[go: up one dir, main page]

KR100237893B1 - 식각액 열 교환장치 - Google Patents

식각액 열 교환장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100237893B1
KR100237893B1 KR1019960040121A KR19960040121A KR100237893B1 KR 100237893 B1 KR100237893 B1 KR 100237893B1 KR 1019960040121 A KR1019960040121 A KR 1019960040121A KR 19960040121 A KR19960040121 A KR 19960040121A KR 100237893 B1 KR100237893 B1 KR 100237893B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etchant
heat exchange
liquid nitrogen
etching
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1019960040121A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980021307A (ko
Inventor
홍기석
Original Assignee
김충환
한국전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김충환, 한국전자주식회사 filed Critical 김충환
Priority to KR1019960040121A priority Critical patent/KR100237893B1/ko
Publication of KR19980021307A publication Critical patent/KR19980021307A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100237893B1 publication Critical patent/KR100237893B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

본 발명은 습식식각이 상온 이하의 온도영역에서 실행되도록 식각액을 상온 이하로 유지·제어할 수 있는 액화 질소를 이용한 식각액 열 교환장치를 개시한다. 본 발명에 따른 식각액 열 교환장치는 식각액을 안내하기 위한 식각액 안내배관상에 설치된 혼합수단과 압력변화수단을 이용한다. 혼합수단은 액화질소 탱크로부터의 액화질소를 식각액 안내배관에 의해 안내되는 식각액과 혼합한다. 압력변화수단은 혼합된 식각액 및 액화질소의 압력을 낮추어서 액화질소를 기화시킴과 아울러 식각액을 냉각시키는 압력변화수단을 구비한다.

Description

식각액 열 교환장치
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 식각액 열 교환장치의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 열 교환 공동 12 : 흡입배관
14 : 배출배관 16 : 배출구
18 : 질소 탱크 20 : 안내 배관
22 : 밸브 24 : 노즐
26 : 중간막
본 발명은 반도체 제조에 사용되어 습식식각의 온도조건을 조절하기 위한 식각액 열 교환장치에 관한 것으로, 특히 습식 식각이 상온 이하에서 진행될 수 있도록 하는 액화 질소를 이용한 식각액 열 교환장치에 관한 것이다.
통상적으로, 습식식각법은 식각액을 반도체 및 금속 등과 같은 식각대상물질층의 표면에 공급하여 식각액에 의해 식각대상물질층의 표면이 부식·제거되도록 하는 것이다. 이러한 습식식각법은 식각대상물질이 적절한 속도로 식각되도록 온도조건을 제어하는 식각액 열 교환장치를 필요로 한다.
그러나, 습식식각공정에 사용되는 종래의 식각액 열 교환장치는 식각액의 온도가 상온보다 높은 영역에서 조절되도록 하였다. 이로 인하여, 습식식각은 상온 이상의 영역에서만 실행될 뿐 상온 이하의 온도영역에서는 실행될 수 없었다.
따라서, 본 발명의 목적은 습식식각이 상온 이하의 온도영역에서 실행되도록 하는 액화 질소를 이용한 식각액 열 교환장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 열 교환 효율을 극대화하고 액화질소의 불필요한 소모를 방지할 수 있는 식각액 열 교환장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 식각액 열 교환장치는 식각 대상 물질이 내장된 챔버에 식각액을 안내하기 위한 식각액 안내배관과, 액화질소를 저장하는 액화질소 탱크와, 액화질소 탱크로부터의 액화질소를 상기 식각액 안내배관에 의해 안내되는 식각액과 혼합하는 혼합수단과, 혼합된 식각액 및 액화질소의 압력을 낮추어서 액화질소를 기화시킴과 아울러 식각액을 냉각시키는 압력변화수단을 구비한다.
본 발명에 따른 식각액 열 교환장치는 혼합수단과 상기 공동부 사이에 기화촉진수단이 추가로 설치되어 공동부에서의 액화질소의 기화를 촉진시킨다.
상기 목적들 외에 본 발명의 다른 목적 및 잇점들은 첨부 도면을 참조한 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명확하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 제1도를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
제1도를 참조하면, 흡입배관(12) 및 배출배관(14)과 배출구(16)를 갖는 열 교환 공동(10)을 구비한 본 발명의 실시예에 따른 식각액 열 교환장치가 도시되어 있다. 흡입배관(12)은 식각액 탱크(도시하지 않음)로부터의 식각액을 열 교환 공동(10)의 내부로 안내한다. 이를 위하여, 흡입배관(12)은 열 교환 공동(10)의 일측벽의 하단부에 설치된다. 배출배관(14)는 흡입배관(12)이 설치된 열 교환 공동(10)의 측벽과 대면된 열 교환 공동(10)의 타측벽의 하단부에 설치된다. 그리고 배출배관(14)는 열 교환 공동(10)의 내부에서 냉각된 식각액을 식각대상물질(도시하지 않음)이 내장된 챔버(도시하지 않음)쪽으로 안내한다. 그리고 배출구(16)은 열 교환 공동(10)의 상판에 형성되어 열 교환 공동(10)내부에 생성되는 가스가 배출되도록 한다.
상기 식각액 열 교환 장치는 질소 탱크(18)로부터의 액화질소(LN2)를 상기 흡입배관(12)쪽으로 안내하는 안내 배관(20)과, 안내배관(20)에 설치된 밸브(Valve, 22)를 추가로 구비한다. 질소 탱크(18)에 저장된 액화질소(LN2)는 -192°의 온도를 유지하여 안내 배관(20)을 경유하여 흡입된다. 흡입배관(12)에 도달된 액화질소(LN2)는 식각액과 함께 열 교환 공동(10)로 내부로 유입된다. 이 때, 열 교환 공동(10)의 내부로 유입된 액화질소(LN2)는 압력이 급격히 낮아짐에 따라 식각액으로부터 열을 빼앗아 기화된다. 이 기화된 질소분자는 상기 배출구(16)을 통해 열 교환 공동(10)의 외부로 배출된다. 한편, 열 교환 공동(10)의 내부에 유입된 식각액은 액화질소(NL2)의 기화에 의해 냉각된다. 이 냉각된 식각액은 배출 배관(14)을 경유하여 상기 챔버쪽으로 유출된다. 그리고 안내 배관(20)에 설치된 밸브(22)는 사용자에 의해 조작되어 안내 배관(20)을 경유하여 흡입배관(12)에 공급될 액화질소(LN2)의 유량을 조절하여 식각액의 냉각온도를 제어한다. 이를 상세히 하면, 밸브(22)는 식각액의 냉각 온도를 낮추기 위해서는 흡입 배관(12)에 공급될 액화질소(LN2)의 유량을 증가시킨다. 반대로, 식각액의 냉각 온도를 높이기 위해서는 흡입 배관(12)에 공급될 액화질소(LN2)의 유량을 감소시킨다.
또한, 상기 식각액 열 교환 장치는 상기 열 교환 공동(10)의 측벽과 인접한 상기 흡입 배관(12)에 설치된 노즐(Nozzle, 24)과, 열 교환 공동(10)의 내부에 설치된 중간막(26)를 구비한다. 노즐(24)는 흡입 배관(12)으로부터 열 교환 공동(10)의 내부로 유입되는 식각액 및 액화질소(LN2)를 분출시켜 식각액 및 액화질소(LN2)의 압력이 급격하에 낮아지게 한다. 이에 따라, 액화질소(LN2)는 빠른 속도로 기화되어 식각액을 급격하에 냉각시킨다. 결과적으로, 노즐(24)는 액화질소(LN2)의 기화속도와 식각액의 냉각속도를 보다 빠르게 촉진시킨다. 한편, 중간막(26)은 열 교환 공동(10)내에서 흡입 배관(12)와 배출 배관(14)와의 중간지점의 열 교환 공동(10)의 저면으로부터 수직으로 일정한 높이까지 신장되어 일정량의 식각액이 저장되도록 함으로서 액화질소가 기화될 수 있는 충분한 시간을 확보하는 기능을 수행한다. 식각액은 중간막(26)의 상단부까지 만충된 이후에 중간막(26)을 넘어 배출 배관(14)쪽으로 유동하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 식각액 열 교환 장치는 상온에서 급격하게 기화하는 액화질소를 이용하여 식각액을 냉각시키므로 습식식각의 온도조건을 상온 이하로 유지·제어할 수 있는 이점을 제공한다. 그리고 본 발명에 따른 식각액 열 교환 장치는 액화질소의 기화를 촉진시켜 식각액의 냉각효율을 극대화 할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 식각액 열 교환장치는 액화질소의 과다 소비를 방지할 수 있다.
본 발명의 지금까지 제1도에 도시된 전형적인 식각액 열 교환 장치를 실시예로서 설명하였으나 발명의 기술사상을 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정될 수 있음을 이해하여야 한다. 따라서, 본 발명은 실시예에 국한되지 않고 단지 특허청구의 범위에 기재된 사항에 의해서만 정하여져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 식각 대상 물질이 내장된 챔버에 식각액을 안내하기 위한 식각액 안내배관을 구비한 반도체 제조장비에 있어서, 액화질소를 저장하는 액화질소 탱크와, 상기 액화 질소 탱크로부터의 액화질소를 상기 식각액 안내배관에 의해 안내되는 식각액과 혼합하는 수단과, 상기 혼합된 식각액 및 액화질소의 압력을 낮추어서 액화질소를 기화시킴과 아울러 식각액을 냉각시키는 압력변화수단을 구비한 것을 특징으로 하는 식각액 열 교환장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 압력변화수단은 상기 챔버와 상기 혼합수단의 사이에 설치되어 공동영역을 형성하는 공동부를 구비한 것을 특징으로 하는 식각액 열 교환장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 혼합수단과 상기 공동부 사이에 설치되어 공동부에서의 액화질소의 기화를 촉진시키는 기화촉진수단을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 식각액 열 교환장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기화촉진수단은 상기 혼합수단으로부터 상기 공동부쪽으로 유입될 상기 식각액 및 액화질소를 분출시키는 노즐을 구비한 것을 특징으로 하는 식각액 열 교환장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공동부의 저면으로부터 수직으로 일정 높이까지 신장되어 일정량의 식각액이 저장된 후 유동되도록 하는 중간막을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 식각액 열 교환장치.
KR1019960040121A 1996-09-16 1996-09-16 식각액 열 교환장치 Expired - Fee Related KR100237893B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960040121A KR100237893B1 (ko) 1996-09-16 1996-09-16 식각액 열 교환장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960040121A KR100237893B1 (ko) 1996-09-16 1996-09-16 식각액 열 교환장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980021307A KR19980021307A (ko) 1998-06-25
KR100237893B1 true KR100237893B1 (ko) 2000-01-15

Family

ID=19473883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960040121A Expired - Fee Related KR100237893B1 (ko) 1996-09-16 1996-09-16 식각액 열 교환장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100237893B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980021307A (ko) 1998-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5520858A (en) Liquid vaporizing apparatus
US8818545B2 (en) Semiconductor fabrication apparatus and temperature adjustment method
CN103187340A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
US5335503A (en) Cooling method and apparatus
JPH06174348A (ja) 伝熱流体を循環して熱負荷を冷却する方法および装置
EP1796447B1 (en) System and method for electronic chassis and rack mounted electronics with an integrated subambient cooling system
JPS6210414A (ja) 内燃機関の沸騰冷却装置
KR100237893B1 (ko) 식각액 열 교환장치
JP4192413B2 (ja) 氷蓄熱装置の過冷却器
KR20020063178A (ko) 액체 가스 열교환기
JP2006501639A (ja) 超高真空システム用デュアルチャンバ統合型フェイズセパレータ本出願は、米国法人であるビーコインスツルメンツインコーポレーティッド名義で、米国を除くすべての国を指定国とするｐｃｔ国際出願として、２００３年７月２９日に出願されたものである。
JP4897465B2 (ja) 気化冷却装置
EP0867677B1 (en) Cooling tower
KR20080040173A (ko) 응축기 냉각장치
JP2008096062A (ja) 気化冷却装置
KR100225323B1 (ko) 연속적 냉매 순환식 확산펌프(Diffusion pump)의 배플(Baffle)
KR100347252B1 (ko) 진공식 난방 보일러
JP2004202374A (ja) 発泡性液の蒸発濃縮方法及び装置
RU2399508C2 (ru) Резервуар для хранения криогенной жидкости
JP2753776B2 (ja) 減圧気化冷却装置
KR200232736Y1 (ko) 반도체 공정용 칠러
JP2002122370A (ja) 熱交換装置
KR960006720Y1 (ko) 탁자형 셀프호프기의 냉각장치
JP2022134319A (ja) 液体窒素式冷却装置
KR20220002068U (ko) 냉각탑의 냉각수 분배 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19960916

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19960916

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19990414

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19990712

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19991012

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19991013

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20021004

Start annual number: 4

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050921

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060925

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070917

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080929

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080929

Start annual number: 10

End annual number: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20100910