다.The first blower 510 and the second blower are respectively disposed between the exhaust pipe 425 installed at the end of the second cyclone dust collector 420 installed in this way, and the atmospheric pressure process equipment exhaust pipe 20 and the connection pipe 20 described above. 520 is installed.
제 1 블로워(510), 제 2 블로워(520)중 제 2 블로워(520)는 상압 공정 설비로부터 폐가스가 매니폴더(100)로 강제 유입되도록 함과 동시에 가열챔버(200)에서 생성된 폴리머가 정제가스/폴리머 이송 배관(300)에 적층되어 정제가스/폴리머 이송 배관(300)이 막히지 않토록 하며, 상압 공정 설비 내부의 압력이 일정하게 유지되도록 하여 공정 불량이 발생하지 않토록 하는 중요한 역할을 한다.The second blower 520 of the first blower 510 and the second blower 520 allows the waste gas to be forced into the manifold 100 from the atmospheric pressure processing equipment and at the same time, the polymer generated in the heating chamber 200 is purified. The gas / polymer transport pipe 300 is stacked to prevent the purification gas / polymer transport pipe 300 from being clogged and to maintain a constant pressure in the atmospheric process equipment so that process defects do not occur. .
제 1 블로워(510)는 제 2 블로워(520)를 보강해주는 역할을 한다. 즉, 제 1 블로워(510)는 정제가스/폴리머 이송 배관(300)의 길이가 길어 정제가스/폴리머 이송 배관(300)에서의 수두 손실이 크게 발생하는 경우 유속 저하에 따라서 폐가스처리장치 내부에 폴리머가 쌓이는 것을 방지하는 역할을 한다. 만일, 정제가스/폴리머 이송배관(300)의 길이가 충분히 짧아 정제가스/폴리머 이송 배관(300)에서의 수도 손실이 무시될 정도로 작게 발생할 경우 제 1 블로워(510)는 가동을 중지하고 제 2 블로워(520)를 사용하여도 무방하다.The first blower 510 serves to reinforce the second blower 520. That is, the first blower 510 has a long length of the refinery gas / polymer conveying pipe 300 so that a large head loss occurs in the refinery gas / polymer conveying pipe 300. Prevents the build up of If the length of the refinery gas / polymer conveying pipe 300 is short enough so that the water loss in the refinery gas / polymer conveying pipe 300 is negligible, the first blower 510 stops operation and the second blower is stopped. 520 may be used.
한편, 제 1 블로워(510) 또는 제 2 블로워(520), 제 1 블로워(510)와 제 2 블로워(520)가 모두 설비 고장을 일으켰을 경우, 상압 설비용 폐가스처리장치(600)가 전체적으로 다운되는 경우가 발생하고, 이로 인하여 상압 공정 설비에서 폐가스 배기가 원활하게 이루어지지 않아 상압 공정 설비에서 공정 불량이 유발된다.On the other hand, when both the first blower 510 or the second blower 520, the first blower 510 and the second blower 520 causes equipment failure, the waste gas treatment apparatus 600 for the atmospheric pressure equipment as a whole is down. Occurs in this case, the waste gas is not smoothly exhausted from the atmospheric pressure process equipment, causing a process failure in the atmospheric pressure process equipment.
이를 예방하기 위하여, 정제가스/폴리머 이송 배관(300)중 일부분에는 정제가스/폴리머 이송배관(300)과 동일한 직경을 갖는 분기 배관(350)이 형성되고, 분기 배관(350)의 단부에는 제 3 블로워(530)가 설치되는 것이 바람직하다.In order to prevent this, a branch pipe 350 having the same diameter as the purified gas / polymer transport pipe 300 is formed in a part of the purified gas / polymer transport pipe 300, and a third end of the branch pipe 350 is formed in the third pipe. The blower 530 is preferably installed.
이때, 분기 배관(350)중 일부분에는 솔레노이드 밸브(370)가 설치되어 제 1 블로워(510), 제 2 블로워(520)에 설비 이상이 발생하였을 때, 솔레노이드 밸브(370)이 자동으로 오픈됨과 동시에 이에 연동하여 제 3 블로워(530)가 작동되도록 하는 것이 바람직하다.At this time, the solenoid valve 370 is automatically opened and at the same time when the solenoid valve 370 is installed in a part of the branch pipe 350 so that equipment failure occurs in the first blower 510 and the second blower 520. In conjunction with this, it is preferable to operate the third blower 530.
이와 같이 구성된 본 발명 상압 설비용 폐가스처리장치의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the operation of the waste gas treatment apparatus for atmospheric pressure equipment of the present invention configured as described above is as follows.
먼저, 상압 공정 설비에 의하여 공정이 진행되면서 발생한 다량의 미반응 가스 및 반응 가스로 구성된 폐가스는 제 1, 제 2 블로워(510,520)에 의하여 발생한 부압(-)에 의하여 강제로 매니폴더(100)의 혼합기 형성홀(120)로 유입된다.First, the waste gas composed of a large amount of unreacted gas and reactant gas generated while the process is performed by the atmospheric pressure process equipment is forced by the negative pressure (−) generated by the first and second blowers 510 and 520. It is introduced into the mixer formation hole (120).
이어서, 불활성가스 공급부-불활성가스 공급홀(130)-불활성가스 분사 노즐(135)을 경유하여 불활성가스는 매니폴더(100)의 혼합기 형성홀(120)로 분사되어 폐가스와 불활성가스는 1차적으로 혼합된다.Subsequently, the inert gas is injected into the mixer formation hole 120 of the manifold 100 through the inert gas supply unit-inert gas supply hole 130-inert gas injection nozzle 135 so that the waste gas and the inert gas are primarily Are mixed.
이후, 폐가스-불활성가스 혼합기는 다시 공기 공급부-공기 공급홀-공기 분사 노즐(150)을 경유하여 분사된 공기와 2차적으로 혼합되어 폐가스, 불활성가스, 공기로 구성된 혼합기는 가열 챔버(200)의 제 1, 제 2 인너 튜브(210,220) 내부로 분사된다.Subsequently, the waste gas-inert gas mixer is secondarily mixed with the air injected through the air supply unit-air supply hole-air injection nozzle 150, and the mixer consisting of waste gas, inert gas, and air is used for the heating chamber 200. It is injected into the first and second inner tubes (210, 220).
혼합기가 가열 챔버(200)의 히터(230)에서 발생한 고온의 열에 의하여 소정 온도로 가열된 제 1 인너 튜브(210)의 입구로 분사되어 제 2 인너 튜브(220)의 출구로 이송됨에 따라, 차갑던 혼합기는 가열 챔버(200)의 히터(230)에서 발생한 고온의 열에 의하여 점차적으로 가열된다.As the mixer is injected into the inlet of the first inner tube 210 heated to a predetermined temperature by the high temperature heat generated by the heater 230 of the heating chamber 200 and transferred to the outlet of the second inner tube 220, the cold The mixer is gradually heated by the high temperature heat generated by the heater 230 of the heating chamber 200.
이후, 제 2 인너 튜브(220)의 소정 위치에서는 폐가스와 공기는 화학 반응을 일으키고 폐가스는 정제된 가스와 2차 생성물인 폴리머가 된다.Then, at a predetermined position of the second inner tube 220, the waste gas and air cause a chemical reaction, and the waste gas becomes a purified gas and a polymer that is a secondary product.
이후, 폐가스의 산화에 의하여 형성된 정제된 가스와 폴리머는 제 2 인너 튜브(220)의 출구와 연통된 정제가스/폴리머 이송관(300)을 따라서 제 1, 제 2 싸이클론 집진기(410,420)로 유입된 후, 정제가스 및 폴리머중 폴리머만이 제 1, 제 2 싸이클론 집진기(410,420)에 의하여 집진되고 정제가스는 제 1 블로워(510)를 통하여 후처리 공정으로 배기된다.Thereafter, the purified gas and the polymer formed by the oxidation of the waste gas flow into the first and second cyclone dust collectors 410 and 420 along the purified gas / polymer transfer pipe 300 communicating with the outlet of the second inner tube 220. After that, only the polymer in the purified gas and the polymer is collected by the first and second cyclone dust collectors 410 and 420, and the purified gas is exhausted through the first blower 510 to the aftertreatment process.
한편, 상압 공정 설비로부터 폐가스를 폐가스처리장치로 흡입하는 제 1, 제 2 블로워(510,520)중 어느 하나 또는 모두가 고장을 일으켰을 경우, 상압 공정 설비로부터 폐가스가 원활하게 배기되지 않아 공정 이상을 유발시킬 수 있음으로 정제가스/폴리머 이송관(300)에 연통된 분기배관(350)에 설치된 제 3 블로워(530)를 통하여 임시적으로 정제가스/폴리머 혼합물이 배기됨으로써 제 1, 제 2 블로워(510,520)를 수리할 시간을 확보하여 폐가스처리장치의 이상으로 인하여 상압 공정 설비의 공정 이상 및 상압 공정 설비의 공정 중단을 방지한다.On the other hand, if any one or both of the first and second blowers (510, 520) that inhale waste gas from the atmospheric pressure process equipment into the waste gas treatment device has failed, the waste gas may not be smoothly exhausted from the atmospheric pressure process equipment, causing process abnormalities. The first and second blowers 510 and 520 may be temporarily exhausted by temporarily exhausting the purified gas / polymer mixture through the third blower 530 installed in the branch pipe 350 connected to the purified gas / polymer transport pipe 300. By securing time for repair, the abnormality of the waste gas treatment device prevents the abnormal process of the atmospheric pressure process equipment and the process interruption of the atmospheric pressure process equipment.
이상에서 상세하게 설명한 바와 같이, 상압 설비용 폐가스처리장치는 빠른 유속, 대용량을 갖는 폐가스를 처리할 수 있으며, 상압 설비용 폐가스처리장치중 일부분이 설비 고장을 일으켜도 상압 공정 설비의 공정이 중단되지 않토록 함과 동시에 상압 설비 내부의 압력이 항상 일정하게 되도록 하여 상압 설비에서 공정 불량이 발생되는 것을 방지하는 효과가 있다.As described in detail above, the waste gas treatment apparatus for atmospheric pressure equipment can treat waste gas having a high flow rate and large capacity, and the process of the atmospheric pressure treatment equipment is not interrupted even if a part of the waste gas treatment equipment for the atmospheric pressure equipment fails. At the same time, there is an effect of preventing a process defect from occurring in the atmospheric pressure facility by making the pressure inside the atmospheric pressure facility constant at all times.
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