[go: up one dir, main page]

KR100262901B1 - Needle position fixing method and probe method in a probe device - Google Patents

Needle position fixing method and probe method in a probe device Download PDF

Info

Publication number
KR100262901B1
KR100262901B1 KR1019940007944A KR19940007944A KR100262901B1 KR 100262901 B1 KR100262901 B1 KR 100262901B1 KR 1019940007944 A KR1019940007944 A KR 1019940007944A KR 19940007944 A KR19940007944 A KR 19940007944A KR 100262901 B1 KR100262901 B1 KR 100262901B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
probe
needle
card
center
controller
Prior art date
Application number
KR1019940007944A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
마사오 야마구치
Original Assignee
히가시 데쓰로
동경엘렉트론주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데쓰로, 동경엘렉트론주식회사 filed Critical 히가시 데쓰로
Application granted granted Critical
Publication of KR100262901B1 publication Critical patent/KR100262901B1/en

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼의 프로우브장치는 가이드부착구멍에 장착된 복수의 프로우브침을 가지는 프로우브카드를 구비한다. 상기 프로우브 카드의 아래에는 웨이퍼를 재치하는 X-Y-θ 방향으로 이동가능한 재치대가 설치된다. 재치대는 카메라를 구비하고 제어기에 의하여 동작이 제어된다. 프로우브 카드에는 테스트헤드를 통하여 테스터가 접속된다. 프로우브 카드 부착구멍의 중심에 정렬하여야할 침중심을 가진다. 가이드 부착후 프로우브침의 위치를 고정하기 위하여 먼저 절대좌표상에 있어서의 가이드 부착구멍의 중심위치와, 프로우브 카드에 있어서의 프로우브침 사이의 상대위치를 제어기의 메모리에 기억한다. 다음에 카드부착구멍에 부착된 프로우브 카드의 프로우브침내의 1개를 기준침으로 하고, 절대좌표상에 있어서의 기준침의 위치를 검출하고, 제어기에 입력한다. 다음에 메모리에 기억된 프로우브침 사이의 상태위치를 참조하고, 기준침에 대한 침위치의 상대위치를 제어기로 부터 산출한다. 다음에 절대좌표상에 있어서의 기준침의 위치와, 침중심의 절대위치에 따라서 절대좌표에 있어서의 중심의 위치를 제어기에 의하여 산출한다. 다음에 절대좌표상에 있어서의 카드 부착구멍의 중심의 위치에 대한 침중심위치의 위치오차를 제어기에서 산출하고, 위치오차에 따라서 절대좌표상에 있어서의 프로우브 침의 위치를 고정한다.The probe device for semiconductor wafers includes a probe card having a plurality of probe needles mounted in the guide attachment hole. Under the probe card, a mounting table movable in the X-Y-θ direction in which the wafer is placed is provided. The mounting table includes a camera and is controlled by a controller. The probe card is connected to the probe card through the test head. It has a center of gravity to be aligned with the center of the probe card attachment hole. In order to fix the position of the probe needle after the guide is attached, first, the center position of the guide attachment hole on the absolute coordinate and the relative position between the probe needle on the probe card are stored in the memory of the controller. Next, one of the probe needles of the probe card attached to the card attachment hole is used as the reference needle, and the position of the reference needle on the absolute coordinate is detected and input to the controller. Next, the state positions between the probe needles stored in the memory are referred to, and the relative position of the needle position with respect to the reference needle is calculated from the controller. Next, the controller calculates the position of the reference needle on the absolute coordinate and the position of the center of the absolute coordinate according to the absolute position of the needle center. Next, the position error of the needle center position with respect to the position of the center of the card attachment hole on the absolute coordinate is calculated by the controller, and the position of the probe needle on the absolute coordinate is fixed according to the position error.

Description

프로우브장치에 있어서의 침위치 고정방법 및 프로우브방법Needle position fixing method and probe method in a probe device

제1도는 본 발명의 실시예에 관한 프로우브장치를 나타내는 개략측면도.1 is a schematic side view showing a probe device according to an embodiment of the present invention.

제2도는 제1도에 도시한 프로우브 장치를 나타내는 평면 레아아우트도.FIG. 2 is a planar outlet view showing the probe device shown in FIG.

제3도는 제1도에 도시한 프로우브 장치의 웨이퍼 재치대 및 구동 스테이지를 나타내는 사시도.3 is a perspective view showing a wafer mounting stage and a driving stage of the probe device shown in FIG.

제4도는 평형 프로우브침을 구비한 프로우브 카드를 나타내는 개략 단면도.4 is a schematic cross-sectional view showing a probe card having a balanced probe needle.

제5도는 수직형 프로우브침을 구비한 프로우브 카드를 나타내는 개략 단면도.5 is a schematic cross-sectional view showing a probe card having a vertical probe needle.

제6도는 범퍼형 프로우브침을 구비한 프로우브 카드를 나타내는 개략 단면도.6 is a schematic cross-sectional view showing a probe card having a bumper-type probe needle;

제7도는 검사대상인 반도체 웨이퍼의 반도체 디바이스형 상면을 나타내는 평면도.7 is a plan view showing a semiconductor device type top surface of a semiconductor wafer to be inspected.

제8도는 본 발명에 관한 방법을 설명하기위한 또 다른 프로우브 카드의 부착상태를 나타내는 개략 단면도.8 is a schematic cross-sectional view showing the attachment state of another probe card for explaining the method according to the present invention.

제9도는 제8도에 나타낸 프로우브 카드의 부착상태를 나타내는 평면도.FIG. 9 is a plan view showing the attachment state of the probe card shown in FIG. 8. FIG.

제10도는 제8도에 도시한 프로우브 카드의 침영역을 나타내는 평면도.FIG. 10 is a plan view showing the needle area of the probe card shown in FIG.

제11도는 제8도에 도시한 프로우브 카드의 부착에 있어서의 누적적 오차를 나타내는 도면.FIG. 11 is a diagram showing cumulative errors in the attachment of the probe card shown in FIG. 8. FIG.

제12도는 또다른 프로우브 카드의 침상태와 침중심을 나타내는 개략 단면도.12 is a schematic cross-sectional view showing the needle state and needle center of another probe card.

제13도는 본 발명에 관한 방법에 사용되는 더미카드를 나타내는 사시도.13 is a perspective view showing a dummy card used in the method according to the present invention.

제14도는 웨이퍼상에 매트릭스형상으로 성형된 반도체 칩군의 레이아우트의 1 예를 나타내는 평면도이다.FIG. 14 is a plan view showing an example of the layout of the semiconductor chip group formed in a matrix on the wafer.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 프로우브장치 2 : 스테이지 베이스1: Probe device 2: Stage base

3 : 재치대 3a,3b,3c : 스테이지3: mounting table 3a, 3b, 3c: stage

4, 40, 50, 60, 71 : 프로우브카드 5 : 얼라이먼트 유니트4, 40, 50, 60, 71: Probe card 5: Alignment unit

6 : 카메라 7 : 조이스틱6: camera 7: joystick

8 : 제어기 9 : 오포로우더8: controller 9: oploader

10 : 교환기 11 : 웨이퍼 카세트10 exchanger 11 wafer cassette

12 : 카세트 재치대 13 : 로우더 스테이지12: cassette holder 13: loader stage

14 : 핸들링 아암 15, 52 : 프로우브침14: handling arm 15, 52: probe needle

16 : 포고핀 17 : 테스트헤드16: pogo pin 17: test head

20 : 카메라 21, 23, 24, 25 : 칩20: camera 21, 23, 24, 25: chip

41 : 재치대 42, 51, 54 : 피검사기판41: placement table 42, 51, 54: test substrate

43 : 기판 44 : 프로우브침43: substrate 44: probe needle

46 : 전극패드 53 : 재치대46: electrode pad 53: mounting table

55 : 가이드부 55a : 침고정판55: guide portion 55a: sinking plate

55b : 상부안내판 55c : 하부안내판55b: upper guide plate 55c: lower guide plate

56 : 수지 57 : 포인트56: Resin 57: Point

58 : 전극패드 61 : 재치대58: electrode pad 61: mounting table

62 : 피검사기판 63 : 카드기판62: test substrate 63: card substrate

64 : 블록 65 : 멘브렌기판64: block 65: membrane

66 : 전극패드 67 : 범퍼66: electrode pad 67: bumper

68 : 완충부재 72 : 유지체68 buffer member 72 holder

73 : 플레이트 74 : 구멍73: plate 74: hole

CL1, CL2, CL3, CL4: 중심 81 : 유사카드CL 1 , CL 2 , CL 3 , CL 4 : Center 81: Pseudocard

81a : 기준선 85 : 반도체군81a: reference line 85: semiconductor group

85a : 반도체칩 W : 웨이퍼85a: semiconductor chip W: wafer

본 발명은 프로우브의 침과 검사대상의 피접촉부와의 위치맞춤을 자동이고, 효율적으로 행하는 것을 가능하게 하는 프로우브장치에 있어서의 침위치 고정방법 및 이것을 사용한 프로우브 방법을 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide a needle position fixing method and a probe method using the probe in the probe device which enables automatic and efficient alignment of the probe needle with the contacted portion to be inspected.

본 발명의 제1의 관점에 의하여 제공되는 방법은, 복수의 프로우브 침을 가지는 프로우브 카드와, 상기 프로우브 카드를 장착하기 위한 카드 부착부를 가지는 프로우브 장치에 있어서,According to a first aspect of the present invention, there is provided a probe device having a probe card having a plurality of probe needles and a card attachment portion for mounting the probe card,

상기 카드부착부의 상기 중심에 정렬하여야할 침 중심을 가지는 프로우브 카드를 부착부에 부착한 후, 상기 프로우브 침의 위치를 고정하는 방법으로서, 절대좌표상에 있어서, 상기 카드부착부의 중심위치와 상기 프로우브카드에 있어서의 상기 프로우브침 사이의 상대 위치를 제어기의 메모리에 기억시키는 공정과, 상기 카드부착부에 부착된 상기 프로우브카드의 상기 프로우브침내의 한개를 기준침으로 하고, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 기준침의 위치를 검출하고, 상기 제어기에 입력하는 공정과, 상기 메모리에 기억된 상기 프로우브침 사이의 상대 위치를 참조하고, 상기 기준침에 대한 상기 침 중심의 상대위치를 상기 제어부에 의하여 산출하는 공정과, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 기준침의 위치와, 상기 기준침 중심의 상기 상대위치에 따라서, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 침중심의 위치를 상기 제어기에 의하여 산출하는 공정과, 상기 절대좌표상에 있어서의, 상기 카드부착부의 중심위치에 대한 상기 침중심 위치의 위치오차를 상기 제어기에서 산출하고, 상기 위치오차에 따라서 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 프로우브침의 위치를 고정하는 공정을 구비하는 프로우브장치에 있어서의 침위치 공정방법을 구비한다.A method of fixing the position of the probe needle after attaching a probe card having a needle center to be aligned with the center of the card attaching unit, and fixing the position of the probe needle in absolute coordinates. Storing a relative position between the probe needles in the probe card in a memory of the controller; and one of the probe needles attached to the card attachment portion as the reference needle, Detecting the position of the reference needle in absolute coordinates and inputting it to the controller, and referring to the relative position between the probe needle stored in the memory, and relative to the needle center with respect to the reference needle. Calculating the position by the control unit; the position of the reference needle on the absolute coordinate; and the relative of the reference needle center. In accordance with the value, the step of calculating the position of the needle center on the absolute coordinates by the controller; and the position error of the needle center position with respect to the center position of the card attachment portion on the absolute coordinates. The needle position processing method in the probe device provided with the said process, Comprising: The position of the said probe needle in the said absolute coordinate according to the said position error is provided.

본 발명의 제2의 관점에 의하여 제공되는 방법은, 복수의 프로우브침을 가지는 프로우브카드와 상기 프로우브카드를 장착하기 위한 카드부착부를 가지는 프로우브장치에 있어서, 상기 카드부착부의 상기 중심에 정렬하여야할 침중심을 가지며, 상기 프로우브카드를 상기 카드부착부에 부착한 후, 상기 프로우브침의 위치를 고정하는 방법으로서, 상기 프로우브카드에 있어서의 상기 프로우브침 사이의 상대위치를 제어기의 메모리에 기억시키는 공정과, 상기 프로우브 카드와 합동인 형상을 가지는 유사카드를 상기 카드부착부에 장착하고, 절대좌표상에 있어서의 상기 유사카드의 유사중심을 검출하고, 상기 제어기에 입력하는 공정과, 상기 유사중심은 상기 프로우브 카드의 상기 침중심에 대응하여 배치되는 것, 상기 카드 부착부에 부착된 상기 프로우브 카드의 상기 프로우브침내의 한개를 기준침으로하고, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 기준침의 위치를 검출하여, 상기 제어기에 입력하는 공정과, 상기 메모리에 기억된 상기 프로우브침 사이의 상대위치를 참조하여 상기 기준침에 대한 상기 침중심의 상대위치를 상기 제어기로부터 산출하는 공정과, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 기준침의 위치와 상기 침중심의 상기 상대위치에 따라서, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 침중심의 위치를 상기 제어기로부터 산출하는 공정과, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 유사카드의 상기 유사중심의 위치에 대한 상기 침중심의 위치오차를 상기 제어기에서 산출하고, 상기 위치오차에 따라서, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 프로우브침을 위치의 고정하는 공정을 구비하는 프로우브장치에 있어서의 침위치 프로우브방법을 구비한다.A method provided by the second aspect of the present invention is a probe device having a probe card having a plurality of probe needles and a card attaching portion for attaching the probe card, wherein the card attaching portion is located at the center of the card attaching portion. A method of fixing the position of the probe needle after attaching the probe card to the card attachment part, wherein the relative position between the probe needles on the probe card is determined. Storing in the memory of the controller, and attaching a similar card having a shape congruent with the probe card to the card attachment portion, detecting the similar center of the similar card in absolute coordinates, and inputting the same to the controller. And the pseudo center is disposed corresponding to the needle center of the probe card, and the probe attached to the card attaching part. A step of detecting the position of the reference needle on the absolute coordinate and inputting the controller to one of the probe needles on the lobe card, and between the probe needles stored in the memory; Calculating, from the controller, a relative position of the needle center with respect to the reference needle with reference to a relative position of; and according to the position of the reference needle on the absolute coordinate and the relative position of the needle center. Calculating the position of the needle center in the absolute coordinates from the controller, and calculating the position error of the needle center with respect to the position of the pseudo center of the analogous card in the absolute coordinates; And a step of fixing the position of the probe needle on the absolute coordinate in accordance with the positional error. Provided with a hand position a probe method of Go.

상기 제1 및 제2관점에 관한 침위치 공정방법을 사용하는 본 발명에 관한 프로우브 방법은, 더 프로우브장치의 재치대상에 검사대상을 재치하는 공정과, 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 프로우브침의 위치를 참조하여 상기 제어기를 통하여 상기 재치대를 구동시키고, 상기 프로우브침을 상기 검사대상에 접촉시키는 공정과, 상기 프로우브침을 통하여 프로우브장치의 테스터로부터 상기 검사대상에 시험신호를 보내고, 상기 검사대상으로 부터 반송되는 응답신호에 따라서 상기 테스터로 부터 상기 검사대상의 전기적 특성을 측정하는 공정을 구비한다.The probe method which concerns on this invention using the needle position process method which concerns on the said 1st and 2nd viewpoint is equipped with the process of placing a test object on the mounting target of a probe device, and the said program in the said absolute coordinate. Driving the mounting table through the controller with reference to the position of the probe needle, and contacting the probe needle to the inspection object; and a test signal from the tester of the probe device to the inspection object through the probe needle. And measuring the electrical characteristics of the inspection object from the tester according to the response signal returned from the inspection object.

본 발명에 의하면, 프로우브 카드의 침위치 고정을 간단하게 하는 것이 가능하게 되고, 작업의 효율화를 도모할수가 있다. 특히 수직침을 구비한 프로우브 카드등과 같이 웨이퍼상의 전극패드와 프로우브침과의 접촉이 관찰이 어려운 경우에 있어서도 전극패드와 프로우브 카드침과의 위치 맞춤을 간단하게 실행할 수가 있다.According to the present invention, it is possible to simplify the needle position fixing of the probe card, and the work efficiency can be improved. In particular, even when the contact between the electrode pad and the probe needle on the wafer is difficult to observe, such as a probe card having a vertical needle, the alignment of the electrode pad and the probe card needle can be easily performed.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by the accompanying drawings.

먼저 제1도 내지 제3도를 참조하면서 본 발명의 실시예에 관한 반도체웨이퍼의 프로우브장치 전체의 구성 및 동작에 대하여 개략적으로 설명한다.First, the configuration and operation of the entire probe device for a semiconductor wafer according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

제1도에 있어서 프로우브장치(1)는 거의 중앙에는 스테이지 베이스(2)가 설치된다.In FIG. 1, the probe base 1 is provided with the stage base 2 in the substantially center.

스테이지 베이스(2)에는 반도체 웨이퍼(W)를 재치하고, 진공흡착에 의하여 고정하기 위한 재치대(3)가 부착된다. 재치대(3)는 제3도에 나타낸 바와같이 Z방향 및 θ방향 스테이지(3a), X방향 스테이지(3b) 및 Y방향 스테이지(3c)로 구성되고, 스테이지 베이스(2)상에 있어서 소망의 방향으로 이동가능하게 구성된다. 재치대(3)의 위쪽에 프로우브 검사용 프로우브 카드(4)가 반도체 웨이퍼(W)에 대향하도록 설치가능하게 된다.The stage base 2 is equipped with a mounting table 3 for mounting the semiconductor wafer W and fixing it by vacuum suction. The mounting table 3 is composed of a Z-direction and a θ-direction stage 3a, an X-direction stage 3b, and a Y-direction stage 3c, as shown in FIG. 3, on the stage base 2 as desired. It is configured to be movable in the direction. The probe card 4 for probe inspection is provided above the mounting base 3 so as to face the semiconductor wafer W. As shown in FIG.

프로우브장치(1)의 중앙에는 제2도에 나타낸 바와같이 얼라이먼트 유니트(5)가 설치된다. 얼라이먼트 유니트(5)에는 얼라이먼트용의 화상 인식장치, 예를들면, 카메라(6)등이 설치되어 있고, 얼라이먼트를 갖는 경우에는 재치대(3)가 카메라의 아래쪽 위치까지 이동된다. 또 얼라이먼트 유니트(5)에는 조이스틱(7)이 설치되어있다. 조이스틱(7)은 오퍼레이터에 의하여 조작되고, 스틱(2)의 이동량을 미크론 오더로 수동제어 하는것이 가능하다. 또한 스틱(2)의 구동기구는 제어기(8)에 접속되어있고, 제어기(8)로 부터 제어신호에 따라서 스틱(2)를 X-Y-Z-θ 방향으로 이동하고, 프로우브 카드(4)를 재치대(3)에 재치된 반도체 웨이퍼(W)의 전극패드에 대하여 얼라인먼트를 갖는 것이 가능하다.In the center of the probe device 1, an alignment unit 5 is provided as shown in FIG. The alignment unit 5 is provided with an image recognition device for alignment, for example, a camera 6, etc., and in the case of having the alignment, the mounting table 3 is moved to the lower position of the camera. In addition, the joystick 7 is attached to the alignment unit 5. The joystick 7 is operated by an operator, and it is possible to manually control the movement amount of the stick 2 in a micron order. In addition, the drive mechanism of the stick 2 is connected to the controller 8, the stick 2 is moved in the XYZ-θ direction in accordance with a control signal from the controller 8, and the probe card 4 is placed thereon. It is possible to have alignment with respect to the electrode pad of the semiconductor wafer W mounted in (3).

또 프로우브장치(1)의 도면좌측에는 반도체 웨이퍼(W)를 반입 반출하기위한 오토 로우더가 배치되고, 도면 좌측에는 프로우브 카드(4)를 교환하기 위한 교환기(10)가 각각 설치된다.On the left side of the drawing of the probe device 1, an autoloader for carrying in and carrying out the semiconductor wafer W is arranged, and on the left side of the drawing, an exchanger 10 for replacing the probe card 4 is provided.

오토 로우더(9)에는 다수의 반도체 웨이퍼(W)를 서로 수직방향에 소정간격을 열어 수용한 웨이퍼 카세트(11)가 카세트 재치대(12)상에 교환가능하게 배치된다. 웨이퍼 카세트(11)와 재치대(3)와의 사이에는 수평면내에서 이동가능한 로우터 스테이지(13)와 도시하지 아니한 Y방향 구동기구와 Z방향 승강기구에 의하여 구동가능한 웨이퍼 핸들링아암(14)이 설치된다.In the autoloader 9, a wafer cassette 11 in which a plurality of semiconductor wafers W are opened at predetermined intervals in a vertical direction to each other is disposed on the cassette holder 12 so as to be interchangeable. Between the wafer cassette 11 and the mounting table 3, a rotor stage 13 movable in a horizontal plane, and a wafer handling arm 14 which can be driven by a Y-direction drive mechanism and a Z-direction lift mechanism not shown are provided. .

반도체 웨이퍼(W)를 프로우브 카드(4)에 의하여 프로우핑할때에는 웨이퍼(W)가 로우터 스테이지(13)에 의하여 재치대(3) 근처까지 반송되고, 핸들링 아암(14)에 의하여 재치대(3)상에 재차고정된다. 그후 후술하는 방법에 의하여 소정 위치로 정확하게 위치결정된 프로우브 카드(4)의 프로우브침(15)이 웨이퍼(W) 상의 소정 콘텍트 포인트 예를들면, 전극패트에 접속된다. 프로우브침(15)은 포고핀(16)를 통하여 테스트 헤드(17)에 접속되고, 테스트 헤드(17)는 디스크에 접속된다.When the semiconductor wafer W is probed by the probe card 4, the wafer W is conveyed by the rotor stage 13 to the vicinity of the mounting table 3, and by the handling arm 14. It is fixed again in 3) phase. Then, the probe needle 15 of the probe card 4 accurately positioned at the predetermined position by the method described below is connected to a predetermined contact point, for example, an electrode pad on the wafer W. As shown in FIG. The probe needle 15 is connected to the test head 17 via the pogo pin 16, and the test head 17 is connected to the disc.

검사시에는 테스터에 의하여 각칩에 시험신호가 보내지고, 각칩으로 부터 반송되는 응답신호에 따라서 각 칩의 전기적 특성이 측정된다. 즉 테스터에 있어서, 검사대상인 웨이퍼(W)상에 형성된 반도체 디바이스의 양부가 판정된다. 검사 종료후에는 웨이퍼(W)는 핸들링 아암(14)에 의하여 로우더 스테이지(13)상에 재차 이동되고, 그 로우더 스테이지(13)에 의하여 웨이퍼 카세트(11)에 까지 반송된다.During the test, test signals are sent to each chip by the tester, and the electrical characteristics of each chip are measured according to the response signals returned from each chip. That is, in the tester, the quality of the semiconductor device formed on the wafer W to be inspected is determined. After the inspection is finished, the wafer W is moved again on the loader stage 13 by the handling arm 14, and is transferred to the wafer cassette 11 by the loader stage 13.

교환기(10)에는 검사대상인 반도체 웨이퍼(W)상에 형성된 반도체 디바이스에 따라서 1 또는 2 이상의 종류의 프로우브 카드(4)가 수납실(8)내의 수납된 프로우브 카드(4)는 필요에 따라서 프로우브장치(1)의 본체내에 설치된 프로우브 카드(4)와 교환된다.In the exchanger 10, a probe card 4 in which one or two or more types of probe cards 4 are housed in the storage chamber 8, depending on the semiconductor device formed on the semiconductor wafer W to be inspected, is required. It is exchanged with the probe card 4 provided in the main body of the probe device 1.

재치대(3)의 Z방향 및 θ방향 스테이지(3a)의 측면에는 화상인식수단, 예를들면, 카메라(20)가 설치되어 있고, 프로우브 카드(4)의 하면을 화상인식 하는것이 가능하다. 카메라(20)는 제어기(8)로 부터 제어신호에 의하여 Z방향 및 θ방향 스테이지(3a), X방향 스테이지(3b) 및 Y방향 스테이지(3c)를 구동하는 것에 의하여 재치대(3)와 함께 소망의 위치로 구동시키는 것이 가능하다.Image recognition means, for example, a camera 20 is provided on the side surfaces of the mounting table 3 in the Z-direction and θ-direction stage 3a, and it is possible to image-recognize the lower surface of the probe card 4. . The camera 20 together with the mounting table 3 by driving the Z-direction and θ-direction stage 3a, the X-direction stage 3b and the Y-direction stage 3c from the controller 8 by a control signal. It is possible to drive to the desired position.

다음에 프로우브장치(1)에 적용 가능한 프로우브 카드(4)에 대하여 제4도 내지 제6도를 참조하면서 설명한다.Next, the probe card 4 applicable to the probe device 1 is demonstrated, referring FIG. 4 thru | or FIG.

제4도에는 소위 수평형 프로우브 침을 구비한 프로우브 카드(40)가 나타낸다.4 shows a probe card 40 with a so-called horizontal probe needle.

프로우브 카드(40)는 재치대(41)의 위에 재치된 웨이퍼등의 피검사기판(42)의 검사면에 대략 평행하게 배치된 프로우브 카드 기판(43)를 구비한다. 프로우브 카드기판(43)에 대하여 각도를 이루어 아래쪽으로 경사하도록 예를들면, 금(Au), 텅스텐(W)등의 유전체로 되는 프로우브침(44)이 부착된다. 프로우브침(44)의 앞끝단(45)은 피검사기판(42)의 대응하는 전극패드(46)가 맞닿도록 위치조정된다.The probe card 40 includes a probe card substrate 43 disposed substantially parallel to an inspection surface of an inspection substrate 42 such as a wafer placed on the mounting table 41. For example, a probe needle 44 made of a dielectric material such as gold (Au), tungsten (W), and the like is attached so as to be inclined downward at an angle with respect to the probe card substrate 43. The front end 45 of the probe needle 44 is positioned so that the corresponding electrode pad 46 of the substrate under test 42 abuts.

검사시에는 재치대(41)가 도시하지 아니한 구동장치에 의하여 화살표 Z방향으로 구동되고, 각 프로우브침(44)의 앞끝단(45)을 전극패드(46)에 전기적으로 접속시킨다. 그래서 테스터로 부터 각칩에 신호가 보내지고, 각칩으로 부터 반송된 반응신호에 따라서 각칩의 전기적 특성시험이 실시된다.At the time of inspection, the mounting table 41 is driven in the direction of arrow Z by a driving device (not shown), and the front end 45 of each probe needle 44 is electrically connected to the electrode pad 46. Thus, a signal is sent to each chip from the tester, and the electrical characteristics of each chip are tested according to the response signal returned from each chip.

제5도에서는 소위 수직형 프로우브침을 구비한 프로우브 카드(50)를 나타낸다. 프로우브 카드(50)는 대략 원판형상의 프로우브 카드 기판(51)과, 프로웁, 침(52)와, 그 프로우브침(52)을 재치대(53)상에 재치된 웨이퍼등의 피검사기판(54)에 안내하기 위한 가이드부(55)를 구비한다. 프로우침(2)은 예를들면, 금(Au), 텅스텐(W) 등의 도전체로 이루어지고, 부분(52a)이 피검사기판에 대하여 수직방향으로 재치된다.5 shows a probe card 50 having a so-called vertical probe needle. The probe card 50 includes a substantially disk-shaped probe card substrate 51, a probe, a needle 52, and a probe on which the probe needle 52 is placed on the mounting table 53. The guide part 55 for guiding the test substrate 54 is provided. The probe 2 is made of, for example, a conductor such as gold (Au) or tungsten (W), and the portion 52a is placed in a direction perpendicular to the substrate under test.

가이드부에는 위로부터 순서대로 침고정판(55a), 상부안내판(55b) 및 하부 안내판(55c)가 설치된다. 이들의 판부재(55a), (55b), (55c)에는 각각 프로우브침(52)를 관통하여 장착가능한 구멍이 돌출설치된다. 각 프로우브침(52)는 대응하는 구멍에 관통하여 장착되어 위치결정된후 고정용 수지(56)에 의하여 고정된다. 또 프로우브침의 상부(52b)는 아치형상으로 굴곡되어 포인트(57)에 있어서 프로우브 카드 기판(51)에 전기적으로 접속된다.The guide part is provided with a settling fixing plate 55a, an upper guide plate 55b and a lower guide plate 55c in order from above. These plate members 55a, 55b, 55c are provided with protrusions through which the probe needle 52 can be mounted, respectively. Each probe needle 52 is mounted through and positioned in a corresponding hole and then fixed by the fixing resin 56. The upper portion 52b of the probe needle is bent arcuately and electrically connected to the probe card substrate 51 at the point 57.

검사시에는 재치대(53)가 화살표 Z방향으로 구동되고, 프로우브침의 앞끝단부(52c)가 피검사 기판(54)의 전극패드(58)에 맞닿게 된다. 이때 프로우브침(52)은 침고정판(55a)과 상부 안내판(55b)와의 사이에서 탄성적으로 휘여지고, 수직방향의 힘을 흡수하도록 작용한다. 이와같이 하여 피검시기판(54)의 전극패드(58)에 전기적으로 도통한 프로우브침(52)에 테스터로 부터 시험신호가 보내지고, 각칩으로 부터 반송되는 반응신호에 따라서 각칩의 전기적인 특성이 측정된다.At the time of inspection, the mounting table 53 is driven in the direction of arrow Z, and the front end portion 52c of the probe needle is brought into contact with the electrode pad 58 of the substrate to be inspected 54. At this time, the probe needle 52 is elastically bent between the needle fixing plate 55a and the upper guide plate 55b, and acts to absorb the force in the vertical direction. In this way, the test signal is sent from the tester to the probe needle 52 electrically connected to the electrode pad 58 of the test substrate 54, and the electrical characteristics of each chip are changed according to the reaction signal returned from each chip. Is measured.

제6도에서는 소위 범퍼형 프로우브침을 구비한 프로우브 카드(60)가 나타낸다. 프로우브 카드(60)는 재치대(61)의 위에 재치된 웨이퍼등의 피검사기판(62)의 검사면에 대략 평행하게 배치된 프로우브 카드 기판(63)을 구비한다. 프로우브 카드 기판(63)의 하면에는 블록(64)이 부착되고, 블록(64)을 덮도록 가요성의 멘브렌 기판(65)이 배치된다. 멘브렌 기판(65)의 피검사기판(62)의 위의 전극패드(66)에 대응하는 위치에서 예를들면 금(Au)이나 텅스텐(W) 등의 유전체로 되는 범퍼(67)가 부착된다. 또 범퍼(67)의 배면에는 완충부재(68)가 배치되고, 범퍼(67)과 전극패드(66)과의 접촉에 의하여 압력이 흡수된다.6 shows a probe card 60 having a so-called bumper-type probe needle. The probe card 60 includes a probe card substrate 63 disposed substantially parallel to an inspection surface of an inspection target substrate 62 such as a wafer placed on the mounting table 61. A block 64 is attached to the lower surface of the probe card substrate 63, and a flexible methylene substrate 65 is disposed to cover the block 64. A bumper 67 made of a dielectric such as gold (Au) or tungsten (W), for example, is attached at a position corresponding to the electrode pad 66 on the test target substrate 62 of the methylene substrate 65. . In addition, a buffer member 68 is disposed on the rear surface of the bumper 67, and the pressure is absorbed by the contact between the bumper 67 and the electrode pad 66.

검사시에는 재치대(61)가 도시하지 아니한 구동기구에 의하여 화살표 Z방향으로 구동되고, 각 범퍼(67)와 전극패드(66)이 전기적으로 접촉된다. 그리고 테스터로 부터 각 칩에 시험신호가 보내지고 각 칩으로 부터 반송되는 반응신호에 따라서 각칩으로 부터 반송된 반응신호에 따라서 각 칩의 전기적인 특성시험이 실시된다.At the time of inspection, the mounting base 61 is driven in the direction of arrow Z by a drive mechanism (not shown), and each bumper 67 and the electrode pad 66 are electrically contacted. The test signal is sent from each tester to each chip and the electrical characteristics of each chip are tested according to the reaction signal returned from each chip.

본 발명의 방법은 이상 설명한 바와같이 어느쪽이 타입의 프로우브 카드에 대하여도 적용가능하다.As described above, the method of the present invention is applicable to any type of probe card.

다음에 제1도 내지 제3도 및 제7도를 참조하면서 프로우브장치(1)에 의하여 반도체칩화를 프로우브 시험하는 경우에 대하여 설명한다.Next, a description will be given of the case where a probe chip is probed by the probe device 1 with reference to FIGS. 1 to 3 and 7.

제7도에 나타낸 바와같이, 반도체 웨이퍼(W)는 다수의 칩(21)이 형성된다. 웨이퍼(W)에는 오리엔테이션 플래트(22)가 형성된다. 로우더 스테이지(13)에 있어서 오리엔테이션 플래트(22)를 소망의 방향으로 구비함으로써 웨이퍼(W)의 프리 얼라인먼트가 행해진다. 프리 얼라인먼트 종료후 웨이퍼(W)를 반송아암(14)에 의하여 스테이지 베이스(2)의 위의 재치대(3)상에 재치한다. 이 결과 검사대상인 웨이퍼(W)가 프로우브 카드(4)와 대향하는것이 된다.As shown in FIG. 7, the semiconductor wafer W is formed with a plurality of chips 21. On the wafer W, an orientation plate 22 is formed. The pre-alignment of the wafer W is performed by providing the orientation plate 22 in the desired direction in the loader stage 13. After completion of the prealignment, the wafer W is placed on the mounting table 3 on the stage base 2 by the transfer arm 14. As a result, the wafer W to be inspected is opposed to the probe card 4.

프로우브시험은 예를들면, 1매의 반도체 웨이퍼(W)를 4회로 나누어 실시하는것이 가능하다. 예를들면, 제7도에 나타낸 바와같이 좌상영역, 우상영역, 좌하영역의 순번으로 시험을 한다. 각영역에는 예를들면, 64개의 반도체칩(21)이 각각 형성된다. 또 각 칩(21)에는 복수의 전극패드가 구성되어있고, 그 중의 1개를 기준전극패드로서 선정한다. 통상은 기준전극 패드로서는 각영역의 좌상의 칩(23), (24), (25), (26)내에 형성된 전극패드의 중에서 부터 좌상의 코너에 위치하는 것을 선택한다.For example, the probe test can be performed by dividing one semiconductor wafer W into four times. For example, the test is performed in the order of the upper left area, the upper right area, and the lower left area as shown in FIG. For example, 64 semiconductor chips 21 are formed in each region. Each chip 21 is composed of a plurality of electrode pads, one of which is selected as the reference electrode pad. Normally, the reference electrode pad is selected from the electrode pads formed in the chips 23, 24, 25, and 26 on the upper left of each region.

검사시에는 기준전극 패드에 대하여 대응하는 기준 프로우브핑이 전기적으로 접속되고, 재치대(3)상의 웨이퍼(W)와 프로우브 카드(4)와의 θ방향의 방향이 정확하게 정렬되는 것에 의하여 다른 프로우브침도 각각 대응하는 전극패드에 전기적으로 접속가능하게 위치맞춤된다. 이때문에 먼저 최초로 재치대(3)를 X Y 평면내에서 움직이게 하고, 재치대(3)에 부착된 카메라(20)에 의하여 기준 프로우브침의 앞끝단 위치를 검출하고, 이 위치정보를 제어기(8)에 기억시킬 필요가 있다(티칭공정). 이 티칭공정은 기준 프로우브침의 앞끝단 위치가 이상적인 위치로부터 어느정도 오차가 있기때문에 필요하게된다.At the time of inspection, the corresponding reference probes are electrically connected to the reference electrode pads, and the direction of the [theta] direction between the wafer W and the probe card 4 on the mounting table 3 is aligned correctly. The needle bar is also positioned to be electrically connectable to the corresponding electrode pad, respectively. For this reason, first, the mounting table 3 is moved in the XY plane, the front end position of the reference probe needle is detected by the camera 20 attached to the mounting table 3, and the position information is stored in the controller ( It is necessary to memorize it in 8) (teaching process). This teaching process is necessary because the position of the front end of the reference probe needle is somewhat different from the ideal position.

예를들면, 제8도에 도시한 바와같이 프로우브 카드(71)가 사용되는 경우 프로우브 카드(71)는 링인사이드등의 가이드 유지체(72)를 통하여 교환가능하게 장착된다.For example, when the probe card 71 is used as shown in FIG. 8, the probe card 71 is interchangeably mounted via a guide holder 72 such as a ring inside.

가이드 유지체(72)는 장치본체의 헤드 플레이트(73)에 설치된 가이드 부착구멍(74)내에 장착된다. 프로우브 가이드(71)에는 로우브침(71a)이 복수 배치된다. 프로우브침(71a)은 제5도 나타낸 프로우브침과는 타입이 다르지만 미리 수직으로 배치되고, 앞끝단부분이 재치대(3)상의 웨이퍼(W)에 대하여 거의 수직으로 접촉하도록 되어 있다.The guide holder 72 is mounted in the guide attachment hole 74 provided in the head plate 73 of the apparatus main body. A plurality of lobe needles 71a are disposed in the probe guide 71. Although the probe needle 71a is different from the probe needle shown in FIG. 5, it is vertically arrange | positioned previously, and the front-end part is made to contact substantially perpendicularly with respect to the wafer W on the mounting base 3. As shown in FIG.

이와같은 프로우브 카드(71)의 경우, 기준 프로우브 침의 위치 어긋남 ΔP은 이하 상술한 바와같이 누적적인 부착오차에 의하여 발생한다. 먼저 제9도에 도시한 바와같이 가이드 부착구멍(74)의 중심(CL1)에 대하여 가이드 유지체(72)의 링 중심(CL2)가 장착시에 약간 어긋난다. 또 가이드 유지체(72)의 링 중심(CL2)에 대하여 프로우브 가이드(71)의 가이드 중심(CL3)이 원래 어긋나서 부착된다. 또 제10도에 나타낸 바와같이 프로우브 가이드(71)에 프로우브침(71a)을 배치하는 경우 프로우브 가이드(71)의 가이드 중심(CL3)에 대하여 침중심(CL4)이 어긋난다. 이와같은 각 부착오차는 제11도에 나타낸 바와같이 X방향 및 Y방향에 각각 누적이 생긴다.In the case of such a probe card 71, the position shift ΔP of the reference probe needle is caused by a cumulative attachment error as described above. First, as shown in FIG. 9, the ring center CL 2 of the guide holder 72 slightly shifts with respect to the center CL 1 of the guide attachment hole 74 at the time of mounting. In addition, the guide center CL 3 of the probe guide 71 is originally shifted with respect to the ring center CL 2 of the guide holder 72. In contrary the guide center (CL 3) needle center (CL 4) with respect to the probe guide (71) the case wherein the pro Wu beuchim (71a) to guide the probe 71 as shown in the Figure 10. Each such attachment error accumulates in the X and Y directions, respectively, as shown in FIG.

현실적으로는 프로우브 가이드(71)의 침중심(CL4)이 가이드 부착구멍(74)의 중심(CL1)에 정렬하면 좋다. 그러나 프로우브 가이드(71)의 중심(CL4)은 직선적으로 볼수가 없고, 그 절대위치 좌표도 바로 인식할수가 없다.In practice, the needle center CL 4 of the probe guide 71 may be aligned with the center CL 1 of the guide attachment hole 74. However, the center CL 4 of the probe guide 71 cannot be seen linearly, and its absolute position coordinates cannot be recognized immediately.

따라서 종래는 프로우브 가이드의 침과 웨이퍼의 칩의 전극패드와를 실제로 검사하면서 서서히 위치 맞춤시키거나 테레비카메라등을 사용하여 프로우브침 및 전극패드를 상하로 보아 각각의 절대위치 좌표를 인식하면서 하거나 전극 패드에 침궤적을 따르는 공정을 몇번인가 반복하고, 정확한 접촉을 유지하도록 위치 맞춤을 하는등, 구체적인 위치맞춤방법으로 사용하고 있다. 그러나 이들의 방법은 오퍼레터에 대하여 특수한 숙련을 실시할 필요가 있는외에 그 작업도 매우 번잡하다.Therefore, in the related art, the needles of the probe guide and the electrode pads of the chip of the wafer are actually aligned while being gradually inspected, or each of the absolute position coordinates is recognized by viewing the probe needle and the electrode pad up and down using a TV camera or the like. The process of following the needle trajectory on the electrode pad is repeated several times and used for specific positioning methods, such as positioning to maintain accurate contact. However, these methods are very complicated in addition to the special skill of the operator.

종래의 방법의 분제를 해결하기 위한 본 발명에 관한 침위치고정방법은 제8도 도시의 프로우브 가이드(71)를 예를들어 이하에 설명한다.The needle position fixing method according to the present invention for solving the powder of the conventional method will be described below with reference to the probe guide 71 shown in FIG.

먼저 예비공정으로서 가이드 부착구멍(74)의 중심(CL1)의 위치가 예를들면, 장치의 제작시등에 미리 측정된다. 그리고 장치가 가지는 X-Y 절대좌표에 있어서의 중심(CL1)의 위치가 제어부(8)의 메모리내에 기억된다. 또 프로우브침(71a)끼리 사이의 X방향 및 Y방향에 있어서의 상대위치에 관한 정보도 제어기(8)의 메모리내에 기억된다. 이들 기억된 위치정보는 필요에 따라서 독출가능하게 된다. 침(71a)사이의 상대위치는 침배열 설치를 위한 침끼리 사이의 X선 좌표성분 및 Y 좌표성분이 나타낸 설계 사양서로 부터 얻어진다. 동사양서는 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스, 즉 칩의설계 사양서에 따라서 작성되고 프로우브침(71a)을 설치하는 경우에 사용된다.First, as a preliminary step the position of the center (CL 1) in the guide mounting holes 74, for example, is measured in advance or the like during manufacture of the device. The position of the center CL 1 in the XY absolute coordinates of the device is stored in the memory of the controller 8. In addition, the information regarding the relative position in the X direction and the Y direction between the probe needles 71a is also stored in the memory of the controller 8. These stored positional information can be read as needed. The relative position between the needles 71a is obtained from a design specification showing the X-ray coordinate component and the Y-coordinate component between the needles for the needle arrangement. The company specification is prepared in accordance with the semiconductor device of the wafer W, that is, the chip design specification, and is used when the probe needle 71a is provided.

제1공정에서는 프로우브 카드(71)의 프로우브침(71a)중의 1개를 기준 프로우브침으로 하고, 그 아래에 재치대(3)쪽의 텔레비카메라(20)가 오도록 재치대(3)가 구동한다. 그리고, 기준 프로우브침의 중앙을 카메라(20)의 시각내의 기준점과 일치시키는 것에 의하여 절대좌표상에 있어서의 기준 프로우브 침의 위치 카메라(20)를 통하여 검출된다. 절대좌표상에 있어서의 기준 프로우브침의 위치는 제어부(8)의 메모리에 기억된다.In the first step, one of the probe needles 71a of the probe card 71 is used as the reference probe needle, and the placing table 3 is placed so that the tele-camera 20 on the mounting table 3 side is located below it. Will drive. Then, the center of the reference probe needle is detected through the position camera 20 of the reference probe needle on the absolute coordinate by matching the center of the camera 20 with the reference point in the time of the camera 20. The position of the reference probe needle on the absolute coordinate is stored in the memory of the controller 8.

프로우브 카드(71)가 그 θ방향을 향하고 즉 각방향이 실질적으로 설정된 통로에 미리 부착되어 있는 경우, 제1공정에서 위치를 검출하는 기준 프로우브침은 적어도 1개이면 되고, 또 ??방향의 오차에 관한 정보가 미리검출되고, 이것이 제어기(8)의 메모리에 기억되고 있는 경우도 기준 프로우브침은 적어도 1개 이면 된다. 그러나 프로우브침을 2개이상으로 하면, 재치대(3)에 대한 프로우브 카드(71)의 θ방향의 오차를 프로우브침(71a)사이의 상대위치의 정보를 참조하면서 절대좌표에 있어서의 복수의 기준침의 위치로 부터 산출하는 것이 가능하게 되고, 또 침중심(CL4)의 위치를 보다 정확하게 구하는것도 가능하게 된다. 다음에 제2공정에서는 기준 프로우브침에 대한 침중심(CL4)의 상대위치가 산출된다. 이 산출에 있어서 제어기(8)의 메모리내에 기억된 프로우브침(71a)사이의 상대위치의 정보가 참조된다. 또 기준 프로우브침을 2개이상으로 한 경우는 프로우브침(71a)사이의 상대위치의 정보를 참조하면서 재치대(3)에 대한 프로우브 카드(71)의 θ방향의 오차에 관한 정보를 겸하여 얻을수가 있다.When the probe card 71 faces the θ direction thereof, that is, is attached to the passage substantially set in the angular direction, at least one reference probe needle for detecting the position in the first step is required. The reference probe needle may be at least one even when information on an error of? Is previously detected and stored in the memory of the controller 8. However, if two or more probe needles are used, the error in the? Direction of the probe card 71 with respect to the mounting table 3 is referred to in the absolute coordinates while referring to the information of the relative position between the probe needles 71a. It is possible to calculate from the positions of a plurality of reference needles, and it is also possible to more accurately determine the position of the needle center CL 4 . Next, in the second step, the relative position of the needle center CL 4 with respect to the reference probe needle is calculated. In this calculation, the information of the relative position between the probe needles 71a stored in the memory of the controller 8 is referred to. In the case where two or more reference probe needles are used, information on the error in the? Direction of the probe card 71 with respect to the mounting table 3 is referred to while referring to the information on the relative position between the probe needles 71a. Can also be obtained.

다음에 제3공정에서는 절대좌표상에 있어서의 침중심(CL4)의 위치가 산출된다. 이 산출은 제1공정에서 얻은 절대좌표상에 있어서의 프로우브 침(71a)의 위치와, 제2공정에서 산출된 침중심(CL4)의 상대위치에 따라서 행해진다. 즉 적어도 1개의 기준 프로우브침의 절대좌표에 있어서의 위치가 판명되면 절대좌표상에 있어서의 다른 프로우브침의 위치 및 침 중심(CL4)의 위치는 제어기(8)의 메모리내에 기억된 프로우브 침(71a)사이의 상대위치의 정보를 참조하는것에 의하여 산출된다.Next, in the third step, the position of the needle center CL 4 on the absolute coordinate is calculated. This calculation is performed in accordance with the position of the probe needle 71a on the absolute coordinate obtained in the first step and the relative position of the needle center CL 4 calculated in the second step. That is, when the position in the absolute coordinate of at least one reference probe needle is found, the position of the other probe needle and the position of the needle center CL 4 on the absolute coordinate are stored in the memory of the controller 8. It is calculated by referring to the information of the relative position between the woofer needles 71a.

침중심(CL4)은 현상상태에 있어서 부착구멍의 중심(CL1)에 정렬 되어야할 위치이다. 침중심(CL4)의 위치는 제어기(8)의 메모리내에 프로우브침(71a)사이의 상대위치의 정보의 일부로서 미리 기억시켜 두는 것도 할수있으며, 또 침위치의 고정에 있어서 예를들면, 제12도에 나타낸 바와같이 X방향 및 Y방향의 양단에 배치된 2개의 기준 프로우브침(71a)의 위치를 검출하고, 그 중앙의 위치로서 특정할수도 있다.The needle center CL 4 is a position to be aligned with the center CL 1 of the attachment hole in the developing state. The position of the needle center CL 4 can also be stored in advance in the memory of the controller 8 as part of the information of the relative position between the probe needles 71a, and for example, in fixing the needle position, As shown in FIG. 12, the position of the two reference probe needles 71a arrange | positioned at the both ends of an X direction and a Y direction can be detected, and it can also specify as the position of the center.

다음에 제4공정에서는 제3공정에서 얻어진 절대좌표상에 있어서의 침중심(CL4)의 위치와, 카드부착구멍(74)의 중심(CL1)의 절대좌표상에 있어서의 위치가 비교되고, 양자의 위치오차가 산출된다. 이와같이 하여 중심(CL1)으로 부터 중심(CL4)까지 누진적으로 생기고 있는 부착오차가 구해진다.Next, in the fourth step, the position of the needle center CL 4 on the absolute coordinate obtained in the third step and the position on the absolute coordinate of the center CL 1 of the card attachment hole 74 are compared. The positional error of both is calculated. In this way, the attachment error occurring progressively from the center CL 1 to the center CL 4 is obtained.

이와같이 프로우브 카드(71)의 부착구조에 있어서의 누진적인 최종오차가 매우 효율적으로 인식된다.In this way, the progressive final error in the attachment structure of the probe card 71 is recognized very efficiently.

즉 도중에 있어서의 개별적인 오차, 구체적으로는 중심(CL1)과 중심(CL2)과의 오차, 중심(CL3), 중심(CL4)와의 사이의 부착오차가 거의 순간적으로 더구나 자동적으로 인식된다.In other words, the individual error along the way, specifically, the error between the center CL 1 and the center CL 2 , the attachment error between the center CL 3 , and the center CL 4 is almost instantaneously recognized automatically. .

다음에 웨이퍼(W)가 재치대(3)상에 재치되고, 실제의 검사공정이 실행된다. 검사시에는 재치대(3)가 구동되고, 통상 웨이퍼(W)상의 1 반도체 칩마다 검사가 행해진다. 프로우브침(71a)의 앞끝단은 칩내의 대응한 전극패드에 맞닿게 되고, 프로우브침(71)을 통하여 테스트로 부터 칩으로 시험신호가 보내진다. 그리고 칩으로 부터 반송되는 응답신호에 따라서 칩의 전기적인 특성이 측정된다. 검사시에는 기득정보인 중심(CL1)과 침중심(CL4)과의 절대좌표상에 있어서의 오차 및 필요하면 프로우브 카드(71)의 θ방향의 오차가 이용된다. 예를들면, 중심(CL1)과 중심(CL4)과의 오차에 따라서 당초 중심(CL1)에 설정되어 있었던 측정 기준점이 보정되고, 보정 측정기준점 및 필요하면 프로우브 카드(71)의 θ방향의 오차를 참조하여 재치대(3)의 인덱스 이동이 행해진다.Next, the wafer W is placed on the mounting table 3, and the actual inspection process is performed. At the time of inspection, the mounting table 3 is driven, and inspection is performed for every one semiconductor chip on the wafer W normally. The front end of the probe needle 71a is brought into contact with the corresponding electrode pad in the chip, and a test signal is sent from the test to the chip through the probe needle 71. And the electrical characteristics of the chip is measured according to the response signal returned from the chip. In the inspection, an error in the absolute coordinate between the center CL 1 and the needle center CL 4 , which are acquired information, and an error in the θ direction of the probe card 71 is used if necessary. For example, the measurement reference point originally set at the center CL 1 is corrected according to the error between the center CL 1 and the center CL 4 , and the correction measurement reference point and, if necessary, θ of the probe card 71. The index movement of the mounting table 3 is performed with reference to the error in the direction.

또 검사시에 있어서 재치대(3)상에 탑재되었던 웨이퍼(W)의 세트위치가 각 웨이퍼마다 다른것에 대하여는 1989년 11월 1일 출원의 미국 특허출원 제430,589(USP4,966,520)호 및 일본국 특개평평 2-224260호 공보에 기재되도록한 공개된 기술에 의하여 자동위치 맞춤이 행해진다.In addition, US Patent Application No. 430,589 (USP4,966,520) and Japanese Patent Application, filed November 1, 1989 for the different positions of the wafers W mounted on the mounting table 3 at the time of inspection. Automatic positioning is performed by the disclosed technique which is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-224260.

즉 먼저 얼라이먼트 유니트(5)의 카메라(6)가 사용되고, 웨이퍼(W)에 배열되는 각 반도체칩의 배열방향이 검출된다. 그래서 동배열방향이 재치대(3)의 이동방향과 맞도록 웨이퍼(W)가 회전된다. 이것에 의하여 프로우브침(71a)의 방향에 칩의 전극패드 배열방향이 맞춰진다. 또 이것과 동시에 제어기(8)의 메모리에 미리 기억된 기준패턴중으로 부터 검출된 칩 매열패턴과 적합한것이 선택된다. 그래서 웨이퍼의 얼라이먼트 유니트(5)의 아래로 부터 프로우브 카드(71)의 아래까지 보정좌표에 따라서 웨이퍼를 이동시키는 것에 의하여 칩의 전극패드와 프로우브침(71a)의 침이 자동적으로 위치맞춤된다.That is, first, the camera 6 of the alignment unit 5 is used, and the arrangement direction of each semiconductor chip arranged on the wafer W is detected. Thus, the wafer W is rotated so that the same arrangement direction is aligned with the moving direction of the mounting table 3. As a result, the electrode pad arrangement direction of the chip is aligned with the direction of the probe needle 71a. Simultaneously with this, the chip alignment pattern detected from the reference patterns previously stored in the memory of the controller 8 is selected. Therefore, the needle of the electrode pad of the chip and the probe needle 71a are automatically positioned by moving the wafer from the bottom of the alignment unit 5 of the wafer to the bottom of the probe card 71 according to the correction coordinates. .

또 상술한 침위치고정은 장치의 카드 부착구멍(74)에 대하여 프로우브 카드(71)의 교환이 행해질때마다 실행된다. 즉, 서로 다른 침 재치를 가지는 복수종류의 프로우브 카드(71)는 그 링인사이드(72)함께 교환되고, 프로우브 카드(71)의 교환을 한때에는 상술한 제1공정으로 부터 제4공정이 실행된다.The needle position fixing described above is executed every time the probe card 71 is exchanged with respect to the card attachment hole 74 of the apparatus. That is, a plurality of types of probe cards 71 having different needle placements are exchanged together with the ring inside 72, and when the probe cards 71 are exchanged, the fourth step from the first step described above is performed. Is executed.

또 상기 실시예에 있어서는 침위치고정의 예비공정으로 카드 부착구멍(74)의 중심(CL1)의 절대좌표상에 있어서의 위치가 제어기(8)의 메모리내에 미리기억된다. 그러나 이것 대신에 제13도에 나타낸 바와같은 유사 카드(81)를 사용하는 것이 가능하게 된다. 유사 카드(81)는 상술한 프로우브 카드(71)와 합동한 형상을 가지는 소위 더미카드를 구성한다. 유사 카드(81)는 프로우브 카드(71)와 합동한 예를들면, 원판형상으로 형성한 유리등의 투명재료로 되는 기판을 가진다.In the above embodiment, the position on the absolute coordinate of the center CL 1 of the card attachment hole 74 is previously stored in the memory of the controller 8 as a preliminary step of fixing the needle position. However, instead of this, it is possible to use a similar card 81 as shown in FIG. The similar card 81 constitutes a so-called dummy card having a shape coincided with the probe card 71 described above. The pseudo card 81 has a substrate made of a transparent material, such as glass, formed in the shape of a disk, which is co-ordinated with the probe card 71.

기판의 표면상에는 십자 형상의 기준선(81a), (81a)가 새겨 설치되고 양선의 크로스점에 의하여 중심(81b)가 나타난다.On the surface of the substrate, cross-shaped reference lines 81a and 81a are engraved on each other, and a center 81b appears by cross points between the two lines.

침위치 고정전, 즉 프로우브 카드(71)의 장착전에 유사카드(81)가 카드 부착구멍(74)내에 장착된다. 그래서 유사카드(81)의 중심(81b)이 예를들면, 테레비 카메라(20)를 통하여 검출되고, 그 절대좌표상에 있어서의 위치가 제어기(8)의 메모리내에 기억된다. 유사카드(81)를 사용한 경우에는 카드 부착구멍(74)의 중심(CL1)에 대신하여 유사카드(81)의 중심(81b)이 당초의 측정기준점으로서 설정된다. 그래서 상기 실시예와 동일한 위치맞춤이 가능하게된다.The pseudo card 81 is mounted in the card attachment hole 74 before the needle position is fixed, that is, before the probe card 71 is attached. Thus, the center 81b of the pseudo card 81 is detected through, for example, the TV camera 20, and the position on the absolute coordinate is stored in the memory of the controller 8. When the similar card 81 is used, instead of the center CL 1 of the card attachment hole 74, the center 81b of the similar card 81 is set as an initial measurement reference point. Thus, the same positioning as in the above embodiment is possible.

또한, 본 발명은 제14도에 나타낸 바와같이 소위 멀티 레이아우트의 반도체칩군(85)에 대하여도 동일하게 적용 할수가 있다. 제14도에 있어서 웨이퍼(W)상에 매트릭스형상으로 형성된 복수의 반도체칩(85a)이 배열설치된다. 프로우브 카드의 침은 이들 복수의 반도체칩(85a)에 대응하도록 배치되고, 이들을 동시에 검사하도록 구성된다. 즉 프로우브침은 복수의 반도체칩군(85)의 전극패드와 한쌍의 관계로 되도록 설치된다.In addition, the present invention can be similarly applied to the so-called multi-layout semiconductor chip group 85 as shown in FIG. In Fig. 14, a plurality of semiconductor chips 85a formed in a matrix on the wafer W are arranged. The needle of the probe card is arranged to correspond to the plurality of semiconductor chips 85a, and is configured to inspect them simultaneously. That is, the probe needles are provided so as to have a pair relationship with the electrode pads of the plurality of semiconductor chip groups 85.

프로우브장치에는 멀티레이 아우트 칩군(85)내의 칩수 및 배열이나 각 반도체칩(85a)의 사이즈등에 관한 각종 데이타가 미리 기억된다. 반도체칩군(85)을 동시에 검사하기위한 프로우브 카드의 침은 이들의 데이타에 따라서 설치되어 있다. 이와같은 프로우브 카드의 침위치고정을 하는 경우는 상기 데이타를 이용하여 반도체칩군(85)의 중에 적당한 1개칩(85a)의 중심(85b)과, 이것에 대응하는 프로우브 카드의 위치를 맞추도록 조작이 행해진다.In the probe apparatus, various data relating to the number and arrangement of chips in the multilayer outer chip group 85, the size of each semiconductor chip 85a, and the like are stored in advance. Probe cards needles for simultaneously inspecting the semiconductor chip group 85 are provided in accordance with these data. In the case of fixing the needle position of such a probe card, the data is used to align the center 85b of one suitable chip 85a in the semiconductor chip group 85 with the position of the corresponding probe card. The operation is performed.

이상 본발명을 반도체 웨이퍼의 프로우브장치를 예로 들어 기술하였으나, 본발명은 LCD기판의 프로우브장치등, 프로우브 카드를 사용하여 검사를 하는 다른 프로우브장치에도 동일하게 적용할수가 있다.Although the present invention has been described using a probe device of a semiconductor wafer as an example, the present invention can be equally applied to other probe devices that are inspected using a probe card, such as a probe device of an LCD substrate.

Claims (6)

카드 부착부의 중심에 정렬되도록 침중심을 가지는 프로우브카드를 장착하기 위한 카드 부착부와, 상기 카드부착부에 대하여 이루어야할 각방향 분배의 조건과, 3차원 좌표내를 이동가능하며 상기 카드부착부에 대향하도록 검사대상을 재치하는 재치대와, 상기 재치대에 부착되어 프로우브침을 이미지인식하기 위한 제1의 광학적 검출수단과, 상기 재치대에 부착되어 반도체장치를 이미지인식하기 위한 제2의 광학적 검출수단과, 상기 재치대의 동작을 제어하는 제어기 및, 프로우브침을 통하여 각 반도체장치로 시험신호를 보내는 테스터를 포함하는 프로우브 장치내에서, 다수개의 반도체장치가 배치된 검사대상을 프로우빙하기 위한 다수개의 프로우브침을 가지는 프로우브카드의 위치고정 방법으로서; 절대좌표상에 있어서의 상기 카드부착부의 중심위치와 상기 프로우브카드에 있어서의 상기 프로우브침 사이의 상대 위치를 제어기에 기억시키는 공정과, 상기 카드부착부상에 상기 프로우브카드를 부착하는 공정과, 상기 카드부착부의 상기 중심위치와 상기 제어기내에 기억된 상기 프로우브침의 상기 상대위치를 참조하여, 상기 제1광학적 검출수단에 의하여 상기 프로우브침의 제1 및 제2기준프로우브침을 각각 이미지 인식하도록 상기 제어기에 의하여 상기 재치대를 이동하며, 상기 제어기내에 상기 절대좌표상의 상기 제1 및 제2기준침의 위치를 검출 및 기억하는 공정과, 상기 제어기내에 기억된 상기 프로우브침의 상기 상대위치를 참조하여 상기 제어기로서 상기 제1 및 제2기준 프로우브침에 대한 상기 침중심의 상대위치를 산출하는 공정과, 상기 프로우브침 중심의 상기 상대위치 및 상기 절대좌표상의 상기 제1 및 제2기준 프로우브침의 상기 위치에 근거하여, 상기 제어기로 상기 절대좌표상의 상기 프로우브침 중심의 위치를 산출하는 공정, 및 상기 절대좌표상에 있어서의, 상기 카드부착부의 중심위치에 대한 상기 침중심 위치의 위치오차, 및 상기 각방향 분배에 있어서의 상기 프로우브카드의 편차를 상기 제어기에서 산출함으로써 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 프로우브침의 위치를 고정하는 공정을 구비하는 프로우브장치에 있어서의 침위치 고정방법.A card attachment portion for mounting a probe card having a needle center so as to be aligned with the center of the card attachment portion, angular distribution conditions to be made with respect to the card attachment portion, and moveable in three-dimensional coordinates; A mounting table on which the inspection object is placed so as to face the first object, first optical detection means attached to the mounting table for image recognition of the probe needle, and a second optical device attached to the mounting table for image recognition of the semiconductor device. Probing an inspection object in which a plurality of semiconductor devices are arranged in a probe device including an optical detection means, a controller for controlling the operation of the mounting table, and a tester for sending a test signal to each semiconductor device through a probe probe. A method of fixing a position of a probe card having a plurality of probe needles for performing; Storing in the controller a relative position between the center position of the card attachment portion on the absolute coordinate and the probe needle on the probe card, and attaching the probe card on the card attachment portion; By referring to the center position of the card attachment portion and the relative position of the probe needle stored in the controller, the first and second reference probe needles of the probe needle are respectively made by the first optical detecting means. Moving the mounting table by the controller to recognize an image, detecting and storing positions of the first and second reference needles on the absolute coordinates in the controller, and the probe needles stored in the controller. Calculating a relative position of the needle center with respect to the first and second reference probe needles as the controller with reference to the relative position; Calculating a position of the probe needle center on the absolute coordinate based on the relative position of the probe position center and the positions of the first and second reference probe needles on the absolute coordinate; And calculating the position error of the needle center position with respect to the center position of the card attaching portion and the deviation of the probe card in the angular distribution in the absolute coordinates on the absolute coordinates. The needle position fixing method in a probe device provided with the process of fixing the position of the said probe needle in the said probe. 제1항에 있어서, 상기 검사대상은 반도체 웨이퍼를 포함하여 구성되며, 상기 반도체 장치는 상기 프로우브침과 각각 접촉하는 전극패드를 가지는 IC 칩을 포함하여 구성되는 방법.The method of claim 1, wherein the inspection object comprises a semiconductor wafer, and the semiconductor device comprises an IC chip having electrode pads respectively in contact with the probe needle. 제1항에 있어서, 상기 프로우브침은 상기 반도체 장치의 다수개와 동시에 한번에 접촉하는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein the probe needle is in contact with a plurality of the semiconductor devices at the same time. 다수개의 프로우브침을 가지는 프로우브카드와, 카드 부착부의 중심에 정렬되도록 침중심을 가지는 프로우브 카드를 장착하기 위한 카드 부착부와, 상기 카드부착부에 대하여 이루어야할 각방향 분배의 조건과, 3차원 좌표내를 이동가능하며 상기 카드부착부에 대향하도록 검사 대상을 재치하는 재치대와, 상기 재치대에 부착되어 프로우브침을 이미지 인식하기 위한 제1의 광학적 검출수단과, 상기 재치대에 부착되어 반도체장치를 이미지인식하기 위한 제2의 광학적 검출수단과, 상기 재치대의 동작을 제어하는 제어기 및, 프로우브침을 통하여 각 반도체장치로 시험신호를 보내는 테스터를 포함하는 프로우브 장치내에서, 다수개의 반도체장치가 배치된 다수개의 검사대상을 프로우빙하는 방법으로서, 절대좌표상에 있어서의 상기 카드부착부의 중심위치와, 상기 프로우브 카드에 있어서의 상기 프로우브침 사이의 상대 위치를 제어기에 기억시키는 공정과, 상기 카드부착부상에 상기 프로우브카드를 부착하는 공정과, 상기 카드부착부의 상기 중심위치와 상기 제어기내에 기억된 상기 프로우브침의 상기 상대위치를 참조하여, 상기 제1광학적 검출수단에 의하여 상기 프로우브침의 제1 및 제2 기준프로우브침을 각각 이미지 인식하도록 상기 제어기에 의하여 상기 재치대를 이동하며, 상기 제어기내에 상기 절대좌표상의 상기 제1 및 제2 기준침의 위치를 검출 및 기억하는 공정과, 상기 제어기내에 기억된 상기 프로우브침의 상기 상대위치를 참조하여 상기 제어기로서 상기 제1 및 제2 기준 프로우브침에 대한 상기 침중심의 상대위치를 산출하는 공정과, 상기 프로우브침 중심의 상기 상대위치 및 상기 절대좌표상의 상기 제1 및 제2기준 프로우브침의 상기 위치에 근거하여, 상기 제어기로 상기 절대좌표상의 상기 프로우브침 중심의 위치를 산출하는 공정과, 상기 절대좌표상에 있어서의, 상기 카드부착부의 중심위치에 대한 상기 침중심 위치의 위치오차, 및 상기 각방향 분배에 있어서의 상기 프로우브카드의 편차를 상기 제어기에서 산출함으로써 상기 절대좌표상에 있어서의 상기 프로우브침의 위치를 고정하는 공정, 및 상기 재치대상에 상기 검사대상을 각각 장착하고, 상기 재치대를 이동함으로써 상기 반도체장치와 상기 프로우브침을 접촉시키고, 상기 테스터에 의하여 상기 반도체장치의 전기적 특성을 검사하는 공정을 포함하여 구성되며, 상기 각 검사대상의 상기 반도체장치들의 위치는 상기 제2광학적 검출수단에 의하여 검출되며, 각 검사대상은 상기 반도체장치의 상기 검출위치를 참조하여 상기 재채대를 이동함으로써 상기 프로우브침과 정렬되며, 상기 반도체장치의 위치들이 각 검사대상마다 검출되고, 상기 프로우브침의 상기 고정위치는 상기 검사대상의 상기 정렬에 있어서 공통적으로 사용되는 것을 특징으로 하는 프로우브 방법.A card attachment portion for mounting a probe card having a plurality of probe needles, a probe card having a needle center so as to be aligned with the center of the card attachment portion, and conditions for angular distribution to be made with respect to the card attachment portion; A mounting table for placing the inspection object so as to be movable in three-dimensional coordinates so as to face the card attachment portion, first optical detection means attached to the mounting table for image recognition of the probe needle, and the mounting table. In a probe device comprising a second optical detection means attached to recognize the semiconductor device, a controller for controlling the operation of the mounting table, and a tester for sending a test signal to each semiconductor device through a probe probe, A method of probing a plurality of inspection targets in which a plurality of semiconductor devices are arranged, the method comprising: Storing a core position and a relative position between the probe needles on the probe card, attaching the probe card on the card attachment portion, the center position of the card attachment portion, The placement by the controller to recognize the first and second reference probe needles of the probe needle, respectively, by the first optical detection means with reference to the relative position of the probe needle stored in the controller. Moving the table and detecting and storing positions of the first and second reference needles on the absolute coordinates in the controller, and referring to the relative positions of the probe needles stored in the controller, Calculating a relative position of the needle center with respect to the first and second reference probe needles, the relative position of the probe needle center and Calculating a position of the center of the probe needle on the absolute coordinate based on the positions of the first and second reference probe needles on the absolute coordinate, and on the absolute coordinate, The position of the probe needle on the absolute coordinate is fixed by calculating the position error of the needle center position with respect to the center position of the card attachment portion and the deviation of the probe card in the angular distribution by the controller. And attaching the inspection object to the placement object, and moving the placement table to contact the semiconductor device with the probe needle, and inspecting the electrical characteristics of the semiconductor device by the tester. The positions of the semiconductor devices of the respective inspection targets are detected by the second optical detection means, The inspection object is aligned with the probe needle by moving the sneeze with reference to the detection position of the semiconductor device, the positions of the semiconductor device are detected for each inspection object, and the fixed position of the probe needle is Probe method, characterized in that commonly used in the alignment of the inspection object. 제4항에 있어서, 상기 검사대상은 반도체 웨이퍼를 포함하여 구성되며, 상기 반도체 장치는 상기 프로우브침과 각각 접촉하는 전극패드를 가지는 IC 칩을 포함하여 구성되는 방법.The method of claim 4, wherein the inspection object comprises a semiconductor wafer, and the semiconductor device comprises an IC chip having electrode pads respectively in contact with the probe needle. 제4항에 있어서, 상기 프로우브침은 상기 반도체 장치의 다수개와 동시에 한번에 접촉하는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 4, wherein the probe needle is in contact with a plurality of the semiconductor devices at the same time.
KR1019940007944A 1993-04-15 1994-04-15 Needle position fixing method and probe method in a probe device KR100262901B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-112237 1993-04-15
JP11223793 1993-04-15
JP94-55260 1994-02-28
JP5526094A JPH06349910A (en) 1993-04-15 1994-02-28 Needle alignment method for probe card

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100262901B1 true KR100262901B1 (en) 2000-09-01

Family

ID=26396151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940007944A KR100262901B1 (en) 1993-04-15 1994-04-15 Needle position fixing method and probe method in a probe device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH06349910A (en)
KR (1) KR100262901B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101438098B1 (en) 2014-03-20 2014-09-12 피앤티솔루션 주식회사 Probe card align device of fpcb

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7361258B2 (en) * 2019-11-19 2023-10-16 株式会社東京精密 Prober assembly method and teaching jig
CN113805025B (en) * 2020-06-01 2024-10-11 均豪精密工业股份有限公司 Photoelectric detection system and method for detecting grains
JP7638723B2 (en) 2021-02-18 2025-03-04 東京エレクトロン株式会社 Inspection device setup method and inspection device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101438098B1 (en) 2014-03-20 2014-09-12 피앤티솔루션 주식회사 Probe card align device of fpcb

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06349910A (en) 1994-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5539676A (en) Method of identifying probe position and probing method in prober
US5422579A (en) Method of identifying probe position and probing method in prober
US5657394A (en) Integrated circuit probe card inspection system
KR100196195B1 (en) Probe card
KR100248569B1 (en) Probe system
US6239590B1 (en) Calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems
US5777485A (en) Probe method and apparatus with improved probe contact
US5410259A (en) Probing device setting a probe card parallel
KR100283856B1 (en) Probe Device and Probe Card
US4918374A (en) Method and apparatus for inspecting integrated circuit probe cards
US5172053A (en) Prober apparatus
EP0675366A2 (en) Probe system and probe method
KR102479608B1 (en) Contact accuracy assurance method, contact accuracy assurance mechanism, and inspection device
JP2003324133A (en) Planarization device and method for obtaining planarity of probe card
JP3156192B2 (en) Probe method and apparatus
US7977957B2 (en) Method and apparatus for electrical testing of a unit under test, as well as a method for production of a contact-making apparatus which is used for testing
US5124931A (en) Method of inspecting electric characteristics of wafers and apparatus therefor
KR100262901B1 (en) Needle position fixing method and probe method in a probe device
US5113132A (en) Probing method
JP2004063877A (en) Wafer-positioning correction method
KR100325904B1 (en) Flip-chip bonding method and apparatus
JPH0794561A (en) Probe unit
JPH05218150A (en) Probe card
JP2913609B2 (en) Probing apparatus, probing method and probe card
JPH08327658A (en) Board inspection equipment

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19940415

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19970830

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19940415

Comment text: Patent Application

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20000225

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20000509

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20000510

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030424

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040423

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050422

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060502

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070424

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080425

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090424

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100427

Start annual number: 11

End annual number: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110421

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110421

Start annual number: 12

End annual number: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20130409