KR100245658B1 - 자기 저항 효과형 자기 헤드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

외부에 접속하는 전극과 전기적으로 접속하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 MR 소자를 거치지 않고 단락하는 단락 회로를 마련하여 소자 형성 공정 등에 발생하는 정전기를 단락 회로를 거쳐 흘리는 것에 의해, MR 소자의 파괴 및 자기 저항효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 기판에서의 슬라이더 절단 후에는 상부 및 하부 실드막을 저항을 거쳐 단락하는 단락부를 마련한 것에 의해, 기판 절단 후의 조립 공정 및 반공 공정 등에 발생하는 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다.

따라서, 자기 저항 효과(MR) 소자 형성에서 MR 헤드를 장치에 탑재하기까지의 정전 파괴를 방지하고, MR 헤드 및 기록 재생 분리형 자기 헤드를 높은 수율로 제작할 수 있는 자기 저항 효과형 자기 헤드 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.

Description

자기 저항 효과형 자기 헤드 및 그의 제조 방법

본 발명은 자기 디스크 장치 등에 적용되는 자기 저항 효과형 자기 헤드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 자기 저항 효과를 소자의 정전 파괴를 방지할 수 있는 자기 저항 효과형 자기 헤드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 자기 저항 효과 소자를 사용한 자기 저항 효과형 자기 헤드(이하, MR 헤드라 함)은 자기 저항 효과형 막의 전기 저항이 자기 기록 매체에서의 자계에 따라 변환하는 특성을 이용하고 있으므로, 재생 출력이 자기 기록 매체와 헤드 사이의 상대 속도에 의존하지 않고 재생 감도가 높은 특성을 갖고 있다. 이 때문에, MR 헤드는 자기 디스크 장치나 자기 테이프 장치를 고밀도화·소형화하기 위해서는 매우 유리하고, 이 재생 전용 MR 헤드와 기록용 유도형 박막 자기 헤드를 조합한 기록 재생 분리형 자기 헤드의 개발이 많이 실행되고 있다.

이 종래 기술에 의한 기록 재생 분리형 자기 헤드를 매체 대향면 측에서 본 제12도 및 기록 재생 분리형 자기 헤드의 사시도를 도시한 제13도를 참조하여 설명한다. 도면에 도시한 종래 기술에 의한 기록 재생 분리형 자기 헤드는 알루미나 등의 절연층상에 재생용 MR 헤드 및 기록용 유동형 박막 자기 헤드를 적층한 구조로 되어 있다. 그 기록용 MR 헤드는 제12도 및 제13도에 도시한 바와 같이, 상부 실드막(6) 및 하부 실드막(5), 그 실드막(5), (6) 사이에 배치된 자기 저항 효과막(이하, MR 막이라 함) 및 바이어스막으로 이루어지는 MR 소자(111), 그 MR 소자(111)의 양단에 형성된 전극(3), (3'), 하부 갭막(13) 및 상부 갭막(14) 등으로 구성되어 있다. 이 MR 헤드를 구성하는 각 막은 매우 얇고, 예를 들면 MR막은 수십 nm, 하부 갭막(13) 및 상부 갭막(14)는 각각 100 내지 300nm 정도이고, 이들 막 두께는 고밀도화와 함께 더욱 얇게 되는 경향에 있다. 또한, 기록용 유도형 박막 자기 헤드는 상부 코어(12)와 상부 실드막(6) 사이에 감겨 있는 자기 코일(11)과 도시하지 않은 단자 등으로 구성되고, 이들 막두께도 고밀화에 따라 얇게 되는 경향에 있다. 또한, 도면중, (4)는 기판, (16)은 상기 각 헤드를 끼워 넣는 알루미나 등의 절연층을 나타내고 있다.

이들 기록 재생 분리형 자기 헤드는 제6도에 도시한 바와 같이, 원반 형상의 기판(4)상에 다수 동시에 형성된 자기 헤드 소자(이하, 기판상에 형성된 단계의 것을 헤드 소자라 함)(60)을 소자 에리어(61) 마다 절단 및 연마 등에 의해 하나 하나 분리, 가공함으로써, 자기 디스크 상을 공기 점성류에 의해 부상하는 슬라이더(100)를 작성한다.

이 재생용 MR 헤드 또는 기록용 유도형 박막 자기 헤드를 적층한 기록 재생 분리형 자기 헤드를 제조하기 위한 큰 과제는 MR 헤드 소자가 정전 파괴되는 것이다. 이것은 상술한 바와 같이, MR 헤드를 구성하는 각막이 매우 얇은 것에 의한다. MR 헤드의 정전 파괴에 대해서는 예를 들면, 일본국 특허 공개 공보 소화 61-77114호에 기재되어 있다. 이 공보에서는 전극을 끼우는 한 쌍의 실드 사이를 서로 등전위로 되도록 접속하고, 실드 사이에서의 전위차를 없게 하는 것에 의해 방전을 방지하여 MR 소자의 파괴를 방지하고 있다. 본 구조는 MR 헤드가 자기 디스크 등의 매체상을 주행하고 있는 때에 발생하는 정전하가 MR 소자 및 실드막에 축적하고, 이 축적된 전하가 MR 소자와 실드 사이에서 방전하여 MR 소자와 실드 사이가 절연 파괴되는 것을 방지하는 것을 목적으로 하고, 자기 디스크 매체 주행중 오동작이나 매체상에 기록된 정보가 파괴되는 등의 헤드 사용시의 정전 파괴를 방지하기 위해서는 유효하다고 생각된다.

그러나, 상술한 종래 기술에 의한 기록 재생 분리형 자기 헤드는 헤드 소자의 작성, 헤드의 가공 내지 조립시에 발생하는 정전 파괴에 대해서 고려하지 않아, 자기 헤드의 제조 가공시 다른 공정에 있어서 MR 소자의 파괴를 초래하는 불합리가 있었다. 이 헤드 소자 작성시 등에 발생하는 MR 소자의 정전 파괴에 대해서 제7도를 참조하여 이하 설명한다.

이 제7도 및 제6도에 도시한 기판(4)상에 MR 소자 형성중 세정 공정에 있어서 워터 제트를 사용한 경우의 MR 소자로의 대전을 설명하기 위한 개략도이다. 본도는 기판(4)상에 절연층(16) 및 하부 갭막(13)을 마련하고, 그 하부 갭막(13)상에 상부 갭막(14)을 포토리소그래피 기술과 이온 밀링을 사용한 드라이 에칭에 의해 작성하고, 전극(3) 및 (3')의 단자부에 스루 홀을 형성하고, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 사용하여 이물이나 더러움을 제거하는 공정을 도시하고 있다. 이 공정에 있어서는 워터 제트 노즐(71)에서 솟구치는 고압의 물과 MR 소자가 형성되어 있는 기판(4)이 상대적으로 고속 회전하고 있으므로, 이 기판(4)의 표면과 물의 연마에 의해 전하(72)가 발생하여 MR 소자 표면에 다수의 전하(72)가 남고, 전극(3) 및 (3')의 단자부를 통하여 MR 소자 전체에 전하(72)가 축적된다.

이 공정후, MR 소자의 정특성 측정 등을 위해 전극(3) 또는 전극(3')의 어느 한쪽을 어스 접지한 경우, MR 소자에 축적된 전하(72)가 외부로 방전되고, 이때에 전극(3) 또는 전극(3')의 어느 한쪽의 어스에 접지되지 않은 측에서 MR막을 통한 어스측으로 대전류가 흐르고, MR막의 발열 및 파괴 내지 바이스어스막과의 확산에 의한 저항값 증대라고 하는 불합리를 초래할 가능성이 있었다.

또한, 이들 공정에 있어서는 전극(3) 및 (3')의 단자부에 스루 홀을 형성한 후도, 포토리소그래피 기술을 사용한 공정의 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 공정이 다수 있어, MR막의 저항 증대나 MR 막의 용단이라고 하는 형상을 일으킬 위험성이 있었다. 또한 기판(4)의 절단 등의 가공시 및 가공 후의 이물이나 더러움을 제거하는 세정에도 마찬가지로 워터 제트 세정 방법이 채용되고 있어, MR막의 저항 증대나 MR 막의 용단이라고 하는 현상을 일으킬 위험성이 있었다. 또한, MR 소자 형성 및 가공/조립 중에 있어서의 운반이나 보관시에도 대기 중의 전하가 MR 소자나 MR 헤드를 축적되고, 전극(3) 및 (3')의 단자부의 어느 한쪽이 어스 접지된 경우, 상술한 대전류가 MR막으로 흘러서, MR막의 저항 증대나 MR막의 용단이라고 하는 현상을 일으킬 불합리를 초래할 가능성이 있었다.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술에 의한 불합리를 제거하는 것으로, 제조/반송 공정 등에 있어서도 자기 저항 효과 소자 등의 정전 파괴를 방지할 수 있는 자기 저항 효과형 헤드 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 높은 수율의 제조를 가능하게 함과 동시에 자기 디스크 장치 등의 장치에 탑재할 때까지 정전 파괴를 방지할 수 있는 자기 저항 효과형 헤드 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 자기 저항 효과막 및 바이어스막으로 이루어진 자기 저항 효과 소자, 그 자기 저항 효과 소자의 외부 자계 변화에 의한 저항값의 변화를 검출하기 위한 2개의 전극, 및 이들 자기 저항 효과 소자 및 2개의 전극을 끼워 유지하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 구비하는 자기 저항 효과형 자기 헤드에 있어서, 상기 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 2개의 전극 사이를 단락하는 단락 회로를 마련하는 것을 제1 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 자기 저항 효과막 및 바이어스막으로 이루어진 자기 저항 효과 소자, 그 자기 저항 효과 소자의 외부 자계 변화에 의한 저항값의 변화를 검출하기 위한 2개의 전극, 및 이들 자기 저항 효과 소자 및 2개의 전극을 끼워 유지하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 구비하는 자기 저항 효과형 자기 헤드에 있어서, 상기 전극의 한쪽이 상부 실드막과 전기적으로 접속함과 동시에 다른쪽 전극이 하부 실드막과 전기적으로 접속하고, 또한 상부 실드막 및 하부 실드막을 자기 저항효과 소자를 거치지 않고 전기적으로 단락하는 단락 회로를 마련하는 것을 제2도 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 제1도 또는 제2도 특징을 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드에 있어서, 상기 단락 회로의 저항값을 자기 저항 효과 소자의 저항값의 1/10 이하로 하는 것을 제3 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 자기 저항 효과막 및 바이어스막으로 이루어진 자기 저항효과 소자, 그 자기 저항 효과 소자의 외부 자계 변화에 의한 저항값의 변화를 검출하기 위한 2개의 전극, 및 이들 자기 저항 효과 소자 및 2개의 전극을 끼워 유지하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 구비하는 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조법에 있어서, 상기 2개의 전극 사이를 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락하는 단락 회로를 마련하고, 그 단락 회로에 의해 2개의 전극 사이를 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락한 상태에서 자기 저항 효과 소자 형성 내지 자기 헤드의 조립을 실행하는 것을 제4 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 자기 저항 효과막 및 바이어스막으로 이루어진 자기 저항 효과 소자, 그 자기 저항 효과 소자의 외부 자계 변화에 의한 저항값의 변화를 검출하기 위한 2개의 전극, 및 이들 자기 저항 효과 소자 및 2개의 전극을 끼워 유지하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 구비하는 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법에 있어서, 상기 전극의 한쪽이 상부 실드막과 전기적으로 접속함과 동시에 다른쪽 전극이 하부 실드막과 전기적으로 접속하고, 또한 상부 실드막 및 하부 실드막을 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 전기적으로 단락하는 단락 회로를 마련하고, 그 단락 회로에 의해 2개의 전극 사이를 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락한 상태에서 자기 저항 효과 소자 형성 내지 자기 헤드의 조립을 실행하는 것을 제5도 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 제4도 및 제5도 특징에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법에 있어서, 단락 회로의 저항값을 자기 저항 효과 소자의 저항값의 1/10 이하로 하는 것을 제6도 특징으로 한다.

상기 제1도 특징에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 2개의 전극 사이를 단락하는 단락 회로를 마련하는 것에 의해, 소자 형성 공정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 정전 파괴를 방지할 수 있다.

상기 제2도 특징에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 각각 전극과 전기적으로 접속하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락 하는 단락 회로를 마련한 것에 의해, 소자 형성 공정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다.

상기 제3도 특징에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 제1도 및 제2도 특징에 의한 단락 회로의 저항값을 자기 저항 효과 소자의 저항값의 1/10 이하로 하는 것에 의해, 대전한 정전기가 주로 단락 회로를 거쳐 흐르고, 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다.

상기 제4도 특징에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법은 전극 사이를 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락하는 단락 회로를 마련하고, 그 단락 회로에 의해 전극 사이를 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락한 상태에서 자기 저항 효과 소자 형성 내지 자기 헤드의 조립을 실행하는 것에 의해, 소자 형성 고정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정진기에 의한 자기 저항 효과 소자의 정전 파괴를 방지할 수 있다.

상기 제5도 특징에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법은 각각 전극과 전기적으로 접속하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락하는 단락 회로를 마련하는 것에 의해, 소자 형성 공정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정진기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다.

상기 제6도 특징에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법은 제4도 및 제5도 특징에 의한 단락 회로의 저항값을 자기 저항 효과 소자의 저항값의 1/10 이하로 하는 것에 의해, 대전한 정전기가 주로 단락 회로를 거쳐 흘러서, 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다.

제1도는 본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 일실시예를 도시한 사시도.

제2도는 제1도에 도시한 자기 저항 효과형 자기 헤드를 포함하는 기록 재생 분리형 자기 헤드의 사시도.

제3도는 본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제2 실시예를 도시한 사시도.

제4도는 제3도에 도시한 자기 저항 효과형 자기 헤드를 포함하는 기록 재생 분리형 자기 헤드의 사시도.

제5도는 본 발명의 일시예에 의한 기록 재생 분리형 자기 헤드의 단면도.

도6은 기판상에 형성된 자기 헤드 소자의 확대도.

제7도는 정전 파괴에 이르는 저항 분포를 설명하기 위한 도면.

제8도는 가공 중 기록 재생 분리형 자기 헤드의 사시도.

제9도는 가공 중 기록 재생 분리형 자기 헤드의 사시도.

제10도는 자기 헤드 슬라이더외 조립 후 사시도.

제11도는 본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 등가 회로를 도시한 도면.

제12도는 종래 기술에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 등가 회로를 도시한 도면.

제13도는 종래 기술에 의한 기록 재생 분리형 복합 헤드의 사시도.

제14도는 본 발명에 의한 기록 재생 분리형 자기 헤드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

21 : MR 소자 22 : 하부 실드막

23 : 상부 실드막 26 : 단락선

이하, 본 발명의 일실시예에 의한 자기 저항 효과형 헤드 및 그의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

먼저, 본 발명의 원리에 대하여 제11도를 참조하여 설명한다.

[원리 설명]

제11(a)도는 자기 저항 효과형 자기 헤드 소자(MR 헤드 소자)의 제조 공정에 있어서의 기판 절단 전의 등과 회로를 도시하고, 제11(b)도는 기판 절단 후의 등가회로를 도시하고 있다.

본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드에 있어서의 MR 헤드 소자 및 주변회로의 등가 회로는 제11(a)도에 도시한 바와 같이, MR 소자(21)의 양단을 각각 상부 실드막(23) 및 하부 실드막(22)의 한쪽에 접속하고, 또한 상부 실드막(23)과 하부 실드막(22)의 다른쪽 끼리를 단락선(26)을 사용하여 접속하도록 구성한다. 상기 MR 소자(21)는 MR막과 MR막에 바이어스를 인가하는 바이어스막을 이루어지고, 각각의 막두께가 수십nm, 트랙폭이 수㎛ 내지 수십 ㎛, MR막 높이가 수㎛ 정도이고, 이 부분의 저항값 RM은 수십 옴이다. 또한, 상부 실드막(23) 및 하부 실드막(22)은 NiFe의 파마로이로 막두께를 수㎛ 정도로 구성되고, 크기를 거의 정방형으로 하고 있으므로 각 실드막의 저항값 R2 및 R1은 1옴 이하로 된다.

본 발명에 의한 MR 헤드 소자 및 주변 회로는 이와 같이 상부 실드막(23) 및 하부 실드막(22)을 단락선(26)을 사용하여 접속하는 것에 의해, MR 단자(27) 사이에 정전기에 의한 전류가 흘렀다고 하여도, MR 소자(21)의 1쌍의 전극 및 그 근방에 축적한 전하가 상부 실드막(23)과 하부 실드막(22) 사이의 단락선(26)을 통하여 전류 I2흐르는 것에 의해, MR 소자(21)(감자부)에 흐르는 전류 I1을 매우 작은 전류로 할 수 있고, 이것에 의해 기판 절단 전의 공정에 있어서 MR 소자(21)의 정전 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 실드막(22) 또는 (23)과 MR 소자(21) 사이에 생기는 전위차에 의한 절연 파괴에 대해서도 MR 소자(21)의 각 전극이 각각 양 실드(22) 및 (23)에 접지되어 있으므로, 실드와 MR 소자 사이에 생기는 전위차를 제로로 하여 절연 파괴를 방지할 수 있다.

제11(b)도는 기판 절단 후의 MR 헤드 소자 및 주변 회로의 등가 회로를 도시하고 있다. 본 회로는 제11(a)도의 상태에서 상기 단락선(26)을 절단하고, MR수자(21)의 양단을 각각 상부 실드막(23) 및 하부 실드막(22)의 한쪽에 접속하고, 다른 다수막을 접속하여 형성되는 저항(25)과 다른 다수의 막을 접속하여 형성되는 저항(24)을 거쳐 단락부(29)에 의해 접속 가능하도록 구성한다. 본 회로는 상부 실드막(23)과 하부 실드막(22)을 같은 재료 또한 같은 막두께로 하고, 인출되는 부분의 폭을 수십㎛, 길이를 수백㎛ 정도로 하는 것에 의해, 인출되는 부분의 저항값 R4, R3을 수 옴으로 한다.

본 발명에 의한 MR 헤드 소자 및 주변 회로는 이와 같이 기판 절단시에 단락선을(26)을 절단하고, 또한 기판상의 상부 실드막 및 하부 실드막을 서로 접속한 단부를 단락부(29)에 의해 접속하는 것에 의해, MR 단자(27) 사이에 정전기에 의한 전류가 흘렀다고 하여도, MR 헤드 소자(21)의 1쌍의 전극 및 그 근방에 축적한 전하가 상부 실드막 외에서 형성되는 저항(25) 및 하부 실드막 외에서 형성되는 저항(24)를 통하여 전류 I3으로서 흐르므로, MR 소자(21)(감자부)에 흐르는 전류 I1을 매우 작은 전류로 할 수 있다. 이 전류 I1은 엄밀하게 MR 소자(21)(감자부)와 인출부분의 저항비분만큼 흐르지만, 인출 부분의 저항값이 감자부의 저항값의 1/10 이하이므로, 거의 무시할 수 있다. 또한, 실드막과 MR 소자 사이에 생기는 전위차에 의한 절연 파괴에 대해서도 상기 마찬가지로 절연 파괴를 방지할 수 있다.

이와 같이, 본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 그의 제조 공정에 있어서 기판 절단 전은 하부 및 상부 실드막을 단락하는 것에 의해 불필요한 전하가 MR 소자(21)에 많이 흐르는 것을 방지하고, 기판 절단 후는 기판상의 복수의 자기 헤드 소자의 하부 및 상부 실드막을 각각 접속하고 또한 단락하는 것에 의해 불필요한 전하가 MR 소자(21)에 많이 흐르는 것을 방지하는 것이다. 단, 상기 상부 실드막과 하부 실드막의 접속부는 헤드 완성후 남아 있어도 재생 출력 검출용 전류가 MR 소자로 분류된 전류밖에 흐르지 않으므로, 가공 중에 제거되는 장소에 형성하여 둘 필요가 있다. 또한, 상부 실드막 및 하부 실드막의 접속부를 절단한 후, 구체적으로는 슬라이더 가공하고, 또한 서스펜션을 설치하는 등의 헤드 조립 공정에서는 소자구조가 상부 실드와 하부 실드의 일부를 노출시키는 구조이고, 그 부분을 접속하고 양 실드에 의한 보호 회로를 구성하면서 가공 내지 조립을 실행할 필요가 있고, 이하 구체예를 상술한다.

[MR 소자 형성시의 정전 파괴를 방지하는 예1]

상기 원리에 따른 자기 저항 효과형 헤드 및 그의 제조 방법의 일시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드(MR 헤드)의 확대 사시도이고, 제5(a)도 내지 제5(c)도는 제1도에 도시한 MR 헤드의 단면을 도시한 도면이다. 본 예에 의한 MR 헤드는 제1도에 기재한 바와 같이, 제조 공정에 있어서의 기판 절단 전의 기판상 회로에 있어서 상부 실드막(6)의 일단을 구부려서 하부 실드막(5)의 일단과 접속한 접속부(17)를 마련한 것에 의해, 제11도에 도시한 단락 회로(26)를 형성하여, MR 단자 사이에 정전기에 의한 전류가 흘렀다고 하여도, MR 소자 등이나 전극(3) 및 (3')와 그 근방에 축적한 전하가 상기 상하 실드막의 접속부(17)를 거친 전류가 흐르는 것에 의해 MR막(1)이나 션트 바이어스막(2)에 흐르는 전류를 매우 작은 전류로 할 수 있고, 이것에 의해 기판 절단 전의 공정에 있어서 MR 소자의 정전 파괴를 방지할 수 있다.

이 MR 헤드는 제5(a)도와 같은 다층 구조를 형성하고, 이하에 도시한 공정에 의해 제조한다.

(1) 기판(4)상에 알루미나 등의 절연층(16)을 스퍼터링에 의해 성막한다.

(2) 이 절연층(16) 표면의 면 거칠기를 작게 하기 위한 랩을 실행하고, 랩 후의 이물 또는 더러움을 제거하기 위해 상술한 워터 제트 세정을 실행한다.

(3) 이 세정 후의 절연층(16)상에 하부 실드막(5)을 형성한다. 이 하부 실드막(5)은 NiFe 합금 박막으로 스퍼터링에 의해 성막하고, 포토리소그래피 기술 및 이온 밀링 기술을 사용한 드라이 에칭에 의해 소정의 형상으로 한 후, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 형성된다. 이 하부 실드막(5)의 막두께는 1㎛이다.

(4) 다음에 하부 실드막(5)상에 알루미나 등의 절연막을 스퍼터링하는 것에 의해 상부 갭막(13)을 형성한다. 이 하부 갭막(13)의 막두께는 200nm로 한다.

(5) 또한 하부 갭막(13)상에 MR 소자의 감자부인 MR막(1) 및 그 MR막(1)에 바이어스를 인가하기 위한 션트 바이어스막(2)을 형성한다. 이들 MR막(1) 및 션트 바이어스막(2)의 형성은 연속으로 스퍼터링에 의해 성막한 후에 포토리소그래피 기술 및 이온 밀링 기술을 사용한 드라이 에칭에 의해 초기의 MR 높이를 4㎛로 한 소정 형상으로 작성하고, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 실행된다. 이 MR막(1)은 NiFe 합금 박막으로 막두께를 25nm로 하고, 션트 바이어스막(2)은 Nb 박막으로 막두께를 30nm로 한다.

(6) 본 실시 형태에 의한 MR 헤드의 형성 공정에 있어서는 이들로 부터 형성되는 전극과 이미 형성되어 있는 하부 실드막(5)을 접속하기 위해, 하부 갭막(13)에 포토리소그래피 기술과 이온 밀링 기술을 사용한 드라이 에칭에 의해 소정의 위치에 창(7)(제1도 참조)을 형성한 후, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 사용하여 이물이나 더러움을 제거한다.

(7) 다음에 그 MR 소자의 양단에 MR 소자의 저항 변화를 전압 변화로서 포착하기 위한 전극(3) 및 (3')를 형성한다. 이 전극 형성은 Au/Nb의 2층 박막을 스퍼터링을 의해 성막하고, 포토리소그래피 기술과 이온 밀링 기술을 사용한 드라이 에칭에 의해 트랙폭을 결정하는 전극(3) 및 (3')의 거리를 8㎛로 한 소정 형상으로 하고, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 실행된다. 이 전극(3), (3')의 막두께는 Au/Nb의 2층 박막이 각각 100nm/5nm로 하였다.

(8) 또한, 본 공정은 상부 갭막(14)을 알루미나 등의 절연막을 스퍼터링에 의해 성막한다. 이 상부 갭막(14)은 다음 공정에 의해 형성되는 상부 실드막(6)과 이미 형성되어 있는 전극(3')를 접속하기 위한 창(8)(제1도 참조)과 상부 실드막(6)과 하부 실드막(5)을 접속하기 위한 접속부(17)(제1도의 단락부)와를 (헤드 가공시에 제거되는 위치에) 포토리소그래피 기술 및 이온 밀링 기술을 사용한 드라잉 에칭에 의해 형성한 후, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 사용하여 이물이나 더러움을 제거한다. 이 상부 갭막(14)의 막두께는 하부 갭막(13)의 막두께와 같이 200nm로 한다.

(9) 본 공정은 최후에 상부로 실드막(6)을 스퍼터링에 의해 성막한다. 이 성막은 포토리소그래피 기술 및 이온 밀링 기술을 사용한 드라이 에칭에 의해 소정의 형상으로 한 후, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 실행된다. 이 상부 실드막(6)은 하부 실드막(5)과 같이 NiFe 합금 박막으로 막두께는 1㎛로 한다.

(10) 본 실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 이상의 공정을 거쳐 MR 소자를 제작하고, 이렇게 하여 완성된 MR 소자 각부의 저항은 MR 선단의 감자부에서 약 11Ω, 전극(3)에서 하부 실드막(5), 접속부(17), 상부 실드막(6)을 경유하여 전극 (3')까지의 부분이 약 0.4Ω으로 되고, 감자부에 대하여 약 1/27의 값으로 되어 있다.

이와 같이, 본 실시예에 의한 저항 효과형 자기 헤드는 상부 및 하부 실드막의 일단을 단락하는 접속부를 마련한 것에 의해, 기판 절단 전의 공정에 있어서의 MR 소자의 정전 파괴를 방지할 수 있다.

[유도형 박막 소자 형성 공정시의 정전 파괴를 방지하는 예1]

(11) 다음에, 상기 MR 소자상에 유도형 박막 자지 헤드를 형성하는 공정을 설명한다. 이 MR 소자상에 유도형 박막 자기 헤드를 형성한 구조의 기록 재생 분리형 자기 헤드의 개략 구성은 제2도에 도시한 사시도와 같이 상기 상부 실드막(6)상에 자기 회로를 구성하여 기록 자계를 발생하는 코일(11)을 감아서 형성하고, 이 위에 기록용 상부 코어(12)를 배치하는 것으로, 이하 상세히 설명한다.

본 공정에 있어서는 상술한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 상부 실드막(6)을 형성한 후에 제5도에 도시한 자기 회로의 자속을 발생하기 위한 기록용 갭막(15)을 형성한다. 이 기록용 갭막(15)은 알루미나 등의 절연막을 스퍼터링에 의해 성막하고, 포토리소그래피 및 이온 밀링 기술을 사용한 드라이 에칭에 의해 MR 헤드의 단자 형성용 스루 홀을 형성한 후, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 제작한다. 이 기록용 갭막(15)의 막두께는 600nm로 하였다.

(12) 이어서 전극(3')과 상부 실드막(6)을 접속하기 위한 창(8)의 단차를 평탄하게 하기 위해 포토레지스트를 도포 후에 열처리를 실행하여, 막두께를 3㎛로 한 절연층(도시하지 않음)을 형성한다.

(13) 그후, 기록 자계를 발생시키는 코일(11)을 형성한다. 이 형성은 스퍼터링에 의해 성막하고, 포토리소그래피 기술 및 이온 밀링 기술을 사용한 드라이 에칭에 의해 소정의 형상으로 한 후, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 실행된다. 이 코일(11)의 재질은 Cr/Au/Cr의 3층 박막으로 모든 막두께는 1.2㎛로 하였다.

(14) 또한 코일(11)과 기록용 상부 코어(12)를 절연하기 위해 포토레지스트를 도포 후에 열처리하여 막두께 5㎛의 절연층(도시하지 않음)을 형성한다.

(15) 이어서 기록용 상부 코어(12)를 형성한다. 이 형성은 스퍼터링에 의해 성막하고, 포토리소그래피 기술 및 이온 밀링 기술에 의한 드라이 에칭에 의해 소정의 형상으로 한 후, 포토레지스트 박리 후의 세정에 워터 제트를 거쳐 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 실행한다. 이 기록용 상부 코어(12)는 상부 실드막(6) 및 하부 실드막(5)과 같이 NiFe 합금 박막으로 막두께는 1.6㎛로 하였다.

(16) 다음에 단자 형성 공정과 보호막 형성 공정에 대하여 설명한다.

먼저, 상술한 공정에 의해 제작된 자기 저항 효과형 자기 헤드의 MR 헤드 단자부(51)(제5(a)도)의 위치에는 MR 헤드용 전극(3) 및 (3')의 단부, 그 전극(3) 및 (3')의 단부상에 마련된 상부 실드막(6) 단부(6'), 코일(11)의 단부(11'), 상부 코어(12)의 단부(12')가 적층되고 있고 마찬가지로 유도형 박막 자기 헤드에 있어서의 유도형 박막 자기 헤드 단자부(52)의 위치에는 상부 실드막(6)의 단부(6'), 코일(11)의 단부(11'), 상부 코어(12)의 단부(12')가 적층되어 있다.

이 MR 헤드 단자부(51)에서는 상기 상부 코어의 단부(12')상에 하부 전극(19)을 도금법에 의해 마련함과 동시에 유도형 박막 자기 헤드 단자부(52)에서도 상부 코어의 단부(12')상에 하부 단자(19)를 도금법에 의해 마련한다. 이 하부 전극(19)의 재질은 Cu로 막두께를 50㎛로 한다. 그후, 보호막(18)으로서 알루미나막을 스퍼터링에 의해 막두께 60㎛로 형성한다. 이 공정에 의해 기판 전면을 보호 알루미나막(18)로 덮고, 다음에 랩법에 의해 보호 알루미나막(18)을 연마하고, 이 랩 후의 세정에 워터 제트를 사용하여 이물이나 더러움을 제거하는 것에 의해 하부 단자(19)를 노출시킨다. 이 후, 노출한 하부 단자(19)상에 MR 헤드용의 상부 단자(30) 및 유도형 박막 자기 헤드용의 상부 단자(31)를 도금법에 의해 재질 Au를 사용하여 막두께를 10㎛로 하여 형성한다. 이상의 공정에 의해 기록 재생 분리형 자기 헤드 소자를 제조할 수 있다.

또한, 이들 제조 공정에 있어서, 막 및 소자의 형성중 반복하여 워터 제트 세정을 실행하는 것이지만, 본 실시예에 의한 기록 재생 분리형 자기 헤드는 상부 실드막(17) 및 하부 실드막(16)을 성단부에서 전기적으로 결합한 상태로 소자 형성을 실행하므로, 세정에 의한 정전기가 과대전한 경우라도 MR 소자를 거의 통과하지 않고 흐르므로, 정전기에 의한 MR 소자의 파괴 및 MR 소자와 양 실드 사이의 절연파괴를 방지할 수 있다.

[MR 소자 형성시의 정전 파괴를 방지하는 예2]

상기 실시예에 있어서는 상부 실드막(17) 및 하부 실드막(16)의 선단(자기 헤드 갭축)을 접속하는 것에 의해 MR 소자의 정전 파괴를 방지하는 예를 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 그 밖의 실시예를 제3도 및 제4도를 참조하여 설명한다.

제3도 및 제4도는 상술한 실시예와 마찬가지 공정에 의해 MR 헤드 소자 및 기록 재생 분리형 자기 헤드 소자를 형성하는 공정 도중을 실시하고 있다. 이 자기 헤드는 하부 실드(5)를 형성할 때에 부상면 랩을 실행하는 슬라이더 가공에서 조립완성까지의 동안, MR 소자 보호 회로 형성을 위한 접속부(10)(인출 길이에 대하여 인출 폭을 1/5 이상으로 함)을 동시에 형성하고, 또한 상부 실드(6)를 형성할 때에도 부상면 랩을 실행하는 슬라이더 가공에서 조립 완성까지의 동안, MR 소자 보호 회로 형성을 위한 접속부(9)(인출 길이에 대하여 인출 폭을 1/5 이상으로 함)을 동시에 형성하고, 이들 접속부(9) 및 (10)을 단락하여 둔다.

또한, 제5(b)도 및 제5(c)도에 도시한 단자 형성 공정에 있어서, 상부 실드 접속부(9)의 단부(9')와 하부 실드 접속부(10)의 단부(10')에 유도형 박막 자기 헤드의 코일(11)의 단부(11')와 기록용 상부 코어(12)의 단부(12')를 적층하고, 그 후에 하부 단자(19)를 상부 실드 접속부(9)와 하부 실드 접속부(10)상에 도금법에 의해 형성하고, 제1 실시예와 마찬가지로 보호 알루미나막(18)을 형성하고, 랩후에 하부 단자(19)를 노출시킨다. 이 후에 부상면의 랩을 실행하고, 슬라이더 가공에서 조립 완성까지의 동안에 양 실드를 접속하기 위한 상부 패드(32) 및 (33)을 MR 헤드용의 상부 단자(30)와 유도형 박막 자기 헤드용의 상부 단자(31)와 마찬가지의 재질과 막두께로 도금법에 의해 형성한다.

본 실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드에 있어서도, 상부 및 하부 실드를 단락한 상태에서 워터 제트 세정을 실행하므로, 세정에 의한 정전기가 과대전한 경우라도 MR 소자를 그다지 통과하지 않고 흐르므로, 정전기에 의한 MR 소자의 파괴 및 MR 소자와 양 실드 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다.

[기판 가공 시의 정전 파괴를 방지하는 예]

다음에, 상기 실시예에서 형성된 MR 헤드 소자 및 기록 재생 분리형 자기 헤드 소자가 형성되어 있는 기판(4)의 가공 및 조립 공정에 있어서의 정전 파괴 방지에 대하여 설명한다.

제8도 및 제9도는 본 실시예에 의한 기판 가공 공정을 설명하기 위한 사시도이고, 제6(a)도에 도시한 상태의 기록 재생 분리형 자기 헤드 소자가 다수 형성되어 있는 기판(4)을 기계 가공에 의해 절단하여 슬라이더를 형성하는 공정을 도시하고 있다.

제8도에 도시한 상태는 기판(4)을 소정의 블럭 사이즈로 절단하고, 이물이나 더러움을 제거하기 위해 워터 제트 세정을 실행한 후, 가공용 지그(36)에 세트한 것이다.

이 상태에서 본 실시예에 의한 자기 헤드 소자는 제5도에 도시한 상부 실드 접착부(53)의 상부 패드(32)와 하부 실드 접착부(54)의 하부 패드(33)를 단락하는 도전성 수지(34)를 마련한다. 이 도전성 수지(34)는 구리 페이스트나 은 페이스트 등이 고려되고, 부상면(37)을 랩하여 제1도 및 제2도에 도시한 하부 실드막(5)과 상부 실드막(6)의 접속부(17)를 절단하고, 헤드 소자 형성시에 사용하고 있던 보호 회로가 절단할 때, 양 상하 실드를 접속하여 대전한 정전기가 MR 소자로 흐르는 것을 방지한다. 즉, 본 실시에에 있어서는 상기 헤드 소자 형성시의 보호 회로에 변하는 가공 및 조립용 보호 회로를 도전성 수지(34)에 의해 구성된다.

또한 제9도에 도시한 바와 같이, 가공용 지그(36)에 지그(36)측에서 쇼트되어 있는 핀(35)을 마련하고, 그 핀(35)을 상부 패드(32) 및 (33)에 접속하는 것에 의해, 제8도에 도시한 실시예와 마찬가지로 양 상하 실드를 접속하여 대전한 정전기가 MR 소자로 흐르는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상부 헤드(32) 및 (33)을 부상면(37)의 측면 또는 이면에 형성하고, 또한 가공용 지그(36)를 도전성 재료로 제작한 것을 사용하고, 상부 패드(32) 및 (33)이 직접 지그(36)에 접촉하도록 구성하는 것에 의해, 지그(36)측에서 쇼트되어 있는 핀(35)을 사용하는 일없이, 효율적으로 양 상하 실드를 단락하여 정전 파괴를 방지할 수도 있다.

이와 같이, 본 실시예에서는, 기판으로부터 절단됨으로써 슬라이더가 형성될 때에 가공/조립용 보호 회로를 구성하고, 부상면(슬라이더면)을 랩하는 것에 의해 MR 소자의 소정 MR 막 높이 가공을 실행한다. 자기 헤드는 이 MR막 높이를 2㎛까지 몰아넣은 후, 부상용의 레일 가공(rail process)과 유입단의 가공을 실행하고 가공용 지그(36)에서 분리하지 않고 제6(b)도에 도시한 바와 같은 슬라이더를 형성하는 것에 의해 제작된다.

이상의 공정을 거쳐 형성된 슬라이더 형상의 MR 선단의 감자부의 저항은 약 22Ω으로 되고, 양 실드를 접속하기 위한 상부 패드(32) 및 (33)을 단락하고 있을 때, 전극(3)에서 하부 실드 접속부(10) 내지 상부 실드 접속부(9)를 경유하여 전극(3')까지에 이르는 저항은 약 2Ω으로 되고, 감자부에 대하여 약 1/11의 값으로 할 수 있다.

또한, 본 실시예에 의한 자기 헤드는 조립 공정으로의 운반 내지 보관 중도 상기 상부 패드(32) 및 (33)을 도전성 수지(34)를 거쳐 단락시킨 상태로 하여 두는 것에 의해, 운반중 등의 마찰 등에 의해 발생하는 정전기에 의한 MR 소자의 파괴 및 MR 소자와 양 실드 사이의 절연 파괴도 방지할 수 있다.

[조립 공정시의 정전 파괴를 방지하는 예]

본 실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 슬라이더를 짐발을 포함하는 로드 암(서스펜션 스프링)으로 조립하는 공정에 있어서도 MR 소자 등의 정전 파괴를 방지할 수 있는 것이고, 이 조립 공정를 제10도를 참조하여 설명한다.

본 실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 제10도에 도시한 바와 같이, 자기 헤드 슬라이더(100)를 강성체로 이루어진 로드 암(101)으로 조립하는 공정 중에 있어서도, 슬라이더(100)의 상부 실드막 단락용의 상부 패드(32) 및 (33)을 상술한 도전성 수지(34)에 의해 단락시킨 상태(제8도 참조)에서, MR 소자용의 상부 단자(30) 및 유도형 박막 자기 헤드용의 상부 단자(31)(제5도 참조)에 각각 재생 신호 인출용 리드선(40) 및 기록 신호 공급용 리드(41)를 납땜 또는 초음파 본딩에 의해 접속하여 두고, 이 상태에서 자기 헤드 슬라이더(100)를 수지에 의해 접착하여 로드암(101)으로 조립하여 작업을 실행한다.

따라서, 조립 공정 중의 자기 저항 효과형 자기 헤드는 로드 암으로서 조립 중에 있어서도 상하부 실드막 단락용의 상부 패드(32) 및 (33)을 도전성 수지(34)에 의해 단락시킨 상태에서 작업을 실행하기 때문에, 조립 작업 중에 정전기를 과대전한 경우라도, 상기 단락 회로를 거쳐 정전기가 흐르므로, MR 소자의 파괴 및 MR 소자와 양 실드 사이의 절연 파괴도 방지할 수 있다.

또한, 자기 디스크 장치에 자기 헤드를 조립하기 위한 공정으로의 운반 및 자기 헤드 보관 중도 상술한 양 상하 실드와 접속하는 상부 패드(32) 및 (33)을 도전성 수지(34)에 의해 단락시킨 상태로 하여 두는 것에 의해, 운반중 등의 마찰에 의해 발생하는 정전기에 의한 MR 소자의 파괴나 MR 소자와 양 실드 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 이 도전성 수지(34)는 자기 헤드를 장치에 조립하기 직전에 제거한다.

이와 같이, 본 실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 MR 소자 형성 공정, 유도형 박막 소자 형성 공정, 가공 공정, 조립 공정에 있어서도, 상부 및 하부 실드막을 단락 상태로 유지하는 것에 의해, 워터 제트나 반송 중에 발생하는 정전기에 의한 MR 소자의 파괴나 MR 소자와 양 실드 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다. 이들 각 공정에 있어서의 전체 구성을 다음에 제14도를 참조하여 설명한다.

먼저 본 실시예의 대상으로 하는 기록 재생 분리형 자기 헤드의 제조 공정은 제14도에 도시한 바와 같이, 하부 실드막 형성에서 상부 실드막의 형성까지의 MR 소자 형성 공정(141)과 그 MR 소자상에 기록 갭막 형성에서 코일 저항 검사까지의 유도형 박막 소자 형성 공정(142)과 이들 소자를 탑재한 기판에서 슬라이더 단위로 절단 내지 MR/저항 검사까지를 실행하는 가공 공정(143)과 가공한 슬라이더로의 리드선 배선에서 서스펜션(로드 암)으로의 설치를 실행하는 조립 공정(144)으로 대별된다.

본 실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법은 상기 MR 소자 형성 공정(141)에 있어서, 상부 및 하부 실드막을 쇼트하는 단락 회로를 형성(작업 144)하여 소자 형성을 실행하고, 유도형 박막 소자 형성 공정(142)에 있어서도 상기 단락 회로를 형성한 상태에서 소자 형성(작업 145)을 실행하고, 가공 공정(143)에 있어서는 기판 절단, 갭 깊이 가공, 슬라이더 가공까지는 상부 및 하부 실드막을 접속하는(가공용) 보호 회로(도전성 수지(34) 또는 핀(35) 등에 의한 단락 회로)를 온(작업 147)으로 하고, MR 소자 및 유도형 박막 소자의 코일 저항값의 검사시에는 보호 회로를 오프(작업 148)로 하고, 조립 공정(144)에 있어서는 리드선 배선 및 서스펜션 접착 공정까지는 상부 및 하부 실드막을 접속하는 (조립용) 보호회로를 온(작업 149)으로 하고, 자기 디스크 장치에 조립하기 직전에 상술한 보호 회로(단락 회로)를 떼고 나서 리드/라이트 특성의 검사를 실행하는(작업 150) 것이다.

이와 같이, 본 실시예에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법은 각 공정에 있어서 자기 저항 효과형 자기 헤드의 상부 실드막과 하부 실드막의 단락 회로를 마련하여 대전한 정전기가 그 단락 회로를 거쳐 흐르게 하여 자기 저항 효과형 자기 헤드를 제조하는 것에 의해 정전기에 의한 MR 소자의 파괴나 MR 소자와 양 실드 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다.

또한, 상술한 실시예에 있어서는 자기 저항 효과형 자기 헤드의 바이어스막으로서 션트막을 사용하는 예를 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 바이어스막으로서 션트막 대신에 영구 자석/연자성 박막/강자성 박막/이들 막을 적층한 막을 바이어스막으로 채용해도 좋다. 또한, 상기 실시예에 있어서는 상부 실드막과 하부 실드막을 단락하는 단락 회로를 제2도 등의 자기 헤드 선단의 접속부(17) 또는 제5도에 도시한 단자측의 접착부(53) 및 (54)를 사용하는 예를 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명은 다음에 도시한 구성으로서도 나타낼 수 있다.

[예 1]

상부 실드, 하부 실드, 자기 저항 효과를 갖는 자성 박막과 그 자성 박막에 바이어스 자계를 인가하는 바이어스막과 그 자성 박막의 자기 저항 효과를 외부로 인출하기 위한 전극이 기판상에 형성된 구성으로, 전극의 한쪽이 상부 실드와 접속되고, 전극의 다른 쪽이 하부 실드와 접속되고, 상부 실드와 하부 실드의 일부가 노출하고, 상부 실드와 하부 실드가 접속할 수 있도록 배치한 자기 저항 효과 헤드로 한다.

[예 2]

상기 예 1의 자기 저항 효과 헤드에 있어서, 전극에 접속된 상부 실드와 하부 실드의 저항값이 그 자성 박막과 그 자성 박막에 바이어스 자계를 인가하는 바이어스막으로 되는 저항값의 1/10이하인 자기 저항 효과 헤드로 한다.

또한, 본 발명은 다음에 기술하는 방법에 의해 제조할 수 있다.

[예 3]

예 1, 2의 자기 저항 효과 헤드 소자가 제작된 기판상에 기록용 유도형 박막자기 헤드 소자가 적층되는 구조에 있어서, 상부 실드와 하부 실드를 접속한 상태에서, 기록용 유도형 박막 자기 헤드 소자를 형성하는 기록용 재생 분리형 자기 헤드 소자의 제조 방법으로 한다.

[예 4]

자기 저항 효과 소자 및 기록용 재생 분리형 자기 헤드 소자의 가공 작업, 조립 작업을 실행하는 경우 또는 각 공정간에 있어서 보관하는 경우, 상부 실드와 하부 실드의 노출 부분을 접속한 상태로 하여 두는 것이 저항 효과 헤드 및 기록 재생 분리형 자기 헤드의 제조 방법으로 한다.

이상 기술한 바와 같이 본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드는 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 2개의 전극 사이를 단락하는 단락 회로를 마련한 것에 의해, 소자 형성 공정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 정전 파괴를 방지할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 자기 헤드는 각각 전극과 전기적으로 접속하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락하는 단락 회로를 마련한 것에 의해, 소자 형성 공정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있고, 또한 상기 단락 회로의 저항값을 자기 저항 효과 소자의 저항값의 1/10 이하로 하는 것에 의해 대전한 정전기가 주로 단락 회로를 거쳐 흐르고, 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 충분히 방지할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법은 전극 사이를 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락하는 단락 회로를 마련하고, 그 단락 회로에 의해 전극 사이를 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락한 상태에서 자기 저항 효과 소자 형성 내지 자기 헤딩 조립을 실행하는 것에 의해, 소자 형성 공정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 정전 파괴를 방지할 수 있다.

또한, 본 자기 헤드의 제조 방법은 각각 전극과 전기적으로 접속하는 상부 실드막 및 하부 실드막을 자기 저항 효과 소자를 거치지 않고 단락하는 단락 회로를 마련한 것에 의해, 소자 형성 공정 내지 조립 공정 및 반송 공정 등에 발생하는 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있고, 또한 단락 회로의 저항값을 자기 저항 효과 소자의 저항값의 1/10 이하로 하는 것에 의해, 대전한 정전기가 주로 단락 회로를 거쳐 흐르고, 정전기에 의한 자기 저항 효과 소자의 파괴 및 자기 저항 효과 소자와 양 실드막 사이의 절연 파괴를 충분히 방지할 수 있다.

따라서, 본 발명에 의한 자기 저항 효과형 자기 헤드 구조와 제조 방법을 채용하는 것에 의해, MR 소자 형성 및 MR 헤드 가공/조립 공정에 있어서의 정전 파괴를 제로 퍼센트로 억제할 수 있고, 높은 수율의 MR 헤드 및 기록 재생 분리형 자기 헤드를 제조할 수 있다.

Claims (6)

1. 자기 저항 효과형 헤드의 제조 방법에 있어서,

   (a) 기판 상에 하부 실드막을 형성하는 단계,

   (b) 상기 하부 실드막 상에 하부 갭막을 거쳐 자기 저항 효과막 및 바이어스 막을 구비한 자기 저항 효과 소자를 형성하고, 상기 자기 저항 효과 소자의 외부 자계 변화에 의한 저항의 변화를 검출하기 위한 2개의 전극을 형성하는 단계,

   (c) 상기 2개의 전극 중 하나의 전극을 상기 하부 실드막에 전기적으로 접속하는 단계,

   (d) 상기 하부 실드막, 상기 자기 저항 효과 소자 및 상기 2개의 전극 상에 상부 실드막을 형성하되, 상기 상부 실드막을 부상면(floating surface)이 일 측부에서 상기 하부 실드막보다 짧게 형성하는 단계,

   (e) 상기 2개의 전극 중 다른 하나의 전극과 상기 상부 실드막을 전기적으로 접속하는 단계,

   (f) 상기 상부 실드막 상에 기록용 갭막을 형성하는 단계,

   (g) 상기 기록용 갭막 상에 절연막을 거쳐 코일을 형성하는 단계,

   (h) 상기 부상면의 상기 일 측부의 대향 측부에 상기 코일 상에 절연막을 거쳐 기록용 상부 코어 형성하여, 상기 기록용 상부 코어가 상기 상부 실드막과 폐루프 자기 회로를 형성하게 하는 단계,

   (i) 상기 기록용 상부 코어 상에 보호막을 형성하고, 상기 하부 실드막의 단부, 상기 상부 실드막의 단부, 상기 2개의 전극의 단부 및 상기 코일의 단부를 상기 보호막 상에서 노출시키는 단계,

   (j) 상기한 연속적인 단계들에 의해 형성된 복수의 자기 저항 효과형 자기 헤드 소자를 형성하는 기판을 절단함으로써 슬라이더 블록을 형성하는 단계,

   (k) 상기 슬라이더 블록 상의 상기 자기 저항 효과형 자기 헤드 소자의 상기 상부 실드막의 단부와 상기 하부 실드막의 단부를 전기적 도전성 부재에 의해 접속 하는 단계,

   (l) 상기 슬라이더 블록의 상기 부상면 상의 랩 가공(lapping process)에 의해 상기 상부 실드막과 하부 실드막의 단락부를 절단하는 단계, 및

   (m) 상기 부상면을 위해 상기 슬라이더 블록에 레일 가공(rail process)을 행하는 단계를 포함하는 자기 저항 효과형 헤드의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 슬라이더 블록 상의 상기 자기 저항 효과형 자기 헤드 소자들의 상기 하부 실드막의 단부와 상기 하부 실드막의 단부를 접속하는 상기 전기적 도전성 부재는 전기적 도전성 수지를 포함하는 자기 저항 효과형 헤드의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 슬라이더 블록 상의 상기 자기 저항 효과형 자기 헤드 소자의 상기 하부 실드막의 단부와 상기 상부 실드막의 단부를 접속하는 상기 전기적 도전성 부재는 외부 단락 회로를 포함하는 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 자기 저항 효과 소자의 상기 외부 자계 변화에 의해 유발된 상기 저항의 변화를 검출하는 상기 2개의 전극을 형성한 후에 상기 2개의 전극을 통해 상기 자기 저항 효과 소자를 검사하는 단계를 더 포함하는 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 슬라이더 블록에 부상을 위한 상기 레일 가공을 행한 후, 상기 슬라이더 블록 상의 상기 상부 실드막의 단부와 상기 하부 실드막의 단부간의 전기적 접속부를 절단하고, 상기 2개의 전극의 단부를 통해 상기 자기 저항 효과 소자를 검사하는 단계를 더 포함하는 자기 저항 효과형 자기 헤드의 제조 방법.
6. 자기 저항 효과형 헤드 조립체의 제조 방법에 있어서,

   (a) 기판 상에 하부 실드막을 형성하는 단계,

   (b) 상기 하부 실드막 상에 하부 갭막을 거쳐 자기 저항 효과막 및 바이어스 막을 구비한 자기 저항 효과 소자를 형성하고, 상기 자기 저항 효과 소자의 외부 자계 변화에 의한 저항의 변화를 검출하기 위한 2개의 전극을 형성하는 단계,

   (c) 상기 2개의 전극 중 하나의 전극을 상기 하부 실드막에 전기적으로 접속하는 단계,

   (d) 상기 하부 실드막, 상기 자기 저항 효과 소자 및 상기 2개의 전극 상에 상부 실드막을 형성하되, 상기 상부 실드막을 부상면의 일 측부에서 상기 하부 실드 막보다 짧게 형성하는 단계,

   (e) 상기 2개의 전극 중 다른 하나의 전극과 상기 상부 실드막을 전기적으로 접속하는 단계,

   (f) 상기 상부 실드막 상에 기록용 갭막을 형성하는 단계,

   (g) 상기 기록용 갭막 상에 절연막을 거쳐 코일을 형성하는 단계,

   (h) 상기 부상면의 상기 일 측부의 대향 측부에 상기 코일 상에 절연막을 거쳐 기록용 코어를 형성하여, 상기 기록용 상부 코어가 상기 상부 실드막과 폐루프 자기 회로를 형성하게 하는 단계,

   (i) 상기 기록용 상부 코어 상에 보호막을 형성하고, 상기 하부 실드막의 단부, 상기 상부 실드막의 단부, 상기 2개의 전극의 단부 및 상기 코일의 단부를 상기 보호막 상에서 노출시키는 단계,

   (j) 상기한 연속적인 단계들에 의해 형성된 복수의 자기 저항 효과형 자기 헤드 소자를 형성하는 기판을 절단함으로써 슬라이더 블록을 형성하는 단계,

   (k) 상기 슬라이더 블록 상의 상기 자기 저항 효과형 자기 헤드 소자의 상기 상부 실드막의 단부와 상기 하부 실드막의 단부를 전기적 도전성 부재에 의해 접속 하는 단계,

   (l) 상기 슬라이더 블록의 상기 부상면 상의 랩 가공에 의해 상기 상부 실드막과 하부 실드막의 단락부를 절단하는 단계,

   (m) 상기 부상면을 위해 상기 슬라이더 블록에 레일 가공을 행하는 단계, 및

   (n) 상기 하부 실드막의 단부와 상기 상부 실드막의 단부가 상기 전기적 도전성 부재에 의해 접속된 상태에서 상기 슬라이더 블록을 서스펜션 스프링 상에 장착하는 단계를 포함하는 자기 저항 효과형 헤드 조립체의 제조 방법.