KR100272278B1

KR100272278B1 - Dry etching equipment

Info

Publication number: KR100272278B1
Application number: KR1019980020000A
Authority: KR
Inventors: 송종희; 이세형
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1998-05-30
Filing date: 1998-05-30
Publication date: 2001-02-01
Anticipated expiration: 2018-05-30
Also published as: KR19990086840A

Abstract

본 발명의 식각 장치는 반도체 제조 공정에서 사용된다. 식각 장치는 공정 챔버의 내부에서 플라즈마를 사용하여 반도체 웨이퍼를 에칭한다. 식각 장치의 내부에는 전극과 포커스 링이 설치된다. 전극은 윗면에 반도체 웨이퍼를 로딩한다. 포커스 링은 전극 위에 배치된다. 포커스 링은 웨이퍼의 외주를 둘러싸기 위한 내면을 갖는다. 포커스 링 내면의 직경은 웨이퍼의 직경보다 2mm에서 3mm 더 크게 형성된다.The etching apparatus of the present invention is used in a semiconductor manufacturing process. The etching apparatus uses a plasma to etch the semiconductor wafer inside the process chamber. An electrode and a focus ring are installed inside the etching apparatus. The electrode loads the semiconductor wafer on top. The focus ring is disposed above the electrode. The focus ring has an inner surface for enclosing the outer circumference of the wafer. The diameter of the inner surface of the focus ring is formed 2 mm to 3 mm larger than the diameter of the wafer.

Description

Dry etching device (PLASMA ETCHING APPARATUS)

본 발명은 건식 식각 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 포커스 링(focus ring)이 설치된 건식 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dry etching apparatus, and more particularly, to a dry etching apparatus provided with a focus ring.

건식 식각 장치는 반도체 웨이퍼 또는 LCD 기판 등과 같은 기판(substrate) 상에 와이어링(wiring)을 위한 전기적인 전도성 필름을 형성하는데 사용된다. 상기 건식 식각 장치는 공정이 진행될 기판을 수용하고, 공정 공간을 확보하기 위한 진공 공정 챔버(공정 챔버)를 가지고 있다. 상기 챔버의 내부에는 한 쌍의 서로 대응된 상 및 하 전극들(upper and lower electrodes)이 설치된다. 또, 반도체 웨이퍼와 같은, 공정이 진행될 기판이 축열기(susceptor)의 기능을 하는 하 전극 위에 위치된다. 공정 가스(식각 가스)가 상기 공정 챔버로 공급되고, 고주파 전력이 상기 상 및 하 전극을 가로질러 공급된다. 그러면, 상기 공정 가스는 플라즈마(plasma)로 형성된다. 상기 플라즈마의 반응 이온들은 상기 웨이퍼의 자기 바이어스 전위(self-bias potential)에 의해서 당겨진다. 그리고, 상기 웨이퍼 상에 전기적인 전도성의 필름이 식각되고 패턴화된다.Dry etching devices are used to form electrically conductive films for wiring on substrates such as semiconductor wafers or LCD substrates. The dry etching apparatus has a vacuum process chamber (process chamber) for accommodating a substrate to be processed and securing a process space. In the chamber, a pair of upper and lower electrodes corresponding to each other is provided. In addition, a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer, is placed on the lower electrode serving as a susceptor. Process gas (etch gas) is supplied to the process chamber, and high frequency power is supplied across the upper and lower electrodes. The process gas is then formed of plasma. Reaction ions in the plasma are attracted by the self-bias potential of the wafer. Then, an electrically conductive film is etched and patterned on the wafer.

포커스 링은 상기 하 전극 상의 웨이퍼 주위에 설치된다. 상기 포커스 링은 내식성, 내플라즈마성, 비트 저항(beat resistance), 그리고 전기적 전도성을 가져야 한다. 이와 같은 관점에서, 완전히 비결정질 탄소로 형성된 링이 일반적으로 포커스 링으로 사용된다. 상기 포커스 링은 웨이퍼가 균일하지 않게 식각되는 것을 감소시킨다. 상기 웨이퍼가 균일하지 않게 식각되는 것은, 균일하지 않은 캐소드(cathode)의 온도 분포와 상기 웨이퍼에 걸쳐서 균일하지 않은 전기적 그리고 자기적 영역 등의 원인들 뿐만아니라, 상기 웨이퍼 표면에 걸쳐서 균일하지 않은 플라즈마가 분포되므로써 기인되는 것으로 알려지고 있다. 이때, 상기 포커스 링은 웨이퍼 위에 반응 이온들이 효과적으로 도달하도록 한다. 상기 포커스 링은 건식 식각 공정의 균일성(uniformity)의 개선을 위하여 필수적으로 사용되고 있다.The focus ring is installed around the wafer on the lower electrode. The focus ring should have corrosion resistance, plasma resistance, beat resistance, and electrical conductivity. From this point of view, a ring formed entirely of amorphous carbon is generally used as the focus ring. The focus ring reduces uneven etching of the wafer. Non-uniform etching of the wafer is caused by non-uniform cathode temperature distribution and non-uniform electrical and magnetic regions across the wafer, as well as by non-uniform plasma across the wafer surface. It is known to be caused by distribution. At this time, the focus ring allows the reaction ions to reach the wafer effectively. The focus ring is used to improve the uniformity of the dry etching process.

한편, 상기 건식 식각 장치에는 헬륨(He) 가스와 같은 인서트 가스가 사용된다. 이 인서트 가스는 공정 챔버의 외부로부터 웨이퍼의 바닥면과 정전 척(electrostatic chuck) 사이로 공급된다. 상기 정전 척은 하 전극 위에 설치되어 상기 웨이퍼를 홀딩한다. 상기 인서트 가스는 열 전달 매개체로서의 기능을 한다. 또, 상기 인서트 가스는 진공 환경 내에서 에칭이 수행되는 동안 축열기와 웨이퍼 사이 열 전달이 분산되도록 한다.In the dry etching apparatus, an insert gas such as helium (He) gas is used. This insert gas is supplied from outside the process chamber between the bottom surface of the wafer and the electrostatic chuck. The electrostatic chuck is installed on the lower electrode to hold the wafer. The insert gas functions as a heat transfer medium. The insert gas also allows heat transfer between the heat accumulator and the wafer to be dispersed while the etching is performed in a vacuum environment.

도 1은 종래 건식 식각 장치를 사용하여 식각 공정을 진행할 때 측정일별로 헬륨 가스의 누출 회수를 보인 다이어그램이다. 또, 도 2는 종래 건식 식각 장치에 의해서 식각공정이 수행된 웨이퍼의 식각율(etch rate)과 균일성을 설명하기 위한 그래프이다.1 is a diagram showing the number of leaks of helium gas by measurement days when the etching process is performed using a conventional dry etching apparatus. 2 is a graph for explaining the etching rate and uniformity of a wafer on which an etching process is performed by a conventional dry etching apparatus.

도 2를 참조하면, 종래 건식 식각 장치는 식각율(100)과 균일성(102)의 면에서는 일정한 수준을 유지하고 있음을 알 수 있었다. 그러나, 도 1에서 보인 바와 같이, 종래 건식 식각 장치에서는 식각 공정을 진행할 때 헬륨 가스의 누출이 종종 발생하는 것을 알 수 있었다. 헬륨 가스가 누출되면 웨이퍼 상의 포토레지스트 막이 타버리는 문제점(photoresist burning)이 발생되므로써, 식각공정의 진행을 중단하게 하고, 웨이퍼를 손실시키게 된다. 이와 같이, 종래 건식 식각 장치는 웨이퍼 상에 식각되는 양의 균일도 및 식각율은 일정한 수준을 유지하고 있으나, 헬륨 가스가 누출되는 문제점이 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the conventional dry etching apparatus maintains a constant level in terms of etching rate 100 and uniformity 102. However, as shown in FIG. 1, in the conventional dry etching apparatus, it was found that leakage of helium often occurs during the etching process. The leakage of helium gas causes photoresist burning on the wafer, causing the etching process to stop and the wafer to be lost. As such, the conventional dry etching apparatus maintains a uniform level and uniformity of the etching rate on the wafer, but has a problem in that helium gas leaks.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 건식 식각 장치에서 헬륨 가스의 누출을 방지하면서 식각 공정의 균일성 및 식각율을 유지할 수 있는 새로운 형태의 건식 식각 장치를 제공하는데 있다.The present invention is to solve such a conventional problem, an object of the present invention is to provide a new type of dry etching apparatus that can maintain the uniformity and etching rate of the etching process while preventing the leakage of helium gas in the dry etching apparatus. .

도 1은 종래 건식 식각 장치에 의해서 식각 공정을 진행할 때 헬륨 가스의 누출이 발생하는 정도를 설명하기 위한 다이어그램;1 is a diagram for explaining the degree of leakage of helium gas during the etching process by a conventional dry etching apparatus;

도 2는 종래 건식 식각 장치에 의한 식각율과 균일성을 설명하기 위한 그래프;Figure 2 is a graph for explaining the etching rate and uniformity by the conventional dry etching device;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치의 단면도;3 is a cross-sectional view of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 4는 도 3에서 웨이퍼와 포커스 링의 간격을 상세히 보여주는 단면도;4 is a cross-sectional view showing in detail the distance between the wafer and the focus ring in FIG.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치에 의한 식각율과 균일성을 설명하기 위한 그래프이다.5 is a graph for explaining the etching rate and uniformity by the dry etching apparatus according to the embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 건식 식각 장치 12 : 공정 챔버10 dry etching apparatus 12 process chamber

14 : 축열기 16 : 플랜지부14: heat storage 16: flange portion

18 : 원형 테이블 20 : 정전 척18: round table 20: electrostatic chuck

22 : 포커스 링 24 : 포커스 링의 내면22: focus ring 24: inner surface of the focus ring

26 : 웨이퍼 28 : 웨이퍼의 외주26 wafer 28 outer periphery of wafer

30 : 배출 라인 32 : 전원 공급부30: discharge line 32: power supply

34 : 고주파 전원 공급부 36 : 가스 소스34: high frequency power supply 36: gas source

40 : 식각율 그래프 42 : 균일성 그래프40: etch rate graph 42: uniformity graph

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 공정 챔버의 내부에서 플라즈마를 사용하여 반도체 웨이퍼를 에칭하기 위한 식각 장치는 상기 공정 챔버의 내부에 배치되고, 윗면에 상기 반도체 웨이퍼를 로딩하는 전극 및; 상기 전극 위에 배치되고, 상기 웨이퍼의 외주를 둘러싸기 위한 내면을 갖는 포커스 링을 포함하되; 상기 포커스 링 내면의 직경은 상기 웨이퍼의 직경보다 2mm에서 3mm 더 크다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, an etching apparatus for etching a semiconductor wafer using a plasma in the process chamber is disposed in the process chamber, the electrode for loading the semiconductor wafer on the upper surface And; A focus ring disposed over the electrode, the focus ring having an inner surface for enclosing an outer circumference of the wafer; The diameter of the inner surface of the focus ring is 2 mm to 3 mm larger than the diameter of the wafer.

이와 같은 본 발명에서 상기 포커스 링은, 상기 웨이퍼가 상기 전극 위에 로딩되었을 때, 상기 웨이퍼의 외주면과 상기 전극의 내면이 전 둘레에 대하여 동일한 간격을 유지하도록 상기 전극에 결합된다.In the present invention, the focus ring is coupled to the electrode such that when the wafer is loaded on the electrode, the outer circumferential surface of the wafer and the inner surface of the electrode maintain the same distance with respect to the perimeter.

이와 같은 건식 식각 장치에 의하면, 건식 식각 공정을 진행할 때, 헬륨 가스가 누출되지 않고, 일정한 수준의 균일성과 식각율을 유지할 수 있다. 따라서, 헬륨 가스의 누출로 인하여 발생되는 웨이퍼의 손실을 방지할 수 있으며, 공정 손실을 줄일 수 있다.According to such a dry etching apparatus, when performing a dry etching process, helium gas does not leak, and it can maintain a uniform level of uniformity and etching rate. Therefore, it is possible to prevent the loss of the wafer caused by the leakage of helium gas, and to reduce the process loss.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 5에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 도 3 및 도 4에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5. 3 and 4, the same reference numerals are given together for the components that perform the same function.

본 발명에서는 건식 식각 공정에서 발생되는 헬륨 가스의 누출 원인을 분석하기 위하여 다양한 실험을 실시하였다. 그 결과, 헬륨 가스의 누출은 웨이퍼를 정전 척에 로딩시킬 때, 웨이퍼의 얼라인(align)이 잘못되는 경우에 주로 발생되는 것으로 파악되었다. 식각공정이 진행될 웨이퍼는 로봇에 의해서 정전 척으로 로딩된다. 이때, 정전 척 상에서 웨이퍼의 얼라인이 잘못되면, 식각공정을 진행할 때 헬륨 등과 같은 가스가 누출되었다.In the present invention, various experiments were conducted to analyze the cause of the leakage of helium gas generated in the dry etching process. As a result, helium gas leakage was found to occur mainly when the wafer was misaligned when the wafer was loaded into the electrostatic chuck. The wafer to be etched is loaded into the electrostatic chuck by the robot. At this time, if the alignment of the wafer is wrong on the electrostatic chuck, a gas such as helium leaks during the etching process.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치의 단면도이다. 또, 도 4는 도 3에서 웨이퍼와 포커스 링의 간격을 상세히 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view illustrating in detail a gap between a wafer and a focus ring in FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치(10)는 공정 챔버(12), 축열기(14), 그리고 포커스 링(22) 등을 포함한다. 상기 공정 챔버(12)는 공정이 진행될 웨이퍼(26)를 수용하고, 공정 공간을 확보한다. 상기 공정 챔버(12)의 벽(wall)은 알루마이트 표면(alumite surface)을 갖는 알루미늄 재질과 같은 전기적으로 전도성의 재질로 형성된다. 상기 축열기(14)는 상기 공정 챔버(12)의 중앙 영역에 배치되어 상기 웨이퍼(26)를 지지한다. 상기 축열기(14)는 알루마이트 표면을 갖는 알루미늄 재질과 같은 전기적으로 전도성의 재질로 형성된다.3 and 4, the dry etching apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a process chamber 12, a heat storage unit 14, a focus ring 22, and the like. The process chamber 12 accommodates the wafer 26 to be processed and secures a process space. The wall of the process chamber 12 is formed of an electrically conductive material, such as an aluminum material having an alumite surface. The heat accumulator 14 is disposed in the central region of the process chamber 12 to support the wafer 26. The heat accumulator 14 is formed of an electrically conductive material such as an aluminum material having an anodized surface.

상기 축열기(14)는 원형의 평평한 형태를 갖는다. 상기 축열기(14)는 외주에는 플랜지부(16)를 그리고 중앙 부분에는 윗방향으로 돌출된 원형 테이블(18)을 포함한다. 상기 원형 테이블(18)의 윗면은 평평하다. 상기 테이블(18)의 윗면상에는 쿨롱의 힘(Coulomb force)으로 상기 웨이퍼(16)를 끌어당기고 홀딩하기 위한 정전 척(20)이 설치된다. 상기 정전 척(20)은 폴리아미드 필름(polyamide film)의 상하 절연층 사이에 위치되는 전해 구리박(electrolytic copper foil) 등으로 형성되는 전기적인 전도성의 레이어 구조를 갖는다. 상기 정전 척(20)의 전기적인 전도성의 레이어는 상기 공정 챔버(12)의 외부에 설치된 전원 공급부(32)와 연결된다. 상기 포커스 링(22)은 상기 축열기(14)의 플랜지부(16) 위에 설치된다. 상기 포커스 링(22)의 중심은 상기 축열기(14)의 중심과 동일 선상에 위치되도록 설치된다. 상기 포커스 링(22)의 내면(24)은 상기 웨이퍼의 외주(28)를 둘러싼다. 상기 축열기(14)의 내부에는 상기 웨이퍼(26)의 온도를 조절하기 위한 열 변환 소스(33)가 설치된다. 상기 열 변환 소스(33)는 상기 챔버(12)의 내부에 설치되는 컨트롤러(도시 않음)와 연결된다. 상기 컨트롤러는 상기 열 변환 소스(33)로 상기 웨이퍼(26)의 온도를 조절한다. 상기 웨이퍼(26)의 아래 면과 상기 정전 척(20)의 윗면 사이의 간격(gap)에는 헬륨과 같은 인서트 가스(insert gas)가 공급된다. 상기 인서트 가스는 상기 챔버(12)의 외부에 설치된 가스 소스(36)로부터 공급된다. 상기 인서트 가스는 열 전달 매개체로서의 기능을 한다. 또, 상기 인서트 가스는 진공 환경내에서 에칭이 수행되는 동안 축열기와 웨이퍼 사이 열 전달이 분산되도록 한다. 상기 축열기(14)는 커패시터 또는 정합 회로를 통하여 고주파 전원 공급부(34)와 연결된다. 이때, 상기 건식 식각 장치(10)는 상기 축열기(14)와 대응되도록 상기 챔버(12)의 내부의 상부에는 설치된 가스 공급 헤드(도시않음) 및 상기 챔버(12) 내부의 압력을 조절하기 위하여 진공 펌프와 연결된 배출라인(30)을 갖는다.The heat accumulator 14 has a circular flat shape. The heat accumulator 14 includes a flange portion 16 on the outer circumference and a circular table 18 protruding upward in the center portion. The upper surface of the circular table 18 is flat. On the upper surface of the table 18, an electrostatic chuck 20 for attracting and holding the wafer 16 with a coulomb force is installed. The electrostatic chuck 20 has an electrically conductive layer structure formed of an electrolytic copper foil or the like positioned between upper and lower insulating layers of a polyamide film. An electrically conductive layer of the electrostatic chuck 20 is connected to a power supply 32 installed outside the process chamber 12. The focus ring 22 is installed on the flange portion 16 of the heat accumulator 14. The center of the focus ring 22 is installed to be located on the same line as the center of the heat accumulator 14. The inner surface 24 of the focus ring 22 surrounds the outer circumference 28 of the wafer. The heat conversion source 33 for controlling the temperature of the wafer 26 is installed inside the heat storage unit 14. The heat conversion source 33 is connected to a controller (not shown) installed inside the chamber 12. The controller adjusts the temperature of the wafer 26 with the heat conversion source 33. An insert gas such as helium is supplied to a gap between the bottom surface of the wafer 26 and the top surface of the electrostatic chuck 20. The insert gas is supplied from a gas source 36 installed outside of the chamber 12. The insert gas functions as a heat transfer medium. The insert gas also allows heat transfer between the heat accumulator and the wafer to be dispersed while the etching is performed in a vacuum environment. The heat accumulator 14 is connected to the high frequency power supply 34 through a capacitor or a matching circuit. In this case, the dry etching apparatus 10 is configured to adjust a pressure in the chamber 12 and a gas supply head (not shown) installed above the inside of the chamber 12 so as to correspond to the heat accumulator 14. It has a discharge line 30 connected with the vacuum pump.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치(10)는 상기 포커스 링 내면(24)의 직경(D1)을 상기 웨이퍼(26)의 직경(D2)보다 2mm에서 3mm 더 크게 한다. 이와 같은 설계는 매우 중요한 역할을 한다. 만일, 상기 포커스 링 내면(24)의 직경(D1)이 상기 웨이퍼(26)의 직경(D2)보다 3mm 초과되어 클 경우에는, 상기 웨이퍼(26)가 상기 정전 척(20)에 로딩될 때, 상기 웨이퍼(26)가 상기 정전 척(20) 상에서 들리는 현상이 발생된다. 이와 같은 현상이 발생되면, 상기 정전 척(20) 또는 축열기(14)는 플라즈마에 의해서 수명이 단축되고, 헬륨 가스의 누출을 유발하는 원인이 된다. 이 경우에는 균일성을 유지하지 못하는 문제점도 발생된다. 한편, 상기 포커스 링 내면(24)의 직경(D1)이 상기 웨이퍼(26)의 직경(D2)보다 2mm 미만되어 클 경우에는, 상기 웨이퍼(26)가 상기 정전 척(20)에 로딩될 때, 상기 웨이퍼(26)가 상기 정전 척(20) 또는 축열기(14)에 걸려서 기울어지는 경우가 발생된다. 이 경우에는 식각 공정을 진행할 때, 헬륨 가스의 누출이 발생되어 포토레지스트 층이 타버리게 된다. 따라서, 상기 포커스 링 내면(24)의 직경(D1)은 상기 웨이퍼(26)의 직경(D2)보다 2mm에서 3mm 더 크게 한다. 이때, 상기 웨이퍼(26)의 외주(28)가 상기 포커스 링(22)의 내면(24)과 전둘레를 통하여 균일하게 동일한 간격을 유지하도록, 상기 포커스 링(22)을 상기 축열기(14) 상에 결합시킨다.Dry etching apparatus 10 according to an embodiment of the present invention having such a configuration makes the diameter D1 of the focus ring inner surface 24 larger than the diameter D2 of the wafer 26 by 2mm to 3mm. Such a design plays a very important role. If the diameter D1 of the focus ring inner surface 24 is greater than 3 mm larger than the diameter D2 of the wafer 26, when the wafer 26 is loaded on the electrostatic chuck 20, The phenomenon in which the wafer 26 is lifted on the electrostatic chuck 20 occurs. If such a phenomenon occurs, the electrostatic chuck 20 or the heat accumulator 14 is shortened by the plasma life, which causes the leakage of helium gas. In this case, there is also a problem of not maintaining uniformity. On the other hand, when the diameter D1 of the focus ring inner surface 24 is less than 2 mm larger than the diameter D2 of the wafer 26, when the wafer 26 is loaded on the electrostatic chuck 20, The wafer 26 may be inclined while being caught by the electrostatic chuck 20 or the heat accumulator 14. In this case, during the etching process, the helium gas leaks and the photoresist layer burns out. Accordingly, the diameter D1 of the focus ring inner surface 24 is 2 mm to 3 mm larger than the diameter D2 of the wafer 26. At this time, the focus ring 22 is moved to the heat accumulator 14 such that the outer circumference 28 of the wafer 26 is evenly spaced through the inner circumference 24 of the focus ring 22. Bind to phase.

이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 상기 건식 식각 장치(10)를 사용하여 식각 공정을 진행한 결과, 헬륨 가스의 누출이 전혀 발생되지 않는 것을 알 수 있었다. 또한, 도 5에서 보인 바와 같이, 식각율(100)과 균일성(102)이 일정한 수준을 유지하고 있음을 알 수 있었다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치는 헬륨 가스의 누출이 전혀 발생되지 않으면서, 안정적인 수준의 식각율과 균일성을 얻을 수 있다.As a result of the etching process using the dry etching apparatus 10 according to the embodiment of the present invention, it was found that no leakage of helium gas occurred. In addition, as shown in FIG. 5, the etching rate 100 and the uniformity 102 were maintained at a constant level. Therefore, the dry etching apparatus according to the embodiment of the present invention can obtain a stable level of etching rate and uniformity without any leakage of helium gas.

이와 같은 본 발명을 적용하면, 건식 식각 공정을 진핼할 때, 헬륨 가스가 누출되지 않고, 일정한 수준의 균일성과 식각율을 유지할 수 있다. 따라서, 헬륨 가스의 누출로 인하여 발생되는 웨이퍼의 손실을 방지할 수 있으며, 공정 손실을 줄일 수 있다.Applying the present invention as described above, helium gas does not leak when going through the dry etching process, it is possible to maintain a constant level of uniformity and etching rate. Therefore, it is possible to prevent the loss of the wafer caused by the leakage of helium gas, and to reduce the process loss.

Claims

An etching apparatus for etching a semiconductor wafer using plasma in a process chamber,

An electrode disposed inside the process chamber and loading the semiconductor wafer on an upper surface thereof;

A focus ring disposed over the electrode, the focus ring having an inner surface for enclosing an outer circumference of the wafer;

The diameter of the inner surface of the focus ring is an etching apparatus, characterized in that 2mm to 3mm larger than the diameter of the wafer.

The method of claim 1,

And the focus ring is coupled to the electrode such that when the wafer is loaded on the electrode, an outer circumferential surface of the wafer and an inner surface of the electrode maintain the same distance with respect to the perimeter.